JP2014095633A - 干渉型光ファイバセンサ - Google Patents

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Abstract

【課題】センシングする信号の位相変化が速くても追従し、復調に用いる周波数帯を拡張することができる干渉型光ファイバセンサを提供する。
【解決手段】光源部11と、位相変調された複数のパルス光をパルス列を複数回互いに時間をずらして出力する検出部21と、パルス列に基づいてパルス波形を出力する受光素子とを備えた干渉型光ファイバセンサ1であって、光源部11は、連続光を予め定めたサンプリング周期で抽出することで、該サンプリング周期ごとに単一のパルス光を出力するパルス光源31と、単一のパルス光を予め定めた帰還回数で帰還させ、複数のパルス光を出力する帰還回路とを備え、帰還回路のそれぞれに対し、帰還回数を調整し、複数のパルス光のパルス光周期をサンプリング周期よりも短い間隔に設定する。
【選択図】図1

Description

本発明は、干渉型光ファイバセンサに関し、特に、光周波数シフタの出力波形のタイミングを調整することにより、センシングする信号の位相変化が速くても追従しつつ、復調処理に用いる周波数帯域を拡張する干渉型光ファイバセンサに関する。
干渉型光ファイバセンサは、センシングファイバを光ファイバ干渉計のアームとして用いたものである。具体的には、干渉型光ファイバセンサは、検出する物理量を、センシングファイバの歪みに変える。センシングファイバが歪むにつれ、干渉光は変化する。そこで、干渉型光ファイバセンサは、センシングファイバの歪みに応じて干渉光が変化することを利用することにより、検出する物理量を測定可能とする。これにより、干渉型光ファイバセンサは、さまざまな物理量を検出し、測定することが可能となる。
例えば、非特許文献1及び非特許文献2には、音響信号を検出するセンサが記載されている。また、非特許文献3には、磁気信号を検出するセンサが記載されている。非特許文献1〜3においては、干渉型光ファイバセンサは、時分割多重伝送系による光伝送回路を構成しているため、パルス光が用いられている。
パルス光を用いる干渉型光ファイバセンサは、パルス光をサンプリングして復調する過程でエイリアシング、すなわち、折り返し雑音による雑音の増加が発生する。これに対し、周波数が異なる複数のビートを発生させ、サンプリング数を増やすことにより、折り返し雑音を低減する構成が特許文献1に記載されている。
図18は、特許文献1に示された従来の干渉型光ファイバセンサ4001の構成の一例を示す図である。図18に示すように、干渉型光ファイバセンサ4001は、光源部15、検出部21、O/E(Optical/Electrical)変換器22、及び処理部24を備える。
光源部15は、パルス光源31、光カプラ33、光カプラ35、及び光アンプ39を備え、光カプラ33と、光カプラ35との間に、変調信号発生器62及び光周波数シフタ63と、変調信号発生器72、光周波数シフタ73、及び遅延補償ファイバ37とを備え、パルス光を出力する。
具体的には、パルス光源31から出力されるパルス光は光カプラ33で2つに分岐される。光カプラ33で分岐されたパルス光の一方は、音響振動子による音響光学効果を利用して光の周波数をシフトする光周波数シフタ63で周波数変調する。光カプラ33で分岐されたパルス光の他方は、音響振動子による音響光学効果を利用して光の周波数をシフトする光周波数シフタ73で周波数変調し、遅延補償ファイバ37で遅延させる。光カプラ35は、光周波数シフタ63の出力波形と、遅延補償ファイバ37の出力波形とを1本の光ファイバ内に結合させ、光アンプ39に出力する。光アンプ39は、光カプラ35からの出力波形を増幅し、検出部21に供給する。
図19は、特許文献1に示された従来の検出部21の構成の一例を示す図である。図19に示すように、検出部21は、光カプラ201、光カプラ202、光カプラ203、光カプラ204、第1遅延ファイバ251、第2遅延ファイバ253、第1センシング干渉計211、第2センシング干渉計212、及び第3センシング干渉計213を備え、第1信号、第2信号、及び第3信号等の物理量を検出する。
具体的には、光源部15から送出されたパルス光は、光カプラ201で2つに分岐され一方は第1センシング干渉計211に供給され、他方は光カプラ203に供給される。光カプラ203に供給されたパルス光は2つに分岐され、一方は第2センシング干渉計212に供給され、他方は第3センシング干渉計213に供給される。
第1センシング干渉計211は、第1センシングファイバ221、光カプラ223、ミラー225、及びミラー227を備え、第1センシングファイバ221を介して光カプラ202にパルス光を出力したり、第1センシングファイバ221を介さずに光カプラ202にパルス光を出力したりする。
第2センシング干渉計212は、第2センシングファイバ231、光カプラ233、ミラー235、及びミラー237を備え、第2センシングファイバ231を介して光カプラ204にパルス光を出力したり、第2センシングファイバ231を介さずに光カプラ204にパルス光を出力したりする。
第3センシング干渉計213は、第3センシングファイバ241、光カプラ243、ミラー245、及びミラー247を備え、第3センシングファイバ241及び第2遅延ファイバ253を介して光カプラ204にパルス光を出力したり、第3センシングファイバ241を介さず第2遅延ファイバ253のみを介して光カプラ204にパルス光を出力したりする。
光カプラ204は、第2センシング干渉計212又は第3センシング干渉計213から供給されるパルス光を1本のファイバ内に結合させ、第1遅延ファイバ251を介して光カプラ202に供給する。
光カプラ202は、第1センシング干渉計211又は光カプラ204から供給されるパルス光を1本のファイバ内に結合させ、パルス列としてO/E変換器22に供給する。
O/E変換器22は、受光素子を用いることで供給されたパルス列を電気信号に変換し、パルス波形としたものを処理部24に供給する。
図20は、特許文献1に示された従来の処理部24の構成の一例を示す図である。図20に示すように、処理部24は、A/D変換器301、参照信号発生器311〜316、乗算器331〜336、LPF(Low Pass Filter)351〜356、逆正接演算器371、373、375、及び不連続点補償演算器391、393、395を備える。A/D変換器301は、パルス波形をデジタル信号に変換する。参照信号発生器311〜316は、第1センシング干渉計211、第2センシング干渉計212、及び第3センシング干渉計213の各出力に対応するタイミングと周波数を調整する参照信号を発生する。乗算器331〜336、LPF351〜356、逆正接演算器371、373、375、及び不連続点補償演算器391、393、395は、参照信号に基づいて、第1センシングファイバ221で検出した第1信号、第2センシングファイバ231で検出した第2信号、及び第3センシングファイバ241で検出した第3信号をそれぞれ復調する。
図21は、特許文献1に示された従来のパルス光源31の出力波形及び光周波数シフタ63、73の出力光周波数の一例を示す図である。これらの波形は、O/E変換器22を介して観測される光パワーの波形である。パルス光源出力波形に付記された数字は、パルス光源31から出力されたパルス光の順番を示す番号を意味するものである。干渉型光ファイバセンサ4001は、周波数の異なる光を干渉させ、O/E変換器22でO/E変換させ、光周波数の差の周波数のビートを発生させる。パルス光源31のパルス光の出力タイミングと、光周波数シフタ63、73の出力タイミングとを合わせることで、光周波数シフタ63から出力されるパルス光と、光周波数シフタ73から出力されるパルス光とが干渉する。このとき、O/E変換器22でO/E変換されたときに発生するビート周波数は、ff1−fb1、ff2−fb2、及びff3−fb3を順次繰り返すように設定される。また、シフト周波数ff1、fb1、ff2、fb2、ff3、fb3は、互いに干渉したときに発生するビート周波数ff1−fb1、ff2−fb2、及びff3−fb3の比率が2n−1(n=1、2、3、・・・:nは自然数)となるように設定される。なお、パルス繰り返し周期の設定においては、光周波数シフタ63、73の応答時間はパルス光が通過していない時間内に収まるように設定されている。
つまり、パルス繰り返し周期、すなわち、パルス光の周波数は、光周波数シフタ63、73の特性に依存するものとなっていた。
図22は、特許文献1に示された従来の干渉型光ファイバセンサ4001の光源部15の仕様の一例を示す図である。図22に示すように、パルス光源のパルスの繰り返し周期は9τに設定されている。上記で説明したように、パルス光のパルス繰り返し周期は、光周波数シフタ63、73の特性に依存するため、この場合においては、パルス光のパルス繰り返し周期9τよりも短い周期、すなわち、パルス光の周波数を1/9τよりも高く設定することができないものであった。
図23は、特許文献1に示された従来のパルス光源31の出力パルス光及びO/E変換器22の入出力波形の一例を説明する図である。図23に示すように、O/E変換器22の出力波形は電圧波形であり、電圧が変動するものについては、変動範囲となる領域が網掛け表示で示されている。O/E変換器22の出力波形であるI、I、及びIはA/D変換器301でデジタル信号に変換するときのサンプリング対象のパルス光である。Iのff1−fb1、Iのff2−fb2、及びIのff3−fb3は、第1センシングファイバ221で検出した第1信号だけを含んでおり、I、I、及びIのA/D変換器301の出力結果に基づいて第1信号が復調される。
ただし、厳密には、Iのff1−fb1、Iのff2−fb2、及びIのff3−fb3は、第1信号以外にも遅延補償ファイバ37から入力される雑音等も含んでいるが、上記の説明は、他のセンシングファイバ、例えば、第2センシングファイバ231で検出された第2信号及び第3センシングファイバ241で検出された第3信号は含まないという意味である。この観点から以後の説明においても第1信号だけを含むとして説明する。
第2信号においても第1信号の場合と同様に、Iのff3−fb3、Iのff1−fb1、及びIのff2−fb2は、第2信号だけを含んでおり、I、I、及びIのA/D変換器301の出力結果に基づいて第1信号が復調される。
第3信号においても第1、2信号の場合と同様に、Iのff2−fb2、Iのff3−fb3、及びIのff1−fb1は、第3信号だけを含んでおり、I、I、及びIのA/D変換器301の出力結果に基づいて第1信号が復調される。
図24は、特許文献1に示された従来のA/D変換器301の出力パワースペクトルを説明する図である。図24に示すように、A/D変換器301の出力パワースペクトルが、I、I、及びIの3つの場合でそれぞれ示されている。ff1−fb1、ff2−fb2、及びff3−fb3の3つの周波数帯のそれぞれには、第1センシングファイバ221、第2センシングファイバ231、及び第3センシングファイバ241の何れか1つで検出された信号だけが含まれるビートが発生する。
別のセンシングファイバ等から入力される雑音を含むビートとそのビートの側波帯、折り返しで発生したビートとそのビートの側波帯は、ff1−fb1、ff2−fb2、及びff3−fb3の3つの周波数帯のいずれよりも高い周波数帯域で発生する。これにより、第1信号、第2信号、及び第3信号が復調される。
特願2012−44549号
G.A.Cranch et al.,"Acoustic performance of a large−aperture,seabed,fiber−optic hydrophone array,"Journal of the Acoustical Society of America,Vol.115,No.6,pp.2848−2858(2004) 佐藤陵沢、他3名、「光ファイバハイドロホンの開発」、電子情報通信学会技術研究報告、平成7年5月、OPE95−2、p.7−12 Ryotaku SATO et al.,"Design of Fiber−Optic Magnetometer Utilizing Magnetostriction,"Japanese Journal of Applied Physics,pp.817−820(2007)
ところで、センシングする信号の周波数が高い場合やセンシングする信号のレベルが大きい場合には、センシングする光の位相変化が速い。このため、速い位相変化に追従できる必要がある。
そこで、速い位相変化に追従するには、光周波数シフタの出力波形の周波数を高くしなければならない。
しかしながら、光周波数シフタの出力波形の周波数を変更するには、光周波数シフタが内蔵する音響振動子により音響光学効果を発生させたときのセルの音場が変わるまでの時間を必要としていた。
このことは、干渉型光ファイバセンサは、光や電気よりも遅い音の速度の影響を受けることを意味していた。つまり、光周波数シフタの出力波形の周波数を調整するシフト周波数の変化に対する応答時間は、各種半導体を用いたO/E変換器等の光変調器と比べて長い応答時間となった。
よって、光周波数シフタの出力波形の周波数は、音響振動子の物理特性に依存するため、ある程度以上はその周波数を高くすることができなかった。
したがって、センシングする信号の位相変化が速い場合に追従できないという問題点があった。
また、A/D変換器出力のパワースペクトルには、復調処理に不要なビートと側波帯とが発生していた。このため、このような復調処理に不要なビートと側波帯とに対応した周波数帯域を予め確保しておかなければならなかった。
よって、復調処理に用いることができないビート及び側波帯用の周波数帯域を確保したことにより、復調処理に用いることができる周波数帯域は狭くなっていた。
したがって、復調処理に用いる周波数帯域を拡張できないという問題点があった。
この結果、センシングする信号の位相変化が速い場合に追従できず、復調処理に用いる周波数帯域も拡張できないという問題点があった。
そのため、センシングする信号の位相変化が速くても追従しつつ、復調処理に用いる周波数帯域を拡張することができる干渉型光ファイバセンサが望まれていた。
本発明の実施の形態において、複数のパルス光を出力する光源部と、前記複数のパルス光の位相を測定信号に基づいて変調することで、位相変調された前記複数のパルス光をパルス列として該パルス列を複数回互いに時間をずらして出力する検出部と、前記パルス列に基づいてパルス波形を出力する受光素子とを備えた干渉型光ファイバセンサであって、前記光源部は、連続光を予め定めたサンプリング周期で抽出することで、該サンプリング周期ごとに単一のパルス光を出力する光源と、前記単一のパルス光を予め定めた帰還回数で帰還させ、前記複数のパルス光を出力する帰還回路とを備え、前記帰還回路のそれぞれに対し、前記帰還回数を調整し、前記複数のパルス光のパルス光周期を前記サンプリング周期よりも短い間隔に設定するものである。
ここで、光源は、例えば、パルス光源等が相当するが、特にこれに限定しない。
また、本発明の実施の形態において、前記帰還回路は、互いに異なるシフト周波数の信号を発生する変調信号発生器と、前記単一のパルス光の周波数を前記シフト周波数に基づいてシフトして前記複数のパルス光を出力する光周波数シフタと、前記複数のパルス光の該パルス光同士の帰還間隔を調整する遅延調整ファイバと、前記帰還間隔ごとに帰還する前記帰還回数及び前記光周波数シフタが出力する前記複数のパルス光の前記パルス光周期を調整する光パルスゲートとを備えるものである。
また、本発明の実施の形態において、前記帰還回路は、前記複数のパルス光の該パルス光同士の帰還間隔を調整する遅延調整ファイバと、前記単一のパルス光の周波数をシフトして前記複数のパルス光を出力する光周波数シフタと、互いに異なるシフト周波数の信号を発生し、該シフト周波数に基づいて前記光周波数シフタが出力する前記複数のパルス光の周波数をシフトさせ、前記帰還間隔ごとに帰還する前記帰還回数及び前記光周波数シフタが出力する前記複数のパルス光の前記パルス光周期を調整する光パルスゲート付変調信号発生器とを備えるものである。
また、本発明の実施の形態において、前記帰還回路は、互いに異なるシフト周波数の信号を発生する変調信号発生器と、前記単一のパルス光の周波数を前記シフト周波数に基づいてシフトして前記複数のパルス光を出力する光周波数シフタと、前記複数のパルス光の該パルス光同士の帰還間隔を調整する遅延調整ファイバと、前記帰還間隔ごとに帰還する前記帰還回数及び前記光周波数シフタが出力する前記複数のパルス光の第1パルス光周期を調整する第1光パルスゲートと、前記第1パルス光周期とは異なる周期に設定された第2パルス光周期に基づいて、前記光周波数シフタが出力した前記複数のパルス光の前記パルス光周期を調整する第2光パルスゲートとを備えるものである。
また、本発明の実施の形態において、前記帰還回路は、前記複数のパルス光の該パルス光同士の帰還間隔を調整する遅延調整ファイバと、前記単一のパルス光の周波数をシフトして前記複数のパルス光を出力する光周波数シフタと、互いに異なるシフト周波数の信号を発生し、該シフト周波数に基づいて前記光周波数シフタが出力する前記複数のパルス光の周波数をシフトさせ、前記帰還間隔ごとに帰還する前記帰還回数及び前記光周波数シフタが出力する前記複数のパルス光の第1パルス光周期を調整する光パルスゲート付変調信号発生器と、前記第1パルス光周期とは異なる周期に設定された第2パルス光周期に基づいて、前記光周波数シフタが出力した前記複数のパルス光の前記パルス光周期を調整する第2光パルスゲートとを備えるものである。
また、本発明の実施の形態において、前記帰還回路は、前記パルス光出力周波数を前記パルス光のサンプリング周波数よりも高く設定し、前記複数のパルス光の出力タイミングを調整するものである。
また、本発明の実施の形態において、前記帰還回路は、前記シフト周波数のそれぞれを前記サンプリング周波数よりも高い値であって、一定値に設定するものである。
また、本発明の実施の形態においては、前記光変調器で出力する前記パルス波形のうち、前記パルス光出力周波数を超える前記パルス波形を遮断し、該パルス光出力周波数を超えない前記パルス波形を通過するフィルタと、前記フィルタを通過した前記パルス波形から前記測定信号を抽出する処理部とを備えるものである。
本発明は、光周波数シフタの出力波形のタイミングを調整することにより、センシングする信号の位相変化が速くても追従しつつ、復調処理に用いる周波数帯域を拡張することができるという効果を有する。
本発明の実施の形態1における干渉型光ファイバセンサ1の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態1における検出部21の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態1における処理部24の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態1における干渉型光ファイバセンサ1の光源部11の仕様の一例を示す図である。 本発明の実施の形態1における光源部11の出力パルス光及びO/E変換器22の入出力波形の一例を説明する図である。 本発明の実施の形態1におけるA/D変換器301の出力パワースペクトルを説明する図である。 本発明の実施の形態2における干渉型光ファイバセンサ1001の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態2における干渉型光ファイバセンサ1001の光源部12の仕様の一例を示す図である。 本発明の実施の形態2における光源部12の出力波形及びO/E変換器22の入出力波形の一例を説明する図である。 本発明の実施の形態2におけるA/D変換器301の出力パワースペクトルを説明する図である。 本発明の実施の形態3における干渉型光ファイバセンサ2001の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態3における干渉型光ファイバセンサ2001の光源部13の仕様の一例を示す図である。 本発明の実施の形態3における光源部13の出力パルス光及びO/E変換器22の入出力波形の一例を説明する図である。 本発明の実施の形態3におけるA/D変換器301の出力パワースペクトルを説明する図である。 本発明の実施の形態4における干渉型光ファイバセンサ3001の構成の一例を示す図である。 本発明の実施の形態4における干渉型光ファイバセンサ3001の光源部14の仕様の一例を示す図である。 本発明の実施の形態4における光源部14の出力パルス光及びO/E変換器22の入出力波形の一例を説明する図である。 特許文献1に示された従来の干渉型光ファイバセンサ4001の構成の一例を示す図である。 特許文献1に示された従来の検出部21の構成の一例を示す図である。 特許文献1に示された従来の処理部24の構成の一例を示す図である。 特許文献1に示された従来のパルス光源31の出力波形及び光周波数シフタ63、73の出力光周波数の一例を示す図である。 特許文献1に示された従来の干渉型光ファイバセンサ4001の光源部15の仕様の一例を示す図である。 特許文献1に示された従来のパルス光源31の出力パルス光及びO/E変換器22の入出力波形の一例を説明する図である。 特許文献1に示された従来のA/D変換器301の出力パワースペクトルを説明する図である。
以下、本発明の実施の形態1について、図面を用いて詳細に説明する。
実施の形態1.
<構成の説明>
図1は、本発明の実施の形態1における干渉型光ファイバセンサ1の構成の一例を示す図である。干渉型光ファイバセンサ1は、光源部11、検出部21、O/E(Optical/Electrical)変換器22、フィルタ23、及び処理部24を備える。干渉型光ファイバセンサ1は、光源部11で出力したパルス光を、検出部21で検出した測定信号に基づいて変調し、O/E変換器22で変換後にフィルタで特定の周波数帯域の信号を除去し、処理部24で測定信号を復調するものである。
光源部11は、パルス光源31、光カプラ33、光カプラ35、遅延補償ファイバ37、光アンプ39、第1帰還回路51、及び第2帰還回路52を備え、複数のパルス光を出力するものである。
パルス光源31は、光カプラ33と接続されており、連続光を予め定めたサンプリング周期で抽出することで、一定波長の単一のパルス光を生成し、サンプリング周期ごとにその単一のパルスを光カプラ33に出力する。
なお、パルス光源31の出力側には、経路点Aが設定されている。
光カプラ33は、入力されたパルス光を分岐したり、一つに重畳したりするものである。光カプラ33は、入力側がパルス光源31に接続され、出力側が2つに分岐し、一方が第1帰還回路51に接続され、他方が第2帰還回路52に接続されている。光カプラ33は、パルス光源31から単一のパルス光が入力されると、第1帰還回路51と、第2帰還回路52とに出力する。
第1帰還回路51は、入力側が光カプラ33に接続され、出力側が光カプラ35に接続される。第1帰還回路51は、帰還側第1光カプラ61、変調信号発生器62、光周波数シフタ63、帰還側第2光カプラ65、遅延調整ファイバ67、及び第1光パルスゲート69を備える。第1帰還回路51は、帰還側第2光カプラ65、遅延調整ファイバ67、第1光パルスゲート69、帰還側第1光カプラ61、及び光周波数シフタ63が順に接続されることにより、パルス光が帰還する回路を形成する。第1帰還回路51は、パルス光を、予め定めた帰還回数で、帰還側第2光カプラ65、遅延調整ファイバ67、第1光パルスゲート69、帰還側第1光カプラ61、及び光周波数シフタ63を帰還させることにより、パルス光源31のサンプリング周期よりも短い間隔のパルス光周期を設定する。
帰還側第1光カプラ61は、光カプラ33に接続され、第1光パルスゲート69に接続され、光周波数シフタ63に接続されている。帰還側第1光カプラ61は、光カプラ33から入力された単一のパルス光を光周波数シフタ63に出力する。帰還側第1光カプラ61は、第1光パルスゲート69から入力されたパルス光を光周波数シフタ63に出力する。
変調信号発生器62は、特定の周波数の信号、例えば、周波数fを発生させ、光周波数シフタ63にその特定の周波数の信号をシフト周波数として供給するものである。変調信号発生器62は、周波数fを、パルス光源31のサンプリング周波数よりも高い値であって、一定値の周波数に設定する。変調信号発生器62で設定された一定値の周波数fは、光周波数シフタ63に供給され、第1帰還回路51内を繰り返し帰還していく。よって、光周波数シフタ63を通過する回数が増えるにつれ、パルス光の周波数がν+f、ν+2f、ν+3f・・・というように周波数fの倍数で設定されていく。なお、シフト周波数は、サンプリング周波数よりも高く、一定値であればいいため、上記で説明したようにfの倍数である必要はない。
光周波数シフタ63は、帰還側第1光カプラ61から供給された単一のパルス光を変調信号発生器62から供給されたシフト周波数に基づいてシフトするものである。光周波数シフタ63は、単一のパルス光を出力する。光周波数シフタ63は、シフト周波数と、第1光パルスゲート69からの出力とに基づいて、複数のパルス光を出力する。
帰還側第2光カプラ65は、光周波数シフタ63に接続され、遅延調整ファイバ67に接続され、光カプラ35に接続されている。帰還側第2光カプラ65は、光周波数シフタ63から入力された単一のパルス光を遅延調整ファイバ67に出力する。帰還側第2光カプラ65は、光周波数シフタ63から入力された複数のパルス光を光カプラ35に出力する。
遅延調整ファイバ67は、帰還側第2光カプラ65から単一のパルス光を予め定めた間隔で遅延させる。つまり、遅延調整ファイバ67は、光周波数シフタ63から出力される複数のパルス光同士の帰還間隔を調整するものである。
第1光パルスゲート69は、遅延調整ファイバ67で遅延された単一のパルス光同士の帰還間隔ごとに帰還する帰還回数を調整する。第1光パルスゲート69は、光周波数シフタ63が出力する複数のパルス光のパルス光周期を調整する。第1光パルスゲート69は、帰還回数でパルス光周期を調整することにより、パルス光周期を、パルス光源31のサンプリング周期よりも短く設定する。つまり、第1光パルスゲート69は、帰還回数でパルス光出力周波数を調整することにより、パルス光出力周波数をパルス光源31から出力されるパルス光のサンプリング周波数よりも高く設定する。これにより、第1光パルスゲート69は、光周波数シフタ63から出力される複数のパルス光の出力タイミングを調整する。
なお、帰還側第2光カプラ65の出力側には、経路点Bが設定されている。
第2帰還回路52は、入力側が光カプラ33に接続され、出力側が光カプラ35に接続される。第2帰還回路52は、帰還側第1光カプラ71、変調信号発生器72、光周波数シフタ73、帰還側第2光カプラ75、遅延調整ファイバ77、及び第1光パルスゲート79を備える。第2帰還回路52は、帰還側第2光カプラ75、遅延調整ファイバ77、第1光パルスゲート79、帰還側第1光カプラ71、及び光周波数シフタ73が順に接続されることにより、パルス光が帰還する回路を形成する。第2帰還回路52は、パルス光を、予め定めた帰還回数で、帰還側第2光カプラ75、遅延調整ファイバ77、第1光パルスゲート79、帰還側第1光カプラ71、及び光周波数シフタ73を帰還させることにより、パルス光源31のサンプリング周期よりも短い間隔のパルス光周期を設定する。
帰還側第1光カプラ71は、光カプラ33に接続され、第1光パルスゲート79に接続され、光周波数シフタ73に接続されている。帰還側第1光カプラ71は、光カプラ33から入力された単一のパルス光を光周波数シフタ73に出力する。帰還側第1光カプラ71は、第1光パルスゲート79から入力されたパルス光を光周波数シフタ73に出力する。
変調信号発生器72は、特定の周波数の信号、例えば、周波数fを発生させ、光周波数シフタ73にその特定の周波数の信号をシフト周波数として供給するものである。変調信号発生器72は、周波数fを、パルス光源31のサンプリング周波数よりも高い値であって、一定値の周波数に設定する。変調信号発生器72で設定された一定値の周波数fは、光周波数シフタ73に供給され、第2帰還回路52内を繰り返し帰還していく。よって、光周波数シフタ73を通過する回数が増えるにつれ、パルス光の周波数がν+f、ν+2f、ν+3f・・・というように周波数fの倍数で設定されていく。なお、シフト周波数は、サンプリング周波数よりも高く、一定値であればいいため、上記で説明したようにfの倍数である必要はない。
光周波数シフタ73は、帰還側第1光カプラ71から供給された単一のパルス光を変調信号発生器72から供給されたシフト周波数に基づいてシフトするものである。光周波数シフタ73は、単一のパルス光を出力する。光周波数シフタ73は、シフト周波数と、第1光パルスゲート79からの出力とに基づいて、複数のパルス光を出力する。
帰還側第2光カプラ75は、光周波数シフタ73に接続され、遅延調整ファイバ77に接続され、光カプラ35に接続されている。帰還側第2光カプラ75は、光周波数シフタ73から入力された単一のパルス光を遅延調整ファイバ77に出力する。帰還側第2光カプラ75は、光周波数シフタ73から入力された複数のパルス光を光カプラ35に出力する。
遅延調整ファイバ77は、帰還側第2光カプラ75から単一のパルス光を予め定めた間隔で遅延させる。つまり、遅延調整ファイバ77は、光周波数シフタ73から出力される複数のパルス光同士の帰還間隔を調整するものである。
第1光パルスゲート79は、遅延調整ファイバ77で遅延された単一のパルス光同士の帰還間隔ごとに帰還する帰還回数を調整する。第1光パルスゲート79は、光周波数シフタ73が出力する複数のパルス光のパルス光周期を調整する。第1光パルスゲート79は、帰還回数でパルス光周期を調整することにより、パルス光周期を、パルス光源31のサンプリング周期よりも短く設定する。つまり、第1光パルスゲート79は、帰還回数でパルス光出力周波数を調整することにより、パルス光出力周波数をパルス光源31から出力されるパルス光のサンプリング周波数よりも高く設定する。これにより、第1光パルスゲート79は、光周波数シフタ73から出力される複数のパルス光の出力タイミングを調整する。
なお、帰還側第2光カプラ75の出力側には、経路点Cが設定されている。
光カプラ35は、帰還側第2光カプラ65に接続され、帰還側第2光カプラ75に接続され、光アンプ39に接続されている。光カプラ35は、帰還側第2光カプラ65から入力される複数のパルス光と、帰還側第2光カプラ75から入力される複数のパルス光とを光アンプに出力する。
遅延補償ファイバ37は、帰還側第2光カプラ75と、光カプラ35との間に設けられ、後述する検出部21に設けられる第1センシングファイバ221、第2センシングファイバ231、及び第3センシングファイバ241での遅延を補償するものである。
光アンプ39は、光カプラ35から入力された複数のパルス光を増幅し、検出部21に出力する。
なお、検出部21の詳細については、図2を用いて後述する。また、処理部24の詳細については、図3を用いて後述する。
O/E変換器22は、受光素子を用いることでパルス光の信号を光電変換することにより、電気信号のパルス波形を生成するものであり、検出部21と、フィルタ23との間に設けられる。
フィルタ23は、O/E変換器22と、処理部24との間に設けられ、例えば、パルス光源31のサンプリング周波数を超える周波数成分を含むパルス波形を遮断するものである。
図2は、本発明の実施の形態1における検出部21の構成の一例を示す図である。図2に示すように、検出部21は、光カプラ201、光カプラ202、光カプラ203、光カプラ204、第1遅延ファイバ251、第2遅延ファイバ253、第1センシング干渉計211、第2センシング干渉計212、及び第3センシング干渉計213を備え、第1信号、第2信号、及び第3信号等の物理量を検出する。
具体的には、光源部15から送出されたパルス光は、光カプラ201で2つに分岐され一方は第1センシング干渉計211に供給され、他方は光カプラ203に供給される。光カプラ203に供給されたパルス光は2つに分岐され、一方は第2センシング干渉計212に供給され、他方は第3センシング干渉計213に供給される。
第1センシング干渉計211は、第1センシングファイバ221、光カプラ223、ミラー225、及びミラー227を備え、第1センシングファイバ221を介して光カプラ202にパルス光を出力したり、第1センシングファイバ221を介さずに光カプラ202にパルス光を出力したりする。
第1センシングファイバ221は、加わる物理量に応じて歪みが生じるものであり、これにより、第1センシングファイバ221を通過する光が位相変調される。このため、第1センシングファイバ221は、測定する物理量に応じて、その物理量の変動を検知することができる。
ミラー225及びミラー227は、入射光を反射するものである。
光カプラ201から供給される複数のパルス光は、光カプラ223で分岐される。分岐された複数のパルス光のうち、一方は、第1センシングファイバ221で測定される物理量に応じて位相変調される。その後、複数のパルス光は、ミラー225で反射されてから光カプラ223を介して、光カプラ202に出力される。また、分岐された複数のパルス光のうち、他方は、ミラー227で反射されてから光カプラ223を介して、光カプラ202に出力される。
第2センシング干渉計212は、第2センシングファイバ231、光カプラ233、ミラー235、及びミラー237を備え、第2センシングファイバ231を介して光カプラ204にパルス光を出力したり、第2センシングファイバ231を介さずに光カプラ204にパルス光を出力したりする。
第2センシングファイバ231は、加わる物理量に応じて歪みが生じるものであり、これにより、第2センシングファイバ231を通過する光が位相変調される。このため、第2センシングファイバ231は、測定する物理量に応じて、その物理量の変動を検知することができる。
ミラー235及びミラー237は、入射光を反射するものである。
光カプラ203から供給される複数のパルス光は、光カプラ233で分岐される。分岐された複数のパルス光のうち、一方は、第2センシングファイバ231で測定される物理量に応じて位相変調される。その後、複数のパルス光は、ミラー235で反射されてから光カプラ233を介して、光カプラ204に出力される。また、分岐された複数のパルス光のうち、他方は、ミラー237で反射されてから光カプラ233を介して、光カプラ204に出力される。
第3センシング干渉計213は、第3センシングファイバ241、光カプラ243、ミラー245、及びミラー247を備え、第3センシングファイバ241及び第2遅延ファイバ253を介して光カプラ204にパルス光を出力したり、第3センシングファイバ241を介さず第2遅延ファイバ253のみを介して光カプラ204にパルス光を出力したりする。
第3センシングファイバ241は、加わる物理量に応じて歪みが生じるものであり、これにより、第3センシングファイバ241を通過する光が位相変調される。このため、第3センシングファイバ241は、測定する物理量に応じて、その物理量の変動を検知することができる。
ミラー245及びミラー247は、入射光を反射するものである。
光カプラ203から供給される複数のパルス光は、光カプラ243で分岐される。分岐された複数のパルス光のうち、一方は、第3センシングファイバ241で測定される物理量に応じて位相変調される。その後、複数のパルス光は、ミラー245で反射されてから光カプラ243を介して、光カプラ204に出力される。また、分岐された複数のパルス光のうち、他方は、ミラー247で反射されてから光カプラ243を介して、光カプラ204に出力される。
光カプラ204は、第2センシング干渉計212又は第3センシング干渉計213から供給されるパルス光を1本のファイバ内に結合させ、第1遅延ファイバ251を介して光カプラ202に供給する。
光カプラ202は、第1センシング干渉計211又は光カプラ204から供給されるパルス光を1本のファイバ内に結合させ、パルス列としてO/E変換器22に供給する。
なお、光カプラ201の入力側には、経路点Dが設定され、光カプラ202の出力側には経路点Gが設定されている。
また、ミラー225には経路点F1が設定され、ミラー227には経路点E1が設定され、ミラー235には経路点F2が設定され、ミラー237には経路点E2が設定され、ミラー245には経路点F3が設定され、ミラー247には経路点E3が設定されている。
図3は、本発明の実施の形態1における処理部24の構成の一例を示す図である。図3に示すように、処理部24は、A/D変換器301、参照信号発生器311〜316、乗算器331〜336、LPF(Low Pass Filter)351〜356、逆正接演算器371、373、375、及び不連続点補償演算器391、393、395を備える。処理部24は、第1センシングファイバ221、第2センシングファイバ231、及び第3センシングファイバ241からの干渉光に基づいて、物理量に対応する測定信号を検知するものである。
A/D変換器301は、アナログ信号であるパルス波形をデジタル信号に変換する。参照信号発生器311〜316は、例えば、δ関数に基づいて、A/D変換されたデジタル信号を所定の間隔でサンプリングするタイミング信号と、位相復調のための参照信号とを発生するものである。つまり、参照信号発生器311〜316は、第1センシング干渉計211、第2センシング干渉計212、及び第3センシング干渉計213の各出力に対応するタイミングと周波数を調整する参照信号を発生する。
乗算器331〜336、LPF351〜356、逆正接演算器371、373、375、及び不連続点補償演算器391、393、395は、参照信号に基づいて、第1センシングファイバ221で検出した第1信号、第2センシングファイバ231で検出した第2信号、及び第3センシングファイバ241で検出した第3信号をそれぞれ復調する。
具体的には、乗算器331〜336は、A/D変換器301の出力信号と、参照信号発生器311〜316の出力信号とを乗算することにより、必要な信号をサンプリングすると同時に、位相復調のための参照信号を乗算するものである。LPF351〜356は、乗算器331〜336の出力信号の高周波成分を遮断するものである。逆正接演算器371、373、375は、位相を求めるものである。不連続点補償演算器391、393、395は、逆正接演算で発生する不連続点を補間するものである。
図4は、本発明の実施の形態1における干渉型光ファイバセンサ1の光源部11の仕様の一例を示す図である。図4に示すように、光源部11の諸元が示されている。
ここで、τは、第1センシングファイバ221、第2センシングファイバ231、及び第3センシングファイバ241の往復伝搬時間であると想定する。
光源部11の諸元について説明する。パルス光源31には、単一のパルス光のパルスの繰り返し周期として、9τが設定されている。遅延調整ファイバ67,77には、遅延調整時間として、3τが設定されている。第1光パルスゲート69、79による光周波数シフタ63、73のパルスの出力設定には、通過回数として3回が設定され、遮断回数として4回目毎が設定されている。遅延補償ファイバ37には、遅延補償時間としてτが設定されている。
以上の設定例から次の設定値が適用される。光周波数シフタ63、73の出力は繰り返し周期3τの複数のパルス光となる。パルス光のパルス光出力周波数は、ν+f、ν+2f、ν+3fの繰り返しとなる。
したがって、光周波数シフタ63、73から出力される複数のパルス光のパルス光周期、すなわち、パルス光同士の帰還間隔は、パルス光源31のパルスの繰り返し周期よりも短く設定される。
つまり、光周波数シフタ63、73から出力される複数のパルス光のパルス光出力周波数は、パルス光源31から出力されるパルス光のサンプリング周波数よりも高い値に設定される。
このように、光周波数シフタ63、73を通過させる回数、すなわち、帰還回数及びパルス光源31から出力されるパルスの繰り返し周期、すなわち、サンプリング周期等を変えることにより、復調に用いるビート周波数の数を変えることができる。
<動作の説明>
次に、上記で説明した構成を前提として動作について説明する。図5は、本発明の実施の形態1における光源部11の出力パルス光及びO/E変換器22の入出力波形の一例を説明する図である。
パルス光源出力では、上記で説明したように、単一のパルス光が9τの周期で出力される。第1光パルスゲート出力では、上記で説明したように、パルス光が3τの周期で出力される。そして、光周波数シフタ出力では、パルス光が3τの周期で出力され、ν+f、ν+2f、ν+3fの各パルス光が繰り返し出力されるため、光周波数シフタ63、73からは複数のパルス光が出力されていく。
つまり、光周波数シフタ63、73で出力される複数のパルス光は、パルス光源31で出力されるパルス光よりも短い間隔で出力される。
このような複数のパルス光がO/E変換器22に入力され、パルス波形に光電変換され、次に説明する動作が行われる。
ABDE1Gを経由したパルス光が最も早くO/E変換器22に入力される。以下、ABDF1Gを経由したパルス光、ACDE1Gを経由したパルス光、ACDF1Gを経由したパルス光、ABDE2Gを経由したパルス光、ABDF2Gを経由したパルス光、ACDE2Gを経由したパルス光、ACDF2Gを経由したパルス光、ABDE3Gを経由したパルス光、ABDF3Gを経由したパルス光、ACDE3Gを経由したパルス光、及びACDF3Gを経由したパルス光の順にO/E変換器22に入力されていく。
なお、ABDE1Gを経由したパルス光、ABDF1Gを経由したパルス光、ACDE1Gを経由したパルス光、及びACDF1Gを経由したパルス光は、第1信号に関するものである。
また、ABDE2Gを経由したパルス光、ABDF2Gを経由したパルス光、ACDE2Gを経由したパルス光、及びACDF2Gを経由したパルス光は、第2信号に関するものである。
また、ABDE3Gを経由したパルス光、ABDF3Gを経由したパルス光、ACDE3Gを経由したパルス光、及びACDF3Gを経由したパルス光は、第3信号に関するものである。
ABDE1Gを経由したパルス光は、光周波数シフタ出力と同期するタイミングで、O/E変換器22に入力される。
ABDF1Gを経由したパルス光及びACDE1Gを経由したパルス光は、ABDE1Gを経由したパルス光よりもτの遅延でO/E変換器22に入力されるように、第1センシングファイバ221及び遅延補償ファイバ37の各長さが設定されている。
ACDF1Gを経由したパルス光は、ABDE1Gを経由したパルス光よりも2τの遅延でO/E変換器22に入力されるように、第1センシングファイバ221及び遅延補償ファイバ37の各長さが設定されている。
ABDF1Gを経由したパルス光及びACDE1Gを経由したパルス光は、Iには周波数f−fのビート、Iには周波数2(f−f)のビート、及びIには周波数3(f−f)のビートをそれぞれ発生させる。上記で説明したように、これらのパルス光のビートには第1センシングファイバ221で検出した第1信号だけが含まれているため、処理部24は、I、I、及びIをサンプリングし、第1信号だけが含まれるそれぞれのビートから第1信号を復調することができる。
ABDE2Gを経由したパルス光は、ABDE1Gを経由したパルス光よりも3τの遅延でO/E変換器22に入力されるように、第2センシングファイバ231及び第1遅延ファイバ251の各長さが設定されている。
ABDF2Gを経由したパルス光及びACDE2Gを経由したパルス光は、ABDE2Gを経由したパルス光よりもτの遅延でO/E変換器22に入力されるように、第2センシングファイバ231及び第1遅延ファイバ251の各長さが設定されている。
ACDF2Gを経由したパルス光は、ABDE2Gを経由したパルス光よりも2τの遅延でO/E変換器22に入力されるように、第2センシングファイバ231及び第1遅延ファイバ251の各長さが設定されている。
ACDF2Gを経由したパルス光は、ABDE2Gを経由したパルス光よりも2τの遅延でO/E変換器22に入力されるように、第2センシングファイバ231及び第1遅延ファイバ251の各長さが設定されている。
つまり、ABDF2Gを経由したパルス光及びACDE2Gを経由したパルス光は、ABDF1Gを経由したパルス光及びACDE1Gを経由したパルス光よりも3τの遅延でO/E変換器22に入力されるように、第2センシングファイバ231及び第1遅延ファイバ251の各長さが設定されている。
ABDF2Gを経由したパルス光及びACDE2Gを経由したパルス光は、Iには周波数3(f−f)のビート、Iには周波数f−fのビート、及びIには周波数2(f−f)のビートをそれぞれ発生させる。上記で説明したように、これらのパルス光のビートには第2センシングファイバ231で検出した第2信号だけが含まれているため、処理部24は、I、I、及びIをサンプリングし、第2信号だけが含まれるそれぞれのビートから第2信号を復調することができる。
ABDE3Gを経由したパルス光は、ABDE1Gを経由したパルス光よりも6τの遅延でO/E変換器22に入力されるように、第3センシングファイバ241及び第2遅延ファイバ253の各長さが設定されている。
ABDF3Gを経由したパルス光及びACDE3Gを経由したパルス光は、ABDE3Gを経由したパルス光よりもτの遅延でO/E変換器22に入力されるように、第3センシングファイバ241及び第2遅延ファイバ253の各長さが設定されている。
ACDF3Gを経由したパルス光は、ABDE3Gを経由したパルス光よりも2τの遅延でO/E変換器22に入力されるように、第3センシングファイバ241及び第2遅延ファイバ253の各長さが設定されている。
ACDF3Gを経由したパルス光は、ABDE3Gを経由したパルス光よりも2τの遅延でO/E変換器22に入力されるように、第3センシングファイバ241及び第2遅延ファイバ253の各長さが設定されている。
つまり、ABDF3Gを経由したパルス光及びACDE3Gを経由したパルス光は、ABDF1Gを経由したパルス光及びACDE1Gを経由したパルス光よりも6τの遅延でO/E変換器22に入力されるように、第3センシングファイバ241及び第2遅延ファイバ253の各長さが設定されている。
ABDF3Gを経由したパルス光及びACDE3Gを経由したパルス光は、Iには周波数2(f−f)のビート、Iには周波数3(f−f)のビート、及びIには周波数f−fのビートをそれぞれ発生させる。上記で説明したように、これらのパルス光のビートには第3センシングファイバ241で検出した第3信号だけが含まれているため、処理部24は、I、I、及びIをサンプリングし、第3信号だけが含まれるそれぞれのビートから第3信号を復調することができる。
図6は、本発明の実施の形態1におけるA/D変換器301の出力パワースペクトルを説明する図である。図6に示すように、周波数f−fがI、I、及びIのそれぞれのサンプリング周波数である1/9τの1/7に設定された場合、復調するビートの側波帯の幅が実施の形態1においては最大となる。
また、例えば、復調に使用するビート周波数の数を変える場合には、復調に用いる周波数が最も高いビート及び側波帯が、折り返しで発生した周波数が最も低いビート及び側波帯と隣接するようにf−fを設定することにより、復調するビートの側波帯の幅は最大となる。
次に、復調に用いないビート及び側波帯に割り当てられる周波数帯域について説明する。変調信号発生器62のシフト周波数f及び変調信号発生器72のシフト周波数fは、変調信号発生器62又は変調信号発生器72を通過した回数の異なるパルス光が干渉することにより発生するビート及び側波帯が、復調に用いるビート及び側波帯の周波数帯域に重ならない周波数になるように設定されるものである。
例えば、シフト周波数f及びシフト周波数fがフィルタ23の高域遮断周波数よりも高くなるように設定する。これにより、変調信号発生器62又は変調信号発生器72を通過した回数が異なるパルスが干渉して発生するビートは減衰する。これにより、変調信号発生器62又は変調信号発生器72を通過した回数が異なるパルスが干渉して発生するビートは、復調に用いるビート及び側波帯に重ならなくなる。
また、シフト周波数f及びシフト周波数fがO/E変換器22の通過帯域よりも高い周波数に設定されることにより、変調信号発生器62又は変調信号発生器72を通過した回数が異なるパルス光においては、ビートそのものが発生しなくなる。
<効果の説明>
本実施の形態においては、光周波数シフタ63、73を一定値の周波数に基づいて動作させている。このため、光周波数シフタ63、73が内蔵する音響振動子と、その音響振動子による音響光学効果を発生させるセルの音場が変わるまでの時間を待つ必要がなくなる。これにより、光周波数シフタ63,73を光が通過する時間だけで周波数シフトを生じさせることになる。
つまり、光周波数シフタ63、73の内部特性に依存せず、光周波数シフタ63、73のパルス光出力周波数をパルス光源31のサンプリング周波数よりも高く設定することができる。
この結果、干渉型光ファイバセンサ1は、センシングする信号の位相変化が速くても追従することができる。
また、従来例においては、光のシフト周波数の変化幅が光周波数シフタ63、73のシフト周波数の可変幅の範囲内に限定されていた。このため、1つのセンシングファイバで検出した信号以外も含むビートは、光周波数シフタのシフト周波数より低くなってしまった。このため、復調処理に用いる周波数帯域は狭まることになった。
そもそも、1つのセンシングファイバで検出した信号以外も含むビートは、光周波数シフタ63、73及び第1光パルスゲート69、79を帰還した帰還回数が異なる光同士の干渉で生じるものである。
したがって、1つのセンシングファイバで検出した信号以外も含むビートが発生する場合の周波数は、光周波数シフタ63、73のシフト周波数以上の高い周波数である。
そして、光周波数シフタ63、73のシフト周波数は、例えば、サンプリング周波数1/9τよりも高く設定できるものである。このため、処理部24においては、処理部24でのサンプリング処理をする前に、フィルタ23で減衰させることができる。また、同様の理由により、光周波数シフタ63、73と第1光パルスゲート69、79とを含む回路を帰還した回数の差を大きくすることができる。また、O/E変換器22は、動作する周波数帯域の上限よりも高いパルス波形が入力されると、ビートは発生しなくなる。
この結果、干渉型光ファイバセンサ1は、復調処理に用いる周波数帯域を拡張することができる。
換言すれば、光周波数シフタの出力波形のタイミングを調整することにより、センシングする信号の位相変化が速くても追従しつつ、復調処理に用いる周波数帯域を拡張することができる。
なお、上記で説明した各数値例は一例を示すものであり、特にこれに限定するものではない。
以上のように、本実施の形態1では、複数のパルス光を出力する光源部11と、複数のパルス光の位相を測定信号に基づいて変調することで、位相変調された複数のパルス光をパルス列として該パルス列を複数回互いに時間をずらして出力する検出部21と、パルス列に基づいてパルス波形を出力する受光素子とを備えた干渉型光ファイバセンサ1であって、光源部11は、連続光を予め定めたサンプリング周期で抽出することで、該サンプリング周期ごとに単一のパルス光を出力するパルス光源31と、単一のパルス光を予め定めた帰還回数で帰還させ、複数のパルス光を出力する帰還回路とを備え、帰還回路のそれぞれに対し、帰還回数を調整し、複数のパルス光のパルス光周期をサンプリング周期よりも短い間隔に設定する。
また、本実施の形態1では、帰還回路は、互いに異なるシフト周波数の信号を発生する変調信号発生器62、72と、単一のパルス光の周波数をシフト周波数に基づいてシフトして複数のパルス光を出力する光周波数シフタ63、73と、複数のパルス光の該パルス光同士の帰還間隔を調整する遅延調整ファイバ67、77と、帰還間隔ごとに帰還する帰還回数及び光周波数シフタが出力する複数のパルス光のパルス光周期を調整する第1光パルスゲート69、79とを備えている。
これらの構成により、センシングする信号の位相変化が速くても追従しつつ、復調処理に用いる周波数帯域を拡張することができる。
実施の形態2.
実施の形態1との相違点は、光周波数シフタ63、73に対する入力が光パルスゲート付変調信号発生器83、93で実行される点である。
なお、本実施の形態2において、特に記述しない項目については実施の形態1と同様とし、同一の機能や構成については同一の符号を用いて述べることとする。
<構成の説明>
図7は、本発明の実施の形態2における干渉型光ファイバセンサ1001の構成の一例を示す図である。図7に示すように、第1帰還回路53において、帰還側第3光カプラ81は、光カプラ33に接続され、光カプラ35に接続され、遅延調整ファイバ67に接続され、光周波数シフタ63に接続されている。
帰還側第3光カプラ81は、光カプラ33から単一のパルス光が入力されると、単一のパルス光に遅延調整ファイバ67及び光周波数シフタ63を帰還させる。光パルスゲート付変調信号発生器83は、実施の形態1における変調信号発生器62及び第1光パルスゲート69の両方の機能を兼ね備えたものである。したがって、光パルスゲート付変調信号発生器83の制御に基づいて光周波数シフタ63は、単一のパルス光の帰還回数が制御され、光周波数シフタ63から出力される複数のパルス光同士の周期も制御され、パルス光源31のサンプリング周期よりも短く設定される。
なお、第2帰還回路54は、第1帰還回路53と同様の構成であるため、その説明については省略する。
図8は、本発明の実施の形態2における干渉型光ファイバセンサ1001の光源部12の仕様の一例を示す図である。図8に示すように、実施の形態1との相違点はパルス光源31のパルスの繰り返し周期が12τに設定される点である。
<動作の説明>
図9は、本発明の実施の形態2における光源部12の出力波形及びO/E変換器22の入出力波形の一例を説明する図である。
ここでは、主に、実施の形態1との相違点について説明する。
ABDF1Gを経由したパルス光と、ACDE1Gを経由したパルス光とにより、Iに周波数f−fのビート、Iに周波数2(f−f)のビート、及びIに周波数3(f−f)のビートを発生させる。
これらのパルス光のビートは、第1センシングファイバ221で検出した第1信号だけが含まれているため、処理部24で第1信号を復調できる。
ABDF2Gを経由したパルス光と、ACDE2Gを経由したパルスとにより、Iに周波数f−fのビート、Iに周波数2(f−f)のビート、及びIに周波数3(f−f)のビートを発生させる。
これらのパルス光のビートは、第2センシングファイバ231で検出した第2信号だけが含まれているため、処理部24で第2信号を復調できる。
ABDF3Gを経由したパルス光と、ACDE3Gを経由したパルス光とにより、Iに周波数f−fのビート、Iに周波数2(f−f)のビート、及びIに周波数3(f−f)のビートを発生させる。
これらのパルス光のビートは、第3センシングファイバ241で検出した第3信号だけが含まれているため、処理部24で第3信号を復調できる。
図10は、本発明の実施の形態2におけるA/D変換器301の出力パワースペクトルを説明する図である。
実施の形態1との相違点は、信号がI、I、I、及びIの4つのうち、3つにしか含まれない点である。
<効果の説明>
実施の形態1の場合と同様である。すなわち、光周波数シフタ63、73の出力波形のタイミングを調整することにより、センシングする信号の位相変化が速くても追従しつつ、復調処理に用いる周波数帯域を拡張することができる。
また、第1光パルスゲート69、79と、変調信号発生器62、72との機能を兼ね備えた光パルスゲート付変調信号発生器83、93を用いているため、部品点数を削減することができる。
なお、上記で説明した各数値例は一例を示すものであり、特にこれに限定するものではない。
以上のように、本実施の形態2では、帰還回路は、複数のパルス光の該パルス光同士の帰還間隔を調整する遅延調整ファイバ67、77と、単一のパルス光の周波数をシフトして複数のパルス光を出力する光周波数シフタ63、73と、互いに異なるシフト周波数の信号を発生し、該シフト周波数に基づいて光周波数シフタ63、73が出力する複数のパルス光の周波数をシフトさせ、帰還間隔ごとに帰還する帰還回数及び光周波数シフタ63、73が出力する複数のパルス光のパルス光周期を調整する光パルスゲート付変調信号発生器83、93とを備えることにより、センシングする信号の位相変化が速くても追従しつつ、復調処理に用いる周波数帯域を拡張することができる。
実施の形態3.
実施の形態1との相違点は、帰還側第2光カプラ65、75の出力側に、第2光パルスゲート103、113が設けられている点である。
なお、本実施の形態3において、特に記述しない項目については実施の形態1、2と同様とし、同一の機能や構成については同一の符号を用いて述べることとする。
<構成の説明>
図11は、本発明の実施の形態3における干渉型光ファイバセンサ2001の構成の一例を示す図である。図11に示すように、帰還側第2光カプラ65、75の出力側に、第2光パルスゲート103、113が設けられている。ここで、第1光パルスゲート69、79のパルス光周期を第1パルス光周期と命名して説明する。第2光パルスゲート103、113は、第1パルス光周期とは異なる周期に設定された第2パルス光周期に基づいて、光周波数シフタ63、73が出力した複数のパルス光のパルス光周期を調整する。これにより、2段階で光源部13が出力する複数のパルス光同士の間隔を調整することができる。
図12は、本発明の実施の形態3における干渉型光ファイバセンサ2001の光源部13の仕様の一例を示す図である。図12に示すように、パルス光源31のパルスの繰り返し周期が9τに設定され、遅延調整ファイバ67、77の遅延調整時間が3τ/2に設定され、第1光パルスゲート69による光周波数シフタ63のパルスの出力設定においては、通過回数が5回に設定され、遮断回数が7回目毎に設定され、第2光パルスゲート103、113による光周波数シフタ63のパルスの出力設定において、通過回数が奇数回に設定され、遮断回数が偶数回目毎に設定されている。
なお、図12においては、第1光パルスゲート69を6回通過するパルス光を遮断する一例について図示したが、通過させてもかまわないものである。
上記の設定により、第2光パルスゲート103、113の出力は繰り返し3τの複数のパルス光となり、パルス光の光周波数は、ν+f、ν+3f、及びν+5fの繰り返しとなる。
したがって、パルス光に光周波数シフタ63、73を通過させる回数、すなわち帰還回数、パルス光源31から出力するパルス光の繰り返し周期等を変えることにより、復調に用いるビート周波数の数を変更することができる。
<動作の説明>
図13は、本発明の実施の形態3における光源部13の出力パルス光及びO/E変換器22の入出力波形の一例を説明する図である。
ここでは、主に、実施の形態1、2との相違点について説明する。
例えば、第1光パルスゲート69、79により光周波数シフタ63、73は、一旦、パルス光の光周波数を、ν+f、ν+2f、ν+3f、ν+4f、及びν+5fの繰り返しとする。そして、第2光パルスゲート103、113により光周波数シフタ63、73は、パルス光の光周波数を、ν+f、ν+3f、及びν+5fの繰り返しとする。これらの複数のパルス光が検出部21に供給され、各センシングファイバで位相変調され、O/E変換器22に入力される。このとき、O/E変換器22は、複数のパルス光をパルス波形に変換し、以下の処理が行われることになる。
ABDF1Gを経由したパルス光と、ACDE1Gを経由したパルス光とにより、Iに周波数f−fのビート、Iに周波数3(f−f)のビート、及びIに周波数5(f−f)のビートを発生させる。
これらのパルス光のビートは、第1センシングファイバ221で検出した第1信号だけが含まれているため、処理部24で第1信号を復調できる。
ABDF2Gを経由したパルス光と、ACDE2Gを経由したパルスとにより、Iに周波数5(f−f)のビート、Iに周波数f−fのビート、及びIに周波数3(f−f)のビートを発生させる。
これらのパルス光のビートは、第2センシングファイバ231で検出した第2信号だけが含まれているため、処理部24で第2信号を復調できる。
ABDF3Gを経由したパルス光と、ACDE3Gを経由したパルス光とにより、Iに周波数3(f−f)ビート、Iに周波数5(f−f)のビート、及びIに周波数f−fのビートを発生させる。
これらのパルス光のビートは、第3センシングファイバ241で検出した第3信号だけが含まれているため、処理部24で第3信号を復調できる。
<効果の説明>
図14は、本発明の実施の形態3におけるA/D変換器301の出力パワースペクトルを説明する図である。
ここでは、主に、実施の形態1、2との相違点について説明する。
第2光パルスゲート103、113で光周波数シフタ63、73から出力される複数のパルス光の周波数を制限したことにより、周波数(f−f)/2以下の復調に使用しない周波数帯域がなくなる。このため、ビートの側波帯を広くすることができる。
また、光周波数シフタ63、73の出力波形のタイミングを調整することにより、センシングする信号の位相変化が速くても追従しつつ、復調処理に用いる周波数帯域を拡張することができる。
なお、上記で説明した各数値例は一例を示すものであり、特にこれに限定するものではない。
また、上記の説明では、2つのパルスゲートを用いて2段階で光周波数シフタ63、73の出力タイミングを調整する一例について説明したが、特にこれに限定するものではなく、3つ以上のパルスゲートにより多段階で光周波数シフタ63、73の出力タイミングを調整することができる。
以上のように、本実施の形態3では、帰還回路は、互いに異なるシフト周波数の信号を発生する変調信号発生器62、72と、単一のパルス光の周波数をシフト周波数に基づいてシフトして複数のパルス光を出力する光周波数シフタ63、73と、複数のパルス光の該パルス光同士の帰還間隔を調整する遅延調整ファイバ67、77と、帰還間隔ごとに帰還する帰還回数及び光周波数シフタが出力する複数のパルス光の第1パルス光周期を調整する第1光パルスゲート69、79と、第1パルス光周期とは異なる周期に設定された第2パルス光周期に基づいて、光周波数シフタ63、73が出力した複数のパルス光のパルス光周期を調整する第2光パルスゲート103、113とを備えることにより、センシングする信号の位相変化が速くても追従しつつ、復調処理に用いる周波数帯域を拡張することができる。
実施の形態4.
実施の形態2との相違点は、実施の形態2に対し、実施の形態3で説明した第2光パルスゲート103、113が設けられた点である。
なお、本実施の形態4において、特に記述しない項目については実施の形態1〜3と同様とし、同一の機能や構成については同一の符号を用いて述べることとする。
<構成の説明>
図15は、本発明の実施の形態4における干渉型光ファイバセンサ3001の構成の一例を示す図である。図15に示すように、帰還側第3光カプラ81、91の出力側に第2光パルスゲート103、113が設けられている。
図16は、本発明の実施の形態4における干渉型光ファイバセンサ3001の光源部14の仕様の一例を示す図である。図16に示すように、実施の形態2の設定に、実施の形態3の設定が追加されたものとなっている。
上記の設定により、第2光パルスゲート103、113の出力は繰り返し3τの複数のパルス光となり、パルス光の光周波数は、ν+f、ν+3f、及びν+5fの繰り返しとなる。
つまり、パルス光を光周波数シフタ63、73に通過させる回数、すなわち、帰還回数、パルス光源31から出力するパルス光のパルスの繰り返し周期等を変えることにより、復調に用いるビートの数を変えることができる。
<動作の説明>
図17は、本発明の実施の形態4における光源部14の出力パルス光及びO/E変換器22の入出力波形の一例を説明する図である。
ABDF1Gを経由したパルス光と、ACDE1Gを経由したパルス光とにより、Iに周波数f−fのビート、Iに周波数3(f−f)のビート、及びIに周波数5(f−f)のビートを発生させる。
これらのパルス光のビートは、第1センシングファイバ221で検出した第1信号だけが含まれているため、処理部24で第1信号を復調できる。
ABDF2Gを経由したパルス光と、ACDE2Gを経由したパルスとにより、Iに周波数5(f−f)のビート、Iに周波数f−fのビート、及びIに周波数3(f−f)のビートを発生させる。
これらのパルス光のビートは、第2センシングファイバ231で検出した第2信号だけが含まれているため、処理部24で第2信号を復調できる。
ABDF3Gを経由したパルス光と、ACDE3Gを経由したパルス光とにより、Iに周波数3(f−f)ビート、Iに周波数5(f−f)のビート、及びIに周波数f−fのビートを発生させる。
これらのパルス光のビートは、第3センシングファイバ241で検出した第3信号だけが含まれているため、処理部24で第3信号を復調できる。
上記で説明したように、実施の形態3と同様の動作となる。
<効果の説明>
上記で説明したように、実施の形態3と同様の動作であるので、同様の効果を奏する。
すなわち、周波数(f−f)/2以下の復調に使用しない周波数帯域がなくなる。このため、ビートの側波帯を広くすることができる。
また、上記で説明したように、実施の形態2の構成も部分的に用いているため、同様の効果を奏する。
すなわち、第1光パルスゲート69、79と、変調信号発生器62、72との機能を兼ね備えた光パルスゲート付変調信号発生器83、93を用いているため、部品点数を削減することができる。
また、光周波数シフタの出力波形のタイミングを調整することにより、センシングする信号の位相変化が速くても追従しつつ、復調処理に用いる周波数帯域を拡張することができる。
なお、上記で説明した各数値例は一例を示すものであり、特にこれに限定するものではない。
また、上記の説明では、実質的に2つのパルスゲートを用いて2段階で光周波数シフタ63、73の出力タイミングを調整する一例について説明したが、特にこれに限定するものではなく、3つ以上のパルスゲートにより多段階で光周波数シフタ63、73の出力タイミングを調整することができる。
以上のように、本実施の形態4では、帰還回路は、複数のパルス光の該パルス光同士の帰還間隔を調整する遅延調整ファイバ67、77と、単一のパルス光の周波数をシフトして複数のパルス光を出力する光周波数シフタ63、73と、互いに異なるシフト周波数の信号を発生し、該シフト周波数に基づいて光周波数シフタが出力する複数のパルス光の周波数をシフトさせ、帰還間隔ごとに帰還する帰還回数及び光周波数シフタが出力する複数のパルス光の第1パルス光周期を調整する光パルスゲート付変調信号発生器83、93と、第1パルス光周期とは異なる周期に設定された第2パルス光周期に基づいて、光周波数シフタが出力した複数のパルス光のパルス光周期を調整する第2光パルスゲート103、113とを備えることにより、センシングする信号の位相変化が速くても追従しつつ、復調処理に用いる周波数帯域を拡張することができる。
<利用形態の説明>
実施例1〜4において、3つのセンシングファイバで検出した信号を時分割多重し、3つのビート及び側波帯に基づいて信号を復調する一例について説明したが、時分割多重する信号の数、復調に用いるビート及び側波帯の数は特に限定しない。
実施例1〜4において、パルス光の繰り返し周期が、各センシングファイバをパルスが往復する時間τの3倍に設定された一例について説明したが、特にこれに限定しない。
実施例1、2においては、光周波数シフタ63、73、第1光パルスゲート69、79、及び光パルスゲート付変調信号発生器83、93を含む回路に光アンプを設けない例、実施例3、4においては、光周波数シフタ63、73、第1光パルスゲート69、79、及び光パルスゲート付変調信号発生器83、93を含む回路に光アンプを設けた例で説明したが、パルスの減衰量次第で光アンプの有無を変えることができる。また、パルス電流で駆動する半導体光アンプのように光を増幅できるパルスゲートを用いてもよい。
実施例1〜4において、O/E変換器22よりも後にフィルタ23を設ける一例について説明したが、光周波数シフタ63、73のシフト周波数がO/E変換器22の通過帯域よりも高い場合、フィルタ23を設ける必要はない。
実施例1〜4において、各センシングファイバに光カプラ201、202、203、204、223、233、243とミラー225、227、235、237、245、247とを取り付けことにより、マイケルソン干渉計を構成する例について説明したが、マッハ・ツェンダ干渉計、ミラーの代わりにFBG(Fiber Bragg Grating)を用いた干渉計であってもよい。
実施例1〜4において、光カプラ33等でパルス光を分岐する例を示したが、部分反射ミラー、FBG等で分岐させてもよい。また、分岐のための光カプラ等の構成を変更したり、波長分岐多重等の他の多重化方法と併用してもよい。
なお、実施例1〜4において、遅延調整ファイバ67、77を用いることにより、光周波数シフタ63、73のパルス光出力周波数を、パルス光源31のサンプリング周波数より高くする一例について説明したが、特にこれに限定しない。要するに、光源部11〜15が出力する複数のパルス光のパルス光周期が、パルス光源31のパルス光のサンプリング周期よりも短い間隔となっていればよく、遅延素子であれば特に限定するものではない。例えば、第1帰還回路51、53、55、57又は第2帰還回路52、54、56、58の内部において、部分的にO/E変換を行い、電気的な遅延素子が挿入されることで、パルス光の遅延を行い、光源部11〜15が出力する複数のパルス光のパルス光出力周波数を、パルス光源31のサンプリング周波数よりも高く設定してもよい。
1、1001、2001、3001、4001 干渉型光ファイバセンサ、11、12、13、14、15 光源部、21 検出部、22 O/E変換器、23 フィルタ、24 処理部、31 パルス光源、33、35、201、202、203、204、223、233、243 光カプラ、37 遅延補償ファイバ、39、101、111 光アンプ、51、53、55、57 第1帰還回路、52、54、56、58 第2帰還回路、61、71 帰還側第1光カプラ、62、72 変調信号発生器、63、73 光周波数シフタ、65、75 帰還側第2光カプラ、67、77 遅延調整ファイバ、69、79 第1光パルスゲート、81、91 帰還側第3光カプラ、83、93 光パルスゲート付変調信号発生器、103、113 第2光パルスゲート、211 第1センシング干渉計、212 第2センシング干渉計、213 第3センシング干渉計、221 第1センシングファイバ、231 第2センシングファイバ、241 第3センシングファイバ、225、227、235、237、245、247 ミラー、251 第1遅延ファイバ、253 第2遅延ファイバ、301 A/D変換器、311、312、313、314、315、316 参照信号発生器、331、332、333、334、335、336 乗算器、351、352、353、354、355、356 LPF、371、373、375 逆正接演算器、391、393、395 不連続点補償演算器。

Claims (8)

  1. 複数のパルス光を出力する光源部と、
    前記複数のパルス光の位相を測定信号に基づいて変調することで、位相変調された前記複数のパルス光をパルス列として該パルス列を複数回互いに時間をずらして出力する検出部と、
    前記パルス列に基づいてパルス波形を出力する受光素子と
    を備えた干渉型光ファイバセンサであって、
    前記光源部は、
    連続光を予め定めたサンプリング周期で抽出することで、該サンプリング周期ごとに単一のパルス光を出力する光源と、
    前記単一のパルス光を予め定めた帰還回数で帰還させ、前記複数のパルス光を出力する帰還回路と
    を備え、
    前記帰還回路のそれぞれに対し、前記帰還回数を調整し、前記複数のパルス光のパルス光周期を前記サンプリング周期よりも短い間隔に設定する
    ことを特徴とする干渉型光ファイバセンサ。
  2. 前記帰還回路は、
    互いに異なるシフト周波数の信号を発生する変調信号発生器と、
    前記単一のパルス光の周波数を前記シフト周波数に基づいてシフトして前記複数のパルス光を出力する光周波数シフタと、
    前記複数のパルス光の該パルス光同士の帰還間隔を調整する遅延調整ファイバと、
    前記帰還間隔ごとに帰還する前記帰還回数及び前記光周波数シフタが出力する前記複数のパルス光の前記パルス光周期を調整する光パルスゲートと
    を備えた
    ことを特徴とする請求項1に記載の干渉型光ファイバセンサ。
  3. 前記帰還回路は、
    前記複数のパルス光の該パルス光同士の帰還間隔を調整する遅延調整ファイバと、
    前記単一のパルス光の周波数をシフトして前記複数のパルス光を出力する光周波数シフタと、
    互いに異なるシフト周波数の信号を発生し、該シフト周波数に基づいて前記光周波数シフタが出力する前記複数のパルス光の周波数をシフトさせ、前記帰還間隔ごとに帰還する前記帰還回数及び前記光周波数シフタが出力する前記複数のパルス光の前記パルス光周期を調整する光パルスゲート付変調信号発生器と
    を備えた
    ことを特徴とする請求項1に記載の干渉型光ファイバセンサ。
  4. 前記帰還回路は、
    互いに異なるシフト周波数の信号を発生する変調信号発生器と、
    前記単一のパルス光の周波数を前記シフト周波数に基づいてシフトして前記複数のパルス光を出力する光周波数シフタと、
    前記複数のパルス光の該パルス光同士の帰還間隔を調整する遅延調整ファイバと、
    前記帰還間隔ごとに帰還する前記帰還回数及び前記光周波数シフタが出力する前記複数のパルス光の第1パルス光周期を調整する第1光パルスゲートと、
    前記第1パルス光周期とは異なる周期に設定された第2パルス光周期に基づいて、前記光周波数シフタが出力した前記複数のパルス光の前記パルス光周期を調整する第2光パルスゲートと
    を備えた
    ことを特徴とする請求項1に記載の干渉型光ファイバセンサ。
  5. 前記帰還回路は、
    前記複数のパルス光の該パルス光同士の帰還間隔を調整する遅延調整ファイバと、
    前記単一のパルス光の周波数をシフトして前記複数のパルス光を出力する光周波数シフタと、
    互いに異なるシフト周波数の信号を発生し、該シフト周波数に基づいて前記光周波数シフタが出力する前記複数のパルス光の周波数をシフトさせ、前記帰還間隔ごとに帰還する前記帰還回数及び前記光周波数シフタが出力する前記複数のパルス光の第1パルス光周期を調整する光パルスゲート付変調信号発生器と、
    前記第1パルス光周期とは異なる周期に設定された第2パルス光周期に基づいて、前記光周波数シフタが出力した前記複数のパルス光の前記パルス光周期を調整する第2光パルスゲートと
    を備えた
    ことを特徴とする請求項1に記載の干渉型光ファイバセンサ。
  6. 前記帰還回路は、
    前記パルス光の周波数を前記パルス光のサンプリング周波数よりも高く設定し、前記複数のパルス光の出力タイミングを調整する
    ことを特徴とする請求項2〜5の何れか一項に記載の干渉型光ファイバセンサ。
  7. 前記帰還回路は、
    前記シフト周波数のそれぞれを前記サンプリング周波数よりも高い値であって、一定値に設定する
    ことを特徴とする請求項6に記載の干渉型光ファイバセンサ。
  8. 前記光変調器で出力する前記パルス波形のうち、前記パルス光の周波数を超える前記パルス波形を遮断し、該パルス光の周波数を超えない前記パルス波形を通過するフィルタと、
    前記フィルタを通過した前記パルス波形から前記測定信号を抽出する処理部と
    を備えた
    ことを特徴とする請求項7に記載の干渉型光ファイバセンサ。
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