JP2014086137A - コールドカソード型イオン源 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガスのイオンを放射するコールドカソード型イオン源が、アノードとカソードとを有し、ガスのプラズマと接触するアノードの表面とカソードの表面との少なくとも一部が、非鉄材料により形成される。
【選択図】図1
Description
図1は、本願発明の実施形態に係るコールドカソード型イオン源1の分解斜視図である。
図2は、図1に示すイオン源1の長手方向に垂直な面での断面の模式図である。イオン源1の断面は、ほぼ左右対称な構造であるので、図2においては、主に右側に参照符号や他の説明を加えて、その作用の説明をするが、左側もほぼ同様に作用する。
図3は、図2に示すイオン源1のプラズマ発生領域を含む概略断面の拡大図である。
カソード10は、対になって間に磁界を発生させるためのN極トップカソード11とS極トップカソード12とを有して構成される。N極トップカソード11とS極トップカソード12との間に形成されるスリットは、イオンの放射口15を形成し、プラズマによって生じたイオンがトップカソード11及び12とアノード20との間の電界によって加速され、この放射口15から放射される。
図2に示すように、磁界発生装置50は、磁界を発生される磁石51と、磁石51を収容し中間カソード13及び14と機械的に接触又は接続される磁界発生装置筐体52とを有して構成されている。
表面活性化処理に用いるガスとして、例えば、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)などの希ガス又は不活性ガスを採用することが好ましい。これらの希ガスは、衝突される接合面を形成する物質と化学反応を起こしにくいので、化合物を形成するなどして、接合面の化学的性質を大きく変化させることはない。
10 カソード
11 N極トップカソード
12 S極トップカソード
13 N極中間カソード
14 S極中間カソード
15 放射口
20 アノード
30 カソード保護部材
31 N極トップガード保護部材
32 S極トップガード保護部材
40 アノード保護部材
50 磁界発生装置
51 磁石
52 磁界発生装置筐体
60 電源
70 ガス導入手段
71 ガス導入口
72 ガス管
Claims (9)
- アノードとカソードとを有し、ガスのイオンを放射するように構成されたコールドカソード型イオン源であって、
前記ガスのプラズマと接触するアノードの表面とカソードの表面との少なくとも一部が、非鉄材料により形成されることを特徴とするコールドカソード型イオン源。 - アノード全体が、前記非鉄材料から構成されることを特徴とする請求項1に記載のコールドカソード型イオン源。
- カソード全体が、前記非鉄材料から構成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のコールドカソード型イオン源。
- 前記コールドカソード型イオン源は、ガスのイオンとドーパントの粒子とを放射するように構成され、
前記ガスのプラズマと接触するアノードの表面とカソードの表面との少なくとも一部が、前記ドーパントの材料により形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のコールドカソード型イオン源。 - アノードと、当該アノードと対向する位置にガスのイオンの放射口を有するカソードとを有し、
前記アノードとカソードとの間に前記ガスのプラズマが発生されるように構成され、
前記ガスのプラズマと接触するカソードの放射口及び放射口近傍の表面の少なくとも一部が前記ドーパントの材料により形成されることを特徴とする請求項4に記載のコールドカソード型イオン源。 - プラズマと接触するアノードの表面の少なくとも一部が前記ドーパントの材料により形成されることを特徴とする請求項5に記載のコールドカソード型イオン源。
- カソードの表面に、前記ドーパント材料からなるカソード保護部材が着脱可能に取り付けられ、
アノードの表面に、前記ドーパント材料からなるアノード保護部材が着脱可能に取り付けられたことを特徴とする請求項4から6のいずれか一項に記載のコールドカソード型イオン源。 - 前記非鉄材料は、炭素(C)である請求項1から3のいずれか一項に記載のコールドカソード型イオン源。
- 前記ドーパントの材料はニッケル(Ni)である請求項4から7のいずれか一項に記載のコールドカソード型イオン源。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170137986A (ko) * | 2016-06-03 | 2017-12-14 | 한국기계연구원 | 아킹 제어된 이온빔 소스 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5974659U (ja) * | 1982-11-10 | 1984-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン注入装置のイオン発生装置 |
JPS60218752A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオン源 |
JPH0192360A (ja) * | 1987-03-11 | 1989-04-11 | Ulvac Corp | ホロ−カソ−ド型イオン源 |
JPH04237929A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-08-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Pigイオン源 |
JPH07326318A (ja) * | 1993-05-07 | 1995-12-12 | Varian Assoc Inc | Pi3装置および方法 |
JPH08306329A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Kobe Steel Ltd | 高磁束密度イオン源 |
JPH11195385A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Japan Radio Co Ltd | イオン源及びイオンビーム引出し方法 |
JPH11224797A (ja) * | 1998-02-09 | 1999-08-17 | Jeol Ltd | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 |
JP2005146363A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Toshio Goto | 金属イオンの供給装置とその方法 |
JP2006351374A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Jeol Ltd | イオン源 |
JP2007538376A (ja) * | 2004-05-20 | 2007-12-27 | インフィコン インコーポレイティッド | イオン源のための置き換え可能な陽極ライナー |
-
2012
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5974659U (ja) * | 1982-11-10 | 1984-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン注入装置のイオン発生装置 |
JPS60218752A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオン源 |
JPH0192360A (ja) * | 1987-03-11 | 1989-04-11 | Ulvac Corp | ホロ−カソ−ド型イオン源 |
JPH04237929A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-08-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Pigイオン源 |
JPH07326318A (ja) * | 1993-05-07 | 1995-12-12 | Varian Assoc Inc | Pi3装置および方法 |
JPH08306329A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Kobe Steel Ltd | 高磁束密度イオン源 |
JPH11195385A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Japan Radio Co Ltd | イオン源及びイオンビーム引出し方法 |
JPH11224797A (ja) * | 1998-02-09 | 1999-08-17 | Jeol Ltd | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 |
JP2005146363A (ja) * | 2003-11-17 | 2005-06-09 | Toshio Goto | 金属イオンの供給装置とその方法 |
JP2007538376A (ja) * | 2004-05-20 | 2007-12-27 | インフィコン インコーポレイティッド | イオン源のための置き換え可能な陽極ライナー |
JP2006351374A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Jeol Ltd | イオン源 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170137986A (ko) * | 2016-06-03 | 2017-12-14 | 한국기계연구원 | 아킹 제어된 이온빔 소스 |
KR101850757B1 (ko) * | 2016-06-03 | 2018-06-01 | 한국기계연구원 | 아킹 제어된 이온빔 소스 |
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