JP2014141720A - Dcマグネトロン型反応性スパッタリング装置および方法 - Google Patents
Dcマグネトロン型反応性スパッタリング装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014141720A JP2014141720A JP2013011875A JP2013011875A JP2014141720A JP 2014141720 A JP2014141720 A JP 2014141720A JP 2013011875 A JP2013011875 A JP 2013011875A JP 2013011875 A JP2013011875 A JP 2013011875A JP 2014141720 A JP2014141720 A JP 2014141720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- region
- reactive sputtering
- sputtering apparatus
- magnetron type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】導電性のターゲットおよび半導体又は絶縁体を形成する様、反応するガスを用いたDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置において、非スパッタ領域に堆積進行する半導体又は絶縁体の化合物薄膜によって誘発される絶縁破壊が抑制でき、安定的に高品質なスパッタ膜が形成可能なDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】DCマグネトロン型反応性スパッタリング装置において、導電性を有するターゲット3の非スパッタ領域2上部を覆うように、ターゲットとの間の電気抵抗が105Ω以上となる防着板7を設け、防着板と前記ターゲット間に隙間を設ける。
【選択図】図1
【解決手段】DCマグネトロン型反応性スパッタリング装置において、導電性を有するターゲット3の非スパッタ領域2上部を覆うように、ターゲットとの間の電気抵抗が105Ω以上となる防着板7を設け、防着板と前記ターゲット間に隙間を設ける。
【選択図】図1
Description
本発明は、放電安定性に優れたDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置および方法に関するものである。
直流(DC)マグネトロン型反応性スパッタ法は、導電性のターゲット材料と反応性ガスを原料とし、内部に設けられた永久磁石の効果によりマグネトロン放電を生成させて、酸化物や窒化物、硫化物等の化合物薄膜をワーク面に効率よく堆積させる薄膜形成技術である。そのターゲット上面部は、マグネトロンの影響により、局所的にスパッタが加速する領域(スパッタ領域)と化合物薄膜が堆積進行する領域(非スパッタ領域)に分かれるが、非スパッタ領域に半導体又は絶縁体の化合物薄膜が堆積進行すると、その膜表面においてチャージアップが起こり、ある一定の電位差が生じた時に膜の絶縁破壊が起こる。その結果、放電が不安定になると共に、膜の絶縁破壊部分に過電流が流れ込むと、その熱で溶融された物質の一部がワーク面に飛散し、欠陥となることがある。そのため、DCマグネトロン型反応性スパッタ法では、定期的に非スパッタ領域の堆積膜を除去する必要があり、その頻度が高いほど生産性が悪くなる問題がある。
特許文献1では、ターゲット上面部の非スパッタ領域と、ターゲット側面部及びターゲットを保持するバッキングプレート表面を、あらかじめ、厚さが50μm以上の絶縁性被膜で覆うことで、非スパッタ領域における膜の絶縁破壊が抑制でき、欠陥の少ない化合物薄膜が安定的に得られることを開示している。
特許文献2では、スパッタ領域と非スパッタ領域のターゲット材料を別々に構成し、反応性ガスと化学反応させた時に導電性の化合物薄膜が得られる材料を非スパッタ領域のターゲット材料として選定している。そうすることで、非スパッタ領域への絶縁性の化合物薄膜の堆積進行を抑えることができ、安定した放電が維持できることを開示している。
特許文献3では、導電性のターゲットの外周を取り囲むように誘電体部材を設置し、そのターゲットがすべてスパッタ領域となるようにマグネトロンを形成することで、非スパッタ領域における膜の絶縁破壊が抑制でき、安定した放電が維持できることを開示している。
いずれの方法もDCマグネトロン型反応性スパッタ法において半導体および絶縁体の化合物薄膜をワーク面に形成する場合に、ターゲット上面部の非スパッタ領域の膜の絶縁破壊を抑制する方法として、ある程度の効果が得られると共に、生産性の向上が見込める。
しかしながら、本発明者の知見によれば、特許文献1と3は、非スパッタ領域上に堆積した半導体又は絶縁体の化合物薄膜自体の絶縁破壊を抑制する方法としては効果が見られるが、ターゲット表面とその堆積膜表面を沿うようにして生じる絶縁破壊(沿面放電)には効果が得られない。
特許文献2は、長時間連続放電する工程や成膜速度が極めて高速なプロセスにおいては、スパッタ領域上で化学反応した絶縁物の非スパッタ領域への堆積が無視できなくなり、それにより絶縁破壊が誘発され、放電が不安定になる。更に、ガスの種類によって非スパッタ領域のターゲット材料を変更する必要があり、手間とコストが掛かる。このように、いずれの方法も十分な対策とは言えない。
本発明の目的は、上述した問題点を鑑みてなされたものであり、導電性のターゲットおよび半導体又は絶縁体の化合物薄膜を形成する様、反応するガスを用いたDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置において、非スパッタ領域に堆積進行する半導体又は絶縁体の化合物薄膜により誘発される絶縁破壊を抑制し、安定的に高品質なスパッタ膜が得られるDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置および方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、DCマグネトロン型反応性スパッタリング装置において、導体性を有するターゲットの非スパッタ領域上部を覆うように、前記ターゲットとの間の電気抵抗が105Ω以上となる絶縁された防着板を設け、前記防着板と前記ターゲット間に隙間を設けてあることを特徴とするDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置を提供する。
また、本発明の好ましい形態によれば、前記ターゲットと前記防着板端部の隙間が1〜5mmであるDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置を提供する。
また、本発明の好ましい形態によれば、前記防着板の表面粗さが中心線平均粗さで12.5μm以上かつ1000μm以下とするDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置を提供する。
また、本発明の別の形態によれば、DCマグネトロン型反応性スパッタリング方法であって、導電性を有するターゲットの非スパッタ領域上部を覆うように設けられ、前記ターゲットとの間の電気抵抗が105Ω以上となる防着板を用い、前記防着板と前記ターゲット間に隙間を設けて用いられることを特徴とするDCマグネトロン型反応性スパッタリング方法を提供する。
本発明によれば、導電性のターゲットおよび半導体又は絶縁体の化合物薄膜を形成する様、反応するガスを用いたDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置において、非スパッタ領域に堆積進行する半導体又は絶縁体の化合物薄膜によって誘発される絶縁破壊が抑制でき、安定的に高品質なスパッタ膜が形成可能なDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置が提供される。
以下、本発明の最良の実施形態の例を、本発明のDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置を例にとって、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明のDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置の一例の概略断面図である。
図1において、本発明のDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置は、真空容器13を有する。真空容器13には、ガス供給口11と排気口12があり、真空容器13の内部には、サンプルフォルダー10に支持されたワーク4に対向してスパッタリング電極15が備えられている。その成膜は、真空下において、ガス供給口11から反応性ガスを導入し、サンプルフォルダー10とスパッタリング電極15の間に電圧を印加してプラズマを生成させ、原料となるターゲット3をプラズマ中の反応性イオンでスパッタすることで、ワーク4にスパッタ粒子が付着・堆積して化合物薄膜が成膜される。なお、アノードは、サンプルフォルダー10が兼用しているが、DC電源14に接続されたスパッタリング電極15と電気的に絶縁され、スパッタリング電極15の電気的な対極として機能すれば何でも良く、例えば真空容器13は、スパッタリング電極15と絶縁されていればアノードになり得る。また、ワーク4に対向してスパッタリング電極15が配置できれば、真空容器13内の構造を考慮して配置を自由に選定できる。
DCスパッタでは、DC電源14において負の電圧を印可するため、DC電源14と電気的に導通している部分はアノードに対してカソードとなり、スパッタ対象となるターゲット3は必ずカソードと成り得る。
スパッタリング電極15に適応可能なターゲット3の材料としては、導電性を有する材料であれば何でも良く、例えばCu、Ni、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Al、Zn、Ge、Sn、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Auなどの金属、C、Siなどの非金属、及びそれらの化合物が挙げられる。また、反応性ガスは、ターゲット3の材料と反応して、半導体又は絶縁体の化合物薄膜を形成するガスであれば何でも良く、例えばN2、O2、H2、NO、NH3、CO、CO2、CH4、C2H2、CF4、SiH4などが挙げられる。
スパッタリング電極15は、図1のように、DC電源14が接続されている。また、スパッタリング電極15の内部には、磁石6が図のように備えられており、その磁石6によってできるマグネトロン(E×Bドリフト)により、ターゲット3表面近傍に高密度なプラズマが局所的に生成され、効果的なスパッタが可能となる。なお、プラズマ形成中に熱が発生して磁石6が減磁する場合があるので、スパッタリング電極15の内部には冷却水流路8が形成されていることが好ましい。
DCマグネトロン型反応性スパッタ法では、カソード電位であるターゲット3表面近傍に局所的にできる高密度なプラズマの影響により、スパッタが加速する領域(スパッタ領域1)と化合物薄膜が堆積進行する領域(非スパッタ領域2)に分かれるが、非スパッタ領域2に半導体又は絶縁体の化合物薄膜が堆積進行すると、その膜表面に荷電粒子が時間経過に伴って蓄積し、ある一定の電位差が生じた時に絶縁破壊が起こる。その結果、成膜に対して品質上の悪影響を与えるリスクが大きくなる。なお、非スパッタ領域は、ターゲット上部に形成される磁界と電界の相互作用により決定されるが、磁石がターゲット下部に構成されている場合には、その磁石を挟んで磁石の位置に相当する位置は少なからず非スパッタ領域になりえる。
この絶縁破壊は、高密度なプラズマに曝されるターゲット3上部のスパッタ領域1と非スパッタ領域2の境目で特に生じやすく、本発明者の知見によれば、ターゲット3表面とその堆積膜表面を沿うようにして生じる絶縁破壊(沿面放電)の発生頻度が高い。この沿面放電は、ターゲット3とその堆積膜の表面を沿って発生するため、本発明者は、ターゲット3(カソード電位)とその堆積膜を分離させることが抑制効果に繋がるものと考えている。
そこで、半導体又は絶縁体の化合物薄膜が堆積進行するターゲット3上部の非スパッタ領域2上部を覆うように、ターゲット3との間の電気抵抗がJISC1302:2002の規格において105Ω以上となる防着板7を設ける。その絶縁する方法の例として、防着板7全体を絶縁性の材料で構成することや、防着板7とターゲット3の接合部のみ絶縁性の材料で構成するなどが挙げられる。
防着板7の取り付け部はスパッタ電極15もしくはターゲット3と接触していてもよいが、少なくとも、スパッタ領域1と非スパッタ領域2の境目となる防着板7の先端部16はターゲット3との間に隙間を設ける。このターゲット3との隙間間隔は、プラズマおよびスパッタ粒子の進入を抑制するために1mm〜5mmの範囲とすることが好ましい。そうすることで、非スパッタ領域2への半導体又は絶縁体の化合物薄膜の堆積が更に抑制できる。
防着板7の材質は、ターゲット材料と反応性ガスにより生成される化合物と同一のものが付着物の剥離防止および品質の観点からは好適に用いられるが、接続部のみセラミックス等の絶縁性部材にし、カソード電位と絶縁されていれば、再利用時の洗浄特性や熱特性、機械特性などから適宜選択しても構わない。例えば付着膜を化学的洗浄で除去して再利用するような場合は、耐食性の高いステンレス系材料が好適に用いられている。その場合、カソード電位と絶縁するために、接続部のみセラッミクス等の絶縁性部材で構成しても構わない。また、防着板7の表面に溶射法などのコーティングを施しても構わない。
ターゲット3と防着板7の間の電気抵抗は、105Ω以上とすることが好ましい。これは漏電防止であり、その電気抵抗を105Ω以上とすることで、防着板7表面における絶縁破壊が抑制できる。
防着板7の取り付けは、固定ネジやボルト等を用いて接続することが好ましいが、ターゲット3と防着板7の接続部のみをボンディングにより固定しても構わない。
また、防着板7と取り付け部の間に、ジルコニア系セラミックスなどの熱伝導率の低い断熱部材を用いることが好ましい。それにより、防着板7の温度が高温に保たれ、防着板7に付着する化合物薄膜の密着性が高まる。これは、防着板7に付着した化合物薄膜のターゲット3上への落下を防止する効果であり、落下に伴う絶縁破壊が抑制できるためより好ましい。なお、「断熱部材」とは、熱が伝わりにくい構造の物体か、熱伝導率の小さい物質をいう。例えば、前者はグラスウールや発砲ポリウレタンなどが該当し、後者はシリコンゴムや空気などが該当する。
図2と図3は、本発明のDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置の一例のターゲット上面の拡大断面図である。
スパッタ領域1と非スパッタ領域2の境目となる防着板7の先端部16は、図2のように傾斜角度θを20°〜80°の範囲で加工することが好ましい。これは、図3のように傾斜が無い場合よりも、図2のように傾斜がある場合の方が、スパッタ領域1上部のプラズマに接する防着板7の面積が少なく、ターゲット3表面と防着板7の距離も離れるために、有効であると考えられる。また、防着板7に付着した化合物薄膜のターゲット3上への落下を抑制できる。
防着板7の板厚は、防着板7の加工精度や熱歪み耐性、機械的強度、価格などのパラメータを勘定して適宜決定されるが1mm以上にすることが好ましい。
更に防着板7の表面にJISB0601:2001の規格において中心線平均粗さで12.5μm以上かつ1000μmの範囲で粗面化を施すことで、接触面積が増加して付着物の密着性が高まる。これは、防着板7に付着した化合物薄膜のターゲット3上への落下を防止する効果であり、落下に伴う異常放電が抑制できるためより好ましい。
[実施例1]
以上説明したDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置を用いて成膜実験を行った結果を説明する。
以上説明したDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置を用いて成膜実験を行った結果を説明する。
DCマグネトロン型反応性スパッタリング装置自体は図1に示す構造であり、NiターゲットとN2ガスを用いて、ワーク4に半導体である窒化ニッケル膜を形成した。
防着板7の材料には、板厚5mmのSUS430を用いた。また、ターゲット3中央部に設置する防着板7の接続は接続部においてボンディングし、端部の防着板7は絶縁性のスペーサーを間に挟んだ後、絶縁性のネジで固定した。その際、ターゲット3と防着板7の隙間間隔は10mmとなるように設計し、ターゲット3と防着板7の間の電気抵抗はおよそ105Ωとした。また、防着板先端部16の傾斜角度は90°に加工し、防着板7表面の中心線平均粗さは5μmとした。
以上に説明したDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置を用いて、N2ガス200sccm導入し、真空容器内圧力を0.5Pa、電力密度を150kW/m2に調整して反応性スパッタリングを行い、60分間成膜した。その際、DC電源14の放電電圧が基準値以下に低下する現象を検知し、それを絶縁破壊回数とした。その結果、非スパッタ領域2における窒化ニッケル膜の絶縁破壊が抑制され、安定的な放電ができた。
[実施例2]
実施例1と同様の構造において、ターゲット3と防着板7の隙間間隔を3mmとし、実施例1と同様のテストを実施した。
[実施例2]
実施例1と同様の構造において、ターゲット3と防着板7の隙間間隔を3mmとし、実施例1と同様のテストを実施した。
その結果、ターゲット3表面の非スパッタ領域2への窒化ニッケル膜の堆積が実施例1の時よりも抑制され、更に安定的な放電ができた。
[実施例3]
実施例2と同様の構造において、防着板先端部16の傾斜角度を45°に加工し、実施例1〜2と同様のテストを実施した。
[実施例3]
実施例2と同様の構造において、防着板先端部16の傾斜角度を45°に加工し、実施例1〜2と同様のテストを実施した。
その結果、防着板16とターゲット3の間で生じる絶縁破壊が実施例1〜2に比べて減少し、更に安定的な放電ができた。
[実施例4]
実施例3と同様の構造において、防着板7表面の中心線平均粗さを12.5μmに粗面化し、実施例1〜3と同様のテストを実施した。
[実施例4]
実施例3と同様の構造において、防着板7表面の中心線平均粗さを12.5μmに粗面化し、実施例1〜3と同様のテストを実施した。
その結果、防着板先端部16に付着した窒化ニッケル膜のターゲット3表面への落下が実施例1〜3に比べて減少し、更に安定的な放電ができた。
[比較例1]
実施例1とほぼ同様の構造であるが、防着板7を設けない電極を用い、実施例1と同様のテストを実施した。
[比較例1]
実施例1とほぼ同様の構造であるが、防着板7を設けない電極を用い、実施例1と同様のテストを実施した。
その結果、ターゲット3上部の非スパッタ領域2に窒化ニッケル膜が堆積進行すると、その堆積した膜において絶縁破壊が頻発し、放電が不安定になった。また、放電後にターゲット3表面を観察すると、ピンホールや放電痕が局所的に見られた。
[比較例2]
実施例1とほぼ同様の構造であるが、図4のように、ターゲット3の非スパッタ領域2を予めアルミナ溶射17したものを用い、実施例1と同様のテストを実施した。
[比較例2]
実施例1とほぼ同様の構造であるが、図4のように、ターゲット3の非スパッタ領域2を予めアルミナ溶射17したものを用い、実施例1と同様のテストを実施した。
その結果、ターゲット3の非スパッタ領域2に窒化ニッケル膜が堆積進行すると、比較例1よりは、その堆積した膜における絶縁破壊が減少するが、依然として放電が不安定になった。また、放電後にターゲット3表面を観察すると、非スパッタ領域2において放電痕が局所的に見られた。
[比較例3]
実施例1と同様の構造において、ターゲット3と防着板7の間の電気抵抗を104Ωとし、実施例1と同様のテストを実施した。
[比較例3]
実施例1と同様の構造において、ターゲット3と防着板7の間の電気抵抗を104Ωとし、実施例1と同様のテストを実施した。
その結果、防着板7に窒化ニッケル膜が付着すると、比較例1と同程度の絶縁破壊が生じ、放電が不安定になった。また、放電後に防着板7表面を観察すると、放電痕が局所的に見られた。
上記実施例1〜4と比較例1〜3の纏めを表1に示す。
本発明に係わるDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置は、非スパッタ領域に堆積進行する半導体又は絶縁体の化合物薄膜により誘発される絶縁破壊を抑制し、高品質な化合物薄膜をワーク面に形成する場合に、好ましく用いられる。本発明に係わるDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置は、プラズマ表面改質装置やエッチング装置としても応用可能である。
1 スパッタ領域
2 非スパッタ領域
3 ターゲット
4 ワーク
5 バッキングプレート
6 磁石
7 防着板
8 冷却水流路
9 ヨーク
10 サンプルフォルダー
11 ガス供給口
12 排気口
13 真空容器
14 直流電源
15 スパッタリング電極
16 防着板先端部
17 アルミナ溶射部
2 非スパッタ領域
3 ターゲット
4 ワーク
5 バッキングプレート
6 磁石
7 防着板
8 冷却水流路
9 ヨーク
10 サンプルフォルダー
11 ガス供給口
12 排気口
13 真空容器
14 直流電源
15 スパッタリング電極
16 防着板先端部
17 アルミナ溶射部
Claims (4)
- 導電性のターゲットを有するDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置であって、前記ターゲットの非スパッタ領域上部を覆うように、前記ターゲットとの間の電気抵抗が105Ω以上となる防着板を設け、前記防着板と前記ターゲット間に隙間を設けてあることを特徴とするDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置。
- 前記ターゲットと前記防着板の端部の隙間が1〜5mmであることを特徴とする請求項1に記載のDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置。
- 前記防着板の表面粗さが中心線平均粗さで12.5μm以上かつ1000μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のDCマグネトロン型反応性スパッタリング装置。
- 導電性のターゲットを有するDCマグネトロン型反応性スパッタリング方法であって、前記ターゲットの非スパッタ領域上部を覆うように設けられ、前記ターゲットとの間の電気抵抗が105Ω以上となる防着板を用い、前記防着板と前記ターゲット間に隙間を設けて用いられることを特徴とするDCマグネトロン型反応性スパッタリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013011875A JP2014141720A (ja) | 2013-01-25 | 2013-01-25 | Dcマグネトロン型反応性スパッタリング装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013011875A JP2014141720A (ja) | 2013-01-25 | 2013-01-25 | Dcマグネトロン型反応性スパッタリング装置および方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014141720A true JP2014141720A (ja) | 2014-08-07 |
Family
ID=51423256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013011875A Pending JP2014141720A (ja) | 2013-01-25 | 2013-01-25 | Dcマグネトロン型反応性スパッタリング装置および方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014141720A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS538377A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-25 | Hitachi Ltd | Apparatus for high frequency sputtering |
JPS60140761U (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | ホ−ヤ株式会社 | マグネトロンスパツタリング装置 |
-
2013
- 2013-01-25 JP JP2013011875A patent/JP2014141720A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS538377A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-25 | Hitachi Ltd | Apparatus for high frequency sputtering |
JPS60140761U (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | ホ−ヤ株式会社 | マグネトロンスパツタリング装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5362112B2 (ja) | スパッタ成膜装置及び防着部材 | |
JP2012191200A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2012221979A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US10519549B2 (en) | Apparatus for plasma atomic layer deposition | |
JP5921048B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
KR20220165676A (ko) | 성막 장치용 부품, 및 성막 장치용 부품을 갖춘 성막 장치 | |
WO2013146182A1 (ja) | 真空成膜装置および真空成膜方法 | |
JP4673478B2 (ja) | バイアススパッタリング装置及びバイアススパッタリング方法 | |
JP2014141720A (ja) | Dcマグネトロン型反応性スパッタリング装置および方法 | |
JP5708472B2 (ja) | マグネトロンスパッタリングカソード及びこれを備えたスパッタリング装置 | |
US10100399B2 (en) | Cathode assembly | |
TWI615492B (zh) | 標靶總成 | |
US10657999B2 (en) | Plasma CVD device and method of manufacturing magnetic recording medium | |
JP2013147711A (ja) | 気相成長装置 | |
JP7224621B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置の防着板 | |
JP2013079420A (ja) | スパッタ装置 | |
JP2006117995A (ja) | スパッタ装置 | |
JP4902054B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JP6229136B2 (ja) | Cvd装置 | |
JP2013007109A (ja) | スパッタリング用のターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法 | |
JP2007211274A (ja) | スパッタ装置およびスパッタ装置用防着板 | |
JP2015196879A (ja) | プラズマcvd成膜装置 | |
JP5475843B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置、圧電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
TW201829813A (zh) | 矽靶材 | |
JP2018127711A (ja) | スパッタリング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160906 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170425 |