JP2014096560A - 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具 - Google Patents
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Abstract
【課題】優れた光出力特性を有する半導体発光素子アレイを提供する。
【解決手段】半導体発光素子アレイ100は、絶縁性表面を有する支持基板10と、支持基板の絶縁性表面上に形成された、第1の接着金属領域12aと、第1の接着金属領域と間隔を空けて設けられた第2の接着金属領域12bと、を含む接着金属パターンと、第1の接着金属領域に接続された第1の下側電極3を有し、支持基板上に支持された第1の半導体発光素子101aと、第2の接着金属領域に接続された第2の下側電極3を有し、支持基板上に支持された第2の半導体発光素子101bと、支持基板の絶縁性表面上に形成され、表面に光反射性金属層5を有し、第1の半導体発光素子と第2の半導体発光素子との間に光反射表面を構成する金属層12cとを含む。
【選択図】図2
【解決手段】半導体発光素子アレイ100は、絶縁性表面を有する支持基板10と、支持基板の絶縁性表面上に形成された、第1の接着金属領域12aと、第1の接着金属領域と間隔を空けて設けられた第2の接着金属領域12bと、を含む接着金属パターンと、第1の接着金属領域に接続された第1の下側電極3を有し、支持基板上に支持された第1の半導体発光素子101aと、第2の接着金属領域に接続された第2の下側電極3を有し、支持基板上に支持された第2の半導体発光素子101bと、支持基板の絶縁性表面上に形成され、表面に光反射性金属層5を有し、第1の半導体発光素子と第2の半導体発光素子との間に光反射表面を構成する金属層12cとを含む。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体発光素子アレイ、およびそれを用いた車両用灯具に関する。
GaN(ガリウム・窒素)等の窒化物半導体を用いた半導体発光素子(LED)は、紫外光ないし青色光を発光することができ、さらに蛍光体を利用することにより白色光を発光することができる。このような半導体発光素子は、たとえば照明などに用いられる。高い光出力が求められる照明、たとえば車両用灯具に半導体発光素子を用いる場合、発熱の抑制ないし輝度ムラの均一化の観点から、一般的に、複数の半導体発光素子を電気的に直列に接続して用いる(直列接続型半導体発光素子アレイ)。
直列接続型半導体発光素子アレイは、支持基板上に複数の半導体発光素子が配列した構成を備える。半導体発光素子は、少なくともp型半導体層、発光のための活性層(発光層)、および、n型半導体層が積層する構成を備える。複数の半導体発光素子各々は、たとえばp型半導体層が支持基板側(下面)になり、n型半導体層が支持基板とは反対側(上面)になるように形成される。また、相互に隣接する半導体発光素子において、一方の半導体発光素子の上面(n型半導体層)と、他方の半導体発光素子の下面(p型半導体層)と、を電気的に接続する配線層が形成される。
本発明の目的は、優れた光出力特性を有する半導体発光素子アレイを提供することにある。
本発明の主な観点によれば、
絶縁性表面を有する支持基板と;
前記支持基板の絶縁性表面上に形成され、第1の接着金属領域と、前記第1の接着金属領域と間隔をあけて設けられた第2の接着金属層と、を含む接着金属層パターンと;
前記第1の接着金属領域に接続された第1の下側電極を有し、前記支持基板上に支持された第1の半導体発光素子と;
前記第2の接着金属領域に接続された第2の下側電極を有し、前記支持基板上に支持された第2の半導体発光素子と;
前記支持基板の絶縁性表面上に形成され、表面に光反射性金属層を有し、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子との間に光反射面を構成する金属層と;
を含む半導体発光素子アレイ
が提供される。
絶縁性表面を有する支持基板と;
前記支持基板の絶縁性表面上に形成され、第1の接着金属領域と、前記第1の接着金属領域と間隔をあけて設けられた第2の接着金属層と、を含む接着金属層パターンと;
前記第1の接着金属領域に接続された第1の下側電極を有し、前記支持基板上に支持された第1の半導体発光素子と;
前記第2の接着金属領域に接続された第2の下側電極を有し、前記支持基板上に支持された第2の半導体発光素子と;
前記支持基板の絶縁性表面上に形成され、表面に光反射性金属層を有し、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子との間に光反射面を構成する金属層と;
を含む半導体発光素子アレイ
が提供される。
優れた光出力特性を有する半導体発光素子アレイを得ることができる。
図1Aは、参考例による半導体発光素子アレイ(LEDアレイ)200を示す概略平面図である。なお、図中に示す各構成要素の相対的なサイズは、説明の便宜のために拡大縮小されており、実際のものとは異なっている。
参考例によるLEDアレイ200は、支持基板210と、支持基板210上に配列された、たとえば4つの半導体発光素子(LED素子)201とを含む構成である。LEDアレイ200の平面形状は、たとえば、複数のLED素子が配列する方向の幅が6000μm、その方向と直交する方向の幅が1000μm程度の矩形状である。
個々のLED素子201は、n型およびp型のGaN系半導体を含む光半導体積層202を含み、光半導体積層202のn型半導体が第1電極208と電気的に接続し、光半導体積層202のp型半導体が第2電極211(216)と電気的に接続する。所定のLED素子201の第1電極208は、その隣接するLED素子の第2電極211と電気的に接続する。これにより、複数のLED素子201は、電気的に直列に接続される。直列接続する複数のLED素子201には、支持基板210の両端部に配置された給電パッド215,216を介して、電力が供給される。
図1Bおよび図1Cは、LEDアレイ200の一部を示す拡大平面図、および、図1Bに示すLEDアレイ200のIC−IC仮想線に沿う断面図である。以下、簡略化のため、支持基板210上に配列する複数のLED素子のうち、所定のLED素子(第1のLED素子201a)、および、それに隣接するLED素子(第2のLED素子201b)の構成を図示し、説明する。ただし、第1および第2のLED素子以外のLED素子も、同様の構成を有するものとする。
第1および第2のLED素子201a,201bは、図1Bに示すように、たとえば、複数のLED素子が配列する方向に延在する矩形状の平面形状を有している。LED素子の寸法は、たとえば、複数のLED素子が配列する方向の幅が1400μm程度であり、その方向と直交する方向の幅が900μm程度である。第1電極208は、たとえば、複数のLED素子が配列する方向に延在し、その方向と直交する方向に複数列配列するストライプ形状を有する。
第1および第2のLED素子201a,201b各々は、図1Cに示すように、p型GaN層224,活性層223およびn型GaN層222を含むGaN系光半導体積層202と、光半導体積層202のp型GaN層224側(基板側、ないし図面下側)に形成されたp側電極203と、p側電極203と同一平面上に並んで形成されたエッチストップ層204と、光半導体積層202のn型GaN層側(基板の反対側、ないし図面上側)に選択的に形成されたn側電極(第1電極)208と、を有している。なお、図中において、第2のLED素子201bの各構成の符号は、便宜的に省略している。
エッチストップ層204は、LED素子(ないしLEDアレイ)の製造工程のエッチングにおいて、エッチストッパとして機能する層である。エッチストップ層204は、電気絶縁性を有する。
第1および第2のLED素子201a,201b(ないし光半導体積層202)は、それらの側面が支持基板210に向かって徐々に、隣接するLED素子に近づくような断面形状を有している。このような形状を、順テーパ形状と呼ぶこととする。
第1および第2のLED素子201a,201b各々は、表面に絶縁膜209が形成された支持基板210上に、第1の接着層205および第2の接着層206からなる接着層ないし融着層212を介して、支持される。融着層212は、電気伝導性を有し、p側電極203と電気的に導通する。
ここで、図1C中右側の第1のLED素子201aと支持基板210とを融着し、第1のLED素子201aを支持する融着層212の領域を、第1の導電領域212aと呼ぶこととする。また、図1C中左側の第2のLED素子201bと支持基板210とを融着し、第2のLED素子201bを支持する融着層212の領域を、第2の導電領域212bと呼ぶこととする。第1の導電領域212aと、第2の導電領域212bとの間には支持基板210に達する窪みが形成された溝領域213が配置されており、第1および第2の導電領域212a,212bは、電気的に絶縁されている。
LED素子を覆って、支持基板上に電気絶縁性を有する保護膜207が、電極接続領域を除いて、形成されている。保護膜207は、第1および第2のLED素子201a,201bの側面(光半導体積層202およびエッチストップ層204の側面)、第1および第2の導電領域212a,212bの側面、および、溝領域213の内面(ないし第1および第2の導電領域212a,212bの間に露出する支持基板210の表面)を覆う。導電領域212がエッチストップ層204の外側に張り出す露出領域211においては、保護膜207が除去され、接着層205が露出している。n型GaN層222表面においては、周辺部を除いて、保護層207が除去され、n型GaN層222が露出している。保護膜207の表面上に、配線電極214が形成されている。配線電極214は、溝領域213を跨いで、第2のLED素子201bのn側電極208と、第1の導電領域212aの露出領域211(つまり、第1のLED素子201aのp側電極203)と、を電気的に接続する。これにより、第1および第2のLED素子201a,201bは、電気的に直列に接続される。
第1および第2のLED素子201a,201b(それらの光半導体積層202およびエッチストップ層204)および融着層12の側面(第1および第2の導電領域212a,212bの側面ないし溝部213の内側面)において、それらを構成する各層の境界には段差が形成されうる。配線電極214の配線距離が長い場合、配線電極214の抵抗成分が大きくなり、配線電極214による電圧降下が大きくなる。
LED素子201a、201bの間の領域には、光半導体積層が存在せず、自発発光機能はない。発光状態を平面視すると、自発発光機能のない領域は、輝度の低い領域となる。
LED素子201a、201bの間の領域には、光半導体積層が存在せず、自発発光機能はない。発光状態を平面視すると、自発発光機能のない領域は、輝度の低い領域となる。
図2Aおよび図2Bは、本発明の実施例によるLEDアレイ100の一部を示す概略平面図、および、図2Aに示すLEDアレイ100のIIB−IIB仮想線に沿う断面図である。以下、図2Aおよび図2Bを参照しながら、本発明の実施例によるLEDアレイの構成について説明する。
実施例によるLEDアレイ100は、参考例によるLEDアレイと同様に、簡略化して示す。相互に隣接する第1および第2のLED素子101a,101bを含む複数のLED素子が、表面にSiO2等の絶縁膜9が形成されたSi等の支持基板10上に配列した構成を有する。第1および第2のLED素子101a,101b各々は、支持基板10上に、第1および第2の接着層5,6からなる接着層ないし融着層12を介して、支持される。第1の接着層5は、たとえばAu層で形成され、第2の接着層6は、たとえばAu−Sn層を含む。また、第1および第2のLED素子101a,101b各々は、p型GaN層24、活性層23、およびn型GaN層22を含む光半導体積層2と、Ag層等のp側電極3と、SiO2のエッチストップ層4と、Ti/Al/Ti/Au積層等のn側電極8と、を含む。
ここで、第1のLED素子101aを支持し、かつ、そのp側電極3と電気的に導通する融着層12の領域を、第1の導電領域12aと定義し、第2のLED素子101bを支持し、かつ、そのp側電極3と電気的に導通する融着層12の領域を、第2の導電領域12bと定義する。さらに、融着層12において、第1および第2の導電領域12a,12bの間に位置する領域を、第3の導電領域12cと定義する。第1の導電領域12aと第3の導電領域12cとは連続的に形成されており、第1および第3の導電領域12a,12cは電気的に導通する。また、第2の導電領域12bと第3の導電領域12cとの間には、溝領域13が当該2つの領域を完全に分断し、直接的に接続する部分がないよう配置されている。このため、溝領域13が絶縁領域として機能し、第2および第3の導電領域12b,12cは、直接的には電気的に絶縁されている。第1および第2の導電領域12a,12bは、平面視において、それぞれ第1および第2のLED素子101a,101bと重なる部分を有している。第3の導電領域12cは、平面視において、第1および第2のLED素子101a,101bの中間領域において、上方に露出する部分を有している。
第1のLED素子101aのp側電極3は、第1の導電領域12a上に配置されており、第1の導電領域12aおよび第3の導電領域12cと電気的に導通している。第3の導電領域12cが、第1のLED素子101aと第2のLED素子10bの間の領域に延在し、LED素子間の窪みを浅くし、窪みの底面に接着層5の表面を露出させている。
第2のLED素子101bのp側電極3は、第2の導電領域12b上に配置されており、第2の導電領域12bと電気的に導通し、第1のLED素子101aに接続された第3の導電領域12c(ないし第1の導電領域12a)とは、溝領域13および電気絶縁性を有するエッチストップ層4により、直接的には電気的に絶縁されている。
第2のLED素子101bにおいて、光半導体積層2は、p側電極3上に配置され、溝領域13および第3の導電領域12c上方に張り出す張り出し部2cを有している。光半導体積層2のp型GaN層24は連続層であり、p側電極3に接続されているので、張り出し部2cは発光機能を有する。光半導体積層2の張り出し部2cは、電気絶縁性を有するエッチストップ層4を介して、融着層12の第3の導電領域12cに支持される。
第2のLED素子101bの張り出し部2cの側面は、支持基板10に向かって徐々に第1のLED素子101aに近づくように傾いて形成されている。配線電極14は、張り出し部2cの側面に形成される絶縁性保護膜7表面に沿って延在し、第3の導電領域12cと接触し、第2のLED素子101bのn側電極8と第3の導電領域12cとを電気的に接続する。第2の導電領域12bから、第2のLED素子101bのp側電極3および光半導体積層2を貫通する電流経路は、配線電極14を介して、第3の導電領域12cと電気的に接続される。これにより、第1および第2のLED素子101a,101bが、電気的に直列に接続される。
実施例によるLEDアレイ100は、第2のLED素子101bにおける光半導体積層2の張り出し部2c下方に、(絶縁層であるエッチストップ層4を介して)溝領域13が配置される。第2のLED素子101bのp側電極3に接続される第2の導電層12bは、溝領域13によって第3の導電領域12cから電気的に分離される。第1と第2のLED素子101a、101の光半導体積層2を分離する分離溝は、第3の導電領域12cまでの深さでよく、浅くできる。配線電極14は、溝領域13を跨がずに、第1の導電領域12aと連続する第3の導電領域12cに電気的に接続される。配線電極14の構成を簡略化できる。
第1、第2のLED素子101a、102b間の領域下方に配置された第3の導電領域12cの表面層は、たとえばAuの接着層5で形成され、配線電極14に対する接続領域を提供すると共に、光学的反射鏡機能を示す。
第1、第2のLED素子101a、102b間の領域下方に配置された第3の導電領域12cの表面層は、たとえばAuの接着層5で形成され、配線電極14に対する接続領域を提供すると共に、光学的反射鏡機能を示す。
図3A〜図3Nを参照して、実施例によるLEDアレイ100の製造方法の例をについて説明する。
図3Aに示すように、サファイアからなる成長基板1を準備し、有機金属化学気相成長(MOCVD)法を用いて窒化物系半導体からなる光半導体積層2を形成する。具体的には、例えば、サファイア基板1をMOCVD装置に投入後、サーマルクリーニングを行い、GaNバッファ層20及びアンドープのGaN層21を成長した後に、Si等をドープした膜厚5μm程度のn型GaN層22、InGaN量子井戸層を含む多重量子井戸発光層(活性層)23、Mg等をドープした膜厚0.5μm程度のp型GaN層24を順次成長させる。成長基板1は、GaNのエピタキシャル成長が可能な格子定数を有する単結晶基板であり、後工程においてレーザーリフトオフによる基板剥離を可能にするよう、GaNの吸収端波長である362nmの光に対して透明なものから選択される。サファイア以外に、スピネル、SiC、ZnO等を用いても良い。
その後、図3Bに示すように、光半導体積層2表面(p型GaN層24表面)に、電子ビーム蒸着法により膜厚200nmのAg層を形成し、リフトオフ法等によりパターニングして、所定形状のp側電極3を形成する。p側電極3を反射電極として機能させるためには、p側電極3として、Ag、Pt、Ni、Al、Pd及びこれらの合金を用いることが好ましい。また、p側電極3と光半導体積層2表面との間には、ITO(インジウム錫酸化物)などのオーミック接合層を挟んでもよい。オーミック接合層を挟む場合には、そのオーミック接合層の側面を反射電極としてのp側電極3で覆うなどしてもよい。
次に、図3Cに示すように、p側電極3の周辺の光半導体積層2上(p型GaN層24上)に、スパッタ法を用いてp側電極3と同じ膜厚のSiO2からなる絶縁性エッチストップ層4を形成する。エッチストップ層4は、図3Kを参照して後述するエッチング工程においてエッチストッパとして機能する。さらに、エッチストップ層4は、前述したように、最終的に製造されるLEDアレイにおいて、p側電極3ないし光半導体積層2(特にその張り出し部2C,図2B参照)と第3の導電領域12cとを直接的には電気的に絶縁しつつ、光半導体積層2(特にその張り出し部)を支持する機能を果たす。
次に、図3Dに示すように、p側電極3及びエッチストップ層4を含む領域に、スパッタ法を用いて膜厚200nmのAu層を形成し、リフトオフ法等によりパターニングして、所定形状の第1の接着層5を形成する。ここで、第1の接着層5は、エッチストップ層4上の一部に、間隙5zが設けられるようにパターニングされる。Au層で形成された第1の接着層5は、融着接合を行える接着性を有すると共に、光に対して高い反射性を有する。
なお、p側電極3及びエッチストップ層4を含む領域に、拡散防止層等を形成してから第1の接着層5を形成するようにしても良い。拡散防止層はp側電極3に用いた材質の拡散を防止するためのもので、p側電極3にAgを含む場合には、Ti、W、Pt、Pd、Mo、Ru、Ir、Au及びこれらの合金を用いることができる。
次に、図3Eに示すように、Siからなる支持基板10を用意し、熱酸化処理を行い表面に絶縁膜(熱酸化SiO2膜)9を形成する。支持基板10は熱膨張係数がサファイア(7.5×10−6/K)やGaN(5.6×10−6/K)に近く、熱伝導率が高い材料が好ましい。例えば、Si、AlN、Mo、W、CuW等を用いることができる。絶縁膜9の膜厚は、絶縁性を確保する目的を達成できる厚さであればよい。
次に、絶縁膜9上に抵抗加熱蒸着法を用いて膜厚1μmのAuSn(Sn:20wt%)を含む第2の接着層6を形成する。第1の接着層5の材質と第2の接着層6の材質は、融着接合が可能な、Au−Sn、Au−In、Pd−In、Cu−In、Cu−Sn、Ag−Sn、Ag−In、Ni−Sn等を含む金属や、拡散接合が可能なAuを含む金属を用いることができる。
図3F及び図3Gに示すように、第2の接着層6は、例えば、リフトオフ法を用いて形成することができる。まず、フォトレジスト(例えば、Clariant Co.製フォトレジストAZ5200)を熱酸化処理した支持基板10(絶縁膜9を表面に形成した支持基板10)の全面に塗布し、90℃以下に設定したホットプレートを用い、大気中で90秒間程度のプリベークを行う。次いで、紫外光(UV光)を用い、ファースト露光量17mJとして、フォトレジストにパターンを露光する。露光後のフォトレジストを120℃の大気中で90秒間程度のリバーサルベーク処理を行い、露光部を熱架橋させる。次に、反転露光量600mJとして、UV光を支持基板10全面に照射する。さらに、現像液中に130秒間浸漬し、現像処理を行うことにより所望の(第2の接着層6となる部分以外に)フォトレジストパターンPR1を形成する。このように形成されたフォトレジストパターンPR1は、周縁部が支持基板10に対して逆テーパ形状となる。なお、使用するレジスト及びフォトリソグラフィの条件は、適宜変更可能である。
次に、抵抗加熱蒸着法を用いて、たとえば、Ti(150nm)/Ni(50nm)/Au(100nm)/Pt(200nm)/AuSn(1000nm、Sn:20wt%)からなる金属積層6を成膜し、その後、リフトオフによって、図3Gに示すような端部が支持基板10に対して順テーパ形状となる第2の接着層6を形成する。フォトレジストパターンPR1が形成されていた領域は、間隙6zとなる。なお、第2の接着層6は、リフトオフ法以外にも、ドライエッチング法、ないし、ウエットエッチング法などを用いても形成することができる。
次に、図3Hに示すように、第1の接着層5と第2の接着層6とを、第1の接着層5の間隙5zと第2の接着層6の間隙6zが重なるように接触させ、圧力3MPaで加圧した状態で300℃に加熱して10分間保持する。その後、室温まで冷却することにより融着接合を行う。この融着接合により融着層12が形成される。また、第1の接客層5の間隙5zと第2の接着層6の間隙6zが一体化して、融着層12を複数の領域に分割する溝領域13が形成される。
その後、図3Iに示すように、UVエキシマレーザの光をサファイア基板1の裏面側から照射し、バッファ層20を加熱分解することで、レーザーリフトオフによるサファイア基板1の剥離を行う。なお、基板1の剥離あるいは除去は、エッチング等の別の手法を用いてもよい。
次に、図3Jに示すように、レーザーリフトオフにより発生したGaを熱水などで除去し、その後塩酸で表面処理する。これにより、n型GaN層22が露出する。表面処理には窒化物半導体をエッチングできるものであればよく、リン酸、硫酸、KOH、NaOHなどの酸やアルカリなどの薬剤も用いることができる。また、表面処理はArプラズマや塩素系プラズマを用いたドライエッチングや、研磨などで行ってもよい。さらに、n型GaN層22の表面をRIE等のドライエッチング装置を用いたCl、Ar処理又は、CMP研磨装置を用いて平滑化を行いレーザー痕やレーザーダメージ層を除去する。なお、光取り出し効率を向上させる為に露出したn型GaN層22表面には、凹凸加工を施す(光取り出し構造、ないしマイクロコーン構造を形成する)ようにしても良い。
次に、図3Kに示すように、光半導体積層2上に所定パターンのフォトレジストPR2を形成する。その後、塩素ガスを用いたドライエッチング法により、フォトレジストPR2から露出した光半導体積層2の端部をエッチストップ層4が露出するまでエッチングする。これにより、光半導体積層2が複数領域に分割される。分割された光半導体積層2の側面は、支持基板10に対して順テーパ形状になる。
次に、図3Lに示すように、フォトレジストによりマスクパターンPR3を形成し、エッチストップ層4をエッチングする。マスクパターンPR3は、光半導体積層2の上面及び側面を覆うとともに、エッチストップ層4の上面を少し覆うように形成する。エッチング処理は、例えば、CF4ガスを用いたドライエッチングにより行うことができる。この処理により、光半導体積層2の最上面から、融着層12の第3の導電領域12cまでが、一連の順テーパ形状に加工される。
次に、図3Mに示すように、上述した工程で形成した素子の上面全体に、化学気相堆積(CVD)等によりSiO2からなる保護膜7を形成し、その後、光半導体積層2上に形成された保護膜7の一部及び第3の導電領域12c上に形成された保護膜7の一部を、緩衝フッ酸を用いてエッチングして、光半導体積層2の表面(n型GaN層22の表面)の一部及び第3の導電領域12cを露出させる。
次に、図3Nに示すように、電子ビーム蒸着法により、膜厚1nmのTi層、膜厚200nmのAl層、膜厚100nmのTi層、膜厚2μmのAu層をこの順序で積層し、リフトオフによってパターニングすることにより、n型GaN層22とオーミック接続するn側電極8、および、n側電極8と第3の導電領域12cとを接続する配線電極14を形成する。n側電極8および配線電極14は、n型GaN層22の上面から連続して、光半導体積層2およびエッチストップ層4の順テーパ形状の側面上に、保護膜7を介して形成されている。n側電極8および配線電極14の表面は、厚さ2μmのAu層で形成されるので、第3の導電領域12c同様、光反射性を有する。
その後、支持基板10をレーザースクライブ又は、ダイシングにより分割する。以上により、第1および第2のLED素子101a,101bを含む複数のLED素子を含むLEDアレイが完成する。なお、青色GaNの発光素子を白色化する場合には、発光素子を封止充填する樹脂に蛍光体(例えば、黄色発光)を入れる。蛍光体を含む樹脂はLED素子が存在しない基板表面も覆う。LEDアレイの光半導体積層2から青色発光が生じ、封止樹脂中の蛍光体にも照射される。青色光を照射された蛍光体から黄色発光が生じる。光半導体積層2のない領域では青色発光は生じないが、青色光が蛍光体を照射すれば蛍光体から黄色発光は生じる。Au層等の接着層5に入射した光は反射され、その分輝度が向上する。
実施例によるLEDアレイ100は、複数のLED素子が配列する方向と直交して配列する複数のn側電極8が、それぞれ第3の導電領域12cと電気的に接続する構成であった。しかしながら、本発明はこの構成に限ったものではない。
図4Aおよび図4Bは、本発明の実施例によるLEDアレイ100を組み込んだ車両用灯具(ヘッドランプ)50の構成を表す概念図である。
図4Aは、照射用光学系51として、照射レンズ105を使用した例である。照射レンズ105は、LEDアレイ100の光源像106が、車両前端部に正対した仮想鉛直スクリーン(照射面)107上に投影されるように設定されている。
照射光学系51は、図4Bに示すようにマルチリフレクタ(反射面)103と照射レンズ105を用いても良い。図4Bに示すヘッドランプ50は、LEDアレイ100の発光面を覆うように配置された蛍光体層(波長変換層)108からなる光源102と、複数の小反射領域に区画されたマルチリフレクタである反射面103、シェード104及び照射レンズ105を含む照射光学系51とを含んで構成される。
図4Bに示すように、光源102は、照射方向(発光面)が上向きとなるように配置され、反射面103は、第1焦点が光源102近傍に設定され、第2焦点がシェード104の上端縁近傍に設定された回転楕円形の反射面であり、光源102からの光が入射するように、光源102の側方から前方にかけての範囲を覆うように配置されている。
反射面103は、図4Bに示すように、光源102のLEDアレイ100の光源像106を所定の配光形状で車両前方に照射し、車両前端部に正対した仮想鉛直スクリーン(照射面)107上に、LEDアレイ100の光源像106が投影されるように構成されている。
シェード104は、反射面103からの反射光の一部を遮光してヘッドランプに適したカットオフラインを形成するための遮光部材であり、上端縁を照射レンズ105の焦点近傍に位置させた状態で照射レンズ105と光源102の間に配置されている。
照射レンズ105は、車両前方側に配置され、反射面103からの反射光を照射面107上に照射する。
以上、実施例、及び応用変形例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
1…成長基板、2…光半導体積層(GaN系発光部)、3…p側電極(反射電極)、4…エッチストップ層、5…第1の接着層、6…第2の接着層、7…保護膜、8…n側電極、9…絶縁層、10…支持基板、11…n側電極、12…融着層、12a〜12c…第1〜第3の導電領域、13…溝領域、14…配線電極、20…バッファ層、21…アンドープGaN層、22…n型GaN層、23…活性層(発光層)、24…p型GaN層、50…車両用灯具(ヘッドランプ)、51…投射光学系、100…LEDアレイ(実施例)、101…LED素子、108…蛍光体層(波長変換層)、102…光源、103…反射面、104…シェード、105…照射レンズ、106…光源像、107…照射面、150…LEDアレイ(変形例)。
Claims (5)
- 支持基板と;
前記支持基板の表面上に形成されは、第1の接着金属領域と、前記第1の接着金属領域と間隔を空けて設けられた第2の接着金属領域と、を含む接着金属パターンと;
前記第1の接着金属領域に接続された第1の下側電極を有し、前記支持基板上に支持された第1の半導体発光素子と;
前記第2の接着金属領域に接続された第2の下側電極を有し、前記支持基板上に支持された第2の半導体発光素子と;
前記支持基板の表面上に形成され、表面に光反射性金属層を有し、前記第1の半導体発光素子と前記第2の半導体発光素子との間に光反射表面を構成する金属層と;
を含む半導体発光素子アレイ。 - 前記金属層は、前記接着金属パターンと同じ積層構造を有する請求項1記載の半導体発光素子アレイ。
- 前記支持基板は絶縁性表面を有し、前記金属層は、前記第1の接着金属領域と電気的に接続され、前記第2の接着金属領域からは分離されている請求項2記載の半導体発光素子アレイ。
- 前記第1、第2の半導体素子は、下面に選択的に形成された第1、第2の絶縁パターンを有し、
前記金属層は、前記第2の半導体発光素子下方にまで延在し、前記第2の絶縁パターンを介して前記第2の半導体発光素子を支持する請求項3記載の半導体発光素子アレイ。 - 請求項1〜4いずれか1項記載の半導体発光素子アレイと、
前記第1、第2の半導体発光素子を覆って前記支持基板上に形成された蛍光体含有封止樹脂層と、
前記半導体発光素子アレイの照射像を所定の配光形状で照射する光学系と、
を有する車両用灯具。
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