JP2014183180A - Electronic component module, and method for manufacturing the same - Google Patents

Electronic component module, and method for manufacturing the same Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic component module having the enhanced adhesiveness between a mold resin and an electromagnetic wave shield.SOLUTION: An electronic component module comprises: a module substrate 20; electronic components 31 to 33 mounted on a main surface 21 of the module substrate 20; a mold resin 40 formed on the main surface 21 of the module substrate 20 so as to cover electronic components 31 to 33 and having surfaces 41, 42 treated with roughening process; and an electromagnetic wave shield 50 formed on surfaces 41, 42 of the mold resin 40. According to the present invention, since surfaces 41, 42 of the mold resin 40 are treated with roughening process, adhesiveness between the mold resin 40 and the electromagnetic shield 50 can be enhanced.

Description

本発明は電子部品モジュール及びその製造方法に関し、特に、モールド樹脂の表面に電磁波シールドが形成された電子部品モジュール及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic component module and a manufacturing method thereof, and more particularly to an electronic component module in which an electromagnetic wave shield is formed on the surface of a mold resin and a manufacturing method thereof.

近年、携帯型の情報端末などには、複数の電子部品がモジュール基板に実装されてなる電子部品モジュールが多数用いられている。このような電子部品モジュールは、外来の電磁波ノイズによる誤動作を防止するとともに、自らが電磁波ノイズの発生源とならないよう、電磁波シールドで覆われることがある。例えば、特許文献１には、モジュール基板の上部をシールドケースで覆った電子部品モジュールが記載されている。   In recent years, many electronic component modules in which a plurality of electronic components are mounted on a module substrate are used in portable information terminals and the like. Such an electronic component module may be covered with an electromagnetic wave shield to prevent malfunction due to external electromagnetic noise and to prevent itself from being a source of electromagnetic noise. For example, Patent Document 1 describes an electronic component module in which an upper portion of a module substrate is covered with a shield case.

しかしながら、特許文献１に記載された電子部品モジュールでは、モジュール基板上に実装された電子部品とシールドケースとの間に所定のクリアランスが必要となることから、全体の厚みが大きくなり、低背化が困難であるという問題があった。これに対し、特許文献２には、モジュール基板上の電子部品をモールド樹脂で覆い、モールド樹脂の表面に電磁波シールドをメッキにより直接形成した電子部品モジュールが記載されている。これによれば、電子部品モジュール全体の厚みをより薄くすることができるため、低背化に有利である。   However, in the electronic component module described in Patent Document 1, since a predetermined clearance is required between the electronic component mounted on the module substrate and the shield case, the overall thickness is increased and the height is reduced. There was a problem that was difficult. On the other hand, Patent Document 2 describes an electronic component module in which an electronic component on a module substrate is covered with a mold resin, and an electromagnetic wave shield is directly formed on the surface of the mold resin by plating. According to this, since the thickness of the whole electronic component module can be made thinner, it is advantageous for low profile.

特開２００５−１９８８２号公報JP 2005-19882 A 特開２００６−３３２２５５号公報JP 2006-332255 A

しかしながら、メッキにより形成される電磁波シールドはモールド樹脂との密着性が低いため、その後の工程で剥がれが生じることがあった。特に、モールド樹脂の最表面には、金型からの剥離性を高めるためにワックス層が存在していることがあり、このような場合、モールド樹脂と電磁波シールドとの密着性はより低下する。   However, since the electromagnetic wave shield formed by plating has low adhesion to the mold resin, peeling may occur in the subsequent steps. In particular, a wax layer may be present on the outermost surface of the mold resin in order to improve the releasability from the mold. In such a case, the adhesion between the mold resin and the electromagnetic wave shield is further lowered.

したがって、本発明の目的は、モールド樹脂と電磁波シールドとの密着性が高められた電子部品モジュール及びその製造方法を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an electronic component module having improved adhesion between the mold resin and the electromagnetic wave shield and a method for manufacturing the same.

本発明による電子部品モジュールは、モジュール基板と、前記モジュール基板の主面に搭載された電子部品と、前記電子部品を覆うよう前記モジュール基板の前記主面に形成され、表面が粗面化されたモールド樹脂と、前記モールド樹脂の前記表面に形成された電磁波シールドと、を備えることを特徴とする。   An electronic component module according to the present invention is formed on the main surface of the module substrate so as to cover the module substrate, the electronic component mounted on the main surface of the module substrate, and the surface of the module substrate. A mold resin and an electromagnetic wave shield formed on the surface of the mold resin are provided.

本発明によれば、モールド樹脂の表面が粗面化されていることから、モールド樹脂と電磁波シールドとの密着性を高めることが可能となる。   According to the present invention, since the surface of the mold resin is roughened, the adhesion between the mold resin and the electromagnetic wave shield can be improved.

本発明においては、前記モールド樹脂にガラスフィラーが含まれており、前記モールド樹脂の前記表面からは前記ガラスフィラーの少なくとも一部が除去され、これにより前記表面が粗面化されていることが好ましい。これによれば、ガラスフィラーの除去によって形成された微細なキャビティ（微細孔）がいわゆるアンカー効果をもたらすため、より密着性を高めることが可能となる。この場合、モールド樹脂の表面に露出するガラスフィラーの全てを除去することは必須でなく、一部のガラスフィラーのみを除去しても構わない。これは、一部のガラスフィラーを除去すれば、残存するガラスフィラーの表面が粗面化された状態となり、アンカー効果が得られるからである。   In the present invention, it is preferable that the mold resin contains a glass filler, and at least a part of the glass filler is removed from the surface of the mold resin, whereby the surface is roughened. . According to this, since fine cavities (micropores) formed by removing the glass filler bring about a so-called anchor effect, it is possible to further improve the adhesion. In this case, it is not essential to remove all of the glass filler exposed on the surface of the mold resin, and only a part of the glass filler may be removed. This is because if a part of the glass filler is removed, the surface of the remaining glass filler is roughened and an anchor effect is obtained.

本発明において、前記電磁波シールドは前記モジュール基板の側面にも形成されていることが好ましい。これによれば、より高いシールド効果を得ることが可能となる。   In the present invention, it is preferable that the electromagnetic wave shield is also formed on a side surface of the module substrate. According to this, a higher shielding effect can be obtained.

また、本発明による電子部品モジュールの製造方法は、モジュール基板の主面に電子部品を搭載する工程と、前記電子部品を覆うよう前記モジュール基板の前記主面にモールド樹脂を形成する工程と、前記モールド樹脂の表面を粗面化する工程と、前記モールド樹脂の粗面化された前記表面に無電解メッキを施すことによって電磁波シールドを形成する工程と、を備えることを特徴とする。   The method of manufacturing an electronic component module according to the present invention includes a step of mounting an electronic component on a main surface of a module substrate, a step of forming a mold resin on the main surface of the module substrate so as to cover the electronic component, A step of roughening a surface of the mold resin, and a step of forming an electromagnetic wave shield by performing electroless plating on the roughened surface of the mold resin.

本発明によれば、モールド樹脂の表面を粗面化した後に無電解メッキを施していることから、モールド樹脂と電磁波シールドとの密着性を高めることが可能となる。   According to the present invention, since the electroless plating is performed after the surface of the mold resin is roughened, the adhesion between the mold resin and the electromagnetic wave shield can be improved.

本発明においては、前記モールド樹脂にガラスフィラーが含まれており、前記粗面化する工程は、前記モールド樹脂の前記表面に露出する前記ガラスフィラーの少なくとも一部を除去する工程を含むことが好ましい。これによれば、ガラスフィラーの除去によって形成された微細なキャビティがいわゆるアンカー効果をもたらすため、より密着性を高めることが可能となる。この場合、モールド樹脂の表面に露出するガラスフィラーの全てを除去することは必須でなく、一部のガラスフィラーのみを除去しても構わない。これは、一部のガラスフィラーを除去すれば、残存するガラスフィラーの表面が粗面化された状態となり、アンカー効果が得られるからである。   In the present invention, the mold resin contains a glass filler, and the roughening step preferably includes a step of removing at least a part of the glass filler exposed on the surface of the mold resin. . According to this, since the fine cavity formed by the removal of the glass filler brings about a so-called anchor effect, it becomes possible to further improve the adhesion. In this case, it is not essential to remove all of the glass filler exposed on the surface of the mold resin, and only a part of the glass filler may be removed. This is because if a part of the glass filler is removed, the surface of the remaining glass filler is roughened and an anchor effect is obtained.

この場合、前記モールド樹脂の前記表面は、前記モジュール基板の前記主面と平行な第１の表面と、前記モジュール基板の前記主面に対して垂直な第２の表面を有し、前記粗面化する工程は、前記ガラスフィラーを除去する前に、前記モールド樹脂の前記第１の表面を研削する工程をさらに含むことが好ましい。これによれば、モールド樹脂の第１の表面がガラスフィラーの存在しないワックス層で覆われている場合であっても、これが除去されるため、多数のガラスフィラーを露出させることが可能となる。   In this case, the surface of the mold resin has a first surface parallel to the main surface of the module substrate, and a second surface perpendicular to the main surface of the module substrate, and the rough surface Preferably, the step of converting further includes a step of grinding the first surface of the mold resin before removing the glass filler. According to this, even when the first surface of the mold resin is covered with the wax layer without the glass filler, since this is removed, it becomes possible to expose a large number of glass fillers.

またこの場合、前記粗面化する工程は、前記ガラスフィラーを除去する前に、前記モジュール基板の前記主面に対して垂直な方向から前記モールド樹脂をダイシングすることにより、前記モールド樹脂の前記第２の表面を露出させる工程をさらに含むことが好ましい。これによれば、モールド樹脂の第２の表面をダイシングによって粗面化することができるとともに、ガラスフィラーを露出させることが可能となる。   In this case, the roughening step includes dicing the mold resin from a direction perpendicular to the main surface of the module substrate before removing the glass filler. Preferably, the method further includes a step of exposing the surface of 2. According to this, the second surface of the mold resin can be roughened by dicing and the glass filler can be exposed.

さらにこの場合、前記露出させる工程においては、前記モールド樹脂及び前記モジュール基板をダイシングすることにより前記モジュール基板の側面を露出させ、前記電磁波シールドを形成する工程においては、露出した前記モジュール基板の前記側面にも前記無電解メッキを施すことが好ましい。これによれば、より高いシールド効果を得ることが可能となる。また、モジュール基板にガラス成分が含まれている場合には、そのガラス成分も露出するため、モジュール基板の側面においてもアンカー効果を期待することができる。   Further, in this case, in the step of exposing, the side surface of the module substrate is exposed by dicing the mold resin and the module substrate, and in the step of forming the electromagnetic wave shield, the exposed side surface of the module substrate. Further, it is preferable to apply the electroless plating. According to this, a higher shielding effect can be obtained. Moreover, when the glass component is contained in the module substrate, the glass component is also exposed, so that the anchor effect can be expected also on the side surface of the module substrate.

このように、本発明によれば、モールド樹脂と電磁波シールドとの密着性が高められることから、モールド樹脂の表面に電磁波シールドが形成されてなる電子部品モジュールの信頼性を高めることが可能となる。   As described above, according to the present invention, since the adhesion between the mold resin and the electromagnetic wave shield is enhanced, it is possible to improve the reliability of the electronic component module in which the electromagnetic wave shield is formed on the surface of the mold resin. .

本発明の好ましい実施形態による電子部品モジュール１０の構造を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the structure of the electronic component module 10 by preferable embodiment of this invention. 電子部品モジュール１０の製造方法を説明するためのフローチャートである。4 is a flowchart for explaining a manufacturing method of the electronic component module 10. 電子部品モジュール１０の一製造工程（集合基板２０ａの準備）を示す断面図である。4 is a cross-sectional view showing one manufacturing process (preparation of a collective substrate 20a) of the electronic component module 10. FIG. 電子部品モジュール１０の一製造工程（電子部品３１〜３３の実装）を示す断面図である。3 is a cross-sectional view showing one manufacturing process of electronic component module 10 (mounting of electronic components 31 to 33). FIG. 電子部品モジュール１０の一製造工程（モールド樹脂４０の形成）を示す断面図である。3 is a cross-sectional view showing one manufacturing process (formation of a mold resin 40) of the electronic component module 10. FIG. 電子部品モジュール１０の一製造工程（ラッピング）を示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing one manufacturing process (lapping) of the electronic component module 10. FIG. 電子部品モジュール１０の一製造工程（マスキングテープ６０への貼り付け）を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing one manufacturing process of electronic component module 10 (attachment to masking tape 60). 電子部品モジュール１０の一製造工程（ダイシング）を示す断面図である。4 is a cross-sectional view showing one manufacturing process (dicing) of the electronic component module 10. FIG. 電子部品モジュール１０の一製造工程（ガラスフィラー４５の除去）を示す断面図である。3 is a cross-sectional view showing one manufacturing process (removal of glass filler 45) of the electronic component module 10. FIG. 電子部品モジュール１０の一製造工程（電磁波シールド５０の形成）を示す断面図である。4 is a cross-sectional view showing one manufacturing process of the electronic component module 10 (formation of the electromagnetic wave shield 50). FIG. 図５の符号Ａで示すモールド樹脂４０の表層近傍を拡大して示す断面図であり、（ａ）はモールド成形した直後の状態、（ｂ）はラッピング後の状態、（ｃ）はガラスフィラー４５を除去した後の状態をそれぞれ示している。It is sectional drawing which expands and shows the surface layer vicinity of the mold resin 40 shown with the code | symbol A of FIG. 5, (a) is the state immediately after mold forming, (b) is the state after lapping, (c) is the glass filler 45. Each of the states after removal is shown.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１は、本発明の好ましい実施形態による電子部品モジュール１０の構造を説明するための断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining the structure of an electronic component module 10 according to a preferred embodiment of the present invention.

図１に示すように、本実施形態による電子部品モジュール１０は、モジュール基板２０と、モジュール基板２０の主面２１に搭載された複数の電子部品３１〜３３と、これら電子部品３１〜３３を覆うようモジュール基板２０の主面２１に形成されたモールド樹脂４０と、モールド樹脂４０の表面及びモジュール基板２０の側面２３に形成された電磁波シールド５０とを備える。   As shown in FIG. 1, the electronic component module 10 according to the present embodiment covers the module substrate 20, the plurality of electronic components 31 to 33 mounted on the main surface 21 of the module substrate 20, and the electronic components 31 to 33. A mold resin 40 formed on the main surface 21 of the module substrate 20 and an electromagnetic wave shield 50 formed on the surface of the mold resin 40 and the side surface 23 of the module substrate 20 are provided.

モジュール基板２０は、ガラスエポキシ、ＢＴレジンやアルミナなどの絶縁材料からなる単層又は多層の回路基板であり、その主面２１には電子部品３１〜３３と接続するためのランドパターン２４が形成され、その裏面２２には外部端子２５が形成されている。ランドパターン２４と外部端子２５は、モジュール基板２０を貫通して設けられた図示しないスルーホール導体を介して接続されている。これにより、各電子部品３１〜３３は外部端子２５に電気的に接続される。電子部品３１〜３３の種類については特に限定されず、半導体ＩＣなどの集積回路、トランジスタなどのディスクリート半導体デバイス、キャパシタやコイルなどの受動素子などを用いることができる。また、モジュール基板２０に実装する電子部品の数についても特に限定されるものではない。   The module substrate 20 is a single-layer or multilayer circuit substrate made of an insulating material such as glass epoxy, BT resin, or alumina, and a land pattern 24 for connecting to the electronic components 31 to 33 is formed on the main surface 21 thereof. An external terminal 25 is formed on the back surface 22. The land pattern 24 and the external terminal 25 are connected through a through-hole conductor (not shown) provided through the module substrate 20. Thereby, each of the electronic components 31 to 33 is electrically connected to the external terminal 25. The types of the electronic components 31 to 33 are not particularly limited, and an integrated circuit such as a semiconductor IC, a discrete semiconductor device such as a transistor, a passive element such as a capacitor or a coil, or the like can be used. Further, the number of electronic components mounted on the module substrate 20 is not particularly limited.

モールド樹脂４０は、モジュール基板２０の主面２１と平行な第１の表面（上面）４１と、モジュール基板２０の主面２１に対して垂直な第２の表面（側面）４２を有している。これら第１及び第２の表面４１，４２はいずれも粗面化処理されており、多数の微細なキャビティ（微細孔）４３を有している。この微細なキャビティ４３は、モールド樹脂４０に含まれるガラスフィラーを除去することによって形成されたものである。詳細については後述するが、モールド樹脂４０は、熱硬化性エポキシ系樹脂などからなる絶縁樹脂にガラスフィラーが含浸されてなり、第１及び第２の表面４１，４２に露出するガラスフィラーを除去することによって、多数の微細なキャビティ４３を形成することができる。   The mold resin 40 has a first surface (upper surface) 41 parallel to the main surface 21 of the module substrate 20 and a second surface (side surface) 42 perpendicular to the main surface 21 of the module substrate 20. . The first and second surfaces 41 and 42 are both roughened and have a large number of fine cavities (fine holes) 43. The fine cavity 43 is formed by removing the glass filler contained in the mold resin 40. Although details will be described later, the mold resin 40 is formed by impregnating an insulating resin made of a thermosetting epoxy resin or the like with a glass filler, and removes the glass filler exposed on the first and second surfaces 41 and 42. As a result, a large number of fine cavities 43 can be formed.

電磁波シールド５０は、モールド樹脂４０の第１及び第２の表面４１，４２、並びに、モジュール基板２０の側面２３を覆うように形成されている。電磁波シールド５０は、無電解メッキにより形成された金属膜であり、特に限定されるものではないが、Ｎｉ（ニッケル）とＣｕ（銅）の積層膜であることが好ましい。   The electromagnetic wave shield 50 is formed so as to cover the first and second surfaces 41 and 42 of the mold resin 40 and the side surface 23 of the module substrate 20. The electromagnetic wave shield 50 is a metal film formed by electroless plating and is not particularly limited, but is preferably a laminated film of Ni (nickel) and Cu (copper).

図１に示すように、モールド樹脂４０の表面４１，４２を覆う電磁波シールド５０は、微細なキャビティ４３の内部にも形成されている。これにより、電磁波シールド５０を構成する金属膜が微細なキャビティ４３に食い込むため、いわゆるアンカー効果によってモールド樹脂４０に対する密着性が高められる。さらに、後述するように、モールド工程の直後においては、モールド樹脂４０の第１の表面４１にはワックス層が存在しており、これが電磁波シールド５０との密着性を大幅に低下させる原因となるが、本実施形態においては第１の表面４１側に存在していたワックス層が除去されている。このため、ワックス層による密着性の低下も防止されている。   As shown in FIG. 1, the electromagnetic wave shield 50 covering the surfaces 41 and 42 of the mold resin 40 is also formed inside the fine cavity 43. Thereby, since the metal film which comprises the electromagnetic wave shield 50 bites into the fine cavity 43, the adhesiveness with respect to the mold resin 40 is improved by what is called an anchor effect. Furthermore, as will be described later, a wax layer is present on the first surface 41 of the mold resin 40 immediately after the molding step, which causes a significant decrease in adhesion with the electromagnetic wave shield 50. In this embodiment, the wax layer existing on the first surface 41 side is removed. For this reason, the fall of the adhesiveness by a wax layer is also prevented.

このように、本実施形態による電子部品モジュール１０は、モールド樹脂４０の表面４１，４２に電磁波シールド５０が直接形成されていることから、シールドケースなどを用いた場合と比べて低背化を実現することが可能となる。しかも、モールド樹脂４０の表面４１，４２が粗面化されていることから、モールド樹脂４０と電磁波シールド５０との密着性が高く、電磁波シールド５０の剥がれが生じにくい。さらに、電磁波シールド５０はモジュール基板２０の側面２３を覆っていることから、モールド樹脂４０の表面のみを覆う場合に比べ、より高いシールド効果を得ることが可能となる。   As described above, in the electronic component module 10 according to the present embodiment, since the electromagnetic wave shield 50 is directly formed on the surfaces 41 and 42 of the mold resin 40, the height is reduced as compared with the case where a shield case is used. It becomes possible to do. In addition, since the surfaces 41 and 42 of the mold resin 40 are roughened, the adhesiveness between the mold resin 40 and the electromagnetic wave shield 50 is high, and the electromagnetic wave shield 50 is hardly peeled off. Furthermore, since the electromagnetic wave shield 50 covers the side surface 23 of the module substrate 20, it is possible to obtain a higher shielding effect than when only the surface of the mold resin 40 is covered.

次に、本実施形態による電子部品モジュール１０の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the electronic component module 10 according to the present embodiment will be described.

図２は電子部品モジュール１０の製造方法を説明するためのフローチャートであり、図３〜図１０は各工程における断面図である。   FIG. 2 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the electronic component module 10, and FIGS. 3 to 10 are cross-sectional views in each step.

まず、図３に示すように、集合基板２０ａを用意し、その主面２１ａ及び裏面２２ａにそれぞれランドパターン２４及び外部端子２５を形成する。集合基板２０ａは、複数のモジュール基板２０を多数個取りするための大面積の基板である。なお、外部端子２５の形成についてはこの段階で行う必要はなく、以降の任意の工程で形成することができる。次に、図４に示すように、所定のランドパターン２４と電気的に接続されるよう、複数の電子部品３１〜３３を集合基板２０ａ上に実装する（ステップＳ１）。電子部品３１〜３３の実装は、ランドパターン２４にハンダを供給した後、マウンタを用いて電子部品３１〜３３を配置し、その後一括リフローすることによって行うことができる。   First, as shown in FIG. 3, a collective substrate 20a is prepared, and land patterns 24 and external terminals 25 are formed on the main surface 21a and the back surface 22a, respectively. The collective substrate 20a is a large-area substrate for taking a large number of the plurality of module substrates 20. The external terminal 25 need not be formed at this stage, and can be formed by any subsequent process. Next, as shown in FIG. 4, a plurality of electronic components 31 to 33 are mounted on the collective substrate 20a so as to be electrically connected to a predetermined land pattern 24 (step S1). The electronic components 31 to 33 can be mounted by supplying solder to the land pattern 24, placing the electronic components 31 to 33 using a mounter, and then performing a batch reflow.

次に、図５に示すように、電子部品３１〜３３が覆われるよう、集合基板２０ａの主面２１ａにモールド樹脂４０を形成する（ステップＳ２）。モールド樹脂４０の形成は、熱硬化性エポキシ系樹脂などからなる絶縁樹脂にガラスフィラーやワックスなどが含浸されてなるタブレットを金型に供給することによって行うことができる。ガラスフィラーはシリカ（ＳｉＯ２）を主成分とし、主に熱膨張係数を調整するために添加される。また、ワックスは、金型からの剥離性を高めるために添加される。 Next, as shown in FIG. 5, the mold resin 40 is formed on the main surface 21a of the collective substrate 20a so that the electronic components 31 to 33 are covered (step S2). The molding resin 40 can be formed by supplying a tablet made of glass resin or wax impregnated with an insulating resin made of a thermosetting epoxy resin or the like to a mold. The glass filler contains silica (SiO 2 ) as a main component, and is mainly added to adjust the thermal expansion coefficient. Further, the wax is added in order to improve the peelability from the mold.

図１１は、図５の符号Ａで示すモールド樹脂４０の表層近傍を拡大して示す断面図であり、（ａ）はモールド成形した直後の状態を示している。図１１（ａ）に示すようにモールド成形した直後においては、モールド樹脂４０の表面４０ａはワックス層４４で覆われているため、このまま無電解メッキを施した場合、電磁波シールド５０との密着性が低くなってしまう。また、モールド樹脂４０の表層近傍には、ガラスフィラー４５がほとんど存在しない低密度層４６が形成されているため、モールド成形した直後においては、表面４０ａに露出するガラスフィラー４５は非常にわずかである。   FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing the vicinity of the surface layer of the mold resin 40 indicated by the symbol A in FIG. 5, and (a) shows a state immediately after molding. Immediately after being molded as shown in FIG. 11A, the surface 40a of the mold resin 40 is covered with the wax layer 44. Therefore, when the electroless plating is performed as it is, the adhesion with the electromagnetic wave shield 50 is improved. It will be lower. In addition, a low density layer 46 in which almost no glass filler 45 is present is formed in the vicinity of the surface layer of the mold resin 40. Therefore, the glass filler 45 exposed to the surface 40a is very small immediately after molding. .

次に、図６に示すように、モールド樹脂４０の表面４０ａをラッピング（研削）する（ステップＳ３）。これにより、図１１（ｂ）に示すように、ワックス層４４及び低密度層４６が除去され、モールド樹脂４０の表面４１からは多数のガラスフィラー４５が露出した状態となる。また、ラッピングによりモールド樹脂４０の表面４１はある程度粗面化されるため、電磁波シールド５０との密着性が改善された状態となる。また、モールド樹脂４０の表面４１をラッピングすることにより、モールド樹脂層４０の厚み管理がしやすくなるとともに、より薄い電子部品モジュールを提供することができる。   Next, as shown in FIG. 6, the surface 40a of the mold resin 40 is lapped (ground) (step S3). Thereby, as shown in FIG. 11B, the wax layer 44 and the low density layer 46 are removed, and a large number of glass fillers 45 are exposed from the surface 41 of the mold resin 40. Further, since the surface 41 of the mold resin 40 is roughened to some extent by lapping, the adhesiveness with the electromagnetic wave shield 50 is improved. In addition, by wrapping the surface 41 of the mold resin 40, the thickness of the mold resin layer 40 can be easily managed, and a thinner electronic component module can be provided.

次に、図７に示すように、集合基板２０ａの裏面２２ａ側にマスキングテープ６０を貼り付けた後（ステップＳ４）、図８に示すように、モールド樹脂４０及び集合基板２０ａを垂直方向からダイシングすることによって、個片化された複数の電子部品モジュール１０に分離する（ステップＳ５）。ダイシング時においては、集合基板２０ａを個々のモジュール基板２０に完全に分離するフルカットを行うことが好ましい。これは、集合基板２０ａを途中までしか切断しないハーフカットでは、カットされていない部分に以降の工程で電磁波シールド５０が形成されず、シールド効果が低くなるからである。また、ダイシングによって、モールド樹脂４０の側面である第２の表面４２はある程度粗面化されるとともに、多数のガラスフィラー４５が露出した状態となる（図８にはガラスフィラー４５は図示されていない）。また、フルカットした場合、モジュール基板２０にガラス成分が含まれている場合には、そのガラス成分を露出させることが可能となる。   Next, as shown in FIG. 7, after the masking tape 60 is applied to the back surface 22a side of the collective substrate 20a (step S4), the mold resin 40 and the collective substrate 20a are diced from the vertical direction as shown in FIG. As a result, the electronic component modules 10 separated into individual pieces are separated (step S5). At the time of dicing, it is preferable to perform a full cut that completely separates the collective substrate 20a into individual module substrates 20. This is because in the half cut in which the collective substrate 20a is cut only halfway, the electromagnetic wave shield 50 is not formed in the subsequent steps in the uncut portion, and the shielding effect is lowered. Further, the second surface 42 which is the side surface of the mold resin 40 is roughened to some extent by dicing, and a large number of glass fillers 45 are exposed (the glass filler 45 is not shown in FIG. 8). ). In addition, when the glass substrate is included in the module substrate 20 when it is fully cut, the glass component can be exposed.

次に、モールド樹脂４０の表面４１，４２に露出しているガラスフィラー４５を除去する（ステップＳ６）。これにより、モールド樹脂４０の表面４１，４２には、図９及び図１１（ｃ）に示すように、ガラスフィラー４５が除去されることにより多数の微細なキャビティ４３が形成される。かかる微細なキャビティ４３は、モールド樹脂４０の表面４１，４２をよりいっそう粗面化させる。ガラスフィラー４５を除去する方法としては、例えばフッ酸を用いてのケミカルエッチングなどで、ガラスフィラー４５を溶解させることにより行うことができる。この際、露出するすべてのガラスフィラー４５をエッチング除去しても良いが、一部のガラスフィラー４５のみをエッチング除去しても、所望の粗さとアンカー効果が得られる。露出する一部のガラスフィラー４５のみをエッチング除去しても所望の粗さとアンカー効果が得られるのは、残存するガラスフィラー４５の表面が粗面化されるからである。また、モジュール基板２０にガラス成分が含まれている場合には、モジュール基板２０の側面２３に露出するガラス成分も除去されることから、モジュール基板２０の側面２３においてもアンカー効果が発生する。   Next, the glass filler 45 exposed on the surfaces 41 and 42 of the mold resin 40 is removed (step S6). As a result, as shown in FIGS. 9 and 11C, a large number of fine cavities 43 are formed on the surfaces 41 and 42 of the mold resin 40 by removing the glass filler 45. The fine cavities 43 further roughen the surfaces 41 and 42 of the mold resin 40. As a method for removing the glass filler 45, for example, the glass filler 45 can be dissolved by chemical etching using hydrofluoric acid. At this time, all the exposed glass filler 45 may be removed by etching, but even if only a part of the glass filler 45 is removed by etching, the desired roughness and anchor effect can be obtained. The reason why the desired roughness and anchor effect can be obtained even if only a part of the exposed glass filler 45 is removed by etching is that the surface of the remaining glass filler 45 is roughened. Further, when the glass component is included in the module substrate 20, the glass component exposed on the side surface 23 of the module substrate 20 is also removed, so that the anchor effect also occurs on the side surface 23 of the module substrate 20.

次に、図１０に示すように、マスキングテープ６０上に複数の電子部品モジュール１０が保持された状態で無電解メッキを施すことにより、金属膜からなる電磁波シールド５０を形成する（ステップＳ７）。これにより、モールド樹脂４０の表面４１，４２及びモジュール基板２０の側面２３が電磁波シールド５０で覆われた状態となる。ここで、モールド樹脂４０の表面４１，４２は、ラッピング又はダイシングによって粗面化されており、さらに、ガラスフィラー４５の除去によって多数の微細なキャビティ４３が形成されていることから、通常のモールド樹脂の表面と比べて非常に高い粗面度を有している。このため、無電解メッキによって形成された電磁波シールド５０は、モールド樹脂４０の表面４１，４２に対して高い密着性を示すことになる。特に、微細なキャビティ４３の内部に入り込んだ金属膜は、いわゆるアンカー効果をもたらすため、非常に高い密着性を得ることが可能となる。   Next, as shown in FIG. 10, the electromagnetic wave shield 50 which consists of a metal film is formed by performing electroless plating in the state where the several electronic component module 10 was hold | maintained on the masking tape 60 (step S7). Thereby, the surfaces 41 and 42 of the mold resin 40 and the side surface 23 of the module substrate 20 are covered with the electromagnetic wave shield 50. Here, the surfaces 41 and 42 of the mold resin 40 are roughened by lapping or dicing, and a large number of fine cavities 43 are formed by the removal of the glass filler 45. It has a very high roughness compared to the surface of For this reason, the electromagnetic wave shield 50 formed by electroless plating exhibits high adhesion to the surfaces 41 and 42 of the mold resin 40. In particular, a metal film that has entered the inside of the fine cavity 43 brings about a so-called anchor effect, so that it is possible to obtain very high adhesion.

そして、マスキングテープ６０を除去すれば、図１に示した電子部品モジュール１０を得ることができる（ステップＳ８）。   If the masking tape 60 is removed, the electronic component module 10 shown in FIG. 1 can be obtained (step S8).

このように、本実施形態においては、モールド樹脂４０の上面である第１の表面４１については、ワックス層４４の除去、ラッピングによる粗面化及び低密度層４６の除去、並びに、ガラスフィラー４５の除去が行われ、モールド樹脂４０の側面である第２の表面４２についてはダイシングによる粗面化、並びに、ガラスフィラー４５の除去が行われることから、無電解メッキによって形成される電磁波シールド５０に対して高い密着性を確保することが可能となる。これにより、その後の工程で電磁波シールド５０が剥離することが無くなるため、製品の信頼性を高めることが可能となる。しかも、ラッピングによりモールド樹脂４０の上面を研削していることから、モールド樹脂４０の厚みを制御することも可能となる。   Thus, in the present embodiment, the first surface 41 that is the upper surface of the mold resin 40 is removed of the wax layer 44, roughened by lapping and removal of the low density layer 46, and the glass filler 45 is removed. Since the second surface 42 which is the side surface of the mold resin 40 is roughened by dicing and the glass filler 45 is removed, the electromagnetic wave shield 50 formed by electroless plating is removed. High adhesion can be ensured. Thereby, since the electromagnetic wave shield 50 is not peeled off in the subsequent process, the reliability of the product can be improved. Moreover, since the upper surface of the mold resin 40 is ground by lapping, the thickness of the mold resin 40 can be controlled.

実際に、図２のステップＳ６（ガラスフィラーの除去）を行った電子部品モジュールとこれを省略した電子部品モジュールに対し、粘着テープを用いて電磁波シールド５０のピーリング試験を行った結果、ガラスフィラーの除去を省略した電子部品モジュールでは、電磁波シールド５０がほとんど剥離してしまった。これに対し、ガラスフィラーの除去を行った本実施形態による電子部品モジュール１０では全く剥離が発生しなかった。   Actually, as a result of the peeling test of the electromagnetic wave shield 50 using an adhesive tape on the electronic component module in which step S6 (removal of glass filler) in FIG. In the electronic component module in which the removal was omitted, the electromagnetic wave shield 50 was almost peeled off. On the other hand, no peeling occurred in the electronic component module 10 according to the present embodiment from which the glass filler was removed.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Needless to say, it is included in the range.

例えば、上記実施形態では、ラッピング（研削）によってモールド樹脂４０の上面を粗面化しているが、本発明において粗面化する方法がこれに限定されるものではない。したがって、ラッピング以外の粗面化方法、例えば、ドライブラスト法やウェットブラスト法などを用いても構わない。但し、ドライブラスト法では、ブラストに用いられるメディア粒子が、モールド樹脂４０に衝突する際に静電気が生じる事が多く、モジュール基板上に搭載された複数の電子部品３１〜３３に悪影響を及ぼす可能性がある。また、ウェットブラスト法では研磨速度が遅くなるため、工程での処理速度が遅くなる。これらの点を考慮すれば、モールド樹脂４０の上面を粗面化する方法としては、上記実施形態の通りラッピングが好適と考えられる。ただし、モールド樹脂４０の種類によっては、その限りでは無い。   For example, in the above embodiment, the upper surface of the mold resin 40 is roughened by lapping (grinding), but the method of roughening in the present invention is not limited to this. Therefore, a surface roughening method other than lapping, for example, a drive blast method or a wet blast method may be used. However, in the drive last method, the media particles used for blasting often generate static electricity when they collide with the mold resin 40, and may adversely affect a plurality of electronic components 31 to 33 mounted on the module substrate. There is. In addition, since the polishing rate is slow in the wet blast method, the processing speed in the process is slow. Considering these points, lapping is considered suitable as a method for roughening the upper surface of the mold resin 40 as in the above embodiment. However, depending on the type of the mold resin 40, this is not the case.

１０ 電子部品モジュール
２０ モジュール基板
２０ａ 集合基板
２１ モジュール基板の主面
２１ａ 集合基板の主面
２２ モジュール基板の裏面
２２ａ 集合基板の裏面
２３ モジュール基板の側面
２４ ランドパターン
２５ 外部端子
３１〜３３ 電子部品
４０ モールド樹脂
４０ａ モールド樹脂の表面
４１ 第１の表面
４２ 第２の表面
４３ 微細なキャビティ
４４ ワックス層
４５ ガラスフィラー
４６ 低密度層
５０ 電磁波シールド
６０ マスキングテープ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Electronic component module 20 Module board | substrate 20a Collective board 21 Main surface 21a of a module board 22 Main surface of a collective board 22 Back face of a module board 22a Back face of a collective board 23 Side face of a module board 24 Land pattern 25 External terminals 31-33 Electronic parts 40 Mold Resin 40a Mold resin surface 41 First surface 42 Second surface 43 Fine cavity 44 Wax layer 45 Glass filler 46 Low density layer 50 Electromagnetic wave shield 60 Masking tape

Claims (8)

モジュール基板と、
前記モジュール基板の主面に搭載された電子部品と、
前記電子部品を覆うよう前記モジュール基板の前記主面に形成され、表面が粗面化されたモールド樹脂と、
前記モールド樹脂の前記表面に形成された電磁波シールドと、を備えることを特徴とする電子部品モジュール。 A module board;
Electronic components mounted on the main surface of the module substrate;
Mold resin formed on the main surface of the module substrate so as to cover the electronic component and having a roughened surface,
An electronic component module comprising: an electromagnetic wave shield formed on the surface of the mold resin. 前記モールド樹脂にはガラスフィラーが含まれており、前記モールド樹脂の前記表面からは前記ガラスフィラーの少なくとも一部が除去され、これにより前記表面が粗面化されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品モジュール。   The glass resin is contained in the mold resin, and at least a part of the glass filler is removed from the surface of the mold resin, whereby the surface is roughened. 2. An electronic component module according to 1. 前記電磁波シールドは、前記モジュール基板の側面にも形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品モジュール。   The electronic component module according to claim 1, wherein the electromagnetic wave shield is also formed on a side surface of the module substrate. モジュール基板の主面に電子部品を搭載する工程と、
前記電子部品を覆うよう前記モジュール基板の前記主面にモールド樹脂を形成する工程と、
前記モールド樹脂の表面を粗面化する工程と、
前記モールド樹脂の粗面化された前記表面に無電解メッキを施すことによって電磁波シールドを形成する工程と、を備えることを特徴とする電子部品モジュールの製造方法。 Mounting electronic components on the main surface of the module board;
Forming a mold resin on the main surface of the module substrate so as to cover the electronic component;
Roughening the surface of the mold resin;
And a step of forming an electromagnetic wave shield by performing electroless plating on the roughened surface of the mold resin. 前記モールド樹脂にはガラスフィラーが含まれており、前記粗面化する工程は、前記モールド樹脂の前記表面に露出する前記ガラスフィラーの少なくとも一部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の電子部品モジュールの製造方法。   The glass resin is contained in the mold resin, and the roughening step includes a step of removing at least a part of the glass filler exposed on the surface of the mold resin. 5. A method for producing an electronic component module according to 4. 前記モールド樹脂の前記表面は、前記モジュール基板の前記主面と平行な第１の表面と、前記モジュール基板の前記主面に対して垂直な第２の表面を有し、
前記粗面化する工程は、前記ガラスフィラーを除去する前に、前記モールド樹脂の前記第１の表面を研削する工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の電子部品モジュールの製造方法。 The surface of the mold resin has a first surface parallel to the main surface of the module substrate, and a second surface perpendicular to the main surface of the module substrate,
6. The method of manufacturing an electronic component module according to claim 5, wherein the roughening step further includes a step of grinding the first surface of the mold resin before removing the glass filler. . 前記粗面化する工程は、前記ガラスフィラーを除去する前に、前記モジュール基板の前記主面に対して垂直な方向から前記モールド樹脂をダイシングすることにより、前記モールド樹脂の前記第２の表面を露出させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の電子部品モジュールの製造方法。   In the roughening step, the second surface of the mold resin is diced from a direction perpendicular to the main surface of the module substrate before removing the glass filler. The method for manufacturing an electronic component module according to claim 6, further comprising an exposing step. 前記露出させる工程においては、前記モールド樹脂及び前記モジュール基板をダイシングすることにより、前記モジュール基板の側面を露出させ、
前記電磁波シールドを形成する工程においては、露出した前記モジュール基板の前記側面にも前記無電解メッキを施すことを特徴とする請求項７に記載の電子部品モジュールの製造方法。 In the exposing step, the side surface of the module substrate is exposed by dicing the mold resin and the module substrate,
The method of manufacturing an electronic component module according to claim 7, wherein, in the step of forming the electromagnetic wave shield, the electroless plating is also applied to the side surface of the exposed module substrate.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160126737A (en) * 2015-04-24 2016-11-02 엘지이노텍 주식회사 Structure for shielding electromagnetic interference
JP2017054891A (en) * 2015-09-08 2017-03-16 三井化学東セロ株式会社 Film for manufacturing electronic component, electronic component and manufacturing method for the same
JP2017063123A (en) * 2015-09-25 2017-03-30 Tdk株式会社 Semiconductor package and method for manufacturing the same
KR101787871B1 (en) * 2016-02-05 2017-11-15 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2018143014A1 (en) * 2017-02-02 2018-08-09 日立化成株式会社 Method for controlling electronic component, resin composition for temporary protection, and resin film for temporary protection
KR20190088891A (en) 2018-01-19 2019-07-29 닛토덴코 가부시키가이샤 Masking tape for forming electromagnetic wave shield
JP2019140201A (en) * 2018-02-08 2019-08-22 日立化成株式会社 Manufacturing method for electronic component, resin composition for temporary protection, and resin film for temporary protection
WO2019208560A1 (en) * 2018-04-25 2019-10-31 田中 晃 Food storage container and production method for same
US10858552B2 (en) 2015-06-03 2020-12-08 Nitto Denko Corporation Masking pressure-sensitive adhesive tape

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005109306A (en) * 2003-10-01 2005-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic component package and its manufacturing method
JP2010098117A (en) * 2008-10-16 2010-04-30 Nec Electronics Corp Electronic device and method of manufacturing the same
JP2011159787A (en) * 2010-02-01 2011-08-18 Panasonic Corp Module and method of manufacturing the same
JP2011171539A (en) * 2010-02-19 2011-09-01 Panasonic Corp Method of manufacturing module
JP2012151326A (en) * 2011-01-20 2012-08-09 Toshiba Corp Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of shielding electronic component

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005109306A (en) * 2003-10-01 2005-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic component package and its manufacturing method
JP2010098117A (en) * 2008-10-16 2010-04-30 Nec Electronics Corp Electronic device and method of manufacturing the same
JP2011159787A (en) * 2010-02-01 2011-08-18 Panasonic Corp Module and method of manufacturing the same
JP2011171539A (en) * 2010-02-19 2011-09-01 Panasonic Corp Method of manufacturing module
JP2012151326A (en) * 2011-01-20 2012-08-09 Toshiba Corp Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of shielding electronic component

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160126737A (en) * 2015-04-24 2016-11-02 엘지이노텍 주식회사 Structure for shielding electromagnetic interference
KR102400056B1 (en) * 2015-04-24 2022-05-19 엘지이노텍 주식회사 Structure for shielding electromagnetic interference
US10858552B2 (en) 2015-06-03 2020-12-08 Nitto Denko Corporation Masking pressure-sensitive adhesive tape
JP2017054891A (en) * 2015-09-08 2017-03-16 三井化学東セロ株式会社 Film for manufacturing electronic component, electronic component and manufacturing method for the same
JP2017063123A (en) * 2015-09-25 2017-03-30 Tdk株式会社 Semiconductor package and method for manufacturing the same
KR101787871B1 (en) * 2016-02-05 2017-11-15 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPWO2018143014A1 (en) * 2017-02-02 2019-11-21 日立化成株式会社 Electronic component manufacturing method, temporary protective resin composition, and temporary protective resin film
KR20190111915A (en) * 2017-02-02 2019-10-02 히타치가세이가부시끼가이샤 Manufacturing method of electronic component, resin composition for provisional protection, and resin film for provisional protection
TWI752156B (en) * 2017-02-02 2022-01-11 日商昭和電工材料股份有限公司 Manufacturing method of electronic component, resin composition for temporary protection, and resin film for temporary protection
WO2018143014A1 (en) * 2017-02-02 2018-08-09 日立化成株式会社 Method for controlling electronic component, resin composition for temporary protection, and resin film for temporary protection
KR102494902B1 (en) 2017-02-02 2023-02-01 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Method for manufacturing electronic parts, resin composition for provisional protection, and resin film for provisional protection
KR20190088891A (en) 2018-01-19 2019-07-29 닛토덴코 가부시키가이샤 Masking tape for forming electromagnetic wave shield
JP2019140201A (en) * 2018-02-08 2019-08-22 日立化成株式会社 Manufacturing method for electronic component, resin composition for temporary protection, and resin film for temporary protection
JP6992564B2 (en) 2018-02-08 2022-01-13 昭和電工マテリアルズ株式会社 Manufacturing method of electronic parts, resin composition for temporary protection and resin film for temporary protection
WO2019208560A1 (en) * 2018-04-25 2019-10-31 田中 晃 Food storage container and production method for same

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