JP2014125367A - 導電性金属が添加された酸化物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電性金属2が添加された酸化物1は、酸化物に導電性金属2が添加されており、酸化物は化学式MOXで表され、Mは、導電性金属2とは異なり、Mn、Co、Niを含む遷移金属又はSnから選ばれる少なくとも1つ以上の元素からなり、導電性金属2は、酸化物の置換位置又は格子間位置に配置されている。酸化物は、MnO2、Co3O4、NiO及びSnO2の何れかでよい。導電性金属2は、Au、Ag、Cuの何れか又はこれらを二つ以上含む金属合金からなる。
【選択図】図1
Description
導電性金属は、好ましくは、Au、Ag、Cuの何れか又はこれらを二つ以上含む金属合金からなる。
図1は、本発明の導電性金属が添加された酸化物1を模式的に示す図である。図1に示すように、本発明の導電性金属2が添加された酸化物1は、化学式MOXで表され、Mは、導電性金属2とは異なり、Mn、Co、Niを含む遷移金属又はSnから選ばれる少なくとも1つ以上の元素に導電性金属2が添加されており、導電性金属2は、酸化物1の置換位置又は格子間位置に配置されている。後述するが、本発明の導電性金属2が添加された酸化物1の伝導帯と価電子帯との間には、導電性金属2が添加されることによりバンドが形成される。このため、本発明の導電性金属2が添加された酸化物1は、導電性金属2がドーピングされた酸化物1とも呼ぶ。
本発明の導電性金属2がドーピングされた酸化物1の導電性が向上する機構について、第1原理計算(Ab Initio Calculation)で検討した。純粋な酸化物3はMnO2とし、導電性金属2はAuとした。
図3は、導電性金属2がドーピングされた酸化物1中の導電性金属2の配置を示す図であり、(a)は純粋なMnO23、(b)は置換位置に配置されるAu、(c)は、格子間位置に配置されるAuを示している。第1原理計算では、図3(b)、(c)に示すように、置換位置と格子間位置にあるAuについて計算をした。
構造緩和は、構造モデル中の各原子をより安定な配置になるよう少しずつ動かし、原子に作用する力が0.01eV/Å以下になるまで、GGA近似とPBEパラメータ(非特許文献11参照)とを使用して実行した。
なお、以上説明した第1原理計算は、東北大学金属材料研究所内、計算材料学センターのスーパーコンピュータ(HITACHI製スーパーテクニカルサーバSR16000 モデルM1)を用いて行った。
エネルギーのカットオフ:400eV。
メッシュ:8×8×8のΓが中心で、k点からなる。
MnO23の反強磁性特性を考慮して、MnO23は、16原子のMn原子と32原子のO原子とからなるスピネル構造を使用した(非特許文献13、14参照)。
表1には、GGA−PBEを用いて計算した格子定数と全エネルギーを示している。
ρMnO:MnO2のみの電荷密度
ρAu:Auのみの電荷密度
図5(b)及び図5(c)に示す状態密度は、Au−d軌道、O−p軌道、Mo−d軌道に由来する。図5(b)及び図5(c)に示すように、AuがドーピングされたMnO2では、二つの原子配置で計算されるDOSにおいて、Auにより誘起されるギャップ準位が明瞭に観察された(図5(b)及び図5(c)の一点鎖線で囲まれたドープされたAuの拡大図参照)。
一方、伝導帯の最低レベル(CBM)は極めて小さいので、このギャップ準位中の電子は容易に伝導帯に励起されて、MnO2の導電性を増すように作用する。
導電性金属2が添加された酸化物1の製造方法の一例について説明する。
図7は、導電性金属2が添加された酸化物1の製造方法を説明する図である。
第1工程(図7(a)参照):
先ず、高分子からなる膜や基板5上に電極6を形成する。この電極6としては、多孔質のAuや銀のような抵抗の低い膜を使用することができる。
次に、電極6上に所定の厚さの純粋な酸化物3を形成する。純粋な酸化物3は、湿式法や蒸着法で形成することができる。湿式法としては、溶液を用いた電気化学的な堆積方法を用いることができる。純粋な酸化物3は、孔、つまり、ポーラスな膜や多孔質の膜でもよい。
次に、純粋な酸化物3の膜上に導電性金属2の薄膜を堆積する。この導電性金属2の薄膜の堆積には、蒸着法スパッタ法や、抵抗加熱蒸着等の物理的蒸着法や、化学的蒸気堆積法(CVD法)等を用いることができる。図3(b)では、スパッタ装置のターゲット12からスパッタされるAu粒子14を模式的に示している。
第3工程(図7(c)参照):
上記の酸化物3の堆積と導電性金属2の薄膜の堆積とを交互に繰り返し、所定の厚さになるまで、この交互堆積を繰り返し行うことで、本発明の導電性金属2が添加された酸化物1を製造することができる。
以下、本発明を実施例によってさらに詳細に説明する。
具体的には、先ず、350nmの厚さの多孔質のMnO23を、1.8cm×2cmの大きさで厚さが100nmの多孔質のAu6上に電気化学的に堆積した。多孔質のAu6は、良好な電流コレクタとなることが報告されている(非特許文献5のa))。多孔質のAu6(ナノ多孔質Au、NPGとも呼ぶ。)は、PETフィルム5上に堆積したAg65Au35合金を、69%濃度の硝酸(HNO3)で、室温で12時間Agをエッチング(脱合金化とも呼ぶ。)することにより形成した。PETフィルム5とAg65Au35合金との密着性を増すために、脱合金化の前に、PETフィルム5とAg65Au35合金を80℃で2時間及び95℃で10分間の熱処理を施した。
この二つの工程、つまり多孔質のMnO23とAu2の薄膜との堆積を繰り返すことにより、導電性金属が添加された酸化物1としてAuがドープされた厚いMnO2フィルムが得られる。
純粋なMnO23及びAuがドーピングされたMnO21の微細構造は、電界放射型の走査型電子顕微鏡(SEM、日本電子(JEOL)製、JIB−4600F)と、走査型透過型電子顕微鏡(STEM、日本電子(JEOL)製、JEM−2100F)を用いて測定した。SEMの加速電圧は15kVである。
図16は、単位質量当たり容量である比容量(F/g)を示す図である。図16に示すように、Auのドーピング量が増加すると、AuがドーピングされたMnO12の比容量が、純粋なMnO23の比容量よりも著しく増加することが分かる。Auのドーピング量が増加と共に、比容量は最初に増加し、その後少しずつ減少する。最も比容量が高くなるのは、Auドーピングが9.9at%の試料のときであり、掃引速度は、5mV/sの場合には、純粋なMnO23に対して約36%増加する。図16からAuがドーピングされたMnO21の比容量が、純粋なMnO23の比容量よりも著しく増加することが分かる。Auドーピングの増加によるMnO21の比容量の減少は、MnO2の表面を被覆する過剰なAuのナノ粒子がMnO2と電極との間の反応を阻害することによるのかもしれない。
図17は、AuがドーピングされたMnO2と純粋なMnO2の比容量を示す図である。AuがドーピングされたMnO2の厚さは約0.7μmである。図の横軸は掃引速度(mV/s)であり、縦軸は比容量(F/g)である。図17に示すように、特異的に、AuがドーピングされたMnO21の比容量は、掃引速度が5mV/sの場合には626F/gとなり、純粋なMnO23の比容量よりも65%以上高い値となる。
図19は、純粋なMnO23及びAuがドーピングされたMnO21の繰り返し充放電特性を示す図である。図の横軸は、サイクル数であり、縦軸は比容量変化であり、初期値を100とした%表示である。図19に示すように、純粋なMnO23を用いた場合の容量は、サイクル毎に比容量が徐々に減少し、15000サイクル経過後の容量は、最初の比容量と比較して約35%減少した。一方、AuがドーピングされたMnO21の比容量は、最初比容量が減少し、それからは増加した。15000サイクル経過後の比容量は、最初の比容量と比較して約7%増加した。
図20は、AuがドーピングされたMnO21の15000サイクル経過後のSEM像を示す図であり、(a)は純粋なMnO23、(b)はAuがドーピングされたMnO21を示している。図20に示すように、ボルタンメトリーのサイクルは、純粋なMnO23及びAuがドーピングされたMnO21の両方で明らかにモルフォロジーの変化が生起する。準備した当初の多孔質なMnO23は、以前の非特許文献18と同様に平板的な構造を有している。
図8(a)に示す当初のMnO23と比較すると、サイクルを経たMnO2シート3はボルタンメトリーのサイクル中に大きくなると共に厚くなる。このため、電子/イオン遷移は低下して、実効的な表面積の減少と低い電子電導性により純粋なMnO23の容量が減少する。
表3は、XPSで測定したO1sの濃度を示す表である。
2:導電性金属
3:純粋な酸化物
5:基板
6:多孔質のAu
12:ターゲット
14:Au粒子
Claims (6)
- 酸化物に導電性金属が、添加されており、
上記酸化物は、化学式MOXで表され、Mは、上記導電性金属とは異なり、Mn、Co、Niを含む遷移金属又はSnから選ばれる少なくとも1つ以上の元素からなり、
上記導電性金属は、上記酸化物の置換位置又は格子間位置に配置されていることを特徴とする、導電性金属が添加された酸化物。 - 前記酸化物は、MnO2、Co3O4、NiO及びSnO2の何れかであることを特徴とする、請求項1に記載の導電性金属が添加された酸化物。
- 前記導電性金属は、Au、Ag、Cuの何れか又はこれらを二つ以上含む金属合金からなることを特徴とする、請求項1に記載の導電性金属が添加された酸化物。
- 請求項1〜3の何れかに記載の導電性金属が添加された酸化物の製造方法であって、
酸化物を堆積する工程と該酸化物上に導電性金属を堆積する工程とを繰り返して、所定の厚さの導電性金属が添加された酸化物を形成することを特徴とする、導電性金属が添加された酸化物の製造方法。 - 請求項1〜3の何れかに記載の導電性金属が添加された酸化物を電極として用いたことを特徴とする、スーパーキャパシタ。
- 請求項1〜3の何れかに記載の導電性金属が添加された酸化物を電極として用いたことを特徴とする、リチウムイオン電池。
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