JP2014081869A - 配線膜、タッチパネルセンサ、スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材及び配線膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低抵抗で導通性に優れる配線膜を提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎの少なくともいずれかを含む複合酸化物からなる透明導電膜が形成された基板の透明導電膜上に設けられるＣｕ合金膜を備え、Ｃｕ合金膜は、純度３Ｎ以上の純Ｃｕに、前記純Ｃｕの酸化物よりも標準生成自由エネルギーの低い酸化物を生成する元素を含有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線膜、係る配線膜を用いたタッチパネルセンサ、係る配線膜の製造に用いるスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材及び係る配線膜の製造方法に関する。

近年、券売機、現金自動預け払い機（ＡＴＭ）、スマートフォン、タブレットＰＣ、カーナビゲーションシステム等の様々な電子機器の表示・入力デバイスとしてタッチパネルセンサが使用されている。

例えば、特許文献１には、静電容量式のタッチパネルセンサの構造が記載されている。係る構造は、基板の表裏面にＩＴＯ（ＩｎＳｎＯ（Indium Tin Oxide）：酸化インジウムスズ）等の透明導電膜を備える。透明導電膜は、Ｘ−Ｙ座標に直交するパターンをなし、銀（Ａｇ）インク等の金属配線パターンを介して電圧検知回路に接続されている。これにより、基板の表裏面の各透明導電膜の間の電圧変化を検知することができる。

また、例えば特許文献２には、静電容量検出において、液晶表示装置等からの輻射ノイズの影響を抑えるシールド層を備える入力装置及びその製造方法が記載されている。シールド層は、Ａｇインク等を印刷してパターン形成されたものである。なお、最近では、Ａｇインク（Ａｇペースト）による配線の低抵抗化も検討されており、例えば非特許文献１によれば、５０μΩｃｍ程度の抵抗率に抑えることができる。

また、例えば特許文献３には、透明導電膜に直接接続するアルミニウム（Ａｌ）合金膜からなる引き回し配線を備えるタッチパネルセンサが記載されている。Ａｌ合金膜は、透明導電膜との電気伝導性と密着性とに優れた組成となっている。また、係るＡｌ合金は、スパッタリングにより成膜され、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチングによりパターニングされている。

特許第４７８０２５４号公報 特開２００８−１４０１３０号公報 特開２００９−２４５４２２号公報

越石健司・黒沢理 共編"タッチパネルがわかる本"、オーム社、２０１１年５月２０日

上述のように、様々な電子機器に使用されるタッチパネルセンサにおいては、高精細化のための電極数の増加により、また、デザイン上の観点から縁の部分が狭小化された狭額縁のパネルに対応するべく、配線パターンを１００μｍ以下の細線とすることが要求されている。

しかしながら、例えば特許文献１，２においてはＡｇインク等が用いられており、このようなＡｇペーストのスクリーン印刷技術には寸法精度の限界がある。また、上述のように、Ａｇペーストによる配線の抵抗率は、５０μΩｃｍ程度にしか抑えることができない。これは、純銅（Ｃｕ）の２μΩｃｍや純Ａｌの３μΩｃｍに比べると非常に高く、厚い配線が必要となってしまう。

また、特許文献３では、低抵抗率のＡｌ合金膜に寸法精度の高いフォトリソグラフィによるパターニングを行っているが、Ａｌ系の材料には別の難点がある。透明導電膜は、上述のＩＴＯや、或いはＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ：酸化インジウム亜鉛）や、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ：酸化インジウムガリウム亜鉛）等の複合酸化物からなる。Ａｌ系の材料を用いると、係る透明導電膜との界面に、絶縁性の酸化アルミニウムが形成されてしまい易く、透明導電膜との導通性に懸念が生じる。

本発明の目的は、低抵抗で導通性に優れる配線膜、係る配線膜を用いたタッチパネルセンサ、係る配線膜の製造に用いるスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材及び係る配線膜の製造方法を提供することである。

本発明の第１の態様によれば、
タッチパネルセンサに用いられる配線膜であって、
Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎの少なくともいずれかを含む複合酸化物からなる透明導電膜が形成された基板の前記透明導電膜上に設けられるＣｕ合金膜を備え、
前記Ｃｕ合金膜は、
純度３Ｎ以上の純Ｃｕに、前記純Ｃｕの酸化物よりも標準生成自由エネルギーの低い酸化物を生成する元素を含有する
配線膜が提供される。

本発明の第２の態様によれば、
前記Ｃｕ合金膜に含有される元素はＮｉである
第１の態様に記載の配線膜が提供される。

本発明の第３の態様によれば、
前記Ｎｉの前記Ｃｕ合金膜中の平均濃度が２原子％以上７原子％以下である
第２の態様に記載の配線膜が提供される。

本発明の第４の態様によれば、
Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎの少なくともいずれかを含む複合酸化物からなる透明導電膜が形成された基板の前記透明導電膜上に設けられるＣｕ合金膜を備え、
前記Ｃｕ合金膜は、
純度３Ｎ以上の純Ｃｕに膜中の平均濃度が２原子％以上７原子％以下のＮｉを含有する
配線膜が提供される。

本発明の第５の態様によれば、
前記透明導電膜と前記Ｃｕ合金膜との間に設けられる純度３Ｎ以上の純Ｃｕ膜を備える
第１〜第４の態様のいずれかに記載の配線膜が提供される。

本発明の第６の態様によれば、
前記Ｃｕ合金膜の厚さは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、
前記純Ｃｕ膜の厚さは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である
第５の態様に記載の配線膜が提供される。

本発明の第７の態様によれば、
前記Ｃｕ合金膜は、
前記透明導電膜に直接接するよう前記透明導電膜上に設けられ、厚さが１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である
第１〜第４の態様のいずれかに記載の配線膜が提供される。

本発明の第８の態様によれば、
線幅が１００μｍ以下の細線にパターニングされている
第１〜第７の態様のいずれかに記載の配線膜が提供される。

本発明の第９の態様によれば、
前記Ｃｕ合金膜の表面近傍には、
前記Ｎｉが前記平均濃度よりも高い濃度で含有された濃化層が形成されている
第１〜第８の態様のいずれかに記載の配線膜が提供される。

本発明の第１０の態様によれば、
前記基板は、
光透過性硬質プラスチックフィルム、ガラス基板、または石英基板である
第１〜第９の態様のいずれかに記載の配線膜が提供される。

本発明の第１１の態様によれば、
第１〜第１０の態様のいずれかに記載の配線膜が、前記基板の前記透明導電膜上に設けられている
タッチパネルセンサが提供される。

本発明の第１２の態様によれば、
第１〜第１０の態様のいずれかに記載の配線膜の製造に用いられ、
純度３Ｎ以上の純Ｃｕに、前記Ｃｕ合金膜に含有される元素と同一の元素を含有するＣｕ合金材からなる
スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材が提供される。

本発明の第１３の態様によれば、
Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎの少なくともいずれかを含む複合酸化物からなる透明導電膜が形成された基板の前記透明導電膜上に、
スパッタリングにより、純度３Ｎ以上の純Ｃｕに、前記純Ｃｕの酸化物よりも標準生成自由エネルギーの低い酸化物を生成する元素が含有されるようＣｕ合金膜を成膜する
配線膜の製造方法が提供される。

本発明の第１４の態様によれば、
フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング又はリフトオフにより、前記Ｃｕ合金膜を線幅が１００μｍ以下の細線にパターニングする
第１３の態様に記載の配線膜の製造方法が提供される。

本発明の第１５の態様によれば、
酸素ガスが微量に含まれる不活性ガスの気流中で、１５０℃以上３００℃以下の温度にて、前記Ｃｕ合金膜を加熱する
第１３又は第１４の態様に記載の配線膜の製造方法が提供される。

本発明によれば、低抵抗で導通性に優れる配線膜、係る配線膜を用いたタッチパネルセンサ、係る配線膜の製造に用いるスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材及び係る配線膜の製造方法が提供される。

本発明の第１実施形態に係るタッチパネルセンサ用配線膜の断面図である。 本発明の第１実施形態に係るスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材が装着されたスパッタリング装置の縦断面図である。 本発明の第２実施形態に係るタッチパネルセンサ用配線膜の断面図である。 本発明の実施例１〜６および比較例１〜４に係る評価用サンプルを説明する図であって、（ａ）は係る評価用サンプルの断面図であり、（ｂ）は係る評価用サンプルの平面図である。 本発明の実施例１〜６および比較例１〜４に係る評価用サンプルの加熱試験後の抵抗率およびシート抵抗変化率を示すグラフである。 本発明の実施例７〜１０に係る評価用サンプルを説明する図であって、（ａ）は係る評価用サンプルの断面図であり、（ｂ）は係る評価用サンプルの平面図である。 本発明の実施例７〜１０に係る評価用サンプルの加熱試験後のシート抵抗を示すグラフである。

＜本発明者等が得た知見＞
上述の特許文献３のように、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金膜は低抵抗率を有するが、表面に絶縁性の酸化アルミニウム（ＡｌＯ）が形成され易い。特に、複合酸化物からなる透明導電膜との界面に酸化アルミニウムが形成されてしまうと、透明導電膜との導通性が低下し、配線膜としての信頼性に懸念が生じる。

一方で、例えば液晶パネルの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）アレイ配線等にも用いられる銅（Ｃｕ）系の材料の酸化物は、非絶縁性である。本発明者等は、この点に着目し、Ｃｕ系材料をタッチパネルセンサ用配線膜として用いれば、たとえ透明導電膜との界面に酸化銅（ＣｕＯ）等が形成されても導通性が充分に確保されるのではないかと考えた。また、Ｃｕ系材料はＡｌ系材料より酸化自体も起こり難い。

しかしながら、Ａｌ系材料では、例えば常に空気等に曝される露出した表面であっても、一旦、酸化被膜が形成されるとそれ以上酸化が進行しないのに対し、Ｃｕ系材料では、長期の間に内部にまで酸化が進行してしまう。これにより、配線膜としての抵抗率を低下させてしまう懸念がある。

本発明者等は、係る懸念点を解消すべく鋭意研究を行った。その結果、純Ｃｕに所定元素を含有させて合金化することで酸化の進行が抑制され、低抵抗で導通性に優れる配線膜が得られることを見いだした。

本発明は、発明者等が見いだしたこのような知見に基づくものである。

＜本発明の第１実施形態＞
（１）タッチパネルセンサ用配線膜の構成
以下に、本発明の第１実施形態に係るタッチパネルセンサ用配線膜の構成について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係るタッチパネルセンサ用配線膜１０の断面図である。

図１に示すように、タッチパネルセンサ用配線膜１０は、例えば透明導電膜３２が形成された基板３１の透明導電膜３２上に設けられる銅（Ｃｕ）合金膜１１を備える。また、タッチパネルセンサ用配線膜１０は、例えば透明導電膜３２とＣｕ合金膜１１との間に設けられる純Ｃｕ膜１２を備える。

基板３１は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等からなる光透過性の硬質プラスチックフィルムや、ガラス基板、石英基板等の矩形状等に形成された透明基板である。

透明導電膜３２は、例えばインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）の少なくともいずれかを含む複合酸化物からなる薄膜である。具体的には、複合酸化物として、ＩＴＯ（ＩｎＳｎＯ（Indium Tin Oxide）：酸化インジウムスズ）や、ＩＺＯ（ＩｎＺｎＯ：酸化インジウム亜鉛）、ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ：酸化インジウムガリウム亜鉛）等が挙げられる。

また、透明導電膜３２は、例えばスパッタリングにより成膜されたスパッタリング膜である。なお、透明導電膜３２は、パターンを有さず基板３１の略全面を覆う平板状であってもよく、或いは、マトリックス状に配置されるドットや、複数本の帯状のパターン等を有していてもよい。

Ｃｕ合金膜１１は、例えば厚さが１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下のＣｕ合金からなる薄膜である。Ｃｕ合金膜１１は、例えば純度３Ｎ（９９．９質量％）以上の純Ｃｕにニッケル（Ｎｉ）を含有する。含有されるＮｉは、Ｃｕ合金膜１１中の平均濃度が２原子％以上７原子％以下となっている。

純Ｃｕ膜１２は、例えば厚さが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の純Ｃｕからなる薄膜である。純Ｃｕ膜１２を構成する純Ｃｕは、例えば３Ｎ（９９．９質量％）以上の純度を有する。

また、Ｃｕ合金膜１１と純Ｃｕ膜１２とは、例えばそれぞれがスパッタリングにより成膜されたスパッタリング膜である。これらのＣｕ合金膜１１と純Ｃｕ膜１２とにより、タッチパネルセンサ用配線膜１０が構成される。

タッチパネルセンサ用配線膜１０は、例えばフォトリソグラフィ技術を用いたエッチングにより、線幅が１００μｍ以下の複数本の細線にパターニングされている。各細線は、例えば矩形状に形成された基板３１の一辺に沿って、互いに平行となるよう、透明導電膜３２上に離間して配置されている。また、例えば各細線の一端などに、電極パッドとして機能する平面視で矩形状や円形状等の部位を備えていてもよい。

タッチパネルセンサは、主に、タッチパネルセンサ用配線膜１０と、基板３１と、透明導電膜３２と、により構成される。

つまり、タッチパネルセンサは、例えばタッチパネルセンサ用配線膜１０が透明導電膜３２上に設けられた２枚の基板３１を重ね合わせて構成される。このとき、例えば一方の基板３１の透明導電膜３２上に、もう一方の基板３１が透明導電膜３２を上方に向けて重ね合わされている。これにより、上方の基板３１は、各透明導電膜３２間に介在される絶縁層の役割を果たす。また、このとき、例えばそれぞれの基板３１に設けられるタッチパネルセンサ用配線膜１０が互いに直交する向きに重ね合わされている。

また、タッチパネルセンサは、上側の基板３１の露出した透明導電膜３１とタッチパネルセンサ用配線膜１０との表面を覆う保護膜や、操作面となるカバーガラス等を備えている。また、タッチパネルセンサは、例えばタッチパネルセンサ用配線膜１０と電気的に接続されて電気信号の入出力を行うフレキシブルプリント基板等を備える。

このように構成されるタッチパネルセンサは、例えば様々な電子機器の液晶表示装置の表面等に取り付けられ、表示・入力デバイスとして使用される。

（２）タッチパネルセンサ用配線膜の製造方法
次に、本実施形態に係るタッチパネルセンサ用配線膜１０の製造方法について、図２を用いて説明する。図２は、本発明の第１実施形態に係るスパッタリング用銅（Ｃｕ）合金ターゲット材１００が装着されたスパッタリング装置５０の縦断面図である。

（各膜の成膜の概要）
基板３１上にそれぞれ形成される透明導電膜３２、純Ｃｕ膜１２、Ｃｕ合金膜１１は、上述のように、例えばスパッタリングにより成膜される。各膜の成膜を行うには、それぞれの膜と略同一組成の材料から構成されるスパッタリング用ターゲット材がそれぞれ用いられる。

すなわち、タッチパネルセンサ用配線膜１０を製造するには、例えば図２に示すスパッタリング装置５０内にスパッタリング用複合酸化物ターゲット材を装着し、基板３１上に透明導電膜３２を成膜しておく。その後、必要に応じて、透明導電膜３２のパターニングを行ってもよい。

このように、透明導電膜３２が形成された基板３１の透明導電膜３２上に、純Ｃｕ膜１２とＣｕ合金膜１１とを順次成膜してタッチパネルセンサ用配線膜１０を製造する。

透明導電膜３２上に純Ｃｕ膜１２を成膜するには、例えばスパッタリング装置５０内にスパッタリング用純Ｃｕターゲット材を装着し、透明導電膜３２上に純Ｃｕが所定厚さで堆積されるようスパッタリングを行う。

また、純Ｃｕ膜１２上にＣｕ合金膜１１を成膜するには、例えばスパッタリング装置５０内にスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００を装着し、純Ｃｕ膜１２上にＣｕ合金が所定厚さで堆積されるようスパッタリングを行う。

このように、透明導電膜３２をはじめとする各膜は、スパッタリング用ターゲット材の種類を変えることで、同様の方法により成膜することができる。以下に、スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００を用いてＣｕ合金膜１１を成膜する場合について詳述する。

（Ｃｕ合金膜の成膜）
スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００は、例えばタッチパネルセンサ用配線膜１０の製造に用いられ、Ｃｕ合金膜１１と略同一の組成を有する。つまり、スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００は、純度３Ｎ以上の純Ｃｕに平均濃度が２原子％以上７原子％以下のＮｉを含有するＣｕ合金材からなり、スパッタリングによりＣｕ合金膜１１を成膜するよう構成されている。

スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００は、例えば純度３Ｎ以上の無酸素銅（ＯＦＣ：Oxygen-Free Copper）の原料に、純度３ＮのＮｉ原料を所定量配合し、溶解して鋳造した後、圧延および熱処理を行うことで製造される。

スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００が装着されるスパッタリング装置５０は、例えば直流（ＤＣ）放電と磁石とを用いてプラズマを励起させるＤＣマグネトロンスパッタリング装置として構成されている。なお、図２に示すスパッタリング装置５０はあくまでも一例である。

図２に示すように、スパッタリング装置５０は、真空チャンバ５１を備えている。真空チャンバ５１内の上部には基板保持部５２ｓが設けられ、成膜対象となる基板Ｓが、成膜される面を下方に向けて保持される。基板Ｓは、例えば上述の工程を経て、被成膜面となる純Ｃｕ膜が予め透明導電膜上に形成されたガラス基板等である。

真空チャンバ５１内の底部には、図示しない水冷等の冷却機構と磁石とを備えるターゲット保持部５２ｔが設けられ、例えばスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００が接合された図示しないバッキングプレートが保持される。これにより、スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００が、基板Ｓの被成膜面と対向するよう、スパッタリング面を上方に向けて保持される。なお、スパッタリング装置５０内に複数の基板Ｓを保持して、これら基板Ｓを一括処理、或いは連続処理するよう構成されてもよい。

また、真空チャンバ５１の一方の壁面にはガス供給管５３ｆが接続され、ガス供給管５３ｆと対向する他方の壁面にはガス排気管５３ｖが接続されている。ガス供給管５３ｆには、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスを真空チャンバ５１内に供給する図示しないガス供給系が接続されている。ガス排気管５３ｖには、Ａｒガス等の真空チャンバ５１内の雰囲気を排気する図示しないガス排気系が接続されている。

係るスパッタリング装置５０にて基板Ｓへの成膜を行う際は、Ａｒガス等を真空チャンバ５１内に供給し、スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００を接地（アース）して、基板Ｓに正の高電圧が印加されるよう、真空チャンバ５１に対してＤＣ放電電力（ＤＣパワー）を投入する。

これにより、主にスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００と基板Ｓとの間にプラズマが生成され、プラスのアルゴン（Ａｒ^＋）イオンＧが、スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００のスパッタリング面に衝突する。Ａｒ^＋イオンＧの衝突により、スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００から叩き出されたＣｕやＮｉ等のスパッタリング粒子Ｐが基板Ｓの被成膜面へと堆積されていく。

このとき、スパッタリングＣｕ合金ターゲット材１００の下方に配置されたターゲット保持部５２ｔの磁石により、スパッタリングＣｕ合金ターゲット材１００の表面に磁場空間が形成されてプラズマが高密度化し、実用レベルにまでスパッタ速度を高めることができる。またこの間、スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００は、バッキングプレートを介して水冷等により冷却されており、不必要な温度上昇を抑制することができる。

以上により、基板Ｓ上には、例えばＣｕ合金からなるスパッタリング膜Ｍが形成される。なお、上述した透明導電膜３２および純Ｃｕ膜１２の成膜方法もこれに準ずる。

（純Ｃｕ膜およびＣｕ合金膜のパターニング）
上述のように成膜されたＣｕ合金膜１１と純Ｃｕ膜１２とを、例えばフォトリソグラフィ技術を用いたエッチングによりパターニングする。

すなわち、Ｃｕ合金膜１１上に、例えばレジストパターンを形成し、係るレジストパターンをマスクとしてＣｕ合金膜１１と純Ｃｕ膜１２とをそれぞれエッチングして、線幅が１００μｍ以下の複数本の細線にパターニングする。

以上により、Ｃｕ合金膜１１と純Ｃｕ膜１２とからなるタッチパネルセンサ用配線膜１０が製造される。

（３）本実施形態に係る効果 本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。

（ａ）すなわち、本実施形態では、膜中に所定の平均濃度のＮｉを含有するＣｕ合金膜１１を、タッチパネルセンサ用配線１０の一部に用いている。これにより、タッチパネルセンサ用配線１０の内部への酸化の進行を抑制し、低抵抗で導通性に優れるタッチパネルセンサ用配線膜１０が得られる。

上述のように、例えばＡｌ系材料では、一旦表面に薄い酸化被膜が形成されると、それが酸化を抑制する不動態被膜として働き、それ以上酸化が進行しない。Ｃｕ合金膜１１においても、膜中に含有されたＮｉが膜の表面で酸素（Ｏ_２）と結びついて酸化被膜を形成し、酸素がそれ以上、膜内部へと浸入して酸化が進行してしまうのを抑制する。

Ｎｉによる酸化抑制効果は、ＣｕよりもＮｉの酸化物の標準生成自由エネルギーが低いことに起因すると考えられる。つまり、ＮｉはＣｕよりも酸素と結び付き易く酸化され易い。よって、Ｃｕ合金膜１１の表面でＮｉが酸化されて強固な酸化被膜となり、それ以上の酸化の進行を抑制すると考えられる。以下の表１に、ＮｉおよびＣｕの酸化物の標準生成自由エネルギーを示す。

本実施形態では、膜中のＮｉの平均濃度を２原子％以上としているので、係る酸化の抑制効果が充分に得られ、長期間に亘って安定的にタッチパネルセンサ用配線膜１０の抵抗率を低く維持することができる。

また、本実施形態では、膜中のＮｉの平均濃度を７原子％以下としているので、Ｎｉ自体によるＣｕ合金膜１１の高抵抗率化を抑制することができる。これにより、従来技術におけるＡｇペーストや、Ａｌ合金膜等を用いた配線膜と比較して、充分に低い抵抗率を得ることができる。

以上により、タッチパネルセンサの高速動作が可能となり、タッチパネルセンサの性能を向上させることができる。

（ｂ）また、本実施形態では、タッチパネルセンサ用配線膜１０を、Ｃｕ合金膜１１と純Ｃｕ膜１２との積層構造としている。これにより、酸化の進行を抑制しつつ、タッチパネルセンサ用配線膜１０の抵抗率をさらに低下させることができる。

すなわち、Ｃｕ合金膜１１よりも更に低抵抗率の純Ｃｕ膜１２をタッチパネルセンサ用配線膜１０の一部に用いることで、タッチパネルセンサ用配線膜１０の抵抗率をさらに低下させ、また、タッチパネルセンサ用配線膜１０の膜厚を低減することができる。

また、純Ｃｕ膜１２を透明導電膜３２との界面に配置しても、上述のように、酸化銅は非絶縁性のため、酸化銅が形成された場合であってもタッチパネルセンサ用配線膜１０と透明導電膜３２との導通性を充分に確保することができる。

また、純Ｃｕ膜１２の上面をＣｕ合金膜１１で覆っているので、Ｃｕ合金膜１１がバリア膜として機能し、純Ｃｕ膜１２の上面側からの酸化を抑制することができる。これにより、タッチパネルセンサ用配線膜１０の低抵抗率を長期間に亘って維持することができる。

（ｃ）また、本実施形態では、タッチパネルセンサ用配線膜１０を、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチングによりパターニングする。これにより、タッチパネルセンサ用配線膜１０を線幅が１００μｍ以下の細線とすることができる。

上述のように、例えば従来技術に係るＡｇペースト等のスクリーン印刷技術は寸法精度に限界があり、例えば線幅が１００μｍ以下の細線を得ることが困難であった。

本実施形態では、フォトリソグラフィ技術を用いることで、タッチパネルセンサ用配線膜１０を寸法精度よくパターニングすることができ、線幅が１００μｍ以下の細線が得られる。これにより、高精細化や狭額縁のパネルへの対応が容易となる。

＜本発明の第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係るタッチパネルセンサ用配線膜の構成について、図３を用いて説明する。図３は、本実施形態に係るタッチパネルセンサ用配線膜２０の断面図である。

図３に示すように、本実施形態に係るタッチパネルセンサ用配線膜２０は、Ｃｕ合金膜２１の単膜構造を備える点が、積層構造を備える上述の実施形態とは異なる。

すなわち、タッチパネルセンサ用配線膜２０は、例えば厚さが１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下のＣｕ合金膜２１から構成される。Ｃｕ合金膜２１は、透明導電膜３２に直接接するように透明導電膜３２上に設けられている。

その他、Ｃｕ合金膜２１を構成するＣｕ合金の組成や、細線に電極パッド等を有するタッチパネルセンサ用配線膜２０の形状や透明導電膜３２上での配置等は、上述の実施形態と同様である。

係るタッチパネルセンサ用配線膜２０は、例えば上述の実施形態と同様の方法により、基板３１の透明導電膜３２上にＣｕ合金膜２１を成膜することで製造することができる。すなわち、スパッタリング装置５０内にスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材１００を装着し、基板３１の透明導電膜３２上に直接、Ｃｕ合金が所定厚さで堆積されるようスパッタリングを行う。成膜されたＣｕ合金膜２１には、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチングによりパターニングを施す。

また、この後、所定の予備加熱を行って、Ｎｉが膜中の平均濃度よりも高い濃度で含有された濃化層をＣｕ合金膜２１の表面近傍に形成してもよい。すなわち、Ｃｕ合金膜２１が形成された基板３１を加熱炉等の中に入れ、例えば高純度のＡｒガスや窒素（Ｎ_２）ガス等の不活性ガスの気流中で、１５０℃以上３００℃以下の温度にて加熱する。このような高純度の不活性ガスであっても、酸素（Ｏ_２）ガスは微量に含まれる（例えば、数ｐｐｍオーダー）。よって、Ｎｉの原子が不活性ガス中に微量に含まれるＯ_２ガスと反応し、Ｃｕ合金膜２１の表面近傍に濃化する。

本実施形態によっても、上述の実施形態と同様の効果を奏する。

また、本実施形態では、タッチパネルセンサ用配線膜２０の全体をＣｕ合金膜２１により構成している。また、このとき、全体の膜厚を、上述の実施形態のタッチパネルセンサ用配線膜１０の全体膜厚よりも厚くしている。これにより、タッチパネルセンサ用配線１０の側面等の酸化の進行が抑制され、低抵抗率や導通性がよりいっそう安定して得られる。

また、本実施形態では、タッチパネルセンサ用配線膜２０をＣｕ合金膜２１の単膜構造としている。これにより、工程数を減らすことができ、低コストでタッチパネルセンサ用配線膜２０を製造することができる。

また、本実施形態では、所定の予備加熱により、Ｃｕ合金膜２１の表面近傍にＮｉの濃化層を形成する。これにより、いっそう強固なＮｉの酸化被膜が、より確実に形成され、Ｃｕ合金膜２１内への酸化の進行をいっそう抑制することができる。

また、本実施形態の予備加熱で、Ｃｕ合金膜２１の表面近傍に膜中のＮｉの少なくとも一部が集まることで、Ｃｕ合金膜２１の内部のＮｉ濃度が低下する。よって、Ｃｕ合金膜２１全体としては抵抗率が下がる。つまり、より一層、低抵抗のＣｕ合金膜２１を得ることができる。

また、本実施形態では、係る予備加熱により、スパッタリングによって堆積されたままの無秩序で規則性のないスパッタリング膜の結晶に原子の再配列が起こる。よって、タッチパネルセンサ用配線膜２０の結晶性が向上し、抵抗率をいっそう低減することができる。

＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述の実施形態では、Ｃｕ合金膜１１，２１には所定濃度のＮｉが含有されることとしたが、Ｎｉに加えて、或いは、Ｎｉに替えて、純Ｃｕの酸化物よりも標準生成自由エネルギーの低い酸化物を生成する元素が含有されることとしてもよい。この場合、タッチパネルセンサ用配線膜の製造に用いるスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材を、Ｃｕ合金膜に含有されることとなる元素と同一の元素を含有するＣｕ合金材から構成すればよい。

また、上述の実施形態では、タッチパネルセンサ用配線膜１０，２０が、基板３１の一辺に沿って平行な複数の細線にパターニングされていることとしたが、タッチパネルセンサ用配線膜１０，２０の形状や配置はこれに限定されない。

また、上述の実施形態では、タッチパネルセンサ用配線膜１０，２０のパターニングを、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチングにより行うこととしたが、例えばフォトリソグラフィ技術を用いたリフトオフ等により行ってもよい。

また、上述の実施形態では、タッチパネルセンサ用配線膜１０を純Ｃｕ膜１２とＣｕ合金膜１１との積層構造としたが、Ｃｕ合金膜が純Ｃｕ膜の側面に形成されていてもよい。これにより、いっそう酸化の抑制を図ることができる。

また、上述の実施形態では、Ｃｕ合金膜２１の表面近傍に濃化層が形成されることとしたが、濃化層は形成されていなくともよい。濃化層が形成されていなくとも、Ｃｕ合金膜１１，２１による所定の酸化抑制効果が得られる。また、濃化層を形成する予備加熱を行わないことで、コストの低減を図ることができる。

また、上述の実施形態では、図２に示すスパッタリング装置５０により、タッチパネルセンサ用配線膜１０，２０等を成膜することとしたが、装置構成はこれに限られない。例えば、ターゲット材と基板との上下位置が逆の装置や、ターゲット材と基板とを垂直に立てて対向させる装置等、種々のタイプのスパッタリング装置を用いることができる。種類の異なる複数のターゲット材を装着し、同一装置内で各膜の成膜が可能な多元式スパッタリング装置等を用いてもよい。

また、上述の実施形態では、タッチパネルセンサは、一方の基板３１の透明導電膜３２上に、もう一方の基板３１が透明導電膜３２を上方に向けて重ね合わされることで構成されるとしたが、係る構成に限定されない。

タッチパネルセンサは、例えば２枚の基板３１の透明導電膜３２とは反対側の面を互いに貼り合わせて構成されていてもよい。

或いは、タッチパネルセンサは、両面に透明導電膜とタッチパネルセンサ用配線膜とがそれぞれ形成された基板を１枚用いて構成されていてもよい。

タッチパネルセンサのこれらの構成によっても、それぞれの透明導電膜の間に介在される基板が絶縁層の役割を果たす。

また或いは、タッチパネルセンサは、例えば絶縁性のドットスペーサを介在させ、透明導電膜が互いに対向するよう２枚の基板を重ね合わせて構成されていてもよい。

また、上述の実施形態に係るタッチパネルセンサ用配線膜１０，２０は、タッチパネルセンサ以外の用途に適用してもよい。

具体的には、タッチパネルセンサ用配線膜１０，２０は、例えば液晶パネルのＴＦＴアレイ等のガラス基板上のゲート用、或いは、ＩＴＯ等からなる透明導電膜としての画素電極膜上のソース−ドレイン電極用の配線膜等として適用することも可能である。例えば、Ａｌ合金膜等を配線膜として用いたＴＦＴアレイ配線では、Ａｌの酸化物の弊害を抑制するため、モリブデン（Ｍｏ）やチタン（Ｔｉ）等の高融点金属膜をＩＴＯ等の複合酸化物からなる半導体膜との界面に介在させている。本願発明の配線膜をＴＦＴアレイ配線に適用すれば、このような高融点金属膜を用いずとも、低抵抗で導通性に優れるＴＦＴアレイ配線を得ることができる。

また、タッチパネルセンサ用配線膜１０，２０は、例えば長期環境信頼性が要求される照明などに用いられる発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）や、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro-Luminescence）等の配線膜、或いは、大規模集積回路（ＬＳＩ：Large Scale Integration）等のシリコン（Ｓｉ）基板上の配線膜等として適用してもよい。

（１）Ｃｕ合金膜／純Ｃｕ膜の積層構造の評価
本発明の実施例１〜６に係る評価用サンプルの評価結果について比較例１〜４とともに説明する。これらの評価用サンプルは、上述の第１実施形態に係るタッチパネルセンサ用配線膜１０を模したＣｕ合金膜／純Ｃｕ膜の積層構造を備える。

（評価用サンプルの製作）
まずは、上述の実施形態と同様の方法、手順にて、純度３Ｎの純Ｃｕに平均濃度を種々に変化させたＮｉを含有するスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材をそれぞれ直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍの大きさに製作した。Ｎｉの平均濃度は、１原子％〜７．５原子％の間で変化させた。純度３Ｎの純Ｃｕからなるスパッタリング用純Ｃｕターゲット材も、これと準ずる方法、手順にて製作した。

次に、図４に示すように、純Ｃｕ膜１１２とＣｕ合金膜１１１とが格子状に複数区画に区切って形成された実施例１〜６および比較例１〜４に係る評価用サンプルを製作した。

すなわち、透明導電膜としてのＩＴＯ膜１３２が形成された、厚さ０．７ｍｍでサイズ５０ｍｍ角のガラス基板１３１を準備した。ＩＴＯ膜１３２は、Ｉｎ_２Ｏ_３−１０質量％ＳｎＯ_２より構成される市販のスパッタリング用ＩＴＯターゲット材をスパッタリングし、５０ｎｍの厚さに成膜した。

次に、係るガラス基板１３１のＩＴＯ膜１３２上に、上述のスパッタリング用ターゲット材を用い、純Ｃｕ膜１１２とＣｕ合金膜１１１とをそれぞれ成膜して評価用サンプルを製作した。純Ｃｕ膜１１２とＣｕ合金膜１１１との成膜時には、メタルマスクを用いた簡便な方法により、図４に示す評価用パターンを得た。

純Ｃｕ膜１１２の成膜時には、３ｍｍ角の開口部を２ｍｍ間隔で１００マス（縦１０マス×横１０マス）有し、各開口部の４隅に矩形状の開口部を更に有するメタルマスクを用いた（図示せず）。係るメタルマスクをガラス基板１３１のＩＴＯ膜１３２上に保持し、膜厚の異なる純Ｃｕ膜１１２を、４隅に電極パッド１１２ｅを備える３ｍｍ角の格子状に区切って１００区画、ＩＴＯ膜１３２上に形成した。

Ｃｕ合金膜１１１の成膜時には、３ｍｍ角の開口部を２ｍｍ間隔で１００マス（縦１０マス×横１０マス）有するメタルマスクを用いた（図示せず）。係るメタルマスクをガラス基板１３１の純Ｃｕ膜１１２上に保持し、膜厚５０ｎｍのＣｕ合金膜１１１を、３ｍｍ角の格子状に区切られた純Ｃｕ膜１１２上に形成した。また、Ｃｕ合金膜１１１の成膜時には、上述の種々のスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材を用い、膜中に含有されるＮｉの平均濃度を個々に異ならせた。

なお、ＩＴＯ膜１３２を含め、各膜のスパッタリングによる成膜は、株式会社アルバック製のＤＣマグネトロンスパッタリング装置（型式：ＳＨ−３５０）を用いて行った。以下の表２に、スパッタリングによる各膜の成膜条件を示す。

（評価用サンプルの抵抗率測定）
以上のように製作された実施例１〜６および比較例１〜４に係る評価用サンプルについて、大気中での加熱試験前後におけるシート抵抗を測定して抵抗率の評価を行った。

大気中での加熱試験は、長期間に亘っての酸化抑制効果を評価するための加速試験である。具体的には、大気中で１５０℃にて１時間、各評価用サンプルを加熱した。加熱前に、各評価用サンプルの電極パッド１１２ｅにレジストを滴下し、加熱中の電極パッド１１２ｅの酸化を抑制した。レジストには、東京応化工業製の標準ｇ線ポジ型フォトレジストＯＦＰＲ−８００を用いた。加熱後、電極パッド１１２ｅにアセトン（ＣＨ_３ＯＣＨ_３））を滴下してレジストを除去し、電極パッド１１２ｅを露出させた。

シート抵抗の測定方法には、３ｍｍ角の各区画の４隅の電極パッド１１２ｅ上面に電極の針を当てて行うファン・デル・パウ（van der Pauw）法を用いた。このように測定したシート抵抗から、各評価用サンプルの加熱試験前後でのシート抵抗変化率（加熱後／加熱前）を求めた。また、シート抵抗に、Ｃｕ合金膜／純Ｃｕ膜の膜厚を乗じて、加熱試験前後の抵抗率をそれぞれ求めた。

（評価用サンプルの評価結果）
以下の表３に、実施例１〜６および比較例１〜４に係る評価用サンプルの構成と、評価結果とを示す。なお、本実施例においては、シート抵抗変化率の許容値を１．２８未満とし、加熱試験後の抵抗率の許容値を５．０μΩｃｍ以下とした。表中、許容値を外れたものを太字の下線付きで示した。また、表中、酸化抑制効果ならびに抵抗率の評価、及び、これらを考慮した総合評価を、○（良）と×（不良）とで示した。

また、各膜の膜厚が、Ｃｕ合金膜／純Ｃｕ膜＝５０ｎｍ／５０ｎｍである実施例１〜４および比較例２〜４の評価結果を図５のグラフに示す。グラフの横軸は、Ｃｕ合金膜１１１中のＮｉの平均濃度（原子％）であり、左側縦軸は抵抗率（μΩｃｍ）であり、右側縦軸は、加熱試験前後でのシート抵抗変化率（加熱後／加熱前）である。また、グラフ上の●印は、各評価用サンプルの加熱試験後の抵抗率をプロットしたものであり、○印は、各評価用サンプルのシート抵抗変化率をプロットしたものである。なお、Ｃｕ合金膜１１１を備えず、純Ｃｕ膜１１２のみで１００ｎｍの膜厚となるよう構成された比較例１のシート抵抗変化率を参考までに◇印で示した。

図５および表３に示すように、Ｎｉの平均濃度が２原子％未満では、シート抵抗変化率が１．２８以上となり、加熱試験により抵抗率が大きく上昇してしまった。また、Ｎｉの平均濃度が２原子％以上では、シート抵抗変化率がいずれも１．２８未満であり、かつ、徐々に低下している。よって、優れた酸化抑制効果が得られていることが分かる。

また、Ｎｉの平均濃度が３原子％を超えると、シート抵抗変化率が１．００より小さく、加熱試験後のほうが抵抗率が低下している。これは、Ｎｉの平均濃度が高まったことで、不活性ガスの気流中で行う上述した第２実施形態における予備加熱と同様の効果が、大気中での加熱においても起きたと考えられる。つまり、Ｃｕ合金膜１１１の表面近傍にＮｉの濃化層が形成されると共に膜内部のＮｉ濃度が低下し、また、Ｃｕ合金膜／純Ｃｕ膜の結晶性が向上し、加熱試験後に抵抗率が低下したと推察される。

また、加熱試験後の抵抗率は、Ｎｉの平均濃度が３原子％のときに最小値を示した。Ｎｉの酸化抑制効果による低抵抗率の維持と、Ｎｉ自体による抵抗率の上昇とのバランスにより、本実施例においては、係る平均濃度で略最適な値が得られたと考えられる。換言すれば、Ｎｉの平均濃度が２原子％未満での抵抗率の上昇は、Ｎｉの酸化抑制効果による低抵抗率の維持が不充分なためである。また、Ｎｉの平均濃度が７原子％超での抵抗率の上昇は、Ｎｉ自体による抵抗率の上昇によるためである。

一方、Ｃｕ合金膜／純Ｃｕ膜の積層構造全体の抵抗率は、Ｃｕ合金膜と純Ｃｕ膜とのそれぞれの膜厚の組み合わせで変化する。例えば、Ｃｕ合金膜／純Ｃｕ膜の積層構造では、比較例１のように純Ｃｕ膜のみを備える構造よりも、当初のシート抵抗が高めである。しかし、加熱試験後の抵抗率の上昇率は、純Ｃｕ膜のみを備える構造よりも低く抑えることができる。

また、積層構造全体の膜厚が増加すれば抵抗率は下がるが、Ｃｕ合金膜には主にバリア膜としての機能のみを担わせ、表３の実施例５，６に示すように、純Ｃｕ膜の膜厚を増加させたほうが有利である。

なお、実施例１〜６においては、従来技術に係るＡｇペーストやＡｌ系配線膜に対して優位性が得られるようにとの観点から、抵抗率の許容値を５．０μΩｃｍ以下としたが、これに拘束されるものではない。例えばタッチパネルセンサの要求仕様に応じて、Ｃｕ合金膜の厚さの下限値を１０ｎｍなどに設定することができる。これにより、配線膜全体での膜厚が例えば１００ｎｍ以下となるよう構成し、抵抗率よりも配線膜全体の薄膜化をより優先させることとしてもよい。

（２）Ｃｕ合金膜の単膜構造の評価
次に、本発明の実施例７〜１０に係る評価用サンプルの評価結果について説明する。これらの評価用サンプルは、上述の第２実施形態に係るタッチパネルセンサ用配線膜２０を模したＣｕ合金膜の単膜構造を備える。

（評価用サンプルの製作）
まずは、上述の実施形態と同様の方法、手順にて、純度３Ｎの純Ｃｕに平均濃度を種々に変化させたＮｉを含有するスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材をそれぞれ製作した。Ｎｉの平均濃度は、２原子％〜７原子％の間で変化させた。

次に、図６に示すように、Ｃｕ合金膜１１１が格子状に複数区画に区切って形成された実施例７〜１０に係る評価用サンプルを製作した。

すなわち、上述の実施例と同様のＩＴＯ膜１３２が形成された基板１３１を準備した。次に、係るガラス基板１３１のＩＴＯ膜１３２上に、上述のスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材を用い、Ｃｕ合金膜１２１を成膜して評価用サンプルを製作した。Ｃｕ合金膜１２１の成膜時には、上述の実施例に係る純Ｃｕ膜１１２の成膜時に用いたものと同じメタルマスクを用い、４隅に電極パッド１２１ｅを備える３ｍｍ角の格子状に区切られたＣｕ合金膜１２１の評価用パターンをＩＴＯ膜１３２上に形成した。

なお、ＩＴＯ膜１３２およびＣｕ合金膜１２１の成膜には、上述の実施例と同様のＤＣマグネトロンスパッタリング装置、および成膜条件を用いた。

（評価用サンプルの抵抗率測定）
以上のように製作された実施例７〜１０に係る評価用サンプルのいくつかに対し、上述の実施形態と同様の方法、手順で予備加熱を行った。すなわち、評価用サンプルに対し、Ｏ_２ガスが微量に含まれるＡｒガスの気流中で、２００℃の温度にて３０分間の加熱を行った。

次に、実施例７〜１０に係る評価用サンプルについて、予備加熱の有り無しでのシート抵抗の測定と、さらに、大気中での加熱試験後のシート抵抗の測定とを行って、それぞれの状態における抵抗率の評価を行った。加熱試験およびシート抵抗の測定は、上述の実施例と同様の方法、手順で行った。

（評価用サンプルの評価結果）
以下の表４に、実施例７〜１０に係る評価用サンプルの構成と、評価結果とを示す。なお、本実施例においては、シート抵抗変化率の許容値を１．２８未満とし、加熱試験後の抵抗率の許容値を９．０μΩｃｍ以下とした。

また、実施例７〜１０に係る評価用サンプルの評価結果を図７のグラフに示す。グラフの横軸はＣｕ合金膜１２１中のＮｉの平均濃度（原子％）であり、縦軸はシート抵抗（ｍΩ／□）である。また、グラフ上の左側（白抜きの棒グラフ）は予備加熱なしの評価用サンプルの加熱試験後のデータであり、右側（黒塗りの棒グラフ）は予備加熱ありの評価用サンプルの加熱試験後のデータである。

図７および表４に示すように、実施例７，８、或いは、実施例９，１０を比較すると、予備加熱を行うことで、いずれも大気中での加熱試験後のシート抵抗や抵抗率の減少がみられ、予備加熱による効果が認められる。ただし、加熱試験前後での抵抗率が最も高かった実施例９であっても、例えば従来技術に係るＡｇペースト等に比べると、充分な低さの抵抗率が得られている。

なお、実施例７〜１０においては、Ａｇペーストに対して優位性が得られるようにとの観点から、抵抗率の許容値を９．０μΩｃｍ以下としたが、これに拘束されるものではない。例えばタッチパネルセンサの要求仕様に応じて、Ｃｕ合金膜の厚さの下限値を１００ｎｍなどに設定することができる。これにより、配線膜全体での膜厚が例えば１００ｎｍ以下となるよう構成し、抵抗率よりも配線膜全体の薄膜化をより優先させることとしてもよい。

１０ タッチパネルセンサ用配線膜
１１ Ｃｕ合金膜
１２ 純Ｃｕ膜
２０ タッチパネルセンサ用配線膜
２１ Ｃｕ合金膜
３１ 基板
３２ 透明導電膜
１００ スパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材

Claims (15)

1. タッチパネルセンサに用いられる配線膜であって、
   Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎの少なくともいずれかを含む複合酸化物からなる透明導電膜が形成された基板の前記透明導電膜上に設けられるＣｕ合金膜を備え、
   前記Ｃｕ合金膜は、
   純度３Ｎ以上の純Ｃｕに、前記純Ｃｕの酸化物よりも標準生成自由エネルギーの低い酸化物を生成する元素を含有する
   ことを特徴とする配線膜。
2. 前記Ｃｕ合金膜に含有される元素はＮｉである
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線膜。
3. 前記Ｎｉの前記Ｃｕ合金膜中の平均濃度が２原子％以上７原子％以下である
   ことを特徴とする請求項２に記載の配線膜。
4. Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎの少なくともいずれかを含む複合酸化物からなる透明導電膜が形成された基板の前記透明導電膜上に設けられるＣｕ合金膜を備え、
   前記Ｃｕ合金膜は、
   純度３Ｎ以上の純Ｃｕに膜中の平均濃度が２原子％以上７原子％以下のＮｉを含有する
   ことを特徴とする配線膜。
5. 前記透明導電膜と前記Ｃｕ合金膜との間に設けられる純度３Ｎ以上の純Ｃｕ膜を備える
   ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線膜。
6. 前記Ｃｕ合金膜の厚さは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、
   前記純Ｃｕ膜の厚さは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である
   ことを特徴とする請求項５に記載の配線膜。
7. 前記Ｃｕ合金膜は、
   前記透明導電膜に直接接するよう前記透明導電膜上に設けられ、厚さが１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である
   ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線膜。
8. 線幅が１００μｍ以下の細線にパターニングされている
   ことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配線膜。
9. 前記Ｃｕ合金膜の表面近傍には、
   前記Ｎｉが前記平均濃度よりも高い濃度で含有された濃化層が形成されている
   ことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の配線膜。
10. 前記基板は、
    光透過性硬質プラスチックフィルム、ガラス基板、または石英基板である
    ことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の配線膜。
11. 請求項１〜１０のいずれかに記載の配線膜が、前記基板の前記透明導電膜上に設けられている
    ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
12. 請求項１〜１０のいずれかに記載の配線膜の製造に用いられ、
    純度３Ｎ以上の純Ｃｕに、前記Ｃｕ合金膜に含有される元素と同一の元素を含有するＣｕ合金材からなる
    ことを特徴とするスパッタリング用Ｃｕ合金ターゲット材。
13. Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｚｎの少なくともいずれかを含む複合酸化物からなる透明導電膜が形成された基板の前記透明導電膜上に、
    スパッタリングにより、純度３Ｎ以上の純Ｃｕに、前記純Ｃｕの酸化物よりも標準生成自由エネルギーの低い酸化物を生成する元素が含有されるようＣｕ合金膜を成膜する
    ことを特徴とする配線膜の製造方法。
14. フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング又はリフトオフにより、前記Ｃｕ合金膜を線幅が１００μｍ以下の細線にパターニングする
    ことを特徴とする請求項１３に記載の配線膜の製造方法。
15. 酸素ガスが微量に含まれる不活性ガスの気流中で、１５０℃以上３００℃以下の温度にて、前記Ｃｕ合金膜を加熱する
    ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の配線膜の製造方法。