JP2014147967A - チャンバシステム及び被処理物の処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】チャンバの小型化と被処理物の加熱の高速化とを同時に実現することができるチャンバシステムを提供する。
【解決手段】チャンバシステム１は、気密空間Ｓが内部に形成されるチャンバ１８と、チャンバ１８の気密空間Ｓの外部に配置される加熱部２０と、チャンバ１８に対して加熱部２０を昇降させるラボジャッキ４０とを備える。チャンバ１８は、第１のチャンバ部材５４と、第１のチャンバ部材５４よりも熱伝導率が高い第２のチャンバ部材５６とを含んでいる。第２のチャンバ部材５６は、第１のチャンバ部材５４に形成された開口部５４Ａを塞ぐように配置される。第２のチャンバ部材５６は、被処理物Ｗが載置される載置面５６Ａと、第１のチャンバ部材５４の開口部５４Ａからチャンバ１８の外部に露出する露出面５６Ｂとを有している。ラボジャッキ４０により第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂに対する加熱部２０の接触と離脱とを行う。
【選択図】図３

Description

本発明は、チャンバシステムに係り、特にチャンバ内に配置された被処理物を加熱及び冷却する機構に関するものである。

例えば、回路基板などへのはんだ接合に際しては、その処理雰囲気に酸素が含まれていると酸化膜が形成され、はんだ接合が阻害されるので、窒素雰囲気のチャンバ内又は真空引きしたチャンバ内に回路基板を配置し、このチャンバ内で回路基板が加熱されることが多い。

このようにチャンバ内に配置された被処理物を加熱するものとして、従来から、ヒータなどの加熱機構を一体化又は内蔵したチャンバが知られている（例えば特許文献１参照）。しかしながら、加熱機構を一体化又は内蔵したチャンバは、チャンバの構成要素として加熱機構を含んでいるため、チャンバが大きくなってしまい、種々の問題を生ずる。例えば、チャンバが大きくなることにより、１つの金属で形成することが難しくなり、部品の数が増えてしまう。また、これにより部品同士の継ぎ目が増えるため、チャンバ内の気密性が低下するおそれがある。さらに、チャンバの製造コストも高くなってしまう。

また、例えば金めっきの上にはんだ接合をする場合、加熱及び冷却の速度が遅いとはんだが脆くなる傾向があるため、加熱及び冷却を高速化してはんだ接合の信頼性を向上することが望まれている。

特開２０１２−５４２６８号公報

本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、チャンバの小型化と被処理物の加熱の高速化とを同時に実現することができるチャンバシステムを提供することを第１の目的とする。

また、本発明は、小型のチャンバ内で迅速に被処理物を加熱することができる被処理物の処理方法を提供することを第２の目的とする。

本発明の第１の態様によれば、チャンバの小型化と被処理物の加熱の高速化とを同時に実現することができるチャンバシステムが提供される。このチャンバシステムは、被処理物が収容される気密空間が内部に形成されるチャンバと、上記被処理物を加熱するヒータを備えた加熱部と、上記チャンバと上記加熱部とを相対移動させる第１の移動機構とを備えている。上記加熱部は、上記チャンバの気密空間の外部に配置される。上記チャンバは、第１の熱伝導率を有する第１のチャンバ部材と、上記第１の熱伝導率よりも高い第２の熱伝導率を有する第２のチャンバ部材とを含んでいる。上記第２のチャンバ部材は、上記第１のチャンバ部材に形成された開口部を塞ぐように配置される。上記第２のチャンバ部材は、上記被処理物が載置される載置面と、該載置面の反対側で上記第１のチャンバ部材の開口部から上記チャンバの外部に露出する露出面とを有している。上記第１の移動機構は、上記チャンバと上記加熱部との相対移動により上記第２のチャンバ部材の露出面に対する上記加熱部の接触と離脱とを行う。

このような構成においては、第１の移動機構により加熱部を第２のチャンバ部材の露出面に接触させて加熱部の熱を第２のチャンバ部材を介して被処理物に伝達することができる。しかも、第２のチャンバ部材の熱伝導率（第２の熱伝導率）を第１のチャンバ部材の熱伝導率（第１の熱伝導率）よりも高くしているので、加熱部に蓄積された熱を効果的に被処理物に伝達することができ、被処理物を短時間で所定の温度に加熱することができる。

また、加熱部はチャンバの外部に配置されているので、加熱部のためのスペースをチャンバ内に確保する必要がなく、チャンバを小型化することができる。したがって、部品点数を少なくしてチャンバ内の気密性を維持し、チャンバの製造コストを低減することができる。また、チャンバ内の雰囲気ガスの調整（例えば真空引きやガスの置換）も短時間で完了することができる。

上記チャンバシステムは、上記被処理物からの熱を吸収する冷却部と、上記チャンバと上記冷却部とを相対移動させて、上記第２のチャンバ部材の露出面に対する上記冷却部の接触と離脱とを行う第２の移動機構とをさらに備えていてもよい。この場合に、上記冷却部は、上記チャンバの気密空間の外部に配置される。このような第２の移動機構により冷却部を第２のチャンバ部材の露出面に接触させることで、被処理物の熱が急速に冷却部に吸収されるため、被処理物を短時間で冷却することができる。

また、上記チャンバシステムは、上記第２のチャンバ部材の露出面の位置と上記加熱部の位置とが揃う加熱位置と、上記第２のチャンバ部材の露出面の位置と上記冷却部の位置とが揃う冷却位置との間で、上記チャンバと上記加熱部と上記冷却部とを相対移動させる第３の移動機構をさらに備えていてもよい。このような構成により、チャンバ内の気密空間に被処理物を収容したまま、加熱工程から冷却工程に移ることができるので、被処理物のチャンバへの搬入とチャンバからの搬出の作業が不要になり、作業時間を短縮することができる。また、チャンバ内の気密空間に被処理物を収容したまま、加熱工程から冷却工程に移ることができるので、被処理物にパーティクルが付着して汚染されることを防止することができる。

上記加熱部は、上記ヒータからの熱を蓄積可能な加熱ブロックを有していてもよい。この場合に、上記第２のチャンバ部材の露出面に接触する上記加熱ブロックの接触面の面積及び形状が上記被処理物の所望の加熱領域の面積及び形状と略同一であることが好ましい。加熱ブロックの接触面の面積及び形状を変更することはヒータの形状を変更することよりも容易であるので、加熱ブロックの接触面の面積及び形状を被処理物の所望の加熱領域の面積及び形状と略同一にすることで、より効率的に被処理物の所望の加熱領域に対して熱を伝達することが可能となる。なお、この加熱ブロックは、上記第２のチャンバ部材の露出面との熱接触を向上させる熱接触シートを含んでいてもよい。

本発明の第２の態様によれば、小型のチャンバ内で迅速に被処理物を加熱することができる被処理物の処理方法が提供される。この方法では、第１の熱伝導率を有する第１のチャンバ部材と、上記第１の熱伝導率よりも高い第２の熱伝導率を有し、上記第１のチャンバ部材に形成された開口部を塞ぐように配置された第２のチャンバ部材とを含むチャンバの内部に形成された気密空間内で上記第２のチャンバ部材の載置面に載置された被処理物が処理される。上記第２のチャンバ部材の載置面の反対側で上記第１のチャンバ部材の開口部から上記チャンバの外部に露出する露出面に上記チャンバの外部からヒータを備えた加熱部を接触させて、上記ヒータの熱を上記第２のチャンバ部材を介して上記被処理物に伝達させて上記被処理物を加熱する。上記加熱部を上記第２のチャンバ部材の露出面から離脱させて、上記被処理物の熱を上記第２のチャンバ部材を介して放熱する。

このように、加熱部を第２のチャンバ部材の露出面に接触させて加熱部の熱を第２のチャンバ部材を介して被処理物に伝達することができる。しかも、第２のチャンバ部材の熱伝導率（第２の熱伝導率）を第１のチャンバ部材の熱伝導率（第１の熱伝導率）よりも高くしているので、加熱部に蓄積された熱を効果的に被処理物に伝達することができ、被処理物を短時間で所定の温度に加熱することができる。

また、加熱部をチャンバの外部から第２のチャンバ部材の露出面に接触させているので、加熱部のためのスペースをチャンバ内に確保する必要がなく、小型のチャンバを用いることができる。

また、冷却部を上記第２のチャンバ部材の露出面に上記チャンバの外部から接触させて、上記被処理物からの熱を上記第２のチャンバ部材を介して上記冷却部に吸収させて上記被処理物を冷却してもよい。このように冷却部を第２のチャンバ部材の露出面に接触させることで、被処理物の熱が急速に冷却部に吸収されるため、被処理物を短時間で冷却することができる。

さらに、上記第２のチャンバ部材の露出面の位置と上記加熱部の位置とが揃う加熱位置と、上記第２のチャンバ部材の露出面の位置と上記冷却部の位置とが揃う冷却位置との間で、上記チャンバと上記加熱部と上記冷却部とを相対移動させてもよい。このような構成により、チャンバ内の気密空間に被処理物を収容したまま、加熱工程から冷却工程に移ることができるので、被処理物のチャンバへの搬入とチャンバからの搬出の作業が不要になり、作業時間を短縮することができる。また、チャンバ内の気密空間に被処理物を収容したまま、加熱工程から冷却工程に移ることができるので、被処理物にパーティクルが付着して汚染されることを防止することができる。

また、上記ヒータからの熱を上記加熱部の加熱ブロックに蓄積し、上記被処理物の所望の加熱領域の面積及び形状と略同一の面積及び形状を有する接触面で上記加熱部の加熱ブロックを上記第２のチャンバ部材の露出面に接触させてもよい。加熱ブロックの接触面の面積及び形状を変更することはヒータの形状を変更することよりも容易であるので、加熱ブロックの接触面の面積及び形状を被処理物の所望の加熱領域の面積及び形状と略同一にすることで、より効率的に被処理物の所望の加熱領域に対して熱を伝達することが可能となる。この場合において、上記加熱ブロックの熱接触シートにより上記第２のチャンバ部材の露出面との熱接触を向上させてもよい。

本発明によれば、チャンバの小型化と被処理物の加熱の高速化とを同時に実現することができるチャンバシステムを提供することができる。また、本発明によれば、小型のチャンバ内で高速で被処理物を加熱することができる被処理物の処理方法を提供することができる。

本発明の一実施形態におけるチャンバシステムを示す正面図である。 図１のチャンバシステムの側面図である。 図２のIII−III線断面図である。 図３のチャンバシステムにおいて加熱部を上昇させた状態を示す断面図である。 図２のチャンバシステムにおいてチャンバを冷却位置に移動させた状態を示す側面図である。

以下、本発明に係るチャンバシステムの実施形態について図１から図５を参照して詳細に説明する。なお、図１から図５において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

図１は本発明の一実施形態におけるチャンバシステム１を示す正面図であり、図２は側面図である。図１及び図２に示すように、本実施形態におけるチャンバシステム１は、基台１０と、基台１０から鉛直方向（Ｚ方向）に延びる４本の支柱１２と、支柱１２の所定の高さに取り付けられ、水平方向（Ｘ方向）に延びる上側ガイドレール１４及び下側ガイドレール１６と、下側ガイドレール１６にガイドされてＸ方向に移動自在なチャンバ１８とを備えている。基台１０と４本の支柱１２と２本の下側ガイドレール１６とによって画定される直方体状の空間には、加熱部２０と、加熱部２０とＸ方向に並べて配置される冷却部３０と、加熱部２０を昇降させるラボジャッキ４０と、冷却部３０を昇降させるラボジャッキ４２とが配置されている。

図３は、図２のIII−III線断面図である。図３に示すように、チャンバ１８は、カバー部材５０と、Ｙ方向に延出するガイド部材５２と、チャンバ１８の側壁及び底面の一部を構成する第１のチャンバ部材５４と、第１のチャンバ部材５４に形成された開口部５４Ａを塞ぐように配置された第２のチャンバ部材５６とにより構成されており、これらの部材によりチャンバ１８の内部に気密空間Ｓが画定される。

図１に示すように、ガイド部材５２は、一対の下側ガイドレール１６，１６の間に架け渡されおり、ガイド部材５２と下側ガイドレール１６との摺動によってチャンバ１８がＸ方向に移動できるようになっている。なお、図２に示すように、下側ガイドレール１６には２つのストッパ１７が取り付けられており、チャンバ１８のガイド部材５２の上面に設けられた規制突起５２Ａがこれらのストッパ１７に当接することにより、チャンバ１８のＸ方向の移動が規制されている。

第１のチャンバ部材５４は、耐熱性、耐圧性、耐腐食性などを考慮し、例えばステンレスやガラスなどの材料から形成され、第２のチャンバ部材５６は、第１のチャンバ部材５４の熱伝導率（第１の熱伝導率）よりも高い熱伝導率（第２の熱伝導率）を有する材料、例えばアルミニウムや銅などから形成される。

図３に示すように、第１のチャンバ部材５４には、気密空間Ｓ内に気体を導入するガス導入ポート５４Ｂが形成されている。例えば、このガス導入ポート５４Ｂから気密空間Ｓに窒素を導入し、ガス排出ポート（図示せず）から気密空間Ｓ内の気体を排出することにより、気密空間Ｓ内を窒素雰囲気にすることができる。なお、導入する気体は窒素に限られず、気密空間Ｓ内で行われる処理に応じて種々の気体を用いることができる。また、ガス導入ポート５４Ｂから気密空間Ｓ内の気体を吸引して気密空間Ｓ内を真空引きしてもよい。

図３に示すように、第２のチャンバ部材５６の上面（載置面５６Ａ）には被処理物Ｗが載置される。この載置面５６Ａに載置された被処理物Ｗに対して気密空間Ｓ内で所定の処理が行われる。本実施形態では、被処理物（回路基板）Ｗのはんだ接合が行われる。すなわち、回路基板Ｗ上の一部の所定の領域にはんだＰが塗布され、そのはんだＰの上には回路基板Ｗに接合する回路要素１００が配置される。回路基板Ｗを後述する加熱部２０によって加熱してはんだＰを溶融した後、後述する冷却部３０によって冷却することで回路要素１００が回路基板Ｗにはんだ接合される。

ここで、第２のチャンバ部材５６の下面の一部（露出面５６Ｂ）は、第１のチャンバ部材５４の開口部５４Ａにおいてチャンバ１８の外部に露出している。この露出面５６Ｂには、後述する加熱部２０の加熱ブロック及び冷却部３０の冷却ブロックが接触するようになっている。

図１及び図２に示すように、加熱部２０は、チャンバ１８の気密空間Ｓの外部に配置されている。この加熱部２０は、ヒータ２２と、ヒータ２２上に載置された加熱ブロック２４とを備えている。加熱ブロック２４は、ヒータ２２からの熱を蓄積しておくために用いられるもので、図３に示すように、蓄熱体２５と、この蓄熱体２５の上面に貼付された熱接触シート２６とから構成される。蓄熱体２５の体積は大きいことが好ましく、また熱容量が大きいことが好ましい。蓄熱体２５の材料として例えばセラミックなどを用いることができるが、後述するように、熱伝導率の高い材料、例えば銅を用いることがより好ましい。熱接触シート２６は、加熱ブロック２４を第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂに接触させたときにこれらの間に形成される隙間をなくすことにより露出面５６Ｂと加熱ブロック２４との熱接触を向上させるもので、例えば薄いグラファイトシートから形成される。また、この熱接触シート２６により、露出面５６Ｂとの間に隙間を形成せずに加熱ブロック２４を露出面５６Ｂに押しつけることができるので、接触面全体にわたって均等に加熱ブロック２４を押しつけることができる。したがって、熱接触シート２６は、第２のチャンバ部材５６の反りを抑える効果も有する。

ここで、加熱ブロック２４の平面形状は、被処理物Ｗ上のはんだＰの形状、すなわち被処理物Ｗの加熱したい領域（加熱領域）の形状と略同一とされている。換言すれば、露出面５６Ｂに接触する加熱ブロック２４の接触面の面積及び形状は、加熱するはんだＰと同じ面積及び形状とされる。加熱ブロック２４の接触面の面積及び形状を変更することはヒータ２２の形状を変更することよりも容易であるので、加熱ブロック２４の接触面の面積及び形状を被処理物Ｗの所望の加熱領域の面積及び形状と略同一にすることで、より効率的に被処理物Ｗの所望の加熱領域に対して熱を伝達することが可能となる。

図２に示すように、冷却部３０も、チャンバ１８の気密空間Ｓの外部に配置されている。この冷却部３０は、被処理物Ｗから熱を吸収するための冷却ブロック３２を備えている。冷却ブロック３２の体積は大きいことが好ましく、また熱容量が大きいことが好ましい。また、冷却ブロック３２の材料としては、熱伝導率の高い材料、例えば銅を用いることが好ましい。この冷却ブロック３２の平面形状は、加熱ブロック２４に関して述べたのと同様の理由により、被処理物Ｗ上のはんだＰの形状、すなわち被処理物Ｗの冷却したい領域（冷却領域）の形状と略同一とされている。

次に、このような構成のチャンバシステム１を用いた被処理物Ｗの処理（本実施形態では回路基板Ｗのはんだ接合）について説明する。

まず、チャンバ１８内の第２のチャンバ部材５６の載置面５６Ａに被処理物としての回路基板Ｗを載置し、その一部の所定の領域にはんだＰを塗布する。さらに回路基板Ｗに接合する回路要素１００をはんだＰ上の所定の位置に配置する。そして、カバー部材５０を閉じることでチャンバ１８内の気密空間Ｓに回路基板Ｗを収容する。

そして、加熱部２０のヒータ２２を作動させ、ヒータ２２からの熱を加熱ブロック２４の蓄熱体２５に蓄積させる。このとき、チャンバ１８のガイド部材５２を下側ガイドレール１６に沿って摺動させて、図２に示す加熱位置にチャンバ１８を配置する。この加熱位置では、第２のチャンバ部材５６の露出面５６ＢのＸ方向の位置と加熱部２０の加熱ブロック２４のＸ方向の位置とが揃うようになっている。

加熱ブロック２４が十分に加熱された後、ラボジャッキ４０のハンドル４０Ａ（図１参照）を操作してラボジャッキ４０を鉛直方向に上昇させ、ラボジャッキ４０上に載置された加熱部２０を上昇させる。これにより、チャンバ１８の第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂに加熱ブロック２４の上面（熱接触シート２６の上面）を接触させ、さらに加熱ブロック２４を第２のチャンバ部材５６に押圧する。このとき、気密空間Ｓ内の回路要素１００の上方から鉛直下方に向かって一定の荷重をかけておく。図４はこのときの状態を示している。

これにより、加熱ブロック２４に蓄積された熱が第２のチャンバ部材５６を介して回路基板Ｗに伝達され、回路基板Ｗ上のはんだＰを溶融する。ここで、第１のチャンバ部材５４の熱伝導率（第１の熱伝導率）が第２のチャンバ部材５６の熱伝導率（第２の熱伝導率）以上であれば、加熱ブロック２４からの熱が第１のチャンバ部材５４に逃げてしまい熱を効果的に回路基板Ｗに伝達することができない。したがって、第２のチャンバ部材５６の熱伝導率（第２の熱伝導率）を第１のチャンバ部材５４の熱伝導率（第１の熱伝導率）よりも高くすることが好ましい。第２のチャンバ部材５６の熱伝導率（第２の熱伝導率）を第１のチャンバ部材５４の熱伝導率（第１の熱伝導率）よりも高くすることにより、加熱ブロック２４に蓄積された熱を効果的に回路基板Ｗに伝達することができ、回路基板Ｗを短時間で所定の温度に加熱することができる。例えば９０秒で回路基板Ｗの加熱及びはんだＰの溶融を行うことができる。なお、この回路基板Ｗの加熱中は、ガス導入ポート５４Ｂから気密空間Ｓに窒素を導入し、ガス排出ポートから気密空間Ｓ内の気体を排出することにより、気密空間Ｓ内を窒素雰囲気にし、はんだＰの酸化を防止する。

加熱ブロック２４を第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂに接触させている間はヒータ２２の作動を継続することが好ましい。この場合において、加熱ブロック２４の蓄熱体２５として熱伝導率の高い材料（例えば銅）を用いることにより、ヒータ２２からの熱を効率的に蓄熱体２５に伝達することで、蓄熱体２５から回路基板Ｗに伝達された熱をヒータ２２からの熱で補うようにすることが好ましい。

上述した加熱部２０による加熱によりはんだＰを溶融させた後、ラボジャッキ４０のハンドル４０Ａを操作してラボジャッキ４０を鉛直下方に下降させ、ラボジャッキ４０上に載置された加熱部２０を下降させる。これにより、チャンバ１８の第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂから加熱ブロック２４の上面（熱接触シート２６の上面）を離脱させて、回路基板Ｗの加熱を終了する。

このように、本実施形態におけるラボジャッキ４０は、チャンバ１８に対して加熱部２０を移動させて、第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂに対する加熱部２０の接触と離脱を行う（第１の）移動機構として機能する。

上述のように加熱ブロック２４を第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂから離脱させれば、回路基板Ｗの熱をこの第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂから自然放熱させることができるが、さらに以下に述べる冷却工程を行うことが好ましい。

まず、チャンバ１８のガイド部材５２を下側ガイドレール１６に沿って摺動させて、図５に示す冷却位置にチャンバ１８を移動させる。この冷却位置では、第２のチャンバ部材５６の露出面５６ＢのＸ方向の位置と冷却部３０の冷却ブロック３２のＸ方向の位置とが揃うようになっている。そして、ラボジャッキ４２のハンドル４２Ａ（図５参照）を操作してラボジャッキ４２を鉛直方向に上昇させ、ラボジャッキ４２上に載置された冷却部３０を上昇させる。これにより、チャンバ１８の第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂに冷却ブロック３２の上面を接触させ、さらに冷却ブロック３２を第２のチャンバ部材５６に押圧する。

これにより、回路基板Ｗの熱が第２のチャンバ部材５６を介して冷却ブロック３２に吸収され、回路基板Ｗ上のはんだＰが冷却される。例えば１２０秒間回路基板Ｗを冷却する。その後、ラボジャッキ４２のハンドル４２Ａを操作してラボジャッキ４２を鉛直下方に下降させ、ラボジャッキ４２上に載置された冷却部３０を下降させる。これにより、チャンバ１８の第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂから冷却ブロック３２の上面を離脱させて、回路基板Ｗの冷却を終了する。

このように、本実施形態におけるラボジャッキ４２は、チャンバ１８に対して冷却部３０を移動させて、第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂに対する冷却部３０の接触と離脱を行う（第２の）移動機構として機能する。上述した特許文献１のような加熱機構を一体化又は内蔵したチャンバでは、チャンバの構造上、冷却機構を組み込むことが難しく、自然冷却により被処理物を冷却しなければならないが、本実施形態によれば、第２の移動機構により冷却部３０の冷却ブロック３２を第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂに接触させることで、回路基板Ｗの熱が急速に冷却ブロック３２に吸収される。したがって、回路基板Ｗを短時間で冷却することができる。

また、下側ガイドレール１６及びチャンバ１８のガイド部材５２は、上述した加熱位置と冷却位置との間で加熱部２０及び冷却部３０に対してチャンバ１８を移動させる（第３の）移動機構として機能する。このような機構により、チャンバ１８内の気密空間に回路基板Ｗを収容したまま、加熱工程から冷却工程に移ることができるので、回路基板Ｗのチャンバ１８への搬入とチャンバ１８からの搬出の作業が不要になり、作業時間を短縮することができる。また、チャンバ１８内の気密空間に回路基板Ｗを収容したまま、加熱工程から冷却工程に移ることができるので、回路基板Ｗにパーティクルが付着して汚染されることを防止することができる。

上述した実施形態では、はんだ接合に用いられるチャンバシステムについて説明したが、本発明は、はんだ接合に限られるものではなく、チャンバ内に配置された被処理物を加熱及び冷却する必要がある種々の技術に適用することができる。

また、上述した実施形態では、第１の移動機構としてラボジャッキ４０を用い、チャンバ１８に対して加熱部２０を昇降したが、第１の移動機構はこれに限られるものではなく、例えば加熱部２０に対してチャンバ１８を移動させてもよい。すなわち、第１の移動機構は、チャンバ１８と加熱部２０とを相対移動させて第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂに対する加熱部２０の接触と離脱を行えるものであればどのようなものであってもよい。

同様に、上述した実施形態では、第２の移動機構としてラボジャッキ４２を用い、チャンバ１８に対して冷却部３０を昇降したが、第２の移動機構はこれに限られるものではなく、例えば冷却部３０に対してチャンバ１８を移動させてもよい。すなわち、第２の移動機構は、チャンバ１８と冷却部３０とを相対移動させて第２のチャンバ部材５６の露出面５６Ｂに対する冷却部３０の接触と離脱を行えるものであればどのようなものであってもよい。また、加熱部２０と冷却部３０とを相互に取り替え可能に設けることもできる。

さらに、上述した実施形態では、第３の移動機構として下側ガイドレール１６及びチャンバ１８のガイド部材５２を用い、加熱部２０及び冷却部３０に対してチャンバ１８を移動させたが、第３の移動機構はこれに限られるものではなく、例えばチャンバ１８に対して加熱部２０及び冷却部３０を移動させてもよい。すなわち、第３の移動機構は、加熱位置と冷却位置との間でチャンバ１８と加熱部２０と冷却部３０とを相対移動させることができるものであればどのようなものであってもよい。

これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。

１ チャンバシステム
１０ 基台
１２ 支柱
１４ 上側ガイドレール
１６ 下側ガイドレール
１７ ストッパ
１８ チャンバ
２０ 加熱部
２２ ヒータ
２４ 加熱ブロック
２５ 蓄熱体
２６ 熱接触シート
３０ 冷却部
３２ 冷却ブロック
４０ ラボジャッキ（第１の移動機構）
４２ ラボジャッキ（第２の移動機構）
５０ カバー部材
５２ ガイド部材
５２Ａ 規制突起
５４ 第１のチャンバ部材
５４Ａ 開口部
５４Ｂ ガス導入ポート
５６ 第２のチャンバ部材
５６Ａ 載置面
５６Ｂ 露出面
１００ 回路要素
Ｓ 気密空間
Ｗ 被処理物（回路基板）
Ｐ はんだ

Claims (10)

1. 被処理物が収容される気密空間が内部に形成されるチャンバと、
   前記被処理物を加熱するヒータを備えた加熱部であって、前記チャンバの気密空間の外部に配置される加熱部と、
   前記チャンバと前記加熱部とを相対移動させる第１の移動機構と、
   を備え、
   前記チャンバは、第１の熱伝導率を有する第１のチャンバ部材と、前記第１の熱伝導率よりも高い第２の熱伝導率を有し、前記第１のチャンバ部材に形成された開口部を塞ぐように配置された第２のチャンバ部材とを含み、
   前記第２のチャンバ部材は、前記被処理物が載置される載置面と、該載置面の反対側で前記第１のチャンバ部材の開口部から前記チャンバの外部に露出する露出面とを有し、
   前記第１の移動機構は、前記チャンバと前記加熱部との相対移動により前記第２のチャンバ部材の露出面に対する前記加熱部の接触と離脱とを行う、
   ことを特徴とするチャンバシステム。
2. 前記被処理物からの熱を吸収する冷却部であって、前記チャンバの気密空間の外部に配置される冷却部と、
   前記チャンバと前記冷却部とを相対移動させて、前記第２のチャンバ部材の露出面に対する前記冷却部の接触と離脱とを行う第２の移動機構と、
   をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載のチャンバシステム。
3. 前記第２のチャンバ部材の露出面の位置と前記加熱部の位置とが揃う加熱位置と、前記第２のチャンバ部材の露出面の位置と前記冷却部の位置とが揃う冷却位置との間で、前記チャンバと前記加熱部と前記冷却部とを相対移動させる第３の移動機構をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載のチャンバシステム。
4. 前記加熱部は、前記ヒータからの熱を蓄積可能な加熱ブロックを有し、
   前記第２のチャンバ部材の露出面に接触する前記加熱ブロックの接触面の面積及び形状は、前記被処理物の所望の加熱領域の面積及び形状と略同一とされる、
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のチャンバシステム。
5. 前記加熱ブロックは、前記第２のチャンバ部材の露出面との熱接触を向上させる熱接触シートを含むことを特徴とする請求項４に記載のチャンバシステム。
6. 第１の熱伝導率を有する第１のチャンバ部材と、前記第１の熱伝導率よりも高い第２の熱伝導率を有し、前記第１のチャンバ部材に形成された開口部を塞ぐように配置された第２のチャンバ部材とを含むチャンバの内部に形成された気密空間内で前記第２のチャンバ部材の載置面に載置された被処理物を処理する方法であって、
   前記第２のチャンバ部材の載置面の反対側で前記第１のチャンバ部材の開口部から前記チャンバの外部に露出する露出面に前記チャンバの外部からヒータを備えた加熱部を接触させて、前記ヒータの熱を前記第２のチャンバ部材を介して前記被処理物に伝達させて前記被処理物を加熱し、
   前記加熱部を前記第２のチャンバ部材の露出面から離脱させて、前記被処理物の熱を前記第２のチャンバ部材を介して放熱させる、
   ことを特徴とする被処理物の処理方法。
7. 冷却部を前記第２のチャンバ部材の露出面に前記チャンバの外部から接触させて、前記被処理物からの熱を前記第２のチャンバ部材を介して前記冷却部に吸収させて前記被処理物を冷却することを特徴とする請求項６に記載の被処理物の処理方法。
8. 前記第２のチャンバ部材の露出面の位置と前記加熱部の位置とが揃う加熱位置と、前記第２のチャンバ部材の露出面の位置と前記冷却部の位置とが揃う冷却位置との間で、前記チャンバと前記加熱部と前記冷却部とを相対移動させることを特徴とする請求項７に記載の被処理物の処理方法。
9. 前記ヒータからの熱を前記加熱部の加熱ブロックに蓄積し、
   前記被処理物の所望の加熱領域の面積及び形状と略同一の面積及び形状を有する接触面で前記加熱部の加熱ブロックを前記第２のチャンバ部材の露出面に接触させることを特徴とする請求項６から８のいずれか一項に記載の被処理物の処理方法。
10. 前記加熱ブロックの熱接触シートにより前記第２のチャンバ部材の露出面との熱接触を向上させることを特徴とする請求項９に記載の被処理物の処理方法。

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