JP2014154631A - 多層配線板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子搭載面に半導体素子を搭載する際に熱ストレスが偏ることにより多層配線板が反り半導体素子の搭載が困難になる問題を解決する。
【解決手段】複数の層間絶縁樹脂層が積層され、前記層間絶縁樹脂層の間に配線パターンの層を有し、前記配線パターンの層間をビアホールで電気接続された多層配線構造を有する多層配線板であって、片面に半導体素子が搭載され、前記層間絶縁樹脂層の厚さを、前記半導体素子を搭載する面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成した多層配線板を製造する。
【選択図】図5
【解決手段】複数の層間絶縁樹脂層が積層され、前記層間絶縁樹脂層の間に配線パターンの層を有し、前記配線パターンの層間をビアホールで電気接続された多層配線構造を有する多層配線板であって、片面に半導体素子が搭載され、前記層間絶縁樹脂層の厚さを、前記半導体素子を搭載する面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成した多層配線板を製造する。
【選択図】図5
Description
本発明は、半導体素子搭載用パッケージに用いる板厚が極めて薄い多層配線板とその製造方法に関するものである。
近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段と進み、これに伴ない、配線の高集積化と小型化が急速に進み、配線の微細化が進んでいる。また、半導体チップとほぼ同等のサイズの、いわゆるチップサイズパッケージ(CSP;Chip Size/Scale Package)などの小型化したパッケージへの要求が強くなっている。
そのため、近年では、コア層を有しない多層配線板をビルドアップ法で製造する技術の開発が行われている。しかし、コア層を有しない多層配線板では、樹脂よりなる絶縁層と金属よりなる配線層の熱膨張差に起因して、反りが発生するという問題があった。
この問題の解決のために、特許文献1の技術では、多層配線板で一方の側の面に半導体素子搭載面が形成された多層配線板を、その内層の絶縁樹脂層の強度を強くすることで多層配線板の反りを抑制している。特に、特許文献1の第2の実施形態では、内層の2つの絶縁樹脂層のうち、半導体素子搭載面から遠い側の絶縁樹脂層の厚さを半導体素子搭載面に近い側の絶縁樹脂層より厚くする技術が記載されている。それにより応力を積極的にアンバランスにすることで、多層配線板のビアホールや配線の密度のアンバランスに起因する応力を打ち消して、多層配線板全体での反りを抑制している。
しかし、特許文献1の技術では、半導体素子搭載面に半導体素子を搭載する際に偏る熱ストレスにより多層配線板が反る問題を考慮せず、そのように熱ストレスが偏ることにより、多層配線板が反り半導体素子の搭載が困難になる問題を解決する多層配線板の構造が考慮されていなかった。
本発明の課題は、上記の、半導体素子搭載面に半導体素子を搭載する際に熱ストレスが偏ることにより多層配線板が反り半導体素子の搭載が困難になる問題を解決し、半導体素子を半導体素子搭載面に確実に搭載できる多層配線板を得ることにある。
本発明は、上記課題を解決するために、複数の層間絶縁樹脂層が積層され、前記層間絶縁樹脂層の間に配線パターンの層を有し、前記配線パターンの層間をビアホールで電気接続された多層配線構造を有する多層配線板であって、片面に半導体素子が搭載され、前記層間絶縁樹脂層の厚さを、前記半導体素子を搭載する面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成したことを特徴とする多層配線板である。
また、本発明は、上記の多層配線板であって、前記ビアホールの内部は金属にて充填されており、該ビアホールは前記ビアホールの前記半導体素子搭載面から遠い側の配線パターンの層に設けられるランドと一体構造となることを特徴とする多層配線板である。
また、本発明は、上記の多層配線板であって、前記半導体素子を搭載する面側の層間絶縁樹脂層に対する前記半導体素子を搭載する面から最も遠ざかった側の層間絶縁樹脂層の厚さの比が5倍以下であることを特徴とする多層配線板である。
また、本発明は、絶縁樹脂シートの外側に、該絶縁樹脂シートよりも寸法が小さく、両面に複数の金属層が剥離可能に積層されて成る積層金属シートを重ねて形成した積層基板を製造する工程と、
前記積層金属シートの外側に第1の層間絶縁樹脂層を積層し、第1の層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって前記積層金属シートの前記積層金属シートに達するビアホール下穴を形成し、該ビアホール下穴を銅めっきにより充填することでビアホールを形成する工程と、
第1の層間絶縁樹脂層の外側に、内側の層間絶縁樹脂層よりも厚い層間絶縁樹脂層を積層し、該層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって該層間絶縁樹脂層にビアホール下穴を形成し、該ビアホール下穴を銅めっきにより充填することでビアホールを形成する工程を繰り返すことで外側に順次に層間絶縁樹脂層とビアホールを形成する工程と、
前記積層金属シートの金属層を剥離することで、第1の層間絶縁樹脂層とその外側の層間絶縁樹脂層と、前記第1の層間絶縁樹脂層及び前記その外側の層間絶縁樹脂層の中のビアホールと配線パターンから成る多層配線構造を、前記積層基板から分離する工程を有することを特徴とする多層配線板の製造方法である。
前記積層金属シートの外側に第1の層間絶縁樹脂層を積層し、第1の層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって前記積層金属シートの前記積層金属シートに達するビアホール下穴を形成し、該ビアホール下穴を銅めっきにより充填することでビアホールを形成する工程と、
第1の層間絶縁樹脂層の外側に、内側の層間絶縁樹脂層よりも厚い層間絶縁樹脂層を積層し、該層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって該層間絶縁樹脂層にビアホール下穴を形成し、該ビアホール下穴を銅めっきにより充填することでビアホールを形成する工程を繰り返すことで外側に順次に層間絶縁樹脂層とビアホールを形成する工程と、
前記積層金属シートの金属層を剥離することで、第1の層間絶縁樹脂層とその外側の層間絶縁樹脂層と、前記第1の層間絶縁樹脂層及び前記その外側の層間絶縁樹脂層の中のビアホールと配線パターンから成る多層配線構造を、前記積層基板から分離する工程を有することを特徴とする多層配線板の製造方法である。
また、本発明は、上記の多層配線板の製造方法であって、前記第1の層間絶縁樹脂層に対する最も外側の層間絶縁樹脂層の厚さの比が5倍以下であることを特徴とする多層配線板の製造方法である。
本発明により、多層配線板の半導体素子搭載面側に半導体素子を半田付けするビアホールが設けられ、前記層間絶縁樹脂層の厚さを、前記半導体素子搭載面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成する。
このように、多層配線板の層間絶縁樹脂層の厚さを、半導体素子搭載面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成することで、半導体素子搭載面に半導体素子を半田付けする熱ストレスがその面に偏って加えられる場合に、半導体素子搭載面側に凸になるように反る熱ストレスを、アンバランスな厚さの層間絶縁樹脂層の構造により半導体素子搭載面側に凹になるように反るストレスを発生させることで打ち消して、多層配線板全体での反りを抑制できる効果がある。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図1から図6の側断面図に、本発明の多層配線板の製造方法の一実施形態を工程順に示す。
(工程1:積層金属シートを支持基板へ積層する工程)
図1(a)のように、サイズが例えば610×510mmの支持基板10を中心にし、その支持基板10の外側に、平面視で支持基板10と同じサイズの寸法が610×510mmのプリプレグもしくは樹脂フィルムから成る半硬化絶縁樹脂シート12aを重ね、その外側に、半硬化絶縁樹脂シート12aより小さいサイズの寸法が600×500mmの多層構造の積層金属シート13を重ねる。そして、その積層金属シート13の外側に離型フィルム20を重ねて、真空積層プレスにより、支持基板10の外側に半硬化絶縁樹脂シート12aを介して積層金属シート13を積層する。
図1(a)のように、サイズが例えば610×510mmの支持基板10を中心にし、その支持基板10の外側に、平面視で支持基板10と同じサイズの寸法が610×510mmのプリプレグもしくは樹脂フィルムから成る半硬化絶縁樹脂シート12aを重ね、その外側に、半硬化絶縁樹脂シート12aより小さいサイズの寸法が600×500mmの多層構造の積層金属シート13を重ねる。そして、その積層金属シート13の外側に離型フィルム20を重ねて、真空積層プレスにより、支持基板10の外側に半硬化絶縁樹脂シート12aを介して積層金属シート13を積層する。
真空積層プレス装置によって加熱・加圧する積層処理によって、図1(b)のように、支持基板10の外側の半硬化絶縁樹脂シート12aを硬化させて絶縁樹脂材料12にし、その支持基板10と絶縁樹脂材料12とからなる支持基板の外側の面に積層金属シート13が一体となった積層基板100を製造する。
(支持基板)
この工程で用いる支持基板10としては、厚み0.04mmから0.4mmの基板で、両面に厚み18μmの銅箔11を有する、有機樹脂をガラスやポリイミド、液晶などから成る補強繊維に含浸させた材料から成る銅張積層板(例えば、サイズが610×510mm)を用いる。
この工程で用いる支持基板10としては、厚み0.04mmから0.4mmの基板で、両面に厚み18μmの銅箔11を有する、有機樹脂をガラスやポリイミド、液晶などから成る補強繊維に含浸させた材料から成る銅張積層板(例えば、サイズが610×510mm)を用いる。
この支持基板10を構成する有機樹脂材料は、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系、エポキシアクリレート系、フェノールエポキシ系、ポリイミド系、ポリアミド系、シアネート系、液晶系を主体とする有機樹脂を用いることができる。また、その有機樹脂にシリカやブチル系有機材料、炭酸カルシウムなどによるフィラーを含ませた基板を用いることもできる。
(変形例1)
支持基板10の他の例(変形例1)として、ガラス(青板、無アルカリガラス、石英)、又は、金属(ステンレス、鉄、銅、チタン、タングステン、マグネシウム、アルミニウム、クロム、モリブデンなどを主体とする)を用いることもできる。
支持基板10の他の例(変形例1)として、ガラス(青板、無アルカリガラス、石英)、又は、金属(ステンレス、鉄、銅、チタン、タングステン、マグネシウム、アルミニウム、クロム、モリブデンなどを主体とする)を用いることもできる。
(半硬化絶縁樹脂シート)
この工程で用いる半硬化絶縁樹脂シート12aとしては、厚さが0.04mmから0.4mmの(例えば厚さが0.07mmの)、有機樹脂が補強繊維に含浸されて成るプリプレグを半硬化絶縁樹脂シート12aとして用いる。プリプレグは、樹脂リッチに調整している方が好ましい。必要なハンドリング性を確保できる場合は、補強繊維を含まない樹脂フィルムの半硬化絶縁樹脂シート12aを用いても構わない。
この工程で用いる半硬化絶縁樹脂シート12aとしては、厚さが0.04mmから0.4mmの(例えば厚さが0.07mmの)、有機樹脂が補強繊維に含浸されて成るプリプレグを半硬化絶縁樹脂シート12aとして用いる。プリプレグは、樹脂リッチに調整している方が好ましい。必要なハンドリング性を確保できる場合は、補強繊維を含まない樹脂フィルムの半硬化絶縁樹脂シート12aを用いても構わない。
半硬化絶縁樹脂シート12aの有機樹脂の材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂(以下、BT樹脂と称す)、ポリイミド樹脂、PPE樹脂、フェノール樹脂、PTFE樹脂、珪素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、PPS樹脂、PPO樹脂、シアネート樹脂、シアネートエステル樹脂などの有機樹脂を使用することができる。
また、補強繊維は、ガラス繊維、アラミド不織布やアラミド繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維、液晶繊維などを用いることができる。また、半硬化絶縁樹脂シート12aの有機樹脂には、シリカやブチル系有機材料、炭酸カルシウムなどによるフィラーを含ませることもできる。
(積層金属シート)
この工程で用いる積層金属シート13は、複数の金属層が剥離可能に積層されて成る多
層構造の積層金属シート13である。この積層金属シート13には、例えば、厚さ10μm〜35μm(例えば18μm)のキャリア銅箔層13aの金属層に、厚さ1μm〜8μm(例えば5μm)の極薄銅箔層13bの金属層を剥離可能に積層したピーラブル金属箔を用いる。キャリア銅箔層13aと極薄銅箔層13bの金属層を剥離可能に積層する手段は、剥離可能に接着剤で接着する方法や、その他の剥離可能な積層方法を用いる。
この工程で用いる積層金属シート13は、複数の金属層が剥離可能に積層されて成る多
層構造の積層金属シート13である。この積層金属シート13には、例えば、厚さ10μm〜35μm(例えば18μm)のキャリア銅箔層13aの金属層に、厚さ1μm〜8μm(例えば5μm)の極薄銅箔層13bの金属層を剥離可能に積層したピーラブル金属箔を用いる。キャリア銅箔層13aと極薄銅箔層13bの金属層を剥離可能に積層する手段は、剥離可能に接着剤で接着する方法や、その他の剥離可能な積層方法を用いる。
(離型フィルム)
この工程で用いる離型フィルム20としては、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド等の樹脂材料とステンレス、真鍮等の金属材料とを組み合わせた複合材料からなるフィルムを用いる。
この工程で用いる離型フィルム20としては、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド等の樹脂材料とステンレス、真鍮等の金属材料とを組み合わせた複合材料からなるフィルムを用いる。
離型フィルム20の熱収縮率は、加熱加圧処理を施す温度において、0.01〜0.9%の熱収縮率を持つ離型フィルム20を用いる。また、離型フィルム20の加熱加圧処理後における伸びの低下率が加熱加圧処理前の30%以下である離型フィルム20を用いる。
離型フィルム20の形態は、厚みが、10〜200μmの樹脂材料からなり、特に、離型フィルム20の表面に、JIS B0601に規定される平均粗さRaを300nm以上1500nm以下に粗面化処理(マット処理)を施した離型フィルム20を用いる。
工程1の真空積層プレス加工の準備として、積層金属シート13を、図1(a)のように、支持基板10の外側に、樹脂リッチに調整した半硬化絶縁樹脂シート12aを重ね、その外側に積層金属シート13を重ね、その外側に、平均粗さRaを300nm以上1500nm以下に粗面化処理(マット処理)した離型フィルム20を重ねた積層体を、真空積層プレス装置のステンレス製のプレス板の間に挟む。
真空積層プレス加工処理の段階では、真空積層プレス装置のプレス板でその積層体を加熱・加圧して積層体を溶融・硬化させることで、支持基板10の外側に半硬化絶縁樹脂シート12aを介して積層金属シート13を積層した積層基板100を製造する。また、積層金属シート13は、その極薄銅箔層13bを外側にしキャリア銅箔層13aを内側にして半硬化絶縁樹脂シート12aの外側に重ねる。
真空積層プレス加工の条件は、適用する半硬化絶縁樹脂シート12aの材料に合わせて昇温速度や圧力、加圧タイミングを調整して実施する。流動性が高い材料を用いる場合は、昇温速度や加圧タイミングを遅くする調整を施しても構わない。
これにより、積層基板100を、積層金属シート13のサイズが、積層基板100全体のサイズより小さく形成する。そして、積層金属シート13の外側である額縁部14の絶縁樹脂材料12が、積層金属シート13の内側の面との外周部分とを、一体に覆うようにする。
そして、半硬化絶縁樹脂シート12aを硬化させて絶縁樹脂材料12にした後に離型フィルム20を剥離して、図1(b)のように、サイズ600×500mmの積層金属シート13の外周部を絶縁樹脂材料12による幅5mmの額縁部14が囲んだ支持基板である積層基板100を製造する。これにより、積層金属シート13の内側の面、側壁が一体の絶縁樹脂材料で覆われる。
(変形例2)
変形例2として、積層基板100を他の構成で構成できる。変形例2では、支持基板10を用いずに、2枚の積層金属シート13の間に、その積層金属シート13より大きいサイズの、積層による硬化後に剛性が十分に確保できる厚さ及び剛性を有する絶縁樹脂材料12になる半硬化絶縁樹脂シートを挟んだ積層体を、真空積層プレス装置のステンレス製のプレス板の間に挟む。
変形例2として、積層基板100を他の構成で構成できる。変形例2では、支持基板10を用いずに、2枚の積層金属シート13の間に、その積層金属シート13より大きいサイズの、積層による硬化後に剛性が十分に確保できる厚さ及び剛性を有する絶縁樹脂材料12になる半硬化絶縁樹脂シートを挟んだ積層体を、真空積層プレス装置のステンレス製のプレス板の間に挟む。
真空積層プレス装置のプレス板でその積層体を加熱・加圧して積層体を溶融・硬化させることで、図1(c)のような積層基板100を製造する。その積層基板100は、2枚の積層金属シート13の間に絶縁樹脂材料12が形成された構造であり、その2枚の積層金属シート13のサイズは積層基板100のサイズより小さい。結局、変形例2によっても、積層金属シート13の内側の面と積層金属シート13の側壁が一体構造に形成された絶縁樹脂材料12で覆われている積層基板100を製造することができる。
(工程2:層間絶縁樹脂層31の形成工程)
次に、層間絶縁樹脂層31の形成のための前処理として、積層基板100の外側の積層金属シート13の表面を、粒界腐食のエッチング処理により粗化処理するか、酸化還元処理による黒化処理、又は、過水硫酸系のソフトエッチング処理により粗化処理する。
次に、層間絶縁樹脂層31の形成のための前処理として、積層基板100の外側の積層金属シート13の表面を、粒界腐食のエッチング処理により粗化処理するか、酸化還元処理による黒化処理、又は、過水硫酸系のソフトエッチング処理により粗化処理する。
次に、図2(d)のように、積層金属シート13上に層間絶縁樹脂層31を、真空ラミネート、ロールラミネートまたは積層プレスで熱圧着させる。例えば厚さ45μmのエポキシ樹脂を真空ラミネートする。ガラスエポキシ樹脂を使う場合は任意の厚さの銅箔を重ね合わせ積層プレスで熱圧着させる。
層間絶縁樹脂層31の樹脂材料として、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂(以下、BT樹脂と称す)、ポリイミド樹脂、PPE樹脂、フェノール樹脂、PTFE樹脂、珪素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、PPS樹脂、PPO樹脂、シアネート樹脂、シアネートエステル樹脂などの有機樹脂を使用することができる。また、これらの樹脂単独でも、複数樹脂を混合しあるいは化合物を作成するなどの樹脂の組み合わせも使用できる。更に、これらの材料に、ガラス繊維の補強材を混入させた層間絶縁樹脂層31を用いることができる。補強材には、アラミド不織布やアラミド繊維、ポリエステル繊維を用いることができる。
(工程3:ビアホール下穴の形成工程)
次に、図2(e)のように、層間接続用のビアホール下穴32aを、穴あけ加工用レーザー光線によって形成する。なお、層間絶縁樹脂層31の熱圧着に銅箔を使用した場合は、ビアホール下穴32aを形成する前処理として、その銅箔を全面エッチングするか、銅箔にビアホール下穴32a用の開口を形成するエッチング処理を行うか、あるいは、銅箔の表面処理を行うことでビアホール下穴32a部分の銅箔のレーザー吸収性を改善してレーザー光線によってビアホール下穴32aを形成する。このビアホール下穴32aは外側の穴径を80μm程度にし穴底の穴径を50μm程度に加工し、外側の穴径が穴底の径より大きい、円錐台を逆さにした形状に形成する。
次に、図2(e)のように、層間接続用のビアホール下穴32aを、穴あけ加工用レーザー光線によって形成する。なお、層間絶縁樹脂層31の熱圧着に銅箔を使用した場合は、ビアホール下穴32aを形成する前処理として、その銅箔を全面エッチングするか、銅箔にビアホール下穴32a用の開口を形成するエッチング処理を行うか、あるいは、銅箔の表面処理を行うことでビアホール下穴32a部分の銅箔のレーザー吸収性を改善してレーザー光線によってビアホール下穴32aを形成する。このビアホール下穴32aは外側の穴径を80μm程度にし穴底の穴径を50μm程度に加工し、外側の穴径が穴底の径より大きい、円錐台を逆さにした形状に形成する。
(工程4:めっき工程)
次に、図2(f)のように、ビアホール下穴32aの壁面および層間絶縁樹脂層31の表面に無電解めっきを施し、その外側に電解銅めっきの層を形成し、銅めっきで充填したビアホール32を形成する。ビアホール32は、支持基板側を上側にし基板の外側を下側にすると、円錐台状に形成される。
次に、図2(f)のように、ビアホール下穴32aの壁面および層間絶縁樹脂層31の表面に無電解めっきを施し、その外側に電解銅めっきの層を形成し、銅めっきで充填したビアホール32を形成する。ビアホール32は、支持基板側を上側にし基板の外側を下側にすると、円錐台状に形成される。
(工程5:配線パターンの形成工程)
次に、電解銅めっきの層の面に感光性めっきレジストフィルムを形成して露光・現像することで、エッチングレジストのパターンを形成し、そのエッチングレジストで保護して電解銅めっきのパターンをエッチングし、次に、エッチングレジストのパターンを剥離す
ることで、図3(g)のように、層間絶縁樹脂層31上にビアホールと一体構造を成すランド32bと配線パターン33を形成する。
次に、電解銅めっきの層の面に感光性めっきレジストフィルムを形成して露光・現像することで、エッチングレジストのパターンを形成し、そのエッチングレジストで保護して電解銅めっきのパターンをエッチングし、次に、エッチングレジストのパターンを剥離す
ることで、図3(g)のように、層間絶縁樹脂層31上にビアホールと一体構造を成すランド32bと配線パターン33を形成する。
(工程6:層間絶縁樹脂層34の形成工程)
次に、図3(h)のように、その配線パターン33とランド32bと層間絶縁樹脂層31の上に、工程2と同様のビルドアップ処理で層間絶縁樹脂層34を形成する。この層間絶縁樹脂層34は、工程2で形成した層間絶縁樹脂層31よりも厚く形成する。
次に、図3(h)のように、その配線パターン33とランド32bと層間絶縁樹脂層31の上に、工程2と同様のビルドアップ処理で層間絶縁樹脂層34を形成する。この層間絶縁樹脂層34は、工程2で形成した層間絶縁樹脂層31よりも厚く形成する。
(工程7:ビアホール35の形成工程)
次に、工程3から5と同様にして、層間絶縁樹脂層34に、ランド32b又は配線パターン33に達するビアホール下穴を形成した上で、銅めっき層を形成することでビアホール下穴を埋めてビアホール35を形成し、銅めっきの層をエッチングすることでビアホールと一体構造を成すランド35bと配線パターン35cを形成する。
次に、工程3から5と同様にして、層間絶縁樹脂層34に、ランド32b又は配線パターン33に達するビアホール下穴を形成した上で、銅めっき層を形成することでビアホール下穴を埋めてビアホール35を形成し、銅めっきの層をエッチングすることでビアホールと一体構造を成すランド35bと配線パターン35cを形成する。
(工程8:層間絶縁樹脂層36の形成工程)
次に、図4(i)のように、ランド35bと配線パターン35cと層間絶縁樹脂層34の上に、工程2と同様のビルドアップ処理で層間絶縁樹脂層36を形成する。この層間絶縁樹脂層36は、工程6で形成した層間絶縁樹脂層34よりも更に厚く形成する。
次に、図4(i)のように、ランド35bと配線パターン35cと層間絶縁樹脂層34の上に、工程2と同様のビルドアップ処理で層間絶縁樹脂層36を形成する。この層間絶縁樹脂層36は、工程6で形成した層間絶縁樹脂層34よりも更に厚く形成する。
(工程9:ビアホール37の形成工程)
次に、工程3から5と同様にして、層間絶縁樹脂層36に、ランド35b又は配線パターン35cに達するビアホール下穴を形成した上で、銅めっき層を形成することでビアホール下穴を埋めてビアホール37を形成し、銅めっきの層をエッチングすることでビアホールと一体構造を成すランド37bと配線パターンを形成する。
次に、工程3から5と同様にして、層間絶縁樹脂層36に、ランド35b又は配線パターン35cに達するビアホール下穴を形成した上で、銅めっき層を形成することでビアホール下穴を埋めてビアホール37を形成し、銅めっきの層をエッチングすることでビアホールと一体構造を成すランド37bと配線パターンを形成する。
こうして、図4(i)のように、積層基板100上に、層間絶縁樹脂層31とビアホール32、層間絶縁樹脂層34とビアホール35、層間絶縁樹脂層36とビアホール37との複数層をビルドアップした多層配線構造30を形成する。
この多層配線構造30は、半導体素子搭載面側の層間絶縁樹脂層31よりも、層間絶縁樹脂層34が厚く、更に半導体素子搭載面から遠い側の層間絶縁樹脂層36を更に厚く厚さをアンバランスに形成している。特に、半導体素子搭載面側の層間絶縁樹脂層31の厚さを最も薄くすることが望ましい。
ここで、最も薄い層間絶縁樹脂層31に対して最も厚い層間絶縁樹脂層36の厚さの比は5倍以下にすることが望ましい。その理由は、最も厚い層間絶縁樹脂層36の厚さが、最も薄い層間絶縁樹脂層31の厚さの5倍を超えると、層間絶縁樹脂層36に形成するビアホール37の製造が困難になるためである。すなわち、厚い層間絶縁樹脂層36のビアホール37の下穴に、銅めっき層が十分に充填できずにビアホール37が層間絶縁樹脂層36の上下の面を接続できない、ビアホールのオープン不具合が発生するからである。
このように、多層配線板の層間絶縁樹脂層の厚さを、半導体素子搭載面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成することで、半導体素子搭載面に半導体素子を半田付けする熱ストレスがその面に偏って加えられる場合に、半導体素子搭載面側に凸になるように反る熱ストレスを、アンバランスな厚さの層間絶縁樹脂層の構造により半導体素子搭載面側に凹になるように反るストレスを発生させることで打ち消して、多層配線板全体での反りを抑制できる効果がある。
(工程10:ソルダーレジスト形成工程)
次に、多層配線構造30の表面をマイクロエッチング剤で粗化処理した上にアゾール化
合物の厚い被膜を形成させてソルダーレジストの接着性を向上させる処理を行う。粗化処理後に多層配線構造30とソルダーレジスト38との密着が確保できる場合は、アゾール化合物による処理は実施しなくても構わない。次に、感光性のソルダーレジストをロールコーター又は印刷により多層配線構造30の外面に塗布し、70℃で乾燥させてソルダーレジスト38の膜を形成する。
次に、多層配線構造30の表面をマイクロエッチング剤で粗化処理した上にアゾール化
合物の厚い被膜を形成させてソルダーレジストの接着性を向上させる処理を行う。粗化処理後に多層配線構造30とソルダーレジスト38との密着が確保できる場合は、アゾール化合物による処理は実施しなくても構わない。次に、感光性のソルダーレジストをロールコーター又は印刷により多層配線構造30の外面に塗布し、70℃で乾燥させてソルダーレジスト38の膜を形成する。
次に、ソルダーレジスト38の膜に露光・現像し、図4(j)のように、パッド部分にソルダーレジスト開口部38aを設けたソルダーレジスト38のパターンを形成する。このソルダーレジスト38のパターンを180℃で加熱硬化させ、その後に100mJ/cm2の紫外線照射処理によりソルダーレジスト38の膜の絶縁化処理を行う。
(工程11:多層配線構造30分離工程)
次に、多層配線構造30の表面に、所望のサイズのエッチングレジストを張り付け、図4(i)の切断線40で多層配線構造30と積層基板100を切断することで額縁部14を切り離し、その切断面に積層金属シート13の剥離の境界線を露出させる。そして、図5(k)のように、露出させた剥離の境界線から積層金属シート13のキャリア銅箔層13aから極薄銅箔層13bを剥離することで、厚さ0.4mmの積層基板100から多層配線構造30を分離する。
次に、多層配線構造30の表面に、所望のサイズのエッチングレジストを張り付け、図4(i)の切断線40で多層配線構造30と積層基板100を切断することで額縁部14を切り離し、その切断面に積層金属シート13の剥離の境界線を露出させる。そして、図5(k)のように、露出させた剥離の境界線から積層金属シート13のキャリア銅箔層13aから極薄銅箔層13bを剥離することで、厚さ0.4mmの積層基板100から多層配線構造30を分離する。
(工程12:銅箔層13b除去工程)
次に、そうして分離した多層配線構造30に対し、多層配線構造30の極薄銅箔層13bをクイックエッチングで除去し、図5(l)のように、層間絶縁樹脂層31に埋め込まれた逆円錐台状のビアホール32の、下底の径80μmよりも径が小さい径が50μmの上底を外側に露出させた多層配線構造30を得る。
次に、そうして分離した多層配線構造30に対し、多層配線構造30の極薄銅箔層13bをクイックエッチングで除去し、図5(l)のように、層間絶縁樹脂層31に埋め込まれた逆円錐台状のビアホール32の、下底の径80μmよりも径が小さい径が50μmの上底を外側に露出させた多層配線構造30を得る。
この露出させたビアホール32の上面(上底)の径は50μm程度で小さいので、そのビアホール32の上底に半導体素子のバンプ(接続端子)を半田付け接続することで、ピッチが130μm程度の半導体素子の高密度の部品端子と高い信頼性で電気接続することができる効果がある。
(変形例3)
ここで、変形例3として、積層金属シート13のキャリア銅箔層13aと極薄銅箔層13bの順を逆にして工程1で加工して積層基板100を作る。そして工程2から工程11までの各工程で加工する。次に、上記の工程12の替りに、多層配線構造30に残った銅箔層(キャリア銅箔層13a)をエッチングレジストパターンで保護してエッチングすることで、図5(m)のように凸端子1を形成する。すなわち、層間絶縁樹脂層31に埋め込まれた逆円錐台状のビアホール32の上面(上底)の上に凸端子1のパターンを形成する。この変形例3の場合は、凸端子1の上に半導体素子のバンプ(接続端子)を半田付け接続する。
ここで、変形例3として、積層金属シート13のキャリア銅箔層13aと極薄銅箔層13bの順を逆にして工程1で加工して積層基板100を作る。そして工程2から工程11までの各工程で加工する。次に、上記の工程12の替りに、多層配線構造30に残った銅箔層(キャリア銅箔層13a)をエッチングレジストパターンで保護してエッチングすることで、図5(m)のように凸端子1を形成する。すなわち、層間絶縁樹脂層31に埋め込まれた逆円錐台状のビアホール32の上面(上底)の上に凸端子1のパターンを形成する。この変形例3の場合は、凸端子1の上に半導体素子のバンプ(接続端子)を半田付け接続する。
この多層配線構造30は、層間絶縁樹脂層の厚さが、半導体素子のバンプを半田付け接続する側の面から、その反対側の面まで、層間絶縁樹脂層の厚さが順次に厚く形成されている。その半導体素子のバンプを多層配線構造30のビアホール32の上底(あるいはその上の凸端子1)に半田付けして半導体素子を搭載する場合に、層間絶縁樹脂層31側に偏って熱が加わり、その熱ストレスにより、半導体素子の搭載面側を凸にするように多層配線構造30が反る。
一方、半導体素子搭載面から遠いほど層間絶縁樹脂層を厚く形成することで、半導体素子の搭載面から遠い層間絶縁樹脂層に熱が伝導するとその層間絶縁樹脂層が大きく膨張することで、半導体素子の搭載面側を凹にするように多層配線構造30が反るストレスが働
く。そのストレスが、層間絶縁樹脂層31側に偏って熱が加わることによる熱ストレスに対抗する。それにより、半導体素子搭載面に偏った熱ストレスを、アンバランスな厚さの層間絶縁樹脂層が、半導体素子搭載面側に凹になるように反るストレスを発生させることで打ち消して、多層配線板全体での反りを抑制できる効果がある。
く。そのストレスが、層間絶縁樹脂層31側に偏って熱が加わることによる熱ストレスに対抗する。それにより、半導体素子搭載面に偏った熱ストレスを、アンバランスな厚さの層間絶縁樹脂層が、半導体素子搭載面側に凹になるように反るストレスを発生させることで打ち消して、多層配線板全体での反りを抑制できる効果がある。
(ランド部分のめっき)
次に、ソルダーレジスト開口部38aのランド37bの面、及び、ビアホール32の上底面(あるいは凸端子1の面)に、無電解Niめっきを3μm以上形成し、その上に無電解Pdめっきを介して無電解Auめっきを0.03μm以上形成する。無電解Auめっきは1μm以上形成しても良い。更にその上にはんだをプリコートすることも可能である。
次に、ソルダーレジスト開口部38aのランド37bの面、及び、ビアホール32の上底面(あるいは凸端子1の面)に、無電解Niめっきを3μm以上形成し、その上に無電解Pdめっきを介して無電解Auめっきを0.03μm以上形成する。無電解Auめっきは1μm以上形成しても良い。更にその上にはんだをプリコートすることも可能である。
あるいは、ソルダーレジスト開口部38aに、電解Niめっきを3μm以上形成し、その上に電解Auめっきを0.5μm以上形成しても良い。更に、ソルダーレジスト開口部38aに、金属めっき以外に、有機防錆皮膜を形成しても良い。
(外形加工)
次に、多層配線構造30の外形をダイサーなどで加工して個片の多層配線板に分離する。
次に、多層配線構造30の外形をダイサーなどで加工して個片の多層配線板に分離する。
なお、以上の実施形態では、図4及び図5で、3層の層間絶縁樹脂層の多層配線構造30を形成して多層配線板を製造する場合を示したが、その多層配線構造30に形成する層間絶縁樹脂層は3層に限らず、最終的に製造する多層配線板の構造の必要に応じて適宜、2層、あるいは4層以上の層数の層間絶縁樹脂層の多層配線構造30を形成することができる。
1・・・凸端子
10・・・支持基板
11・・・銅箔
12・・・絶縁樹脂材料
12a・・・半硬化絶縁樹脂シート
13・・・積層金属シート
13a・・・キャリア銅箔層
13b・・・極薄銅箔層
14・・・額縁部
20・・・離型フィルム
30・・・多層配線構造
31、34、36・・・層間絶縁樹脂層
32、35、37・・・ビアホール
32a・・・ビアホール下穴
32b、35b、37b・・・ビアホールのランド
33、35c・・・配線パターン
38・・・ソルダーレジスト
38a・・・ソルダーレジスト開口部
40・・・切断線
100・・・積層基板
10・・・支持基板
11・・・銅箔
12・・・絶縁樹脂材料
12a・・・半硬化絶縁樹脂シート
13・・・積層金属シート
13a・・・キャリア銅箔層
13b・・・極薄銅箔層
14・・・額縁部
20・・・離型フィルム
30・・・多層配線構造
31、34、36・・・層間絶縁樹脂層
32、35、37・・・ビアホール
32a・・・ビアホール下穴
32b、35b、37b・・・ビアホールのランド
33、35c・・・配線パターン
38・・・ソルダーレジスト
38a・・・ソルダーレジスト開口部
40・・・切断線
100・・・積層基板
Claims (5)
- 複数の層間絶縁樹脂層が積層され、前記層間絶縁樹脂層の間に配線パターンの層を有し、前記配線パターンの層間をビアホールで電気接続された多層配線構造を有する多層配線板であって、片面に半導体素子が搭載され、前記層間絶縁樹脂層の厚さを、前記半導体素子を搭載する面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成したことを特徴とする多層配線板。
- 請求項1記載の多層配線板であって、前記ビアホールの内部は金属にて充填されており、該ビアホールは前記ビアホールの前記半導体素子搭載面から遠い側の配線パターンの層に設けられるランドと一体構造となることを特徴とする多層配線板。
- 請求項1又は2に記載の多層配線板であって、前記半導体素子を搭載する面側の層間絶縁樹脂層に対する前記半導体素子を搭載する面から最も遠ざかった側の層間絶縁樹脂層の厚さの比が5倍以下であることを特徴とする多層配線板。
- 絶縁樹脂シートの外側に、該絶縁樹脂シートよりも寸法が小さく、両面に複数の金属層が剥離可能に積層されて成る積層金属シートを重ねて形成した積層基板を製造する工程と、
前記積層金属シートの外側に第1の層間絶縁樹脂層を積層し、第1の層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって前記積層金属シートの前記積層金属シートに達するビアホール下穴を形成し、該ビアホール下穴を銅めっきにより充填することでビアホールを形成する工程と、
第1の層間絶縁樹脂層の外側に、内側の層間絶縁樹脂層よりも厚い層間絶縁樹脂層を積層し、該層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって該層間絶縁樹脂層にビアホール下穴を形成し、該ビアホール下穴を銅めっきにより充填することでビアホールを形成する工程を繰り返すことで外側に順次に層間絶縁樹脂層とビアホールを形成する工程と、
前記積層金属シートの金属層を剥離することで、第1の層間絶縁樹脂層とその外側の層間絶縁樹脂層と、前記第1の層間絶縁樹脂層及び前記その外側の層間絶縁樹脂層の中のビアホールと配線パターンから成る多層配線構造を、前記積層基板から分離する工程を有することを特徴とする多層配線板の製造方法。 - 請求項4記載の多層配線板の製造方法であって、前記第1の層間絶縁樹脂層に対する最も外側の層間絶縁樹脂層の厚さの比が5倍以下であることを特徴とする多層配線板の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016178101A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-10-06 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板積層体、これを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2020027022A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 京セラ株式会社 | 印刷配線板及び印刷配線板の製造方法 |
US10945334B2 (en) | 2019-03-27 | 2021-03-09 | Ibiden Co., Ltd. | Wiring substrate |
US10986729B2 (en) | 2019-03-27 | 2021-04-20 | Ibiden Co., Ltd. | Wiring substrate |
US11116080B2 (en) | 2019-03-27 | 2021-09-07 | Ibiden Co., Ltd. | Wiring substrate |
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-
2013
- 2013-02-06 JP JP2013021389A patent/JP2014154631A/ja active Pending
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