JP2014175566A - 半導体デバイス及びスイッチ - Google Patents
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Abstract
【課題】安価に構成し、かつデバイスを含む高周波機器の設置面積をより小さくしたGaN半導体からなる半導体デバイスおよびスイッチを提供する。
【解決手段】第1,第2のグランドパターン38,39及び第1,第2のグランドパターンの間に挟まれて配置された信号伝送線路4,5,6,35からなるトリプレート線路と、トリプレート線路と信号導電端子を接続する信号ビア32,33,34と、第1,第2のグランドパターンに接続されたグランドビア37を有し、半導体チップ10の表面が表層を向き、半導体チップの入出力信号ボール12〜14、グランドボールGBが上記信号導電端子に接合された樹脂基板30を具備して、半導体チップのグランドパターン及びグランドボール、樹脂基板の第1,第2のグランドパターン及びグランドビアにより擬似的なグランド壁を形成し、半導体チップの高周波半導体素子、信号ボール、樹脂基板のトリプレート線路を囲む。
【選択図】図1
【解決手段】第1,第2のグランドパターン38,39及び第1,第2のグランドパターンの間に挟まれて配置された信号伝送線路4,5,6,35からなるトリプレート線路と、トリプレート線路と信号導電端子を接続する信号ビア32,33,34と、第1,第2のグランドパターンに接続されたグランドビア37を有し、半導体チップ10の表面が表層を向き、半導体チップの入出力信号ボール12〜14、グランドボールGBが上記信号導電端子に接合された樹脂基板30を具備して、半導体チップのグランドパターン及びグランドボール、樹脂基板の第1,第2のグランドパターン及びグランドビアにより擬似的なグランド壁を形成し、半導体チップの高周波半導体素子、信号ボール、樹脂基板のトリプレート線路を囲む。
【選択図】図1
Description
この発明は、半導体素子が搭載された半導体デバイス及びスイッチに関する。
マイクロ波、ミリ波等の高周波信号を処理する半導体素子を備えた半導体デバイスにおいて、FET(Field Effect Transistor;電界効果トランジスタ)を用いて増幅器、移相器、スイッチ等の高周波回路を構成したものがある(例えば特許文献1参照)。従来、この種の半導体デバイスにおいて、SiC(Silicon Carbide)基板上に製膜したGaN(Gallium Nitride)半導体からFETの回路を形成し、GaN半導体の高耐圧、高電流特性を活かして高耐電力なスイッチを構成したものがある。このスイッチを構成するSiC基板からなる半導体チップは、別体のパッケージ上に回路面を上にしてダイボンドされ、フェースアップ(face up)実装される。このパッケージ上には入出力線路が形成されており、半導体チップ上に形成された導電端子であるボンディングパッドとパッケージの入出力線路の間を金ワイヤで接続して、スイッチを動作させる。
従来の半導体デバイスにおいて、GaN半導体は、GaN基板上での成長が困難であり、高価なSiC基板上にGaN半導体層を製膜して半導体デバイスを構成している。しかしながらSiC基板は融液固化法に代表される低価格なウェハ成長ができず、他種の半導体基板のSi(Silicon)、GaAs(Gallium Arsenide)と比較して高価であり、それに応じてスイッチ、増幅器等のデバイス価格が上昇するという課題がある。
また、パッケージ上に半導体チップをフェースアップ実装した場合、半導体チップ上の回路パターン及び接続部の金ワイヤから電磁波が放射する。スイッチの実装された高周波機器を正常動作させるためには、この放射した電磁波が外部に漏洩しないように、半導体チップの載置されたパッケージ上面を金属キャップ(以下、金属蓋)で覆い、半導体チップを電磁遮蔽する必要がある。このパッケージ及び金属蓋(以下、パッケージと総称する)を設けることで、半導体デバイスの価格が更に上昇するという課題がある。また、金属蓋を設ける分だけ、半導体デバイスのサイズ(設置面積)が大きくなるという課題がある。
加えて、GaN半導体の高耐圧性を活かしたスイッチ動作のためには、高電圧駆動の高耐圧なドライバ回路が必要である。ドライバ回路は、パッケージの周辺に配置されたガラスエポキシ樹脂、変性ポリイミド等からなる樹脂基板上に実装され、パッケージの制御信号端子に接続されて、半導体チップと電気的に接続される。しかしながら、高耐圧なドライバ回路は構成部品が自ずと大きくなり、樹脂基板上に実装するための設置面積の低減には限界がある。このため、ドライバ回路を設置することで、スイッチを含んだ高周波機器のサイズ(設置面積)が更に大きくなるという課題がある。
この発明は係る課題を解決するためになされたものであり、例えばGaN半導体からなる半導体デバイスをより安価に構成することを目的とする。または、当該半導体デバイスを含む高周波機器の設置面積をより小さくすることを目的とする。
この発明による半導体デバイスは、裏面に形成されたグランドパターンと、上記裏面と反対側の表面に設けられた1つもしくは複数の高周波半導体素子と、を有し、上記高周波半導体素子との間で高周波信号を伝送する入出力信号ボール、上記高周波半導体素子との間で制御信号を伝送する制御信号ボール、及び上記入出力信号ボール及び制御信号ボールの周囲を囲んで複数配列されるグランドボールが、ボールグリッドアレイを形成して接合された半導体チップと、表層に配置された信号導電端子及びグランド導電端子と、内層に配置された第1,第2のグランドパターン及び上記第1,第2のグランドパターンの間に挟まれて配置された信号伝送線路からなるトリプレート線路と、上記トリプレート線路と信号導電端子を接続する信号ビアと、上記第1,第2のグランドパターンに接続され、上記トリプレート線路の周囲を囲んで複数配列されたグランドビアと、を有し、上記半導体チップの表面が表層を向き、上記半導体チップの入出力信号ボール、制御信号ボールが上記信号導電端子に接合され、上記半導体チップのグランドボールが上記グランド導電端子に接合されるとともに、上記入出力信号ボールに接合される上記信号導電端子が上記信号ビアに接続され、上記グランドボールに接合される上記グランド導電端子が上記グランドビアに接続されてなる樹脂基板と、を備え、上記半導体チップのグランドパターン及び上記グランドボール、上記樹脂基板の第1,第2のグランドパターン及び上記グランドビアにより形成される擬似的なグランド壁により、上記高周波半導体素子、上記信号ボール、上記制御信号ボール、上記信号導電端子、上記トリプレート線路及び上記信号ビアが囲まれたものである。
また、この発明によるスイッチは、上記半導体デバイスにおいて、上記樹脂基板が上記信号伝送線路に接続される少なくとも1つの入力端子と、少なくとも2つの出力端子を備えて、上記半導体チップの高周波半導体が、上記制御信号ボールを介して入力される制御信号に基づいて上記入力端子と一方の上記出力端子及び他方の上記出力端子との接続を切換えるものである。
この発明によれば、ダイボンド及びワイヤボンディング工程が不要となり、実装時の生産コストが低減される。また、半導体チップと樹脂基板の接合によって擬似的に形成されるグランド壁内に、入出力信号ボール及び信号伝送線路を収容することができるので、外部への電磁界の放射が抑圧され、電磁遮蔽用の金属蓋が不要となって、半導体チップを含む機器の低価格化を図ることができる。
実施の形態1.
図1は、この発明に係る実施の形態1による半導体デバイスの構成を示す図である。図1(a)は、半導体デバイスに搭載される半導体素子を含む半導体チップの回路面(下面)を上から見た透視図、図1(b)は半導体デバイスの断面図、図1(c)は半導体デバイスを構成する樹脂基板の表面(上面)を上から見た図である。図2は、実施の形態1による半導体デバイスの樹脂基板内における配線回路を示す図である。図1において、実施の形態1による半導体デバイス40は、マイクロ波、ミリ波等の高周波のRF(Radio Frequency)信号を処理する高周波回路を構成する。この実施の形態1において、半導体デバイス40は、例えば少なくとも1つの入力端子1から入力されるRF信号の出力先を、少なくとも2つの出力端子2,3の何れかに切換えるスイッチ100を構成している。
図1は、この発明に係る実施の形態1による半導体デバイスの構成を示す図である。図1(a)は、半導体デバイスに搭載される半導体素子を含む半導体チップの回路面(下面)を上から見た透視図、図1(b)は半導体デバイスの断面図、図1(c)は半導体デバイスを構成する樹脂基板の表面(上面)を上から見た図である。図2は、実施の形態1による半導体デバイスの樹脂基板内における配線回路を示す図である。図1において、実施の形態1による半導体デバイス40は、マイクロ波、ミリ波等の高周波のRF(Radio Frequency)信号を処理する高周波回路を構成する。この実施の形態1において、半導体デバイス40は、例えば少なくとも1つの入力端子1から入力されるRF信号の出力先を、少なくとも2つの出力端子2,3の何れかに切換えるスイッチ100を構成している。
図1(a)、(b)において、半導体デバイス40は、1つもしくは複数の高周波のRF信号を処理する半導体素子(以下、高周波半導体素子)を含む半導体チップ10と、表面(上面)に半導体チップ10を載置した樹脂基板30から構成される。半導体チップ10は、回路面をなす表面(図1(b)の下面側)に複数の半田ボールが接合されている。半導体チップ10表面の複数の半田ボールは、RF信号用の入出力信号ボールとしての信号ボール12,13,14と、制御信号ボールとしての電源用の信号ボール21及び制御用の信号ボール22と、グランドボールGBからなる。半導体チップ10は、Si(シリコン)基板上にGaN(窒化ガリウム)半導体からなる高周波半導体素子を製膜して回路面を形成するGaN on Si半導体チップである。半導体チップ10の表面(図1(b)の下面側)には、GaN半導体からなる高周波半導体素子を構成するFET(電界効果トランジスタ)11a,FET11b,FET11cが形成されている。また、半導体チップ10の当該表面には、導電皮膜からなるボンディングパッド(導電端子)17,18、及びボンディングパッド17,18とFET11a,11b,11cの間をそれぞれ接続するRF信号用の信号伝送線路,電源または制御信号用の信号線路、グランドパターン等の配線パターンが形成されている。
FET11a,11b,11cは、所望の周波数(f0)のRF信号を処理する半導体増幅器または半導体スイッチとして動作する。半導体チップ10は、回路面の裏面に接地導体からなるグランドパターン16が形成されている。半導体チップ10の内部層には、半導体チップ10の表裏を貫通するグランドビア(VIA)15が形成されている。グランドビア15の上端(半導体チップ10裏面側)は、グランドパターン16に接続されている。グランドビア15の下端(半導体チップ10表面側)は、ボンディングパッド17を介して、半導体チップ10表面(図1(b)の下面側)のグランドボールGBに接続されている。なお、複数のグランドボールGBは半導体チップ10表面の周縁部に配置され、周波数f0のRF信号が空間を伝搬する波長(λ0)の4分の1波長(λ0/4)以下の間隔で、半導体チップ10の外縁に沿って複数個配列されている。
また、半導体チップ10は、表面(図1(b)の下面側)にドライバ回路20が形成されている。図1(a)は、ドライバ回路20が半導体チップ10上に搭載される位置を、点線で例示している。ドライバ回路20は、スイッチ100の駆動用の高耐圧なドライバ回路を構成する。ドライバ回路20は、半導体チップ10の表面に形成される配線パターン(図示せず)を介して、FET11a,FET11b,FET11cに接続される。ドライバ回路20は、電源用の信号ボール21(電源端子)に接続され、信号ボール21から高電圧電源が供給される。また、ドライバ回路20は、制御用の信号ボール22(制御端子)に接続され、信号ボール22から低電圧の制御信号が印加される。ドライバ回路20は、この電源及び制御信号に基いて、FET11a,11b,11cの各ゲート端子に所要の高電圧なゲート制御信号を供給する。なお、ドライバ回路20は、周囲温度やゲート制御信号の出力有無等の回路動作をモニタするためのモニタ信号を生成し、他の制御用の信号ボール22に出力しても良い。
図1(b)(c)において、樹脂基板30は、多層に積層された誘電体層と、誘電体層の層間に形成された導体層から構成された多層基板である。樹脂基板30は、例えばガラスエポキシ樹脂(例えばFlame Retardant Type 4)、フッ素樹脂(例えばポリテトラフルオロエチレン)、変性ポリイミド等の樹脂基材から構成される。樹脂基板30は、誘電正接が小さく、高周波のRF信号の線路損失が小さい(低損失な)樹脂基材が用いられると良い。図1(c)は、半導体チップ10が樹脂基板30上に搭載される位置を一点鎖線の想像線で例示し、ドライバ回路20及びFET11a,FET11b,FET11が半導体チップ10上に搭載される位置を二点鎖線の想像線で例示している。
樹脂基板30は、表面(上面)の表層に、グランドに接続されたボンディングパッド(グランド導電端子)31と、信号伝送用の導体からなるボンディングパッド(信号導電端子)41,42,43が形成されている。また、樹脂基板30の表面(上面)の表層は、接地導体からなるグランドパターン80が形成されている。樹脂基板30の裏面(下面)は、接地導体からなるグランドパターン39が形成されている。グランドパターン39(第2のグランドパターン)は、外部のグランドに接続されて接地されている。樹脂基板30の内層には、信号伝送線路(ストリップ線路)4,5,6,35及び接地導体からなるグランドパターン38(第1のグランドパターン)が形成されている。信号伝送線路4,5,6,35は、それぞれストリップ導体から形成され、その上下層に配置されるグランドパターン38,39の間に挟まれてトリプレート線路を構成する。信号伝送線路35は、所望の周波数(f0)のRF信号が樹脂基板30内を伝搬する波長(λ)の4分の1波長(λ/4)の電気長を有している。
樹脂基板30は、信号ビア(VIA)32,33,34と、信号ビア(VIA)51,52,53と、複数のグランドビア(VIA)37が内挿されている。信号ビア32、信号ビア33及び信号ビア34は、それぞれボンディングパッド41、ボンディングパッド42及びボンディングパッド43に接続される。グランドビア37は、樹脂基板30の上下を貫通し、樹脂基板30の表層(上面)のグランドパターン80と、樹脂基板30の裏面(下面)のグランドパターン39の間を接続する。また、グランドビア37は、樹脂基板30の内層のグランドパターン38に接続される。信号ビア51,信号ビア52,信号ビア53の各上端は、それぞれボンディングパッド(導電端子)55,ボンディングパッド(導電端子)56,ボンディングパッド(導電端子)57に接続される。また、信号ビア51,信号ビア52,信号ビア53の各下端は、それぞれ入力端子1,出力端子2,出力端子3に接続される。ボンディングパッド55,56,57は、樹脂基板30の外部に配置された他の高周波回路に接続される。
なお、樹脂基板30の表層(上面)のグランドパターン80は、信号ボール12,13,14の周囲及びグランドボールGBの直下とその周辺に部分的に設けるようにしても良い。
ボンディングパッド41及びボンディングパッド42は、グランドパターン70の導体表面が楕円形状または繭型形状に刳り貫かれて誘電体層の表面が露出した領域内に配置され、グランドパターン70との間に所定の間隙を有して非接触の状態で、周囲がグランドパターン70により取り囲まれている。ボンディングパッド43は、グランドパターン70の導体表面が円形状に刳り貫かれて誘電体層の表面が露出した領域内に配置され、グランドパターン70との間に所定の間隙を有して非接触の状態で、周囲がグランドパターン70により取り囲まれている。ボンディングパッド55,ボンディングパッド56,ボンディングパッド57は、それぞれグランドパターン70との間に所定の間隙を有してグランドパターン70と非接触の状態で配置される。図1の例では、ボンディングパッド55,ボンディングパッド56,ボンディングパッド57は、それぞれグランドパターン70の導体表面が楕円形状に刳り貫かれて誘電体層の表面が露出した領域内に配置され、周囲がグランドパターン70により取り囲まれている。
図1(b)に示すように、半導体チップ10は、配線パターンの回路面が形成された表面を下にした状態で、樹脂基板30の表面(上面)にBGA(Ball Grid Array)実装されており(face down(フェースダウン)実装とも呼ぶ)、半導体チップスケールパッケージ(CSP;Chip Scale Package)を構成している。半導体チップ10と樹脂基板30は、ボンディングパッド17とボンディングパッド31の間を接合するグランドボールGBと、各ボンディングパッド18とボンディングパッド41,42,43の間をそれぞれ接合する信号ボール12,13,14を間に介在して接合されている。ここで、半導体チップ10上のFET11a,FET11b,FET11cは、信号ボール12,信号ボール13,及び信号ボール14を介して、それぞれ樹脂基板30内の信号ビア41,信号ビア42,及び信号ビア43に接続される。
これにより、信号ボール12,13,14は、半導体チップ10裏面(上面)のグランドパターン16、半導体チップ10内のグランドビア15、半導体チップ10表面(下面)のグランドボールGB、樹脂基板30表面(上面)のグランドパターン80、樹脂基板30内のグランドビア37及びグランドパターン38、樹脂基板30裏面(下面)のグランドパターン39によって形成されるキャビティ(以下、グランドキャビティと呼ぶ)内部に配置されることとなる。このグランドキャビティは、周囲が接地面で囲まれた擬似的な電磁遮蔽壁を構成する。また、信号伝送線路(ストリップ線路)4,5,6,35及びFET11a,11b,11cも、同様にしてグランドキャビティの内部に配置される。このように信号ボール12,13,14、信号伝送線路4,5,6,35及びFET11a,11b,11cをグランドキャビティ内に収容することで、それら接続配線部材から外部への電磁界の放射を抑圧することができる。
なお、図1の例では、信号ボール12,13及び信号ビア41,42は、同一のグランド開口内に配置しているが、信号ボール12,13及び信号ビア41,42のそれぞれの周囲にグランドパターン、グランドビア等を配置することで、信号ボール14及び信号ビア43と同様に構成しても良い。
図1(c)は、FET11a,FET11b,FET11c及び信号伝送線路4,5,6,35の配置を点線(投影線)で例示している。また、図2は、入力端子1,出力端子2,3と信号伝送線路4,5,6,35の間の接続配線を模式的に例示するものである。図1(c)及び図2において、信号ビア51は入力端子1を介して信号伝送線路4の一端部に接続され、信号ビア52は出力端子2を介して信号伝送線路5の一端部に接続され、信号ビア53は出力端子3を介して信号伝送線路6の一端部に接続される。信号ビア34は信号伝送線路6の他端部及び信号伝送線路35の一端部に接続され、信号ビア33は信号伝送線路35の他端部及び信号伝送線路4の他端部に接続され、信号ビア32は信号伝送線路5の他端部に接続されている。
ここで、図1(a)(b)において、FET11aのソース側端子が信号ボール13に接続され、ドレイン側端子が信号ボール12に接続されている。即ち、FET11aのソース側端子が信号ボール13を介して信号ビア33に接続され、FET11aのドレイン側端子が信号ボール12を介して信号ビア32に接続されることで、信号ビア33と信号ビア32がFET11aを間に介在して接続されることとなる。また、FET11bのソース側端子が信号ボール12に接続され、ドレイン側端子がグランドボールGBに接続されている。即ち、FET11bのソース側端子が信号ボール12を介して信号ビア32に接続され、FET11aのドレイン側端子がグランドボールGBを介してグランドに接続されることで、信号ビア34がFET11bを間に介在して接地されることとなる。また、FET11cのソース側端子が信号ボール14に接続され、ドレイン側端子がグランドボールGBに接続されている。即ち、FET11cのソース側端子が信号ボール13を介して信号ビア33に接続され、FET11cのドレイン側端子がグランドボールGBを介してグランドに接続されることで、信号ビア33がFET11cを間に介在して接地されることとなる。なお、信号ビア33は、入力端子1及び出力端子2間の接続線と、入力端子1及び出力端子3間の接続線の分岐点となり、入力端子1に入力される信号は、この分岐点を通過して出力端子2もしくは出力端子3に出力されることとなる。
なお、半導体チップ10の電源用の信号ボール21及び制御用の信号ボール22は、樹脂基板30上のボンディングパッド(図示せず)を介して、樹脂基板30内の低周波用の信号伝送線路に接続される。この低周波用の信号伝送線路は、樹脂基板30の表層に配置されるボンディングパッドに接続されて、外部の他の電気回路から制御信号及び電源が供給される。
次に、実施の形態1の半導体デバイス40によって構成されるスイッチ100について、動作を説明する。図3は、スイッチ100の構成を示す回路図である。図3(a)はGaN半導体で構成されるスイッチ100を模式的に示す回路図であり、図3(b)は入力端子1を出力端子2に接続する場合のスイッチ100の等価回路、図3(c)は入力端子1を出力端子3に接続する場合のスイッチ100の等価回路を示す。スイッチ100は、単極双投スイッチ(SPDT(Single Pole Double Throw)スイッチ)を構成した例を示している。
図3(a)において、FET11cのソース端子は、信号ビア34を介して信号伝送線路35の一端部と出力端子3に接続される。FET11aのソース端子は、信号ビア33を介して入力端子1と信号伝送線路35の他端部に接続される。FET11bのソース端子は、信号ビア32を介して出力端子2とFET11aのドレイン端子に接続される。また、ドライバ回路20は、電源トリガ端子としての信号ボール21に印加された電源電圧と、制御信号端子としての信号ボール22に印加された低電圧な制御信号に応じて、スイッチ100の高電圧な駆動信号をFET11a,11b,11c毎に生成する。生成された各FET11a,11b,11cに対応するそれぞれの駆動信号は、半導体チップ10上の配線パターンを介して、各FET11a,11b,11cのそれぞれのゲート端子に印加される。
この駆動信号の印加により、各FET11a,11b,11cの動作状態がそれぞれ変化する。ここで、FET11a及び11cを導通状態(当該FETは低抵抗で近似される)、FET11bを遮断状態(当該FETはキャパシタで近似される)とすることにより、図3(a)の回路は図3(b)と等価となる。また、FET11a及び11cを遮断状態(当該FETはキャパシタで近似される)、FET11bを導通状態(当該FETは低抵抗で近似される)とすることにより、図3(a)の回路は図3(c)と等価となる。ここで、等価回路が図3(b)となる状態の時と、図3(c)となる状態の時のそれぞれの動作を説明する。
図3(b)の状態時、分岐点(信号ビア33)において、信号伝送線路35は先端が低抵抗のFET11cを介して短絡されたλ/4伝送線路に見える。よって出力端子3側を見たインピーダンスは高インピーダンスとなる。また、FET11cは低抵抗に近似されるので、分岐点(信号ビア33)において出力端子2側を見たインピーダンスは低インピーダンスとなる。このため、樹脂基板30内の信号伝送線路4を介して入力端子1から印加されたRF信号は低インピーダンス側に進むこととなり、信号ビア33及び信号ボール13を介して半導体チップ10内に伝達される。その後、このRF信号は、FET11aを通過し、信号ボール12及び信号ビア32を介して樹脂基板30内に戻り、信号伝送線路5を通過して出力端子2に伝達される。
また、図3(c)の状態時、分岐点(信号ビア33)において、低抵抗のFET11cにより出力端子3側を見たインピーダンスは低インピーダンスとなる。また、FET11aはキャパシタで近似されるので、分岐点(信号ビア33)において出力端子2側を見たインピーダンスは高インピーダンスとなる。このため、樹脂基板30内の信号伝送線路4を介して入力端子1から印加されたRF信号は、出力端子3側を見たインピーダンスは低インピーダンス、出力端子2側を見たインピーダンスは高インピーダンスとなるため、低インピーダンス側に進み、信号伝送線路35及び信号伝送線路6を介して出力端子3に伝達される。
かくして、実施の形態1による半導体デバイス40は、低価格なSi基板上に製膜したGaN on Siを使用して半導体チップ10を形成することができる。また、半導体チップ10を樹脂基板30上にフェースダウンで直接BGA実装する形態のCSPを用いることで、半田リフロー工程を用いたBGA実装ができる。このため、従来の半導体デバイスのフェースアップ実装に必要なダイボンド及びワイヤボンディング工程が不要となり、従来のフェースアップ実装による半導体デバイスと比較して、実装時の生産コストが低減される。また、半導体チップ10と樹脂基板30の結合体に擬似的に構成されるグランドキャビティ内に、信号ボール12,13,14、及び信号伝送線路3を収容することで、外部への電磁界の放射が抑圧される。このため、従来の半導体デバイスで必要であった電磁遮蔽用の金属蓋を含むパッケージが不要となることで、半導体デバイスを含む高周波機器(RF機器)の低価格化を図ることができる。
また、半導体チップ10を樹脂基板30上に直接BGA実装し、半導体チップ10内にドライバ回路20を内蔵しているため、RF機器の小型化が図れる。
なお、Si基板は絶縁性がSiC基板と比較して劣るため、半導体チップ10上に信号伝送線路を構成した場合は線路損失が増大する。しかしながら、低損失な樹脂基板30内にトリプレート線路を形成して信号伝送線路5,6,35を構成することで、線路損失の増加を抑制することができる。
なお、Si基板は絶縁性がSiC基板と比較して劣るため、半導体チップ10上に信号伝送線路を構成した場合は線路損失が増大する。しかしながら、低損失な樹脂基板30内にトリプレート線路を形成して信号伝送線路5,6,35を構成することで、線路損失の増加を抑制することができる。
また、半導体チップ10の周縁部にグランドボールGBをλ0/4以下の間隔で配列することにより、通常のフェースアップ実装と比較して半導体チップ自体の面積は若干大きくなる。しかしながら、グランドボールGBを構成する半田ボールの径は小さいので、その配置に必要な面積は、半導体チップ10を金属蓋で覆う場合に必要な接合部の面積に比べて小さくすることができる。また、低価格なSi基板を使用することで、チップ面積の増加に伴う価格の上昇分は十分に許容することが可能である。
この実施の形態1では、半導体デバイス40の特定の回路形態であるスイッチ100として、GaN半導体を用いた単極双投型スイッチの一実施形態として直並列かつ並列併用型にて説明したが、このスイッチは直並列型及び並列型等の各種回路構成によって実現することが可能であって、スイッチの回路形態はこれに限定されるものではない。また、デバイス40は、スイッチ100だけでなく、増幅器、移相器等の他の高周波回路を構成しても良い。
また、この実施の形態1では、GaN on Siを用いた半導体チップ10を例にして説明したが、GaAs,Si−BiCMOS等の半導体チップに適用することも可能である。更に半導体チップ上の線路損失が問題とならない場合は、樹脂基板30内の信号伝送線路4,5,6,35を半導体チップ10上にパターン形成された線路で構成しても良い。このような場合、半導体デバイス40の外部への信号接続は、半導体チップ10における複数のグランドボールGBの配列内に収容された信号ボールを介して、周囲をグランドパターンで挟まれたストリップ線路に接続することで、半導体デバイス40から外部への電磁界の放射を抑圧することができる。
また、この実施の形態1では、入力端子1及び出力端子2,3を、信号ビア51,52,53を介して、樹脂基板30表面のボンディングパッド55,56,57に接続した例を説明したが、入力端子1及び出力端子2,3を別の形態で樹脂基板30の外部に接続できるようにしても良い。例えば、樹脂基板30の内部に同軸線を埋め込み、同軸線の内導体を入力端子1及び出力端子2,3に接続できるようにしても良い。また、樹脂基板30の内部に、マイクロストリップ線路−導波管変換器を設けて、入力端子1及び出力端子2,3を導波管に接続するようにしても良い。更に、樹脂基板30の表面または外部基板にアンテナ素子を構成し、入力端子1及び出力端子2,3をアンテナ素子に接続するようにしても良い。
また、この実施の形態1では、半導体チップ10を樹脂基板30に実装した例について説明したが、更なる低損失化を志向して、樹脂基板30の代わりにセラミック基板を用いても良い。
更に、この実施の形態1において、半導体チップ10にドライバ回路20を含まずに、FET11a,11b,11cに直接駆動信号を印加してもよい。この場合、ドライバ回路20を樹脂基板30上または樹脂基板30の内部に実装しても良い。
以上説明した通り、実施の形態1による半導体デバイス40は、裏面に形成されたグランドパターン16と、上記裏面と反対側の表面に設けられた1つもしくは複数の高周波半導体素子(FET11a,FET11b,FET11c)と、を有し、上記高周波半導体素子との間で高周波のRF信号を伝送する入出力信号ボール(信号ボール12,13,14)、上記高周波半導体素子との間で制御信号を伝送する制御信号ボール(電源用の信号ボール21、制御用の信号ボール22)、及び上記入出力信号ボール及び制御信号ボールの周囲を囲んで複数配列されるグランドボールGBが、ボールグリッドアレイ(BGA)を形成して接合された半導体チップ10から構成される。また、半導体デバイス40は、表層に配置された信号導電端子(ボンディングパッド41,42,43)及びグランド導電端子(ボンディングパッド31)と、内層に配置された第1,第2のグランドパターン(グランドパターン38,39)及び上記第1,第2のグランドパターンの間に挟まれて配置された信号伝送線路(4,5,6,35)からなるトリプレート線路と、上記トリプレート線路と信号導電端子を接続する信号ビア(32,33,34)と、上記第1,第2のグランドパターンに接続され、上記トリプレート線路の周囲を囲んで複数配列されたグランドビア37と、を有し、上記半導体チップの表面が表層を向き、上記半導体チップの入出力信号ボール、制御信号ボールが上記信号導電端子に接合され、上記半導体チップのグランドボールが上記グランド導電端子に接合されるとともに、上記入出力信号ボールに接合される上記信号導電端子が上記信号ビアに接続され、上記グランドボールに接合される上記グランド導電端子が上記グランドビアに接続されてなる樹脂基板30と、を備え、上記半導体チップ10のグランドパターン16及び上記グランドボール、上記樹脂基板の第1,第2のグランドパターン及び上記グランドビアにより形成される擬似的なグランド壁(グランドキャビティ)により、上記高周波半導体素子、上記信号ボール、上記制御信号ボール、上記信号導電端子、上記トリプレート線路及び上記信号ビアが囲まれたことを特徴とする
また、上記高周波半導体素子は、シリコン基板上に製膜された窒化ガリウムから形成されたことを特徴とする。
また、上記半導体チップは、上記制御信号ボール(信号ボール21,22)を介して印加される電源及び制御信号に基づいて上記高周波半導体素子の駆動信号を生成するドライバ回路20を有したことを特徴とする。
また、上記半導体デバイス40から構成されるスイッチは、上記樹脂基板が、上記信号伝送線路に接続される少なくとも1つの入力端子1と、少なくとも2つの出力端子2,3を備え、上記半導体チップの高周波半導体は、上記制御信号ボールを介して入力される制御信号に基づいて上記入力端子1と一方の上記出力端子2及び他方の上記出力端子3との接続を切換えることを特徴とする。
これによって、ダイボンド及びワイヤボンディング工程が不要となり、実装時の生産コストが低減される。また、GaN半導体を含む半導体チップと樹脂基板の接合によって擬似的に形成されるグランド壁内に、入出力信号ボール及び信号伝送線路を収容することができるので、外部への電磁界の放射が抑圧され、電磁遮蔽用の金属蓋が不要となって、半導体チップを含む機器の低価格化を図ることができる。
1 入力端子、2,3 出力端子、4 信号伝送線路(入力線路)、5,6 信号伝送線路(出力線路)、10 半導体チップ、11a,11b,11c FET(高周波半導体素子)、12,13,14 信号ボール(入出力信号ボール)、15 グランドビア、16 グランドパターン、17 ボンディングパッド(導電端子)、20 ドライバ回路、21 信号ボール、22 信号ボール、30 樹脂基板、31 ボンディングパッド、32,33,34 信号ビア、35 伝送線路、37 グランドビア、38,39 グランドパターン(第1,第2のグランドパターン)、40 半導体デバイス、100 スイッチ、GB グランドボール。
Claims (4)
- 裏面に形成されたグランドパターンと、上記裏面と反対側の表面に設けられた1つもしくは複数の高周波半導体素子と、を有し、
上記高周波半導体素子との間で高周波信号を伝送する入出力信号ボール、上記高周波半導体素子との間で制御信号を伝送する制御信号ボール、及び上記入出力信号ボール及び制御信号ボールの周囲を囲んで複数配列されるグランドボールが、ボールグリッドアレイを形成して接合された半導体チップと、
表層に配置された信号導電端子及びグランド導電端子と、内層に配置された第1,第2のグランドパターン及び上記第1,第2のグランドパターンの間に挟まれて配置された信号伝送線路からなるトリプレート線路と、上記トリプレート線路と信号導電端子を接続する信号ビアと、上記第1,第2のグランドパターンに接続され、上記トリプレート線路の周囲を囲んで複数配列されたグランドビアと、を有し、
上記半導体チップの表面が表層を向き、上記半導体チップの入出力信号ボール、制御信号ボールが上記信号導電端子に接合され、上記半導体チップのグランドボールが上記グランド導電端子に接合されるとともに、
上記入出力信号ボールに接合される上記信号導電端子が上記信号ビアに接続され、
上記グランドボールに接合される上記グランド導電端子が上記グランドビアに接続されてなる樹脂基板と、
を備え、
上記半導体チップのグランドパターン及び上記グランドボール、上記樹脂基板の第1,第2のグランドパターン及び上記グランドビアにより形成される擬似的なグランド壁により、上記高周波半導体素子、上記信号ボール、上記制御信号ボール、上記信号導電端子、上記トリプレート線路及び上記信号ビアが囲まれた半導体デバイス。 - 上記高周波半導体素子は、シリコン基板上に製膜された窒化ガリウムから形成されたことを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス。
- 上記半導体チップは、上記制御信号ボールを介して印加される電源及び制御信号に基づいて上記高周波半導体素子の駆動信号を生成するドライバ回路を有したことを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス。
- 請求項1乃至請求項3の何れかに記載の半導体デバイスから構成され、
上記樹脂基板は、上記信号伝送線路に接続される少なくとも1つの入力端子と、少なくとも2つの出力端子を備え、
上記半導体チップの高周波半導体は、上記制御信号ボールを介して入力される制御信号に基づいて上記入力端子と一方の上記出力端子及び他方の上記出力端子との接続を切換えることを特徴としたスイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013048695A JP2014175566A (ja) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 半導体デバイス及びスイッチ |
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JP2014175566A true JP2014175566A (ja) | 2014-09-22 |
Family
ID=51696482
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Country Status (1)
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---|---|---|---|---|
US9966311B2 (en) | 2015-09-07 | 2018-05-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing method |
WO2019116482A1 (ja) * | 2017-12-14 | 2019-06-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2013
- 2013-03-12 JP JP2013048695A patent/JP2014175566A/ja active Pending
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