JP2014082407A - Wet etching device and wet etching method - Google Patents
Wet etching device and wet etching method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014082407A JP2014082407A JP2012230624A JP2012230624A JP2014082407A JP 2014082407 A JP2014082407 A JP 2014082407A JP 2012230624 A JP2012230624 A JP 2012230624A JP 2012230624 A JP2012230624 A JP 2012230624A JP 2014082407 A JP2014082407 A JP 2014082407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wet etching
- etching
- etching process
- roller
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本発明は、液晶表示装置用のガラス基板を製造する工程において用いるウェットエッチング装置に関し、特に、基板を水平状態に搬送してエッチング液を供給する際に好適に適用されるウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法に関する。 The present invention relates to a wet etching apparatus used in a process of manufacturing a glass substrate for a liquid crystal display device, and in particular, a wet etching apparatus and a wet etching that are suitably applied when an etching solution is supplied by transporting a substrate in a horizontal state. Regarding the method.
従来、液晶表示装置用のガラス基板を製造する工程として、基板を水平状態に搬送して基板表面にエッチング液を供給するウェットエッチング工程が広く採用されている。また、このウェットエッチング工程においては、基板搬送ラインの上方にエッチング液を供給する薬液供給手段を配設して、基板表面全体にエッチング液を供給している。 Conventionally, as a process for manufacturing a glass substrate for a liquid crystal display device, a wet etching process in which the substrate is transported horizontally and an etching solution is supplied to the substrate surface has been widely adopted. In this wet etching process, a chemical solution supplying means for supplying an etching solution is provided above the substrate transfer line to supply the etching solution to the entire substrate surface.
また、エッチング液供給手段として、エッチング液をスプレーノズルを介して噴射して供給するシャワー型と、ケミカルナイフを介してエッチング液を盛り付けるように供給するパドル型とが知られており、基板表面の全面を均一にエッチングするために、基板の表面全体に一様にエッチング液を盛り付けて所定時間放置してエッチング処理するパドルエッチング方式が採用されている。 Further, as an etchant supply means, a shower type that supplies an etchant by spraying it through a spray nozzle and a paddle type that supplies an etchant via a chemical knife are known. In order to uniformly etch the entire surface, a paddle etching method is employed in which an etching solution is uniformly deposited on the entire surface of the substrate and left for a predetermined time to perform etching.
このようなパドルエッチング方式においては、基板表面に凹凸があると、液厚みのバラツキに起因してエッチングレートが変動して、仕上がりパターンにムラが発生する。特に、基板に設ける配線密度が高密度になり、配線パターンが高精細になると、小さな基板表面の凹凸に起因するエッチングムラが液晶表示ムラの原因になる場合がある。 In such a paddle etching method, if the substrate surface is uneven, the etching rate varies due to variations in the liquid thickness, resulting in unevenness in the finished pattern. In particular, when the wiring density provided on the substrate becomes high and the wiring pattern becomes high definition, uneven etching due to unevenness on the surface of the small substrate may cause unevenness in liquid crystal display.
また、エッチング処理後の処理液の除去も基板表面の全面に亘って均一に行うことが好ましく、上記のような仕上がりムラを抑制するためには、基板表面の全面に亘って一様な厚みにエッチング液を盛り付けて所定時間エッチング処理して、処理後の処理液を速やかに除去することが望まれる。 Also, it is preferable to remove the processing solution after the etching process uniformly over the entire surface of the substrate. In order to suppress the unevenness of the finish as described above, the thickness of the substrate surface is uniform. It is desired that the etching solution is placed and etched for a predetermined time to quickly remove the processed solution.
一般に、エッチング処理後の処理液を除去するために、エアナイフを用いてエアを吹き付けることや、基板を傾斜させて処理液を流下させることが行われている。しかし、単に、基板を一方向に傾斜させるだけでは、基板の低位側と高位側とでは、処理液に接する時間が異なり、エッチング処理の均一性が損なわれてしまう。 In general, in order to remove the processing liquid after the etching process, air is blown using an air knife, or the processing liquid is flowed down by tilting the substrate. However, if the substrate is simply tilted in one direction, the time of contact with the processing liquid differs between the lower side and the higher side of the substrate, and the uniformity of the etching process is impaired.
そのために、基板の傾き方向を順次異なる方向に切り換えて、基板面内における処理液の接触時間の均一化を図ることにより、基板表面をより均一に処理可能にした基板処理装置が既に提案されている(例えば、特許文献1参照)。 For this purpose, there has already been proposed a substrate processing apparatus capable of processing the substrate surface more uniformly by switching the tilt direction of the substrate to different directions in order to make the contact time of the processing liquid in the substrate surface uniform. (For example, refer to Patent Document 1).
一般に基板処理装置では、基板と搬送ローラとの接触により発生する静電気の発生量を抑制するために、基板搬送ラインとして図5に示すようなホイール型の搬送ローラ25を備えたホイールコンベア2Aを用いている。特許文献1に記載された基板処理装置もこのようなホイールコンベア2Aを採用している。しかし、このようなホイールコンベア2Aを用いる構成では、搬送する基板の送り方向に沿って基板表面に波状の細かい凹凸が生じてしまい、この上に盛られるエッチング液に波状の濃度ムラが発生する要因となる。
In general, a substrate processing apparatus uses a
特に、基板に設ける配線密度が高密度になり、配線の幅が細くなって配線パターンがミクロン単位まで高精細になると、搬送ローラの形状に起因する波状のエッチングムラにより、配線パターン寸法がばらついてしまい問題となる。 In particular, when the wiring density provided on the substrate becomes high, the width of the wiring becomes narrow, and the wiring pattern becomes highly fine to the micron unit, the wiring pattern dimensions vary due to the wavy etching unevenness caused by the shape of the transport roller. It becomes a problem.
そのために、基板表面の全面を均一にエッチングするために採用するパドルエッチング方式において、基板表面に搬送ローラの形状に起因する凹凸ムラを形成せず、基板表面に盛り付けるエッチング液の濃度ムラを抑制可能な基板搬送ラインを備えたウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法であることが望まれる。 Therefore, in the paddle etching method that is used to uniformly etch the entire surface of the substrate, unevenness due to the shape of the transport roller is not formed on the substrate surface, and the concentration unevenness of the etching solution to be placed on the substrate surface can be suppressed. It is desirable to have a wet etching apparatus and a wet etching method provided with a simple substrate transfer line.
そこで本発明は、上記問題点に鑑み、搬送する基板表面に凹凸を現出せず、基板表面にエッチング液を均一に供給してエッチング仕上がりムラを抑制可能なウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法を提供することを目的とする。 Therefore, in view of the above problems, the present invention provides a wet etching apparatus and a wet etching method that can suppress uneven etching finish by supplying an etching solution uniformly to the substrate surface without causing irregularities on the substrate surface to be conveyed. For the purpose.
上記目的を達成するために本発明は、基板を略水平方向に搬送しながら基板表面にエッチング液を供給してエッチング処理を行うウェットエッチング装置において、前記基板の表面を平坦状態に維持して搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに搬送可能な基板搬送ラインを備え、当該基板搬送ラインを用いて前記基板を搬送しながら前記エッチング処理を行うことを特徴としている。 In order to achieve the above object, the present invention provides a wet etching apparatus for performing an etching process by supplying an etching solution to a substrate surface while transporting the substrate in a substantially horizontal direction, and transporting the substrate while maintaining the surface of the substrate in a flat state. A substrate transport line that can be transported without forming an uneven surface continuous in a direction is provided, and the etching process is performed while transporting the substrate using the substrate transport line.
この構成によると、搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに基板平坦性を維持しながら基板を搬送可能な基板搬送ラインを用いてエッチング処理を行うので、基板表面に盛り付けるエッチング液の濃度ムラが生じ難くなる。すなわち、基板表面にエッチング液を均一に供給してエッチング仕上がりムラを抑制可能なウェットエッチング装置を得ることができる。 According to this configuration, the etching process is performed using the substrate transfer line that can transfer the substrate while maintaining the flatness of the substrate without forming the uneven surface continuous in the transfer direction. Is less likely to occur. That is, it is possible to obtain a wet etching apparatus that can uniformly supply etching solution to the substrate surface and suppress etching unevenness.
前記エッチング処理は、パドル式ウェットエッチング処理であることが好ましい。 The etching process is preferably a paddle type wet etching process.
また、前記基板搬送ラインは、前記基板の幅よりも長いローラ長を有し、所定の水平度を有する搬送ローラを所定ピッチに配設したローラコンベアを用いて、搬送しながらパドル式ウェットエッチング処理を行うことが好ましい。 Further, the substrate transfer line has a roller length longer than the width of the substrate, and uses a roller conveyor in which transfer rollers having a predetermined level are arranged at a predetermined pitch, while performing a paddle type wet etching process. It is preferable to carry out.
また、前記搬送ローラは、機械的強度と耐熱性と耐薬品性を備えたPEEK樹脂製からなる構成であってもよい。 Moreover, the structure which consists of a product made from PEEK resin provided with mechanical strength, heat resistance, and chemical resistance may be sufficient as the said conveyance roller.
また本発明は、基板を略水平方向に搬送しながら基板表面にエッチング液を供給してエッチング処理を行うウェットエッチング方法において、前記基板の表面を平坦状態に維持して搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに搬送可能な基板搬送ラインを用いて前記基板を搬送しながら前記エッチング処理を行うことを特徴としている。この構成によると、基板平坦性を維持しながらエッチング処理を行うので、基板の表面全体にエッチング液を盛り付けて所定時間放置してエッチング処理するパドルエッチング方式であっても、基板表面に盛り付けるエッチング液の濃度ムラが生じ難くなる。すなわち、基板表面にエッチング液を均一に供給してエッチング仕上がりムラを抑制可能なウェットエッチング方法を得ることができる。 The present invention also relates to a wet etching method for performing an etching process by supplying an etching solution to a substrate surface while transporting the substrate in a substantially horizontal direction. The etching process is performed while the substrate is transported using a substrate transport line that can be transported without forming the substrate. According to this configuration, the etching process is performed while maintaining the flatness of the substrate. Therefore, even in the case of the paddle etching method in which the etching solution is deposited on the entire surface of the substrate and left for a predetermined time, the etching solution is deposited on the substrate surface. Density unevenness is less likely to occur. That is, it is possible to obtain a wet etching method that can uniformly supply an etching solution to the substrate surface and suppress uneven etching finish.
また本発明は上記構成のウェットエッチング方法において、基板の幅よりも長いローラ長を有し、所定の水平度を有する一本物の搬送ローラを複数所定ピッチに配設したローラコンベアを用いて、所定の速度にて搬送しながらパドルエッチング処理する構成であってもよい。 According to the present invention, in the wet etching method having the above-described configuration, a roller conveyor having a roller length longer than the width of the substrate and having a plurality of single conveying rollers having a predetermined level is arranged at a predetermined pitch. Alternatively, the paddle etching process may be performed while transporting at a speed of 5 mm.
本発明によれば、搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに基板平坦性を維持しながら基板を搬送可能な基板搬送ラインを用いて、基板を搬送しながらエッチング処理を行うことにより、基板表面にエッチング液を均一に供給してエッチング仕上がりムラを抑制可能なウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法を得ることができる。 According to the present invention, by using the substrate transfer line that can transfer the substrate while maintaining the substrate flatness without forming an uneven surface that is continuous in the transfer direction, the substrate is etched by transferring the substrate. It is possible to obtain a wet etching apparatus and a wet etching method that can uniformly supply etching liquid to the surface and suppress uneven etching finish.
以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明するが、本発明はこれにより何ら制限されるものではない。また、同一構成部材については同一の符号を用い、重複する説明は適宜省略する。まず本実施形態に係るウェットエッチング装置が適用される基板処理工程について、図1を用いて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. Moreover, the same code | symbol is used about the same structural member, and the overlapping description is abbreviate | omitted suitably. First, a substrate processing process to which the wet etching apparatus according to this embodiment is applied will be described with reference to FIG.
本発明に係るウェットエッチング装置1は、液晶表示装置やプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ用のガラス基板に各種の処理液を供給して処理を施す基板処理工程に使用される。例えば、図1に示すように、UVユニット11、薬液ユニット12、13、液切りユニット14、水洗ユニット15、16、乾燥ユニット17、を備えた構成とされ、基板Kをこの順に搬送しながら処理する。
The
UVユニット11は、基板K表面に紫外線を照射して有機汚れを除去する工程であり、薬液ユニット12、13は、エッチング液を基板表面に供給してエッチングを行うウェットエッチング工程である。また、薬液ユニット12は、ケミカルナイフC1を用いて基板Kの表面にエッチング液を盛り付けるように供給するパドル型のエッチング工程である。
The
薬液ユニット13は、ケミカルナイフC2に加えて、スプレーノズルS1を介してエッチング液を噴射して供給するシャワー型のエッチング工程である。また、エッチング工程の後は、エアナイフA1、A2、A3を用いてエッチング液を吹き飛ばす液切りユニット14から、純水を用いて基板Kを水洗する水洗ユニット15、16を経由して、乾燥ユニット17にて乾燥用空気を吹き付けて乾燥する。
The
本実施形態においては、パドルエッチング方式を採用している薬液ユニット12において、基板Kを搬送する基板搬送ラインとして、基板Kの表面を平坦状態に維持して搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに搬送可能な基板搬送ライン2を備え、当該基板搬送ライン2を用いてエッチング処理を行う構成としたものである。
In the present embodiment, in the
パドルエッチング方式は、基板Kの表面全体に一様にエッチング液を盛り付けて所定時間放置してエッチング処理するので、基板表面の全面を均一にエッチングすることが可能になる。ただし、基板表面に凹凸が発現すると、この上に盛られるエッチング液の量にばらつきが生じて、波状の濃度ムラが発生する要因となる。 In the paddle etching method, an etching solution is uniformly deposited on the entire surface of the substrate K and left for a predetermined time to perform the etching process, so that the entire surface of the substrate can be uniformly etched. However, if irregularities appear on the surface of the substrate, the amount of the etching solution deposited on the substrate will vary, which will cause wavy density unevenness.
特に、基板Kに設ける配線パターンがミクロン単位まで高精細になると、基板搬送ライン(特に搬送ローラの形状)に起因する波状のエッチング濃度ムラにより、エッチング仕上がりムラが発生して配線パターン寸法がばらついてしまうので好ましくない。 In particular, when the wiring pattern provided on the substrate K becomes high-definition to the micron unit, the etching finish unevenness occurs due to the wavy etching concentration unevenness caused by the substrate transport line (particularly the shape of the transport roller), and the wiring pattern size varies. This is not preferable.
基板搬送ラインとして図5に示すようなホイール型の搬送ローラ25を備えたホイールコンベア2Aを用いると、搬送する基板Kの送り方向に沿って基板表面の基板Kの幅方向に波状の細かい凹凸が生じてしまい、この上に盛られるエッチング液に波状の濃度ムラが発生する要因となる。この状態について、図3を用いて説明する。
When a
ローラ軸20に装着される複数のホイール22の上を搬送される基板Kは、基板Kが薄膜であればあるほど撓みやすくなって、ホイールピッチに応じた波状の凹凸が形成され易くなる。また、前後のローラ軸に同じ位相でホイール22が装着された基板搬送ラインであれば、基板Kの送り方向に沿って基板表面に波状の凹凸が容易に発現する。
The substrate K transported on the plurality of
この状態で、基板Kの上にエッチング液を盛り付けると、図3に示すように、盛り付けられたエッチング液膜E2の液面は略水平であっても、ホイール間の基板Kが撓むことによる基板表面に生じる波状の凹凸により、エッチング液の量がばらつくことになる。すなわち、基板Kの幅方向に、エッチング液量の多い部分と少ない部分とが波状に発現することになって、エッチングレートが変動して、仕上がりパターンにムラが発生して均一なエッチングができなくなってしまう。 In this state, when an etching solution is deposited on the substrate K, as shown in FIG. 3, even if the liquid level of the deposited etching solution film E2 is substantially horizontal, the substrate K between the wheels is bent. The amount of the etching solution varies due to the wavy unevenness generated on the surface of the substrate. That is, in the width direction of the substrate K, a portion with a large amount of etching solution and a portion with a small amount of etching appear in a wave shape, the etching rate fluctuates, the finished pattern becomes uneven, and uniform etching cannot be performed. End up.
また、ホイールコンベアにより搬送する基板Kのピンチ力向上のために、上乗せローラ(ダブルローラ)23を設けた場合には、図4に示すように、液膜面に波が発生したエッチング液膜E3となってしまい、さらにエッチング仕上がりムラが大きくなってしまう。 Further, in the case where an upper roller (double roller) 23 is provided for improving the pinch force of the substrate K conveyed by the wheel conveyor, as shown in FIG. 4, an etching liquid film E3 in which a wave is generated on the liquid film surface. As a result, the unevenness of etching finish becomes larger.
そこで本実施形態では、基板Kの幅方向の表面を平坦にして、搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに、エッチング処理を行う構成としたものである。そのために、基板Kの幅よりも長いローラ長を有する搬送ローラ21を用いて、基板Kの幅方向に凹凸を生じないようにしている。
Therefore, in the present embodiment, the surface of the substrate K in the width direction is flattened, and the etching process is performed without forming an uneven surface continuous in the transport direction. For this purpose, the
また、搬送方向には、所定の水平度を有する搬送ローラ21を所定ピッチに配設したローラコンベアを用いて、所定の速度で搬送しながらパドル式ウェットエッチング処理を行うことにより、搬送方向の変形の均一化を図る構成としている。
Further, in the conveying direction, by using a roller conveyor in which conveying
すなわち、本実施形態の基板搬送ライン2は、基板Kの幅よりも長いローラ長を有し、所定の水平度を有する搬送ローラ21を所定ピッチに配設したローラコンベアを用いて、搬送しながらパドル式ウェットエッチング処理を行う構成である。従って、図2に示すように、基板Kの幅よりも長いローラ長を有する搬送ローラ21を用いて、基板Kを水平に搬送することにより、基板表面のエッチング液膜E1が均一な厚みとなる。
In other words, the
この構成であれば、撓みやすいガラス基板であっても、水平度を維持して搬送しながらエッチング処理を行うことが可能になる。また、搬送しながらパドル式ウェットエッチング処理を行うことにより、搬送方向には、基板表面の変形を均一化することができる。また、従来懸念されていた静電気発生(基板Kと搬送ローラ21との接触により発生する静電気の発生)は、本工程がウェット式のエッチング処理であるため、その可能性は小さいことが判った。 If it is this structure, even if it is a glass substrate which is easy to bend, it will become possible to perform an etching process, maintaining a levelness and conveying. Further, by performing the paddle type wet etching process while transporting, the deformation of the substrate surface can be made uniform in the transport direction. Further, it has been found that the possibility of static electricity generation (occurrence of static electricity generated by contact between the substrate K and the transport roller 21), which has been a concern in the past, is small because this process is a wet etching process.
従って、図示するように、搬送ローラ21の幅方向に凹凸が生じず水平度を維持したエッチング液膜E1となることに加えて、基板Kの搬送方向にも基板表面の変形を均一化することにより、エッチング処理の仕上がりムラを抑制することが可能になる。
Accordingly, as shown in the drawing, in addition to the etching liquid film E1 having no unevenness in the width direction of the
上記したように、基板Kの幅よりも長い搬送ローラ21を有するローラコンベアを介して搬送するので、基板Kの表面全体にエッチング液を盛り付けて所定時間放置してエッチング処理するパドルエッチング方式であっても、ローラの幅方向には凹凸を形成しない水平な面であり、搬送方向には、搬送しながらパドルエッチングすることにより基板表面の変形を均一化することができ、基板表面に盛り付けるエッチング液の濃度ムラが生じ難くなって、エッチングレートの変動を抑制できる。
As described above, since it is conveyed via the roller conveyor having the conveying
搬送ローラ21は、基板Kの幅方向の下面全面に接触するので、搬送力が大きく、ピンチ力向上のために、前述した上乗せローラ(ダブルローラ)23を設ける必要はない。そのために、上乗せローラ(ダブルローラ)23に起因する波は発生せず、厚みの均一なエッチング液膜E1を維持することができる。
Since the
このようなパドルエッチング工程に用いる搬送ローラ21は、機械的強度を有し、さらに、耐熱性と耐薬品性を有する材質からなるローラであることが好ましく、例えば、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)樹脂製から成ることが好ましい。
The
PEEK樹脂製から成る搬送ローラ21であれば、加熱された基板Kを搬送する場合でも、各種の液剤を用いるエッチング工程であっても、劣化せず損傷も受けずに安定した搬送を維持可能になる。
With the
また、搬送しながらパドルエッチングを行う搬送速度は、エッチング処理工程中に、搬送方向の凹凸が平均化される所定の速度であることが好ましく、本実施形態では、比較的低速な約50mm/sec程度としている。このように、複数の搬送ローラ21を備えた基板搬送ライン2を介して、所定の速度で基板Kを搬送しながら薬液処理を行うことで、基板表面に凹凸が生じず水平度を維持したエッチング液膜E1を維持してパドルエッチング処理を均一に行うことが可能になる。
In addition, it is preferable that the conveyance speed at which paddle etching is performed while being conveyed is a predetermined speed at which unevenness in the conveyance direction is averaged during the etching process, and in this embodiment, a relatively low speed of about 50 mm / sec. It is about. In this way, the chemical treatment is performed while transporting the substrate K at a predetermined speed via the
上記したように、本実施形態によれば、搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに基板平坦性を維持しながらエッチング処理を行うので、基板表面に盛り付けるエッチング液の濃度ムラが生じ難くなって、基板表面にエッチング液を均一に供給してエッチング仕上がりムラを抑制可能なウェットエッチング装置1を得ることができる。
As described above, according to the present embodiment, the etching process is performed while maintaining the flatness of the substrate without forming an uneven surface that is continuous in the transport direction, so that the concentration unevenness of the etching solution to be placed on the substrate surface is less likely to occur. Thus, it is possible to obtain the
次に、このウェットエッチング装置1を用いたウェットエッチング方法についてさらに説明する。
Next, a wet etching method using this
本実施形態に係るウェットエッチング方法は、基板Kの搬送方向にも、この搬送方向に直交する基板Kの幅方向にも、基板表面に凹凸を生じないようにして、基板Kを略水平方向に搬送しながら基板表面にエッチング液を供給してパドルエッチング処理を行うものである。 In the wet etching method according to the present embodiment, the substrate K is placed in a substantially horizontal direction so that there is no unevenness on the substrate surface both in the transport direction of the substrate K and in the width direction of the substrate K perpendicular to the transport direction. The paddle etching process is performed by supplying an etching solution to the substrate surface while being conveyed.
このような構成であれば、基板平坦性を維持しながらエッチング処理を行うので、基板Kの表面全体にエッチング液を盛り付けて所定時間放置してエッチング処理するパドルエッチング方式であっても、基板表面に盛り付けるエッチング液の濃度ムラが生じ難くなる。すなわち、基板表面にエッチング液を均一に供給してエッチング仕上がりムラを抑制可能なウェットエッチング方法を得ることができる。 In such a configuration, the etching process is performed while maintaining the flatness of the substrate. Therefore, even if the paddle etching method is used in which the etching solution is placed on the entire surface of the substrate K and left for a predetermined time, the substrate surface is processed. The concentration unevenness of the etching solution to be placed on the surface becomes difficult to occur. That is, it is possible to obtain a wet etching method that can uniformly supply an etching solution to the substrate surface and suppress uneven etching finish.
また、本ウェットエッチング方法において、基板Kの表面を平坦状態に維持して搬送方向に連続する凹凸面を形成しないように搬送するために、本実施形態では、従来用いられているホイールコンベアではなく、一本物の搬送ローラ21を複数所定ピッチに備えたローラコンベア(基板搬送ライン2)を用いて所定の速度にて搬送しながらパドルエッチング処理する構成としている。
Further, in this wet etching method, in order to carry the substrate K so that the surface of the substrate K is kept flat and does not form an uneven surface continuous in the carrying direction, this embodiment is not a wheel conveyor conventionally used. The paddle etching process is performed while conveying a single conveying
例えば、ローラ径が80mmで、PEEK樹脂製の搬送ローラをローラピッチが100mmとなるようにしたローラコンベア(基板搬送ライン2)を用いて、基板Kを50mm/sec程度の速度で搬送するようにしてパドルエッチング処理を行う。 For example, the substrate K is transported at a speed of about 50 mm / sec using a roller conveyor (substrate transport line 2) having a roller diameter of 80 mm and a PEEK resin transport roller having a roller pitch of 100 mm. Then perform paddle etching.
上記のウェットエッチング方法によれば、エッチング仕上がりムラをサブミクロン単位にまで抑制可能になり、ミクロン単位の配線パターン寸法にも容易に対応できることが明らかになった。 According to the wet etching method described above, it has been clarified that unevenness in etching finish can be suppressed to sub-micron units and can easily cope with wiring pattern dimensions in micron units.
上記したように、本発明の請求項1に対応した課題を解決する手段は、基板Kを略水平方向に搬送しながら基板表面にエッチング液を供給してエッチング処理を行うウェットエッチング装置1において、基板Kの表面を平坦状態に維持して搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに搬送可能な基板搬送ライン2を備え、当該基板搬送ライン2を用いて基板Kを搬送しながらエッチング処理を行うことである。この請求項1に対応した効果は、搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに基板平坦性を維持しながら基板Kを搬送可能な基板搬送ライン2を用いて、基板Kを搬送しながらエッチング処理を行うので、基板表面に盛り付けるエッチング液の濃度ムラが生じ難くなる。すなわち、基板表面にエッチング液を均一に供給してエッチング仕上がりムラを抑制可能なウェットエッチング装置1を得ることができる。
As described above, the means for solving the problem corresponding to claim 1 of the present invention is the
請求項2に対応した課題を解決する手段は、エッチング処理は、パドル式ウェットエッチング処理であることである。この請求項2に対応した効果は、基板表面に搬送方向に連続した凹凸面を形成しない基板搬送ライン2を介して基板を搬送しながらパドル式ウェットエッチング処理を行うので、基板Kの表面全体にエッチング液を盛り付けて所定時間放置してエッチング処理できて、基板表面に盛り付けるエッチング液の濃度ムラが生じ難くなって、エッチング液の濃度ムラを抑制でき、基板表面の全面を均一にエッチングすることが可能になる。
A means for solving the problem corresponding to claim 2 is that the etching process is a paddle type wet etching process. The effect corresponding to the second aspect is that the paddle type wet etching process is performed while the substrate is transported through the
請求項3に対応した課題を解決する手段は、基板搬送ライン2は、基板Kの幅よりも長いローラ長を有し、所定の水平度を有する搬送ローラ21を所定ピッチに配設したローラコンベアを用いて、搬送しながらパドル式ウェットエッチング処理を行うことである。この請求項3に対応した効果は、基板Kの幅よりも長い搬送ローラ21を有するローラコンベアを介して搬送するので、基板Kの表面全体にエッチング液を盛り付けて所定時間放置してエッチング処理するパドルエッチング方式であっても、ローラの幅方向には凹凸を形成しない水平な面であり、搬送方向には、搬送しながらパドルエッチングすることにより基板表面の変形を均一化することができ、基板表面に盛り付けるエッチング液の濃度ムラが生じ難くなって、エッチング仕上がりムラを抑制できる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a roller conveyor in which the
請求項4に対応した課題を解決する手段は、搬送ローラ21は、機械的強度と耐熱性と耐薬品性を備えたPEEK樹脂製からなることである。この請求項4に対応した効果は、加熱された基板Kを搬送する場合でも、各種の液剤を用いるエッチング工程であっても、劣化せず損傷も受けずに安定した搬送を維持することができる。
A means for solving the problem corresponding to claim 4 is that the conveying
請求項5に対応した課題を解決する手段は、基板Kを略水平方向に搬送しながら基板表面にエッチング液を供給してエッチング処理を行うウェットエッチング方法において、基板Kの表面を平坦状態に維持して搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに搬送可能な基板搬送ライン2を用いて基板Kを搬送しながらエッチング処理を行うことである。この請求項5に対応した効果は、基板平坦性を維持しながらエッチング処理を行うので、基板Kの表面全体にエッチング液を盛り付けて所定時間放置してエッチング処理するパドルエッチング方式であっても、基板表面に盛り付けるエッチング液の濃度ムラが生じ難くなる。すなわち、基板表面にエッチング液を均一に供給してエッチング仕上がりムラを抑制可能なウェットエッチング方法を得ることができる。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a wet etching method in which an etching solution is supplied to the substrate surface while the substrate K is transported in a substantially horizontal direction, and the surface of the substrate K is maintained in a flat state. Then, the etching process is performed while the substrate K is being transported using the
請求項6に対応した課題を解決する手段は、基板Kの幅よりも長いローラ長を有し、所定の水平度を有する一本物の搬送ローラ21を複数所定ピッチに配設したローラコンベアを用いて、所定の速度にて搬送しながらパドルエッチング処理するウェットエッチング方法としたことである。この請求項6に対応した効果は、撓みやすいガラス基板の表面をパドルエッチング処理する場合でも、エッチング仕上がりムラをサブミクロン単位にまで抑制可能になり、ミクロン単位の配線パターン寸法にも容易に対応することができる。
The means for solving the problem corresponding to claim 6 uses a roller conveyor having a roller length longer than the width of the substrate K and a plurality of single conveying
上記したように、本発明によれば、搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに基板平坦性を維持しながら基板を搬送可能な基板搬送ラインを用いて、基板を搬送しながらエッチング処理を行うことにより、基板表面にエッチング液を均一に供給してエッチング仕上がりムラを抑制可能なウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法を得ることができる。 As described above, according to the present invention, the etching process is performed while transporting the substrate using the substrate transport line that can transport the substrate while maintaining the flatness of the substrate without forming an uneven surface continuous in the transport direction. By performing this, it is possible to obtain a wet etching apparatus and a wet etching method that can uniformly supply an etching solution to the substrate surface and suppress uneven etching finish.
また、本発明に用いる基板搬送ライン2は、搬送する基板表面に凹凸を現出しないので、液切りユニットや乾燥ユニットの基板搬送ラインとして用いると、液切りエアナイフや乾燥エアナイフなどによる仕上がりの均一性向上を図ることも可能になる。
In addition, since the
本発明に係るウェットエッチング装置およびウェットエッチング方法は、基板に設ける配線密度が高密度になり、配線の幅が細くなって配線パターンがミクロン単位まで高精細になる基板をエッチング処理する基板処理装置に好適に利用可能となる。 The wet etching apparatus and wet etching method according to the present invention is a substrate processing apparatus for etching a substrate in which the wiring density provided on the substrate is high, the width of the wiring is narrowed, and the wiring pattern is high-definition down to micron units. It can be suitably used.
1 ウェットエッチング装置
2 基板搬送ライン
20 ローラ軸
21 搬送ローラ
22 ホイール
23 上乗せローラ(ダブルローラ)
A1〜A3 エアナイフ
C1、C2 ケミカルナイフ
E1 エッチング液膜
E2 エッチング液膜
E3 エッチング液膜
K 基板
DESCRIPTION OF
A1 to A3 Air knife C1, C2 Chemical knife E1 Etching liquid film E2 Etching liquid film E3 Etching liquid film K Substrate
Claims (6)
前記基板の表面を平坦状態に維持して搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに搬送可能な基板搬送ラインを備え、当該基板搬送ラインを用いて前記基板を搬送しながら前記エッチング処理を行うことを特徴とするウェットエッチング装置。 In a wet etching apparatus that performs an etching process by supplying an etchant to the substrate surface while transporting the substrate in a substantially horizontal direction,
A substrate transport line that can be transported without forming a concavo-convex surface continuous in the transport direction while maintaining the surface of the substrate in a flat state, and performing the etching process while transporting the substrate using the substrate transport line. A wet etching apparatus characterized by that.
前記基板の表面を平坦状態に維持して搬送方向に連続する凹凸面を形成せずに搬送可能な基板搬送ラインを用いて前記基板を搬送しながら前記エッチング処理を行うことを特徴とするウェットエッチング方法。 In a wet etching method in which an etching process is performed by supplying an etchant to the substrate surface while transporting the substrate in a substantially horizontal direction,
Wet etching characterized in that the etching process is carried out while transporting the substrate using a substrate transport line that can be transported without forming an uneven surface continuous in the transport direction while keeping the surface of the substrate flat. Method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012230624A JP2014082407A (en) | 2012-10-18 | 2012-10-18 | Wet etching device and wet etching method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012230624A JP2014082407A (en) | 2012-10-18 | 2012-10-18 | Wet etching device and wet etching method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014082407A true JP2014082407A (en) | 2014-05-08 |
Family
ID=50786317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012230624A Pending JP2014082407A (en) | 2012-10-18 | 2012-10-18 | Wet etching device and wet etching method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014082407A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103996801A (en) * | 2014-06-12 | 2014-08-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Pretreatment method and device for substrate |
JP7496485B1 (en) | 2023-08-31 | 2024-06-07 | 重慶大学 | Wet etching equipment to avoid top Mo indentation |
-
2012
- 2012-10-18 JP JP2012230624A patent/JP2014082407A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103996801A (en) * | 2014-06-12 | 2014-08-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Pretreatment method and device for substrate |
JP7496485B1 (en) | 2023-08-31 | 2024-06-07 | 重慶大学 | Wet etching equipment to avoid top Mo indentation |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008029922A (en) | Apparatus for processing substrate | |
JP2008028247A (en) | Method and device for processing substrate | |
JP6520928B2 (en) | Etching apparatus, etching method, method of manufacturing substrate, and substrate | |
JP2011071385A (en) | Device and method for treating substrate | |
JP2006013156A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and pattern forming method | |
TWI364069B (en) | Apparatus for treating substrates | |
JP2014082407A (en) | Wet etching device and wet etching method | |
JPH1187210A (en) | Substrate treatment equipment and substrate treatment method | |
JP4079579B2 (en) | Wet processing equipment | |
JP4045214B2 (en) | Display element manufacturing method and manufacturing apparatus | |
JP2015202997A (en) | Substrate, substrate production system, peeling device, substrate production method and peeling method | |
KR102435194B1 (en) | Substrate treating apparatus and method of treating substrate | |
TWI343842B (en) | ||
JP3866856B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4542448B2 (en) | Resist stripping and removing device | |
JP2014069126A (en) | Substrate treatment apparatus | |
JP2004153033A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5202400B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2003055779A (en) | Method for etching substrate and etching device | |
JP5785454B2 (en) | Substrate processing equipment | |
TWI345260B (en) | Resist elimination device | |
JP2017211681A5 (en) | ||
TWI625167B (en) | Device for the wet treatment of substrates and use | |
JP2018073960A (en) | Etching apparatus | |
TWI452622B (en) | Substrate cleaning device |