JP2014115114A - 電流センサ機構 - Google Patents

Abstract

【課題】信号処理を簡素としつつ、電流の検出精度の低下が抑制された電流センサ機構を提供する。
【解決手段】交流電流の流れる導体（４０）と、磁電変換素子（２０）と、処理部（３０）と、を有する電流センサ機構。導体は、交流電流の流れ方向に延び、流れ方向に直交する断面形状が縦方向よりも横方向に長い形状を成し、横方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する第１磁電変換素子（２１）と、縦方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する第２磁電変換素子（２２）と、を有し、導体の幾何学的中心（ＣＧ）から横方向に沿って離れる方向に、第１磁電変換素子と第２磁電変換素子が順に並んでおり、処理部は、表皮効果による第１磁電変換素子と第２磁電変換素子それぞれの出力信号の振る舞いの違いを補正するための補正係数（α）が乗算された第２磁電変換素子の出力信号でもって、第１磁電変換素子の出力信号を減算する。
【選択図】図３

Description

本発明は、被測定対象である交流電流の流れる導体と、交流電流の流動によって生じる磁界を電気信号に変換する磁電変換素子と、磁電変換素子の電気信号を処理する処理部と、を有する電流センサ機構に関するものである。

従来、例えば特許文献１に示されるように、電流導体を流れる電流を測定する電流センサが記載されている。この電流センサは、電流が発生する磁界を検出する磁気センサと、磁気センサの出力値をデジタル値に変換するＡＤ変換部と、電流導体に直流電流を流したときの磁気センサの出力値、及び、電流導体に交流電流を流したときの磁気センサの出力値に基づいて算出した補正係数を予め記憶する記憶部と、デジタル値、及び、補正係数に基づいて、電流導体に流れる電流の電流値を算出する演算部と、を備える。

電流導体を流れる電流の周波数が高くなると、表皮効果のために、電流導体内部の電流密度分布が変わり、磁気センサ位置での磁束密度値と位相とが変化する。そこで、特許文献１に記載の電流センサでは、デジタル値、及び、補正係数に基づくことで、表皮効果の影響を考慮して、電流導体を流れる電流を測定している。

特開２０１０−２２７７号公報

上記したように、特許文献１に示される電流センサでは、デジタル値、及び、補正係数に基づくことで、表皮効果の影響を考慮して、電流導体を流れる電流を測定している。そのため、信号処理が複雑だった。

そこで、本発明は上記問題点に鑑み、信号処理を簡素としつつ、電流の検出精度の低下が抑制された電流センサ機構を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、被測定対象である交流電流の流れる導体（４０）と、交流電流の流動によって生じる磁界を電気信号に変換する磁電変換素子（２０）と、磁電変換素子の電気信号を処理する処理部（３０）と、を有する電流センサ機構であって、導体は、交流電流の流れ方向に延び、流れ方向に直交する横方向と縦方向とによって規定される規定平面の断面形状が、縦方向よりも横方向に長い形状を成し、磁電変換素子として、横方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する第１磁電変換素子（２１）と、縦方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する第２磁電変換素子（２２）と、を有し、規定平面における導体の幾何学的中心（ＣＧ）を縦方向に貫く基準線（ＢＬ）から、横方向に沿って離れる方向に、第１磁電変換素子と第２磁電変換素子が順に並んで、導体に搭載されており、処理部は、交流電流の周波数の増大によって導体に表皮効果が生じた場合における、第１磁電変換素子の出力信号と第２磁電変換素子の出力信号の振る舞いの違いを補正するための補正係数（α）を第２磁電変換素子の出力信号に乗算する乗算部（３１）と、補正係数が乗算された第２磁電変換素子の出力信号でもって、第１磁電変換素子の出力信号を減算する減算部（３２）と、を有することを特徴とする。

交流電流の周波数が、導体（４０）に表皮効果が生じない程度である場合、交流電流の流動によって生じる磁界は、周波数に対して変動しない。そのため、第１磁電変換素子（２１）と第２磁電変換素子（２２）それぞれを貫く磁束は一定であり、それぞれの出力信号も一定である。ちなみに、右ねじの法則により、交流電流のために生じる磁界は、第１磁電変換素子（２１）と第２磁電変換素子（２２）それぞれを横方向に貫く。そのため、横方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する第１磁電変換素子（２１）の出力信号（以下、第１信号と示す）は、縦方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する第２磁電変換素子（２２）の出力信号（以下、第２信号と示す）よりも高くなる。

しかしながら、交流電流の周波数が、導体（４０）に表皮効果が生じるほどに高まると、交流電流のために生じる磁界は、周波数に対して変動する。本発明では、導体（４０）は、交流電流の流れ方向に直交する規定平面の断面形状が、縦方向よりも横方向に長い形状を成している。したがって、交流電流の周波数が高まり、導体（４０）に表皮効果が生じると、導体（４０）の幾何学的中心（ＣＧ）から横方向に離れた部位（以下、単に端部と示す）の電流密度の方が、導体（４０）の幾何学的中心（ＣＧ）を流れ方向に含む部位（以下、単に中心と示す）の電流密度よりも高くなる。また、本発明では、導体（４０）の幾何学的中心（ＣＧ）を縦方向に貫く基準線（ＢＬ）から、横方向に沿って離れる方向に、第１磁電変換素子（２１）と第２磁電変換素子（２２）が順に並んでいる。そのため、第１磁電変換素子（２１）を横方向に貫く磁束密度が低下し、第２磁電変換素子（２２）を横方向に貫く磁束密度が増大する。そして、詳しくは実施形態で述べるが、第１磁電変換素子（２１）を横方向に貫く磁束密度（第１信号）の周波数に対する傾きと、第２磁電変換素子（２２）を縦方向に貫く磁束密度（第２信号）の周波数に対する傾きとが共に直線状で負となることが、本発明者の研究によって明らかになっている。

そこで、本発明では、交流電流の周波数の増大によって導体（４０）に表皮効果が生じた場合における、第１信号と第２信号の振る舞いの違いを補正するための補正係数（α）を第２信号に乗算する。これにより、第１信号の周波数に対する傾きと、第２信号の周波数に対する傾きとを同一にする。また、本発明では、補正係数（α）が乗算された第２信号でもって、第１信号を減算する。これにより、表皮効果に起因する第１信号と第２信号それぞれの周波数に対する傾きが一定とされた、表皮効果に依存しない信号が算出される。このように、本発明によれば、１つの補正係数（α）を第２信号に乗算し、補正係数（α）が乗算された第２信号でもって、第１信号を減算するだけで、表皮効果の影響が軽減され、電流の検出精度の低下が抑制される。以上、示したように、本発明に記載の電流センサ機構（１００）によれば、信号処理が簡素であるにも関わらず、電流の検出精度の低下が抑制される。

上記発明において、補正係数は、一定値であり、乗算部は、第２磁電変換素子（２２）の出力信号を補正係数だけ増幅するものである構成が好適である。これによれば、乗算部（３１）が、ＡＤ変換部と、記憶部と、演算部と、を有する構成と比べて、部品点数が少なくなり、電流センサ機構（１００）の体格の増大が抑制される。また、安価に電流センサ機構（１００）を製造することができる。

また、乗算部は、減算部の出力信号の周波数に応じた補正係数を、第２磁電変換素子（２２）の出力信号に乗算する構成も好適である。これによれば、減算部（３２）の出力信号の周波数、すなわち、交流電流の周波数に応じた補正係数（α）を第２信号に乗算することができる。そのため、補正係数（α）が一定値である構成と比べて、より表皮効果に依存しない信号が算出される。そのため、電流の検出精度の低下が、より効果的に抑制される。

なお、上記した構成を実現する具体的な構成としては、乗算部は、減算部の出力信号の周波数を電圧に変換するＦＶ変換回路（３３）と、ＦＶ変換回路によって電圧に変換された減算部の出力信号の周波数と補正係数との対応関係が記憶された記憶部（３４）と、ＦＶ変換回路の出力信号に対応する補正係数を記憶部から読み出し、読み出した補正係数を第２磁電変換素子の出力信号に乗算するＣＰＵ（３５）と、を有する構成を採用することができる。

第１実施形態に係る電流センサ機構の概略構成を示す斜視図である。 半導体チップの概略構成を示す上面図である。 磁電変換素子と導体との位置を示す断面図である。 磁電変換素子と処理部を説明するためのブロック図である。 電流密度のｘ方向依存性を示すグラフ図である。 第１信号と第２信号それぞれの周波数依存性を示すグラフである。 検出信号の周波数依存性を示すグラフである。 規格化された検出信号の周波数依存性を示すグラフである。 電流センサ機構の変形例を示す斜視図である。 半導体チップの変形例を示す上面図である。 磁電変換素子と処理部の変形例を説明するためのブロック図である。 補正係数と電圧の関係を示すグラフ図である。

以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１〜図８に基づいて、第１実施形態に係る電流センサ機構を説明する。以下においては、互いに直交する３方向をｘ方向、ｙ方向、ｚ方向と示す。また、ｘ方向とｙ方向とによって規定される平面をｘ−ｙ平面、ｘ方向とｚ方向とによって規定される平面をｘ−ｚ平面と示す。ちなみに、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向が、特許請求の範囲に記載の横方向、流れ方向、縦方向に相当し、ｘ−ｚ平面が、特許請求の範囲に記載の規定平面に相当する。

図１及び図２に示すように、電流センサ機構１００は、要部として、被測定対象である交流電流の流れる導体４０と、交流電流の流動によって生じる磁界（以下、被測定磁界と示す）を電気信号に変換する磁電変換素子２０と、磁電変換素子２０の電気信号を処理する処理部３０と、を有する。本実施形態では、磁電変換素子２０と処理部３０それぞれは１つの半導体チップ１０に形成されており、半導体チップ１０は、導体４０に搭載されている。

半導体チップ１０は、シリコン基板であり、その一面１０ａに、磁電変換素子２０と処理部３０それぞれが形成されている（以下、一面１０ａを形成面１０ａと示す）。そして、図３に示すように、形成面１０ａの裏面１０ｂが、導体４０におけるｘ−ｙ平面に沿う搭載面４０ａに搭載され、形成面１０ａが、ｘ−ｙ平面に沿っている。

磁電変換素子２０は、ホール素子であり、ｘ方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する第１磁電変換素子２１と、ｚ方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する第２磁電変換素子２２と、を有する。第１磁電変換素子２１は、形成面１０ａをｘ方向に沿う磁界を検出する横型ホール素子であり、第２磁電変換素子２２は、形成面１０ａをｚ方向に直交する磁界を検出する縦型ホール素子である。図３に示すように、第１磁電変換素子２１と第２磁電変換素子２２は、ｘ−ｚ平面における導体４０の幾何学的中心ＣＧをｚ方向に貫く基準線ＢＬから、ｘ方向に沿って離れる方向に順に並んで、導体４０に搭載されている。本実施形態では、ｘ方向において、第１磁電変換素子２１が基準線ＢＬと同位置にあり、第２磁電変換素子２２が基準線ＢＬよりもｘ方向に所定距離離れている。

処理部３０は、図４に示すように、交流電流の周波数の増大によって導体４０に表皮効果が生じた場合における、第１磁電変換素子２１の出力信号（以下、単に第１信号と示す）と第２磁電変換素子２２の出力信号（以下、単に第２信号と示す）の振る舞いの違いを補正するための補正係数αを第２信号に乗算する乗算部３１と、補正係数αが乗算された第２信号（以下、補正信号と示す）でもって、第１信号を減算する減算部３２と、を有する。減算部３２からは、補正信号によって第１信号が減算された検出信号が出力され、この検出信号が、出力端子５０を介して、外部に出力される。

本実施形態において、補正係数αは、一定値であり、乗算部３１は、第２磁電変換素子２２の出力信号を補正係数αだけ増幅するアンプである。また、減算部３２は、差動増幅回路であり、その増幅率は、用途に応じて決定される。図４に示すように、第１磁電変換素子２１が、減算部３２の非反転入力端子に接続され、第２磁電変換素子２２が、乗算部３１を介して、減算部３２の反転入力端子に接続されている。これにより、減算部３２の出力端子から、補正信号によって第１信号が減算された検出信号が出力される。

ちなみに、補正係数αの値は、電流センサ機構１００の製造段階において、減算部３２の出力信号（検出信号）の周波数依存性を観測し、その観測値に基づいて、検出信号が周波数に依存しなくなるように、決定される。

導体４０は、図１に示すように、ｙ方向に延びた形状を成し、ｙ方向に交流電流が流れるものである。図３に示すように、導体４０におけるｘ−ｚ平面の断面形状は、ｚ方向よりもｘ方向に長い形状を成している。より詳しく言えば、本実施形態に係る導体４０は、ｘ−ｚ平面の断面形状が、ｚ方向よりもｘ方向に長い長方形となっている。なお、図１に示す一点鎖線は、導体４０の幾何学的中心ＣＧをｙ方向に貫く中心線ＣＬである。

次に、交流電流の周波数に対する第１信号と第２信号それぞれの振る舞いを図５、及び、図６に基づいて説明する。ちなみに、図５に示す一点鎖線は、幾何学的中心ＣＧのｘ方向での位置を示し、図６に示す一点鎖線は、導体４０に表皮効果が生じ始める交流電流の周波数を示している。交流電流の周波数が、導体４０に表皮効果が生じない程度である場合、交流電流のために生じる磁界（被測定磁界）は、周波数に対して変動しない。そのため、磁電変換素子２１，２２それぞれを貫く磁束は一定であり、第１信号と第２信号も一定である。しかしながら、交流電流の周波数が、導体４０に表皮効果が生じるほどに高まると、被測定磁界は、周波数に対して変動する。

上記したように、第１磁電変換素子２１と第２磁電変換素子２２は、基準線ＢＬからｘ方向に沿って離れる方向に順に並んで、導体４０に搭載されている。そのため、右ねじの法則により、被測定磁界は、磁電変換素子２１，２２それぞれをｘ方向に貫く。上記したように、第１磁電変換素子２１は、ｘ方向に沿う磁界のみを電気信号に変換し、第２磁電変換素子２２は、ｚ方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する。そのため、図６に示すように、第１信号は、第２信号よりも高くなっている。

磁電変換素子２１，２２をｘ方向に貫く被測定磁界の強さは、導体４０をｙ方向に流れる交流電流の電流密度に依存する。交流電流の周波数が導体４０に表皮効果が生じない程度の場合、図５に実線で示すように、導体４０の幾何学的中心ＣＧをｙ方向に含む部位（以下、単に中心と示す）の電流密度、及び、導体４０の幾何学的中心ＣＧからｘ方向に離れた部位（以下、単に端部と示す）の電流密度それぞれは、一定である。これに対して、交流電流の周波数が導体４０に表皮効果が生じる程度の場合、図５に破線で示すように、導体４０の中心の電流密度は低下し、導体４０の端部の電流密度が増大する。したがって、導体４０に表皮効果が生じない場合、第１磁電変換素子２１をｘ方向に貫く磁束は、一定であるが、導体４０に表皮効果が生じる場合、第１磁電変換素子２１をｘ方向に貫く磁束は、低減する。このため、ｘ方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する第１磁電変換素子２１の出力信号（第１信号）は、図６に示すように、導体４０に表皮効果が生じない場合、一定であるが、導体４０に表皮効果が生じる場合、周波数に依存して低減する。

これに対して、第２磁電変換素子２２は、ｚ方向に沿う磁界のみを電気信号に変換するものである。そのため、ｙ方向の電流密度変化には、依存しない。しかしながら、図示しないが、導体４０に表皮効果が生じない場合、第２磁電変換素子２２をｚ方向に貫く磁束は、一定であるが、導体４０に表皮効果が生じる場合、第２磁電変換素子２２をｚ方向に貫く磁束は、低減する。したがって、ｚ方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する第２磁電変換素子２２の出力信号（第２信号）は、図６に示すように、導体４０に表皮効果が生じない場合、一定であるが、導体４０に表皮効果が生じる場合、周波数に依存して低減する。このように、第１信号と第２信号とは、表皮効果（交流電流の周波数）に対して、同様の振る舞いを示す。具体的に言えば、図６に示すように、表皮効果が生じた場合における、第１信号の交流電流の周波数に対する傾きと、第２信号の交流電流の周波数に対する傾きとが共に直線状で負の振る舞いを示す。

なお、上記では、導体４０をｙ方向に流れる交流電流の電流密度、及び、第１信号と第２信号それぞれは、交流電流の周波数が導体４０に表皮効果が生じない程度の場合、一定である旨を記した。しかしながら、導体４０に表皮効果が生じない場合であっても、導体４０に渦電流が生じる。そのため、図６に示すように、厳密に言えば、導体４０をｙ方向に流れる交流電流の電流密度、及び、第１信号と第２信号それぞれは、交流電流の周波数が導体４０に表皮効果が生じない程度の場合であっても、一定ではない。

次に、本実施形態に係る電流センサ機構１００の作用効果を図７、及び、図８に基づいて説明する。なお、図７、及び、図８それぞれに示す一点鎖線は、導体４０に表皮効果が生じる交流電流の周波数を示している。

上記したように、第１信号と第２信号それぞれは、交流電流の周波数が表皮効果を生じない程度である場合、一定であり、交流電流の周波数が表皮効果を生じる程度に高まると、周波数に対する傾きが共に直線状に負となる。そこで、本実施形態では、処理部３０の乗算部３１にて、交流電流の周波数の増大によって導体４０に表皮効果が生じた場合における、第１信号と第２信号の振る舞いの違いを補正するための補正係数αを第２信号に乗算する。これにより、第１信号の周波数に対する傾きと、第２信号の周波数に対する傾きとを同一にする。また、減算部３２にて、補正係数αが乗算された第２信号（補正信号）でもって、第１信号を減算する。これにより、表皮効果に起因する第１信号と第２信号それぞれの周波数に対する傾きが一定とされた、表皮効果に依存しない検出信号が算出される（図７参照）。

図８に、交流電流の周波数が１Ｈｚの時の検出信号の値を１として規格化した検出信号を示す。これによれば、表皮効果が生じる程度に交流電流の周波数が高まったとしても、表皮効果による誤差が、１０％程度に抑えられることが分かる。

このように、１つの補正係数αを第２信号に乗算し、補正係数が乗算された第２信号（補正信号）でもって、第１信号を減算するだけで、表皮効果の影響が軽減され、電流の検出精度の低下が抑制される。以上、示したように、本実施形態に係る電流センサ機構１００によれば、信号処理が簡素であるにも関わらず、電流の検出精度の低下が抑制される。

乗算部３１は、第２磁電変換素子２２の出力信号を補正係数αだけ増幅するアンプである。これによれば、乗算部３１が、ＡＤ変換部と、記憶部と、演算部と、を有する構成と比べて、部品点数が少なくなり、電流センサ機構１００の体格の増大が抑制される。また、安価に電流センサ機構１００を製造することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

本実施形態では、磁電変換素子２０がホール素子である例を示した。しかしながら、磁電変換素子２０としては、上記例に限定されず、トンネル磁気抵抗効果素子、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）、若しくは、ＡＭＲを採用することもできる。

本実施形態では、第２磁電変換素子２２が縦型ホール素子である例を示した。しかしながら、第２磁電変換素子２２としては、横型ホール素子を採用することもできる。この場合、図９、及び、図１０に示すように、半導体チップ１０における形成面１０ａとその裏面１０ｂとを連結する側面１０ｃが、導体４０に搭載される。

本実施形態では、補正係数αが一定値である例を示した。しかしながら、補正係数αとしては、上記例に限定されず、検出信号の周波数（交流電流の周波数）に応じた補正係数αを採用することもできる。この場合、乗算部３１は、交流電流の周波数に応じた補正係数αを、第２信号に乗算する。これによれば、補正係数αが一定値である構成と比べて、検出信号が、より表皮効果に依存しなくなる。そのため、電流の検出精度の低下が、より効果的に抑制される。

なお、上記構成を実現する具体的な構成としては、図１１に示す構成を採用することができる。すなわち、乗算部３１が、ＦＶ変換回路３３と、記憶部３４と、ＣＰＵ３５と、を有する構成を採用することができる。ＦＶ変換回路３３は、減算部３２の出力信号の周波数（検出信号の周波数）を電圧に変換し、その電圧をＣＰＵ３５に出力する。記憶部３４には、ＦＶ変換回路３３によって電圧に変換された検出信号の周波数と補正係数αとの対応関係が記憶されている。ＣＰＵ３５は、ＦＶ変換回路３３の出力信号に対応する補正係数αを記憶部３４から読み出し、読み出した補正係数αを第２磁電変換素子２２の出力信号に乗算し、補正信号を生成する。そして、ＣＰＵ３５は、生成した補正信号を、減算部３２に出力する。

参考として、記憶部３４に記憶された、補正係数αとＦＶ変換回路３３によって電圧に変換された検出信号の周波数（交流電流の周波数）との関係を、図１２に示す。図１２に示すように、補正係数αは、交流電流の周波数が低い場合、一定であり、交流電流の周波数が、導体４０に表皮効果が生じるほどに大きくなると、それに応じて増大する値となっている。

本実施形態では、ｘ方向において、第１磁電変換素子２１が基準線ＢＬと同位置にあり、第２磁電変換素子２２が基準線ＢＬよりもｘ方向に所定距離離れている例を示した。しかしながら、第１磁電変換素子２１と第２磁電変換素子２２は、ｘ−ｚ平面における導体４０の幾何学的中心ＣＧをｚ方向に貫く基準線ＢＬから、ｘ方向に沿って離れる方向に順に並んでいればよく、ｘ方向において、第１磁電変換素子２１が基準線ＢＬと同位置になくとも良い。

本実施形態では、導体４０におけるｘ−ｚ平面の断面形状が長方形である例を示した。しかしながら、導体４０におけるｘ−ｚ平面の断面形状としては、上記例に限定されず、ｚ方向よりもｘ方向に長い形状であればよい。例えば、表皮効果を緩和するために、導体４０の角部にＲが設けられた構成を採用することもできる。

２０・・・磁電変換素子
２１・・・第１磁電変換素子
２２・・・第２磁電変換素子
３０・・・処理部
３１・・・乗算部
３２・・・減算部
４０・・・導体
１００・・・電流センサ機構

Claims (7)

1. 被測定対象である交流電流の流れる導体（４０）と、
   前記交流電流の流動によって生じる磁界を電気信号に変換する磁電変換素子（２０）と、
   前記磁電変換素子の電気信号を処理する処理部（３０）と、を有する電流センサ機構であって、
   前記導体は、前記交流電流の流れ方向に延び、前記流れ方向に直交する横方向と縦方向とによって規定される規定平面の断面形状が、前記縦方向よりも前記横方向に長い形状を成し、
   前記磁電変換素子として、前記横方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する第１磁電変換素子（２１）と、前記縦方向に沿う磁界のみを電気信号に変換する第２磁電変換素子（２２）と、を有し、
   前記規定平面における前記導体の幾何学的中心（ＣＧ）を前記縦方向に貫く基準線（ＢＬ）から、前記横方向に沿って離れる方向に、前記第１磁電変換素子と前記第２磁電変換素子が順に並んで、前記導体に搭載されており、
   前記処理部は、前記交流電流の周波数の増大によって前記導体に表皮効果が生じた場合における、前記第１磁電変換素子の出力信号と前記第２磁電変換素子の出力信号の振る舞いの違いを補正するための補正係数（α）を前記第２磁電変換素子の出力信号に乗算する乗算部（３１）と、前記補正係数が乗算された前記第２磁電変換素子の出力信号でもって、前記第１磁電変換素子の出力信号を減算する減算部（３２）と、を有することを特徴とする電流センサ機構。
2. 前記補正係数は、一定値であり、
   前記乗算部は、前記第２磁電変換素子の出力信号を前記補正係数だけ増幅するものであることを特徴とする請求項１に記載の電流センサ機構。
3. 前記乗算部は、前記減算部の出力信号の周波数に応じた補正係数を、前記第２磁電変換素子の出力信号に乗算することを特徴とする請求項１に記載の電流センサ機構。
4. 前記乗算部は、前記減算部の出力信号の周波数を電圧に変換するＦＶ変換回路（３３）と、前記ＦＶ変換回路によって電圧に変換された前記減算部の出力信号の周波数と前記補正係数との対応関係が記憶された記憶部（３４）と、前記ＦＶ変換回路の出力信号に対応する補正係数を前記記憶部から読み出し、読み出した前記補正係数を前記第２磁電変換素子の出力信号に乗算するＣＰＵ（３５）と、を有することを特徴とする請求項３に記載の電流センサ機構。
5. 前記磁電変換素子と前記処理部は、１つの半導体チップ（１０）に形成されていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の電流センサ機構。
6. 前記半導体チップにおける前記磁電変換素子と前記処理部それぞれが形成された形成面（１０ａ）の裏面（１０ｂ）が、前記導体に搭載されていることを特徴とする請求項５に記載の電流センサ機構。
7. 前記半導体チップにおける前記磁電変換素子と前記処理部それぞれが形成された形成面とその裏面とを連結する側面（１０ｃ）が、前記導体に搭載されていることを特徴とする請求項５に記載の電流センサ機構。

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