JP2014157781A - 点灯装置及びそれを用いた照明器具 - Google Patents

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武志 鴨井
Hiroshi Kido
大志 城戸
Akinori Hiramatsu
明則 平松
Junichi Hasegawa
純一 長谷川
Shigeru Ido
滋 井戸
Nobutoshi Matsuzaki
宣敏 松崎
Daisuke Yamahara
大輔 山原
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Abstract

【課題】固体発光素子が許容温度を超える前に固体発光素子の温度上昇を抑制することができる点灯装置及びそれを用いた照明器具を提供する。
【解決手段】LED70を有する光源7に電力を供給する電源回路4と、LED70の周囲温度を検知する温度検知回路5と、LED70の温度を制御するように構成される温度制御手段である制御回路6とを備え、制御回路6は、温度検知回路5で検知した検知温度の上昇率を求め、当該上昇率が予め設定してある基準値を超えると、電源回路4の出力を制御して光源7の光出力を低下させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光ダイオード等の固体発光素子の点灯装置及びそれを用いた照明器具に関する。
従来から、発光ダイオード(以下、「LED」と呼ぶ)の点灯時の過度な温度上昇を安定した状態に抑制することによりLEDの光出力及び寿命の安定化を図るものが提供されており、例えば特許文献1に開示されている。
特許文献1に記載のLED照明装置は、LED光源、温度検知素子及びLED光源を冷却する水冷ジャケットを有する灯体部と、水冷ジャケットでLED光源からの熱を受熱した冷媒液をラジエータで冷却する液冷式放熱機構部とで構成されている。そして、このLED照明装置では、灯体部において、温度検知素子の検知温度に基づく制御電流でLED光源を駆動することにより、LED光源の駆動時の過度な温度上昇を抑制している。
特開2010−272472号公報
しかしながら、上記従来例では、例えばLED光源に異常がある場合には、検知温度がLED(固体発光素子)の実際の温度から想定を超えてずれる可能性がある。この場合、固体発光素子の温度を適切に調整することができず、固体発光素子の許容温度を上回り、固体発光素子の発光効率の低下や寿命の低下等の不具合が生じる虞がある。
本発明は、上記の点に鑑みて為されたもので、固体発光素子が許容温度を超える前に固体発光素子の温度上昇を抑制することができる点灯装置及びそれを用いた照明器具を提供することを目的とする。
本発明の点灯装置は、固体発光素子を有する光源に電力を供給する電源回路と、前記固体発光素子の周囲温度を検知する温度検知回路と、前記固体発光素子の温度を制御するように構成される温度制御手段とを備え、前記温度制御手段は、前記温度検知回路で検知した検知温度の上昇率を求め、当該上昇率が予め設定してある基準値を超えると前記固体発光素子の温度を低下させるように構成されることを特徴とする。
この点灯装置において、前記温度検知回路は、前記固体発光素子が実装される基板上に配置することが好ましい。
この点灯装置において、前記温度制御手段は、前記電源回路の出力を制御する制御回路から成り、前記制御回路は、前記電源回路の出力を低下させることで前記固体発光素子の温度を低下させるように構成されることが好ましい。
この点灯装置において、前記制御回路は、前記検知温度の上昇率の増減に伴って前記電源回路の出力を変化させるように構成されることが好ましい。
この点灯装置において、前記光源を冷却する冷却器と、前記冷却器の出力を変化させる駆動回路とを有する冷却装置を備え、前記温度制御手段は、前記駆動回路から成り、前記駆動回路は、前記冷却器の出力を大きくすることで前記固体発光素子の温度を低下させるように構成されることが好ましい。
この点灯装置において、前記駆動回路は、前記検知温度の上昇率の増減に伴って前記冷却装置の出力を変化させるように構成されることが好ましい。
この点灯装置において、前記温度制御手段は、前記電源回路の出力の増減に伴って前記基準値を変化させるように構成されることが好ましい。
この点灯装置において、前記温度検知回路は、温度変化に伴い特性値が変化する感温素子を用いて前記固体発光素子の温度を検知するように構成されることが好ましい。
本発明の照明器具は、上記何れかの点灯装置と、前記光源を保持する器具本体とを備えることを特徴とする。
本発明は、温度制御手段が、検知温度の上昇率に基づいて固体発光素子の温度制御を行うので、固体発光素子の温度が上昇する初期段階で検知温度に異常があると判定し、固体発光素子の温度を低下させることができる。したがって、本発明では、固体発光素子が許容温度を超える前に固体発光素子の温度上昇を抑制することができる。
本発明に係る点灯装置の実施形態を示す図で、(a)は回路概略図で、(b)はLEDの実際の温度と検知温度との相関を示す図で、(c)は温度制御時における光源の光出力の変化を示す図である。 同上の点灯装置におけるLEDを実装した基板の概略斜視図である。 同上の点灯装置における温度制御を示す図で、(a)は検知温度に異常がないと判定した場合のタイムチャート図で、(b)は検知温度に異常があると判定した場合のタイムチャート図である。 (a)〜(c)は従来の点灯装置における温度制御を示す図である。 (a),(b)は同上の点灯装置における問題点を説明するための図である。 本発明に係る点灯装置の実施形態における他の温度制御を示す図で、(a)は検知温度に異常があると判定した場合のタイムチャート図で、(b)はLEDの実際の温度と検知温度との相関を示す図で、(c)は温度制御時における光源の光出力の変化を示す図である。 同上の点灯装置の温度制御時における光出力と所要時間との相関を示す図である。 同上の点灯装置において温度センサICを用いた場合を示す図で、(a)は回路概略図で、(b)は温度センサICの出力電圧と検知温度との相関を示す図である。 同上の点灯装置においてファンを用いた場合を示す図で、(a)は回路概略図で、(b)はLEDの実際の温度と検知温度との相関を示す図で、(c)は温度制御時におけるファンの回転数の変化を示す図である。 (a),(b)は同上の点灯装置の温度制御時におけるファンの回転数と所要時間との相関を示す図である。 同上の点灯装置の調光時における温度制御を示す図で、(a)は検知温度に異常がないと判定した場合のタイムチャート図で、(b)は検知温度に異常があると判定した場合のタイムチャート図で、(c)は調光比と基準時間との相関を示す図である。 同上の点灯装置の調光時における他の温度制御を示す図で、(a)は検知温度に異常がないと判定した場合のタイムチャート図で、(b)は検知温度に異常があると判定した場合のタイムチャート図で、(c)は調光比と各閾値との相関を示す図である。 同上の点灯装置の他の調光時における温度制御を示す図で、(a)は検知温度に異常がないと判定した場合のタイムチャート図で、(b)は検知温度に異常があると判定した場合のタイムチャート図である。 (a)〜(c)は、本発明に係る照明器具の実施形態を示す概略図である。
以下、本発明に係る点灯装置の実施形態について図面を用いて説明する。本実施形態は、図1(a)に示すように、ノイズフィルタ1と、整流器2と、PFC回路3と、電源回路4と、温度検知回路5と、制御回路6とを備える。ノイズフィルタ1は、例えばコモンモードチョークコイル及びコンデンサのLCフィルタから成り、商用電源AC1の電源電圧に重畳するノイズを除去するように構成される。整流器2は、例えばダイオードブリッジから成り、商用電源AC1の電源電圧を整流するように構成される。
PFC回路3は、昇圧チョッパ回路であって、インダクタL1、コンデンサC1,C2、ダイオードD1、MOSFETから成るスイッチング素子Q1を備える。PFC回路3は、図示しないドライバでスイッチング素子Q1のオン/オフを高周波で切り替えることにより、整流器2の出力電圧を昇圧して出力するように構成される。PFC回路3により、商用電源AC1から出力される交流電流の力率を改善する。
電源回路4は、降圧チョッパ回路であって、インダクタL2、コンデンサC3、ダイオードD2、MOSFETから成るスイッチング素子Q2を備え、後述する光源7に点灯に必要な直流電力を供給するように構成される。スイッチング素子Q2は、後述する制御回路6からの制御信号によりオン/オフを切り替えるように構成される。スイッチング素子Q2には、抵抗R3を直列に接続している。この抵抗R3には、後述する光源7を流れる負荷電流がスイッチング素子Q2を介して流れる。したがって、抵抗R3の両端電圧は負荷電流に比例したものとなり、第1検知信号として後述する制御回路6に出力される。インダクタL2は2次巻線L20を有する。この2次巻線L20に誘起される電圧は、第2検知信号として後述する制御回路6に出力される。
電源回路4は、第1分圧回路40と、第2分圧回路41とを備える。第1分圧回路40は、抵抗R1,R2の直列回路から成り、PFC回路3の出力電圧を分圧するように構成される。第2分圧回路41は、抵抗R4,R5の直列回路から成る。第2分圧回路41は、スイッチング素子Q2がオンの時に、インダクタL2に印加される電圧を分圧するように構成される。各分圧回路40,41の分圧比は互いに等しい。第1分圧回路40で分圧した電圧は、第3検知信号として後述する制御回路6に出力される。また、第2分圧回路41で分圧した電圧は、第4検知信号として後述する制御回路6に出力される。
温度検知回路5は、サーミスタTH1と抵抗R6との直列回路を直流電源50に接続して成る。なお、直流電源50は外部電源であるが、例えばPFC回路3で代用してもよい。サーミスタTH1は、温度の上昇に伴って抵抗値が減少するNTCサーミスタである。勿論、サーミスタTH1はNTCサーミスタに限定されるものではなく、例えば温度の上昇に伴って抵抗値が増大するPTCサーミスタを用いてもよい。
温度検知回路5は、サーミスタTH1及び抵抗R6により直流電源50の電源電圧を分圧し、分圧した電圧を温度信号として後述する制御回路6に出力するように構成される。すなわち、温度検知回路5は、温度変化に伴い特性値が変化する感温素子を用いて後述する光源7のLED70の周囲温度を検知するように構成される。以下、温度検知回路5で検知したLED70の周囲温度のことを「検知温度」と称する。温度検知回路5が出力する温度信号の信号電圧は、検知温度の増減に伴って増減する。
ここでサーミスタTH1は、図2に示すように、後述するLED70を実装した基板P1上であって且つLED70の近傍に配置するのが望ましい。このように、温度検知回路5をLED70が実装される基板P1上に配置することで、LED70の実際の温度と検知温度との相関のばらつきを低減することができる。
制御回路6は、例えばマイコンから成り、電源回路4の出力を制御するように構成される。制御回路6は、第1検知信号の信号電圧から負荷電流を検知し、第2検知信号の信号電圧から負荷電流のゼロクロスを検知するように構成される。また、制御回路6は、負荷電流の目標値(以下、「電流目標値」と呼ぶ)を予め記憶しており、温度信号の信号電圧に基づいて電流目標値を変化するように構成される。
制御回路6は、制御信号を与えることによりスイッチング素子Q2のオン/オフを切り替えるように構成される。スイッチング素子Q2は、第1検知信号の信号電圧が電流目標値に達するとオフに切り替わり、第2検知信号の信号電圧がゼロクロスに達するとオンに切り替わる。すなわち、制御回路6は、図3(a)に示すように、負荷電流を臨界モードで制御するように構成される。
また、制御回路6は、第1分圧回路40からの第3検知信号の信号電圧と、第2分圧回路41からの第4検知信号の信号電圧との差分から、LED70の順方向電圧を検知するように構成される。制御回路6は、上記差分が小さくなれば光源7が無負荷であると判定し、上記差分が零になれば光源7が短絡していると判定する。そして、制御回路6は、光源7が無負荷である又は短絡していると判定した場合、スイッチング素子Q2をオフに切り替えて電源回路4の動作を停止させるように構成される。
なお、制御回路6は、マイコンのみの構成に限定されるものではなく、例えば富士電機製のFA5601やST Microelectronics製のL6562A等の電源制御用のICとマイコンとを組み合わせて構成してもよい。また、制御回路6は、電源制御用のICとアナログ回路とを組み合わせて構成してもよい。
光源7は、固体発光素子であるLED70を直並列に接続して成る。各LED70は、電源回路4の出力を受けて負荷電流が流れることにより点灯する。なお、光源7は、LED70の直列回路だけではなく、LED70の並列回路や直並列回路で構成してもよい。
以下、本実施形態における温度制御を説明するにあたり、先ず従来の点灯装置における温度制御について説明する。従来の点灯装置では、光源の近傍にサーミスタ等の温度検知用の素子を配置し、検知温度が予め設定してある閾値を上回ると温度制御を行っていた。例えば、図4(a),(b)に示すように、検知温度が閾値を上回ると、光源の光出力が100%から80%まで低下するように光源を調光することで、光源の温度を下げていた。また、光源を冷却するためのファンを備えている場合は、図4(c)に示すように、ファンの回転数を100%から150%まで大きくすることで、光源の温度を下げていた。このように、検知温度と閾値とを比較することにより、光源を構成するLEDの温度が、LEDの許容温度を超えないように温度制御を行っていた。
ここで、LEDの実際の温度と検知温度との相関は、LEDでの電力損失、LEDと温度検知用の素子との位置関係や設置状況などにより影響を受ける。また、LEDをヒートシンクに接続する場合には、ヒートシンクの大きさやその接続の状態によっても上記の相関は影響を受ける。また、光源を冷却するためにファンを使用する場合には、ファンの性能によっても上記の相関は影響を受ける。
そして、例えば施工不良によりLEDとヒートシンクとの接続が不完全であれば、ヒートシンクの放熱性能が悪化して上記の相関が崩れる場合がある。また、経年劣化によってもLEDとヒートシンクとの接続が不完全となり、ヒートシンクの放熱性能が悪化して上記の相関が崩れる場合がある。更に、ファンを用いて冷却する場合には、ファンの劣化により放熱性能が悪化し、上記の相関が崩れる場合がある。また、光源に電力を供給する電源回路の異常によって過負荷となる場合、LEDが異常に発熱して上記の相関が崩れる場合もある。
上記のような異常により相関が崩れる場合、LEDの熱容量が小さくなることからLEDの温度上昇が急となり、LEDの実際の温度と検知温度との温度差が大きくなる。特に、ヒートシンク上に温度検知用の素子を設けている場合には、ヒートシンクとLEDとの接続が不完全であるために温度検知用の素子に熱が伝達され難く、温度差はより顕著になる。
例えば、図5(a)に示す場合では、検知温度は閾値を超えていないために温度制御を実行していないが、LEDの実際の温度が許容温度を超えてしまっている。また、図5(b)に示す場合では、検知温度が閾値を超えているために温度制御を実行しているものの、LEDの実際の温度が許容温度を超えてしまっている。
このように、従来の点灯装置では、ヒートシンクとLEDとの接続が不完全である場合や過負荷の場合に、LEDの実際の温度が許容温度を超えてしまい、LEDの発光効率の低下や寿命の低下等の不具合が生じる虞がある。
そこで、本実施形態では、以下のようにLED70の温度制御を行なうことで、上記の問題点を解消している。先ず、本実施形態の電源を投入すると、各回路が動作することでLED70が点灯し、LED70の温度が上昇し始める。このとき、図3(a)に示すように、温度信号の信号電圧もLED70の温度上昇に伴って上昇する。制御回路6では、温度信号の信号電圧が第1閾値に達してから第2閾値(>第1閾値)に達するまでの所要時間T1をカウントする。制御回路6は、所要時間T1が予め設定してある基準時間T0を下回らない、すなわち検知温度の上昇率が基準値よりも小さければ、検知温度に異常がないと判定する。この場合、制御回路6は、負荷電流の目標値を変化させない。
図3(b)に示すように、所要時間T1が基準時間T0を下回る、すなわち検知温度の上昇率が基準値よりも大きい場合、制御回路6は検知温度に異常があると判定し、負荷電流の目標値を小さく設定する。これにより、スイッチング素子Q2のオンデューティが小さくなるため、LED70を流れる負荷電流が小さくなり、LED70の光出力が低下する。そして、LED70の光出力の低下に伴ってLED70の温度が低下する。
上述のように、本実施形態では、温度制御手段である制御回路6が、単に検知温度に基づくのではなく、検知温度の上昇率に基づいてLED70の温度制御を行なっている。このため、本実施形態では、図1(c)に示すように、制御回路6が、LED70の温度が上昇する初期段階で検知温度に異常があると判定することができ、光源7の光出力を100%から50%に低下させることでLED70の温度を低下させることができる。これにより、図1(b)に示すように、LED70が許容温度を超える前にLED70の温度上昇を抑制できるので、LED70の温度を適切に調整することができる。したがって、本実施形態では、LED70の発光効率の低下や寿命の低下等の不具合が生じ難い。勿論、温度制御時に光源7の光出力をどの程度低下させるかは使用の態様に基づいて決定してよい。
なお、図6(a)〜(c)に示すように、温度信号の信号電圧が第3閾値(>第2閾値)に達すると、制御回路6が光源7の光出力を100%から80%に低下させるように構成してもよい。この構成では、検知温度の上昇率が基準値よりも大きくならない場合(すなわち、検知温度に異常がない場合)でも、LED70の温度を適切に調整することができる。勿論、温度制御時に光源7の光出力をどの程度低下させるかは使用の態様に基づいて決定してよい。
また、図7に示すように、制御回路6を、所要時間T1が短くなるにつれて光源7の光出力を徐々に低下させる(すなわち、検知温度の上昇率の増減に伴って電源回路4の出力を変化させる)ように構成してもよい。この構成では、LED70の温度が許容温度を超えない範囲で、光源7の光出力を出来る限り大きくすることができるので、必要以上に光源7の光出力を低下させることがない。
また、図8(a)に示すように、温度検知回路5において、サーミスタTH1及び抵抗R6の代わりに、感温素子として温度センサIC51を用いてもよい。本実施形態では、National Semiconductor社製のLM50を温度センサIC51として用いている。この温度センサIC51は、図8(b)に示すように、出力する温度信号の信号電圧が検知温度に比例する特性を有する。したがって、温度センサIC51が出力する温度信号は、サーミスタTH1及び抵抗R6を用いる場合と同様に、検知温度の増減に伴って増減する。そして、制御回路6は、温度センサIC51から出力される信号電圧に基づいて信号電圧に基づいて電流目標値を変化する制御を行う。この構成でも、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、光源7の光出力を低下させることでLED70の温度を低下させる代わりに、冷却装置8を用いてLED70の温度を低下させてもよい。以下、冷却装置8を用いた構成について図面を用いて説明する。この構成は、図9(a)に示すように、ファン80と、駆動電源81と、駆動回路82とを有する冷却装置8を備える。ファン80は、光源7の近傍に配置され、光源7に向けて空気を送ることで光源7を冷却する。すなわち、ファン80は、光源7を冷却する冷却器に相当する。駆動電源81は、例えばマイコンから成り、ファン80の駆動電圧を出力するように構成される。この駆動電源81の出力電圧が変化すると、ファン80の回転数が変化し、ファン80の風力(出力)が変化する。駆動回路82は、駆動電源81の出力電圧を変化させることで、ファン80の回転数を変化させるように構成される。
以下、この構成によるLED70の温度制御について簡単に説明する。駆動回路82は、温度検知回路5からの温度信号の信号電圧が、第1閾値に達してから第2閾値に達するまでの所要時間T1をカウントする。駆動回路82は、所要時間T1が基準時間T0を下回らない、すなわち検知温度の上昇率が基準値よりも小さければ、検知温度に異常がないと判定する。この場合、駆動回路82は、駆動電源81の出力電圧を変化させない。
所要時間T1が基準時間T0を下回る、すなわち検知温度の上昇率が基準値よりも大きい場合、駆動回路82は検知温度に異常があると判定し、駆動電源81の出力電圧を増大させる。これにより、ファン80の回転数が増えて風力が大きくなるため、ファン80による冷却効果が高まり、LED70の温度が低下する。
ここでは、図9(c)に示すように、駆動回路82が、LED70の温度が上昇する初期段階で検知温度に異常があると判定すると、ファン80の回転数を100%から200%に変化させる。したがって、この構成でも、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、図10(a),(b)に示すように、駆動回路82を、所要時間T1が基準時間T0よりも短くなるにつれてファン80の回転数を増大させる(すなわち、検知温度の上昇率の増減に伴って冷却器の出力を変化させる)ように構成してもよい。この構成では、検知温度の上昇率が大きい場合により冷却効果を高めるなど、LED70の異常に基づいた最適な温度制御を実行することができる。
本実施形態では、調光器(図示せず)から入力される調光信号に基づいて光源7を調光することができる。例えば、制御回路6は、調光信号に基づいて電流目標値(すなわち、電源回路4の出力電圧)を変化させることで、光源7を調光することができる。
ここで、図11(a)に示すように、光源7を調光する場合(同図の実線参照)は、光源7を全点灯する場合(同図の破線参照)と比較して、検知温度の上昇が緩やかとなる。これは、光源7の光出力が小さいことから、LED70の発熱量も小さくなるからである。このため、光源7を調光する場合における所要時間T10(温度信号の信号電圧が第1閾値に達してから第2閾値に達するまでの時間)は、全点灯時における所要時間T1よりも長くなる。
すると、LED70に異常があって温度の上昇率が大きくなる場合でも、所要時間T10が所要時間T1よりも長くなることから、所要時間T10が基準時間T0を下回らない虞がある。この場合、制御回路6によるLED70の温度制御が実行されないため、LED70の温度が許容温度を超えてしまい、LED70の発光効率の低下や寿命の低下等の不具合が生じる虞がある。
そこで、光源7を調光する場合には、制御回路6が、基準時間T0を電源回路4の出力電圧に基づいて増減させることが望ましい。例えば、図11(c)に示すように、調光比の増減(すなわち、電源回路4の出力の増減)に伴って、基準時間T0(すなわち基準値)を増減させるように制御回路6を構成する。
この構成では、図11(b)に示すように、所要時間T10が調光比に基づいて設定された基準時間T0を下回ると、制御回路6は検知温度に異常があると判定し、負荷電流の目標値を小さく設定して光源7の光出力を低下させる。したがって、この構成では、光源7を調光する場合においても、LED70の温度制御を実行することができる。
なお、図12(c)に示すように、第1閾値を一定とし、調光比の増減(電源回路4の出力の増減)に伴って第2閾値を増減させるように制御回路6を構成してもよい。この構成では、検知温度の上昇率の変動に伴って第2閾値が変動することから、結果として所要時間T1は調光比の変化によって変動することがない。このため、図12(a),(b)に示すように、所要時間T1が基準時間T0を下回ると、制御回路6は検知温度に異常があると判定し、負荷電流の目標値を小さく設定して光源7の光出力を低下させる。したがって、この構成でも、光源7を調光する場合におけるLED70の温度制御を実行することができる。勿論、第2閾値を一定とし、調光比の増減に伴って第1閾値を増減させるように制御回路6を構成してもよい。この構成でも、上記と同様の効果を奏することができる。
ここで、図13(a)に示すように、調光信号に基づいて、スイッチング素子Q2のオン/オフを交互に切り替える動作期間と、スイッチング素子Q2をオフ状態で維持する休止期間とを交互に繰り返す間欠制御を行うことでも、光源7を調光することができる。この構成でも、LED70の温度の上昇が緩やかになるため、上記と同様に、調光比の増減(電源回路4の出力の増減)に伴って基準時間T0又は第2閾値を増減させればよい。
例えば、調光比の増減に伴って基準時間T0を増減させる場合は、図13(b)に示すように、制御回路6は、所要時間T1が基準時間T0を下回ると光源7の光出力を低下させる。したがって、この構成でも、光源7を調光する場合におけるLED70の温度制御を実行することができる。
なお、上記では温度制御手段を制御回路6とした場合について説明しているが、温度制御手段を駆動回路82とした場合でも同様である。すなわち、光源7を調光する場合に、駆動回路82が、調光比の増減に伴って基準時間T0又は第2閾値を増減させればよい。
なお、本実施形態では、光源7に用いる固体発光素子としてLED70を用いているが、例えば半導体レーザや有機EL素子などの他の固体発光素子を用いて光源7を構成してもよい。
上記実施形態の点灯装置は、例えば図14(a)〜(c)に示すような照明器具に採用することができる。図14(a)〜(c)に示す照明器具は、上記実施形態の点灯装置A1と、光源7を保持する器具本体A2とを備えている。なお、図14(a)に示す照明器具はダウンライトであり、図14(b),(c)に示す照明器具はスポットライトである。また、図14(a),(c)に示す照明器具では、点灯装置A1と光源7とを配線A3を介して接続している。
本実施形態では、上記実施形態の点灯装置A1を用いることで、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、これらの照明器具は単独で用いるのみならず、複数を組み合わせて照明システムを構築してもよい。
4 電源回路
5 温度検知回路
6 制御回路(温度制御手段)
7 光源
70 LED(固体発光素子)

Claims (9)

  1. 固体発光素子を有する光源に電力を供給する電源回路と、前記固体発光素子の周囲温度を検知する温度検知回路と、前記固体発光素子の温度を制御するように構成される温度制御手段とを備え、
    前記温度制御手段は、前記温度検知回路で検知した検知温度の上昇率を求め、当該上昇率が予め設定してある基準値を超えると前記固体発光素子の温度を低下させるように構成されることを特徴とする点灯装置。
  2. 前記温度検知回路は、前記固体発光素子が実装される基板上に配置することを特徴とする請求項1記載の点灯装置。
  3. 前記温度制御手段は、前記電源回路の出力を制御する制御回路から成り、前記制御回路は、前記電源回路の出力を低下させることで前記固体発光素子の温度を低下させるように構成されることを特徴とする請求項1又は2記載の点灯装置。
  4. 前記制御回路は、前記検知温度の上昇率の増減に伴って前記電源回路の出力を変化させるように構成されることを特徴とする請求項3記載の点灯装置。
  5. 前記光源を冷却する冷却器と、前記冷却器の出力を変化させる駆動回路とを有する冷却装置を備え、
    前記温度制御手段は、前記駆動回路から成り、前記駆動回路は、前記冷却器の出力を大きくすることで前記固体発光素子の温度を低下させるように構成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の点灯装置。
  6. 前記駆動回路は、前記検知温度の上昇率の増減に伴って前記冷却装置の出力を変化させるように構成されることを特徴とする請求項5記載の点灯装置。
  7. 前記温度制御手段は、前記電源回路の出力の増減に伴って前記基準値を変化させるように構成されることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の点灯装置。
  8. 前記温度検知回路は、温度変化に伴い特性値が変化する感温素子を用いて前記固体発光素子の温度を検知するように構成されることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の点灯装置。
  9. 請求項1乃至8の何れか1項に記載の点灯装置と、前記光源を保持する器具本体とを備えることを特徴とする照明器具。
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