JP2014078941A - トランシーバ組立体 - Google Patents

Abstract

【課題】トランシーバモジュール（ＴＭ）及びヒートシンク間の熱インタフェース材料の損傷を最小にするトランシーバ組立体を提供する。
【解決手段】トランシーバ組立体は、ＴＭ（１０２）と、ＴＭを受容するリセプタクル（１３８）を有するガイドフレームを具備するリセプタクル組立体と、ヒートシンク（１５０）とを具備する。ヒートシンクは、ＴＭの外面上の熱インタフェース部材と係合するよう、ガイドフレームの開口を貫通するモジュール係合面（１６６）を有する段部（１６４）を具備する。ＴＭは、熱インタフェース部材近傍にリブ（２２０）を有する。段部は、リセプタクル内へのＴＭの挿入及び取外しの際にリブに沿って乗り上げる。リブが段部と係合するとヒートシンクは上昇し、モジュール係合面は熱インタフェース部材から離間する。リブが段部から縦方向にずれると、ヒートシンクは下降し、モジュール係合面は熱インタフェース部材と直接熱係合する。
【選択図】図６

Description

本発明は、電子ホスト機器及び外部デバイス間の通信を可能にするトランシーバ組立体に関する。

電子ホスト機器及び外部デバイス間の通信を可能にする様々なタイプの光ファイバ及び銅線ベースのトランシーバが公知である。これらのトランシーバは、システム構成に柔軟性を与えるようホスト機器に差込み可能に接続できるモジュール内に組み込まれる。トランシーバモジュールは、ホスト機器内の回路基板上に実装されるリセプタクルに差し込まれる。リセプタクルは、内部空間に開放する前部を有する細長のガイドフレームすなわちケージと、内部空間内のケージの後部に配置された電気コネクタとを有する。コネクタ及びケージの双方は、回路基板に電気的及び機械的に接続される。そして、トランシーバモジュールは、リセプタクルに差し込まれると、同様に回路基板に電気的及び機械的に接続される。

公知のトランシーバ組立体は、課題が無い訳ではない。例えば、データ伝送速度が増大すると、トランシーバモジュール及びその周辺回路は、電子部品を長寿命にするためには取り除かねばならない著しい量の熱を発生する。公知のトランシーバ組立体は放熱のためにヒートシンクを用いており、システムの中にはヒートシンク及びトランシーバモジュール間の界面に熱インタフェース材料を用いるものがある。しかし、リセプタクルにトランシーバモジュールを挿入する際及びリセプタクルからトランシーバモジュールを抜去する際に、熱インタフェース材料は、表面間の剥離（scraping）又は拭い作用（wiping）により損傷することが多い。

従って、トランシーバモジュール及びヒートシンク間の熱インタフェース材料の損傷を最小にするトランシーバ組立体に対するニーズがある。

本発明によれば、トランシーバ組立体はトランシーバモジュールを具備し、トランシーバモジュールは、外面を有するハウジングと、外面上の熱インタフェース部材とを有する。リセプタクル組立体はガイドフレームを具備し、ガイドフレームは、その前開口を通って縦軸に沿ってトランシーバモジュールを受容するよう構成されたリセプタクルを有する。ガイドフレームにはヒートシンクが結合される。ヒートシンクは、ガイドフレームの開口を通ってリセプタクル内に延びる段部を有する。段部は、トランシーバモジュールがリセプタクルに受容される際に、熱インタフェース部材と直接に熱係合状態となるよう構成されたモジュール係合面を有する。トランシーバモジュールは、外面から延びると共に熱インタフェース部材近傍に位置するリブを有する。ヒートシンクの段部は、リセプタクル内へのトランシーバモジュールの挿入及びリセプタクルからのトランシーバモジュールの取外しの際に、リブに沿って乗り上げる。リブが段部と縦方向に整列して係合すると、ヒートシンクは上昇位置にあるので、モジュール係合面は熱インタフェース部材から離間する。そして、リブが段部から縦方向にずれると、ヒートシンクは下降位置にあるので、モジュール係合面は熱インタフェース部材と直接的な熱係合状態にある。

本発明の典型的な一実施形態に係るトランシーバ組立体の斜視図である。 ヒートシンク組立体を示す、トランシーバ組立体の分解斜視図である。 ヒートシンク組立体のヒートシンクを下から見た斜視図である。 熱インタフェース部材を示す、トランシーバモジュールを上から見た斜視図である。 リセプタクル組立体に結合されたトランシーバモジュールの断面図である。 中間位置のトランシーバモジュールを示す断面図である。

図１は、本発明の典型的な一実施形態に従って形成されたトランシーバ組立体１００を示す図である。トランシーバ組立体１００は、とりわけ放熱と、毎秒10ギガビット以上のデータ伝送速度等の高速でデータ信号を伝達する部品用の電磁シールドとに対処するよう構成される。しかし、本明細書に記載された本発明の利点は、様々なシステム及び規格にわたって他のデータ通信速度にも等しく生ずることを理解されたい。従って、本発明は、トランシーバ組立体１００との関連で説明され図示されているが、トランシーバ組立体１００に限定することを意図したものではない。それ故、トランシーバ組立体１００は、限定目的ではなく、例示目的で提供される。

図１に示されるように、トランシーバ組立体１００は、リセプタクル組立体１０４内に差し込み可能に挿入されるよう構成されたトランシーバモジュール１０２を有する。リセプタクル組立体１０４はホスト回路基板１０６に実装され、ホスト回路基板１０６はルータ又はコンピュータ（図示せず）等のホストシステムに実装される。ホストシステムは導電性筐体を有するのが典型的であり、導電性筐体はベゼル１０８を有し、ベゼル１０８は、リセプタクル組立体１０４とほぼ整列した状態でベゼル１０８を貫通する開口を有する。トランシーバモジュール１０２は、ベゼルの開口を通ってリセプタクル組立体１０４内に挿入される。

典型的な一実施形態において、トランシーバモジュール１０２はハウジング１１０を有し、ハウジング１１０は、その中に配置された１枚以上のトランシーバ回路基板１１５用の保護シェルを形成するよう、共に固定された基部１１２及びカバー１１４を有する。トランシーバ回路基板１１５は、公知の方法でトランシーバの機能を実行する電子回路及びデバイスを担持する。トランシーバ回路基板１１５の縁は、ハウジング１１０の後端１１６を通って露出し、後述するようにリセプタクル組立体１０４内に差込み可能である。トランシーバモジュール１０２は、その前端１１８がリセプタクル組立体１０４から突出するように、リセプタクル組立体１０４内に設置されるよう構成される。

一般的に、トランシーバモジュール１０２及びリセプタクル組立体１０４は、ホストシステムと電気信号又は光信号との間にインタフェースを要する任意の用途に用いることができる。トランシーバモジュール１０２は、リセプタクル組立体１０４のケージとも称されるリセプタクルガイドフレーム１２２内に配置されたリセプタクルコネクタ１２０（図２参照）を介してリセプタクル組立体１０４を通ってホストシステムに接続する。トランシーバモジュール１０２は、その前端１１８のコネクタインタフェース１２４を介して光ファイバ又は電気ケーブル（図示せず）に接続する。任意であるが、コネクタインタフェース１２４は、ファイバ組立体又はケーブル組立体と協働してファイバ組立体又はケーブル組立体をトランシーバモジュール１０２に固定する機構を有してもよい。

トランシーバモジュール１０２及びリセプタクル組立体１０４は、ガイドフレーム１２２やガイドフレーム１２２に結合された１個以上のガスケット１２５を含む１個以上の電磁干渉（ＥＭＩ）低減構造によりＥＭＩ放出を低減する。

トランシーバ組立体１００は、リセプタクル組立体１０４のヒートシンク組立体２００を用いてトランシーバモジュール１０２からの熱を管理し放熱する。ヒートシンク２００組立体は、トランシーバモジュール１０２に直接係合してトランシーバモジュール１０２を放熱する。典型的な一実施形態において、トランシーバモジュール１０２は、そのハウジング１１０の外面２０４に熱インタフェース部材２０２を有する。熱インタフェース部材２０２は、ヒートシンク組立体２００と熱インタフェースする。典型的な一実施形態において、トランシーバ組立体１００は、リセプタクル組立体１０４へのトランシーバモジュール１０２の挿入やリセプタクル組立体１０４からのトランシーバモジュール１０２の抜去の際に、熱インタフェース部材２０２の表面の剥離、機能不全、拭い等の損傷から熱インタフェース部材２０２を保護する構造を有する。例えば、トランシーバモジュール１０２がリセプタクル組立体１０４内へ又はリセプタクル組立体１０４外へ摺動すると、ヒートシンク組立体２００を熱インタフェース部材２０２から係合解除させる構造が設けられる。

図２は、ガイドフレーム１２２の上に位置するヒートシンク組立体２００を示す、トランシーバ組立体１００の分解図である。ガイドフレーム１２２は、打抜き加工及び曲げ加工された金属本体１２６を有する。金属本体１２６は、上壁１２８、下壁１３０及び両側壁１３２，１３４を有するシェルを画定する。上壁１２８、下壁１３０及び両側壁１３２，１３４の各々の前縁は、ガイドフレーム１２２内へ前開口１３６を取り囲む。上壁１２８、下壁１３０及び両側壁１３２，１３４は、それらの間にガイドフレーム１２２の前開口１３６を通ってトランシーバモジュール１０２を受容するためのリセプタクル１３８を画定する。下壁１３０は、リセプタクルコネクタ１２０を受容する下開口を有する。任意であるが、ガイドフレーム１２２は、ホスト回路基板１０６及び機器筐体に導電路を提供するために、ホスト回路基板１０６のスルーホール内に受容されるコンプライアントピンを有してもよい。ホスト回路基板１０６は、ＥＭＩシールドを強化するために、リセプタクル組立体１０４の下に横たわるシートとして設けられ形成された導電面を有する。トランシーバモジュール１０２がリセプタクル組立体１０４に挿入されると、ホスト回路基板１０６及びガイドフレーム１２２はトランシーバモジュール１０２を電気シールドするためにすべての側面に導電性壁を提供する。

リセプタクルコネクタ１２０は、ガイドフレーム１２２と共にホスト機器のホスト回路基板１０６に実装される。リセプタクルコネクタ１２０は、トランシーバモジュール１０２がガイドフレーム１２２内に取り付け完了すると、トランシーバモジュール１０２に担持されたトランシーバ回路基板１１５を受容する。これにより、トランシーバモジュール１０２をホスト機器に電気的に接続する。

ガイドフレーム１２２の上壁１２８は、ヒートシンク組立体２００を受容するリセプタクル１３８の上に位置する大きな開口１４０を有する。ヒートシンク組立体２００は、開口１４０を通ってトランシーバモジュール１０２にアクセスする。ヒートシンク組立体２００は、トランシーバモジュール１０２がリセプタクル組立体１０４内に取り付けられる際にトランシーバモジュール１０２と物理的に接触するよう配置されたヒートシンク１５０を有する。ヒートシンク組立体２００は、ヒートシンク１５０上に実装されると共にガイドフレーム１２２に固定されたクリップ１５２を有する。これらのクリップ１５２は、トランシーバモジュール１０２からヒートシンク１５０への熱移動を促進するよう、トランシーバモジュール１０２に向かったヒートシンク１５０の挿入を確実にする。ヒートシンク１５０は、ガイドフレーム１２２の内部リセプタクル１３８に対面すると共に内部リセプタクル１３８近傍に配置された係合面（後述）を有する。ヒートシンク１５０の係合面は、リセプタクル１３８内に取り付けられる際に、トランシーバモジュール１０２の熱インタフェース部材２０２に物理的に接触し当接するよう構成される。熱インタフェース部材２０２は、挿入及び抜去の際に熱インタフェース部材２０２からヒートシンク１５０の係合面を係合解除する等により、リセプタクル組立体１０４へのトランシーバモジュール１０２の挿入やリセプタクル組立体１０４からのトランシーバモジュール１０２の抜去の際に損傷から保護される。

クリップ１５２は、ヒートシンク１５０上に固定された弾性ばね部材１５４を有する。これらのばね部材１５４は、トランシーバモジュール１０２が挿入及び抜去される際にガイドフレーム１２２から離れる外方へヒートシンク１５０が移動できるよう撓む。次に、トランシーバモジュール１０２はリセプタクル組立体１０４内に挿入完了し、ばね部材１５４がヒートシンク１５０に所望の力を及ぼし、所望の当接状態を維持してトランシーバモジュール１０２からの熱移動及び放熱を容易にする。

図３は、ヒートシンク１５０を下から見た斜視図である。ヒートシンク１５０は、その下面であるヒートシンク面１６０を有する。ヒートシンク面１６０は、トランシーバモジュール１０２及び熱インタフェース部材２０２（双方とも図２参照）に対面する。ヒートシンク面１６０は、複数の段部１６４を取り囲む周囲面１６２を有する。段部１６４は周囲面１６２から延びる。単一の段部１６４や段部が無い場合を含む任意の数の段部１６４を設けてもよい。各段部１６４は、ほぼ平坦であって対応する熱インタフェース部材２０２と係合するよう構成されたモジュール係合面１６６を有する。これらのモジュール係合面１６６は、周囲面１６２と平行であるが共平面ではなく、ガイドフレーム１２２のリセプタクル１３８（図２参照）内に延びる。周囲面１６２は、段部１６４の周囲又は周辺で段部１６４を取り囲み、モジュール係合面１６６に沿って延びる平面に対して凹んでいる。

段部１６４は、その前方先端縁１７０及び後方先端面１７２に延びる傾斜移行部１６８を有する。傾斜移行部１６８は、前方及び後方を向き、トランシーバモジュール１０２の挿入及び抜去の際に段部１６４をリセプタクル１３８から追い出すのに用いられる。

典型的な一実施形態において、段部１６４の少なくともいくつかは、段部１６４から延びるレール１７４を有する。これらのレール１７４は、段部１６４の一部を形成し、段部１６４の延長部である。レール１７４は、モジュール係合面１６６と共平面である外面を有する。レール１７４は、段部１６４の幅を広げると共に、傾斜した前端移行部及び後端移行部を有する。レール１７４の傾斜した前端移行部は、前方先端縁１７０の傾斜移行部１６８と連続してもよい。レール１７４の傾斜した後端移行部は、段部１６４の傾斜移行部１６８を画定してもよい。しかし、レール１７４の傾斜した後端移行部１６８は、後方先端縁１７２の傾斜移行部１６８から縦方向にずれていてもよい。図示の実施形態において、（１６４ａ，１６４ｃで特定される）外側の段部はその最外側縁にレール１７４を有するのに対して、（１６４ｂで特定される）内側の段部はレールを有していない。レール１７４は、内側の段部１６４ｂからほぼ離れる方向に段部１６４から外方へ延びる。レール１７４は、段部１６４の前方先端縁１７０に位置する。対応する段部１６４の外縁に沿った各レール１７４の後方に、窓１７６が画定される。他の実施形態では、他の位置にレール１７４が配置されてもよい。

さらに図２を参照すると、組立時に、ヒートシンク１５０の係合面１６６は、トランシーバモジュール１０２の取付け経路と干渉する高さでガイドフレーム１２２の内部リセプタクル１３８内に残る。ヒートシンク１５０は、トランシーバモジュール１０２が挿入方向１７８にリセプタクル１３８内に挿入され、又は挿入方向１７８とは逆向きの排出方向１８０にリセプタクル１３８から取り外される際に、トランシーバモジュール１０２によって外方へ移動される。挿入方向１７８及び排出方向１８０は、リセプタクル１３８の縦軸１８２とほぼ平行である。

トランシーバモジュール１０２の挿入の間、ヒートシンク１５０は、最初に持ち上げ方向１８４に外方へ上昇位置すなわち非係合位置まで移動される。上昇位置では、モジュール係合面１６６はトランシーバモジュール１０２と係合しないので、トランシーバモジュール１０２は、損傷することなく挿入することができる。トランシーバモジュール１０２が挿入完了すると、ヒートシンク１５０は、解放されて開放位置すなわち係合位置まで移動される。係合位置では、モジュール係合面１６６が、対応する熱インタフェース部材２０２と係合する。クリップ１５２は、トランシーバモジュール１０２に向かってヒートシンク１５０を押圧するばね力をヒートシンク１５０に対して与えるようヒートシンク１５０を押圧する。トランシーバモジュール１０２の排出の際、ヒートシンク１５０は同様に外方へ上昇位置すなわち非係合位置まで持上げ方向１８４に移動されるので、トランシーバモジュール１０２は熱インタフェース部材２０２を損傷することなく取り外すことができる。

熱インタフェース部材２０２は、トランシーバモジュール１０２のカバー１１４上に配置される。熱インタフェース部材２０２は、ヒートシンク１５０と係合すると、モジュール係合面１６６及びカバー１１４間で圧縮される。任意であるが、熱インタフェース部材２０２は、その外面２１２がカバー１１４の外面２０４とほぼ共平面となるように、凹ませてカバー１１４のポケット部２１０内に収容されてもよい。熱インタフェース部材２０２を凹ませることは、トランシーバモジュール１０２の高さを低くするので、ヒートシンク１５０の垂直位置を低くし、ポケット部内に熱インタフェース部材２０２を凹ませないシステムと比較するとより低背のシステムとなる。

図４は、カバー１１４の外面２０４のポケット部２１０内に位置する熱インタフェース部材２０２を示す、トランシーバモジュール１０２を上から見た斜視図である。任意であるが、別の実施形態では、複数の個別の熱インタフェース部材２０２を有する代わりに、単一の熱インタフェース部材２０２を用いてもよい。熱インタフェース部材２０２は、ヒートシンク１５０（図３参照）と接触するために当業界では公知である任意のタイプの熱伝導材料から製造されてもよい。

典型的な一実施形態において、トランシーバモジュール１０２は、カバー１１４の外面２０４から延びるリブ２２０を有する。これらのリブ２２０は、外面２０４から持ち上げられる。リブ２２０は、熱インタフェース部材２０２の外面２１２の上方に隆起している。リブ２２０は、トランシーバモジュール１０２の挿入及び抜去の間、熱インタフェース部材２０２の上方にヒートシンク１５０を持ち上げるよう作用し、熱インタフェース部材２０２を損傷から保護する。典型的な一実施形態において、リブ２２０は、ヒートシンク１５０の対応する段部１６４（図３参照）と係合し、熱インタフェース部材２０２と係合しないようにヒートシンク１５０を持ち上げる。リブ２２０は段部１６４と整列して配置され、トランシーバモジュール１０２の挿入及び抜去の間、リブ２２０が段部１６４と係合することを確実にする。リブ２２０は、ヒートシンク１５０を持ち上げるための任意の寸法又は形状を有してもよい。任意であるが、リブ２２０は、トランシーバモジュール１０２が挿入され抜去されるとヒートシンク１５０がリブ２２０に沿って乗り上げるように、挿入方向１７８及び排出方向１８０に沿って縦方向に延びてもよい。

典型的な一実施形態において、少なくともいくつかのリブ２２０は、熱インタフェース部材２０２の端部２２２に設けられる。このようなリブ２２０は端部リブ２２０ａと称される。端部リブ２２０ａは、ハウジング１１０の後端１１６及び熱インタフェース部材２０２間に位置する。任意であるが、端部リブ２２０ａは後端１１６まで延びてもよい。端部リブ２２０ａは、熱インタフェース部材２０２と横方向に整列するが、熱インタフェース部材２０２に対して縦方向にずれている。端部リブ２２０ａは最初に、トランシーバモジュール１０２の挿入の際に、ヒートシンク１５０の段部１６４と係合し、熱インタフェース部材２０２を乗り越えられるようヒートシンク１５０を上方へ駆動する。挿入の間、端部リブ２２０ａは、対応する段部１６４の前方先端縁１７０（図３参照）と係合する。端部リブ２２０ａは、移行部１６８（図３参照）と係合し、ヒートシンク１５０を持上げ方向１８４（図２参照）外方へ強制する。最終的に、端部リブ２２０ａは、段部１６４の傾斜した後方移行部１６８を乗り越える。端部リブ２２０ａが段部１６４の後方先端縁１７２（図３参照）を一旦乗り越えると、モジュール係合面１６６は、熱インタフェース部材２０２と係合状態になるよう位置が下がる。

典型的な一実施形態において、少なくともいくつかのリブ２２０は、熱インタフェース部材２０２の側辺２２４に沿って延びる。このようなリブ２２０は側方リブ２２０ｂと称される。これらの側方リブ２２０ｂは熱インタフェース部材２０２と縦方向に整列するが、熱インタフェース部材２０２に対して横方向にずれている。側方リブ２２０ｂは、端部リブ２２０ａとは縦方向にずれている。図示の実施形態において、側方リブ２２０ｂは、外側の熱インタフェース部材２０２ａ，２０２ｃの最外側辺２２４に沿って設けられる。図示の実施形態において、内側の熱インタフェース部材２０２ｂは、それに関連する側方リブ２２０ｂを有していない。側方リブ２２０ｂは縦方向に延びる。典型的な一実施形態において、側方リブ２２０ｂは、ハウジング１１０の後端１１６から所定距離２２６で離間する。側方リブ２２０ｂは、トランシーバモジュール１０２がリセプタクル１３８に挿入されリセプタクル１３８から抜去されると、レール１７４と係合するよう構成される。例えば、レール１７４は熱インタフェース部材２０２の側面に対して横方向にずれており、対応する側方リブ２２０ｂと整列する。側方リブ２２０ｂは、リセプタクル１３８からヒートシンク１５０を取り除く抜去の際、レール１７４の傾斜移行部１６８と係合する。トランシーバモジュール１０２がリセプタクル１３８内に挿入完了すると、側方リブ２２０ｂは、ハウジング１１０の後端１１６及びレール１７４のほぼ間で窓１７６（図３参照）内に配置される。

側方リブ２２０ｂは、トランシーバモジュール１０２及び熱インタフェース部材２０２と平行にヒートシンク１５０を保持することを補助する。この補助がない場合、ヒートシンク１５０は、下方へ傾いて熱インタフェース部材２０２を損傷するおそれがある。例えば、端部リブ２２０ａがヒートシンク１５０の重心（例えば、段部１６４の中間点）を一旦通過すると、クリップ１５２は、ヒートシンク１５０の前部を下方へ強制する傾向がある。側方リブ２２０ｂは、端部リブ２２０ａから縦方向にずれており、ヒートシンク１５０がクリップ１５２により下方へ強制される前にレール１７４を支持する。典型的な一実施形態において、端部リブ２２０ａ及び側方リブ２２０ｂは、トランシーバモジュール１０２がリセプタクル組立体１０４内に部分的に挿入されると、熱インタフェース部材２０２の後方及び熱インタフェース部材２０２の両側でヒートシンク１５０を同時に支持する。

使用中にリブ２２０が段部１６４と縦方向に整列して係合すると、ヒートシンク１５０は上昇位置にあるので、モジュール係合面１６６は熱インタフェース部材２０２から離間する。リブ２２０が段部１６４から縦方向にずれると、ヒートシンク１５０は下降位置にあり、モジュール係合面１６６は熱インタフェース部材２０２と直接的に熱係合状態になる。

図５は、リセプタクル組立体１０４に結合されたトランシーバモジュール１０２を示す断面図である。トランシーバモジュール１０２は嵌合完了位置で図示される。トランシーバ回路基板１１５の端部２３０は、ホスト回路基板１０６に機械的及び電気的に実装されたリセプタクルコネクタ１２０のスロット２３２内に受容される。リセプタクルコネクタ１２０は、トランシーバ回路基板１１５の端部の導電終端部に接触してホスト回路基板１０６の導電パッドに電気接続する電気コンタクトを有する。

トランシーバモジュール１０２が嵌合完了すると、ヒートシンク１５０はトランシーバモジュール１０２に着座する。モジュール係合面１６６は、熱インタフェース部材２０２と係合してトランシーバモジュール１０２及びヒートシンク１５０間に直接的な熱経路を提供する。図５に示されるように、トランシーバモジュール１０２のリブ２２０は、段部１６４の直ぐ前方（例えば、図３に詳細が示される後方先端縁１７２の傾斜移行部１６８、及びレール１７４）に位置する。抜去の際、トランシーバモジュール１０２が排出方向１８０に引かれると、リブ２２０は、ヒートシンク１５０を持上げ方向１８４に外方へ強制し、モジュール係合面１６６及び熱インタフェース部材２０２間に間隙を与える。トランシーバモジュール１０２が抜去されると、ヒートシンク１５０は、熱インタフェース部材２０２を剥離したり損傷したりしない。

図６は、中間位置のトランシーバモジュール１０２の断面図である。トランシーバモジュール１０２は、リセプタクルコネクタ１２０との嵌合完了の前等の挿入中においては中間位置にある。トランシーバモジュール１０２は、リセプタクル１３８から完全に取り外される前等の抜去中においては中間位置にある。この中間位置において、ヒートシンク１５０は、熱インタフェース部材２０２（図４参照）から上昇している。ヒートシンク１５０は、トランシーバモジュール１０２が挿入され抜去されると、熱インタフェース部材２０２にわたって剥離されない。リブ２２０ａ，２２０ｂは、ヒートシンク１５０を持ち上げるよう作用し、トランシーバモジュール１０２がモジュール係合面１６６に係合することなくリセプタクル１３８内で自由に移動する間隙を与える。

典型的な一実施形態において、リブ２２０ａ，２２０ｂは、軸方向にずれた異なる２地点でヒートシンク１５０を支持する。例えば、ヒートシンク１５０は、その前方先端縁１７０及び後方先端縁１７２近傍で、側方リブ２２０ｂ及び端部リブ２２０ａによって支持されてもよい。側方リブ２２０ｂがレール１７４の前方に位置する等の或る段階では、ヒートシンク１５０は端部リブ２２０ａのみによって支持される。リブ２２０ａ，２２０ｂが先端縁１７０（１７２）を一旦越えると、ヒートシンク１５０の段部１６４はリセプタクル１３８内へ下降して戻る。

１００ トランシーバ組立体
１０２ トランシーバモジュール
１０４ リセプタクル組立体
１１０ ハウジング
１１６ 後端
１２２ ガイドフレーム
１３６ 前開口
１３８ リセプタクル
１４０ 開口
１５０ ヒートシンク
１６４ 段部
１６６ モジュール係合面
１６８ 傾斜移行部
１７０ 前方先端縁
１７２ 後方先端縁
１７４ レール
１８２ 縦軸
２０２ 熱インタフェース部材
２０４ 外面
２２０ リブ
２２０ａ 端部リブ
２２０ｂ 側方リブ
２２４ 側辺

Claims (8)

1. トランシーバモジュール（１０２）、リセプタクル組立体（１０４）及びヒートシンク（１５０）を具備するトランシーバ組立体（１００）であって、前記トランシーバモジュールは、外面（２０４）を有するハウジング（１１０）と、前記外面上の熱インタフェース部材（２０２）とを有し、前記リセプタクル組立体はガイドフレーム（１２２）を具備し、前記ガイドフレームは、該ガイドフレームの前開口（１３６）を通って縦軸（１８２）に沿って前記トランシーバモジュールを受容するよう構成されたリセプタクル（１３８）を有し、前記ガイドフレームには前記ヒートシンクが結合され、前記ヒートシンクは、前記ガイドフレームの開口（１４０）を通って前記リセプタクル内に延びる段部（１６４）を有し、前記段部は、前記トランシーバモジュールが前記リセプタクルに受容される際に、前記熱インタフェース部材と直接に熱係合状態となるよう構成されたモジュール係合面（１６６）を有するトランシーバ組立体において、
   前記トランシーバモジュールは、前記外面から延びるリブ（２２０）を有し、
   前記リブは、前記熱インタフェース部材近傍に位置し、
   前記ヒートシンクの前記段部は、前記リセプタクル内への前記トランシーバモジュールの挿入及び前記リセプタクルからの前記トランシーバモジュールの取外しの際に、前記リブに沿って乗り上げ、
   前記リブが前記段部と縦方向に整列して係合すると、前記ヒートシンクは上昇位置に位置し、この結果、前記モジュール係合面は前記熱インタフェース部材から離間し、
   前記リブが前記段部から縦方向にずれると、前記ヒートシンクは下降位置に位置し、前記モジュール係合面は前記熱インタフェース部材と直接的な熱係合状態にあることを特徴とするトランシーバ組立体。
2. 前記リブは、前記熱インタフェース部材の外面（２１２）の上に位置することを特徴とする請求項１記載のトランシーバ組立体。
3. 前記リブは、前記リセプタクルへの前記トランシーバモジュールの挿入及び前記リセプタクルからの前記トランシーバモジュールの抜去の際、前記モジュール係合面が前記熱インタフェース部材と平行になるように、前記ヒートシンクを支持するように位置することを特徴とする請求項１記載のトランシーバ組立体。
4. 前記トランシーバモジュールは複数の前記熱インタフェース部材を有し、
   前記リブは、前記熱インタフェース部材の各々に隣接して位置し、
   前記ヒートシンクは、各々が対応する前記リブに沿って乗り上げると共に対応する前記熱インタフェース部材と係合するよう構成された複数の前記段部を有することを特徴とする請求項１記載のトランシーバ組立体。
5. 前記リブは、端部リブ（２２０ａ）及び側方リブ（２２０ｂ）からなり、
   前記端部リブは、前記ハウジングの後端（１１６）及び前記熱インタフェース部材間に位置し、
   前記側方リブは、前記端部リブから縦方向にずれていると共に、前記熱インタフェース部材の側辺（２２４）に沿って位置し、
   前記端部リブ及び前記側方リブは、前記段部に同時に係合して前記ヒートシンクを前記上昇位置に支持するよう構成されていることを特徴とする請求項１記載のトランシーバ組立体。
6. 前記リブは、端部リブ（２２０ａ）及び側方リブ（２２０ｂ）からなり、
   前記端部リブ及び前記側方リブは、前記熱インタフェース部材の後方で前記ヒートシンクと、前記熱インタフェース部材の両側辺とを支持することを特徴とする請求項１記載のトランシーバ組立体。
7. 前記段部は、前記熱インタフェース部材の側辺に対して横方向にずれたレール（１７４）を有し、
   前記レールは、前記熱インタフェース部材の前記側辺に沿って延びる対応する前記リブと整列することを特徴とする請求項１記載のトランシーバ組立体。
8. 前記段部は、傾斜移行部（１６８）を有する前方先端縁（１７０）と、傾斜移行部を有する後方先端縁（１７２）とを有し、
   前記リブは、前記リセプタクルへの前記トランシーバモジュールの挿入の際、前記前方先端縁及び前記モジュール係合面と係合して前記熱インタフェース部材の上に前記ヒートシンクを上昇させ、
   前記リブは、前記リセプタクルからの前記トランシーバモジュールの抜去の際、前記後方先端縁及び前記モジュール係合面と係合して前記熱インタフェース部材の上に前記ヒートシンクを上昇させることを特徴とする請求項１記載のトランシーバ組立体。

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