JP2014175667A - チャンバー装置及び加熱方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】塗布膜が形成された基板を収容するチャンバーと、前記チャンバーに収容され、前記基板の第一面側に配置された第一加熱部と、前記チャンバーに収容され、前記基板のうち前記第一面とは反対の第二面側に配置された第二加熱部と、加熱状態における前記チャンバーの内部を加圧及び減圧可能な圧力調整部とを備える。
【選択図】図6
Description
本発明によれば、チャンバーが塗布膜の周囲に反応促進用気体を供給することができるので、塗布膜の加熱処理をスムーズに行うことができる。
本発明によれば、第一加熱部と第二加熱部との間に温調気体を流通させることができるため、第一加熱部と第二加熱部との間の空間を素早く温調することができる。このため、第一加熱部と第二加熱部との間に基板を配置した状態で温調気体を流通させることにより、基板の温調を素早く行うことができる。これにより、基板の温度が調整されるまでの待ち時間を短縮することができる。
本発明によれば、気体流通部が、基板搬入口を利用してチャンバーの内部に気体を噴きつけることができる。これにより、チャンバーの内部に気体を供給するための開口部を別途設ける必要が無いため、チャンバーの構成の複雑化を回避することができる。
本発明によれば、気体噴出口を必要に応じて基板搬入口に向けることができ、必要が無い場合には基板搬入口から退避させることができる。これにより、基板の搬入出をスムーズに行うことができる。
本発明によれば、気体噴出口から噴出された温調気体を吸引口から吸引することができるので、温調気体の流通を促進することができる。これにより、熱の移動がスムーズに行われるため、基板を効率的に冷却することができる。
本発明によれば、温調気体が循環して用いられることになるため、基板の周囲の環境を安定化させることができる。
本発明によれば、循環して用いられる温調気体に含まれる異物が除去されるため、基板やチャンバーの内面に異物が付着するのを抑制することができる。これにより、基板及びチャンバー内の環境を清浄に保持することができる。
本発明によれば、チャンバーが第一部分及び第二部分に分割されるため、基板の搬入出やメンテナンス作業の効率を向上させることができる。
本発明によれば、チャンバーの分割に対応して第一加熱部と第二加熱部との間隔を広げることができる。これにより、基板の搬入出やメンテナンス作業の効率を向上させることができる。
本発明によれば、第一部分及び前記第二部分を分割方向に交差する方向に相対的に移動させることによって、作業者が第一部分及び第二部分にアクセスしやすくなる。これにより、メンテナンス作業の効率化を図ることができる。
本発明によれば、第一部分及び第二部分の一方を一方向に引き出すことで相対的な移動を実現することができるので、作業効率を向上させることができる。
本発明によれば、チャンバーの内部の容積を変更することにより、加熱条件をより広い範囲で設定することが可能となる。
本発明によれば、容積変更部が第一部分及び第二部分のうちいずれか一方に連結されることになるため、チャンバーの構造を安定化させることができる。
本発明によれば、チャンバーの内壁面の一部に湾曲部が設けられているため、チャンバー内の圧力耐性が高められることになる。これにより、チャンバー内を加圧した場合であっても、チャンバーの変形等が生じにくくなる。
本発明によれば、内壁面への熱の伝導が抑制されることになる。これにより、内壁面の変形等を抑制することができる。
本発明によれば、基板の外周側領域と内周側領域とを区別して加熱することができるため、高精度の加熱を行うことができる。
図1は、本実施形態に係る塗布装置CTRの構成を示す概略図である。
図1に示すように、塗布装置CTRは、基板Sに液状体を塗布する装置である。塗布装置CTRは、基板供給回収部LU、第一チャンバーCB1、第二チャンバーCB2、接続部CN及び制御部CONTを有している。第一チャンバーCB1は、塗布部CTを有している。第二チャンバーCB2は、焼成部BKを有している。接続部CNは、減圧乾燥部VDを有している。
基板供給回収部LUは、塗布部CTに対して未処理の基板Sを供給すると共に、塗布部CTからの処理済の基板Sを回収する。基板供給回収部LUは、チャンバー10を有している。チャンバー10は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー10の内部には、基板Sを収容可能な収容室10aが形成されている。チャンバー10は、第一開口部11、第二開口部12及び蓋部14を有している。第一開口部11及び第二開口部12は、収容室10aとチャンバー10の外部とを連通する。
第一チャンバーCB1は、床面FLに載置された基台BC上に配置されている。第一チャンバーCB1は、直方体の箱状に形成されている。第一チャンバーCB1の内部には、処理室20aが形成されている。塗布部CTは、処理室20aに設けられている。塗布部CTは、基板Sに対して液状体の塗布処理を行う。
図3(a)は、ノズルNZの構成を示す図である。
図3(a)に示すように、ノズルNZは、長尺状に形成されており、長手方向がX方向に平行になるように配置されている。ノズルNZは、本体部NZa及び突出部NZbを有している。本体部NZaは、内部に液状体を収容可能な筐体である。本体部NZaは、例えばチタン又はチタン合金を含んだ材料を用いて形成されている。突出部NZbは、本体部NZaに対して+X側及び−X側にそれぞれ突出して形成されている。突出部NZbは、ノズル駆動部NAの一部に保持される。
図3(b)に示すように、ノズルNZは、本体部NZaの−Z側の端部(先端TP)に吐出口OPを有している。吐出口OPは、液状体が吐出される開口部である。吐出口OPは、X方向に長手となるようにスリット状に形成されている。吐出口OPは、例えば長手方向が基板SのX方向の寸法とほぼ同一となるように形成されている。
ノズル待機部44は、ノズルNZの先端TPが乾燥しないように当該先端TPをディップさせる不図示のディップ部と、ノズルNZを交換する場合やノズルNZに供給する液状体を交換する場合にノズルNZ内に保持された液状体を排出する不図示の排出部とを有している。
接続部CNは、第一チャンバーCB1と第二チャンバーCB2とを接続する。基板Sは、接続部CNを経由して、第一チャンバーCB1と第二チャンバーCB2との間を移動するようになっている。接続部CNは、第三チャンバーCB3を有している。第三チャンバーCB3は、直方体の箱状に形成されている。第三チャンバーCB3の内部には、処理室50aが形成されている。本実施形態では、処理室50aには、減圧乾燥部VDが設けられている。減圧乾燥部VDは、基板S上に塗布された液状体を乾燥させる。第三チャンバーCB3には、ゲートバルブV2及びV3が設けられている。
基板搬送部55は、複数のローラー57を有している。ローラー57は、Y方向に一対配置されており、当該一対のローラー57がX方向に複数並んでいる。複数のローラー57は、第一開口部21を介して処理室50aに配置された基板Sを支持する。
図5に示すように、気体供給部58は、処理室50aに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。気体供給部58は、第一供給部58a及び第二供給部58bを有している。第一供給部58a及び第二供給部58bは、ガスボンベやガス管などのガス供給源58cに接続されている。処理室50aへのガスの供給は主として第一供給部58aを用いて行われる。第二供給部58bは、第一供給部58aによる気体の供給量を微調整する。
第二チャンバーCB2は、床面FLに載置された基台BB上に配置されている。第二チャンバーCB2は、直方体の箱状に形成されている。第二チャンバーCB2の内部には、処理室60aが形成されている。焼成部BKは、処理室60aに設けられている。焼成部BKは、基板S上に塗布された塗布膜を焼成する。
基板搬送部65は、複数のローラー67と、アーム部71とを有している。ローラー67は、基板案内ステージ66をY方向に挟んで一対配置されており、当該一対のローラー67がX方向に複数並んでいる。複数のローラー67は、開口部61を介して処理室60aに配置された基板Sを支持する。
図6に示すように、加熱部70は、架台74(図1等参照)上に配置されたチャンバー装置80を有している。第一収容部81、第二収容部82、第一加熱板83、第二加熱板84、リフト部85、封止部86、気体供給部87、排気部88、第一断熱部89(下側)、第二断熱部90(上側)及び気体流通部91を有している。
冷媒流通部97は、第一収容部81を冷却するための冷媒を流通させる。第一収容部81の内部には、冷媒を流通させる流路(不図示)が形成されている。冷媒流通部97は、当該流路に冷媒を供給する供給部97aと、流路からの冷媒を排出する排出部97bとを有している。供給部97aは、不図示の冷媒供給源に接続されている。なお、排出部97bから排出された冷媒を温調し、再び供給部97aに戻す構成としてもよい。このように冷媒を循環させることにより、冷媒を無駄なく使用することができる。
冷媒流通部98は、第二収容部82を冷却するための冷媒を流通させる。第二収容部82の内部には、第一収容部81と同様、冷媒を流通させる流路(不図示)が形成されている。冷媒流通部98は、当該流路に冷媒を供給する供給部98aと、流路からの冷媒を排出する排出部98bとを有している。供給部98aは、不図示の冷媒供給源に接続されている。なお、排出部98bから排出された冷媒を温調し、再び供給部98aに戻す構成としてもよい。このように冷媒を循環させることにより、冷媒を無駄なく使用することができる。
気体噴出部92は、チャンバー装置80の−X側に配置されている。気体噴出部92は、チャンバー装置80に向けられた噴出口92aを有している。具体的には、当該噴出口92aは、気体噴出部92のうちYZ平面に平行な面に形成されており、+X方向に向けられている。気体噴出部92は、噴出口92aから+X方向へ向けて気体を噴出可能である。
基板供給回収部LUの第二開口部12、塗布部CTの第一開口部21並びに第二開口部22、減圧乾燥部VDの第一開口部51並びに第二開口部52、焼成部BKの開口部61は、X方向に平行な直線上に並んで設けられている。このため、基板Sは、X方向に直線上に移動する。また、基板供給回収部LUから焼成部BKの加熱部70に収容されるまでの経路においては、Z方向の位置が保持されている。このため、基板Sによる周囲の気体の攪拌が抑制される。
図1に示すように、第一チャンバーCB1には、アンチチャンバーAL1〜AL3が接続されている。
アンチチャンバーAL1〜AL3は、第一チャンバーCB1の内外を連通して設けられている。アンチチャンバーAL1〜AL3は、それぞれ処理室20aの構成要素を第一チャンバーCB1の外部へ取り出したり、第一チャンバーCB1の外部から処理室20aに当該構成要素を入れ込んだりするための経路である。
アンチチャンバーAL4は、加熱部70に接続されている。アンチチャンバーAL4は、基板Sが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば加熱部70において基板Sの加熱を行う場合、アンチチャンバーAL4から基板Sを処理室60aに供給することが可能である。また、加熱処理を行った後の基板SをアンチチャンバーAL4から取り出すことが可能である。
図1に示すように、第一チャンバーCB1には、グローブ部GX1が接続されている。また、第二チャンバーCB2には、グローブ部GX2が接続されている。
グローブ部GX1及びGX2は、作業者が第一チャンバーCB1及び60内にアクセスするための部分である。作業者がグローブ部GX1及びGX2内に手を挿入することにより、第一チャンバーCB1及び60内のメンテナンス動作などを行うことができるようになっている。グローブ部GX1及びGX2は、袋状に形成されている。グローブ部GX1及びGX2は、それぞれ第一チャンバーCB1及び60の複数個所に配置されている。グローブ部GX1及びGX2内に作業者が手を入れたか否かを検出するセンサなどが第一チャンバーCB1及び60内に配置されていても構わない。
基板供給回収部LUの第二開口部12と塗布部CTの第一開口部21との間には、ゲートバルブV1が設けられている。ゲートバルブV1は、不図示の駆動部によってZ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブV1をZ方向に移動させることで、基板供給回収部LUの第二開口部12と塗布部CTの第一開口部21とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部12及び第一開口部21が同時に開放されると、これら第二開口部12と第一開口部21との間で基板Sの移動が可能となる。
制御部CONTは、塗布装置CTRを統括的に制御する部分である。具体的には、基板供給回収部LU、塗布部CT、減圧乾燥部VD、焼成部BKにおける動作、ゲートバルブV1〜V3の動作などを制御する。調整動作の一例として、制御部CONTは、溶媒濃度センサSR1〜SR4による検出結果に基づいて、気体供給部37aの供給量を調整する。制御部CONTは、処理時間の計測等に用いる不図示のタイマーなどを有している。
次に、本実施形態に係る塗布方法を説明する。本実施形態では、上記のように構成された塗布装置CTRを用いて基板S上に塗布膜を形成する。塗布装置CTRの各部で行われる動作は、制御部CONTによって制御される。
例えば、図25に示すように、チャンバー装置80の第一収容部81と第二収容部82との間に、スペーサ部材180を配置させた状態で加熱ステップを行う構成であってもよい。この場合、チャンバー装置80の容積(焼成室80aの体積)が増加するため、塗布膜Fに含まれる溶剤の蒸発量が増加する。また、基板S(塗布膜F)と第二加熱板84との距離が大きくなるため、溶剤が蒸発しやすくなる。これにより、溶剤の蒸発を促進させることができる。
Claims (18)
- 塗布膜が形成された基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバーに収容され、前記基板の第一面側に配置された第一加熱部と、
前記チャンバーに収容され、前記基板のうち前記第一面とは反対の第二面側に配置された第二加熱部と、
加熱状態における前記チャンバーの内部を加圧及び減圧可能な圧力調整部と
を備えるチャンバー装置。 - 前記チャンバーは、前記塗布膜の周囲に反応促進用気体を供給する気体供給部を有する
請求項1に記載のチャンバー装置。 - 前記第一加熱部と前記第二加熱部との間に温調気体を流通させる気体流通部を更に備える
請求項1又は請求項2に記載のチャンバー装置。 - 前記チャンバーは、前記基板を搬入する基板搬入口を有し、
前記気体流通部は、前記基板搬入口の外側から前記チャンバーの内部に向けられる気体噴出口を有する
請求項3に記載のチャンバー装置。 - 前記気体噴出口は、昇降可能に設けられている
請求項4に記載のチャンバー装置。 - 前記気体流通部は、前記気体噴出口との間で前記温調気体の流通方向に前記第一加熱部及び前記第二加熱部を挟む位置に設けられた吸引口を有する
請求項3から請求項5のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。 - 前記気体流通部は、前記吸引口から吸引した前記温調気体を前記気体噴出口へ戻す循環経路を有する
請求項6に記載のチャンバー装置。 - 前記循環経路は、前記温調気体に含まれる異物を除去するフィルターを有する
請求項7に記載のチャンバー装置。 - 前記チャンバーは、一方向に分割可能な第一部分及び第二部分を有する
請求項1から請求項8のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。 - 前記第一加熱部及び前記第二加熱部のうち、一方は前記第一部分に設けられ、他方は前記第二部分に設けられる
請求項9に記載のチャンバー装置。 - 前記第一部分及び前記第二部分は、分割方向に交差する方向に相対的に移動可能である
請求項9又は請求項10に記載のチャンバー装置。 - 前記第一部分及び前記第二部分の一方は、一方向に引き出し可能に設けられている
請求項11に記載のチャンバー装置。 - 前記チャンバーは、環状に形成された容積変更部を前記第一部分と前記第二部分との間に挿入することで内部の容積を変更可能である
請求項9から請求項12のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。 - 前記チャンバーは、前記第一部分及び前記第二部分のうちいずれか一方に設けられ前記容積変更部を連結する連結部を有する
請求項13に記載のチャンバー装置。 - 前記チャンバーは、前記基板を囲う内壁面を有し、
前記内壁面の少なくとも一部には、前記チャンバーの外部へ向けて湾曲された湾曲部が設けられている
請求項1から請求項14のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。 - 前記内壁面と前記第一加熱部との間、及び、前記内壁面と前記第二加熱部との間、のうち少なくとも一方には、断熱部が配置されている
請求項15に記載のチャンバー装置。 - 前記第一加熱部及び前記第二加熱部は、
前記基板の外周に沿った環状の外周側領域を加熱する外周側加熱部と、
前記外周側領域の内側に設けられた環状の内周側領域を加熱する内周側加熱部と
をそれぞれ有する
請求項1から請求項16のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。 - 塗布膜が形成された基板をチャンバーに収容する収容ステップと、
前記チャンバーに収容された前記基板に対して、第一面側に配置された第一加熱部と前記基板のうち前記第一面とは反対の第二面側に配置された第二加熱部とを用いて前記基板を加熱する加熱ステップと、
前記基板の加熱状態に応じて、前記チャンバーの内部の加圧及び減圧を切り替える切り替えステップと
を含む加熱方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/795,764 | 2013-03-12 | ||
US13/795,764 US9236283B2 (en) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | Chamber apparatus and heating method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014175667A true JP2014175667A (ja) | 2014-09-22 |
JP6349110B2 JP6349110B2 (ja) | 2018-06-27 |
Family
ID=51522913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014046957A Active JP6349110B2 (ja) | 2013-03-12 | 2014-03-10 | チャンバー装置及び加熱方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9236283B2 (ja) |
JP (1) | JP6349110B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9242313B2 (en) * | 2012-07-30 | 2016-01-26 | General Electric Company | Welding furnace and viewport assembly |
CN104091775B (zh) * | 2014-07-22 | 2017-02-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 湿法刻蚀装置及其刻蚀方法 |
CN105080803B (zh) * | 2015-08-21 | 2018-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板承载结构、减压干燥设备及减压干燥方法 |
US10126053B2 (en) * | 2016-09-02 | 2018-11-13 | International Business Machines Corporation | Precision dual annealing apparatus |
US10570015B2 (en) | 2016-09-02 | 2020-02-25 | International Business Machines Corporation | Minimizing tin loss during thermal processing of kesterite films |
CN110534611A (zh) * | 2018-05-25 | 2019-12-03 | 米亚索乐装备集成(福建)有限公司 | 一种用于片状电池的加热设备 |
CN110021684A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-07-16 | 无锡奥特维科技股份有限公司 | 冷却装置及退火炉 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232297A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JPH113863A (ja) * | 1996-07-11 | 1999-01-06 | Concept Syst Design Inc | 基板の加熱装置及び基板の加熱方法 |
US6105274A (en) * | 1999-03-18 | 2000-08-22 | International Business Machines Corporation | Cryogenic/phase change cooling for rapid thermal process systems |
JP2003022979A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2004047746A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の熱処理装置 |
WO2005098968A1 (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-20 | Honda Motor Co., Ltd. | カルコパイライト型薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法 |
JP2006186189A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Gasonics:Kk | ガス処理製造装置、ガス処理製造方法 |
JP2009135299A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Showa Shell Sekiyu Kk | Cis系薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法 |
JP2012250230A (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 加熱装置、塗布装置及び加熱方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0318315B1 (en) | 1987-11-27 | 1994-02-02 | Siemens Solar Industries L.P. | Process for making thin film solar cell |
US5085887A (en) * | 1990-09-07 | 1992-02-04 | Applied Materials, Inc. | Wafer reactor vessel window with pressure-thermal compensation |
US5772770A (en) * | 1995-01-27 | 1998-06-30 | Kokusai Electric Co, Ltd. | Substrate processing apparatus |
WO1997031389A1 (fr) * | 1996-02-23 | 1997-08-28 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement thermique |
JPH11273783A (ja) | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Yazaki Corp | コネクタと電気機器との取付構造及び該コネクタと電気機器との取付方法 |
JP4177480B2 (ja) | 1998-05-15 | 2008-11-05 | インターナショナル ソーラー エレクトリック テクノロジー,インコーポレイテッド | 化合物半導体フィルムおよび関連電子装置の製造方法 |
US6875661B2 (en) | 2003-07-10 | 2005-04-05 | International Business Machines Corporation | Solution deposition of chalcogenide films |
DE602007010141D1 (de) | 2006-05-24 | 2010-12-09 | Atotech Deutschland Gmbh | Zusammensetzung zur stromlosen metallabscheidung und verfahren zur abscheidung von kupfer-zink-zinn,ignet ist |
JP2008192642A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
-
2013
- 2013-03-12 US US13/795,764 patent/US9236283B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-10 JP JP2014046957A patent/JP6349110B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232297A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JPH113863A (ja) * | 1996-07-11 | 1999-01-06 | Concept Syst Design Inc | 基板の加熱装置及び基板の加熱方法 |
US6105274A (en) * | 1999-03-18 | 2000-08-22 | International Business Machines Corporation | Cryogenic/phase change cooling for rapid thermal process systems |
JP2003022979A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-24 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2004047746A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の熱処理装置 |
WO2005098968A1 (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-20 | Honda Motor Co., Ltd. | カルコパイライト型薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法 |
JP2006186189A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Gasonics:Kk | ガス処理製造装置、ガス処理製造方法 |
JP2009135299A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Showa Shell Sekiyu Kk | Cis系薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法 |
JP2012250230A (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 加熱装置、塗布装置及び加熱方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140263273A1 (en) | 2014-09-18 |
JP6349110B2 (ja) | 2018-06-27 |
US9236283B2 (en) | 2016-01-12 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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