JP2014085872A - 障害発生トレースシステム及び光通信システム用光モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】不揮発性メモリへの格納回数を抑えつつ、障害発生前における装置の動作に関する情報を障害に関する情報とともに不揮発性メモリに格納することができる障害発生トレースシステムを提供する。
【解決手段】障害発生トレースシステム10は、演算処理回路11に接続された揮発性メモリ12と、演算処理回路11に接続された不揮発性メモリ13とを備える。演算処理回路11は、装置の正常動作時に、装置の動作に関する情報である動作トレースログL1を定期的に生成して揮発性メモリ12に定期的に格納し、装置の障害発生時に、その障害の前に生成された一又は複数の動作トレースログL1を、その障害に関する情報である障害ログL2とともに不揮発性メモリ13の障害トレース情報格納領域に格納する。
【選択図】図1

Description

本発明は、障害発生トレースシステム及び光通信システム用光モジュールに関するものである。
特許文献1には、光通信分野において用いられる光伝送装置として、光チャンネルモニタが記載されている。この光チャンネルモニタは、波長の異なる複数の光信号が多重された光信号を伝送する光ファイバと、該光ファイバから光信号の一部を分岐するカプラと、分岐された光信号の強度を波長毎に分光して検出する分光デバイス及び受光素子とを備えている。また、この光チャンネルモニタは、受光素子における検出結果から算出された各チャンネルの中心波長が一時的に格納されるRAM(Random Access Memory)と、各チャンネルの中心波長の時間的変動量の演算のために各チャンネルの中心波長が定期的に格納されるフラッシュメモリ等の不揮発性メモリとを備えている。
特開2012−105222号公報
CPUといった演算処理回路を有する装置では、その装置に生じた障害(異常)が検出された場合、その障害の内容を不揮発性メモリ等に格納して後の原因追究(トレース)に役立てることが望まれる。通常、このような格納動作は障害発生時に行われ、その障害の内容や、障害発生時の動作状態に関する情報(ログ)が不揮発性メモリ等に格納される。
また、装置に障害が発生するときは、その前に種々の前触れとしての現象が生じているはずである。このような現象を知ることは、トレースの際に極めて有用である。しかしながら、不揮発性メモリ等に格納される動作状態に関する情報が障害発生時点での情報のみである場合には、そのようなトレースを行うことが困難である。
また、例えば特許文献1に記載された装置のように、所定の情報を不揮発性メモリに定期的に格納する方式も考えられる。しかしながら、通常、不揮発性メモリの書き込み回数には制限があるため、装置が正常に動作している時に不揮発性メモリへの格納動作を定期的に行うと、書き込み回数が制限値を超えてしまい、障害発生時に種々の情報を格納できなくなるおそれがある。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、不揮発性メモリへの格納回数を抑えつつ、障害発生前における装置の動作に関する情報を障害に関する情報とともに不揮発性メモリに格納することができる障害発生トレースシステム、及びこの障害発生トレースシステムを備える光通信システム用光モジュールを提供することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明による障害発生トレースシステムは、演算処理回路を有する装置において障害に関する情報をトレースするための障害発生トレースシステムであって、演算処理回路に接続された揮発性メモリと、演算処理回路に接続された不揮発性メモリとを備え、演算処理回路が、装置の正常動作時に、装置の動作に関する情報である動作トレースログを定期的に生成して揮発性メモリに定期的に格納し、装置の障害発生時に、その障害の前に生成された一又は複数の動作トレースログを、その障害に関する情報である障害ログとともに不揮発性メモリの障害トレース情報格納領域に格納することを特徴とする。
また、障害発生トレースシステムは、不揮発性メモリが複数の障害トレース情報格納領域を有しており、演算処理回路が、装置の障害発生毎に、一又は複数の動作トレースログ及び障害ログを複数の障害トレース情報格納領域のそれぞれに順次格納することを特徴としてもよい。
また、障害発生トレースシステムは、不揮発性メモリの容量が揮発性メモリの容量よりも大きいことを特徴としてもよい。
また、障害発生トレースシステムは、動作トレースログが、先入れ先出し方式にて揮発性メモリに格納されることを特徴としてもよい。
また、障害発生トレースシステムでは、障害ログが、装置の障害の種類に関する情報であるエラーコードを含むことが好ましい。
また、障害発生トレースシステムでは、動作トレースログは、該動作トレースログが生成された時間に関する時間情報を含んでおり、障害ログは、該障害ログが生成された時間に関する時間情報を含んでおり、演算処理回路は、装置の障害発生時に、障害ログよりも古い動作トレースログを障害ログとともに障害トレース情報格納領域に格納することが好ましい。
また、障害発生トレースシステムは、障害ログ及び動作トレースログを不揮発性メモリから取り出すためのデータ出力ポートを更に備えることが好ましい。
また、本発明による光通信システム用光モジュールは、光通信システムに用いられる光モジュールであって、駆動電圧により駆動される光デバイスと、演算処理回路と、演算処理回路からの出力信号を受けて該出力信号に応じた大きさの駆動電圧を生成する電圧生成部と、当該光モジュールにおいて障害に関する情報をトレースするための上記いずれかの障害発生トレースシステムとを備えることを特徴とする。
また、光通信システム用光モジュールは、当該光通信システム用光モジュール内の所定箇所の温度を示す第1の温度信号を出力する第1の温度センサと、第1の温度信号に基づく第1の温度情報を演算処理回路に提供する温度モニタ部とを更に備え、第1の温度情報が異常値を示す場合に、演算処理回路が第1の温度情報を障害ログと判断することを特徴としてもよい。
また、光通信システム用光モジュールは、第1の温度情報が所定温度を超える場合に、演算処理回路が第1の温度情報を障害ログと判断することを特徴としてもよい。
また、光通信システム用光モジュールは、当該光通信システム用光モジュール内の別の箇所の温度を示す第2の温度信号を温度モニタ部へ出力する第2の温度センサを更に備え、温度モニタ部は、第2の温度信号に基づく第2の温度情報を演算処理回路に提供し、演算処理回路は、第1の温度情報と第2の温度情報とを比較した値が所定値を超える場合に、第1の温度情報を障害ログと判断することを特徴としてもよい。
また、上述した光通信システム用光モジュールでは、光デバイスが、波長選択スイッチのための光偏向素子であってもよい。
本発明による障害発生トレースシステム及び光通信システム用光モジュールによれば、不揮発性メモリへの格納回数を抑えつつ、障害発生前における装置の動作に関する情報を障害に関する情報とともに不揮発性メモリに格納することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る障害発生トレースシステムの基本構成を示すブロック図である。 図2は、揮発性メモリ及び不揮発性メモリの内部構造を概略的に示す図である。 図3は、障害発生トレースシステムが適用される装置の具体例として、光通信システムに用いられる光モジュールの構成を示す図である。 図4は、光モジュールにおける動作トレースログの例を示す図表であって、動作トレースログとしてのトレースログ(Trace Log)を示している。 図5は、光モジュールにおける動作トレースログの例を示す図表であって、動作トレースログとしてのモニタログ(Monitor Log)を示している。 図6は、光モジュールにおける障害ログの例を示す図表であって、障害ログとしての例外ログ(Exception Log)を示している。 図7は、光モジュールにおける障害ログの例を示す図表であって、障害ログとしての警告ログ(Alarm Log)を示している。
以下、添付図面を参照しながら本発明による障害発生トレースシステム及び光通信システム用光モジュールの実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明の一実施形態に係る障害発生トレースシステムの基本構成を示すブロック図である。図1に示される障害発生トレースシステム10は、演算処理回路11を有する装置において障害に関する情報をトレースするための装置であって、演算処理回路11に加え、演算処理回路11にそれぞれ接続された揮発性メモリ12及び不揮発性メモリ13を備えている。
演算処理回路11は、所定のプログラム等によって決められた処理を行う大規模集積回路である。演算処理回路11としては、中央演算処理装置(CPU;Central Processing Unit)などのマイクロプロセッサ(MPU;Micro Processing Unit)、プログラマブルロジックデバイス(PLD;Programmable Logic Device)、FPGA(Field Programmable Gate Array)、デジタルシグナルプロセッサ(DSP;Digital Signal Processor)等が挙げられる。演算処理回路11は、所定の演算処理を周期的に行い、当該装置における種々の制御対象物Aを動作させるための制御信号Sを生成する。例えば、当該装置が光通信システムに用いられる波長選択スイッチ(WSS;wavelength selective switch)である場合、分光された複数の信号成分をそれぞれ異なる方向へ反射する光偏向素子が制御対象物Aとなり得る。このような光偏向素子としては、例えばMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)ミラーやLCOS(Liquid crystal on silicon)などが挙げられる。
また、当該装置が正常に動作しているとき、演算処理回路11は、上述した制御信号Sを生成しつつ、当該装置の動作に関する情報(例えば制御信号値など。以下、動作トレースログという)L1を定期的に生成し、この動作トレースログL1を揮発性メモリ12の動作トレースログ格納領域に定期的に格納(書き込み)する。動作トレースログL1の格納周期は、制御信号Sの演算周期と同じでもよく、制御信号Sの演算周期より長くてもよい。なお、揮発性メモリ12は、例えばRAMによって好適に構成され得る。
また、演算処理回路11は、当該装置や演算処理回路11自身に障害(異常)がないか、常時監視している。演算処理回路11は、当該装置や演算処理回路11自身に障害が発生したときには、その障害の前に生成された一又は複数の動作トレースログL1を揮発性メモリ12から読み出し、その障害の内容に関する情報(以下、障害ログという)L2とともに、不揮発性メモリ13の障害トレース情報格納領域に格納する。なお、不揮発性メモリ13は、例えばフラッシュメモリによって好適に構成され得る。
図2は、揮発性メモリ12及び不揮発性メモリ13の内部構造を概略的に示す図である。図2に示されるように、揮発性メモリ12の内部には動作トレースログ格納領域12aが複数設けられている。複数の動作トレースログ格納領域12aはリングバッファ(ラウンドロビン方式)を構成しており、動作トレースログは先入れ先出し方式にて揮発性メモリ12に格納される。すなわち、最新の動作トレースログを揮発性メモリ12に格納する毎に、最古の動作トレースログが揮発性メモリ12から消去され、揮発性メモリ12内の動作トレースログの数が一定数に維持される。なお、最古の動作トレースログが消去されたとき、新しく書き換えられた動作トレースログにログ破棄フラグを立てて、欠落ログがあったことを明示するようにしてもよい。
また、不揮発性メモリ13の内部には、障害トレース情報格納領域13aが複数個設けられている。各障害トレース情報格納領域13aはそれぞれ一つの障害発生事案に対応しており、演算処理回路11は、障害が発生すると、一つの障害ログ、及び複数の動作トレースログを含む障害トレース情報を、一つの障害トレース情報格納領域13aに格納する。このとき、演算処理回路11は、最新の動作トレースログから遡って例えば100個程度の動作トレースログを揮発性メモリ12から読み出し、障害ログとともに一塊の障害トレース情報として不揮発性メモリ13に格納する。この障害トレース情報は、不揮発性メモリ13において障害が生じた順序で(古い情報から新しい情報へ順に)格納されていることが好ましく、古い障害トレース情報から順に取り出すことができるようにキュー管理される。また、揮発性メモリ12と同様に、複数の障害トレース情報格納領域13aはリングバッファ(ラウンドロビン方式)を構成しており、障害トレース情報は先入れ先出し方式にて不揮発性メモリ13に格納されるとよい。
なお、本実施形態において、揮発性メモリ12は、演算処理回路11と共通のパッケージ内に収容されていてもよく、演算処理回路11とは別のパッケージ内に収容されていてもよい。同様に、不揮発性メモリ13は、演算処理回路11と共通のパッケージ内に収容されていてもよく、演算処理回路11とは別のパッケージ内に収容されていてもよい。また、障害が複数生じたときであっても、各障害時に揮発性メモリ12に格納された動作トレースログを不揮発性メモリ13に格納することができるように、不揮発性メモリ13の容量は、揮発性メモリ12の容量よりも大きいことが好ましい。
障害のトレースの便宜のため、障害ログには、その障害の種類に関する情報(エラーコード)、及び、その障害ログが生成された時間に関する情報(タイムスタンプ)のうち少なくとも一方が含まれていることが好ましい。また、動作トレースログには、その動作トレースログが生成された時間に関する情報(タイムスタンプ)が含まれていることが好ましい。更に、演算処理回路11は、当該装置に障害が発生したときに、その障害に関する障害ログよりも古い動作トレースログを、その障害ログとともに障害トレース情報格納領域13aに格納することが好ましい。
また、この障害発生トレースシステム10は、不揮発性メモリ13に格納された障害ログ及び動作トレースログを、当該装置の整備や点検の際に不揮発性メモリ13から取り出すためのデータ出力ポートを更に備えてもよい。
図3は、上述した障害発生トレースシステム10が適用される装置の具体例として、光通信システムに用いられる光モジュール20の構成を示す図である。この光モジュール20は、光通信システムに用いられる波長選択スイッチである。
光モジュール20は、光偏向素子21と、この光偏向素子21に駆動電圧を与える制御部25とを備えている。光偏向素子21は、駆動電圧によって駆動される光デバイスであって、図1に示された制御対象物Aに相当する素子である。光偏向素子21は、例えばMEMSミラーやLCoSによって構成される。また、光モジュール20は、一つの入力用光導波路22と、複数の出力用光導波路23とを備えており、入力用光導波路22から出射した信号光P1は、光偏向素子21の光反射面21aにおいて反射し、その反射角に応じて、複数の出力用光導波路23のうち何れかに選択的に入射する。光反射面21aにおける反射角は、制御部25から提供される2つの駆動電圧(X軸駆動電圧Vd1、Y軸駆動電圧Vd2)によって制御される。なお、入力用光導波路22及び複数の出力用光導波路23と光偏向素子21との間には、レンズ24が配置されてもよい。
制御部25は、障害発生トレースシステム10と、電圧生成部30とを有している。障害発生トレースシステム10は、前述した図1に示されたものと同じ構成要素、すなわち演算処理回路11と、揮発性メモリ12と、不揮発性メモリ13とを有している。また、この光モジュール20では、演算処理回路11は、駆動電圧Vd1,Vd2の大きさをそれぞれ示す電気的な制御信号S1,S2を生成する。制御信号S1,S2は、ディジタルデータとして電圧生成部30に送られる。なお、制御信号S1,S2を送る方式は、パラレル方式及びシリアル方式の何れであってもよい。シリアル方式が用いられる場合、制御信号S1,S2は、例えばRS232といった通信インターフェースを用いて電圧生成部30に送られる。
電圧生成部30は、演算処理回路11から制御信号S1,S2を入力し、制御信号S1,S2に応じた大きさの駆動電圧Vd1,Vd2を光偏向素子21に提供する。電圧生成部30は、アナログ−ディジタル変換器を含んで構成される。一例としては、電圧生成部30は、DAコンバータ34a及び34b、高電圧増幅部35a及び35b、並びに駆動部36a及び36bを有する。DAコンバータ34a、高電圧増幅部35a及び駆動部36aはX軸駆動電圧Vd1を生成するための回路部分であり、DAコンバータ34b、高電圧増幅部35b及び駆動部36bはY軸駆動電圧Vd2を生成するための回路部分である。
DAコンバータ34aは、演算処理回路11から出力されたディジタル信号である制御信号S1をアナログ信号である制御信号Sa1に変換し、この制御信号Sa1を高電圧増幅部35aへ出力する。高電圧増幅部35aは、制御信号Sa1をX軸駆動電圧Vd1に変換し、このX軸駆動電圧Vd1を駆動部36aへ出力する。駆動部36aは、X軸駆動電圧Vd1を光偏向素子21へ供給する。
また、DAコンバータ34bは、演算処理回路11から出力されたディジタル信号である制御信号S2をアナログ信号である制御信号Sa2に変換し、この制御信号Sa2を高電圧増幅部35bへ出力する。高電圧増幅部35bは、制御信号Sa2をY軸駆動電圧Vd2に変換し、このY軸駆動電圧Vd2を駆動部36bへ出力する。駆動部36bは、Y軸駆動電圧Vd2を光偏向素子21へ供給する。
また、図3に示されるように、制御部25は、温度モニタ部26と、電圧モニタ部27と、加速度センサ29とを更に有している。温度センサ28は、本実施形態における第1の温度センサであり、光モジュール20内の所定箇所、例えば光モジュール20の光学系(光偏向素子21、入力用光導波路22、出力用光導波路23、及びレンズ24)の近傍の温度を示す第1の温度信号を出力する。温度モニタ部26は、温度センサ28から得られる第1の温度信号を受け、温度センサ28の周辺温度に関する第1の温度情報を演算処理回路11に提供する。演算処理回路11は、この第1の温度情報が異常値を示す場合(典型的には、第1の温度情報が所定温度を超える場合)に、その第1の温度情報を障害ログと判断し、障害トレース情報格納領域13aに格納する。なお、温度センサ28に加えて、更に別の温度センサ31(第2の温度センサ)が設けられてもよい。この場合、温度センサ31は、光モジュール20内の別の箇所の温度を示す第2の温度信号を温度モニタ部26へ出力する。そして、温度モニタ部26は、第2の温度信号に基づく第2の温度情報を演算処理回路11に提供する。このように温度センサが複数設けられた場合、それらの温度情報を相互に比較することで、過熱等の異常(障害)箇所の特定や、故障した温度センサの特定を行うことができる。例えば、一つの温度センサ28が、例えば光モジュール20の光学系(光偏向素子21、入力用光導波路22、出力用光導波路23、及びレンズ24)を収容する筐体(ケース)の内部において光学系の近傍(例えば光偏向素子21上)に設けられ、その箇所の温度を示す第1の温度信号を出力する。そして、別の温度センサ31が、例えば光学系を収容するケース上またはその付近に設けられ、ケース温度を示す第2の温度信号を出力する。なお、ケース温度を計測する場合、温度センサ31は、熱源である電子部品やその電子部品が実装された配線基板に設けられることが好ましいが、例えばケースの外部にケースと熱的に結合された状態で配置されてもよい。演算処理回路11は、これらの温度センサ28,31から得られる第1及び第2の温度情報を比較し、その比較した値が所定値を超える場合に、第1の温度情報(または第2の温度情報)を障害ログと判断することができる。
電圧モニタ部27は、電圧生成部30において駆動電圧Vd1,Vd2の大きさを検出し、駆動電圧Vd1,Vd2の大きさに関する情報を演算処理回路11に提供する。演算処理回路11は、駆動電圧Vd1またはVd2の大きさが所定範囲に含まれないときには、駆動電圧Vd1またはVd2の異常(障害)、すなわち電圧生成部30の異常(障害)と判断する。
加速度センサ29は、光モジュール20に対する重力加速度の大きさ又は方向を検出するためのセンサである。光モジュール20が使用される際、光学系を収容するケースは、ラック等に様々な向きで設置される。光偏向素子が例えばMEMSによって構成される場合、MEMSに加わる重力加速度の向きによってMEMSの動作特性が微妙に異なるので、重力加速度の向きに応じて駆動電圧値が補正されることが望ましい。演算処理回路11は、加速度センサ29から得られる信号に基づいて重力加速度の向きを検知し、その重力加速度の向きに応じて制御信号S1,S2の値を補正する。また、演算処理回路11は、加速度センサ29から得られる信号が所定範囲に含まれないときには、加速度センサ29の異常(障害)と判断する。
ここで、図4〜図7は、光モジュール20における動作トレースログ及び障害ログの例を示す図表である。図4には、動作トレースログとしてのトレースログ(Trace Log)が示されている。このトレースログに含まれる情報は、光モジュール20の操作やプログラムの動作に関する情報であって、時系列で把握されることが望ましい。図4に示されるように、トレースログには、演算処理回路11の起動からの経過時間を示すタイムスタンプ、起動操作やコマンド操作などの操作内容および当該操作に付随する各データ、並びに、機能毎に定義される制御内容、制御入力データ及び制御結果が含まれている。なお、操作に付随する各データの一部が動作トレースログ格納領域に収まらない場合には、各データの代表値に置き換えてもよい。同様に、制御入力データの一部が動作トレースログ格納領域に収まらない場合には、制御入力データの代表値に置き換えてもよい。
図5には、動作トレースログとしてのモニタログ(Monitor Log)が示されている。このモニタログに含まれる情報は、光モジュール20の状態を監視しているセンサの計測値等であって、時系列で把握されることが望ましい。図5に示されるように、モニタログには、演算処理回路11の起動からの経過時間を示すタイムスタンプ、光偏向素子などの光学系の温度に関する温度モニタ情報、光学系を収容するケースの温度に関する温度モニタ情報、駆動電圧Vd1,Vd2の大きさを示す電圧モニタ情報、並びに、重力加速度の向きを示す加速度センサ情報が含まれている。
図6には、障害ログとしての例外ログ(Exception Log)が示されている。この例外ログに含まれる情報は、光モジュール20に発生した例外の種類や原因を把握するための情報である。図6に示されるように、例外ログには、演算処理回路11の起動からの経過時間を示すタイムスタンプ、プログラムの異常動作に関する例外トラップの識別情報およびどのような例外かを示す文字列、演算処理回路11で検出される例外(どのような例外か)を示す文字列、並びに、周辺装置の例外に関してどのような異常があったかを示す文字列が含まれている。
図7には、障害ログとしての警告ログ(Alarm Log)が示されている。この警告ログに含まれる情報は、光モジュール20に生じた設計範囲外の状況の種類や原因を把握するための情報である。図7に示されるように、警告ログには、演算処理回路11の起動からの経過時間を示すタイムスタンプ、設計範囲外の事象に関してどのような事象かを示す文字列、稀に発生するがプログラムの動作に影響を与えない異常に関してどのような事象かを示す文字列、並びに、正常系以外の制御内容(どのような事象か、そのためどのような制御を行ったか)を示す文字列が含まれている。
上述した各ログのうち、例外ログ及び警告ログは、障害(異常)発生後、演算処理回路11によって不揮発性メモリ13に直ちに格納される。また、トレースログ及びモニタログは、光モジュール20の正常動作時に、所定の時間間隔(例えば10分間)をあけて揮発性メモリ12に定期的に格納される。
なお、障害(異常)が一度発生すると、演算処理回路11によってその障害が継続して検知され続けることが考えられる。そのような場合、障害が検知される毎に例外ログ及び警告ログが不揮発性メモリ13へ格納されると、過去に格納された別の障害(異常)に関する障害トレース情報が短時間で上書きされて削除される。そのような事態を回避するため、演算処理回路11は、不必要なログの書き込みを抑制することが望ましい。
以上に説明した、本実施形態の障害発生トレースシステム10によって得られる効果について説明する。障害発生トレースシステム10では、例えば光モジュール20といった装置の正常動作時に、当該装置の動作に関する情報である動作トレースログを定期的に生成して揮発性メモリ12に定期的に格納する。通常、RAM等の揮発性メモリ12には書き込み回数の制限はなく、このような定期的な格納動作を好適に行うことができる。また、当該装置の障害発生時には、その障害の前に揮発性メモリ12に格納された動作トレースログを、その障害に関する情報である障害ログとともに不揮発性メモリ13に格納するので、不揮発性メモリ13への格納動作は障害発生時のみ行えば足り、定期的に行う必要はない。したがって、この障害発生トレースシステム10によれば、不揮発性メモリ13への格納回数を抑えつつ、障害発生前における装置の動作に関する情報を障害に関する情報とともに不揮発性メモリ13に格納することができる。
また、本実施形態のように、不揮発性メモリ13が複数の障害トレース情報格納領域13aを有しており、演算処理回路11が、装置の障害発生毎に、一又は複数の動作トレースログ及び障害ログを複数の障害トレース情報格納領域13aのそれぞれに順次格納することが好ましい。この障害発生トレースシステム10を備える装置の種類によっては、長時間にわたって動作を継続することが求められる場合があるが、このような構成によって、長時間の動作時に複数の障害が生じたときでもそれらの障害のトレースを好適に行うことができる。
また、本実施形態のように、不揮発性メモリ13の容量は、揮発性メモリ12の容量よりも大きいことが好ましい。これにより、装置の障害発生時における種々の情報を動作トレースログとともに不揮発性メモリ13に格納することができる。
また、本実施形態のように、動作トレースログは、先入れ先出し方式にて揮発性メモリ12に格納されることが好ましい。これにより、障害のトレースに特に有用な障害発生直前の動作トレースログを、不揮発性メモリ13に好適に格納することができる。
また、通常、光通信システムに用いられる光モジュールには極めて長時間の動作が求められ、障害のトレースを行う機会は少ない。本実施形態の光モジュール20によれば、障害発生トレースシステム10を備えることによって、長時間の動作における不揮発性メモリ13への格納回数を抑えつつ、障害発生前における光モジュール20の動作に関する情報を障害に関する情報とともに不揮発性メモリ13に格納することができるので、少ないトレース機会を有効に活用することができる。また、光通信システムに用いられる光モジュールに障害が発生すると、修理のため光モジュールが製造者に返却されるが、その際、光モジュールの電源はオフ状態となる。そのような場合であっても、障害トレース情報が不揮発性メモリ13に格納されているので、障害のトレースが可能となる。
本発明による障害発生トレースシステム及び光通信システム用光モジュールは、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した実施形態では、演算処理回路の制御対象物としての光デバイスの例として、光偏向素子が示されている。本発明における制御対象物(光デバイス)はこれに限られず、様々な光デバイス(例えば、信号光の増幅のための希土類添加光ファイバに励起光を供給する励起光源や、信号光の増幅のための2本の希土類添加光ファイバの間に光学的に結合された可変光減衰器等)に適用され得る。
10…障害発生トレースシステム、11…演算処理回路、12…揮発性メモリ、12a…動作トレースログ格納領域、13…不揮発性メモリ、13a…障害トレース情報格納領域、20…光モジュール、21…光偏向素子、22…入力用光導波路、23…出力用光導波路、24…レンズ、25…制御部、26…温度モニタ部、27…電圧モニタ部、28…温度センサ、29…加速度センサ、30…電圧生成部、A…制御対象物、L1…動作トレースログ、L2…障害ログ、P1…信号光、S,S1,S2…制御信号、Vd1,Vd2…駆動電圧。

Claims (12)

  1. 演算処理回路を有する装置において障害に関する情報をトレースするための障害発生トレースシステムであって、
    前記演算処理回路に接続された揮発性メモリと、
    前記演算処理回路に接続された不揮発性メモリと
    を備え、
    前記演算処理回路は、前記装置の正常動作時に、前記装置の動作に関する情報である動作トレースログを定期的に生成して前記揮発性メモリに定期的に格納し、前記装置の障害発生時に、その障害の前に生成された一又は複数の前記動作トレースログを、その障害に関する情報である障害ログとともに前記不揮発性メモリの障害トレース情報格納領域に格納することを特徴とする、障害発生トレースシステム。
  2. 前記不揮発性メモリが複数の前記障害トレース情報格納領域を有しており、
    前記演算処理回路が、前記装置の障害発生毎に、前記一又は複数の動作トレースログ及び前記障害ログを前記複数の障害トレース情報格納領域のそれぞれに順次格納することを特徴とする、請求項1に記載の障害発生トレースシステム。
  3. 前記不揮発性メモリの容量が前記揮発性メモリの容量よりも大きいことを特徴とする、請求項1または2に記載の障害発生トレースシステム。
  4. 前記動作トレースログが、先入れ先出し方式にて前記揮発性メモリに格納されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の障害発生トレースシステム。
  5. 前記障害ログが、前記装置の障害の種類に関する情報であるエラーコードを含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の障害発生トレースシステム。
  6. 前記動作トレースログは、該動作トレースログが生成された時間に関する時間情報を含んでおり、
    前記障害ログは、該障害ログが生成された時間に関する時間情報を含んでおり、
    前記演算処理回路は、前記装置の障害発生時に、前記障害ログよりも古い前記動作トレースログを前記障害ログとともに前記障害トレース情報格納領域に格納することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の障害発生トレースシステム。
  7. 前記障害ログ及び前記動作トレースログを前記不揮発性メモリから取り出すためのデータ出力ポートを更に備えることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の障害発生トレースシステム。
  8. 光通信システムに用いられる光モジュールであって、
    駆動電圧により駆動される光デバイスと、
    演算処理回路と、
    前記演算処理回路からの出力信号を受けて該出力信号に応じた大きさの前記駆動電圧を生成する電圧生成部と、
    請求項1〜7のいずれか一項に記載された、当該光モジュールにおいて障害に関する情報をトレースするための障害発生トレースシステムと
    を備えることを特徴とする、光通信システム用光モジュール。
  9. 当該光通信システム用光モジュール内の所定箇所の温度を示す第1の温度信号を出力する第1の温度センサと、
    前記第1の温度信号に基づく第1の温度情報を前記演算処理回路に提供する温度モニタ部と
    を更に備え、
    前記第1の温度情報が異常値を示す場合に、前記演算処理回路が前記第1の温度情報を前記障害ログと判断することを特徴とする、請求項8に記載の光通信システム用光モジュール。
  10. 前記第1の温度情報が所定温度を超える場合に、前記演算処理回路が前記第1の温度情報を前記障害ログと判断することを特徴とする、請求項9に記載の光通信システム用光モジュール。
  11. 当該光通信システム用光モジュール内の別の箇所の温度を示す第2の温度信号を前記温度モニタ部へ出力する第2の温度センサを更に備え、
    前記温度モニタ部は、前記第2の温度信号に基づく第2の温度情報を前記演算処理回路に提供し、
    前記演算処理回路は、前記第1の温度情報と前記第2の温度情報とを比較した値が所定値を超える場合に、前記第1の温度情報を前記障害ログと判断することを特徴とする、請求項9に記載の光通信システム用光モジュール。
  12. 前記光デバイスが、波長選択スイッチのための光偏向素子であることを特徴とする、請求項8〜11のいずれか一項に記載の光通信システム用光モジュール。
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