JP2014173134A - 薄膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空環境を形成するチャンバと、このチャンバ内に基板を保持する基板保持部と、プラズマを発生させる電極ユニットとが互いに対向して配置され、前記基板保持部と前記電極ユニットとの間に設けられた原料ガス供給部から供給される原料ガスをプラズマ環境に曝して基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記原料ガス供給部は、原料ガスを噴出する噴出口を有しており、さらに、この噴出口位置よりも噴出側に突出する製膜付着カバーを少なくとも電極ユニット側に有している構成とする。
【選択図】図1
Description
2 チャンバ
3 電極ユニット
4 基板保持部
5 原料ガス供給部
5a 多孔ノズル
7 製膜付着カバー
52 噴出部
52a 配管本体
61 噴出口
71 開口部
Claims (4)
- 真空環境を形成するチャンバと、このチャンバ内に基板を保持する基板保持部と、プラズマを発生させる電極ユニットとが互いに対向して配置され、前記基板保持部と前記電極ユニットとの間に設けられた原料ガス供給部から供給される原料ガスをプラズマ環境に曝して基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記原料ガス供給部は、原料ガスを噴出する噴出口を有しており、さらに、この噴出口位置よりも噴出側に突出する製膜付着カバーを少なくとも電極ユニット側に有していることを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記原料ガス供給部には、複数の噴出口が一方向に並んで形成されており、前記製膜付着カバーは、前記噴出口の配列方向に延びるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置。
- 前記製膜付着カバーは、前記噴出口を覆う形状を有しており、この製膜付着カバーには、前記噴出口と対向する位置に前記チャンバ内に連通して開口する開口部を有しており、前記開口部の開口面積は、前記噴出口の開口面積よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜形成装置。
- 前記開口部は、それぞれの前記噴出口に対応して複数形成されており、それぞれの開口部の開口面積は、対応する噴出口の開口面積よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の薄膜形成装置。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03243773A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-10-30 | Raimuzu:Kk | 金属窒化物被膜の形成方法 |
JPH09301798A (ja) * | 1996-05-16 | 1997-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法 |
WO1999045585A1 (fr) * | 1998-03-05 | 1999-09-10 | Tokyo Electron Limited | Appareil et procede de traitement au plasma |
JP2006324400A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Shimadzu Corp | シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置 |
JP2007063575A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Toppan Printing Co Ltd | プロセスガス供給機構並びにプラズマcvd成膜装置 |
JP2007317745A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Shimadzu Corp | ガス導入装置 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03243773A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-10-30 | Raimuzu:Kk | 金属窒化物被膜の形成方法 |
JPH09301798A (ja) * | 1996-05-16 | 1997-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法 |
WO1999045585A1 (fr) * | 1998-03-05 | 1999-09-10 | Tokyo Electron Limited | Appareil et procede de traitement au plasma |
EP1063690A1 (en) * | 1998-03-05 | 2000-12-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP2006324400A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Shimadzu Corp | シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置 |
JP2007063575A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Toppan Printing Co Ltd | プロセスガス供給機構並びにプラズマcvd成膜装置 |
JP2007317745A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Shimadzu Corp | ガス導入装置 |
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