JP2014120284A

JP2014120284A - 半導体レーザ素子用ソケット及びソケット本体

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Publication number: JP2014120284A
Application number: JP2012273751A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Matsuo; 一郎松尾
Original assignee: Chichibu Fuji Co Ltd
Current assignee: Chichibu Fuji Co Ltd
Priority date: 2012-12-14
Filing date: 2012-12-14
Publication date: 2014-06-30

Abstract

【課題】リードピンに対するコンタクトの接触信頼性を向上できると共に、大電流を流すことができ、且つ高出力の半導体レーザ素子を確実に駆動させる。
【解決手段】半導体レーザ素子ＡのリードピンＡ１、Ａ２が挿入される挿入孔１１ａ、１１ｄを有するソケット本体１と、ソケット本体１に保持され、挿入孔１１ａ、１１ｂに挿入されたリードピンＡ１、Ａ２の一本に対して接触する接点Ｐ１〜Ｐ３を有する複数のコンタクト２ａ〜２ｃとが備えられている。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体レーザ素子用ソケット及びソケット本体に関する。

半導体レーザ素子用ソケットは、ソケット本体に形成された挿入孔と、この挿入孔に挿入される半導体レーザ素子のリードピンに接触するように保持されたコンタクトとを備えたものが知られている。

下記特許文献１に記載のものは、一個の挿入孔に一個のコンタクトを配置し、挿入されたリードピン毎にこのコンタクトが接触するようにされており、リードピンの挿入時には、このリードピンの接触圧によって、コンタクトが外側に撓むように変形すると共に、この変形からの復帰力によって、コンタクトの接点がリードピンに対して押し付けられるように接触する構造のものである。

特開２０１１−２５３９６７号公報

特許文献１の従来技術によると、コンタクトの撓みからの復帰力によって、接点がリードピンに対して押し付けられるように接触することによって、リードピンに対するコンタクトの接触確実性を高いものとすることができる。

しかしながら、この特許文献１の従来技術では、リードピンに対する接点の接触が一点であるため、挿入孔やコンタクトの成形誤差、或いはリードピン挿入時の抵抗によるリードピンやコンタクトの変形等が生じた場合に、接触不良が発生してしまい、安定した電気的接続ができなくなるという問題、更には、大きな電流を流すことが困難であり、高出力な半導体レーザ素子の使用ができないという問題がある。

本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、リードピン一本に対するコンタクトの接点を多点にできること、コンタクトの接点を多点にすることによって、リードピン一本に対する接点の接触面積を大きくすることができること、これによって、リードピンに対するコンタクトの接触信頼性を向上できると共に、大電流を流すことができ、且つ高出力の半導体レーザ素子を確実に駆動させることができること、等が本発明の目的である。

このような目的を達成するために、本発明による半導体レーザ素子用ソケットは、以下の構成を少なくとも具備するものである。

半導体レーザ素子のリードピンが挿入される挿入孔を有するソケット本体と、前記ソケット本体に保持され、前記挿入孔に挿入された前記リードピンの一本に対して接触する接点を有する複数のコンタクトとが備えられている半導体レーザ素子用ソケットである。

前述の半導体レーザ素子用ソケットのソケット本体であって、前記リードピンが挿入される前記挿入孔の一個毎に、前記コンタクトを保持する複数の保持部を備え、前記保持部は、前記挿入孔に対して前記コンタクトの前記接点が前記挿入孔内に臨むように連通されていることを特徴とする半導体レーザ素子用ソケットのソケット本体である。

このような特徴を有することで本発明は、リードピン一本に対するコンタクトの接点を多点にできる。コンタクトの接点を多点にすることによって、リードピン一本に対する接点の接触面積を大きくすることができる。これによって、リードピンに対するコンタクトの接触信頼性を向上できると共に、大電流を流すことができ、且つ高出力の半導体レーザ素子を確実に駆動させることができる。

本発明に係る第１実施形態の半導体レーザ素子用ソケットの平面図である。図１の（２）−（２）線縮小断面図であり、半導体レーザ素子の挿入前の状態を示す。図１の（３）−（３）線縮小半断面図であり、半導体レーザ素子の挿入前の状態を示す。第１実施形態における半導体レーザ素子用ソケットのコンタクトの配置構成を示す概略図であり、コンタクトの上側一部を示す。本発明に係る第２実施形態の半導体レーザ素子用ソケットの平面図であり、リードピンが挿入された状態を示す。第２実施形態における半導体レーザ素子用ソケットのコンタクトの配置構成を示す概略図であり、コンタクトの上側一部を示す。本発明に係る第３実施形態の半導体レーザ素子用ソケットのコンタクトの配置構成を示す概略図であり、コンタクトの上側一部を示す。本発明に係る半導体レーザ素子用ソケットを用いた四端子法による抵抗測定の概略接続図である。コンタクトの他の例を示す正面図である。本発明に係る半導体レーザ素子用ソケットにおける図９に示すコンタクトの配置構成を示す概略図であり、コンタクトの上側一部を示す。

複数のコンタクトの内、少なくとも一個のコンタクトの接点と他のコンタクトの接点とを、互いにリードピンの軸方向に沿って異なる位置となるように設定することが好ましい。

また、複数の前記コンタクトの内、少なくとも二個のコンタクトの接点を、リードピンの軸を中心とする同一の円周上に設定することが好ましい。

また、複数のコンタクトの内、少なくとも二個のコンタクトの接点を、リードピンを挟んで正対する位置に設定することが好ましい。

また、少なくとも前記コンタクトの一個には、前記接点を複数備えることが好ましい。

以下、本発明に係る第１実施形態の半導体レーザ素子用ソケット（以下「ソケット」という）を図１〜図４に基づいて説明する。以下で説明する実施形態は、本発明を限定するものではない。

尚、この第１実施形態では、半導体レーザ素子Ａが二本のリードピンＡ１、Ａ２を有するものとして例示する。

ソケット１は、合成樹脂等の非導電性素材から凸状円筒形に成形されたソケット本体１０と、ソケット本体１０に設けられた挿入孔１１ａ、１１ｂの夫々に対応するように保持された三個のコンタクト２ａ〜２ｃとを備えている。

尚、以下では、ソケット本体１０の小径部１０ａ側を上側とし、大径部１０ｂ側を下側とする。

挿入孔１１ａ、１１ｂは、ソケット本体１０の軸と平行であると共に、ソケット本体１０の同一の経線Ｃ１上に、且つ経線Ｃ１と直交する経線Ｃ２を対称軸として対称となる位置に設けられている。

ソケット本体１０の上端部１０ｃから下端部１０ｄにわたって、コンタクト２ａ〜２ｃを保持する保持部１２ａ〜１２ｃが形成されている。

保持部１２ａ〜１２ｃは、コンタクト２ａ〜２ｃの厚みに適合する幅として形成されている。

保持部１２ａと保持部１２ｂは、ともに平面視における長手方向が経線Ｃ２と平行となるように、且つ保持部１２ａが挿入孔１１ａと、保持部１２ｂが挿入孔１１ｂと連通するように形成されており、この保持部１２ａ、１２ｂに挿入されたコンタクト２ａ、２ｂを互いに向かい合うように保持するようになっている。

保持部１２ｃは、長手方向が経線Ｃ１上に沿うように、且つ挿入孔１１ｃと連通するように形成されている。

この保持部１２ａ〜１２ｃは、小径部１０ａ側において、ソケット本体１０の外周面から挿入孔１１ａ〜１１ｃに連通する変形スペース１２０ａ〜１２０ｃが確保されており、この変形スペース１２０ａ〜１２０ｃが、コンタクト２ａ〜２ｃの上方側の外側に撓む変形を案内するようにされている。

また、大径部１０ｂにおいては、変形スペース１２０ａ〜１２０ｃと下端部１０ｄとに上下方向で連通する保持孔１２１が形成されており、この保持孔１２１に、コンタクト２ａ〜２ｃの支持板部２２ａ〜２２ｃを挿し込むことによって、コンタクト２ａ〜２ｃを保持するようにされている。

この保持孔１２１の断面形状は、コンタクト２ａ〜２ｃの厚み、及び支持板部２２ａ〜２２ｃの側面形状にほぼ適合する形状に形成されており、支持板部２２ａ〜２２ｃを適合状に挿し込むことができ、これによって、保持部１２ａ〜１２ｃでコンタクト２ａ〜２ｃを不動に保持できるようになっている。

コンタクト２ａ〜２ｃは、曲がり変形すると共に、この曲がり変形から復帰する付勢力が生じる弾性を有する金属板を図示するような所定の形状に形成したものであり、上端側にリードピンＡ１、Ａ２が接触する接点Ｐ１〜Ｐ３を有した接点部２０ａ〜２０ｃを有し、下端側に基板（図示せず）に接続する端子部２１ａ〜２１ｃを有している。

接触部２０ａ〜２０ｃは、支持板部２２ａ〜２２ｃの上端から上方へ延設された弾性部２３ａ〜２３ｃの上端に設けられており、端子部２１ａ〜２１ｃは、支持板部２２ａ〜２２ｃの下端から下方へ延設されている。

弾性部２３ａ〜２３ｃは、挿し込まれたリードピンＡ１、Ａ２の接触によって、曲がり変形すると共に、曲がり変形から復帰する付勢力が生じる弾性が生じる部位である。

尚、コンタクト２ａ〜２ｃの形状は、図示例に限るものではない。

このコンタクト２ａ〜２ｃは、支持板部２２ａ〜２２ｃが保持部１２ａ〜１２ｃに保持された状態で、接点部２０ａ〜２０ｃが挿入孔１１ａ、１１ｂの軸心方向に向かうと共に、挿入孔１１ａ、１１ｂ内に挿入状態となるように、挿入孔１１ａ、１１ｂの軸に向かって突出するように設けられており、接点部２０ａ〜２０ｃの先端に設定された接点Ｐ１〜Ｐ３が、挿入孔１１ａ、１１ｂに挿入されたリードピンＡ１、Ａ２の周面に接触するようにされている。

コンタクト２ａ、２ｂは、保持部１２ａ、１２ｂに保持された状態で、接点部２０ａ、２０ｂの接点Ｐ１、Ｐ２が互いに正対する位置となる高さとなるように形成されており、接点Ｐ１、Ｐ２が挿入されたリードピンＡ１、Ａ２の軸を中心とする同一の円周上に位置するようにされている（図４参照）。

コンタクト２ｃは、保持部１２ｃに保持された状態で、接点部２０ｃの接点Ｐ３が接点Ｐ１、Ｐ２よりも上方の位置となる高さとなるように形成されている（図４参照）。

接点部２０ａ〜２０ｃは、挿入孔１１ａ、１１ｂの軸側の頂点を接点Ｐ１〜Ｐ３とする三角形状に形成され、且つその接点Ｐ１〜Ｐ３同士の隙間がリードピンＡ１、Ａ２の径未満に設定されており、挿入孔１１ａ、１１ｂに挿入されるリードピンＡ１、Ａ２の、接点部２０ａ〜２０ｃの上部傾斜面２０１ａ〜２０１ｃへの接触によって、コンタクト２ａ〜２ｃが保持部１２ａ〜１２ｃ内で径方向外側へ拡開するように曲がり変形するようになっている。

径方向外側へ拡開するように曲り変形したコンタクト２ａ〜２ｃには、その弾性によって、元の位置に復帰する方向への付勢力が生じ、この付勢力によって、接点Ｐ１〜Ｐ３をリードピンＡ１、Ａ２に押し付けて、リードピンＡ１、Ａ２に対する接点Ｐ１〜Ｐ３の接触状態を確実なものとすることができるようになっている。

前述の構成としたソケット１によると、リードピンＡ１、Ａ２に対するコンタクト２ａ〜２ｃを夫々三個配して、三カ所の接点Ｐ１〜Ｐ３を設けることによって、リードピンＡ１、Ａ２の一本毎に対して複数の接点Ｐ１〜Ｐ３を設定できると共に、リードピンＡ１、Ａ２の一本毎に対する接点の接触面積を大きくすることができる。

また、前述の構成としたソケット本体１０によると、リードピンＡ１、Ａ２の一本毎に対して複数の接点Ｐ１〜Ｐ３を設定することができると共に、リードピンＡ１、Ａ２の一本毎に対する接点の接触面積を大きくすることができるソケット１を構成することができる。

これにより、リードピンＡ１、Ａ２に対する接点Ｐ１〜Ｐ３の接触信頼性を高めることができると共に、大電流を流すことができ、且つ高出力な半導体レーザ素子Ａの駆動の確実性を高めることができる。

また、接点Ｐ１、Ｐ２の高さ位置を同一とすると共に、経線Ｃ２に沿って正対させたことで、コンタクト２ａ、２ｂの付勢力が互いに向き合う方向に作用し、接点Ｐ１、Ｐ２をリードピンＡ１、Ａ２に対して挟むように接触させることができるため、接点Ｐ１、Ｐ２のリードピンＡ１、Ａ２に対する接触状態を良好なものとすることができる。

また、接点Ｐ３の高さ位置を接点Ｐ１、Ｐ２の高さ位置よりも高い位置に設定しているため、リードピンＡ１、Ａ２の挿入時において、リードピンＡ１、Ａ２に対する接点Ｐ１〜Ｐ３の接触摩擦力が段階的に増し、挿入されるリードピンＡ１、Ａ２に対する接点Ｐ１〜Ｐ３の接触摩擦を一度に集中させずに徐々に作用させることで、リードピンＡ１、Ａ２の変形や傷付き等の発生を低減することができる。

更に、三カ所の接点Ｐ１〜Ｐ３により、リードピンＡ１、Ａ２に対する接触信頼性を高めているため、コンタクト２ａ〜２ｃの弾性力を、コンタクトが一個である従来のものよりも弱くしても、リードピンＡ１、Ａ２に対する接触信頼性を確保することができる。

そして、コンタクト２ａ〜２ｃの弾性力を弱くできることで、挿入時のリードピンＡ１、Ａ２に対する接点Ｐ１〜Ｐ２の接触摩擦を低減できるので、このリードピンＡ１、Ａ２の変形や傷付き等の発生を低減することができる。

次に、本発明に係る第２実施形態のソケット１’を図５及び図６に基づいて説明する。ソケット１’は、三個の挿入孔１１ａ〜１１ｃを有し、挿入孔１１ａ〜１１ｃ夫々に三個のコンタクト２ａ〜２ｃが保持されたものである。

尚、この第２実施形態では、半導体レーザ素子Ａが三本のリードピンＡ１〜Ａ３を有するものとして例示する。また、第１実施形態と重複する部位については、同符号を付すことで説明は省略する。

挿入孔１１ａ、１１ｂは、経線Ｃ１上に、且つ経線Ｃ１と直交する経線Ｃ２を対称軸として対称となる位置に設けられ、挿入孔１１ｃは経線Ｃ２上に設けられている。

保持部１２ａ〜１２ｃは、平面視における長手方向が互いに交差し、且つ挿入孔１１ａ〜１１ｃの軸側を頂点とする矢印形状を呈するように配置され、変形スペース１２０ａ〜１２０ｃが確保されている。

このような保持部１２ａ〜１２ｃに保持されたコンタクト２ａ〜２ｃは、接点Ｐ１〜Ｐ３の高さ位置がすべて異なる高さ位置となるように形成されている（図６参照）。

また、このコンタクト２ａ〜２ｃの接点Ｐ１〜Ｐ３は、前述した矢印形状を呈するように配置された保持部１２ａ〜１２ｃによって、挿入孔１１ａ〜１１ｃの半周未満の範囲に収まるようになっている。

前述の構成としたソケット１’によると、リードピンＡ１〜Ａ３に対するコンタクト２ａ〜２ｃを夫々三個配して、三カ所の接点Ｐ１〜Ｐ３を設けることによって、リードピンＡ１〜Ａ３の一本毎に対して複数の接点Ｐ１〜Ｐ３を設定することができる。

また、前述の構成としたソケット本体１０によると、リードピンＡ１〜Ａ３の一本毎に対して複数の接点Ｐ１〜Ｐ３を設定することができるソケット１’を構成することができる。

これにより、リードピンＡ１〜Ａ３に対する接点Ｐ１〜Ｐ３の接触信頼性を高めることができると共に、大電流を流すことができ、且つ高出力な半導体レーザ素子Ａの駆動の確実性を高めることができる。

更に、接点Ｐ１〜Ｐ３の高さ位置がすべて異なる高さ位置としているため、リードピンＡ１〜Ａ３の挿入時において、リードピンＡ１〜Ａ３に対する接点Ｐ１〜Ｐ３の接触摩擦力を、一か所ずつ三段階に増すようにすることができ、挿入されるリードピンＡ１〜Ａ３に対する接点Ｐ１〜Ｐ３の接触摩擦を一度に集中させずに三段階に作用させることで、リードピンＡ１〜Ａ３の変形や傷付き等の発生をより確実に低減することができる。

しかも、接点Ｐ１〜Ｐ３を挿入孔１１ａ〜１１ｃの半周未満の範囲に収まるようにしているため、コンタクト２ａ〜２ｃの付勢力の方向が互いに正対せず、平面視においてリードピンＡ１〜Ａ３を挟み付けずに複数の接点Ｐ１〜Ｐ３を接触させることができる。

すなわち、リードピンＡ１〜Ａ３の挿入時において、このリードピンＡ１〜Ａ３に対するコンタクト２ａ〜２ｃに正対して挟み付ける方向の付勢力が作用しないので、リードピンＡ１〜Ａ３の挿入時におけるコンタクト２ａ〜２ｃの付勢力による接触抵抗を低減することができると共に、リードピンＡ１〜Ａ３の変形や傷付き等の発生を低減することができる。

次に、本発明に係る第３実施形態のソケット１’’を図７に基づいて説明する。尚、第１、第２実施形態と重複する部位については、同符号を付すことで説明は省略する。

コンタクト２ａ〜２ｃは、接点Ｐ１〜Ｐ３の高さ位置がすべて同じ高さ位置となるように、すべて同じ形状に形成されている。

前述の構成としたソケット１’’によると、リードピンＡ１〜Ａ３に対するコンタクト２ａ〜２ｃを夫々三個配して、三カ所の接点Ｐ１〜Ｐ３を設けることによって、リードピンＡ１〜Ａ３の一本毎に対して複数の接点Ｐ１〜Ｐ３を設定することができる。

また、第３実施形態のソケット本体１０を用いることによって、リードピンＡ１〜Ａ３の一本毎に対して複数の接点Ｐ１〜Ｐ３を設定することができるソケット１’’を構成することができる。

しかも、すべて同じ形状のコンタクト２ａ〜２ｃを用いることによって、ソケット１’’の製作時に、同一形状のコンタクト２ａ〜２ｃを使用することができる。

したがって、保持部１２ａ〜１２ｃのいずれにコンタクト２ａ〜２ｃを配置しても、同じソケット１’’を構成することができ、その上、一種類の形状のコンタクト２ａ〜２ｃを用意すればよいため、ソケット１’’の製造を容易、且つ迅速に行うことができると共に、部品コストや製造コストを低減することができる。

次に、図８に基づいて、前述した構成の第１〜第３実施形態のソケット１〜１’’の他の使用例を説明する。

尚、以下の説明及び図示では、第１実施形態のソケット１に対応する構造のものとして例示するが、前述した構成の第２、第３実施形態ソケット１’、１’’においても、ソケット１と同様に使用することができる。

前述した構成のソケット１は、以下のように、精度の高い抵抗測定が可能な四端子法の接続に使用することができる。

すなわち、ソケット１は、リードピンＡ１、Ａ２一本毎に三本のコンタクト２ａ〜２ｃが接触しているので、その内の二本のコンタクト２ａ、２ｂを、抵抗測定器Ｃに配線されたクリップ１００等を介して接続することにより、精度の高い抵抗測定法である四端子法を行うことができる。

また、半導体レーザ素子Ａをソケット１に挿入した状態で抵抗測定器Ｃに接続できるので、クリップ１００等を直接リードピンＡ１、Ａ２に接続することによるリードピンＡ１、Ａ２の変形や傷付きを防ぐことができる。

更に、ソケット１は、四端子法に用いられるケルビンソケットとしても使用することができる。

したがって、ソケット１は、半導体レーザ素子Ａを駆動させるための電力を半導体レーザ素子Ａに供給する接続具として使用するものの他にも、抵抗測定法の一つである四端子法を行うための接続具としても使用することができる。

また、三個のコンタクト２ａ〜２ｃの内、抵抗測定器Ｃに接続する二本は、リードピンＡ１、Ａ２一本毎に三個のコンタクト２ａ〜２ｃが接触しているので、コンタクト２ａ〜２ｃの内、どの二個を選択しても同じ測定結果を得ることができる。

次に、図９及び図１０に基づいてコンタクト２ａ’〜２ｃ’の他の例を説明する。前述のコンタクト２ａ〜２ｃは、夫々一個の接点Ｐ１〜Ｐ３を備えたものであるが、このコンタクト２ａ’〜２ｃ’は、夫々二個（複数）の接点Ｐ４、Ｐ４’、Ｐ５、Ｐ５’、Ｐ６、Ｐ６’を備えたものである。

第１実施形態〜第３実施形態と重複する部位についての説明は同符号を付すことで説明は省略する。コンタクト２ａ’〜２ｃ’の形状は、図示例に限るものではない。

コンタクト２ａ’〜２ｃ’は、夫々二個の弾性部２３ａ、２３ａ’、２３ｂ、２３ｂ’、２３ｃ、２３ｃ’を有しており、支持板部２２ａ〜２２ｃの図面上左右方向（ソケット１’’’の径方向）に沿って、所定間隔をあけて並列するように設けられている。

弾性部２３ａ、２３ａ’、２３ｂ、２３ｂ’、２３ｃ、２３ｃ’の上端には、接点Ｐ４、Ｐ４’、Ｐ５、Ｐ５’、Ｐ６、Ｐ６’を有する接点部２０ａ、２０ａ’、２０ｂ、２０ｂ’、２０ｃ、２０ｃ’が形成されている。

弾性部２３ａ〜２３ｃは、図面上右側（ソケット１’’’の径方向中心側）に配置され、弾性部２３ａ’〜２３ｃ’は、図面上左側（ソケット１’’’の径方向外周面側）に配置されている。

弾性部２３ａ〜２３ｃは、接点Ｐ４が、弾性部２３ａ’の接点Ｐ４’よりも低い位置となるように、且つこの接点Ｐ４’に接触する鉛直線Ｄ上に位置するように屈曲形成されており、挿し込まれるリードピンＡ１、Ａ２（リードピンＡ１のみを図示する）に対して、接点Ｐ４、Ｐ４’、Ｐ５、Ｐ５’、Ｐ６、Ｐ６’を接触させることができる。

このようなコンタクト２ａ’〜２ｃ’によると、一個のコンタクト２ａ’〜２ｃ’に、夫々二個の接点Ｐ４、Ｐ４’、Ｐ５、Ｐ５’、Ｐ６、Ｐ６’を備えているので、このコンタクト２ａ’〜２ｃ’の個数を前述のソケット１に保持されたコンタクト２ａ〜２ｃと同数とした場合でも、コンタクト２ａ’の一個毎の接点Ｐ４、Ｐ４’、Ｐ５、Ｐ５’、Ｐ６、Ｐ６’が２倍となるため、リードピンＡ１，Ａ２の一本毎に対する接触面積を更に大きくすることができる。

また、コンタクト２ａ’〜２ｃ’の個数を減らした場合でも、前述のソケット１、１’、１’’に保持されたコンタクト２ａ〜２ｃと比較して、リードピンＡ１、Ａ２の一本毎に対する接触面積を同等以上とすることができる。

接点Ｐ４、Ｐ４’、Ｐ５、Ｐ５’、Ｐ６、Ｐ６’を備えたコンタクト２ａ’〜２ｃ’の個数は、複数の内の、少なくとも一個であってもよい。

したがって、コンタクト２ａ’〜２ｃ’を備えたソケット１’’’は、前述のソケット１、１’、１’’と同じ作用効果を奏し、しかも、コンタクト２ａ’〜２ｃ’の個数を減らしても、その接触面積をより大きくすることができるので、より高い接触信頼性を備えることができる。

この構成のコンタクト２ａ’〜２ｃ’の場合、リードピンＡ１、Ａ２の一本毎に一個のコンタクト２ａ’で複数の接点Ｐ４、Ｐ４’を確保することができるため、従来構成のソケット本体（挿入孔１１ａの一個に保持部１２ａが一個のもの、図示せず）にコンタクト２ａ’を保持したソケット（図示せず）にすることができる。

これにより、前述の従来構成のソケット本体を使用しても、複数の接点Ｐ４、Ｐ４’を確保して接触面積を大きくすることができるため、使用するコンタクト２ａ’〜２ｃ’の個数を従来構成のソケットと同じ個数（一個）にすることができる。

図１０では、ソケット本体１０に保持されたコンタクト２ａ’〜２ｃ’の接点Ｐ４〜Ｐ６及び接点Ｐ４’〜Ｐ６’の位置が、図７に示す第３実施形態のように同じ高さとなるように形成されたものを示しているが、これは、図４に示す第１実施形態や図６に示す第２実施形態のように、接点Ｐ４〜Ｐ６及び接点Ｐ４’〜Ｐ６’の一個又は全部を異なる高さとなるように形成されたものでもよい。

尚、本発明は、例示した実施の形態に限定するものではなく、特許請求の範囲の各項に記載された内容から逸脱しない範囲の構成による実施が可能である。

前述の各実施形態のソケット１、１’、１’’、１’’’は、挿入孔１１ａ〜１１ｃに夫々三個のコンタクト２ａ〜２ｃ、２ａ’〜２ｃ’が配置された形態として例示したが、このコンタクト２ａ〜２ｃ、２ａ’〜２ｃ’の個数は、複数であれば例示した個数に限らない。

また、前述の各実施形態のソケット１、１’、１’’、１’’’は、二個乃至三個の挿入孔１１ａ〜１１ｃを有する形態として例示したが、この挿入孔１１ａ〜１１ｃの個数は、使用する半導体レーザ素子ＡのリードピンＡ１〜Ａ３の本数に対応した個数であれば例示した個数に限らない。

また、前述の各実施形態のソケット本体１０は、三個の保持部１２ａ〜１２ｃを有する形態として例示したが、この保持部１２ａ〜１２ｃの個数は、複数であれば例示した個数に限らず、その配置形態も例示した形態に限らない。

１：ソケット（半導体レーザ素子用ソケット）
１’：ソケット（半導体レーザ素子用ソケット）
１’’：ソケット（半導体レーザ素子用ソケット）
１’’’：ソケット（半導体レーザ素子用ソケット）
１０：ソケット本体
Ａ：半導体レーザ素子
Ａ１：リードピン
Ａ２：リードピン
Ａ３：リードピン
１１ａ：挿入孔
１１ｂ：挿入孔
１１ｃ：挿入孔
１２ａ：保持部
１２ｂ：保持部
１２ｃ：保持部
２ａ：コンタクト
２ｂ：コンタクト
２ｃ：コンタクト
２ａ’：コンタクト
２ｂ’：コンタクト
２ｃ’：コンタクト
Ｐ１：接点
Ｐ２：接点
Ｐ３：接点
Ｐ４：接点
Ｐ４’：接点

Claims

半導体レーザ素子のリードピンが挿入される挿入孔を有するソケット本体と、前記ソケット本体に保持され、前記挿入孔に挿入された前記リードピンの一本に対して接触する接点を有する複数のコンタクトとが備えられている半導体レーザ素子用ソケット。
複数の前記コンタクトの内、少なくとも一個の前記コンタクトの前記接点と他の前記コンタクトの前記接点とが、互いに前記リードピンの軸方向に沿って異なる位置となるように設定されている請求項１記載の半導体レーザ素子用ソケット。
複数の前記コンタクトの内、少なくとも二個の前記コンタクトの接点が、前記リードピンの軸を中心とする同一の円周上に設定されている請求項１又は２記載の半導体レーザ素子用ソケット。
複数の前記コンタクトの内、少なくとも二個の前記コンタクトの接点が、前記リードピンを挟んで正対する位置に設定されている請求項１乃至３いずれか１項記載の半導体レーザ素子用ソケット。
少なくとも前記コンタクトの一個には、前記接点が複数備えられていることを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項記載の半導体レーザ素子用ソケット。
請求項１乃至５いずれか１項記載の半導体レーザ素子用ソケットのソケット本体であって、前記リードピンが挿入される前記挿入孔の一個毎に、前記コンタクトを保持する複数の保持部を備え、前記保持部は、前記挿入孔に対して前記コンタクトの前記接点が前記挿入孔内に臨むように連通されていることを特徴とする半導体レーザ素子用ソケットのソケット本体。