JP2014086556A - 発光装置 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 62
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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Abstract
【課題】金属膜の酸化や硫化等を防ぐためのコーティング膜を設けた場合でも、コーティング膜内に取り込まれてしまう光の量を低減し、LEDチップから射出される光の取り出し効率を向上させることができる発光装置を提供する。
【解決手段】基板1と、基板1の表面上に形成された金属膜2と、前記金属膜2上に設けられるLEDチップ4と、前記金属膜上に形成されたコーティング膜3とを備え、前記コーティング膜2には、その膜厚方向に貫通し、内部に前記LEDチップ4が配置される貫通孔31が形成されており、平面視において前記貫通孔31は、前記LEDチップ4よりも大きく形成し、前記LEDチップ4の外周面及び前記貫通孔の内周面の間に隙間を形成した。
【選択図】図2
【解決手段】基板1と、基板1の表面上に形成された金属膜2と、前記金属膜2上に設けられるLEDチップ4と、前記金属膜上に形成されたコーティング膜3とを備え、前記コーティング膜2には、その膜厚方向に貫通し、内部に前記LEDチップ4が配置される貫通孔31が形成されており、平面視において前記貫通孔31は、前記LEDチップ4よりも大きく形成し、前記LEDチップ4の外周面及び前記貫通孔の内周面の間に隙間を形成した。
【選択図】図2
Description
本発明は、基板と、基板の表面上に形成される金属膜と、金属膜上に設けられるLEDチップとを備えた発光装置に関するものである。
従来から、発光装置として、光を反射する金属膜を基板上に形成してその金属膜上にLEDチップを載置し、LEDチップから射出された光のうち、例えば基板側へと射出された光を所望の光照射側へと戻すようにしたものが知られている。
ところが、このような発光装置では、金属膜が外気に接触すると、その酸化や硫化が進行して黒変するため、この金属膜の反射率が低下して、LEDチップから射出された光が光照射側へと反射されにくくなり、光の取り出し効率が低下するという問題があった。
そこで、このような問題を解決するため、図6(a)に示す発光装置100Aが提案されており、この発光装置100Aでは、外気と金属膜2Aとの接触を防止するため、ガスバリア性のあるガラス膜3Aによって前記金属膜2Aを覆い、このガラス膜3Aの上にLEDチップ4Aを載置するようにしている(特許文献1参照)。尚、符号6Aは、透光性樹脂層であり、通常、その屈折率はガラス膜3Aよりも低い。
しかしながら、この発光装置100Aのようにガラス膜3Aの上にLEDチップ4Aを載置したのでは、LEDチップ4Aから金属膜2A側へと射出された光がガラス膜3Aに入射し、入射した光の大部分はガラス膜3Aと透光性樹脂層6Aとの屈折率の関係によりガラス膜3A内で反射を繰り返して光射出側へと取り出せなくなる。つまり、前記発光装置100Aには、金属膜2Aの経年変化を防ぐことができるものの、ガラス膜3A内に取り込まれる光が存在するために光の取り出し効率が低下するという問題がある。加えて、熱伝導性が金属ほどはよくないガラス膜3A上にLEDチップ4Aが載置されているため、LEDチップ4Aで生じた熱が基板1A側に放熱されず、所望の性能が得られにくい。
この他、図6(b)に示す発光装置100Bも提案されており、この発光装置100Bでは、金属膜2B上にLEDチップ4Bを載置し、金属膜2BとLEDチップ4Bの両方をガラス膜3Bによって覆い、金属膜2Bの経年変化を防ぐようにしている(特許文献2参照)。尚、符号6Bは、上記と同様、透光性樹脂層であり、その屈折率はガラス膜3Bより低くなっている。
しかしながら、前記発光装置100Bのように金属膜2B及びLEDチップ4Bをガラス膜3Bで覆ったのでは、金属膜2Bとガラス膜3Bの熱膨張率が異なってその熱変形量が異なるため、LEDチップ4Bに熱応力がかかることとなる。そして、このような熱応力がかかることで、LEDチップ4Bに割れが生じ、その発光特性が変化する。
本発明は上述したような問題を一挙に解決するためのものであり、コーティング膜により金属膜の酸化や硫化等を防ぎつつ、LEDチップから射出された光がこのコーティング膜内に取り込まれる量を低減して光の取り出し効率を向上させることができるとともに、コーティング膜によりLEDチップの放熱が妨げられることや各構成部材の熱変形によりLEDチップの特性が低下するのを防止できる発光装置を提供することを目的とする。
すなわち、本発明の発光装置は、基板と、基板の表面上に形成された金属膜と、前記金属膜上に設けられるLEDチップと、前記金属膜上に形成されたコーティング膜とを備え、前記コーティング膜には、その膜厚方向に貫通し、内部に前記LEDチップが配置される貫通孔が形成されており、平面視において前記貫通孔は、前記LEDチップよりも大きく形成され、前記LEDチップの外周面及び前記貫通孔の内周面の間に隙間が形成されていることを特徴とする。
尚、前記金属膜としては、例えば、光を反射可能なものを挙げることができ、前記コーティング膜としては、例えば、透光性とガスバリア性を有するものを挙げることができる。このようなものであれば、前記LEDチップの外周面と前記貫通孔の内周面の間に隙間が形成され、LEDチップの周囲近傍にはコーティング膜が存在しないので、LEDチップから金属膜側へと射出された光の大部分は、コーティング膜に入射することなく、金属膜で反射される。このため、コーティング膜に入射する光の割合を低減することができるうえ、当該コーティング膜内に光が閉じ込められることもない。
従って、金属膜をコーティング膜で覆って金属膜の経年変化を防止しつつ、コーティング膜内に取り込まれる光の量を減らし、光の取り出し効率を高めることができる。
また、前記LEDチップが前記金属膜上に直接配置されているので、LEDチップで生じた熱は金属膜を介して基板側に効率的に放熱される。従って、LEDチップの温度上昇により、LEDチップの性能が低下するのを防ぐことができる。
また、LEDチップと貫通孔との間の隙間によってLEDチップとコーティング膜とが接触しないので、LEDチップは金属膜の熱変形の影響のみを受ける。このため、LEDチップに熱変形量の異なる部材が複数接触することがなく、LEDチップに過度な熱応力がかからないので、LEDチップにひび割れが生じ、発光特性が変化するのを防ぐことができる。
ガスバリア性が高く、前記コーティング膜により前記金属膜の酸化や硫化を好適に防ぐことができるようにするには、前記コーティング膜が、ガラス膜であればよい。
前記LEDチップを保護するには、前記コーティング膜及び前記LEDチップ上を覆う透光性樹脂層をさらに備えたものであればよい。
前記透光性樹脂層を設けた場合において、LEDチップから射出された光をコーティング膜内に取り込まれにくくし、光の取り出し効率を低下させないようにするには、例えば、前記コーティング膜の屈折率を、前記透光性樹脂層の屈折率よりも大きいものを採用すればよい。
尚、前記隙間の大きさは、コーティング膜に入射する光の低減と、金属膜の酸化や硫化の防止との観点から決定することができ、この両者をバランスよく両立させる大きさとしては、必ずしもこれに限定されるわけではないが、例えば、5μm以上500μm以下である。隙間が5μm未満であると、コーティング膜に入射して取り込まれる光の割合をさほど低減できず、一方、隙間が500μmを越えると、金属膜の酸化や硫化の防止が不十分となる。ただし、隙間が5μm以上であっても、LEDチップがコーティング膜と干渉してその実装が難しい場合もあるので、隙間は50μm以上であれば、更に好ましい。
このように本発明の発光装置によれば、コーティング膜の貫通孔内に配置されたLEDチップの外周面と、貫通孔の内周面との間に隙間が形成されているので、LEDチップから射出された光がコーティング膜内に取り込まれにくくすることができ、コーティング膜による光の取り出し効率の低下を防ぐことができる。また、LEDチップが金属膜に直接載置されるので、当該LEDチップの放熱を効率よく行うことができ、LEDチップの温度上昇による性能低下が生じにくい。また、前記LEDチップは前記隙間によって前記金属膜の熱変形の影響しか受けず、LEDチップに接触する部材の熱変形量の違いによりLEDチップにひび割れが生じる等の熱応力による問題も生じにくい。
さらに、前記金属膜は、前記LEDチップの設置場所を除いて前記コーティング膜で覆われているので、前記金属膜の酸化や硫化等による変色を防ぐことができ、変色により反射率が低下して光の取り出し効率が低下しにくい。
本発明の一実施形態について各図を参照しながら説明する。図1は本実施形態の発光装置100の平面図であり、図2は図1のA−A線断面図である。なお、図2における厚さ方向の寸法は分かりやすさのため、高さ方向の寸法を大きくし、実際の比率とは異ならせてある。
図1及び図2に示すように本実施形態の発光装置100は、基板1と、基板1の表面上に形成した金属膜2と、前記金属膜2上に設けたLEDチップ4と、前記金属膜2の略全域を覆うように形成したガラス膜(コーティング膜)3と、前記ガラス膜3及び前記LEDチップ4上を覆うように設けられた透光性樹脂層6を備えたものである。そして、本実施形態の発光装置100は、前記ガラス膜3が前記LEDチップ4上及び当該LEDチップ4の周囲には設けられていないことを特徴とするものである。
各部について説明する。
前記基板1は、例えばセラミックで形成してあり、図1に示すように面板部が略正方形状をしている。この基板1の表面の中央部には、凹部であるキャビティ11が形成してあり、その底部には、各LEDチップ4と配線により接続されるアノード52とカソード51を設けてある。
前記金属膜2は、前記キャビティ11の表面上を覆うように形成された銀(Ag)の膜であり、前記LEDチップ4から前記基板1側へと射出された光を反射し、光照射側へと戻すためのものである。図2に示すようにこの金属膜2は、前記キャビティ11の側面及び底面のすべてを覆うように形成してある。本実施形態では、前記金属膜2を銀から構成したが、その他、銅、アルミニウム、金、タングステン、鉄、ニッケル、等の金属、又は、各種合金など、LEDチップ4から射出された光を効果的に反射する材料特性を有するものであればよい。
前記ガラス膜3は、前記透光性樹脂層6よりも屈折率が大きいガラスから構成され、透光性及びガスバリア性を有し、前記金属膜2が外気と接触して酸化したり、硫化したりするのを防止する。そして、図1に示すように前記ガラス膜3は、前記キャビティ11の底面において、前記LEDチップ4が実装される部分には貫通孔31を有するように形成してある。また、アノード52、カソード51の設置部分についても電極露出孔が形成してある。
前記貫通孔31は、図1及び図2に示すように、平面視において前記LEDチップ4よりも大きく形成されてその略中央にLEDチップ4が配置される。このため、貫通孔31とLEDチップ4とは所定距離離間して、貫通孔31の内周面とLEDチップ4の外周面との間には隙間が形成され、両者が接触しないようになっている。従って、この貫通孔31の部分においてはLEDチップ4と、その周囲の金属膜2が露出している。尚、前記隙間部分には、前記透光性樹脂層6が充填される。
前記隙間の大きさとしては、例えば、5μm以上500μm以下を挙げることができる。隙間が小さいと、ガラス膜3に入射して取り込まれる光の割合をさほど低減できず、一方、隙間が大きいと、金属膜2の酸化や硫化の防止が不十分となる。したがって、5μm以上500μm以下の大きさの隙間であれば、ガラス膜3に入射する光の割合を低減して光の取り出し効率を高めることもできるし、金属膜2の酸化や硫化を十分に防止することもできる。ただし、隙間が5μm以上であっても、LEDチップ4がガラス膜3と干渉してその実装が難しい場合があるので、隙間は50μm以上であることが好ましい。
尚、この貫通孔31と前記電極露出孔は、例えば金属膜2上の全域にわたってまずガラスコーティングを行った後、前記LEDチップ4が実装される箇所とアノード52、カソード51が配置される箇所についてエッチング等によりガラスを取り除くことによって形成することができる。
このように前記ガラス膜3は前記LEDチップ4の周囲を除き前記金属膜2を覆って外気との接触を防止しているので、金属膜2の酸化や硫化による変色が生じにくく、前記LEDチップ4からの光の取り出し効率が低下しにくい。すなわち、本実施形態の発光装置100は経時変化が生じにくく、所定の性能を長期間保つことができる。
さらに、前記ガラス膜3の貫通孔31の内周面と前記LEDチップ4の外周面との間に隙間を形成してあるので、後述するようにLEDチップ4から基板1側へと射出された光がガラス膜3内に取り込まれにくい。
従って、ガラス膜3により金属膜2の経時変化を防ぎつつ、光の取り出し効率を従来よりも高めることができる。
また、従来であればガラスと金属という熱膨張率が大きく異なる素材が前記LEDチップ4の上下面に接触していたために、LEDチップ4に過大な熱応力がかかってひび割れが生じる等していたが、本実施形態であれば、LEDチップ4は前記隙間によって金属膜2の熱変形の影響しか受けず、上述したような問題が生じることもない。さらに、LEDチップ4は、金属膜2の上に直接載置されているため、この金属膜2を介して基板1側に効率よく放熱することができる。これらのことから、熱によりLEDチップ4の発光特性が変化するのも防ぐことができる。
尚、本実施形態では、LEDチップ4が透光性樹脂層6により覆われ、また、前記隙間に透光性樹脂層6が充填されているが、この透光性樹脂層6は、ガラスと比べて柔らかいため、透光性樹脂層6によってLEDチップ4に熱応力はかかりにくいうえ、かかったとしても、ごく僅かである。従って、透光性樹脂層6によって熱応力がLEDチップ4にかかり、ガラスのときのような問題が生じることはない。
最後に前記LEDチップ4が前記貫通孔31内に配置してあるとともに、前記ガラス膜3と前記LEDチップ4が離間していることにより、光の取り出し効率が向上することについて詳細に説明する。
図3は図6(a)に示した従来の発光装置100Aにおいて、前記LEDチップ4Aから基板1A側へと射出された光の軌跡のシミュレーション結果を示したものである。また、図4は本実施形態の発光装置100において前記LEDチップ4から基板1側へと射出された光の軌跡のシミュレーション結果を示したものである。加えて、図5はガラス膜3Cの貫通孔内にLEDチップ4Cが配置してあり、貫通孔の内周面とLEDチップ4Cの外周面とが接している場合において、LEDチップ4Cから基板側へと射出された光の軌跡のシミュレーション結果を示したものである。尚、シミュレーションの条件として、ガラス膜3A,3,3C、透光性樹脂層6A,6,6C、LEDチップ4A,4,4Cの屈折率は、それぞれ、1.5,1.4及び1.7に設定した。
図3に示すようにガラス膜3A上に前記LEDチップ4Aが載置されている場合、前記LEDチップ4Aから基板1A側へと射出された光は、前記ガラス膜3A内に入射し、入射した光の大部分は、ガラス膜3Aと透光性樹脂層6Aとの屈折率の関係からこのガラス膜3A内で反射を繰り返して、光照射側へと取り出すことができなくなっていることがわかる。すなわち、従来においてはこのガラス膜3A内に取り込まれた分の光が損失となって、光の取り出し効率が低下している。
一方、本実施形態の発光装置100であれば、前記LEDチップ4の周囲近傍にはガラス膜3が存在しないので、隙間を設定した分だけ、図4に示すようにLEDチップ4から基板1側へと射出された光が金属膜2により光照射側へと反射されることとなり、僅かな光しかガラス膜3に入射しない。従って、ガラス膜3と透光性樹脂層6との屈折率の関係からこのガラス膜3内で反射を繰り返す光は僅かであり、ガラス膜3に取り込まれる光がほとんどないことがわかる。つまり、本実施形態の発光装置100であれば、ガラス膜3内に入射する光自体を減少させることができるので、このガラス膜3内で反射を繰り返す光も当然に少なくなって、光の取り出し効率を向上させることができる。
さらに、本実施形態とは異なり、貫通孔の内周面とLEDチップ4Cの外周面との間に隙間を形成せずにガラス膜3CとLEDチップ4Cとを接触させている場合(発光装置100C)、図5に示すようにLEDチップ4Cの周囲近傍に射出された光は、前記発光装置100Aと同様、その一部がガラス膜3C内に入射して、入射した光の大部分が、ガラス膜3Cと透光性樹脂層6Cとの屈折率の関係からこのガラス膜3C内で反射を繰り返していることがわかる。従って、貫通孔の内周面とLEDチップ4Cの外周面との間に隙間を設けない場合でもガラス膜3Cによる光の損失が生じ、光の取り出し効率が低下する。
逆に言うと、本実施形態の発光装置100のように貫通孔31の内周面とLEDチップ4の外周面との間に隙間を形成することによって初めてガラス膜3内に取り込まれる光の量を低減し、ガラス膜3を設けた場合でも光の取り出し効率を向上させられることが分かる。
その他の実施形態について説明する。
前記実施形態では、ガラス膜をコーティング膜としたが、その他のガスバリア性を有する部材をコーティング膜としてもよい。また、ガラスの組成についてもクラック等が生じにくいものであればどのようなものであってもよい。要するに、前記金属膜に長期間にわたって外気が接触することを防ぐことができ、透光性を有する素材であればどのようなものであってもよい。
また、LEDチップの形状や、射出される光の波長等は特に限定されるものではなく、様々なLEDチップにより本発明を構成することができる。さらに、前記実施形態のようにキャビティ内に1つのLEDチップを配置するのではなく、複数のLEDチップを配置するようにしてもよい。
また、上例では、金属膜として、光を反射する性質を有するものを、コーティング膜として、透光性とガスバリア性を有するものをそれぞれ採用したが、必ずしもこれに限られるものではなく、このような性質を有さないものを金属膜やコーティング膜に採用しても良い。
その他、本発明の趣旨に反しない限りにおいて様々な変形や実施形態の組み合わせを行ってもかまわない。
100 :発光装置
1 :基板
11 :キャビティ
2 :金属膜
3 :ガラス膜(コーティング膜)
31 :貫通孔
4 :LEDチップ
6 :透光性樹脂
1 :基板
11 :キャビティ
2 :金属膜
3 :ガラス膜(コーティング膜)
31 :貫通孔
4 :LEDチップ
6 :透光性樹脂
Claims (4)
- 基板と、
基板の表面上に形成された金属膜と、
前記金属膜上に設けられるLEDチップと、
前記金属膜上に形成されたコーティング膜とを備え、
前記コーティング膜には、その膜厚方向に貫通し、内部に前記LEDチップが配置される貫通孔が形成されており、
平面視において前記貫通孔は、前記LEDチップよりも大きく形成され、前記LEDチップの外周面及び前記貫通孔の内周面の間に隙間が形成されていることを特徴とする発光装置。 - 前記コーティング膜が、ガラス膜である請求項1記載の発光装置。
- 前記コーティング膜及び前記LEDチップ上を覆う透光性樹脂層をさらに備えた請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記コーティング膜の屈折率が、前記透光性樹脂層の屈折率よりも大きい請求項3記載の発光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012234201A JP2014086556A (ja) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | 発光装置 |
PCT/JP2013/077988 WO2014065162A1 (ja) | 2012-10-23 | 2013-10-15 | 発光装置 |
TW102138116A TW201424056A (zh) | 2012-10-23 | 2013-10-22 | 發光裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012234201A JP2014086556A (ja) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014086556A true JP2014086556A (ja) | 2014-05-12 |
Family
ID=50544542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012234201A Pending JP2014086556A (ja) | 2012-10-23 | 2012-10-23 | 発光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014086556A (ja) |
TW (1) | TW201424056A (ja) |
WO (1) | WO2014065162A1 (ja) |
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DE112019004254B4 (de) | 2018-09-28 | 2022-06-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Leuchtstoffelement, verfahren zu dessen herstellung und beleuchtungsvorrichtung |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009231440A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 発光素子搭載用配線基板及び発光装置 |
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-
2012
- 2012-10-23 JP JP2012234201A patent/JP2014086556A/ja active Pending
-
2013
- 2013-10-15 WO PCT/JP2013/077988 patent/WO2014065162A1/ja active Application Filing
- 2013-10-22 TW TW102138116A patent/TW201424056A/zh unknown
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DE112019004254B4 (de) | 2018-09-28 | 2022-06-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Leuchtstoffelement, verfahren zu dessen herstellung und beleuchtungsvorrichtung |
US11635189B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-04-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Phosphor element and lighting device |
US11262046B2 (en) | 2019-03-27 | 2022-03-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Phosphor element, method for producing same, and lighting device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014065162A1 (ja) | 2014-05-01 |
TW201424056A (zh) | 2014-06-16 |
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