JP2014154565A - 撮像装置、半導体製造装置および半導体製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェーハが載置される、円形の底部と側壁部からなる凹状のウェーハ載置部を上面に有するサセプタと、サセプタが設置される反応室と、反応室の上方に設けられ、半導体ウェーハおよびウェーハ載置部を撮像する撮像部と、撮像部が撮像した画像に基づいて、半導体ウェーハのウェーハ載置部からのずれを解析する画像解析部とを備える。
【選択図】図1
Description
本実施形態に係る半導体製造装置100は、半導体ウェーハ200の表面に、結晶層としてエピタキシャル層を形成する処理を行うものである。
反応室110は、密封状態とすることが可能なものであり、反応ガスが充填されている。そのため、反応室110が高温雰囲気となることで、半導体ウェーハ200の表面にエピタキシャル層を成長させることが可能となる。この反応室110内には、半導体ウェーハ200を載置するためのサセプタ120が設けられている。
図3は撮像部150の概略図である。図3(A)は外観を示しており、(B)および(C)は断面構造を示している。
110 反応室
120 サセプタ
121 ウェーハ載置部
121d 隙間
122 予熱リング
122d 隙間
130 石英ドーム
140 ランプユニット
141a、141b ハロゲンランプ
150 撮像部
151 CCDカメラ
152 収容ケース
153 透光性部材
200 半導体ウェーハ
Claims (36)
- 半導体製造装置の反応室内に配置された第1の対象物および第2の対象物を撮像する撮像部と、
前記撮像部が撮像した画像に基づいて、前記第1の対象物および前記第2の対象物の適切な配置位置からのずれを解析する画像解析部とを備える撮像装置。 - 前記第1の対象物は、半導体ウェーハであり、
前記第2の対象物は、前記半導体ウェーハが載置される、円形の底部と側壁部からなる凹状のウェーハ載置部であり、
前記ずれは、前記撮像部が撮像した画像に基づいて、前記半導体ウェーハの端部と前記ウェーハ載置部の側壁部との間の距離を測定することにより解析されることを特徴とする請求項1記載の撮像装置。 - 前記第1の対象物は、半導体ウェーハが載置される、円形の底部と側壁部からなる凹状のウェーハ載置部を上面に有するサセプタであり、
前記第2の対象物は、前記サセプタの周囲に設けられた予熱リングであり、
前記ずれは、前記撮像部が撮像した画像に基づいて、前記サセプタと前記予熱リングとの間の距離を測定することにより解析されることを特徴とする請求項1記載の撮像装置。 - 前記サセプタは、上下に移動可能なものであって、
前記撮像部は、前記サセプタが前記撮像部に最も近い位置にある場合に、前記第1の対象物および前記第2の対象物を撮像することを特徴とする請求項3記載の撮像装置。 - 前記撮像部は、前記第1の対象物の一部および前記第2の対象物の一部を撮像することを特徴とする請求項1〜4いずれか一項記載の撮像装置。
- 前記撮像部は、
特定の波長の光を遮蔽する透光性部材を有することを特徴とする請求項1から5いずれか一項記載の撮像装置。 - 前記透光性部材は、赤外線を遮蔽することを特徴とする請求項6記載の撮像装置。
- 前記撮像部は、
撮像素子と、
前記撮像素子を収容する、前記透光性部材が取り付けられた収容ケースと、
前記収容ケース内に冷却媒体を供給する冷却媒体供給手段と
を有し、
前記透光性部材は、
両面あるいは片面に金膜を有する石英ガラス板であることを特徴とする請求項6または7記載の撮像装置。 - 前記収容ケースは、
表面に金膜を有するものであることを特徴とする請求項8記載の撮像装置。 - 前記撮像装置は、さらに、
前記ずれが所定の値を超えた場合に、警告を通知する警告通知部を備えることを特徴とする請求項1から9いずれか一項記載の撮像装置。 - 前記撮像装置は、さらに、
前記通知を表示する表示画面を備えることを特徴とする請求項10記載の撮像装置。 - 前記撮像装置は、さらに、
前記所定の値の設定を行うための設定画面を備えることを特徴とする請求項10または11記載の撮像装置。 - 前記撮像装置は、さらに、
前記撮像部が撮像した画像を記録する画像記録部を備えることを特徴とする請求項1から12いずれか一項記載の撮像装置。 - 半導体製造装置の反応室内に配置された第1の対象物および第2の対象物、ならびに、第3の対象物および第4の対象物を撮像する撮像部と、
前記撮像部が撮像した画像に基づいて、前記第1の対象物および前記第2の対象物、ならびに、前記第3の対象物および前記第4の対象物の適切な配置位置からのずれを解析する画像解析部とを備える撮像装置。 - 前記第1の対象物は、半導体ウェーハであり、
前記第2の対象物は、前記半導体ウェーハが載置される、円形の底部と側壁部からなる凹状のウェーハ載置部であり、
前記第3の対象物は、前記ウェーハ載置部を上面に有するサセプタであり、
前記第4の対象物は、前記サセプタの周囲に設けられた予熱リングであり、
前記ずれは、前記撮像部が撮像した画像に基づいて、前記半導体ウェーハの端部と前記ウェーハ載置部の側壁部との間の距離を測定すること、および、前記サセプタと前記予熱リングとの間の距離を測定することにより解析されることを特徴とする請求項14記載の撮像装置。 - 半導体ウェーハが載置される、円形の底部と側壁部からなる凹状のウェーハ載置部を上面に有するサセプタと、
前記サセプタが設置される反応室と、
前記反応室の上方に設けられ、該反応室内に配置された第1の対象物および第2の対象物を撮像する撮像部と、
前記撮像部が撮像した画像に基づいて、前記第1の対象物および前記第2の対象物の適切な配置位置からのずれを解析する画像解析部とを備える半導体製造装置。 - 前記第1の対象物は、前記半導体ウェーハであり、
前記第2の対象物は、前記ウェーハ載置部であり、
前記ずれは、前記撮像部が撮像した画像に基づいて、前記半導体ウェーハの端部と前記ウェーハ載置部の側壁部との間の距離を測定することにより解析されることを特徴とする請求項16記載の半導体製造装置。 - 前記第1の対象物は、前記サセプタであり、
前記第2の対象物は、前記サセプタの周囲に設けられた予熱リングであり、
前記ずれは、前記撮像部が撮像した画像に基づいて、前記サセプタと前記予熱リングとの間の距離を測定することにより解析されることを特徴とする請求項16記載の半導体製造装置。 - 前記サセプタは、上下に移動可能なものであって、
前記撮像部は、前記サセプタが前記撮像部に最も近い位置にある場合に、前記第1の対象物および前記第2の対象物を撮像することを特徴とする請求項16から18いずれか一項記載の半導体製造装置。 - 前記サセプタは、前記撮像部が前記第1の対象物および前記第2の対象物を撮像する際の焦点となるターゲットを有することを特徴とする請求項16から19いずれか一項記載の半導体製造装置。
- 前記撮像部は、前記第1の対象物の一部および前記第2の対象物の一部を撮像することを特徴とする請求項16〜20いずれか一項記載の半導体製造装置。
- 前記撮像部は、
特定の波長の光を遮蔽する透光性部材を有することを特徴とする請求項16から21いずれか一項記載の半導体製造装置。 - 前記透光性部材は、赤外線を遮蔽することを特徴とする請求項22記載の半導体製造装置。
- 前記撮像部は、
撮像素子と、
前記撮像素子を収容する、前記透光性部材が取り付けられた収容ケースと、
前記収容ケース内に冷却媒体を供給する冷却媒体供給手段と
を有し、
前記透光性部材は、
両面あるいは片面に金膜を有する石英ガラス板であることを特徴とする請求項22または23記載の半導体製造装置。 - 前記収容ケースは、
表面に金膜を有するものであることを特徴とする請求項24記載の半導体製造装置。 - 前記半導体製造装置は、さらに、
前記ずれが所定の値を超えた場合に、警告を通知する警告通知部を備えることを特徴とする請求項16から25いずれか一項記載の半導体製造装置。 - 前記半導体製造装置は、さらに、
前記通知を表示する表示画面を備えることを特徴とする請求項26記載の半導体製造装置。 - 前記半導体製造装置は、さらに、
前記所定の値の設定を行うための設定画面を備えることを特徴とする請求項26または27記載の半導体製造装置。 - 前記半導体製造装置は、さらに、
前記撮像部が撮像した画像を記録する画像記録部を備えることを特徴とする請求項16から28いずれか一項記載の半導体製造装置。 - 前記半導体製造装置は、さらに、
前記反応室の上方に、前記半導体ウェーハを加熱するための加熱部を備えることを特徴とする請求項16から29いずれか一項記載の半導体製造装置。 - 前記加熱部は、赤外線を放射する熱源であることを特徴とする請求項30記載の半導体製造装置。
- 半導体ウェーハが載置される、円形の底部と側壁部からなる凹状のウェーハ載置部を上面に有するサセプタと、
前記サセプタが設置される反応室と、
前記反応室の上方に設けられ、該反応室内に配置された第1の対象物および第2の対象物、ならびに、第3の対象物および第4の対象物を撮像する撮像部と、
前記撮像部が撮像した画像に基づいて、前記第1の対象物および前記第2の対象物、ならびに、前記第3の対象物および前記第4の対象物の適切な配置位置からのずれを解析する画像解析部とを備える半導体製造装置。 - 前記第1の対象物は、前記半導体ウェーハであり、
前記第2の対象物は、前記凹状のウェーハ載置部であり、
前記第3の対象物は、前記サセプタであり、
前記第4の対象物は、前記サセプタの周囲に設けられた予熱リングであり、
前記ずれは、前記撮像部が撮像した画像に基づいて、前記半導体ウェーハの端部と前記ウェーハ載置部の側壁部との間の距離を測定すること、および、前記サセプタと前記予熱リングとの間の距離を測定することにより解析されることを特徴とする請求項32記載の半導体製造装置。 - 反応室内に配置された第1の対象物および第2の対象物を撮像するステップと、
撮像された画像に基づいて、前記第1の対象物および前記第2の対象物の適切な配置位置からのずれを解析するステップとを備える半導体製造方法。 - 前記第1の対象物は、半導体ウェーハであり、
前記第2の対象物は、前記半導体ウェーハが載置される、円形の底部と側壁部からなる凹状のウェーハ載置部であり、
前記ずれは、前記撮像部が撮像した画像に基づいて、前記半導体ウェーハの端部と前記ウェーハ載置部の側壁部との間の距離を測定することにより解析されることを特徴とする請求項34記載の半導体製造方法。 - 前記第1の対象物は、半導体ウェーハが載置される、円形の底部と側壁部からなる凹状のウェーハ載置部を上面に有するサセプタであり、
前記第2の対象物は、前記サセプタの周囲に設けられた予熱リングであり、
前記ずれは、前記撮像部が撮像した画像に基づいて、前記サセプタと前記予熱リングとの間の距離を測定することにより解析されることを特徴とする請求項34記載の半導体製造方法。
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