JP2014175497A - 処理装置、および処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウォーターマークの形成を抑制することができる処理装置、および処理方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る処理装置は、リンス液を用いて、処理物の表面にある処理液を洗い流すリンス部と、前記処理物の表面を乾燥させる乾燥部と、を備えた処理装置であって、前記乾燥部は、チャンバと、前記チャンバの内部に設けられ前記処理物の表面に向けてガスを噴出するノズルと、前記リンス部と、前記ノズルが設けられた前記チャンバの内部の空間と、の間に設けられた気流制御部と、を有する。そして、前記気流制御部は、前記処理物の搬入側に設けられた第１の開口部と、前記処理物の搬出側に設けられた第２の開口部と、を有し、前記第２の開口部の開口面積は、前記第１の開口部の開口面積よりも小さい。
【選択図】図１

Description

後述する実施形態は、概ね、処理装置、および処理方法に関する。

表面にアモルファスシリコン層が形成された基板がある。アモルファスシリコンは、活性度が高いため、空気中の酸素と水分と反応して、空気中にある有機物などの不純物を含むシリコン酸化物が形成されやすい。
そのため、アモルファスシリコン層の表面にフッ化水素を供給してシリコン酸化物などを除去し、続いて、アモルファスシリコン層の表面に純水を供給して残余のフッ化水素を洗い流し、その後、アモルファスシリコン層の表面に向けてスリット型のノズルからガスを噴出させて乾燥させるようにしている。
ところが、アモルファスシリコン層の表面にあった水が、スリット型のノズルから噴出されたガスによりミストとなって舞い上がり、乾燥済みのアモルファスシリコン層の表面に再付着する場合がある。
この場合、乾燥済みのアモルファスシリコン層の表面に水が再付着すると、アモルファスシリコン層の表面にウォーターマーク（円形のシリコン酸化物の析出物）が形成されるおそれがある。

特開２０１０−２５８１２５号公報

本発明が解決しようとする課題は、ウォーターマークの形成を抑制することができる処理装置、および処理方法を提供することである。

実施形態に係る処理装置は、リンス液を用いて、処理物の表面にある処理液を洗い流すリンス部と、前記処理物の表面を乾燥させる乾燥部と、を備えた処理装置であって、前記乾燥部は、チャンバと、前記チャンバの内部に設けられ前記処理物の表面に向けてガスを噴出するノズルと、前記リンス部と、前記ノズルが設けられた前記チャンバの内部の空間と、の間に設けられた気流制御部と、を有する。そして、前記気流制御部は、前記処理物の搬入側に設けられた第１の開口部と、前記処理物の搬出側に設けられた第２の開口部と、を有し、前記第２の開口部の開口面積は、前記第１の開口部の開口面積よりも小さい。

本実施の形態に係る処理装置１を例示するための模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、比較例に係る気流を例示するための模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、開口部４６ａを有する気流制御部４６を設けた場合の気流を例示するための模式図である。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本実施の形態に係る処理装置１を例示するための模式図である。
図１に示すように、処理装置１には、受入部１０、処理部２０、リンス部３０、乾燥部４０、および制御部５０が設けられている。

受入部１０には、チャンバ１１、搬送ローラ１２、および開閉扉１３が設けられている。 チャンバ１１は、箱型状を呈し、処理物１００の搬送方向１０１における上流側および下流側の壁面には、処理物１００を通過させるための開口部１１ａ、および開口部１１ｂがそれぞれ設けられている。
搬送ローラ１２は、チャンバ１１の内部に複数設けられている。複数の搬送ローラ１２は、所定の間隔をおいて、処理物１００の搬送方向１０１に沿って並べられている。搬送ローラ１２は、図示しない駆動部により回転する。搬送ローラ１２が回転することで、搬送ローラ１２の上に載置された処理物１００が搬送方向１０１に搬送される。
開閉扉１３は、図示しない駆動部によりチャンバ１１の開口部１１ａを開閉する。

処理部２０は、処理液を用いて処理物１００の表面を処理する。
処理部２０には、チャンバ２１、搬送ローラ２２、処理液供給部２３、および排気部２４が設けられている。
チャンバ２１は、箱型状を呈し、処理物１００の搬送方向１０１における上流側および下流側の壁面には、処理物１００を通過させるための開口部２１ａ、および開口部２１ｂがそれぞれ設けられている。
搬送ローラ２２は、チャンバ２１の内部に複数設けられている。複数の搬送ローラ２２は、所定の間隔をおいて、処理物１００の搬送方向１０１に沿って並べられている。搬送ローラ２２は、図示しない駆動部により回転する。搬送ローラ２２が回転することで、搬送ローラ２２の上に載置された処理物１００が搬送方向１０１に搬送される。

処理液供給部２３には、収納部２３ａ、送液部２３ｂ、供給ノズル２３ｃ、および制御部２３ｄが設けられている。
収納部２３ａは、処理液を収納する。処理液は、除去対象の物質に応じて適宜選択することができる。例えば、処理物１００の表面にある酸化物を除去する場合には、処理液はフッ化水素などとすることができる。

送液部２３ｂは、収納部２３ａに収納された処理液を供給ノズル２３ｃに送る。送液部２３ｂは、例えば、ケミカルポンプなどとすることができる。
供給ノズル２３ｃは、送液部２３ｂにより送られてきた処理液を処理物１００の表面に向けて噴出する。供給ノズル２３ｃは、チャンバ２１の内部に複数設けられている。複数の供給ノズル２３ｃは、所定の間隔をおいて、処理物１００の搬送方向１０１に沿って並べられている。

制御部２３ｄは、供給ノズル２３ｃから噴出される処理液の流量を制御する。また、制御部２３ｄは、供給ノズル２３ｃへの処理液の供給と停止を切り替えることもできる。
排気部２４は、チャンバ２１の内部のガスやミストを排気する。
排気部２４は、処理液の持ち出しを減らすために、チャンバ２１の側壁から排気するように取り付けられている。
なお、図示は省略したが、使用済みの処理液を回収する回収部を設けることもできる。

リンス部３０は、リンス液を用いて、処理物１００の表面にある処理液を洗い流す。
リンス部３０には、チャンバ３１、搬送ローラ３２、リンス液供給部３３、および排気部３４が設けられている。
チャンバ３１は、箱型状を呈し、処理物１００の搬送方向１０１における上流側および下流側の壁面には、処理物１００を通過させるための開口部３１ａ、および開口部３１ｂがそれぞれ設けられている。
搬送ローラ３２は、チャンバ３１の内部に複数設けられている。複数の搬送ローラ３２は、所定の間隔をおいて、処理物１００の搬送方向１０１に沿って並べられている。搬送ローラ３２は、図示しない駆動部により回転する。搬送ローラ３２が回転することで、搬送ローラ３２の上に載置された処理物１００が搬送方向１０１に搬送される。

リンス液供給部３３には、収納部３３ａ、送液部３３ｂ、供給ノズル３３ｃ、および制御部３３ｄが設けられている。
収納部３３ａは、リンス液を収納する。リンス液は、例えば、炭酸水とすることができる。炭酸水を用いれば、処理物１００が帯電するのを防止することができるので、静電破壊を防止することができる。
送液部３３ｂは、収納部３３ａに収納されたリンス液を供給ノズル３３ｃに送る。送液部３３ｂは、例えば、純水用のポンプなどとすることができる。

供給ノズル３３ｃは、送液部３３ｂにより送られてきたリンス液を処理物１００の表面に向けて噴出する。供給ノズル３３ｃは、チャンバ３１の内部に複数設けられている。複数の供給ノズル３３ｃは、所定の間隔をおいて、処理物１００の搬送方向１０１に沿って並べられている。

制御部３３ｄは、供給ノズル３３ｃから噴出されるリンス液の流量を制御する。また、制御部３３ｄは、供給ノズル３３ｃへのリンス液の供給と停止を切り替えることもできる。 排気部３４は、チャンバ３１の内部のガスやミストを排気する。
排気部３４は、処理液の持ち出しを減らすために、チャンバ３１の側壁から排気するように取り付けられている。
なお、図示は省略したが、使用済みのリンス液を回収する回収部を設けることもできる。

乾燥部４０は、処理物１００の表面にガスを吹き付けることで、処理物１００の表面にあるリンス液を搬送方向１０１における上流側に押し流すとともに、処理物１００の表面を乾燥させる。
乾燥部４０には、チャンバ４１、搬送ローラ４２、開閉扉４３、ガス供給部４４、排気部４５、および気流制御部４６が設けられている。
チャンバ４１は、箱型状を呈し、処理物１００の搬送方向１０１における上流側および下流側の壁面には、処理物１００を通過させるための開口部４１ａ（第１の開口部の一例に相当する）、および開口部４１ｂがそれぞれ設けられている。
搬送ローラ４２は、チャンバ４１の内部に複数設けられている。複数の搬送ローラ４２は、所定の間隔をおいて、処理物１００の搬送方向１０１に沿って並べられている。搬送ローラ４２は、図示しない駆動部により回転する。搬送ローラ４２が回転することで、搬送ローラ４２の上に載置された処理物１００が搬送方向１０１に搬送される。
開閉扉４３は、図示しない駆動部によりチャンバ４１の開口部４１ｂを開閉する。

ガス供給部４４には、収納部４４ａ、ノズル４４ｂ、および制御部４４ｃが設けられている。
収納部４４ａは、加圧されたガスを収納する。
前述した処理部２０において、処理物１００の表面にある酸化物などを除去すると、処理物１００の表面には酸化しやすい物質（例えば、アモルファスシリコン）が露出することになる。この様な場合に、酸素や水分を含むガスを用いると処理物１００の表面にウォーターマークが形成されやすくなる。そのため、収納部４４ａに収納するガスは、酸素と水分を含まないガスとすることが好ましい。酸素と水分を含まないガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、およびヘリウムガスなどの不活性ガスを例示することができる。

ノズル４４ｂは、収納部４４ａから供給されたガスを処理物１００の表面と裏面に向けて噴出する。ノズル４４ｂは、スリット型のノズル（エアーナイフ）とすることができる。ノズル４４ｂは、チャンバ４１の内部であって、処理物１００の上方となる位置、および処理物１００の下方となる位置にそれぞれ１つずつ設けられている。ノズル４４ｂは、ノズル４４ｂの先端側が、処理物１００の搬送方向１０１における上流側に位置するように傾斜して設けられている。そのため、処理物１００の表面に吹き付けられたガスにより、処理物１００の表面にあるリンス液を搬送方向１０１における上流側に押し流すとともに、処理物１００の表面を乾燥させることができる。
また、スリット型のノズル４４ｂが設けられている位置には、ノズル４４ｂの上流側と下流側を仕切る仕切り部４１ｇが設けられている。仕切り部４１ｇには、処理物１００が通過する開口部４１ｆが設けられている。仕切り部４１ｇを設けるようにすれば、ノズル４４ｂの上流側で発生したミストが乾燥後の処理物１００の表面に付着するのを抑制することができる。また、仕切り部４１ｇの下流側には、ファンフィルターユニット４１ｈが設けられている。ファンフィルターユニット４１ｈを設けるものとすれば、乾燥後の処理物１００がパーティクル等で汚染されるのを抑制することができる。

制御部４４ｃは、ノズル４４ｂから噴出されるガスの流量を制御する。制御部４４ｃは、ノズル４４ｂへのガスの供給と停止を切り替えることもできる。
排気部４５は、チャンバ４１の内部のガスやミストを排気する。
排気部４５は、ミストが舞い上がらないように、チャンバ４１の床面側から排気するように取り付けられている。
なお、図示は省略したが、処理物１００の表面から押し流された水などを回収する回収部を設けることもできる。

気流制御部４６は、チャンバ４１の内部の空間４１ｄにおける気流を制御する。またさらに、気流制御部４６は、チャンバ３１の内部のミストがチャンバ４１の内部の空間４１ｄに流れ込むのを抑制する。
気流制御部４６は、箱型状を呈している。気流制御部４６は、リンス部３０と、ノズル４４ｂが設けられたチャンバ４１の内部の空間４１ｄと、の間に設けられている。
気流制御部４６は、チャンバ４１の開口部４１ａを覆い、チャンバ４１の内部に突出するようにして設けられている。つまり、気流制御部４６は、開口部４１ａの近傍におけるチャンバ４１の内部の空間（気流制御部４６の内部の空間４１ｃ）と、ノズル４４ｂが設けられるチャンバ４１の内部の空間４１ｄと、を仕切っている。なお、空間４１ｄは、仕切り部４１ｇよりも上流側の空間である。

また、搬送方向１０１における下流側にある気流制御部４６の壁面には、開口部４６ａ（第２の開口部の一例に相当する）が設けられている。
すなわち、気流制御部４６は、処理物１００の搬入側に設けられた開口部と、処理物１００の搬出側に設けられた開口部４６ａと、を有している。なお、本実施の形態においては、処理物１００の搬入側に設けられた開口部は、チャンバ４１の開口部４１ａとなる。

そのため、気流制御部４６の内部の空間４１ｃは、開口部４１ａと開口部３１ｂを介して、チャンバ３１の内部の空間に通じている。また、気流制御部４６の内部の空間４１ｃは、開口部４６ａを介して、チャンバ４１の内部のノズル４４ｂが設けられる空間４１ｄに通じている。

開口部４６ａは、処理物１００を通過させるとともに、チャンバ４１の内部の空間４１ｄにおける気流の制御、およびチャンバ３１側のミストの空間４１ｄへの流入抑制のために設けられている。

開口部４６ａの開口面積は、開口部４１ａの開口面積よりも小さくなっている。
この場合、チャンバ４１の底面４１ｅから開口部４６ａの中心位置までの寸法Ｈ１は、チャンバ４１の底面４１ｅから処理物１００を搬送する搬送ローラ４２の上面までの寸法Ｈ２と等しくなるようにすることが好ましい。
一般的には、処理物１００の厚み寸法は短いので、チャンバ４１の底面４１ｅから開口部４６ａの中心位置までの寸法Ｈ１は、チャンバ４１の底面４１ｅから処理物１００の厚み方向における中心位置までの寸法Ｈ３と等しくなるようにしてもよい。

その様にすれば、流速が速く、処理物１００の搬送方向１０１に沿って流れる気流１４５の形成が容易となる。
なお、開口部４６ａを有する気流制御部４６の作用と効果に関する詳細は後述する。

また、気流制御部４６には反応抑制部４７を設けることができる。
前述したように、処理部２０において、処理物１００の表面にある酸化物などを除去すると、処理物１００の表面には酸化しやすい物質（例えば、アモルファスシリコン）が露出することになる。そのため、ノズル４４ｂにより処理物１００の表面にガスを吹き付ける直前までは、処理物１００の表面が純水などの液体で覆われていた方が好ましい。

反応抑制部４７には、収納部４７ａ、送液部４７ｂ、供給ノズル４７ｃ、および制御部４７ｄが設けられている。
収納部４７ａは、純水などの液体を収納する。この場合、収納部４７ａに収納される液体は、例えば、前述したリンス液とすることもできる。送液部４７ｂは、収納部４７ａに収納された液体を供給ノズル４７ｃに送る。送液部４７ｂは、例えば、純水用のポンプなどとすることができる。

供給ノズル４７ｃは、送液部４７ｂにより送られてきた液体を処理物１００の表面に向けて噴出する。
制御部４７ｄは、供給ノズル４７ｃから噴出される液体の流量を制御する。また、制御部４７ｄは、供給ノズル４７ｃへの液体の供給と停止を切り替えることもできる。
ここで、供給ノズル４７ｃから噴出される液体の量が多くなれば、気流制御部４６の内部の空間４１ｃにおいて発生したミストが空間４１ｄへ流入しやすくなる。また、供給ノズル４７ｃから噴出される液体の量は、処理物１００の表面が液体で覆われる程度であればよい。そのため、供給ノズル４７ｃから噴出される液体の量は、リンス部３０において供給ノズル３３ｃから噴出されるリンス液の量に比べて僅かなものとすることができる。 また、反応抑制部４７は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて適宜設けるようにすればよい。

制御部５０は、処理装置１に設けられた要素の動作を制御する。
制御部５０は、例えば、搬送ローラ１２、開閉扉１３、搬送ローラ２２、送液部２３ｂ、制御部２３ｄ、排気部２４、搬送ローラ３２、送液部３３ｂ、制御部３３ｄ、排気部３４、搬送ローラ４２、開閉扉４３、制御部４４ｃ、排気部４５などの動作を制御する。

なお、以上においては、チャンバ１１、チャンバ２１、チャンバ３１、およびチャンバ４１を別々に形成し、これらを接合して設置する場合を例示したが、これらを一体として形成してもよい。この場合、開口部１１ｂと開口部２１ａ、開口部２１ｂと開口部３１ａ、開口部３１ｂと開口部４１ａをそれぞれ一体化することができる。
また、受入部１０は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて設けることができる。

次に、開口部４６ａを有する気流制御部４６の作用と効果についてさらに説明する。
まず、チャンバ４１の内部の空間４１ｄにおける気流の制御について説明する。
図２（ａ）、（ｂ）は、比較例に係る気流を例示するための模式図である。
図２（ａ）、（ｂ）は、気流制御部４６の開口部４６ａがチャンバ４１の床面まで達している場合におけるチャンバ４１の内部の気流をシミュレーションにより求めたものである。 図２（ａ）は、処理物１００上面側に向けて下降する気流１４３ｄが形成される過程を例示するための模式図である。
図２（ｂ）は、チャンバ４１の内部の空間４１ｄにおける気流１４１を例示するための模式図である。

図２（ａ）に示すように、ノズル４４ｂから噴出されたガス１４２は、処理物１００の上面に吹き付けられた後、処理物１００の上面に沿って広がる。この場合、ガス１４２と、処理物１００の上面との間の摩擦抵抗よりも、ガス１４２と、処理物１００の上方に有る空間のガスとの間の摩擦抵抗が小さいため、処理物１００の上方に向かう気流１４３ａが形成される。

処理物１００の上方に向かう気流１４３ａが形成されると、気流１４３ａの前後（搬送方向１０１における上流側および下流側）に、逆向きの対流１４３ｂ、１４３ｃが形成される。そして、逆向きの対流１４３ｂ、１４３ｃが形成されると、対流１４３ｂと対流１４３ｃとの間に、処理物１００の上面側から上昇した後に、搬送方向１０１における下流側に向かい、その後に処理物１００の上面側に向けて下降する気流１４３ｄが形成される。

ノズル４４ｂから噴出されたガス１４２が処理物１００の上面に当たった位置よりも下流側は乾燥済みの面となる。そのため、ノズル４４ｂからのガス１４２が吹き付けられることで形成されたリンス液のミストが、気流１４３ｄにより運ばれて乾燥済みの面に付着するおそれがある。乾燥済みの面にリンス液のミストが付着すると、処理物１００の上面にウォーターマークが形成されるおそれがある。

図２（ｂ）に示すように、処理物１００の上流側の端部から流出したガスは、開口部４６ａに向けて流れる。そのため、処理物１００の上面から開口部４６ａに向かう気流１４１が形成されやすくなる。すなわち、処理物１００の上面から上流側の下方に向かう気流１４１が形成されやすくなる。
この様な、気流１４１が形成されていると、前述した気流１４３ｄの形成が助長され、ひいてはウォーターマークが形成されやすくなる。

なお、ノズル４４ｂから噴出されたガス１４２が、処理物１００の下面に吹き付けられる場合には、処理物１００の下面側から下降した後に、搬送方向１０１における下流側に向かい、その後に処理物１００の下面側に向けて上昇する気流が形成されることになる。しかしながら、処理物１００の上面から上流側の下方に向かう気流１４１が形成されているので、処理物１００の下面側に向けて上昇する気流の形成が阻害されることになる。
そのため、図２（ａ）、（ｂ）において例示をした比較例の場合には、処理物１００の上面にウォーターマークが形成されやすくなる。

図３（ａ）、（ｂ）は、開口部４６ａを有する気流制御部４６を設けた場合の気流を例示するための模式図である。
図３（ａ）、（ｂ）は、開口部４６ａを有する気流制御部４６を設けた場合における空間４１ｄの内部の気流をシミュレーションにより求めたものである。
図３（ａ）は、処理物１００上面近傍における気流１４４を例示するための模式図である。
図３（ｂ）は、チャンバ４１の内部の空間４１ｄにおける気流１４５を例示するための模式図である。

処理物１００の上流側の端部から流出したガスは、開口部４６ａに向けて流れる。
そのため、図３（ｂ）に示すように、処理物１００の搬送方向１０１に沿って流れる気流１４５が形成されやすくなる。
また、開口部４６ａの開口面積は、開口部４１ａの開口面積よりも小さくなっているため、気流１４５の流速は気流１４１の流速よりも速くなる。

流速が速く、処理物１００の搬送方向１０１に沿って流れる気流１４５が形成されると、前述した処理物１００の上方に向かう気流１４３ａの形成が阻害される。
そのため、図３（ａ）に示すように、ノズル４４ｂから噴出されたガス１４２は、処理物１００の上面に吹き付けられた後、処理物１００の上面に沿って流れる気流１４４となり流れる。
つまり、処理物１００の上面側から上昇した後に、搬送方向１０１における下流側に向かい、その後に処理物１００の上面側に向けて下降する気流１４３ｄの形成が阻害されるので、ウォーターマークの形成を抑制することができる。
なお、ノズル４４ｂから噴出されたガス１４２が、処理物１００の下面に吹き付けられる場合も同様である。

次に、チャンバ３１側のミストの空間４１ｄへの流入抑制について説明する。
気流制御部４６は、チャンバ４１の開口部４１ａを覆い、チャンバ４１の内部に突出するようにして設けられている。また、気流制御部４６の内部の空間４１ｃには液体が噴出されていないか、僅かな液体が噴出されている程度である。そのため、空間４１ｃの内部におけるミストの量は、チャンバ３１の内部の空間におけるミストの量よりも格段に少なくなる。

この様に、ミストの量が多いチャンバ３１と、チャンバ４１の内部の空間４１ｄとの間に気流制御部４６を介在させることで、チャンバ３１の内部のミストが空間４１ｄに流れ込むのを抑制することができる。

また、前述したように、開口部４６ａを有する気流制御部４６を設けることで、チャンバ４１の内部の空間４１ｄから、気流制御部４６の内部の空間４１ｃを介してチャンバ３１の内部の空間に向けて流れる流速の速い気流１４５を形成することができる。そのため、チャンバ３１の内部の空間から気流制御部４６の内部の空間４１ｃにミストが流入することをさらに抑制することができるので、ミストが空間４１ｄに流れ込むことをさらに抑制することができる。
その結果、ウォーターマークの形成を抑制することができる。

また、ノズル４４ｂから噴出されるガス１４２の流量をＶ１、排気部３４の排気量をＶ２、排気部４５排気量をＶ３、ファンフィルターユニット４１ｈの排気量をＶ４とした場合に、Ｖ４＞Ｖ３＞Ｖ２＞Ｖ１とすれば、流速の速い気流１４５の形成が容易となる。そのため、ウォーターマークの形成をさらに抑制することができる。
なお、流量Ｖ１、排気量Ｖ２、排気量Ｖ３、および排気量Ｖ４の制御は、制御部５０により行うことができる。

次に、処理装置１の作用とともに、本実施の形態に係る処理方法について例示する。
まず、開閉扉１３が開かれ、開口部１１ａを介してチャンバ１１の内部に処理物１００が搬入される。チャンバ１１の内部に搬入された処理物１００は、搬送ローラ１２により搬送されて、チャンバ２１の内部に搬入される。

チャンバ２１の内部に搬入された処理物１００は、搬送ローラ２２により搬送される。この際、供給ノズル２３ｃから処理物１００の表面に向けて処理液が噴出される。処理液により、例えば、処理物１００の表面にある酸化物が除去される。

処理液により処理された処理物１００は、チャンバ３１の内部に搬入され、搬送ローラ３２により搬送される。この際、供給ノズル３３ｃから処理物１００の表面に向けてリンス液が噴出される。リンス液により、処理物１００の表面にある処理液が洗い流される。

処理物１００の表面にある処理液がリンス液により洗い流された処理物１００は、気流制御部４６の内部の空間４１ｃに搬入される。この際、必要に応じて、供給ノズル４７ｃから処理物１００の表面に向けて液体が噴射される。供給ノズル４７ｃから噴出される液体の量は、供給ノズル３３ｃから噴出されるリンス液の量に比べて僅かなものとされる。

続いて、搬送ローラ４２により気流制御部４６の内部の空間４１ｃから、チャンバ４１の内部のノズル４４ｂが設けられた空間４１ｄに処理物１００が搬送される。この際、ノズル４４ｂから処理物１００の表面にガスを吹き付けることで、処理物１００の表面にあるリンス液を搬送方向１０１における上流側に押し流すとともに、処理物１００の表面を乾燥させる。

また、開口部４６ａを有する気流制御部４６の作用により、流速が速く、処理物１００の搬送方向１０１に沿って流れる気流１４５を形成する。そして、流速が速く、処理物１００の搬送方向１０１に沿って流れる気流１４５を形成することで、処理物１００の上面側から上昇した後に、搬送方向１０１における下流側に向かい、その後に処理物１００の上面側に向けて下降する気流１４３ｄの形成を阻害し、ひいてはウォーターマークの形成を抑制する。

以上に説明したように、本実施の形態に係る処理方法は、リンス液を用いて、処理物１００の表面にある処理液を洗い流す工程と、処理物１００の表面を乾燥させる工程と、を有している。そして、処理物１００の表面を乾燥させる工程において、処理物１００の表面にガスを吹き付けて処理物１００の表面を乾燥させる際に、処理物１００の上流側の端部から流出したガスが、処理物１００の搬送方向に沿って流れる気流１４５を形成するようにしている。

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

１ 処理装置、１０ 受入部、１１ チャンバ、２０ 処理部、２１ チャンバ、３０ リンス部、３１ チャンバ、３４ 排気部、４０ 乾燥部、４１ チャンバ、４４ ガス供給部、４５ 排気部、４６ 気流制御部、４６ａ 開口部、５０ 制御部

Claims (5)

1. リンス液を用いて、処理物の表面にある処理液を洗い流すリンス部と、前記処理物の表面を乾燥させる乾燥部と、を備えた処理装置であって、
   前記乾燥部は、
   チャンバと、
   前記チャンバの内部に設けられ、前記処理物の表面に向けてガスを噴出するノズルと、
   前記リンス部と、前記ノズルが設けられた前記チャンバの内部の空間と、の間に設けられた気流制御部と、
   を有し、
   前記気流制御部は、前記処理物の搬入側に設けられた第１の開口部と、前記処理物の搬出側に設けられた第２の開口部と、を有し、
   前記第２の開口部の開口面積は、前記第１の開口部の開口面積よりも小さい処理装置。
2. 前記気流制御部は、前記チャンバの内部に突出して設けられている請求項１記載の処理装置。
3. 前記チャンバの底面から前記第２の開口部の中心位置までの寸法は、前記チャンバの底面から前記処理物を搬送する搬送ローラの上面までの寸法と等しい請求項１または２に記載の処理装置。
4. 前記チャンバの底面から前記第２の開口部の中心位置までの寸法は、前記チャンバの底面から前記処理物の厚み方向における中心位置までの寸法と等しい請求項１または２に記載の処理装置。
5. リンス液を用いて、処理物の表面にある処理液を洗い流す工程と、前記処理物の表面を乾燥させる工程と、を備えた処理方法であって、
   前記処理物の表面を乾燥させる工程において、前記処理物の表面にガスを吹き付けて前記処理物の表面を乾燥させる際に、前記処理物の端部から流出した前記ガスが、前記処理物の搬送方向に沿って流れる気流を形成する処理方法。

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