JP2014175360A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014175360A5 JP2014175360A5 JP2013044499A JP2013044499A JP2014175360A5 JP 2014175360 A5 JP2014175360 A5 JP 2014175360A5 JP 2013044499 A JP2013044499 A JP 2013044499A JP 2013044499 A JP2013044499 A JP 2013044499A JP 2014175360 A5 JP2014175360 A5 JP 2014175360A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- oxide
- manufacturing
- insulating film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 6
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
Claims (6)
- 酸化物を有する基板を準備し、
前記基板に電磁波を照射し、
前記基板上に酸化物半導体を用いたトランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板を準備し、
前記基板上に酸化物絶縁膜を形成し、
前記基板および前記酸化物絶縁膜に電磁波を照射し、
前記基板上に酸化物半導体を用いたトランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 酸化物を有する基板を準備し、
前記基板上に酸化物絶縁膜を形成し、
前記基板および前記酸化物絶縁膜に電磁波を照射し、
前記基板上に酸化物半導体を用いたトランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項２又は請求項３において、
前記酸化物絶縁膜として、酸化シリコンを含む絶縁膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記電磁波として、Ｘ線を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記基板として、酸化シリコンを含む基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013044499A JP6087668B2 (ja) | 2013-03-06 | 2013-03-06 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013044499A JP6087668B2 (ja) | 2013-03-06 | 2013-03-06 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014175360A JP2014175360A (ja) | 2014-09-22 |
| JP2014175360A5 true JP2014175360A5 (ja) | 2016-02-18 |
| JP6087668B2 JP6087668B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=51696331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013044499A Expired - Fee Related JP6087668B2 (ja) | 2013-03-06 | 2013-03-06 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6087668B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102053603B1 (ko) | 2015-06-01 | 2019-12-09 | 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 | 내화성 물품 및 이의 형성 방법 |
| WO2020245925A1 (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに表示装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI547468B (zh) * | 2010-07-26 | 2016-09-01 | Nissan Chemical Ind Ltd | An amorphous metal oxide semiconductor layer forming precursor composition, an amorphous metal oxide semiconductor layer, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device |
| JP5836680B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2015-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP5671911B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2015-02-18 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置並びに薄膜トランジスタアレイの製造方法 |
| TWI565067B (zh) * | 2011-07-08 | 2017-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
-
2013
- 2013-03-06 JP JP2013044499A patent/JP6087668B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2016149552A5 (ja) | 半導体装置及び電子機器 | |
| JP2014082512A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2016195262A5 (ja) | ||
| JP2015188079A5 (ja) | ||
| JP2013070070A5 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
| JP2015144265A5 (ja) | ||
| JP2012209546A5 (ja) | ||
| JP2015233159A5 (ja) | ||
| JP2015118373A5 (ja) | 表示装置及び電子機器 | |
| JP2013153160A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013149982A5 (ja) | ||
| JP2012118545A5 (ja) | ||
| JP2012227530A5 (ja) | ||
| JP2014197211A5 (ja) | ||
| JP2013243355A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014057054A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015213164A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013179097A5 (ja) | 表示装置 | |
| JP2014057055A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014232867A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013236066A5 (ja) | ||
| JP2015079947A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014225656A5 (ja) | ||
| JP2016111352A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013235598A5 (ja) |