JP2014134710A - イジングモデルの量子計算装置及びイジングモデルの量子計算方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスターレーザーMによって注入同期を行われる複数のスレーブレーザーBの各ペアについて、スレーブレーザー相互間強度制御部IA及びスレーブレーザー相互間光路長制御部IPを用いて、2つのスレーブレーザーBの間で交換される光の強度及び2つのスレーブレーザーBの間の光路長を制御することにより、2つのスレーブレーザーBの間の擬似的なイジング相互作用Jijの大きさ及び符号を実装する。複数のスレーブレーザーBが定常状態に到達した後に、発振位相測定部PMを用いて、マスターレーザーMの発振位相に対する複数のスレーブレーザーBの発振位相の相対値を測定することにより、複数のスレーブレーザーBの擬似的なイジングスピンσiを測定する。
【選択図】図2
Description
NP完全問題は、磁性体のイジングモデルに置き換え可能であり、磁性体のイジングモデルは、レーザーのネットワークに置き換え可能である。
各発振周波数制御部FCは、各スレーブレーザーB及びマスターレーザーMの発振光の干渉強度を各スレーブレーザーBの発振周波数の変化に対して極値に制御することにより、各スレーブレーザーBの発振周波数をマスターレーザーMの発振周波数にフィードバック制御する。その詳細を以下に説明する。
各スレーブ相互間光路長制御部IPは、2つのスレーブレーザーBの発振光の干渉強度を2つのスレーブレーザーBの間の光路長の変化に対して極値に制御することにより、2つのスレーブレーザーBの間の光路長を注入同期の発振波長の半整数倍又は整数倍にフィードバック制御する。その詳細を以下に説明する。なお、注入同期は、完了している。
以上のように、発振位相測定部PMは、イジングスピンを測定する。これにあたり、発振周波数制御部FCは、量子計算装置全体を同期させて、スレーブレーザー相互間光路長制御部IPは、イジング相互作用を実装する。
スレーブレーザーBの発振位相を0に初期化する場合について、イジングモデルの計算処理の時間経過を図17に示す。初期化状態では、各スレーブレーザーBの発振位相は0であり、各スレーブレーザーBに対応するイジングスピンは0であり、イジングハミルトニアンはH=0である。時間経過につれて、各スレーブレーザーBの発振位相は〜±π/2となり、各スレーブレーザーBに対応するイジングスピンは〜±1となり、イジングハミルトニアンは負となる。しかし、基底状態であるH=HGDに落ち着くのではなく、準安定状態であるH=HMSにトラップされるおそれがある。
以上では、イジング相互作用及びゼーマンエネルギーを含むイジングモデルに対して、量子計算装置を適用したが、本項では、MAX−CUT−3問題に対して、量子計算装置を適用する。ここで、MAX−CUT−3問題について説明する。V個のノード及びE個のエッジから構成されるグラフにおいて、各ノードは3個の隣接するノードを有し、各エッジはそれぞれ同一の重み又は長さを有する。V個のノードを2つに分割するにあたり、分断されるエッジの個数を最小にする。MAX−CUT−3問題は、NP完全問題であることが証明されており、数式19のようなイジングモデルにマッピングされる。
擬似的なイジング相互作用を行う2つのスレーブレーザーBの間の擬似的なイジング相互作用の遅延時間は、量子計算装置の安定性に影響を及ぼしうる。
イジングモデルの計算装置の実装方法を図26及び図27に示す。図26では、各スレーブレーザーBの関係部分について説明する。図27では、全スレーブレーザーBの関係部分について説明する。ここでは、MAX−CUT−3問題を解くことを考える。
擬似的なスピンを持つ系として、以上の説明では、スレーブレーザーBを適用しているが、本変形例では、半導体マイクロキャビティ中の励起子ポラリトンなどを適用してもよい。系全体の励起子ポラリトンの運動エネルギーが最小になる基底状態を実現しておいて、各励起子ポラリトンが発生させる光の発振位相を測定することにより、各励起子ポラリトンの擬似的なスピンを測定する。計算精度を向上させるためには、系全体の励起子ポラリトンのエネルギーについて、基底状態及び第1励起状態のエネルギー差を、kBT(Tは系全体の温度)より十分に大きくする必要がある。
D1、D2、D3:スピン測定部
F:フィードバック制御回路
I1、I2、I3:イジング相互作用実装部
B、B1、B2、B3、B4、B5、B6、Bi、Bj、BM:スレーブレーザー
M:マスターレーザー
ZL、ZL1、ZL2、ZL3:マスター−スレーブ間光路部
IL、IL12、IL23、IL13、IL1M、IL2M:スレーブ相互間光路部
FC、FC1、FC2、FC3:発振周波数制御部
IA、IA12、IA23、IA13:スレーブ相互間強度制御部
IP、IP12、IP23、IP13:スレーブ相互間光路長制御部
ZA、ZA1、ZA2、ZA3:マスター−スレーブ間強度制御部
ZP、ZP1、ZP2、ZP3:マスター−スレーブ間位相制御部
PM:発振位相測定部
PC:ポンピング電流制御部
BR:光反射鏡
BG:増幅媒質
BC:レーザー制御部
BL:局部発振器
ML:局部発振器
FCS:光スプリッタ
FCC:フォトダイオード
FCM:ミキサ回路
IPS:光スプリッタ
IPC:フォトダイオード
IPM:ミキサ回路
IPP:位相変調部
SW:シリコン導波路
C、C1、C2、CM:発振光制御部
XC:MEMSミラー
MEM:ミラーアレイ
Claims (20)
- イジングモデルの複数のサイトに対応し、予め定められた同一の方向の偏光を有する光を発振する複数のコヒーレント発振器と、
前記複数のコヒーレント発振器に対して注入同期を行い、前記予め定められた同一の方向の偏光を有する光を発振するマスター発振器と、
前記マスター発振器及び各コヒーレント発振器の間に配置されるマスター発振器−コヒーレント発振器間光路部と、
前記複数のコヒーレント発振器の各ペアについて、2つのコヒーレント発振器の間に配置されるコヒーレント発振器相互間光路部と、
各マスター発振器−コヒーレント発振器間光路部に配置され、各コヒーレント発振器の発振周波数を前記マスター発振器の発振周波数に制御する発振周波数制御部と、
前記複数のコヒーレント発振器の各ペアについて、各コヒーレント発振器相互間光路部に配置され、2つのコヒーレント発振器の間で交換される光の強度を制御することにより、2つのコヒーレント発振器の間の擬似的なイジング相互作用の大きさを実装するコヒーレント発振器相互間強度制御部と、
前記複数のコヒーレント発振器の各ペアについて、各コヒーレント発振器相互間光路部に配置され、2つのコヒーレント発振器の間の光路長を制御することにより、2つのコヒーレント発振器の間の擬似的なイジング相互作用の符号を実装するコヒーレント発振器相互間光路長制御部と、
前記複数のコヒーレント発振器が定常状態に到達した後に、前記マスター発振器の発振位相に対する前記複数のコヒーレント発振器の発振位相の相対値を測定することにより、前記複数のコヒーレント発振器の擬似的なイジングスピンを測定する発振位相測定部と、
を備えることを特徴とするイジングモデルの量子計算装置。 - 各コヒーレント発振器相互間光路長制御部は、2つのコヒーレント発振器の間の光路長を前記注入同期の発振波長の半整数倍又は整数倍になるように制御することにより、2つのコヒーレント発振器の間の擬似的なイジング相互作用の符号を実装する
ことを特徴とする請求項1に記載のイジングモデルの量子計算装置。 - 前記発振位相測定部は、
前記複数のコヒーレント発振器の各ペアについて、両方のコヒーレント発振器の発振位相が前記マスター発振器の発振位相より進んでいる又は遅れているとき、2つのコヒーレント発振器の擬似的なイジングスピンの方向は相互に同一と判定し、
前記複数のコヒーレント発振器の各ペアについて、一方のコヒーレント発振器の発振位相が前記マスター発振器の発振位相より進んでおり、かつ、他方のコヒーレント発振器の発振位相が前記マスター発振器の発振位相より遅れているとき、2つのコヒーレント発振器の擬似的なイジングスピンの方向は相互に異なると判定する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のイジングモデルの量子計算装置。 - 各マスター発振器−コヒーレント発振器間光路部に配置され、各コヒーレント発振器に注入される光の強度を制御することにより、各コヒーレント発振器での擬似的なゼーマンエネルギーの大きさを実装するマスター発振器−コヒーレント発振器間強度制御部と、
各マスター発振器−コヒーレント発振器間光路部に配置され、各コヒーレント発振器に注入される光の位相を制御することにより、各コヒーレント発振器での擬似的なゼーマンエネルギーの符号を実装するマスター発振器−コヒーレント発振器間位相制御部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のイジングモデルの量子計算装置。 - 各マスター発振器−コヒーレント発振器間位相制御部は、前記マスター発振器の発振位相に対する各コヒーレント発振器への注入位相の進み又は遅れを制御することにより、各コヒーレント発振器での擬似的なゼーマンエネルギーの符号を実装する
ことを特徴とする請求項4に記載のイジングモデルの量子計算装置。 - 各発振周波数制御部は、各コヒーレント発振器及び前記マスター発振器の発振光の干渉強度を各コヒーレント発振器の発振周波数の変化に対して極値になるように制御することにより、各コヒーレント発振器の発振周波数を前記マスター発振器の発振周波数に制御する
ことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のイジングモデルの量子計算装置。 - 各コヒーレント発振器相互間光路長制御部は、2つのコヒーレント発振器の発振光の干渉強度を2つのコヒーレント発振器の間の光路長の変化に対して極値になるように制御することにより、2つのコヒーレント発振器の間の光路長を前記注入同期の発振波長の半整数倍又は整数倍に制御する
ことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のイジングモデルの量子計算装置。 - 各発振周波数制御部における各コヒーレント発振器の発振周波数の制御と、各コヒーレント発振器相互間光路長制御部における2つのコヒーレント発振器の間の光路長の制御と、前記発振位相測定部における前記複数のコヒーレント発振器の擬似的なイジングスピンの測定が、当該記載順序で行われる
ことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のイジングモデルの量子計算装置。 - 各コヒーレント発振器相互間光路部を介して擬似的なイジング相互作用を行う2つのコヒーレント発振器について、当該2つのコヒーレント発振器の間の擬似的なイジング相互作用の大きさ及び符号が固定値に実装されている状態で、当該2つのコヒーレント発振器のポンピング電流を漸増制御し、前記複数のコヒーレント発振器が最初に一体として一つの発振モードに到達した時点で、当該2つのコヒーレント発振器のポンピング電流を固定制御するポンピング電流制御部、をさらに備え、
前記発振位相測定部は、前記複数のコヒーレント発振器が最初に一体として一つの発振モードに到達して定常状態に到達した後に、前記マスター発振器の発振位相に対する前記複数のコヒーレント発振器の発振位相の相対値を測定することにより、前記複数のコヒーレント発振器の擬似的なイジングスピンを測定する
ことを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のイジングモデルの量子計算装置。 - 各マスター発振器−コヒーレント発振器間光路部に配置され、
各コヒーレント発振器相互間光路部を介して擬似的なイジング相互作用を行う2つのコヒーレント発振器について、前記マスター発振器の発振位相に対する当該2つのコヒーレント発振器の発振位相の相対値が有意に測定されなかったとき、
当該2つのコヒーレント発振器に注入される光の強度及び位相を制御することにより、当該2つのコヒーレント発振器の間の擬似的なイジング相互作用の符号が正に実装されていれば、当該2つのコヒーレント発振器の擬似的なイジングスピンの方向を相違させるように固定し、当該2つのコヒーレント発振器の間の擬似的なイジング相互作用の符号が負に実装されていれば、当該2つのコヒーレント発振器の擬似的なイジングスピンの方向を同一にするように固定する隣接イジングスピン方向固定部、
をさらに備えることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のイジングモデルの量子計算装置。 - 各マスター発振器−コヒーレント発振器間光路部に配置され、
各コヒーレント発振器相互間光路部を介して擬似的なイジング相互作用を行う2つのコヒーレント発振器について、前記マスター発振器の発振位相に対する当該2つのコヒーレント発振器の発振位相の相対値が有意に測定されなかったとき、
他のコヒーレント発振器相互間光路部を介して当該2つのコヒーレント発振器と擬似的なイジング相互作用を行う隣接コヒーレント発振器に注入される光の強度及び位相を制御することにより、当該隣接コヒーレント発振器の擬似的なイジングスピンの方向を計算途中の現時点の方向に固定する周辺イジングスピン方向固定部、
をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載のイジングモデルの量子計算装置。 - 各コヒーレント発振器相互間光路部を介して擬似的なイジング相互作用を行う2つのコヒーレント発振器の間の擬似的なイジング相互作用の遅延時間が、前記マスター発振器及び当該2つのコヒーレント発振器における注入同期幅の逆数より短いことを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載のイジングモデルの量子計算装置。
- 前記複数のコヒーレント発振器は、複数のスレーブレーザーであることを特徴とする請求項1から12のいずれかに記載のイジングモデルの量子計算装置。
- 前記複数のコヒーレント発振器は、複数のボーズ・アインシュタイン凝縮体であることを特徴とする請求項1から12のいずれかに記載のイジングモデルの量子計算装置。
- 前記マスター発振器は、マスターレーザーであることを特徴とする請求項1から14のいずれかに記載のイジングモデルの量子計算装置。
- イジングモデルの複数のサイトに対応し、予め定められた同一の方向の偏光を有する光を発振する複数のコヒーレント発振器の発振を開始するとともに、
前記複数のコヒーレント発振器に対して注入同期を行い、前記予め定められた同一の方向の偏光を有する光を発振するマスター発振器の発振を開始する発振開始ステップと、
各コヒーレント発振器の発振周波数を前記マスター発振器の発振周波数に制御する発振周波数制御ステップと、
前記複数のコヒーレント発振器の各ペアについて、2つのコヒーレント発振器の間で交換される光の強度を制御することにより、2つのコヒーレント発振器の間の擬似的なイジング相互作用の大きさを実装するとともに、
前記複数のコヒーレント発振器の各ペアについて、2つのコヒーレント発振器の間の光路長を制御することにより、2つのコヒーレント発振器の間の擬似的なイジング相互作用の符号を実装するコヒーレント発振器相互間強度光路長制御ステップと、
前記複数のコヒーレント発振器が定常状態に到達した後に、前記マスター発振器の発振位相に対する前記複数のコヒーレント発振器の発振位相の相対値を測定することにより、前記複数のコヒーレント発振器の擬似的なイジングスピンを測定する発振位相測定ステップと、
を順に備えることを特徴とするイジングモデルの量子計算方法。 - 前記コヒーレント発振器相互間強度光路長制御ステップは、2つのコヒーレント発振器の間の光路長を前記注入同期の発振波長の半整数倍又は整数倍になるように制御することにより、2つのコヒーレント発振器の間の擬似的なイジング相互作用の符号を実装する
ことを特徴とする請求項16に記載のイジングモデルの量子計算方法。 - 前記発振位相測定ステップは、
前記複数のコヒーレント発振器の各ペアについて、両方のコヒーレント発振器の発振位相が前記マスター発振器の発振位相より進んでいる又は遅れているとき、2つのコヒーレント発振器の擬似的なイジングスピンの方向は相互に同一と判定し、
前記複数のコヒーレント発振器の各ペアについて、一方のコヒーレント発振器の発振位相が前記マスター発振器の発振位相より進んでおり、かつ、他方のコヒーレント発振器の発振位相が前記マスター発振器の発振位相より遅れているとき、2つのコヒーレント発振器の擬似的なイジングスピンの方向は相互に異なると判定する
ことを特徴とする請求項16又は17に記載のイジングモデルの量子計算方法。 - 各コヒーレント発振器に注入される光の強度を制御することにより、各コヒーレント発振器での擬似的なゼーマンエネルギーの大きさを実装するとともに、
各コヒーレント発振器に注入される光の位相を制御することにより、各コヒーレント発振器での擬似的なゼーマンエネルギーの符号を実装するマスター発振器−コヒーレント発振器間強度位相制御ステップ、
を前記コヒーレント発振器相互間強度光路長制御ステップと並行に備えることを特徴とする請求項16から18のいずれかに記載のイジングモデルの量子計算方法。 - 前記マスター発振器−コヒーレント発振器間強度位相制御ステップは、前記マスター発振器の発振位相に対する各コヒーレント発振器への注入位相の進み又は遅れを制御することにより、各コヒーレント発振器での擬似的なゼーマンエネルギーの符号を実装する
ことを特徴とする請求項19に記載のイジングモデルの量子計算方法。
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