JP2014075422A - 露光方法、露光装置およびフォトマスク - Google Patents

Abstract

【課題】露光領域を規定する遮光板の停止位置のずれに起因する露光不良を防ぐ。
【解決手段】この露光方法では、移動可能な第１〜第４の遮光板を有し、遮光板により露光領域を規定する開口を形成するブラインド機構と、第１のフォトマスク１２ａと、を準備する。第１のフォトマスク１２ａは、遮光板の停止位置の精度幅よりも大きな幅の遮光領域で取り囲まれた単位領域Ａ２〜Ｆ２であってウエハ上のチップ領域に対応する透光パターンを有する単位領域Ａ２〜Ｆ２を少なくとも１つ有する。当該露光方法は、遮光板の端辺を遮光領域上に移動させ、遮光板により上記の単位領域Ａ２〜Ｆ２を露出させる開口を形成するステップと、当該開口から露出した単位領域Ａ２〜Ｆ２を介して感光性物質が塗付されたウエハの露光を行うステップと、備えている。
【選択図】図７

Description

本発明は、レクチルと呼ばれるフォトマスク並びに当該フォトマスクを用いて感光性物質が塗付されたウエハを露光する露光方法および露光装置に関する。

半導体装置の素子パターンや回路パターン等は、フォトリソグラフィ法により形成される。フォトリソグラフィ法では、まず、半導体ウエハ上にフォトレジストと呼ばれる感光性物質（レジスト）を塗布する。次に、レチクルと呼ばれるフォトマスクに描かれた透光パターンを介して感光性物質を露光する。露光したウエハを現像液に浸し、余分な部分のレジストを除去する。これにより半導体ウエハ上にレジストにより形成されたパターンが表れる。その後、このレジストパターンを利用して、半導体ウエハに素子パターンや回路パターンなどを形成する（特許文献１〜３参照）。

特開２００４−０８６０９７号公報 特開２００６−３１０５５３号公報 特開２０１１−２３４７１号公報

図１は、感光性物質が塗付されたウエハを露光する露光装置の概略構成を示しており、図２は当該露光装置のブラインド機構を示している。露光装置は、露光光を発する光源５１と、所定の透光パターンを有するフォトマスク１２と、フォトマスク１２に入射する露光光の一部を遮光するブラインド機構３０と、を有している。ブラインド機構３０は、光源５１からの露光光を遮光する４つの遮光板、つまり第１の遮光板１ａ、第２の遮光板１ｂ、第３の遮光板１ｃ及び第４の遮光板１ｄを有している。

第１の遮光板１ａおよび第２の遮光板１ｂは、Ｙ方向に長く延びた矩形形状である。第１の遮光板１ａ及び第２の遮光板１ｂは、Ｘ方向に延びた第１の支持台２ａに支持されており、第１の支持台２ａに沿ってＸ方向に移動可能に構成されている。

第３の遮光板１ｃ及び第４の遮光板１ｄは、Ｘ方向に長く延びた矩形形状である。第３の遮光板１ｃ及び第４の遮光板１ｄは、Ｙ方向に延びた第２の支持台２ｂに支持されており、第２の支持台２ｂに沿ってＹ方向に移動可能に構成されている。ブラインド機構３０は、これらの遮光板１ａ〜１ｄの移動により、所定の大きさ及び形の長方形又は正方形の開口４を形成する。露光装置は、ブラインド機構３０の開口４及びフォトマスク１２を介して感光性物質が塗付された半導体ウエハ６を露光する。

図３および図４は、関連技術に関する露光方法を示している。ウエハ６は、マトリクス状に配置された多数のチップ領域を有している。チップ領域とは、単一の製品となるべき部分、すなわち個々の半導体チップに対応する部分である。

フォトマスク１２は、複数のチップ領域を一括して露光するため、複数のチップ領域に対応する透過パターンを有する複数の単位領域Ａ〜Ｌを有している。図３および図４では、フォトマスク１２は、１２個のチップ領域に対応した１２個の単位領域Ａ〜Ｌを有している。１つの単位領域を通った露光光は、対応する１つのチップ領域を照射することになる。このようなフォトマスク１２を用いて、半導体ウエハ６の各チップ領域を順次露光（ショット）していく。

図３に示す第１のショット３ａでは、１２個の単位領域Ａ〜Ｌを通った露光光はウエハ６のエッジ部分７には照射されない。そのため、ブラインド機構３０でフォトマスク１２のチップ領域Ａ〜Ｌを覆うことなく、一括して１２個全てのチップ領域を露光することができる。

これに対し、第２のショット３ｂおよび第３のショット３ｃでは、フォトマスクの単位領域Ａ〜Ｌを通過した露光光のうちの一部がウエハ６のエッジ部分７に照射され得る。第２のショット３ｂでは、フォトマスク１２の６つの単位領域Ａ〜Ｃ、Ｅ、Ｆ、Ｉを通った露光光がウエハ６の有効なチップ領域に照射される。しかしながら、残りの６つの単位領域Ｄ、Ｇ、Ｈ、Ｊ〜Ｌを通った露光光は、ウエハ６のエッジ７に照射されるか、ウエハ６のエッジ７より外側に照射される。第３のショット３ｃでは、フォトマスク１２の３つの単位領域Ａ〜Ｃを通った露光光がウエハ６の有効なチップ領域に照射される。しかしながら、残りの９つの単位領域Ｄ〜Ｌを通った露光光は、ウエハ６のエッジ７に照射されるか、ウエハ６のエッジ７より外側に照射される。

したがって、第３のショット３ｃを行う場合、ブラインド機構３０の遮光板１ａ〜１ｄを移動させ、フォトマスク１２の３つの単位領域Ａ〜Ｃのみをブラインド機構３０の開口４から露出させる（図４参照）。この状態でウエハ６を露光することにより、有効なチップ領域にのみ露光光を照射し、ウエハ６のエッジに露光光が当たらないようにすることができる。

同様に、第２のショット３ｂを行う場合、フォトマスク１２の３つの単位領域Ａ〜Ｃのみをブラインド機構３０の開口４から露出させた状態でウエハ６を露光する。次に、フォトマスク１２の２つの単位領域Ｅ，Ｆのみをブラインド機構の開口４から露出させた状態でウエハ６を露光する。最後に、フォトマスク１２の１つの単位領域Ｉのみをブラインド機構の開口４から露出させた状態でウエハ６を露光する。このようにして、ウエハ６のエッジ付近の有効なチップ領域に露光光を照射することができる。

上記のように、ウエハ６のエッジ部分７近傍のチップ領域を露光する場合には、フォトマスク１２の一部をブランド機構３０の遮光板１ａ〜１ｄで覆う必要がある。しかしながら、遮光板１ａ〜１ｄの機械的な停止位置には誤差が生じる。したがって、通常、フォトマスク１２の単位領域Ａ〜Ｌ同士の境界よりも所定の距離だけ外側で遮光板１ａ〜１ｄが停止するように設定される。言い換えると、ブラインド機構３０は、フォトマスク１２の露出させるべき単位領域の面積よりも広い面積の開口４を形成するように遮光板１ａ〜１ｄを移動させる。これにより、誤差により遮光板１ａ〜１ｄが若干多量に移動したとしても、フォトマスク１２の露出されるべき単位領域が遮光板１ａ〜１ｄにより覆われることが防止される。

しかしながら、このように遮光板１ａ〜１ｄの移動を制御すると、以下のような問題が生じる。図５に示すように、第１の遮光板１ａおよび第２の遮光板１ｂのＸ方向の理想的な停止位置９ａ、９ｂに対して、実際に停止する位置は符号１０ａ、１０ｂで示す位置となる。同様に、露光レシピで設定された第３の遮光板１ｃおよび第４の遮光板１ｄのＹ方向の理想的な停止位置９ｃ、９ｄに対し、実際に停止する位置は符号１０ｃ、１０ｄで示す位置となる。

したがって、設計上の理想的な停止位置９ａ〜９ｄと実際の停止位置１０ａ〜１０ｄとのずれの部分８（図５の斜線で示す部分）に、露光光が照射されてしまう。その結果、本来なら露光されてはいけないチップ領域８が露光されてしまう。これにより、露光すべきチップ領域に隣接するチップ領域の端部近傍が誤って露光されてしまい、パターニング不良が生じることがある。

例えば、上述した第２のショット３ｂでは、複数回の遮光板１ａ〜１ｄの動作と複数回の露光が必要となる。その結果、図６に示すように、有効なチップ領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｅ，Ｆ，Ｉの端部には、本来的な露光光の照射だけではなく、隣接するチップ領域の露光時に遮光板１ａ〜１ｄの停止位置のずれに起因して露光光が照射されてしまう。これにより、有効なチップ領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｅ，Ｆ，Ｉの端部には、二重に露光される不良な露光領域１１が形成される。このような不良な露光パターンを用いて回路パターンまたは素子パターンを形成すると、パターニング不良が生じることがある。

一実施形態における露光方法は、第１の方向に延在し第１の方向と交差する第２の方向に移動可能な第１の遮光板、第１の方向に延在し第２の方向に移動可能な第２の遮光板、第２の方向に延在し第１の方向に移動可能な第３の遮光板、および第２の方向に延在し第１の方向に移動可能な第４の遮光板を有し、遮光板により露光領域を規定する開口を形成するブラインド機構と、遮光板の停止位置の精度幅よりも大きな幅の遮光領域で取り囲まれた単位領域であってウエハ上のチップ領域に対応する透光パターンを有する単位領域を少なくとも１つ有する第１のフォトマスクと、を準備するステップと、遮光板の端辺を遮光領域上に移動させ、第１、第２、第３および第４の遮光板により上記単位領域を露出させる開口を形成するステップと、当該開口から露出した上記単位領域を介して感光性物質が塗付されたウエハの露光を行うステップと、備えている。

本発明の露光装置は、所定の透光パターンを有するフォトマスクを介してウエハを露光する露光装置に関する。この露光装置は、ブラインド機構と、第１のフォトマスクと、を備えている。ブラインド機構は、第１の方向に延在し第１の方向と交差する第２の方向に移動可能な第１の遮光板と、第１の方向に延在し第２の方向に移動可能な第２の遮光板と、第２の方向に延在し第１の方向に移動可能な第３の遮光板と、第２の方向に延在し第１の方向に移動可能な第４の遮光板と、を有し、遮光板により露光領域を規定する開口を形成する。第１のフォトマスクは、遮光板の停止位置の精度幅よりも大きな幅の遮光領域で取り囲まれた単位領域であってウエハ上のチップ領域に対応する透光パターンを有する単位領域を少なくとも１つ有し、ブラインド機構より規定された露光領域に配置可能となっている。

また、本発明は、上記の露光装置に用いられる第１のフォトマスク自体も含んでいる。

上記の第１のフォトマスクでは、各単位領域の周りに、遮光板の停止位置の誤差精度よりも広い遮光領域が形成されているので、遮光板の端辺を確実に第１のフォトマスクの遮光領域上に停止させることができる。これにより、遮光板の停止位置の誤差が生じたとしても、遮光領域のおかげで、本体露光されるべきチップ領域のみに露光光を照射することができるようになる。

本発明によれば、遮光板の停止位置のずれに起因する露光不良を防ぐことができる。

露光装置の構成を示す概略図である。 露光装置のブラインド機構の構成を示す図である。 フォトマスクを用いてウエハのチップ領域を露光する関連技術に関する方法を示す模式図である。 上記関連技術に関する方法において、ウエハのエッジ領域を露光するときのブラインド機構を示す模式図である。 ブラインド機構の遮光板の設計上の停止位置と実際の停止位置とのずれを説明する模式図である。 ブラインド機構の遮光板の設計上の停止位置と実際の停止位置とのずれに起因する不良な露光領域を説明する模式図である。 第１のレクチルのレイアウトを示す概略図である。 第２のレクチルのレイアウトを示す概略図である。 本発明の一実施形態における露光方法を示す模式図である。 第１のレクチルによってウエハを露光するときのブラインド機構の状態を示す模式図である。

図１は、本発明に用いることができる縮小投影露光装置の概略図を示している。縮小投影露光装置で用いられるフォトマスクは、レチクルと呼ばれる。縮小投影露光装置は、露光光を発する光源５１、レチクル１２およびブラインド機構３０を有している。

光源５１から射出された露光光は、反射鏡５２で反射し、コリメートレンズ５３を通過してほぼ平行な光束に変換される。この露光光は、ブラインド機構３０を通って、レチクル１２に達する。レチクル１２を通過した光は、投影レンズ５５に入射し、ステージ５６上に載置されたウエハ６の表面に照射される。ウエハ６としては、シリコンウエハなどの半導体ウエハが用いられる。レクチル１２は、レクチル１２を支持するステージ５４に支持される。ステージ５４は、レクチル１２を吸引保持することができるように構成されていることが好ましい。また、露光光学系はテレセントリック光学系であることが好ましい。

図２は、露光装置のブラインド機構３０を示している。ブラインド機構３０は、露光光を遮光する４枚のブラインド羽根、つまり第１の遮光板１ａ、第２の遮光板１ｂ、第３の遮光板１ｃおよび第４の遮光板１ｄを有している。

第１の遮光板１ａおよび第２の遮光板１ｂは、第１の方向（図１のＹ方向）に長く延びた矩形形状である。第１の遮光板１ａおよび第２の遮光板１ｂは、第１の方向に交差する第２の方向（図１のＸ方向）に延びた第１の支え台２ａに支持されており、第１の支え台２ａに沿って第２の方向の移動可能に構成されている。これにより、第１の遮光板１ａと第２の遮光板１ｂとの間の間隔は調整可能となっている。

第３の遮光板１ｃおよび第４の遮光板１ｄは、第２の方向（図１のＸ方向）に長く延びた矩形形状である。第３の遮光板１ｃおよび第４の遮光板１ｄは、第１の方向（図１のＹ方向）に延びた第２の支え台２ｂに支持されており、第２の支え台２ｂに沿って第１の方向に移動可能に構成されている。これにより、第３の遮光板１ｃと第４の遮光板１ｄとの間の間隔は調整可能となっている。ブラインド機構３０は、第１〜第４の遮光板１ａ〜１ｄの位置を調節することにより、異なる形および大きさの長方形の開口４を形成することができる。

遮光板１ａ〜１ｄによって形成された開口４により、レクチル１２上の露光領域が規定される。光源５１から出射された露光光は、ブラインド機構３０およびレクチル１２を介して、感光性物質が塗付されたウエハ６を露光する。

本願発明の一実施形態における露光装置は、図７に示すような第１のレクチル１２ａと、図８に示すような第２のレクチル１２ｂと、を備えていることが好ましい。また、露光装置は、これらのレクチル１２ａ，１２ｂを保管するレクチル保管部（不図示）と、レクチル保管部とステージ５４との間でレクチルを搬送させる搬送機構（不図示）と、を備えていることが好ましい。これにより、所定のレクチル１２ａ，１２ｂを、ステージ５４上に搬送したり、ステージ５４から搬出したりすることができる。露光装置は、必要に応じ、いずれかのフォトマスク１２ａ，１２ｂを用いて露光処理を行うことができる。

露光すべきウエハ６は、マトリクス状に配置された多数のチップ領域を有している。チップ領域とは、単一の製品となるべき部分、すなわち個々の半導体チップに対応する部分である。第２のレクチル１２ｂは、複数のチップ領域を一括して露光するため、複数のチップ領域に対応する透過パターンを有する複数の単位領域Ａ〜Ｌを有している。第２のレクチル１２ｂは、ウエハ６の中央のチップ領域を一括して露光するために用いられることが好ましい。つまり、第２のレクチル１２ｂは、図３に示すショット３ａを行う場合に用いられる。

第２のレクチル１２ｂの１２個の単位領域Ａ〜Ｉ全体の周囲には、露光光を遮光する遮光領域１４が形成されていて良い（図８参照）。遮光領域１４は、例えばクロムから成る。遮光領域１４の幅（Ｗ＋ΔＷ）は、遮光板１ａ〜１ｄの機械
的な停止位置の精度幅Ｗよりも広いことが好ましい。ここで、一般には、遮光板１ａ〜１ｄの機械的な停止位置の精度幅Ｗは０．８ｍｍ程度であるので、遮光領域１４の幅は、０．９ｍｍ以上であることが好ましい。

第１のレクチル１２ａは、ウエハ６のチップ領域に対応した透光パターンを有する単位領域を有している。図７に示す例では、第１のレクチル１２ａは、６つの単位領域Ａ２，Ｂ２，Ｃ２，Ｄ２，Ｅ２，Ｆ２を有する。また、第１のレクチル１２ａには、各々の単位領域Ａ２，Ｂ２，Ｃ２，Ｄ２，Ｅ２，Ｆ２の周囲を取り囲み、遮光板１ａ〜１ｄの停止位置の精度幅よりも大きな幅の遮光領域１７が形成されている。

図７に示す例に限らず、第１のレクチル１２ａは、少なくとも１つの単位領域を有していれば良い。各々の単位領域は、遮光板１ａ〜１ｄの停止位置の精度幅よりも大きな幅の遮光領域１７で取り囲まれている。

遮光領域１７は、例えばクロムから成る。遮光領域１７の幅（Ｗ＋ΔＷ）は、
遮光板１ａ〜１ｄの機械的な停止位置の精度幅Ｗよりも広いことが好ましい。一般には、遮光板１ａ〜１ｄの機械的な停止位置の精度幅Ｗは０．８ｍｍ程度であるので、遮光領域１７の幅は、０．９ｍｍ以上であることが好ましい。

６つの単位領域Ａ２，Ｂ２，Ｃ２，Ｄ２，Ｅ２，Ｆ２に形成されている透過パターンは、互いに異なっていて良い。これにより、使用する単位領域Ａ２，Ｂ２，Ｃ２，Ｄ２，Ｅ２，Ｆ２ごとに異なる回路パターンまたは素子パターンを形成することができる。

第２のレクチル１２ｂで複数のチップ領域を一括的に露光しようとすると露光領域がウエハ６のエッジ７にかかってしまう場合、すなわち、ウエハ６のエッジ７付近のチップ領域を露光する場合に、第１のレクチル１２ａが用いられる。

次に、半導体装置の回路パターンや素子パターンの形成方法を説明する。まず、ウエハ６上にフォトレジストと呼ばれる感光性物質（レジスト）を塗布する。フォトレジストは、ポジ型レジストであっても、ネガ型レジストであっても良い。次に、レチクルに描かれた回路のパターンを介して、感光性物質が塗付されたウエハ６を露光し、感光性物質にパターンを焼き付ける。露光したウエハを現像液に浸し、余分なレジストを除去する。これによりウエハ６上にレジストにより形成された回路パターンが表れる。その後、レジストで描かれたパターンを利用して、ウエハ６に回路パターンなどを作成する。

次に、図７および図８に示すレチクル１２ａ，１２ｂを用いた露光方法を説明する。図９は、ウエハ６のエッジ７にかからないショットの例として第１のショット１８ａを、ウエハ６のエッジ７にかかるショットの例として第２のショット１８ｂおよび第３のショット１８ｃを模式的に示している。

第１のショット１８ａでは、第２のレクチル１２ｂの全ての単位領域Ａ〜Ｌを通った露光光が、ウエハ６上の有効なチップ領域に照射されるため、全てのチップ領域が有効チップとなる。したがって、第１のショット１８ａでは、第２のレチクル１２ｂの複数の単位領域Ａ〜Ｌを介して１２個のチップ領域を一括して露光する。このように、ウエハ６の中央の領域では、第２のフォトマスク１２ｂを用いて露光処理を順次行う。

第２のショット１８ｂでは、第１のレチクル１２ａを用いてウエハ６上のチップ領域を露光する。第１のレクチル１２ａを用いたウエハ６の露光は、第２のレクチル１２ｂを用いた一括的な露光によって露光されなかったチップ領域に対して行う。ここでは、第１のレクチル１２ａを用いたウエハ６の露光は、第２のレクチル１２ｂを用いて一括的に露光された複数のチップ領域とウエハ６のエッジ７との間にあるチップ領域に対して行う。

図１０は、第１のレクチル１２ａによってウエハ６を露光するときのブラインド機構３０の状態を示している。図１０に示す例では、まず、遮光板１ａ〜１ｄの端辺を第１のレクチル１２ａの遮光領域１７上に移動させ、遮光板１ａ〜１ｄによって第１のレクチル１２ａの１つの単位領域Ａ２を露出させる開口４を形成する。次に、開口４から露出した単位領域Ａ２を介して感光性物質が塗付されたウエハ６の露光を行う。

第２のショット１８ｂでは、第１のレチクル１２ａの１つの単位領域Ａ２を開口４から露出させ、１つの単位領域Ａ２のみ露光光が透過するようにブラインド機構３０を調整する。そして、第２のレクチル１２ｂを用いて一括的に露光された複数のチップ領域とウエハ６のエッジ７との間にあるチップ領域に対し、１チップ領域ずつ３回露光する。

第３のショット１８ｃでは、同様に、第２のレクチル１２ｂを用いて一括的に露光された複数のチップ領域とウエハ６のエッジ７との間にあるチップ領域に対し、１チップ領域ずつ６回露光する。このように、第１のフォトマスク１２ａを用いたウエハ６の露光はチップ領域ごとに行うことが好ましい。

なお、ある露光とその次の露光との間に、ウエハ６を搭載したステージ５６を所定の距離だけ移動させることにより、所定のチップ領域に順番に露光光を照射することができる。

上記の第１のフォトマスク１２ａでは、各単位領域Ａ２〜Ｆ２の周りに、遮光板１ａ〜１ｄの停止位置の誤差精度よりも広い遮光領域１７が形成されているので、遮光板１ａ〜１ｄの端辺を確実に第１のフォトマスク１２ａの遮光領域１７上に停止させることができる。これにより、遮光板１ａ〜１ｄの停止位置の誤差が生じたとしても、遮光領域１７のおかげで、本来露光されるべきチップ領域のみに露光光を照射することができる。このように、上記の露光方法によれば、遮光板１ａ〜１ｄの停止位置のずれに起因する露光不良を防ぐことができる。その結果、ウエハ６のパターニング不良を抑制することができる。

１ａ〜１ｄ 遮光板
６ ウエハ
１２ａ 第１のレクチル
１２ｂ 第２のレクチル
１４ 遮光領域
１７ 遮光領域
３０ ブラインド機構
５１ 光源

Claims (12)

1. 第１の方向に延在し前記第１の方向と交差する第２の方向に移動可能な第１の遮光板、前記第１の方向に延在し前記第２の方向に移動可能な第２の遮光板、前記第２の方向に延在し前記第１の方向に移動可能な第３の遮光板、および前記第２の方向に延在し前記第１の方向に移動可能な第４の遮光板を有し、前記遮光板により露光領域を規定する開口を形成するブラインド機構と、前記遮光板の停止位置の精度幅よりも大きな幅の遮光領域で取り囲まれた単位領域であってウエハ上のチップ領域に対応する透光パターンを有する単位領域を少なくとも１つ有する第１のフォトマスクと、を準備するステップと、
   前記遮光板の端辺を前記遮光領域上に移動させ、前記第１、第２、第３および第４の遮光板により前記単位領域を露出させる開口を形成するステップと、
   前記開口から露出した前記単位領域を介して感光性物質が塗付されたウエハの露光を行うステップと、備えた露光方法。
2. 前記ウエハの複数のチップ領域に対応した透光パターンを有する複数の単位領域が互いに隣接して形成された第２のフォトマスクを準備するステップと、
   前記第２のフォトマスクの前記複数の単位領域を介して前記ウエハの互いに隣接する複数のチップ領域の一括的な露光を行うステップと、をさらに有し、
   前記第１のフォトマスクを用いた前記ウエハの露光は、前記第２のフォトマスクを用いた一括的な露光により露光されなかったチップ領域に対して行う、請求項１に記載の露光方法。
3. 前記第１のフォトマスクを用いた前記ウエハの露光は、前記第２のフォトマスクを用いて一括的に露光された前記複数のチップ領域と前記ウエハのエッジとの間にあるチップ領域に対して行う、請求項２に記載の露光方法。
4. 前記第１のフォトマスクを用いた前記ウエハの露光は前記チップ領域ごとに行う、請求項１から３のいずれか１項に記載の露光方法。
5. 前記遮光領域の幅は０．９ｍｍ以上である、請求項１から４のいずれか１項に記載の露光方法。
6. 所定の透光パターンを有するフォトマスクを介してウエハを露光する露光装置であって、
   第１の方向に延在し前記第１の方向と交差する第２の方向に移動可能な第１の遮光板と、前記第１の方向に延在し前記第２の方向に移動可能な第２の遮光板と、前記第２の方向に延在し前記第１の方向に移動可能な第３の遮光板と、前記第２の方向に延在し前記第１の方向に移動可能な第４の遮光板と、を有し、前記遮光板により露光領域を規定する開口を形成するブラインド機構と、
   前記遮光板の停止位置の精度幅よりも大きな幅の遮光領域で取り囲まれた単位領域であってウエハ上のチップ領域に対応する透光パターンを有する単位領域を少なくとも１つ有し、前記ブラインド機構より規定された前記露光領域に配置可能な第１のフォトマスクと、を備えた露光装置。
7. 前記ブラインド機構より規定された前記露光領域に配置可能な第２のフォトマスクであって、ウエハの互いに隣接した複数のチップ領域に対応した透光パターンを有する複数の単位領域が互いに隣接して形成されている第２のフォトマスクをさらに有している、請求項６に記載の露光装置。
8. 前記第１のフォトマスクは、互いに異なる透光パターンを有する複数の前記単位領域を有し、
   前記遮光領域は、各々の前記単位領域の周囲を取り囲み、前記遮光板の停止位置の精度幅よりも大きな幅を有している、請求項６または７に記載の露光装置。
9. 前記遮光領域の幅は０．９ｍｍ以上である、請求項６から８のいずれか１項に記載の露光装置。
10. 第１の方向に延在し前記第１の方向と交差する第２の方向に移動可能な第１の遮光板と、前記第１の方向に延在し前記第２の方向に移動可能な第２の遮光板と、前記第２の方向に延在し前記第１の方向に移動可能な第３の遮光板と、前記第２の方向に延在し前記第１の方向に移動可能な第４の遮光板と、を有し、前記遮光板により露光領域を規定する開口を形成するブラインド機構を備えた露光装置に用いられるフォトマスクであって、
    前記遮光板の停止位置の精度幅よりも大きな幅の遮光領域で取り囲まれた単位領域であってウエハ上のチップ領域に対応する透光パターンを有する単位領域を少なくとも１つ有する、フォトマスク。
11. 前記フォトマスクは、互いに異なる透光パターンを有する複数の前記単位領域を有し、
    前記遮光領域は、各々の前記単位領域の周囲を取り囲み、前記遮光板の停止位置の精度幅よりも大きな幅を有している、請求項１１に記載のフォトマスク。
12. 前記遮光領域の幅は０．９ｍｍ以上である、請求項１０または１１に記載のフォトマスク。

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