JP2014175464A - 酸化物半導体薄膜トランジスタ用基板およびその基板を用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属基部11と多孔質層12とを有する基材10を酸化物半導体薄膜トランジスタ用の基板として使用する場合に、この多孔質層上にシリコン化合物を主成分とし、かつ、水素を含む絶縁性を有する保護絶縁層20であって、水素濃度が3.5×1021atoms/cm3以上3.5×1022atoms/cm3以下であって、かつ、厚みが100nm以上2000nm以下の保護絶縁層20を形成する。この保護絶縁層20上に,活性層に酸化物半導体を含む薄膜トランジスタを設ける。
【選択図】図1
Description
基材10は、金属基部11と、該金属基部の少なくとも一表面上に形成された多孔質層12から構成される。金属基部11と多孔質層12からなる基材10は、可撓性とガスバリア性、プロセス耐性を有するので、酸化物半導体薄膜トランジスタ用の可撓性基板として、好適である。
金属基部11は少なくとも一部が金属からなり、ガスバリア性を有する。また、薄板状にした金属基部を選択した場合には、ガスバリア性を維持しつつ可撓性を持たせることができ好ましい。
図1に示されるように、金属基部11の上には多孔質層12が設けられる。
陽極酸化処理による多孔質層の形成方法は特に限定されるものではなく、金属表面に陽極酸化多孔質層が形成できればどんな方法で行っても本発明の範疇である。以下に、陽極酸化によって形成された多孔質層について説明する。
図1に示されるように、多孔質層12の少なくとも一部の表面上には保護絶縁層20が設けられる。保護絶縁膜20は、多孔質層12の表面に吸着されたガスが、製造プロセス中に製造装置内に放出されたり、製造後の拡散によって酸化物半導体層に悪影響を及ぼしたりすることを防止する役割を有する。また、保護絶縁層20は製造プロセスで使用する酸やアルカリ等の薬品や、ドライエッチングおよびスパッタ成膜時のプラズマなどにより基材10がダメージを受けるのを防止する役割も有する。
半導体装置とは、基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体からなる活性層、ソース・ドレイン電極、からなる酸化物半導体薄膜トランジスタを備えた装置のことを指す。
活性層50は、酸化物半導体からなる。酸化物半導体は成膜温度が比較的低く、高温の結晶化工程が無くとも高い移動度を有するため、精力的に研究開発が進められている。活性層50の素材としては、In、Ga及びZnから選ばれる少なくとも1つの元素を含む酸化物半導体を用いる。中でも、In、Ga及びZnを含む酸化物半導体(InGaZnO)を用いると、高い移動度が得られるため好ましい。
図1において、エッチングストッパ層60は、活性層50、特にチャネル領域Cが、ソース・ドレイン電極70のパターン時にエッチングされないように保護するエッチングストッパとして機能するものである。また、エッチングストッパ層は、外界から活性層に不純物が混入することを防ぐ役割も果たす。このエッチングストッパ層60は、少なくとも活性層50のチャネル領域Cを覆うように設けられることが好ましい。また、エッチングストッパ層はシリコンあるいはガリウムの酸化物により構成されることが好ましい。例えば、酸化シリコン、酸化ガリウム、窒化シリコン、酸窒化シリコンや酸化チタンが好ましく用いられる。
ゲート電極30は、例えば、Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Au、またはAg等の金属もしくはそれらの合金、Al−Nd、APC等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(InZnO)等の金属酸化物導電物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロ−ル等の有機導電性化合物、またはこれらの混合物を用いて形成される。ゲート電極30としては、Mo、Mo合金(Mo−5at%Nbなど)またはCrを用いることが好ましい。このゲート電極30の厚さは、例えば、10nm〜1000nmである。また、より好ましくは、20nm〜500nmであり、さらに好ましくは40nm〜100nmである。
ゲート絶縁膜40にはSiO2、SiNx、SiON、Al2O3、YsO3、Ta2O5、もしくはHfO2等の絶縁体、またはそれらの化合物を少なくとも二つ以上含む混晶化合物が用いられる。ゲート絶縁膜としては、絶縁性の観点からSiO2が最も好ましく用いられる。酸化物半導体薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜にSiO2を用いることにより、高移動度かつ低オフ電流を両立した、優れた半導体装置が実現できるので、好ましい。
ソース電極・ドレイン電極70は、例えば、Al、Mo、Cr、Ta、Ti、Au、またはAg等の金属もしくはこれらの合金、Al−Nd、APC等の合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(InZnO)等の金属酸化物導電物質を用いて形成される。なお、ITOについては、アモルファスITOでも、結晶化ITOでもよい。
図1には、図示されていないが、酸化物半導体薄膜トランジスタ2上には必要に応じて保護膜が形成される。保護膜は酸化シリコン、窒化シリコン等の無機膜でもよいし、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの有機膜でもよく、無機膜/有機膜の積層構造でもよい。
本発明の実施例、比較例で使用する基材について説明する。
〜基材Aの製造〜
図1に示される構成の、基材10の製造方法を説明する。
市販の高純度アルミニウム(純度99.99%)を用い、圧延して、厚さが40μmのアルミニウム薄板を用意した。次に、この薄板の端面をマスキングフイルムで被覆した後、エタノールで超音波洗浄して、酢酸+過塩素酸溶液で電解研磨した。その後、80g/Lのシュウ酸水溶液中で40Vの定電圧電解を実施することにより、多孔質層(アルミニウムの陽極酸化膜)をアルミニウム薄板の両面に形成して基材Aを得た。得られた基材Aの断面TEMを測定したところ、図1の基材10の構成となっていた。断面TEM画像から各層の厚さを任意で5箇所測定して平均厚さを確認したところ、金属基部11の厚さは約20μm、多孔質層12の厚さは両面ともに約10μmであった。
断面TEM画像からで多孔質層12の平均細孔サイズを確認したところ、約10nmであった。
図2に示される構成の、基材10の製造方法を説明する。
断面TEM画像から多孔質層12の平均細孔サイズを確認したところ、約10nmであった。
市販の0.7mm厚みの無アルカリガラス基板を準備し、エタノールで超音波洗浄した。本発明の効果を説明するための参考基板として使用するため、多孔質層や保護絶縁層を設けることなく、また後述の支持体との貼りあわせも行わずに使用した。
〜基材の脱ガス処理と保護絶縁層の形成〜
基材Aを、保護絶縁層成膜装置の前処理室に投入し、前処理室を10Pa以下に真空引きした後、基材Aを450℃に加熱して30分間の脱ガス処理を実施した。
0.7mm厚みの無アルカリガラスからなる支持体を別途準備し、熱発泡性接着剤(日東電工社製、リバアルファ31950E)によって、基板Aと無アルカリガラス基板を接着(図示せず)することで基板とした。このように、剛性の高い支持体に貼り合せることで可撓性基板を取り扱いやすくなり、反りや伸縮の影響を少なくできる。
以下に、図1に記載の酸化物半導体薄膜トランジスタ2の製造方法を説明する。
本実施例で、作製した酸化物半導体薄膜トランジスタのチャネル長は30μm、チャネル幅は90μmである。
基材10上に設けた保護絶縁層20の水素濃度は次のように測定した。
得られた酸化物半導体薄膜トランジスタに対して、ドレイン・ゲート電極間の電圧を10Vで固定し、ゲート・ソース電極間の電圧を−10V〜15Vまで操引し、ドレイン・ゲート電極間に流れる電流を測定した(図5)。測定は、半導体パラメータ・アナライザー4156C(アジレントテクノロジー社製)を用いて、室温・暗室下で行った。この測定結果に基づいて、酸化物半導体薄膜トランジスタの移動度を算出した。本測定領域では、酸化物半導体薄膜トランジスタは飽和領域であるので、移動度の計算方法は以下の式を用いて行った。
(L:酸化物半導体薄膜トランジスタのチャネル長、W:酸化物半導体薄膜トランジスタのチャネル幅、Cox:ゲート絶縁膜の単位面積当たりの静電容量、Id:ドレイン・ゲート間電流、Vg:ゲート・ソース間電圧)
得られた移動度の値によって以下のとおり評価を付与した。
A:移動度が7cm2/Vs以上であり、特に優れたレベル
B:移動度が5cm2/Vs以上7cm2/Vs未満であり、優れたレベル
C:移動度が5cm2/Vs未満であり、問題があるレベル
D:TFTが動作せず、かなり問題があるレベル
図5に示すように、ゲート・ソース間電圧を上昇させていった際に、電流値が急激に立ち上がる位置を酸化物半導体薄膜トランジスタの閾値電圧(Von)と定義し、以下の基準を元に評価した。なお、評価Aの範囲に閾値電圧が入ることで、薄膜トランジスタの駆動電圧を低くでき、かつオフ時(例えばゲート電圧が0V)の電流を小さくできる。
A:閾値電圧が−5V以上1V未満で、優れたレベル
C:閾値電圧が−5V未満で、問題があるレベル
D:TFTが動作せず、かなり問題があるレベル
<可撓性の評価>
得られた酸化物半導体薄膜トランジスタを、曲率半径100mmとなるように連続して10回屈曲させた後に、酸化物半導体薄膜トランジスタの移動度の測定を行った。得られた移動度を屈曲前の移動度と比較して、以下のとおり評価を付与した。
A:屈曲前後の移動度の変化量が20%未満で、優れたレベル
C:屈曲前後の移動度の変化量が20%以上で、問題があるレベル
D:屈曲後にTFTが動作せず、かなり問題があるレベル
(実施例2)
実施例1の基材Aを基材Bに替えた(基材Bを脱ガス処理し、保護絶縁層を設けた基板を基板Bと呼ぶ)こと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例1の保護絶縁層の成膜条件1−1を成膜条件1−2に替えたこと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例3の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例3と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例1の保護絶縁層の成膜条件1−1を成膜条件1−3に替えたこと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例5の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例5と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例1の基材Aをガラス基板に替えた多孔質層、保護絶縁層を設けなかったこと、また、支持体との貼り合せを行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例1の保護絶縁層の成膜条件1−1を、下記の表2の成膜条件1−Sに替えたこと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。なお、成膜条件1−Sの方法では、保護絶縁層形成後のアニール処理は行っていない。
実施例1の保護絶縁層の成膜条件1−1を、表1の成膜条件1−4に替えたこと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
比較例2の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、比較例2と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例1の保護絶縁層の成膜条件1−1を、表1の成膜条件1−5に替えたこと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
比較例4の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、比較例4と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
(実施例11)
実施例1の保護絶縁層の成膜条件1−1を、以下の表4の成膜条件2−1に替えたこと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例11の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例11と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例11の保護絶縁層の成膜条件2−1を、成膜条件2−2に替えたこと以外は、実施例11と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例13の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例13と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例11の保護絶縁層の成膜条件2−1を、成膜条件2−3に替えたこと以外は、実施例11と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例15の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例15と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例11の保護絶縁層の成膜条件2−1を、成膜条件2−4に替えたこと以外は、実施例11と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
比較例11の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、比較例11と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例11の保護絶縁層の成膜条件2−1を、成膜条件2−5に替えたこと以外は、実施例11と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
比較例13の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、比較例13と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例1の保護絶縁層膜厚を、400nmから100nmに替えたこと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例21の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例21と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例1の保護絶縁層膜厚を、400nmから2000nmに替えたこと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例23の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例23と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例3の保護絶縁層膜厚を、400nmから2000nmに替えたこと以外は、実施例3と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例25の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例25と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例1の保護絶縁層膜厚を、400nmから80nmに替えたこと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
比較例21の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、比較例21と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例1の保護絶縁層膜厚を、400nmから2500nmに替えたこと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
比較例23の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、比較例23と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例11の保護絶縁層膜厚を、400nmから100nmに替えたこと以外は、実施例11と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例31の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例31と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例11の保護絶縁層膜厚を、400nmから2000nmに替えたこと以外は、実施例11と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例33の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例33と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例15の保護絶縁層膜厚を、400nmから100nmに替えたこと以外は、実施例15と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例35の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例35と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例13の保護絶縁層膜厚を、400nmから2000nmに替えたこと以外は、実施例13と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例37の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例37と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例11の保護絶縁層膜厚を、400nmから80nmに替えたこと以外は、実施例11と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
比較例31の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、比較例31と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例11の保護絶縁層膜厚を、400nmから2500nmに替えたこと以外は、実施例11と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
比較例33の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、比較例33と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例1の活性層を、InGaZnOからInZnOに変えたこと以外は、実施例1と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。なお、InZnOの成膜にはIn2O3:ZnO(ZnO−10質量%)の組成を有する焼結体(出光興産(株)製)のターゲットを用い、成膜された活性層の組成比はIn:Zn=1.00:0.15であった。
実施例41の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例41と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例11の活性層を、InGaZnOからInZnOに替えたこと以外は、実施例11と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
実施例43の基材Aを基材Bに替えたこと以外は、実施例43と同様にして半導体装置を製造し、評価を行った。
2:酸化物半導体薄膜トランジスタ
3:半導体装置
10:基材
11:金属基部
11a:補助基部
11b:主要基部
12:多孔質層
20:保護絶縁層
30:ゲート電極
40:ゲート絶縁膜
50:活性層
60:エッチングストッパ層
70:ソース・ドレイン電極
Claims (11)
- 金属基部の少なくとも一表面上に形成された多孔質層を備えた基材と、
前記多孔質層上に形成された、シリコン化合物を主成分とし、かつ、水素を含む保護絶縁層とを備えてなり、
該保護絶縁層中の水素濃度が3.5×1021atoms/cm3以上3.5×1022atoms/cm3以下であって、かつ、前記保護絶縁層の厚みが100nm以上2000nm以下である可撓性酸化物半導体薄膜トランジスタ用基板。 - 前記シリコン化合物が、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンから選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の可撓性酸化物半導体薄膜トランジスタ用基板。
- 前記多孔質層がアルミニウムもしくはアルミニウム合金の陽極酸化膜である請求項1または2に記載の可撓性酸化物半導体薄膜トランジスタ用基板。
- 前記金属基部の両面に前記多孔質層を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の可撓性酸化物半導体薄膜トランジスタ用基板。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の可撓性酸化物半導体薄膜トランジスタ用基板と、
該基板の前記保護絶縁層上に形成された
少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、In,Ga及びZnから選ばれる少なくとも1つの元素を含む酸化物半導体からなる活性層、およびソース・ドレイン電極を有する酸化物半導体薄膜トランジスタとを備えた、
可撓性半導体装置。 - 前記保護絶縁層は、少なくとも前記活性層が形成される領域の全域に設けられる請求項5に記載の可撓性半導体装置。
- 前記活性層がIn,Ga及びZnを含む酸化物半導体である請求項5または6に記載の可撓性半導体装置。
- 前記酸化物半導体はアモルファス酸化物半導体である請求項5〜7のいずれか1項に記載の可撓性半導体装置。
- 前記ゲート絶縁膜が酸化シリコンを主成分として含む請求項5〜8のいずれか1項に記載の可撓性半導体装置。
- 金属基部上の少なくとも一表面に多孔質層を有する基材を準備し、
前記多孔質層上の少なくとも一部に、シリコン化合物を主成分とする、水素濃度が3.5×1021atoms/cm3以上3.5×1022atoms/cm3以下であって、かつ、厚みが100nm以上2000nm以下である絶縁性の保護絶縁層をプラズマCVDによって成膜し、
該保護絶縁層の上に少なくともIn,Ga及びZnから選ばれる少なくとも1つの元素を含む酸化物半導体からなる活性層を設ける、請求項6〜10のいずれか1項に記載の可撓性半導体装置の製造方法。 - 前記保護絶縁層を成膜する前に、前記基材を大気より減圧下、かつ、350℃以上で加熱する、請求項11に記載の可撓性半導体装置の製造方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011063851A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | ガスバリア膜およびガスバリアフィルム |
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JP2011249674A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2012094757A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2013044000A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Fujifilm Corp | 絶縁層付金属基板およびその製造方法、半導体装置およびその製造方法、太陽電池およびその製造方法、電子回路およびその製造方法、ならびに発光素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
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---|---|---|---|---|
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2014
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Patent Citations (5)
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