KR20170009035A - 발광 소자 패키지 - Google Patents
발광 소자 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170009035A KR20170009035A KR1020150100379A KR20150100379A KR20170009035A KR 20170009035 A KR20170009035 A KR 20170009035A KR 1020150100379 A KR1020150100379 A KR 1020150100379A KR 20150100379 A KR20150100379 A KR 20150100379A KR 20170009035 A KR20170009035 A KR 20170009035A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- cavity
- blocking member
- light
- Prior art date
Links
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 40
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 acrylic polyol Chemical class 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L Zinc carbonate Chemical compound [Zn+2].[O-]C([O-])=O FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011667 zinc carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000010 zinc carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000004416 zinc carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
실시 예는 복수의 리드 프레임들, 상기 복수의 리드 프레임들 상에 위치하는 캐비티를 갖는 패키지 몸체, 상기 캐비티 내에 배치되는 제1 발광 소자, 상기 캐비티 밖의 상기 패키지 몸체 내부에 배치되는 제2 발광 소자, 상기 캐비티의 측면 상에 배치되는 제1 차단 부재를 포함하며, 상기 제1 패키지 몸체는 투광성 재질로 이루어지고, 상기 제1 차단 부재는 상기 제1 발광 소자에 의해 발생하는 제1광이 캐비티 밖으로 출사되는 것을 차단하고, 상기 제2 발광 소자에 의해 발생하는 제2광이 캐비티 내부로 유입되는 것을 차단한다.
Description
실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL:Cold Cathode Fluorescenece Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 해드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
조명 장치나 표시 장치에는 발광 소자 패키지가 널리 사용되고 있다. 발광 소자 패키지는 일반적으로 몸체, 몸체 내에 위치하는 리드 프레임들, 및 리드 프레임들 중 어느 하나에 위치하는 발광 소자(예컨대, LED)를 포함할 수 있다.
실시 예는 서로 혼합 또는 간섭하지 않도록 2개의 다른 색을 구현할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수의 리드 프레임들; 상기 복수의 리드 프레임들 상에 위치하는 캐비티(cavity)를 갖는 패키지 몸체; 상기 캐비티 내에 배치되는 제1 발광 소자; 상기 캐비티 밖의 상기 패키지 몸체 내부에 배치되는 제2 발광 소자; 상기 캐비티의 측면 상에 배치되는 제1 차단 부재를 포함하며, 상기 제1 패키지 몸체는 투광성 재질로 이루어지고, 상기 제1 차단 부재는 상기 제1 발광 소자에 의해 발생하는 제1광이 캐비티 밖으로 출사되는 것을 차단하고, 상기 제2 발광 소자에 의해 발생하는 제2광이 캐비티 내부로 유입되는 것을 차단한다.
상기 제1 발광 소자는 상기 복수의 리드 프레임들 중 어느 하나의 제1 영역 상에 배치되고, 상기 제2 발광 소자는 상기 복수의 리드 프레임들 중 다른 어느 하나의 제2 영역에 배치될 수 있으며, 상기 제1 영역은 상기 캐비티에 의하여 노출되는 영역이고, 상기 제2 영역은 상기 캐비티에 의하여 노출되지 않은 영역일 수 있다.
상기 패키지 몸체는 기준면 아래에 위치하는 하단부, 및 상기 기준면 상에 위치하는 상단부를 포함하며, 상기 상단부는 상기 제2 발광 소자를 포위하며, 상기 기준면은 상기 리드 프레임들의 상부면들과 평행하고, 동일 평면에 위치하는 면일 수 있다.
상기 제1 차단 부재는 절연성 반사 물질일 수 있다. 또는 상기 제1 차단 부재는 전도성 반사 물질일 수 있다.
상기 제1 발광 소자와 상기 제2 발광 소자는 상기 복수의 리드 프레임들 중 서로 다른 리드 프레임들에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 캐비티의 직경은 상기 캐비티의 하부에서 상부로 갈수록 감소하고, 상기 패키지 몸체의 상단부의 폭은 상기 상단부의 하부에서 상부로 갈수록 증가할 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 차단 부재와 상기 리드 프레임들의 상부면들 사이에 배치되는 제1 절연층을 더 포함할 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 패키지 몸체의 상단부의 외부 측면 상에 배치되는 제2 차단 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 차단 부재는 상기 캐비티의 측면과 접하는 제1층; 및 상기 제1층 상에 배치되는 제2층을 포함할 수 있으며, 상기 제1층과 상기 제2층은 반사율이 서로 다를 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 발광 소자를 포위하도록 상기 캐비티를 채우는 수지층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 차단 부재와 상기 수지층의 제1 경계면은 상기 제1 차단 부재와 상기 캐비티의 측면의 제2 경계면과 동일한 형상을 가질 수 있다.
상기 수지층은 형광체를 포함할 수 있다.
상기 제1 발광 소자와 상기 제2 발광 소자는 서로 다른 파장의 빛을 발생할 수 있다.
상기 수지층의 굴절률은 상기 제1 차단 부재의 굴절률보다 크고, 상기 패키지 몸체의 굴절률은 상기 제1 차단 부재의 굴절률보다 클 수 있다.
상기 패키지 몸체는 사출 성형이 가능한 투광성 수지 재질일 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 제2 차단 부재와 상기 리드 프레임들의 상부면들 사이에 배치되는 제2 절연층을 더 포함할 수 있다.
실시 예는 서로 혼합 또는 간섭하지 않도록 2개의 다른 색을 구현할 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 리드 프레임들을 나타낸다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 7은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 8은 도 1의 차단 부재에 의한 광의 반사를 나타낸다.
도 9는 도 1에 도시된 차단 부재의 변형 예를 나타낸다.
도 10은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 12는 실시 예에 따른 차량용 해드 램프의 단면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 리드 프레임들을 나타낸다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 7은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 8은 도 1의 차단 부재에 의한 광의 반사를 나타낸다.
도 9는 도 1에 도시된 차단 부재의 변형 예를 나타낸다.
도 10은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 12는 실시 예에 따른 차량용 해드 램프의 단면도를 나타낸다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 저면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 CD방향의 단면도를 나타내고, 도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 리드 프레임들을 나타낸다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 패키지 몸체(110), 다수의 리드 프레임들(122-1 내지 122-4), 적어도 하나의 제1 발광 소자(130-1), 적어도 하나의 제2 발광 소자(130-2), 및 차단 부재(140)을 포함한다.
발광 소자 패키지(100)는 제1 발광 소자(130-1)를 포위하는 수지층(150)을 더 포함할 수 있다.
발광 소자 패키지(100)는 제너 다이오드(170)를 더 포함할 수도 있다. 또한 발광 소자 패키지(100)는 적어도 하나의 와이어(161-1 내지 161-4)를 더 포함할 수도 있다.
패키지 몸체(110)는 사출 성형이 가능한 투광성 재질로서 제2 발광 소자(130-2)로부터 조사되는 광을 확산하고 유도할 수 있다. 패키지 몸체(110)는 광을 확산할 수 있는 수지(resin) 재질로 이루어질 수 있다.
예컨대, 패키지 몸체(110)는 자외선 경화 수지로 이루어질 수 있다. 예컨대 자외선 경화 수지는 우레탄 아크릴레이트(Urethane Acrylate)가 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 이외에도 에폭시 아크릴레이트(Epoxy Acrylate), 폴리에스테르 아크릴레이트(Polyester Acrylate), 폴리에테르 아크릴레이트(Polyether Acrylate), 폴리부타디엔 아크릴레이트(Polybutadiene Acrylate), 실리콘 아크릴레이트(Silicon Acrylate) 중 적어도 하나의 물질이 이용될 수 있다.
또한 예컨대, 패키지 몸체(110)는 고내열성을 갖는 열경화 수지로 이루어질 수 있다. 예컨대, 패키지 몸체(110)는 폴리에스테르 폴리올(Polyester Polyol) 수지, 아크릴 폴리올(Acryl Polyol) 수지, 탄화수소계 또는/및 에스테르계의 용제를 포함하는 열경화 수지로 이루어질 수 있다. 이러한 열경화 수지에는 강도 향상을 위해 열경화제가 더 포함될 수 있다.
패키지 몸체(110)는 추가적으로 모노머(monomer), 또는 광개시제(photo initiator) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 패키지 몸체(110)를 상술한 물질로 형성하는 경우 내열성이 강화되어 고온의 열이 방출되는 차량용 애플리케이션에 사용되더라도 열로 인한 휘도 저하를 줄일 수 있고, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한 패키지 몸체(110)는 확산제를 더 포함할 수도 있다. 확산제는 광의 반사율 및 확산율을 증가시킬 수 있고, 출사광의 광량 및 균일도를 향상시킬 수 있고, 결과적으로 발광 소자 패키지(100)의 휘도를 향상시킬 수 있다.
예컨대, 확산제는 실리콘, 실리카(silica), 글라스버블(glass bubble), PMMA, 우레탄(urethane), Zn, Zr, Al2O3, 아크릴(acryl) 중 선택되는 어느 하나로 구성될 수 있다.
패키지 몸체(110)는 측면(101) 및 바닥(102)으로 이루어지는 캐비티(cavity, 103, 도 4 참조)를 가질 수 있으며, 캐비티(103)의 측면(101)은 바닥(102)을 기준으로 일정한 각도만큼 기울어진 경사면일 수 있다.
패키지 몸체(110)의 캐비티(103)는 리드 프레임들(122-1 내지 122-4) 중 적어도 하나의 상부면의 일부를 노출할 수 있다. 예컨대, 캐비티(103)는 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4) 각각의 상부면의 일부를 노출할 수 있다.
패키지 몸체(110)의 상면의 외형은 발광 소자들(130-1, 130-2)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 또는 원형 등과 같이 다양하게 구현될 수 있고, 캐비티(103)의 형상도 컵 형상, 또는 오목한 용기 형상 등과 같이 다양하게 구현될 수 있다.
제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)은 열 배출이나 발광 소자들(130-1, 130-2)의 배치를 고려하여 서로 전기적으로 분리되도록 패키지 몸체(110)의 표면에 배치될 수 있다.
예컨대, 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)은 서로 이격되도록 배치될 수 있고, 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4) 사이에는 패키지 몸체(110)의 일부가 배치될 수 있다.그리고 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4) 사이에 배치되는 패키지 몸체(110)의 일부에 의하여 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)은 전기적으로 서로 분리 또는 격리될 수 있다.
제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)은 도전성 물질, 예컨대, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나로 형성되거나, 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다.
도 5에 도시된 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)의 패턴 또는 배치는 일 실시 예일 뿐이며, 다양한 형태의 패턴, 또는 다양한 형태의 배치로 구현될 수 있다.
적어도 하나의 제1 발광 소자(130-1)는 패키지 몸체(110)의 캐비티(103)에 의하여 노출되는 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)의 상부면들 중 적어도 하나의 일 영역에 배치될 수 있다.
적어도 하나의 제1 발광 소자(130-1)는 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4) 중 어느 하나의 제1 영역 상에 배치될 수 있다. 이때 제1 영역은 캐비티(103)에 의하여 노출되는 영역일 수 있다.
예컨대, 적어도 하나의 제1 발광 소자(130-1)는 제1 리드 프레임(122-1)의 제1 영역(S1) 상에 배치될 수 있다. 이때 제1 리드 프레임(122-1)의 제1 영역(S1)은 캐비티(103)에 의하여 노출되는 제1 리드 프레임(122-1)의 상부면의 일 영역일 수 있다.
적어도 하나의 제2 발광 소자(130-2)는 캐비티(103)에 의하여 노출되지 않은 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)의 상부면들 중 적어도 하나의 다른 영역에 배치될 수 있다.
예컨대, 적어도 하나의 제2 발광 소자(130-2)는 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4) 중 어느 하나의 제2 영역 상에 배치될 수 있다. 이때 제2 영역은 캐비티(103)에 의하여 노출되지 않은 영역일 수 있다.
예컨대, 적어도 하나의 제2 발광 소자(130-2)는 제3 리드 프레임(122-3)의 제2 영역(P2) 상에 배치될 수 있다. 이때 제3 리드 프레임(122-3)의 제2 영역(P2)은 캐비티(103)에 의하여 노출되지 않는 제3 리드 프레임(122-3)의 상부면의 일 영역일 수 있다.
예컨대, 적어도 하나의 제2 발광 소자(130-2)는 패키지 몸체(110)의 상단부(110a)의 외주면 및 반사 부재(140)로부터 이격하여 위치할 수 있다.
적어도 하나의 제1 발광 소자(130-1)는 패키지 몸체(110)의 캐비티(103)에 의하여 노출될 수 있고, 적어도 하나의 제2 발광 소자(130-2)는 패키지 몸체(110)에 의하여 포위될 수 있다.
제너 다이오드(170)는 제2 리드 프레임(122)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 제너 다이오드(170)는 제1 및 제2 리드 프레임들(122-1,122-2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 제너 다이오드(170)는 제2 리드 프레임(122-2)에 직접 본딩될 수 있고, 제4 와이어(161-4)에 의하여 제1 리드 프레임(122-1)과 전기적으로 연결될 수 있다.
패키지 몸체(110)는 기준면(401) 상부에 위치하는 상단부(110a) 및 기준면(401) 아래에 위치하는 하단부(110b)를 포함할 수 있다. 예컨대, 캐비티(103)는 패키지 몸체(110)의 상단부(110a)에 형성될 수 있다.
기준면(401)은 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)의 상부면과 평행하고, 동일 평면에 위치하는 면일 수 있다. 또는 기준면(401)은 캐비티(103)의 바닥(102)과 평행하고, 동일 평면에 위치하는 면일 수 있다.
패키지 몸체(110)의 하단부(110b)의 하면에는 지지 돌출부(210), 홈부(220), 및 사출물 돌출부(230)가 마련될 수 있다. 패키지 몸체(110)의 지지 돌출부(210)는 패키지 몸체(110)의 하단부(110b)의 하면으로부터 제1 방향으로 돌출될 수 있다. 예컨대, 제1 방향은 패키지 몸체(110)의 상단부(110a)로부터 하단부(110b)로 향하는 방향일 수 있다.
지지 돌출부(210)는 인쇄 회로 기판에 발광 소자 패키지(100)가 실장될 때, 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)과 함께 패키지 몸체(110)를 지지하는 역할을 할 수 있다.
패키지 몸체(110)의 홈부(220)는 지지 돌출부(210)에 마련되며, 바닥(220a) 및 측면(220b)을 포함할 수 있고, 지지 돌출부(210)의 하단으로부터 제2 방향으로 함몰되는 구조일 수 있다. 예컨대, 제2 방향은 제1 방향과 반대 방향일 수 있다.
패키지 몸체(110)의 사출물 돌출부(230)는 사출 장치인 러너(ruuner)의 사출물 주입구가 성형 틀 내에 주입된 사출물로부터 분리될 때, 패키지 몸체(110)의 홈부(220)의 바닥(220a)으로부터 돌출되도록 형성될 수 있다.
지지 돌출부(210), 홈부(220), 및 사출물 돌출부(230)는 사출 공정에 의한 것으로, 다른 실시 예에서는 생략 또는 제거될 수도 있다.
적어도 하나의 제2 발광 소자(130-2)는 패키지 몸체(110)의 상단부(110a) 내에 위치할 수 있다. 예컨대, 패키지 몸체(110)의 상단부(110a)는 적어도 하나의 제2 발광 소자(130-2)를 감쌀 수 있다. 패키지 몸체(110)의 상단부(110a)는 적어도 하나의 제2 발광 소자(130-2)를 밀봉(sealing)할 수 있다.
도 1에서는 제1 및 제2 발광 소자들(130-1, 130-2) 각각의 수는 1개이지만, 실시 예에가 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서 제1 및 제2 발광 소자들(130-1, 130-2) 각각의 수는 2개 이상일 수 있다.
제1 및 제2 발광 소자들(130-1, 130-2) 각각은 발광 다이오드(light emitting diode)일 수 있다. 제1 발광 소자(130-1)가 발생하는 빛의 파장은 제2 발광 소자(130-2)가 발생하는 빛의 파장과 다를 수 있다.
예컨대, 제1 발광 소자(130-1)는 청색 파장의 빛을 발생하는 Blue LED일 수 있고, 제1 발광 소자(130-2)는 적색 파장의 빛을 발생하는 Red LED일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 발광 소자(130-1) 및 제2 발광 소자(130-1) 각각은 수평형 LED, 수직형 LED, 또는 플립칩 LED일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
독립 구동을 위하여 제1 발광 소자(130-1)와 제2 발광 소자(130-2)는 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4) 중 서로 다른 리드 프레임들에 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서 제1 및 제2 발광 소자들(130-1,130-2)은 독립 구동될 수 있다.
제1 발광 소자(130-1)는 제1 및 제2 리드 프레임들(122-1)과 전기적으로 연결된다. 예컨대, 제1 발광 소자(130-1)는 수평형 LED일 수 있고, 제1 와이어(161-1)에 의하여 제1 발광 소자(130-1)의 제1 전극(예컨대, n형 전극)은 제1 리드 프레임(122-1)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 와이어(161-2)에 의하여 제1 발광 소자(130-1)의 제2 전극(예컨대, p형 전극)은 제2 리드 프레임(122-2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 발광 소자(130-2)는 제3 및 제4 리드 프레임들(122-3,122-4)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 제2 발광 소자(130-2)는 수직형 LED일 수 있고, 제2 발광 소자(130-2)의 제2 전극(에컨대, p형 전극)은 제3 리드 프레임(122-3)에 직접 본딩될 수 있고, 제3 와이어(161-3)에 의하여 제2 발광 소자(130-2)의 제1 전극(예컨대, n형 전극)은 제4 리드 프레임(122-4)에 전기적으로 연결될 수 있다.
차단 부재(140)는 패키지 몸체(110)의 캐비티(103)의 측면(101) 상에 배치된다. 차단 부재(140)는 제1 발광 소자(130-1)의 광과 제2 발광 소자(130-2)의 광이 서로 간섭 또는 혼합되지 않도록 하는 역할을 할 수 있다.
차단 부재(140)는 캐비티(103)의 측면(101)의 전면을 덮는 코팅층(coating layer) 또는 반사 시트(reflective sheet) 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 차단 부재(140)는 캐비티(103)의 측면(101)의 전면 직접 코팅되거나 또는 별도의 접착 물질에 의하여 캐비티(103)의 측면(101)의 전면에 부착될 수 있다.
차단 부재(140)는 절연성 반사 물질, 예컨대, 백색 실리콘, 백색 레지스트(white resist), 또는 백색 안료를 분산 함유하는 합성 수지 등으로 이루어질 수 있다. 이때 백색 안료는 산화티탄, 산화알루미늄, 산화아연, 탄산아연, 황산바륨, 또는 탄산 칼슘 등이 이용될 수 있다.
또한 차단 부재(140)는 전도성 반사 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 차단 부재(140)는 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금일 수 있으며, 단층, 또는 복층 형태일 수 있다.
또한 차단 부재(140)는 전도성 산화물, 예컨대, IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide) 등을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
차단 부재(140)가 반사 금속 물질, 또는 전도성 산화물로 이루어지는 경우에 발광 소자 패키지(100)는 차단 부재(140)와 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)의 상부면들 사이에 배치되는 절연층(180, 도 9 참조)을 더 포함할 수 있다.
절연층(180)은 차단 부재(140)가 리드 프레임들과 전기적으로 접촉하여 리드 프레임들이 서로 단락하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
절연층(180)는 캐비티(103)의 측면(101)의 하단, 및 차단 부재(140)의 하단과 접할 수 있고, 캐비티(103)에 의하여 노출되는 제1 내지 제4 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)의 상부면들의 제1 영역과 접할 수 있다.
절연층(180)은 제1 발광 소자(130-1)의 광과 제2 발광 소자(130-2)의 광이 서로 간섭 또는 혼합되지 않도록 하기 위하여 반사 물질 또는 광흡수 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 절연층(180)은 백색 실리콘, 백색 레지스트(white resist), 또는 백색 안료를 분산 함유하는 합성 수지와 같은 절연성 반사 물질로 이루어질 수 있다. 또는 절연층(180)은 빛을 흡수하거나 광 반사율이 낮은 비전도성 부재, 예컨대, 흑색 수지, 또는 블랙 실리콘 등으로 이루어질 수 있다.
수지층(150)은 제1 발광 소자(130-1)를 포위하도록 패키지 몸체(110)의 캐비티(103) 내에 배치되며, 외부 환경으로부터 제1 발광 소자(130-1)를 보호하는 역할을 한다. 예컨대, 디스펜싱(dispensing) 공정을 통하여 수지층(150)은 제1 발광 소자(130-1)를 밀봉하도록 패키지 몸체(110)의 캐비티(103) 내에 채워질 수 있다.
수지층(150)은 투광성 재질의 수지, 예컨대, 실리콘 또는 에폭시로 이루어질 수 있다. 수지층(150)은 제1 발광 소자(130-1)로부터 조사되는 광의 파장을 변환시킬 수 있도록 형광체를 포함할 수 있다. 예컨대, 수지층(150)은 황색 형광체, 적색 형광체, 또는 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 제1 발광 소자(130-1)로부터 조사되는 빛의 파장을 변환시켜, 백색광을 구현할 수 있으나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
수지층(150)은 제1 발광 소자(130-1)를 바라보는 차단 부재(140)의 일면과 접할 수 있고, 제1 발광 소자(130-1)를 바라보는 절연층(180)의 일면과 접할 수 있다.
수지층(150)의 굴절률은 패키지 몸체(110)의 굴절률과 다를 수 있다. 예컨대, 수지층(150)의 굴절률은 패키지 몸체(110)의 상단부(110a)의 굴절률보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시 예에서는 수지층(150)의 굴절률은 패키지 몸체(110)의 상단부(110a)의 굴절률보다 작거나 동일할 수 있다.
차단 부재(140)와 수지층(150)의 제1 경계면은 차단 부재(140)와 패키지 몸체(110)의 캐비티(103)의 측면(102)의 제2 경계면과 동일한 프로파일 또는 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 제1 경계면과 제2 경계면은 평행할 수 있다.
또한 제2 경계면과 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)의 상부면이 이루는 각도(θ1)는 45°이상이고, 90°이하일 수 있다. θ1이 45°미만일 때에는 제2 발광 소자(130-2)가 패키지 몸체(110) 밖으로 노출될 수 있어, 제2 발광 소자(130-2)를 패키지 몸체(110) 내에 배치시키기 어려울 수 있다. 또한 θ1이 90°초과일 때에는 제1 발광 소자(130-1)에 의한 빔 패턴의 지향각이 좁아질 수 있다.
차단 부재(140)는 적어도 하나의 제1 발광 소자(130-1)로부터 조사되는 제1 광을 반사할 수 있고, 제1 발광 소자(130-1)로부터 조사되는 제1 광이 패키지 몸체(110)로 유입, 또는 통과하는 것을 차단할 수 있다.
또한 차단 부재(140)는 적어도 하나의 제2 발광 소자(130-2)로부터 조사되는 제2 광을 반사할 수 있고, 제2 발광 소자(130-2)로부터 조사되는 제2 광이 패키지 몸체(110)의 캐비티(103) 내로 유입, 또는 통과하는 것을 차단할 수 있다.
도 8은 도 1의 차단 부재(140)에 의한 광의 반사를 나타낸다.
도 8을 참조하면, 적어도 하나의 제1 발광 소자(130-1)는 제1광(501)을 발생할 수 있고, 적어도 하나의 제2 발광 소자(130-2)는 제2광(502)을 발생할 수 있다.
제1광(501)은 차단 부재(140)에 의한 반사없이 수지층(150)을 통과하는 빛(501-1), 및 차단 부재(140)에 의하여 반사되는 빛(501-2)을 포함할 수 있다.
제2광(502)은 차단 부재(140)에 의한 반사없이 패키지 몸체(110)의 상단부(110a)를 통과하는 빛(502-1), 및 차단 부재(140)에 의하여 반사되는 빛(502-2)을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 차단 부재(140) 또는/및 절연층(180)에 의하여 제1 발광 소자(130-1)의 제1광(501)이 캐비티(103) 밖으로 출사하여 패키지 몸체(110)의 상단부(110a)로 유입되는 것을 차단할 수 있고, 제2 발광 소자(130-2)의 제2광(502)이 캐비티(103) 내에 출사되어 수지층(150)으로 유입되는 것을 차단할 수 있으며, 이로 인하여 제1광 및 제2광은 서로 간섭 또는 혼합되지 않고, 패키지 몸체(110) 밖으로 출사될 수 있다.
발광 소자 패키지가 사용되는 애플리케이션 중에서 어떤 것은 규정된 또는 제한된 공간 내에서 서로 다른 색이 구현될 것을 요구할 수 있다. 예컨대, 차량용 조명 장치(예컨대, 해드 램프)는 법규를 준수하기 위하여 규정된 또는 제안된 공간 내에서 2개의 다른 색을 구현하는 발광 소자 패키지를 요구할 수 있다.
이러한 차량용 조명 장치로는 적색의 브레이크 등(Break Light)과 황색의 신호등을 포함하는 리어 컴비네이션 램프(rear combination lamp), 또는 백색의 주간주행등(Daytime Running Light)와 황색의 신호등을 포함하는 해드 램프가 그 예이다.
두 개 이상의 색상을 적용하기 위해서 하나의 발광 소자 패키지에 서로 다른 파장을 갖는 발광 칩들을 구비하여 동시에 구동할 경우에는 빛이 혼합 또는 간섭되어 올바른 색상을 구현하기 어렵다.
두 개 이상의 색상을 적용하기 위해서 파장이 서로 다른 빛을 발광하는 두 개의 발광 소자 패키지들을 사용할 경우에는 공간적 제약에 걸리고, 비용이 증가할 수 있다.
하나의 발광 소자 패키지에서 2개의 색상을 구현하기 위하여, 실시 예에 따른 패키지 몸체(110)의 캐비티(103) 내에는 제1 색상의 제1 발광 소자(130-1)가 배치되고, 패키지 몸체(110) 내에 제2 색상의 제2 발광 소자(130-2)가 배치될 수 있다. 그리고 차단 부재(140)에 의하여 제1 및 제2 발광 소자들(130-1,130-2)이 동시에 구동되더라도 제1 색상과 제2 색상의 간섭 또는 혼합이 방지될 수 있다. 이로 인하여 실시 예는 규정된 또는 제안된 공간 내에서 서로 혼합 또는 간섭하지 않도록 2개의 다른 색을 구현할 수 있고, 비용을 줄일 수 있다.
도 9는 도 1에 도시된 차단 부재(140a)의 변형 예를 나타낸다. 도 8과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.
도 9를 참조하면, 차단 부재(140a)는 패키지 몸체(110)의 캐비티(103)의 측면과 접하는 제1층(141) 및 제1층(141)과 수지층(150) 사이에 위치하는 제2층(142)을 포함할 수 있다.
제1층(141)과 제2층(141)은 서로 다른 물질로 이루어질 수 있고, 제1층(141)의 반사율은 제2층(142)의 반사율과 다를 수 있다.
예컨대, 제1층(141)은 도 1의 실시 예에서 설명한 절연성 반사 물질일 수 있고, 제2층(142)은 도 1의 실시 예에서 설명한 반사 금속 물질일 수 있다.
또는 예컨대, 제1층(141)은 도 1의 실시 예에서 설명한 반사 금속 물질일 수 있고, 제2층(142)은 도 1의 실시 예에서 설명한 절연성 반사 물질일 수 있다.
차단 부재(140a)와 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)의 상부면들의 제1 영역 사이에는 절연층(180)이 배치될 수 있다.
도 6은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)의 단면도를 나타낸다. 도 1 및 도 3과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.
도 6을 참조하면, 발광 소자 패키지(200)의 차단 부재(140b)는 비투광성 절연층일 수 있다. 차단 부재(140b)의 굴절률은 수지층(150)의 굴절률, 및 패키지 몸체(110), 예컨대, 상단부(110a)의 굴절률보다 작을 수 있다.
굴절률이 큰 매질에서 굴절률이 작은 매질로 빛이 진행할 때, 입사각이 임계각보다 클 경우 전반사가 발생할 수 있다.
수지층(150)의 굴절률이 차단 부재(140b)의 굴절률보다 클 경우, 제1 발광 소자(130-1)로부터 조사되는 빛은 수지층(150)과 차단 부재(140b) 사이의 제1 경계면에서 전반사될 수 있다.
또한 패키지 몸체(110), 예컨대, 상단부(110a)의 굴절률이 차단 부재(140b)의 굴절률보다 클 경우, 제2 발광 소자(130-2)로부터 조사되는 빛은 패키지 몸체(110)와 차단 부재(140b) 사이의 제2 경계면에서 전반사될 수 있다.
도 7은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(300)의 단면도를 나타낸다. 도 1 및 도 3과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.
도 7을 참조하면, 도 7의 실시 예의 패키지 몸체(110')는 도 3과 다르다. 도 7의 패키지 몸체(110')는 상단부(110a') 및 하단부(110b)를 포함할 수 있고, 패키지 몸체(110')의 상단부(110a')에는 캐비티가 마련된다.
도 3에 도시된 패키지 몸체(110)의 캐비티(103)의 직경은 캐비티 하부에서 상부로 갈수록 증가하고, 패키지 몸체(110)의 상단부(110a)의 폭은 상단부(110a)의 하부에서 상부로 갈수록 감소한다.
반면에, 도 7의 패키지 몸체(110')의 캐비티의 직경(D1)은 캐비티의 하부에서 상부로 갈수록 감소하고, 패키지 몸체(110')의 상단부(110a')의 폭(W1)은 상단부(110a')의 하부에서 상부로 갈수록 증가할 수 있다.
예컨대, 차단 부재(140)와 패키지 몸체(110)의 캐비티(103)의 측면(102)의 제2 경계면과 리드 프레인들(122-1 내지 122-4)의 상부면이 이루는 각도(θ2)는 90°를 초과할 수 있다. 이는 제1 발광 소자(130-1)의 빔 패턴의 지향각을 넓히기 위함이다.
캐비티의 직경 및 상단부의 폭을 달리함으로써, 제1 발광 소자(130-1)의 제1 광이 출사하는 출사면, 제2 발광 소자(130-2)의 제2광이 출사하는 출사면의 면적을 달리할 수 있다.
예컨대, 도 3과 도 7을 비교할 때, 제1 발광 소자(130-1)의 제1 광이 출사하는 출사면은 도 7의 실시 예보다 도 3의 실시 예가 더 넓고, 제2 발광 소자(130-2)의 제2광이 출사하는 출사면은 도 3의 실시 예보다 도 7의 실시 예가 더 넓다.
도 7에서는 도 3에 도시된 실시 예에 변형 예를 도시하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 도 7에 도시된 패키지 몸체(110')는 다른 실시 예들(200 내지 400)에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 10은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(400)의 단면도를 나타낸다.
도 10을 참조하면, 발광 소자 패키지(400)는 도 3에 도시된 실시 예에 차단 부재(145)를 더 포함할 수 있다.
차단 부재(145)는 패키지 몸체(110)의 상단부(110a)의 외부 측면 상에 배치될 수 있다. 차단 부재(145)는 제2 발광 소자(130-2)로부터 조사되는 빛을 반사시킬 수 있으며, 제2 발광 소자(130-2)로부터 조사되는 광에 의한 발광 소자 패키지의 지향각이 조절될 수 있다. 즉 제2 발광 소자(130-2)에 대한 발광 소자 패키지(400)의 지향각은 제2 발광 소자(130-20에 대한 발광 소자 패키지(100)의 지향각보다 좁을 수 있다.
발광 소자 패키지(400)는 차단 부재(145)와 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)의 상부면들 사이에 배치되는 절연층(185)을 더 포함할 수도 있다. 절연층(185)은 차단 부재(145)에 의하여 리드 프레임들이 서로 단락되는 것을 방지할 수 있다. 절연층(185)의 재질은 절연층(180)과 동일할 수 있다.
서로 다른 색상의 빛을 발생하는 제1 및 제2 발광 소자들(130-1,130-2)을 동시에 구동하지 않는 다른 실시 예에서는, 동일한 리드 프레임들로 제1 및 제2 발광 소자들(130-1, 130-2)에 전원을 공급하고, 제2 발광 소자(130-2)를 제너 다이오드 역할을 하도록 설계할 수도 있다.
도 1 내지 도 5에 도시된 실시 예(100)를 제작하는 방법은 다음과 같을 수 있다.
먼저 설계된 바에 따라 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)을 가공한다.
다음으로 리드 프레임(예컨대, 122-3)에 제2 발광 소자(130-2)를 본딩한다.
다음으로 와이어(161-3)를 이용하여 제2 발광 소자(130-2)와 리드 프레임(예컨대, 122-4) 사이에 와이어 본딩을 수행한다.
다음으로 제2 발광 소자(130-2)가 본딩된 리드 프레임들(122-1 내지 122-4)에 패키지 몸체(110) 형성을 위한 사출 공정을 수행한다.
다음으로 제1 발광 소자(130-1) 및 제너 다이오드(170)를 리드 프레임들(예컨대, 122-1,122-2)에 본딩한다.
다음으로 와이어들(161-1 내지 161-3)을 이용하여 제1 발광 소자(130-1)와 리드 프레임들(예컨대, 122-1,122-2) 간의 본딩, 및 제너 다이오드(170)와 리드 프레임(122-1) 간의 본딩을 수행한다.
다음으로 디스펜싱(dispensing) 공정을 통하여 패키지 몸체(110)의 캐비티(103) 내에 수지층(150) 형성을 위하여 수지를 채운다.
마지막으로 리드 프레임들에 대한 트림 및 폼(Trim & Form) 공정을 수행한다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 11을 참조하면, 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 및 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상일 수 있으며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상일 수 있다. 커버(1100)는 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(1100)는 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(1100)는 외부에서 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 불투명할 수 있다. 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원 모듈(1200)은 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있으며, 광원 모듈(1200)로부터 발생한 열은 방열체(1400)로 전도될 수 있다. 광원 모듈(1200)은 광원부(1210), 연결 플레이트(1230), 및 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.
광원부(1210)는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지들(100 내지 400) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
부재(1300)는 방열체(1400)의 상면 위에 배치될 수 있고, 복수의 광원부(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)을 갖는다. 가이드홈(1310)은 광원부(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응 또는 정렬될 수 있다.
부재(1300)의 표면은 광 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다.
예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(1300)는 커버(1100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(1200)을 향하여 되돌아오는 빛을 다시 커버(1100) 방향으로 반사할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(1400)와 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(1230)와 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(1400)는 광원 모듈(1200)로부터의 열과 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열할 수 있다.
홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)에 수납되는 전원 제공부(1600)는 밀폐될 수 있다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 가질 수 있으며, 가이드 돌출부(1510)는 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 가질 수 있다.
전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납될 수 있고, 홀더(1500)에 의해 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐될 수 있다. 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.
가이드부(1630)는 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 가이드부(1630)는 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 베이스(1650)의 일 면 위에는 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
연장부(1670)는 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입될 수 있고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받을 수 있다. 예컨대, 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)와 폭이 같거나 작을 수 있다. 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결될 수 있고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내부 케이스(1700)는 내부에 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(1600)가 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
도 12는 실시 예에 따른 차량용 해드 램프(900)의 단면도를 나타낸다.
도 12를 참조하면, 해드 램프(900)는 램프 유닛(901), 리플렉터(reflector, (902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.
램프 유닛(901)은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지들(100 내지 400) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
리플렉터(902)는 램프 유닛(901)로부터 조사되는 광을 일정 방향으로 반사시킬 수 있다. 쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치될 수 있고, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 광의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재이다.
렌즈(904)에 인접하는 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 램프 유닛(901)에 인접하는 쉐이드(903)의 타측부(903-2)는 높이가 다를 수 있다. 그리고, 램프 유닛(901)에서 조사된 광은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후, 렌즈(904)를 투과하여 차량의 전방으로 진행할 수 있다. 이때 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 굴절시킬 수 있다.
110: 패키지 몸체 122-1 내지 122-4: 리드 프레임들
130-1: 제1 발광 소자 130-2: 제2 발광 소자
140, 145: 차단 부재 150: 수지층
170: 제너 다이오드 180, 185: 절연층.
130-1: 제1 발광 소자 130-2: 제2 발광 소자
140, 145: 차단 부재 150: 수지층
170: 제너 다이오드 180, 185: 절연층.
Claims (17)
- 복수의 리드 프레임들;
상기 복수의 리드 프레임들 상에 위치하는 캐비티(cavity)를 갖는 패키지 몸체;
상기 캐비티 내에 배치되는 제1 발광 소자;
상기 캐비티 밖의 상기 패키지 몸체 내부에 배치되는 제2 발광 소자;
상기 캐비티의 측면 상에 배치되는 제1 차단 부재를 포함하며,
상기 제1 패키지 몸체는 투광성 재질로 이루어지고, 상기 제1 차단 부재는 상기 제1 발광 소자에 의해 발생하는 제1광이 캐비티 밖으로 출사되는 것을 차단하고, 상기 제2 발광 소자에 의해 발생하는 제2광이 캐비티 내부로 유입되는 것을 차단하는 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 발광 소자는 상기 복수의 리드 프레임들 중 어느 하나의 제1 영역 상에 배치되고, 상기 제2 발광 소자는 상기 복수의 리드 프레임들 중 다른 어느 하나의 제2 영역에 배치되며,
상기 제1 영역은 상기 캐비티에 의하여 노출되는 영역이고, 상기 제2 영역은 상기 캐비티에 의하여 노출되지 않은 영역인 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 패키지 몸체는 기준면 아래에 위치하는 하단부, 및 상기 기준면 상에 위치하는 상단부를 포함하며, 상기 상단부는 상기 제2 발광 소자를 포위하며, 상기 기준면은 상기 리드 프레임들의 상부면들과 평행하고, 동일 평면에 위치하는 면인 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 차단 부재는 절연성 반사 물질인 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 차단 부재는 전도성 반사 물질인 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 발광 소자와 상기 제2 발광 소자는 상기 복수의 리드 프레임들 중 서로 다른 리드 프레임들에 전기적으로 연결되는 발광 소자 패키지. - 제3항에 있어서,
상기 캐비티의 직경은 상기 캐비티의 하부에서 상부로 갈수록 감소하고, 상기 패키지 몸체의 상단부의 폭은 상기 상단부의 하부에서 상부로 갈수록 증가하는 발광 소자 패키지. - 제5항에 있어서,
상기 제1 차단 부재와 상기 리드 프레임들의 상부면들 사이에 배치되는 제1 절연층을 더 포함하는 발광 소자 패키지. - 제3항에 있어서,
상기 패키지 몸체의 상단부의 외부 측면 상에 배치되는 제2 차단 부재를 더 포함하는 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서, 상기 제1 차단 부재는,
상기 캐비티의 측면과 접하는 제1층; 및
상기 제1층 상에 배치되는 제2층을 포함하며,
상기 제1층과 상기 제2층은 반사율이 서로 다른 발광 소자 패키지. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 발광 소자를 포위하도록 상기 캐비티를 채우는 수지층을 더 포함하는 발광 소자 패키지. - 제11항에 있어서,
상기 제1 차단 부재와 상기 수지층의 제1 경계면은 상기 제1 차단 부재와 상기 캐비티의 측면의 제2 경계면과 동일한 형상을 갖는 발광 소자 패키지. - 제11항에 있어서,
상기 수지층은 형광체를 포함하는 발광 소자 패키지. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 발광 소자와 상기 제2 발광 소자는 서로 다른 파장의 빛을 발생하는 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 수지층의 굴절률은 상기 제1 차단 부재의 굴절률보다 크고,
상기 패키지 몸체의 굴절률은 상기 제1 차단 부재의 굴절률보다 큰 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 패키지 몸체는 사출 성형이 가능한 투광성 수지 재질인 발광 소자 패키지. - 제9항에 있어서,
상기 제2 차단 부재와 상기 리드 프레임들의 상부면들 사이에 배치되는 제2 절연층을 더 포함하는 발광 소자 패키지.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150100379A KR102408616B1 (ko) | 2015-07-15 | 2015-07-15 | 발광 소자 패키지 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150100379A KR102408616B1 (ko) | 2015-07-15 | 2015-07-15 | 발광 소자 패키지 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170009035A true KR20170009035A (ko) | 2017-01-25 |
KR102408616B1 KR102408616B1 (ko) | 2022-06-14 |
Family
ID=57991021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150100379A KR102408616B1 (ko) | 2015-07-15 | 2015-07-15 | 발광 소자 패키지 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102408616B1 (ko) |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200373718Y1 (ko) * | 2004-09-20 | 2005-01-21 | 주식회사 티씨오 | 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드 |
JP2005191111A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
JP2008028005A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | 発光ダイオードモジュール |
JP2008160046A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Lg Electronics Inc | 発光素子パッケージ及びその製造方法 |
KR20090033971A (ko) * | 2007-10-02 | 2009-04-07 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
JP2010516050A (ja) * | 2007-01-11 | 2010-05-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス部品用のハウジング及びハウジングにおけるオプトエレクトロニクス部品の配置 |
KR20120106543A (ko) * | 2009-06-22 | 2012-09-26 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
KR20130072600A (ko) * | 2011-12-22 | 2013-07-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
JP2013201354A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュール及び照明装置 |
JP2014086556A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Ccs Inc | 発光装置 |
KR20140144037A (ko) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 장치 |
JP2015082550A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光モジュール、照明装置および照明器具 |
-
2015
- 2015-07-15 KR KR1020150100379A patent/KR102408616B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005191111A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
KR200373718Y1 (ko) * | 2004-09-20 | 2005-01-21 | 주식회사 티씨오 | 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드 |
JP2008028005A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | 発光ダイオードモジュール |
JP5237566B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2013-07-17 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 発光素子パッケージ及びその製造方法 |
JP2008160046A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Lg Electronics Inc | 発光素子パッケージ及びその製造方法 |
JP2010516050A (ja) * | 2007-01-11 | 2010-05-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス部品用のハウジング及びハウジングにおけるオプトエレクトロニクス部品の配置 |
KR20090033971A (ko) * | 2007-10-02 | 2009-04-07 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
KR20120106543A (ko) * | 2009-06-22 | 2012-09-26 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
KR20130072600A (ko) * | 2011-12-22 | 2013-07-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
JP2013201354A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュール及び照明装置 |
JP2014086556A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Ccs Inc | 発光装置 |
KR20140144037A (ko) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 장치 |
JP2015082550A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光モジュール、照明装置および照明器具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102408616B1 (ko) | 2022-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9871022B2 (en) | Light emitting lamp | |
US9228714B2 (en) | Lighting device | |
EP2650590A2 (en) | Light emitting package | |
JP6442199B2 (ja) | 発光素子パッケージ | |
KR101655463B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 | |
JP2022515621A (ja) | 照明モジュール、照明装置およびその製造方法 | |
KR20240012590A (ko) | 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 | |
KR20150109591A (ko) | 발광 소자 패키지 | |
CN113167443B (zh) | 照明模块及包括其的照明装置 | |
KR102160775B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
US9748452B2 (en) | Light-emitting element package | |
KR20140049274A (ko) | 광원 모듈 및 이를 구비한 조명시스템 | |
KR101684943B1 (ko) | 발광 소자 | |
KR102432222B1 (ko) | 광학 플레이트, 조명 소자 및 광원 모듈 | |
KR101797968B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR102408616B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
JP2022539394A (ja) | 照明モジュール、照明装置及びランプ | |
JP2022539405A (ja) | 照明モジュール、照明装置及びランプ | |
KR20140089765A (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR102451866B1 (ko) | 광학 플레이트, 조명 소자 및 광원 모듈 | |
KR102110477B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 조명시스템 | |
KR20150017594A (ko) | 조명 장치 | |
KR102402259B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR101877410B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR102531104B1 (ko) | 광학 플레이트, 발광 소자 및 광원 모듈 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |