JP2014072415A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014072415A JP2014072415A JP2012217989A JP2012217989A JP2014072415A JP 2014072415 A JP2014072415 A JP 2014072415A JP 2012217989 A JP2012217989 A JP 2012217989A JP 2012217989 A JP2012217989 A JP 2012217989A JP 2014072415 A JP2014072415 A JP 2014072415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting element
- emitting device
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 166
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 164
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 164
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 97
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 97
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- -1 fluororesin Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】発光装置1は、中央に凹部10aが形成された積層基板10と、凹部10aの底面に形成された金属膜20と、金属膜20上に配置された発光素子30と、発光素子30の周囲に形成された光反射性樹脂50と、凹部10a内に充填された封止樹脂60とを備え、積層基板10に、発光素子30の側面から所定間隔をあけた位置で、発光素子30の周囲に断続的に形成された溝部15,16,17,18が形成され、光反射性樹脂50が、凹部10aの底面において、溝部15,16,17,18によってせき止められ、溝部15,16,17,18の外側に形成されている。
【選択図】図1
Description
[発光装置の構成]
本発明の第1実施形態に係る発光装置1の構成について、図1〜図4を参照しながら詳細に説明する。発光装置1は、例えば表示装置や照明装置の光源として利用できるものである。発光装置1は、ここでは図1および図2に示すように、積層基板10と、金属膜20と、発光素子30と、保護素子40と、光反射性樹脂50と、封止樹脂60と、を備えている。
以下、本発明の実施形態に係る発光装置1の製造方法について、図5を参照(適宜図1〜図4を参照)しながら説明する。発光装置1の製造方法は、ここでは図5(a)から図5(d)にそれぞれ示すように、積層基板作成工程と、発光素子設置工程と、光反射性樹脂形成工程と、封止樹脂形成工程とをこの順番で行う。なお、以下では、図1に示す保護素子40を設置する工程および保護素子40をワイヤボンディングする工程については説明を省略する。
に、積層基板10の段差部10bの表面、すなわち第3基板13上まで樹脂材料50aがかかるように滴下する。すると、樹脂材料50aは、図6(b)に示すように、毛細管現象によって積層基板10の凹部10aの内側面全体に広がる。また、樹脂材料50aは、図6(c)に示すように、凹部10aの内側面全体、すなわち凹部10aの内側面の頂点まで到達すると、表面張力によって止まり、その後は凹部10aの中心、すなわち発光素子30の方向に向かって進行する。
本発明の第2実施形態に係る発光装置1Aについて、図7を参照しながら説明する。ここで、発光装置1Aは、図7に示すように、積層基板10の代わりに積層基板10Aを備え、溝部15〜18の代わりに溝部15A,16Aを備え、金属膜20の代わりに金属膜20Aを備え、発光素子30の代わりに発光素子30Aを備えること以外は、前記した第1実施形態に係る発光装置1(図1参照)と同様の構成を備えている。従って、以下では、前記した発光装置1と重複する構成について説明を省略するとともに、発光装置1Aの製造方法についても説明を省略する。なお、図7は、実際の発光装置1Aの構成から、保護素子40と、光反射性樹脂50と、封止樹脂60と、ワイヤWとを取り除いたものを示している。
本発明の第3実施形態に係る発光装置1Bについて、図8を参照しながら説明する。ここで、発光装置1Bは、図8に示すように、積層基板10の代わりに積層基板10Bを備え、溝部15〜18の代わりに溝部15B,16B,17B,18Bを備え、金属膜20の代わりに金属膜20Bを備え、発光素子30の代わりに発光素子30Aを備えること以外は、前記した第1実施形態に係る発光装置1(図1参照)と同様の構成を備えている。従って、以下では、前記した発光装置1と重複する構成について説明を省略するとともに、発光装置1Bの製造方法についても説明を省略する。なお、図8は、実際の発光装置1Bの構成から、保護素子40と、光反射性樹脂50と、封止樹脂60と、ワイヤWとを取り除いたものを示している。
10,10A,10B,10C 積層基板
10a 凹部
10b 段差部
11 第1基板
12 第2基板
12a 開口部
13 第3基板
13a 開口部
14 第4基板
14a 開口部
15,16,17,18 溝部
15A,16A 溝部
15B,16B,17B,18B 溝部
15C,16C 溝部
20,20A,20B 金属膜
21,21A,21B P側配線
211 保護素子配置部
212,213,216,217,212A,213A,211B,212B 周回部
214 接続部
215,251 延出部
22,22A,22B N側配線
221,221A 接続部
222,223,222A,223A,221B,222B,224B,225B 周回部
223B 設置部
23,23A,23B N側配線
231 接続部
232,233 周回部
24 保護素子用他側配線
25 金属膜
251 延出部
252 253 周回部
254 設置部
26 包囲用配線
30,30A,30B,30C 発光素子
31,31A,31B P電極
311 第1辺部
312 第2辺部
313 第3辺部
314 第4辺部
32,33,32A,32B N電極
32a,33a 開口部
32b,33b 延伸部
40 保護素子
50 光反射性樹脂
50a 樹脂材料
60 封止樹脂
CM カソードマーク
W ワイヤ
Claims (9)
- 複数の板状部材が積層されて構成され、中央に凹部が形成された積層基板と、当該凹部の底面に形成された金属膜と、当該金属膜上に配置された発光素子と、前記凹部内において、前記発光素子の周囲に形成された光反射性樹脂と、前記発光素子および前記光反射性樹脂を覆うように前記凹部内に充填された封止樹脂と、を備える発光装置であって、
前記積層基板には、前記発光素子の側面から所定間隔をあけた位置で、前記発光素子の周囲に断続的に形成された溝部が形成され、
前記光反射性樹脂は、前記積層基板の凹部の底面において、前記積層基板の溝部によってせき止められ、前記溝部の外側に形成されていることを特徴とする発光装置。 - 前記金属膜は、前記発光素子の下部に形成された接続部と、前記発光素子の側面から前記所定間隔をあけた位置で、前記発光素子の周囲に断続的に形成された周回部と、を有し、
前記積層基板の溝部は、前記金属膜の周回部の間に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記金属膜の周回部と前記積層基板の溝部とは、平面視において隣接していることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
- 前記金属膜の周回部は、前記発光素子の辺部から前記所定間隔をあけた位置で、前記辺部に沿って形成され、
前記積層基板の溝部は、前記発光素子の辺部同士を接続する角部から前記所定間隔をあけた位置に形成されていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の発光装置。 - 前記金属膜の周回部は、前記発光素子の4つの辺部のうち、互いに対向する第1辺部および第2辺部からそれぞれ前記所定間隔をあけた位置で、前記第1辺部および前記第2辺部に沿って形成され、
前記積層基板の溝部は、前記発光素子の4つの辺部のうち、互いに対向する第3辺部および第4辺部からそれぞれ前記所定間隔をあけた位置で、前記第3辺部および前記第4辺部に沿って形成されていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の発光装置。 - 前記積層基板の溝部と前記金属膜の周回部とは、前記積層基板の凹部の内側面から当該凹部の中心に向かう方向において、前記溝部、前記周回部の順番でそれぞれの一部が隣接するように形成されていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
- 前記積層基板の溝部の深さは、5〜100μmであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記金属膜の厚さは、5〜100μmであることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記光反射性樹脂は、粘度が1〜20Pa・sの樹脂を用いて形成されたことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012217989A JP6024352B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 発光装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012217989A JP6024352B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 発光装置およびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014072415A true JP2014072415A (ja) | 2014-04-21 |
JP2014072415A5 JP2014072415A5 (ja) | 2015-10-15 |
JP6024352B2 JP6024352B2 (ja) | 2016-11-16 |
Family
ID=50747346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012217989A Active JP6024352B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 発光装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6024352B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016100385A (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-30 | パイオニア株式会社 | 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法 |
JP2017016924A (ja) * | 2015-07-02 | 2017-01-19 | 株式会社アルバジャパン | Ledランプ |
JP2017130640A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017204623A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US9859480B2 (en) | 2015-08-20 | 2018-01-02 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
JP2018101803A (ja) * | 2013-03-05 | 2018-06-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018174355A (ja) * | 2018-08-02 | 2018-11-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2019087763A (ja) * | 2019-03-01 | 2019-06-06 | パイオニア株式会社 | 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法 |
JP2019102599A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP3675188A1 (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-01 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
JP2021022605A (ja) * | 2019-07-25 | 2021-02-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295892A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Nichia Corp | 発光装置 |
-
2012
- 2012-09-28 JP JP2012217989A patent/JP6024352B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009295892A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Nichia Corp | 発光装置 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018101803A (ja) * | 2013-03-05 | 2018-06-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2016100385A (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-30 | パイオニア株式会社 | 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法 |
JP2017016924A (ja) * | 2015-07-02 | 2017-01-19 | 株式会社アルバジャパン | Ledランプ |
JP2017204623A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US9859480B2 (en) | 2015-08-20 | 2018-01-02 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
US10153411B2 (en) | 2015-08-20 | 2018-12-11 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
JP2017130640A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2019102599A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2018174355A (ja) * | 2018-08-02 | 2018-11-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11189765B2 (en) | 2018-12-28 | 2021-11-30 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
EP3675188A1 (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-01 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
US11616179B2 (en) | 2018-12-28 | 2023-03-28 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
US12080835B2 (en) | 2018-12-28 | 2024-09-03 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
JP2019087763A (ja) * | 2019-03-01 | 2019-06-06 | パイオニア株式会社 | 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法 |
JP2021022605A (ja) * | 2019-07-25 | 2021-02-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法 |
US11362248B2 (en) | 2019-07-25 | 2022-06-14 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light-emitting device, light-emitting device, element mounting wiring board |
JP7348486B2 (ja) | 2019-07-25 | 2023-09-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置、並びに、素子載置用配線基板及び素子載置用配線基板の製造方法 |
US11791448B2 (en) | 2019-07-25 | 2023-10-17 | Nichia Corporation | Light-emitting device and element mounting wiring board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6024352B2 (ja) | 2016-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6024352B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP6056336B2 (ja) | 発光装置 | |
KR101064036B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 | |
JP6269702B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
TWI546984B (zh) | 發光元件模組 | |
JP6387954B2 (ja) | 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法 | |
JP6107415B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6959548B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP5991065B2 (ja) | 発光装置 | |
US20130020600A1 (en) | Light emitting diode package | |
JP2015023219A (ja) | Led発光装置およびled発光装置の製造方法 | |
JP2014123688A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2017118081A (ja) | 発光装置 | |
JP5573602B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5350947B2 (ja) | 発光ダイオード | |
US20210184090A1 (en) | Light emitting device package and light source device | |
JP2013197450A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP5436353B2 (ja) | 発光装置 | |
KR101081170B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 | |
JP6064415B2 (ja) | 発光装置 | |
JPWO2016174892A1 (ja) | Ledパッケージ、発光装置およびledパッケージの製造方法 | |
JP2015111626A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP6028443B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7181489B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6402890B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150901 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150901 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160913 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6024352 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |