JP2014165465A - 熱電変換材料及びその製造方法、並びに熱電変換モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】微細孔を有する多孔質基板上に、熱電半導体材料からなる熱電半導体層を有する熱電変換材料であって、該多孔質基板がプラスチックフィルム(A)上にポリマー層(B)を有するものであり、該微細孔が該ポリマー層(B)とプラスチックフィルム(A)の一部により形成されている熱電変換材料、及び、工程1、工程2及び工程3を有する多孔質基板を作製する基板作製工程と、前記多孔質基板上に熱電半導体材料を成膜して熱電半導体層を形成する成膜工程、とを含むことを特徴とする熱電変換材料の製造方法。
【選択図】図1
Description
このような中で、特許文献1には、半導体材料内部に電子とフォノンの平均自由行程と同程度、あるいはそれ以下の間隔で分散した非常に微細な空孔を、多数導入して多孔質化し、熱伝導率の減少やゼーベック係数を増加させた熱電変換材料が提案されている。
また、特許文献2には、ポリスチレン等の汎用ポリマーと塩化メチレン等の疎水性有機溶媒とを含む塗布液から形成した塗布膜に、ナノあるいはミクロスケールの塗布膜の温度より露点を高く調整した水蒸気含有気体を吹きかけ凝結させ、前記疎水性有機溶媒に凝結した水分の蒸発を段階的に繰り返すことにより、微細なシリンダー構造体を形成させる検討がなされている。
すなわち、本発明は、以下の(1)〜(10)を提供するものである。
(1)微細孔を有する多孔質基板上に、熱電半導体材料からなる熱電半導体層を有する熱電変換材料であって、該多孔質基板がプラスチックフィルム(A)上にポリマー層(B)を有するものであり、該微細孔が該ポリマー層(B)とプラスチックフィルム(A)の一部により形成されていることを特徴とする熱電変換材料。
(2)前記微細孔の平均直径(D1)と深さ(H1)の比(H1/D1)が、0.5〜20である上記(1)に記載の熱電変換材料。
(3)前記熱電半導体層の膜厚が、50nm〜20μmである上記(1)に記載の熱電変換材料。
(4)前記ポリマー層(B)が、ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン含有ポリメタクリレートから構成されるポリマーから形成されたものである、上記(1)に記載の熱電変換材料。
(5)前記ポリマー層(B)の厚さが、1〜100nmである上記(4)に記載の熱電変換材料。
(6)前記プラスチックフィルム(A)が、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート又はポリカーボネートからなる上記(1)に記載の熱電変換材料。
(7)前記プラスチックフィルム(A)の厚さが、1〜100μmである上記(6)に記載の熱電変換材料。
(8)前記熱電半導体材料が、ビスマス−テルル系熱電半導体材料、シリサイド系熱電半導体材料の少なくとも1種である上記(1)に記載の熱電変換材料。
(9)上記(1)〜(8)のいずれか1項に記載の熱電変換材料を使用した熱電変換モジュール。
(10)多孔質基板に、熱電半導体層が形成された熱電変換材料の製造方法であって、
プラスチックフィルム(A)上に、ブロックコポリマーからなるブロックコポリマー層を形成する工程(工程1)、該ブロックポリマー層をミクロ相分離させる工程(工程2)、該ミクロ相分離したブロックポリマー層の一方のポリマー相をエッチングにより選択的にすべて除去し、残存したポリマー相をマスクとして、前記プラスチックフィルム(A)の一部をエッチングにより除去し、ポリマー層(B)とプラスチックフィルム(A)の一部により形成されている微細孔を形成する工程(工程3)、を有する多孔質基板を作製する基板作製工程と、前記多孔質基板上に熱電半導体材料を成膜して熱電半導体層を形成する成膜工程、とを含むことを特徴とする熱電変換材料の製造方法。
本発明の熱電変換材料は、微細孔を有する多孔質基板上に、熱電半導体材料からなる熱電半導体層を有する熱電変換材料であって、該多孔質基板がプラスチックフィルム(A)上にポリマー層(B)を有するものであり、微細孔が該ポリマー層(B)とプラスチックフィルム(A)の一部により形成されていることを特徴とする。
本発明で用いる微細孔を有する多孔質基板5は、プラスチックフィルム(A)2上にポリマー層(B)3を有するものであり、微細孔6が、該ポリマー層(B)3と該プラスチックフィルム(A)2の一部により形成されている。前記多孔質基板5は、前記ポリマー層(B)3と前記プラスチックフィルム(A)2の一部により形成された、アスペクト比の高い微細孔6を有しているため、熱伝導率が十分に低いものとなっている。
プラスチックフィルム(A)の膜厚は、好ましくは0.5〜100μm、より好ましくは1〜50μmである。この範囲であれば、多孔質基板の機械的強度が確保でき、かつ高アスペクト比の微細孔6が得られるため、好ましい。
微細孔6の深さ(H1)は、好ましくは50nm〜40μm、より好ましくは100nm〜20μmである。深さ(H1)が50nm以上であると、熱伝導率の十分な低減が期待されるため好ましい。40μm以下であると、蒸着する熱電変換材料のゼーベック係数の厚み依存の観点から、ゼーベック係数が十分発現するので、好ましい。なお、本発明において、微細孔6の深さ(H1)は、図1に示すように、多孔質基板5の頂部(すなわちポリマー層(B)の頂部)から微細孔6の内底部7までの値である。
また、微細孔6のアスペクト比である平均直径(D1)と深さ(H1)の比(H1/D1)が、0.5〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、2〜10であることがさらに好ましい。この範囲のアスペクト比であると、熱伝導率が十分に低減されるため好ましい。
さらに、微細孔6は、適度の間隔を保ち分布し、隣接する微細孔とは物理的に繋がっていないことが好ましい。微細孔6の配列する平均間隔(隣接する孔と孔との中心間距離)は、好ましくは、15〜1500nmであり、より好ましくは15〜300nmであり、特に好ましくは30〜150nmである。平均間隔が15nm以上であると、電子の平均自由行程より長くなり、電子の散乱因子となりにくくなるため、電気伝導率が維持され好ましい。1500nm以下であると、フォノンの平均自由行程より短くなり、フォノンの散乱因子となりやすくなるため、熱伝導率が低減でき好ましい。微細孔6の個数は、平均間隔を30〜150nmとした場合、1mm2当たり0.44×108〜11.1×108個程度となる。
また、微細孔6の底面の形状は、特に限定されず、平坦でも、曲面でもよく、凹凸があってもよい。
本発明の熱電変換材料に用いる熱電半導体層8は、熱電半導体材料を成膜してなる層であり、図1からわかるように、多孔質基板5上に形成される。本発明において、熱電半導体材料は、温度差の付与による熱エネルギーを電気エネルギーへ変換できる材料であれば特に制限されない。例えば、p型ビスマステルライド、n型ビスマステルライド、Bi2Te3等のビスマス−テルル系熱電半導体材料、GeTe、PbTe等のテルライド系熱電半導体材料、アンチモン−テルル系熱電半導体材料、ZnSb、Zn3Sb2、Zn4Sb3等の亜鉛−アンチモン系熱電半導体材料、SiGe等のシリコン−ゲルマニウム系熱電半導体材料、Bi2Se3等のビスマスセレナイド系熱電半導体材料、β―FeSi2、CrSi2、MnSi1.73、Mg2Si等のシリサイド系熱電半導体材料、酸化物系熱電半導体材料、FeVAl、FeVAlSi、FeVTiAl等のホイスラー材料などが用いられる。これらの中でも、p型ビスマステルライド、n型ビスマステルライド、Bi2Te3等のビスマス−テルル系熱電半導体材料、β―FeSi2、CrSi2、MnSi1.73、Mg2Si等のシリサイド系熱電半導体材料が好ましい。
前記p型ビスマステルライドは、キャリアが正孔であり、ゼーベック係数が正値であるものであり、BiXTe3Sb2-X(0<X≦0.6)で示される構成であることが好ましく、前記n型ビスマステルライドは、キャリアが電子であり、ゼーベック係数が負値であるものであり、Bi2Te3-YSeY(0<Y≦3)で示される構成であることが好ましい。
また、上記p型ビスマステルライドおよび上記n型ビスマステルライドは、単独で用いることもできるが、一対にし、使用することが好ましい。例えば、複数対を、電極を介して接続し、発電用及び冷却用の熱電変換材料として使用することができる。
熱電半導体層8は、多孔質基板5に熱電半導体材料を成膜することにより形成される。熱電半導体層8は、多孔質基板5の頂部(すなわちポリマー層(B)3の頂部)のみに形成されていてもよく、ポリマー層(B)3上及び微細孔6の内底部7の両方に形成されていてもよい。後者の場合は、ポリマー層(B)3上の熱電半導体層8と、微細孔6の内底部7に存在する熱電半導体層8とは絶縁性が維持されている。
前記熱電半導体層8の膜厚は、好ましくは、50nm〜20μmであり、より好ましくは100nm〜15μm、さらに好ましくは300nn〜10μmである。
また、熱電半導体層8が微細孔6の内底部7に形成されている場合は、内底部7における、熱電半導体層の膜厚は、好ましくは、25nm〜1.5μmであり、より好ましくは、50nm〜1.0μmである。内底部7における熱電半導体層8の膜厚が上記範囲内であれば、多孔質基板5の頂部に形成される熱電半導体層8との絶縁性が維持されるため好ましい。
本発明の熱電変換モジュールは、本発明の熱電変換材料からなるp型熱電素子とn型熱電素子を使用し、例えば、該p型熱電素子と該n型熱電素子とが直列接続となるように電極を配置し形成したものである。熱電変換モジュールは、発電のためのデバイスとして使用する際には、熱電変換モジュールの片面を高温側に設置し、もう一方の面を低温側に設置して用いる。また、冷却又は加熱のためのデバイスとして使用する際には、熱電変換モジュールの両端子間に電圧を印加することにより、片面を高温側、もう一方の面を低温側として用いる。
図7に本発明の熱電変換材料を用いた熱電変換モジュールの平面図の一例を示す。熱電変換モジュール41は、例えば、p型ビスマステルライドからなる熱電半導体層42、n型ビスマステルライドからなる熱電半導体層43を一対にし、銅等の接合電極44を介して電気的に直列に複数対接続されてなり、接合部と分岐部間に温度差を付与することにより、熱起電力取り出し用電極45から熱起電力を取り出し、電源として使用することができる。
本発明の熱電変換材料の製造方法は、多孔質基板に、熱電半導体層が形成された熱電変換材料の製造方法であって、プラスチックフィルム(A)上に、ブロックコポリマーからなるブロックコポリマー層を形成する工程(工程1)、該ブロックポリマー層をミクロ相分離させる工程(工程2)、該ミクロ相分離したブロックポリマー層の一方のポリマー相をエッチングにより選択的にすべて除去し、残存したポリマー相をマスクとして、前記プラスチックフィルム(A)の一部をエッチングにより除去し、ポリマー層(B)とプラスチックフィルム(A)の一部により形成されている微細孔を形成する工程(工程3)、を有する多孔質基板を作製する基板作製工程と、多孔質基板上に熱電半導体材料を成膜して熱電半導体層を形成する成膜工程、とを含むことを特徴とする。
(1)−1 工程1
工程1は、図2(a)に示すように、プラスチックフィルム(A)2上に、前記ブロックコポリマーからなるブロックコポリマー層4を形成する工程である。
本発明の多孔質基板の製造方法によれば、ブロックコポリマー層のミクロ相分離構造として、プラスチックフィルム(A)表面に対し、垂直方向に配向したシリンダー構造を採用することで、プラスチックフィルム(A)の一部に効率的に微細孔を形成することが出来る。具体的には、相分離した相のエッチング速度の差により、一方のポリマー相が選択的にエッチングされ、残存したポリマー相をマスクとして、前記プラスチックフィルム(A)の一部をエッチングすることで、効率よく前記プラスチックフィルム(A)の一部に微細孔が形成される。
これらの中でも、ブロックコポリマーとしては、ポリメチルメタクリレート(PMMA)ユニットとポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン含有ポリメタクリレート(PMAPOSS)ユニットから構成されるブロックコポリマーであることが好ましい。
ブロックコポリマー層4の形成方法としては、例えば、スピンコート、ロールコート、ディップコート、ダイコート、グラビアコート等が挙げられ、特に制限されない。また、前記ブロックコポリマー溶液中のブロックコポリマーの濃度は、特に限定されないが、好ましくは0.1〜20質量%であり、さらに好ましくは0.5〜10質量%である。
工程2は、図2(b)に示すように、上記で得られたブロックコポリマー層4をミクロ相分離させる工程である。具体的には、工程2は、上記で得られたブロックコポリマー層4を溶媒蒸気の雰囲気下に晒し、一定時間保持(以下、溶媒アニーリングと記す)することで、ミクロ相分離したブロックコポリマー層4Aを得る工程である。
溶媒アニーリングに使用する溶媒としては、ブロックコポリマーのポリマーを構成する2種のポリマー成分のいずれかと親和性が高い溶媒であればよく、例えば、二硫化炭素、アセトン、トルエン等が挙げられる。なかでも、ドメイン間隔の短いミクロ相分離構造が得られるという点から、二硫化炭素であることがより好ましい。
工程3は、図2(c)に示すように、上記によりミクロ相分離したブロックコポリマー層4Aの一方のポリマー相をエッチングにより選択的にすべて除去し、図2(d)に示すように、さらに残存したポリマー相をマスクとして、プラスチックフィルム(A)2の一部をエッチングにより除去して、ポリマー層(B)3とプラスチックフィルム(A)2の一部により形成されている微細孔6を形成する工程である。
工程3により、エッチング処理により、耐エッチング性の低い、つまり、エッチング速度が大きいポリマー相が、選択的にエッチングされ除去され、耐エッチング性の高い、つまり、エッチング速度が小さいポリマー相がプラスチックフィルム(A)上に残存する。
次に、この残存したポリマー相をマスクとして、プラスチックフィルム(A)をエッチングすることで、プラスチックフィルム(A)が除去される。これにより、残存したポリマー相と、プラスチックフィルム(A)の一部により形成されている微細孔6が形成される。
例えば、ブロックコポリマー層4として、ポリメチルメタクリレート(PMMA)ユニットとポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン含有ポリメタクリレート(PMAPOSS)ユニットから構成されるブロックコポリマーを用いた場合、ミクロ相分離したポリマー層では、例えば酸素プラズマに対する耐エッチング性は、PMMA相に比べ、PMAPOSS相が高く、エッチング速度比が1オーダーほど異なる。このため、酸素プラズマ処理により、耐エッチング性の低い、つまり、エッチング速度が大きいPMMA相が、選択的にエッチングされ除去され、PMAPOSS相がプラスチックフィルム上に残存する。次に、PMMA相を除去した後、このPMAPOSS相をマスクとして、プラスチックフィルム(A)のエッチングを行う。これにより、プラスチックフィルム(A)が除去され、微細孔6が形成される。なお、PMAPOSS相は、、プラスチックフィルム(A)上に残存するため、微細孔6は、PMAPOSS相(ポリマー層)とプラスチックフィルム(A)の一部により形成されることになる。プラスチックフィルム(A)のエッチングは、微細孔の安定性、製造装置の併用、工程の削減の観点から、PMMA相を除去した後、連続して行うことが好ましい。
成膜工程は、前記基板作製工程の後に、得られた多孔質基板5に、熱電半導体材料を成膜して熱電半導体層を形成する工程である。ここで、成膜方法としては、特に限定されないが、アークプラズマ蒸着法又はフラッシュ蒸着法が用いられる。蒸着物質の組成比が精度よく保持され成膜でき、プラスチックフィルム(A)への熱ダメージも少ないという点からアークプラズマ蒸着法が特に好ましい。
アークプラズマ蒸着法とは、詳細は後述するが、パルスのアーク放電により、蒸着源となる原材料を、瞬時にプラズマにしてイオン化された蒸着粒子を基板上に付着させる成膜方法である。
前記アークプラズマ蒸着法を用いることにより、熱電半導体材料を瞬時にプラズマにして、多孔質基板にイオン化した蒸着粒子が付着し、しかも、原材料の飛散や、未蒸発物の残留等も少ないため、従来より用いられているフラッシュ蒸着法と比べ、成膜された膜の組成の精度が良く、原材料の組成からほとんど変化することがない均一な薄膜が形成され、ゼーベック係数や電気伝導率の低下を抑制することができる。
また、前記アークプラズマ蒸着法は、プラズマを発生させるためにアルゴンガス等を使用する必要もなく、さらに、基板の温度上昇も殆どないため、本発明のプラスチックフィルムへの成膜方法として好適である。さらに、アークプラズマ蒸着法においては、所定の範囲内では、蒸着時の材料の直進性が保たれるため、特に、本発明のような多孔質基板へ成膜する場合、他の蒸着方法に比べて微細孔内の壁面に材料が蒸着されにくく、熱電性能が低下しにくいため好ましい。
図3(a)、(b)において、21は多孔質基板、22は真空排気口、23はカソード電極(蒸着源;ターゲット)、24はトリガ電極、25は電源ユニット、26はアノード電極、27はトリガ電源、28はアーク電源、29はコンデンサー、30は絶縁碍子、31はアークプラズマである。
前記アークプラズマ蒸着装置内における同軸型真空アークプラズマ蒸着源は、図3(b)に示すように、円筒状のトリガ電極24と、先端部が熱電半導体材料の原材料で構成された蒸着源である円柱状のカソード電極23とが、円板状の絶縁碍子30を挟んで隣接して配置されてなり、前記カソード電極23とトリガ電極24との周りに同軸状に円筒状のアノード電極26が配置されている。
なお、前記カソード電極23は、上述した熱電半導体材料をホットプレス法等の公知の方法により、円柱状に成形したものを用いる。
実際の蒸着は、前記同軸型真空アークプラズマ蒸着源を備えている同軸型真空アークプラズマ蒸着装置を用い、前記トリガ電極24とアノード電極26との間にアーク放電をパルス的に発生させて、熱電半導体材料を瞬時にプラズマにして、前記カソード電極23とアノード電極26との間にアークプラズマ31を断続的に誘起させ、アークプラズマ31の真上に配置した多孔質基板5上に、イオン化した蒸着粒子を付着させることにより、成膜が行われる。なお、多孔質基板5は、加熱されていても加熱されていなくてもよい。
アークプラズマ31を発生させるアーク電圧は、通常50〜400V、好ましくは70〜100Vであり、放電用のコンデンサー29の容量は、通常360〜8800μF、好ましくは360〜1080μFである。また、アークプラズマ21の発生回数は、通常50〜50000回である。
さらに、多孔質基板5とアークプラズマ31からの距離を適宜調整することで、蒸着範囲を制御することができる。例えば、後述する実施例においては、カソード電極(蒸着源;ターゲット)と多孔質基板との距離は150mmとした。チャンバ内の真空度は、10-2Pa以下が好ましい。
(a)熱伝導率
熱伝導率の測定には3ω法を用いた。実施例及び比較例で作製した熱電変換材料の熱電半導体層側の表面の所定の位置に、金属細線(2mm×20μm幅)、交流電流印加用電極、3ω信号検出用電極を設けた。次に、交流電流印加用電極に、ファンクションジェネレーターを用いて、交流電流を印加することで、金属細線を周期的に加熱した。加熱された前記金属細線の温度を前記3ω信号検出用電極からの信号出力を測定し、加熱量と加熱された熱電変換材料の温度応答を調べ、熱電半導体層を蒸着していない多孔質基板のみの測定結果と比較し、熱電半導体層の熱抵抗を測定し、その結果と熱電半導体層の膜厚から熱伝導率を算出した。
(b)ゼーベック係数
ゼーベック係数は、JIS C 2527:1994に準拠して実施例及び比較例で作製した熱電変換材料の熱起電力を測定し、ゼーベック係数を算出した。実施例及び比較例で作製した熱電変換材料の一端を加熱して、熱電変換材料の両端に生じる温度差をクロメル−アルメル熱電対を使用し測定し、熱電対設置位置に隣接した電極から熱起電力を測定した。具体的には、温度差と起電力を測定する熱電変換材料の両端間距離を25mmとし、一端を20℃に保ち、他端を25℃から50℃まで1℃刻みで加熱し、その際の熱起電力を測定して、傾きからゼーベック係数を算出した。なお、熱電対及び電極の設置位置は、薄膜の中心線に対し、互いに対称の位置にあり、熱電対と電極の距離は1mmである。
(c)電気伝導率
実施例及び比較例で作製した熱電変換材料を、表面抵抗測定装置(三菱化学社製、商品名:ロレスタGP MCP−T600)により、四端子法で試料の表面抵抗値を測定し、電気伝導率を算出した。
(d)無次元熱電性能指数
得られたゼーベック係数、電気伝導率、熱伝導率の値から、熱電性能指数Z(Z=σ×S2/λ)を求め、T=300Kの時の無次元熱電性能指数Z×Tを算出した。
(1)多孔質基板の作製
多孔質基板を、以下のように、ブロックコポリマー層の形成、溶媒雰囲気下でのミクロ相分離工程、続く酸素プラズマ処理によるナノ構造形成工程により作製した。
ポリメチルメタクリレート(PMMA)ユニットとポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン含有ポリメタクリレート(PMAPOSS)ユニットから構成されるブロックコポリマー(PMMA−b−PMAPOSS、PMMAユニットの分子量が13000、PMAPOSSユニットの分子量が42000)をシクロペンタノン(東京化成工業株式会社製)に溶解し、溶液濃度0.5wt%のブロックポリマー溶液を調製した。調製したポリマー溶液を使用し、スピンコート法により、ポリイミド樹脂基板(厚さ2μm)上に塗布し、厚さが10nmのブロックコポリマー層を形成した。形成した該ブロックコポリマー層を、二硫化炭素の溶媒蒸気雰囲気下で20時間置き、ミクロ相分離処理を行った。ミクロ相分離後のブロックコポリマー層の構造評価をAFMで行った。図4は、本発明の実施例1で得られたブロックコポリマー層のミクロ相分離後のAFM写真(測定範囲1000nm×1000nm)である。
その後、該ブロックコポリマー層とポリイミド樹脂基板に、反応性イオンエッチング装置(Samco社製、UV-Ozone dry stripper)を用いて、酸素プラズマエッチングを、出力50W、真空圧5Pa、酸素流量10ccmの条件下で、15分間行うことで、多孔質基板を作製し、該基板の評価をSEM観察により行った。図5は、本発明の実施例1で得られた微細孔を有する多孔質基板のSEM写真(測定倍率15000倍)を示し、(a)は多孔質基板の表面の写真であり、(b)は多孔質基板の斜め上方からの写真である。
前記(1)で作製した多孔質基板を使用し、熱電変換材料であるp型ビスマステルライドを、アークプラズマ蒸着法で成膜し熱電半導体層を形成した。
まず、2種以上の元素を含有する熱電半導体材料であるp型ビスマステルライド(Bi0.4Te3.0Sb1.6、元素組成:Bi:Te:Sb=9:60:31)の原料粒子をステンレス製の金型に入れ、ホットプレス法により、焼結温度200℃で1時間保持し、後述する同軸型真空アークプラズマプラズマ蒸着源となる熱電半導体材料の円柱状のカソード電極(蒸着源;ターゲット)(φ10×17mm)を作製した。
次いで、図3(a)、(b)の同軸型真空アークプラズマ蒸着装置を用いて、チャンバ内の真空度が5.0×10-3Pa以下に到達した時点で、アーク電圧を80V、成膜レート5Å/回(1秒につき1回の放電)で3000回放電を行い、多孔質基板上にp型ビスマステルライドの薄膜(1.5μm)を形成した。なお、チャンバ内の多孔質基板は加熱せずに、常温で蒸着を行った。
その後、加温速度5K/minで昇温し、水素とアルゴンの混合ガス(水素:アルゴン=5:95)雰囲気下でアニール処理温度250℃で1時間保持することで、アニール処理し、熱電半導体層を結晶成長させた熱電変換材料を作製した。
図6は、本発明の実施例1で得られた、熱電変換材料の平面を示すSEM写真(測定倍率5000倍)である。p型ビスマステルライドが成膜された多孔質基板は、微細孔を有していることがわかる。
また、微細孔の深さ(H1)、平均直径(D1)を算出し、平均直径(D1)と深さ(H1)の比(H1/D1)を算出した。熱電性能評価結果とともに算出結果を表1に示す。
熱電半導体材料として、n型ビスマステルライド(Bi2.0Te2.7Se0.3、元素組成:Bi:Te:Se=40:54:6)に替え、成膜した薄膜を300℃でアニール処理を行った以外、実施例1と同様の条件で、熱電変換材料を作製した。作製した熱電性能評価結果を表1に示す。
熱電半導体材料として、p型Mn2Siに替えた以外、実施例1と同様の条件で、熱電変換材料を作製した。
熱電性能評価結果を表1に示す。
熱電半導体材料として、n型Mn2Siに替えた以外、実施例1と同様の条件で、熱電変換材料を作製した。
熱電性能評価結果を表1に示す。
ブロックコポリマー層のミクロ相分離処理及び酸素プラズマ処理を行わなかったこと以外は、実施例1、2と同様にして、熱電変換材料を作製した。熱電性能評価結果を表1に示す。
ブロックコポリマー層のミクロ相分離処理及び酸素プラズマ処理を行わなかったこと以外は、実施例3、4と同様にして、熱電変換材料を作製した。熱電性能評価結果を表1に示す。
実施例1において、酸素プラズマエッチングを、出力50W、真空圧5Pa、酸素流量10ccmの条件下で、3秒間行うことで、多孔質基板を作製したこと以外、実施例1と同様にして熱電変換材料を作製した。熱電性能評価結果を表1に示す。
(熱電変換モジュールの作製及び出力特性の評価)
図7に示すように、実施例1で作製した多孔質基板を使用し、アークプラズマ蒸着法で、熱電変換材料であるp型ビスマステルライドから成膜された熱電半導体層42(1mm×30mm、膜厚1.5μm)及びn型ビスマステルライドから成膜された熱電半導体層43(1mm×30mm、膜厚1.5μm)を、等ピッチ(0.4cm)で、交互にそれぞれ10本ずつ配置した。
また、熱電半導体層42、43の接合部、熱起電力取り出し部に、真空蒸着法を用いて500nmの厚さの銅を成膜することにより、接合電極44(3.5mm×5mm)及び熱起電力取り出し用電極45(3mm×12mm)を形成し、熱電変換モジュール41とした。
次に、室温で、熱電変換モジュールの片端を、ホットプレートで室温〜150℃まで段階的に加熱することにより、温度差を付与し、熱起電力V(V)、電気抵抗R(Ω)を測定した。出力P(W)は、測定した熱起電力Vと電気抵抗Rを用い、P=V2/Rにより算出した。
熱電変換材料であるp型ビスマステルライドを、p型Mn2Siに変更し、n型ビスマステルライドを、n型Mn2Siに変更した以外は、実施例5と同様に熱電半導体モジュールを作製した。
比較例1で作製した多孔質基板を使用した以外は、実施例5と同様に熱電変換材料であるp型ビスマステルライドから成膜された熱電半導体層及びn型ビスマステルライドから成膜された熱電半導体層を形成し、熱電半導体モジュールを作製した。
比較例3で作製した多孔質基板を使用した以外は、実施例6と同様に熱電変換材料であるp型Mn2Siから成膜された熱電半導体層及びn型Mn2Siから成膜された熱電半導体層を形成し、熱電半導体モジュールを作製した。
2:プラスチックフィルム(A)
3:ポリマー層(B)
4:ブロックコポリマー層
4A:ミクロ相分離したブロックコポリマー層
5:多孔質基板
6:微細孔
7:内底部
8:熱電半導体層
21:多孔質基板
22:真空排気口
23:カソード電極(蒸着源;ターゲット)
24:トリガ電極
25:電源ユニット
26:アノード電極
27:トリガ電源
28:アーク電源
29:コンデンサー
30:絶縁碍子
31:アークプラズマ
41:熱電変換モジュール
42:熱電半導体層(p型ビスマステルライド)
43:熱電半導体層(n型ビスマステルライド)
44:接合電極
45:熱起電力取り出し電極
Claims (10)
- 微細孔を有する多孔質基板上に、熱電半導体材料からなる熱電半導体層を有する熱電変換材料であって、該多孔質基板がプラスチックフィルム(A)上にポリマー層(B)を有するものであり、該微細孔が該ポリマー層(B)とプラスチックフィルム(A)の一部により形成されていることを特徴とする熱電変換材料。
- 前記微細孔の平均直径(D1)と深さ(H1)の比(H1/D1)が、0.5〜20である請求項1に記載の熱電変換材料。
- 前記熱電半導体層の膜厚が、50nm〜20μmである請求項1に記載の熱電変換材料。
- 前記ポリマー層(B)が、ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン含有ポリメタクリレートから構成されるポリマーから形成されたものである、請求項1に記載の熱電変換材料。
- 前記ポリマー層(B)の厚さが、1〜100nmである請求項4に記載の熱電変換材料。
- 前記プラスチックフィルム(A)が、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート又はポリカーボネートからなる請求項1に記載の熱電変換材料。
- 前記プラスチックフィルム(A)の厚さが、1〜100μmである請求項6に記載の熱電変換材料。
- 前記熱電半導体材料が、ビスマス−テルル系熱電半導体材料、シリサイド系熱電半導体材料の少なくとも1種である請求項1に記載の熱電変換材料。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の熱電変換材料を使用した熱電変換モジュール。
- 多孔質基板に、熱電半導体層が形成された熱電変換材料の製造方法であって、
プラスチックフィルム(A)上に、ブロックコポリマーからなるブロックコポリマー層を形成する工程(工程1)、
該ブロックポリマー層をミクロ相分離させる工程(工程2)、
該ミクロ相分離したブロックポリマー層の一方のポリマー相をエッチングにより選択的にすべて除去し、残存したポリマー相をマスクとして、前記プラスチックフィルム(A)の一部をエッチングにより除去し、ポリマー層(B)とプラスチックフィルム(A)の一部により形成されている微細孔を形成する工程(工程3)、
を有する多孔質基板を作製する基板作製工程と、
前記多孔質基板上に熱電半導体材料を成膜して熱電半導体層を形成する成膜工程、
とを含むことを特徴とする熱電変換材料の製造方法。
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