JP2014072346A - Hollow sealing structure and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hollow sealing structure which is hollow-sealed without leaking a resin to a hollow part, and to provide a manufacturing method of the hollow sealing structure.SOLUTION: A hollow sealing structure 1 comprises: a substrate 10; a cap 30 placed on the substrate; a first resin layer 40 which fills a gap between the cap and the substrate; a resin accumulation part 31 which is provided in at least a part of the cap and is filled with a resin of the first resin layer; and a second resin layer 50 which is formed so as to cover the cap. In a manufacturing method of the hollow sealing structure, the first resin layer 40 for filling a gap between the substrate and the cap 30 is formed by supplying or molding the resin onto the substrate 10. Then, the cap and the first resin layer are adhered or fixed to each other, and the second resin layer 50 is formed so as to cover the cap by a transfer mold method and seals the cap.

Description

本発明は、半導体チップを中空封止する中空封止構造、及び中空封止構造の製造方法に関する。   The present invention relates to a hollow sealing structure for hollow-sealing a semiconductor chip and a method for manufacturing the hollow sealing structure.

電子装置の高性能化、高品質化、小型化、低価格化などの要求に対して、半導体チップの改良だけでなく、半導体素チップを覆う封止構造の改良が必要となってきている。しかしながら、特に２０ＧＨｚ以上の高周波（マイクロ波）領域においては、電気的性能、気密性、低コストの３つを満足する封止構造を実現することは困難である。   In response to demands for higher performance, higher quality, smaller size, and lower price of electronic devices, it is necessary to improve not only the semiconductor chip but also the sealing structure that covers the semiconductor element chip. However, particularly in a high frequency (microwave) region of 20 GHz or more, it is difficult to realize a sealing structure that satisfies the three of electrical performance, air tightness, and low cost.

一般に、電磁波の周波数が高くなると、物質中を電磁波が伝播するときの減衰エネルギーが増大する。このため、ＢＳ・ＣＳ放送、マイクロ波通信機、レーダー装置などの高周波機器では、半導体チップの電極と、この電極から引き出されるワイヤーボンディングを中空状態に気密する構造（中空封止構造）が採用されている。   In general, as the frequency of electromagnetic waves increases, the attenuation energy when electromagnetic waves propagate through a substance increases. For this reason, high-frequency equipment such as BS / CS broadcasts, microwave communication devices, radar devices, etc. employs a structure that seals the electrode of the semiconductor chip and the wire bonding drawn from this electrode in a hollow state (hollow sealing structure). ing.

例えば特許文献１には、基板に形成された導体パターン上に、キャップの端部を接着樹脂層によって固定した後に、樹脂フィルムによってキャップを覆い、さらに熱硬化性樹脂によってキャップを覆う中空封止構造が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a hollow sealing structure in which an end portion of a cap is fixed with an adhesive resin layer on a conductor pattern formed on a substrate, and then the cap is covered with a resin film and further covered with a thermosetting resin. Is disclosed.

特開２００９−２８３５５３号公報JP 2009-283553 A

ところで、基板上には導体パターンの凹凸が形成されており、この凹凸によって基板とキャップの間には、隙間が生じる。このような隙間がある場合、キャップの外方から内方に向けて上述した隙間から熱硬化性樹脂が侵入し、導体パターン上に樹脂が広がり、電子装置の電気特性に悪影響を及ぼすことがある。特に、高周波信号を用いる場合は、導体パターンの厚みを厚くする必要があり、隙間が大きくなり問題となりやすい。   By the way, the unevenness | corrugation of a conductor pattern is formed on the board | substrate, and a clearance gap produces between a board | substrate and a cap by this unevenness | corrugation. When such a gap exists, the thermosetting resin enters from the gap described above from the outside of the cap to the inside, and the resin spreads on the conductor pattern, which may adversely affect the electrical characteristics of the electronic device. . In particular, when a high-frequency signal is used, it is necessary to increase the thickness of the conductor pattern, which tends to cause a problem because the gap becomes large.

特許文献１に記載の中空封止構造のように、接着樹脂層を形成しても上述の隙間を完全に埋めることは困難であり、さらなる改良が求められている。また、接着樹脂層の厚みを厚くするために、接着樹脂層となる樹脂の供給量を多くした場合、樹脂がキャップに押されてキャップの外側や中空部内へ樹脂がはみ出すという問題が生じる。   Like the hollow sealing structure described in Patent Document 1, it is difficult to completely fill the above-described gap even if an adhesive resin layer is formed, and further improvements are required. Further, when the supply amount of the resin serving as the adhesive resin layer is increased in order to increase the thickness of the adhesive resin layer, there is a problem that the resin is pushed by the cap and the resin protrudes to the outside of the cap or into the hollow portion.

この発明は前述した事情に鑑みてなされたものであって、中空部に樹脂が漏れることなく中空封止された中空封止構造、及び中空封止構造の製造方法を提供することを目的とする。   This invention is made in view of the situation mentioned above, Comprising: It aims at providing the manufacturing method of the hollow sealing structure by which hollow sealing was carried out without resin leaking in a hollow part, and a hollow sealing structure .

前述の課題を解決するため、本発明の中空封止構造は、基板と、該基板に配置されるキャップと、前記キャップと前記基板との隙間を埋める第一樹脂層と、前記キャップの少なくとも一部に設けられ、前記第一樹脂層の樹脂が充填される樹脂溜り部と、前記キャップを覆うように形成された第二樹脂層と、を備えることを特徴としている。
また、本発明の中空封止構造の製造方法は、基板上に樹脂を供給または成型することによって前記基板と前記キャップとの隙間を埋める第一樹脂層を形成し、前記キャップと前記第一樹脂層を密着または固定し、トランスファーモールド法によってキャップを覆うように第二樹脂層を形成し、封止することを特徴としている。 In order to solve the above-described problems, a hollow sealing structure of the present invention includes a substrate, a cap disposed on the substrate, a first resin layer that fills a gap between the cap and the substrate, and at least one of the caps. And a second resin layer formed so as to cover the cap. The resin reservoir portion is provided in the first portion and is filled with the resin of the first resin layer.
The method for producing a hollow sealing structure of the present invention includes forming a first resin layer that fills a gap between the substrate and the cap by supplying or molding a resin on the substrate, and the cap and the first resin. The layer is adhered or fixed, and a second resin layer is formed so as to cover the cap by a transfer molding method and sealed.

本発明によれば、中空部に樹脂が漏れることなく中空封止された中空封止構造、及び中空封止構造の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the hollow sealing structure sealed hollow without resin leaking in a hollow part, and the manufacturing method of a hollow sealing structure can be provided.

本発明の第一実施形態に係る中空封止構造の平面図である。It is a top view of the hollow sealing structure which concerns on 1st embodiment of this invention. 図１のＡ−Ａ矢視断面図である。It is AA arrow sectional drawing of FIG. 図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。It is BB arrow sectional drawing of FIG. 第一実施形態に係る中空封止構造の製造工程の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing process of the hollow sealing structure which concerns on 1st embodiment. 第一実施形態に係る中空封止構造の製造工程の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing process of the hollow sealing structure which concerns on 1st embodiment. 第一実施形態に係る中空封止構造の製造工程の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing process of the hollow sealing structure which concerns on 1st embodiment. 第一実施形態に係る中空封止構造の製造工程の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing process of the hollow sealing structure which concerns on 1st embodiment. 第一実施形態に係る中空封止構造の製造工程の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing process of the hollow sealing structure which concerns on 1st embodiment. 第一実施形態に係る中空封止構造の製造工程の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing process of the hollow sealing structure which concerns on 1st embodiment. 第一実施形態の中空封止構造の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the hollow sealing structure of 1st embodiment. 第二実施形態に係る中空封止構造の断面図である。It is sectional drawing of the hollow sealing structure which concerns on 2nd embodiment. 第三実施形態に係る中空封止構造の断面図である。It is sectional drawing of the hollow sealing structure which concerns on 3rd embodiment. 第四実施形態に係る中空封止構造の断面図である。It is sectional drawing of the hollow sealing structure which concerns on 4th embodiment. 第五実施形態に係る中空封止構造の断面図である。It is sectional drawing of the hollow sealing structure which concerns on 5th embodiment. 第六実施形態に係る中空封止構造の断面図である。It is sectional drawing of the hollow sealing structure which concerns on 6th embodiment. 第六実施形態に係る中空封止構造を平面視方向から見た時の概略図である。It is the schematic when the hollow sealing structure which concerns on 6th embodiment is seen from a planar view direction.

（第一実施形態）
以下に、本発明の実施の形態について添付した図面を参照して説明する。
図１に本発明の第一実施形態に係る中空封止構造の平面図を示す。図２に図１のＡ−Ａ矢視断面図、図３に図１のＢ−Ｂ矢視断面図を示す。
第一実施形態に係る中空封止構造１は、半導体チップ６０が載置された基板１０と、基板１０上に配置されるキャップ３０と、第一樹脂層４０と、キャップ３０の底面に設けられた凹部３１（樹脂溜り部）と、キャップ３０を覆うように形成された第二樹脂層５０（熱硬化性樹脂層）とを備えている（図１及び図２参照）。 (First embodiment)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 shows a plan view of a hollow sealing structure according to the first embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
The hollow sealing structure 1 according to the first embodiment is provided on the substrate 10 on which the semiconductor chip 60 is placed, the cap 30 disposed on the substrate 10, the first resin layer 40, and the bottom surface of the cap 30. And a second resin layer 50 (thermosetting resin layer) formed so as to cover the cap 30 (see FIGS. 1 and 2).

基板１０の上面には、配線パターン２０（導体パターン）が形成され、半導体チップ６０がＡｇペーストやワイヤーボンディング２１によって配線パターン２０上に実装されている。
キャップ３０は、半導体チップ６０を封止するためのものであり、一方向（図２において下方）に開口して半導体チップ６０を覆っている。このキャップ３０の内方は気密に封止されている。 A wiring pattern 20 (conductor pattern) is formed on the upper surface of the substrate 10, and the semiconductor chip 60 is mounted on the wiring pattern 20 by Ag paste or wire bonding 21.
The cap 30 is for sealing the semiconductor chip 60 and opens in one direction (downward in FIG. 2) to cover the semiconductor chip 60. The inside of the cap 30 is hermetically sealed.

第一樹脂層４０は、液状樹脂や低弾性樹脂によって構成されており、本実施形態においては、低弾性樹脂によって構成された低弾性樹脂層である。この第一樹脂層４０は、例えば樹脂の供給または成型によって設けることができる。
凹部３１（樹脂溜り部）はキャップ３０の厚み方向において、キャップ３０の底面の中央付近に形成されており、この凹部３１内は、第一樹脂層４０の樹脂によって埋められている。
第二樹脂層５０は、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂で構成されており、この第二樹脂層５０はトランスファーモールド法によって形成できる。具体的には、第二樹脂層５０は、キャップ３０の上面及び外周面を覆っている。 The first resin layer 40 is made of a liquid resin or a low elastic resin. In the present embodiment, the first resin layer 40 is a low elastic resin layer made of a low elastic resin. The first resin layer 40 can be provided, for example, by supplying or molding a resin.
The recess 31 (resin reservoir) is formed near the center of the bottom surface of the cap 30 in the thickness direction of the cap 30, and the inside of the recess 31 is filled with the resin of the first resin layer 40.
The second resin layer 50 is made of, for example, an epoxy-based thermosetting resin, and the second resin layer 50 can be formed by a transfer molding method. Specifically, the second resin layer 50 covers the upper surface and the outer peripheral surface of the cap 30.

図３に示すように、基板１０上には配線パターン２０が形成されており、キャップ３０を配線パターン２０上にそのまま載せるだけでは、基板１０とキャップ３０との間に隙間が発生してしまう。このような隙間が存在すると、第二樹脂層５０を形成する際に、第二樹脂層５０の樹脂（熱硬化性樹脂）が中空部の内部へと侵入することがある。したがって、この隙間を埋めるために、本実施形態においては、第一樹脂層４０が形成されている。
しかしながら、このような第一樹脂層４０を形成した場合には、第一樹脂層４０の樹脂が、キャップ３０の底面からキャップ３０の外側や中空部に広がることがある。このため、本実施形態においては、樹脂が中空部に広がることを防止するために、凹部３１（樹脂溜り部）が設けられているのである。 As shown in FIG. 3, the wiring pattern 20 is formed on the substrate 10, and if the cap 30 is simply placed on the wiring pattern 20, a gap is generated between the substrate 10 and the cap 30. When such a gap exists, when the second resin layer 50 is formed, the resin (thermosetting resin) of the second resin layer 50 may enter the hollow portion. Therefore, in order to fill this gap, the first resin layer 40 is formed in the present embodiment.
However, when such a first resin layer 40 is formed, the resin of the first resin layer 40 may spread from the bottom surface of the cap 30 to the outside of the cap 30 or the hollow portion. For this reason, in this embodiment, in order to prevent the resin from spreading into the hollow portion, the concave portion 31 (resin reservoir portion) is provided.

次に、本実施形態に係る中空封止構造の製造方法について、図４から図９を用いて以下に詳細を説明する。   Next, the manufacturing method of the hollow sealing structure according to the present embodiment will be described in detail below with reference to FIGS.

まず、図４に示すように、基板１０上の所定の位置に配線パターン２０（導体パターン）を形成し、さらにＡｇペースト塗布やワイヤーボンディング２１によって半導体チップ６０を基板１０上に搭載する。
次に、図５に示すように、ノズル７１を使用して、基板１０上の配線パターン２０に対応する位置に第一樹脂層４０を構成する樹脂４１（低弾性樹脂）を基板１０上に供給する。このとき、樹脂４１の供給量、供給高さを適宜調節する。具体的には、キャップ３０の凹部３１の大きさ、形状に対応するように樹脂４１が供給されれば良く、樹脂４１が中空部に漏れないように調節する。 First, as shown in FIG. 4, the wiring pattern 20 (conductor pattern) is formed at a predetermined position on the substrate 10, and the semiconductor chip 60 is mounted on the substrate 10 by Ag paste application or wire bonding 21.
Next, as shown in FIG. 5, using a nozzle 71, a resin 41 (low elasticity resin) constituting the first resin layer 40 is supplied onto the substrate 10 at a position corresponding to the wiring pattern 20 on the substrate 10. To do. At this time, the supply amount and supply height of the resin 41 are adjusted as appropriate. Specifically, the resin 41 may be supplied so as to correspond to the size and shape of the recess 31 of the cap 30, and the resin 41 is adjusted so as not to leak into the hollow portion.

次いで、図６に示すように、キャップ３０を吸着パッド７２によって吸着搬送し、キャップ３０の底面の凹部３１が樹脂の上側へ対応するように、キャップ３０を接近させ加圧していき、キャップ３０を図７に示すように、基板側へ密着させる。このとき、樹脂４１が基材と配線パターン２０との隙間（凹凸）を埋め、さらにキャップ３０の底面に設けられた凹部３１が樹脂と密着する。   Next, as shown in FIG. 6, the cap 30 is sucked and conveyed by the suction pad 72, and the cap 30 is approached and pressurized so that the concave portion 31 on the bottom surface of the cap 30 corresponds to the upper side of the resin. As shown in FIG. At this time, the resin 41 fills the gap (unevenness) between the base material and the wiring pattern 20, and the recess 31 provided on the bottom surface of the cap 30 is in close contact with the resin.

次いで、樹脂４１を硬化させ第一樹脂層４０を形成し、基板１０に対するキャップ３０の密着強度をより強固にする。このとき、第一樹脂層４０を構成する樹脂４１の種類に応じて、樹脂を硬化させる温度及び時間を調節する。
そして、図８に示すように、トランスファーモールド法によって、金型７３、キャップ３０、基板１０とで囲まれたキャビティを形成し、このキャビティ内に熱硬化性樹脂５１を充填し、キャップ３０を覆うように熱硬化性樹脂５１で封止する。このとき、本実施形態においては、第一樹脂層４０が形成されているので、キャップ３０内に熱硬化性樹脂５１が漏れることが防止されている。 Next, the resin 41 is cured to form the first resin layer 40, and the adhesion strength of the cap 30 to the substrate 10 is further strengthened. At this time, the temperature and time for curing the resin are adjusted according to the type of the resin 41 constituting the first resin layer 40.
Then, as shown in FIG. 8, a cavity surrounded by the mold 73, the cap 30 and the substrate 10 is formed by transfer molding, and the thermosetting resin 51 is filled in the cavity to cover the cap 30. In this way, the thermosetting resin 51 is sealed. At this time, in the present embodiment, since the first resin layer 40 is formed, the thermosetting resin 51 is prevented from leaking into the cap 30.

また、キャップ３０を覆う第二樹脂層５０をトランスファーモールド法により形成する際、キャップ３０には熱硬化性樹脂５１の圧力がかかるので、キャップ３０を加圧しながら封止することになる。そのため、キャップ３０と第一樹脂層４０の隙間（凹凸）をより埋めることが可能である。特に、第一樹脂層４０が低弾性樹脂の場合には、その樹脂自体が変形するため、さらに隙間（凹凸）を埋めることが可能である。   Further, when the second resin layer 50 covering the cap 30 is formed by the transfer molding method, the cap 30 is sealed while being pressurized, since the pressure of the thermosetting resin 51 is applied to the cap 30. Therefore, it is possible to fill the gap (unevenness) between the cap 30 and the first resin layer 40 more. In particular, when the first resin layer 40 is a low-elasticity resin, the resin itself is deformed, so that it is possible to further fill a gap (unevenness).

最後に、熱硬化性樹脂５１を硬化（ポストキュア）させて第二樹脂層５０を形成し、図９に示す中空封止構造１が得られる。このとき、熱硬化性樹脂５１の種類に応じて、硬化させる温度及び時間を調節する。
上記のようにして、本実施形態である中空封止構造１が得られ、中空封止構造１の製造が完了する。 Finally, the thermosetting resin 51 is cured (post-cured) to form the second resin layer 50, and the hollow sealing structure 1 shown in FIG. 9 is obtained. At this time, the temperature and time for curing are adjusted according to the type of the thermosetting resin 51.
The hollow sealing structure 1 which is this embodiment is obtained as mentioned above, and manufacture of the hollow sealing structure 1 is completed.

本発明の中空封止構造１及び中空封止構造の製造方法によれば、基板１０上に第一樹脂層４０を形成しているので、基板１０とキャップ３０との隙間を埋めて、第二樹脂層５０の樹脂が中空部に漏れることを防止することができる。そして、中空封止構造１は、キャップ３０の底面に凹部３１（樹脂溜り部）が形成されているので、第一樹脂層４０の樹脂がキャップ３０の外側や中空部に漏れることも防止して中空封止することが可能である。このように、中空封止構造１は、中空部に樹脂が漏れることなく中空封止されているので、電子装置の性能及び信頼性を向上させることができる。   According to the hollow sealing structure 1 and the manufacturing method of the hollow sealing structure of the present invention, since the first resin layer 40 is formed on the substrate 10, the gap between the substrate 10 and the cap 30 is filled and the second resin layer 40 is filled. It is possible to prevent the resin of the resin layer 50 from leaking into the hollow portion. And since the hollow sealing structure 1 has the recessed part 31 (resin pool part) formed in the bottom face of the cap 30, it prevents that the resin of the 1st resin layer 40 leaks to the outer side of the cap 30, or a hollow part. Hollow sealing is possible. Thus, since the hollow sealing structure 1 is hollow-sealed without the resin leaking into the hollow portion, the performance and reliability of the electronic device can be improved.

なお、図１０に示す第一実施形態の変形例である中空封止構造１のように、キャップ３０の凹部３１内に凸部３１ａが設けられる構成とされても良い。この凸部３１ａは、配線パターン２０の各配線間に突出するように設けられている。
この中空封止構造１０１においても、中空封止構造１と同様に、キャップ３０を固定する際に第一樹脂層４０を構成する樹脂が中空内部へ漏れる、あるいはキャップ３０の外側へ広がることを確実に防止できる。また、凸部３１ａが第一樹脂層４０の樹脂を押圧するので、配線パターン２０と基板１０との角部に樹脂を回り込ませることが可能である。 In addition, you may be set as the structure by which the convex part 31a is provided in the recessed part 31 of the cap 30 like the hollow sealing structure 1 which is a modification of 1st embodiment shown in FIG. The convex portions 31 a are provided so as to protrude between the wirings of the wiring pattern 20.
Also in this hollow sealing structure 101, as in the hollow sealing structure 1, when the cap 30 is fixed, it is ensured that the resin constituting the first resin layer 40 leaks into the hollow interior or spreads outside the cap 30. Can be prevented. Further, since the convex portion 31 a presses the resin of the first resin layer 40, it is possible to make the resin wrap around the corner portion between the wiring pattern 20 and the substrate 10.

また、キャップ３０の底面の凹部３１を第一樹脂層４０の樹脂（低弾性樹脂）と密着させずに、硬化後の第一樹脂層４０（低弾性樹脂層）にキャップ３０の底面の凹部３１を嵌め込んで固定し、中空封止構造を形成することも可能である。   In addition, the concave portion 31 on the bottom surface of the cap 30 is formed on the first resin layer 40 (low elastic resin layer) after curing without bringing the concave portion 31 on the bottom surface of the cap 30 into close contact with the resin (low elastic resin) of the first resin layer 40. Can be fitted and fixed to form a hollow sealing structure.

（第二実施形態）
次に、第二実施形態に係る中空封止構造について説明する。
なお、第一実施形態と同一の構成のものについては、同一の符号を付して記載し、詳細な説明を省略する。 (Second embodiment)
Next, the hollow sealing structure according to the second embodiment will be described.
In addition, about the thing of the same structure as 1st embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and described, and detailed description is abbreviate | omitted.

第一実施形態の中空封止構造１においては、キャップ３０の底面の厚み方向において、底面の中央付近に凹部３１を設ける場合について説明したが、第二実施形態の中空封止構造２０１においては、図１１に示すように、キャップ３０の底面の外周に段差３２（樹脂溜り部）が設けられている。そして、この段差３２と第一樹脂層４０（低弾性樹脂）が密着した構造とされている。この場合、第一樹脂層４０を構成する樹脂をキャップ３０の底面において、外周の段差３２のみに密着するように供給する。   In the hollow sealing structure 1 of the first embodiment, the case where the concave portion 31 is provided near the center of the bottom surface in the thickness direction of the bottom surface of the cap 30 has been described, but in the hollow sealing structure 201 of the second embodiment, As shown in FIG. 11, a step 32 (resin reservoir) is provided on the outer periphery of the bottom surface of the cap 30. The step 32 and the first resin layer 40 (low elastic resin) are in close contact with each other. In this case, the resin constituting the first resin layer 40 is supplied on the bottom surface of the cap 30 so as to be in close contact with only the outer circumferential step 32.

第二実施形態に係る中空封止構造２０１によれば、キャップ３０を加圧して密着する際に、第一樹脂層４０を構成する樹脂が中空部へ漏れることを防止できる。
また、第一樹脂層４０の樹脂が硬化した後に、キャップ３０の段差３２に低弾性樹脂を嵌め込んで固定し、中空封止構造２０１を形成することも可能である。 According to the hollow sealing structure 201 according to the second embodiment, the resin constituting the first resin layer 40 can be prevented from leaking into the hollow portion when the cap 30 is pressed and adhered.
In addition, after the resin of the first resin layer 40 is cured, the hollow sealing structure 201 can be formed by fitting and fixing a low-elasticity resin to the step 32 of the cap 30.

（第三実施形態）
次に、第三実施形態に係る中空封止構造について説明する。
なお、第一実施形態と同一の構成のものについては、同一の符号を付して記載し、詳細な説明を省略する。 (Third embodiment)
Next, the hollow sealing structure according to the third embodiment will be described.
In addition, about the thing of the same structure as 1st embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and described, and detailed description is abbreviate | omitted.

第三実施形態の中空封止構造３０１においては、図１２に示すように、キャップ３０の外周面に突起部３３（樹脂溜り部）を設け、この突起部３３の底面と第一樹脂層４０が密着した中空封止構造３０１とされている。この場合、第一樹脂層４０の樹脂は、キャップ３０外周面の突起部３３において、底面のみに密着するように供給する。   In the hollow sealing structure 301 of the third embodiment, as shown in FIG. 12, a protrusion 33 (resin reservoir) is provided on the outer peripheral surface of the cap 30, and the bottom surface of the protrusion 33 and the first resin layer 40 are provided. The hollow sealing structure 301 is in close contact. In this case, the resin of the first resin layer 40 is supplied so that the protrusion 33 on the outer peripheral surface of the cap 30 is in close contact with only the bottom surface.

第三実施形態の中空封止構造３０１によれば、キャップ３０を基板１０上に密着させる際に、第一樹脂層４０の樹脂が中空部へ漏れることなく中空封止構造３０１を形成することができる。
また、中空封止構造３０１は、第一樹脂層４０を硬化させて形成した後に、第一樹脂層４０にキャップ３０外周面の突起部３３を嵌め込んで固定し、中空封止構造３０１を形成することも可能である。 According to the hollow sealing structure 301 of the third embodiment, the hollow sealing structure 301 can be formed without causing the resin of the first resin layer 40 to leak into the hollow portion when the cap 30 is brought into close contact with the substrate 10. it can.
In addition, the hollow sealing structure 301 is formed by curing the first resin layer 40, and then fitting and fixing the protrusions 33 on the outer peripheral surface of the cap 30 to the first resin layer 40 to form the hollow sealing structure 301. It is also possible to do.

（第四実施形態）
次に、第四実施形態に係る中空封止構造について説明する。
なお、第一実施形態と同一の構成のものについては、同一の符号を付して記載し、詳細な説明を省略する。 (Fourth embodiment)
Next, the hollow sealing structure according to the fourth embodiment will be described.
In addition, about the thing of the same structure as 1st embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and described, and detailed description is abbreviate | omitted.

第四実施形態の中空封止構造４０１においては、図１３に示すように、キャップ３０の開口端の外周面に突起部３４（樹脂溜り部）を設け、さらにこの突起部３４の底面に穴３４ａを形成しており、この穴３４ａに第一樹脂層４０が充填されている。すなわち、穴３４ａと第一樹脂層４０が密着した構造とされている。この場合、第一樹脂層４０の樹脂は、キャップ３０外周面の突起部３４の穴３４ａのみに密着するように供給すると良い。   In the hollow sealing structure 401 of the fourth embodiment, as shown in FIG. 13, a protrusion 34 (resin reservoir) is provided on the outer peripheral surface of the open end of the cap 30, and a hole 34 a is formed on the bottom surface of the protrusion 34. The hole 34a is filled with the first resin layer 40. That is, the hole 34a and the first resin layer 40 are in close contact with each other. In this case, the resin of the first resin layer 40 is preferably supplied so as to be in close contact with only the hole 34 a of the protrusion 34 on the outer peripheral surface of the cap 30.

第四実施形態に係る中空封止構造４０１によれば、キャップ３０を基板１０上に密着させる際に、第一樹脂層４０の樹脂が中空部へ漏れる、またはキャップ３０の外側へ広がるということを防止することができる。
また、中空封止構造４０１は、第一樹脂層４０を硬化させて形成した後に、第一樹脂層４０にキャップ３０の外周面の突起部３４の穴３４ａを嵌め込んで固定し、中空封止構造４０１を形成することもできる。 According to the hollow sealing structure 401 according to the fourth embodiment, when the cap 30 is brought into close contact with the substrate 10, the resin of the first resin layer 40 leaks into the hollow portion or spreads outside the cap 30. Can be prevented.
In addition, the hollow sealing structure 401 is formed by curing the first resin layer 40, and then fitting the hole 34a of the protrusion 34 on the outer peripheral surface of the cap 30 into the first resin layer 40 to fix the hollow sealing structure 401. A structure 401 can also be formed.

（第五実施形態）
次に、第五実施形態に係る中空封止構造について説明する。
なお、第一実施形態と同一の構成のものについては、同一の符号を付して記載し、詳細な説明を省略する。 (Fifth embodiment)
Next, a hollow sealing structure according to the fifth embodiment will be described.
In addition, about the thing of the same structure as 1st embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and described, and detailed description is abbreviate | omitted.

第五実施形態の中空封止構造５０１においては、図１４に示すように、キャップ３０の外周面に突起部３５（樹脂溜り部）を設け、さらにこの突起部３５の上面及び外周面に第一樹脂層４０が被覆した構造とされている。より具体的には、キャップ３０の開口端の外周に設けられた突起部３５の上面及び外周面を覆うように第一樹脂層４０が設けられている。なお、ここで突起部３５の上面とは、突起部３５の底面とは反対側の面を意味している。   In the hollow sealing structure 501 of the fifth embodiment, as shown in FIG. 14, a protrusion 35 (resin reservoir) is provided on the outer peripheral surface of the cap 30, and a first is formed on the upper surface and outer peripheral surface of the protrusion 35. The resin layer 40 is covered. More specifically, the first resin layer 40 is provided so as to cover the upper surface and outer peripheral surface of the protrusion 35 provided on the outer periphery of the opening end of the cap 30. Here, the upper surface of the protruding portion 35 means a surface opposite to the bottom surface of the protruding portion 35.

この場合、キャップ３０の底面と突起部３５の底面は同一平面にあるものとされ、第一樹脂層４０の樹脂がキャップ３０の上面を吸着パッドによって押さえつけながら塗布される。
第五実施形態に係る中空封止構造５０１は、キャップ３０を密着する際に、第一樹脂層４０が中空部へ漏れることなく中空封止構造５０１を形成することが可能である。 In this case, the bottom surface of the cap 30 and the bottom surface of the protrusion 35 are on the same plane, and the resin of the first resin layer 40 is applied while pressing the top surface of the cap 30 with the suction pad.
The hollow sealing structure 501 according to the fifth embodiment can form the hollow sealing structure 501 without causing the first resin layer 40 to leak into the hollow portion when the cap 30 is closely attached.

（第六実施形態）
次に、第六実施形態に係る中空封止構造について説明する。
なお、第一実施形態と同一の構成のものについては、同一の符号を付して記載し、詳細な説明を省略する。 (Sixth embodiment)
Next, a hollow sealing structure according to the sixth embodiment will be described.
In addition, about the thing of the same structure as 1st embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and described, and detailed description is abbreviate | omitted.

第六実施形態の中空封止構造６０１においては、図１５及び図１６に示すように、キャップ３０の底面の内周（半導体チップ６０側）から外周までの領域内にソルダーレジスト層を設けて基板１０表面を囲う枠体部３６（樹脂溜り部）を形成している。そして、中空封止構造６０１は、このソルダーレジストの枠体部３６の外周面に低弾性樹脂を供給し、キャップ３０を基板１０上に密着させた構造とされている。この場合、キャップ３０の底面にのみ第一樹脂層４０の樹脂が密着するように第一樹脂層４０を形成する。
第六実施形態の中空封止構造６０１によれば、キャップ３０を基板１０上に密着させる際に、第一樹脂層４０の樹脂が中空部へ漏れることがなく中空封止構造６０１を形成することが可能である。 In the hollow sealing structure 601 of the sixth embodiment, as shown in FIGS. 15 and 16, a solder resist layer is provided in a region from the inner periphery (on the semiconductor chip 60 side) to the outer periphery of the bottom surface of the cap 30. A frame body portion 36 (resin reservoir portion) that surrounds the 10 surface is formed. The hollow sealing structure 601 has a structure in which a low-elasticity resin is supplied to the outer peripheral surface of the frame portion 36 of the solder resist and the cap 30 is brought into close contact with the substrate 10. In this case, the first resin layer 40 is formed so that the resin of the first resin layer 40 adheres only to the bottom surface of the cap 30.
According to the hollow sealing structure 601 of the sixth embodiment, the resin of the first resin layer 40 does not leak into the hollow portion when the cap 30 is brought into close contact with the substrate 10, thereby forming the hollow sealing structure 601. Is possible.

以上、本発明の実施形態である中空封止構造及び中空封止構造の製造方法について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。   As described above, the hollow sealing structure and the manufacturing method of the hollow sealing structure according to the embodiment of the present invention have been described. However, the present invention is not limited thereto, and may be appropriately selected without departing from the technical idea of the present invention. It can be changed.

なお、上記の実施形態においては、基板上に形成された配線パターン（導体パターン）と、キャップの底面との隙間を第一樹脂層で埋める場合について説明したが、これに限定されることはなく、基板とキャップとの間に形成される隙間を第一樹脂層によって埋める場合に本発明を適用することが可能である。例えば、基板に形成された凹部とキャップの底面との隙間を第一樹脂層によって埋める構成とされても良い。   In the above embodiment, the case where the gap between the wiring pattern (conductor pattern) formed on the substrate and the bottom surface of the cap is filled with the first resin layer has been described, but the present invention is not limited to this. The present invention can be applied to the case where the gap formed between the substrate and the cap is filled with the first resin layer. For example, the gap between the recess formed in the substrate and the bottom surface of the cap may be filled with the first resin layer.

その他の実施形態としてキャップ底面内周に段差をもうけ、その段差を樹脂溜まりとしても良い。この場合、キャップを加圧し基板上に固定すると、中空部へ第一樹脂層の樹脂がはみ出す可能性がある為、樹脂量の調整と加圧の調整とのうち、少なくとも一つが組み合わせて実施される。   As another embodiment, a step may be provided on the inner periphery of the bottom surface of the cap, and the step may be a resin reservoir. In this case, if the cap is pressurized and fixed on the substrate, the resin of the first resin layer may protrude into the hollow portion, so at least one of the resin amount adjustment and the pressure adjustment is performed in combination. The

１、１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１ 中空封止構造
１０ 基板
３０ キャップ
３１ 凹部（樹脂溜り部）
３２ 段差（樹脂溜り部）
３３、３４、３５ 突起部（樹脂溜り部）
３４ａ 穴
３６ 枠体部（樹脂溜り部）
４０ 第一樹脂層
４１ 樹脂
５０ 第二樹脂層 1, 101, 201, 301, 401, 501, 601 Hollow sealing structure 10 Substrate 30 Cap 31 Recess (resin reservoir)
32 Steps (resin reservoir)
33, 34, 35 Protrusion (resin reservoir)
34a Hole 36 Frame (resin reservoir)
40 First resin layer 41 Resin 50 Second resin layer

Claims (10)

基板と、
該基板に配置されるキャップと、
前記キャップと前記基板との隙間を埋める第一樹脂層と、
前記キャップの少なくとも一部に設けられ、前記第一樹脂層の樹脂が充填される樹脂溜り部と、
前記キャップを覆うように形成された第二樹脂層と、を備えることを特徴とする中空封止構造。 A substrate,
A cap disposed on the substrate;
A first resin layer filling a gap between the cap and the substrate;
A resin reservoir provided in at least a portion of the cap and filled with the resin of the first resin layer;
A hollow sealing structure comprising: a second resin layer formed so as to cover the cap. 前記樹脂溜り部は、前記キャップの底面に設けられた凹部であることを特徴とする請求項１に記載の中空封止構造。   The hollow sealing structure according to claim 1, wherein the resin reservoir is a recess provided on a bottom surface of the cap. 前記樹脂溜り部は、前記キャップの底面外周に設けられた段差であり、
前記第一樹脂層が、前記段差と前記基板との隙間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の中空封止構造。 The resin reservoir is a step provided on the outer periphery of the bottom surface of the cap,
The hollow sealing structure according to claim 1, wherein the first resin layer is provided in a gap between the step and the substrate. 前記樹脂溜り部は、前記キャップの外周面に設けられた突起部であり、
前記第一樹脂層が、前記突起部の底面と前記基板との隙間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の中空封止構造。 The resin reservoir is a protrusion provided on the outer peripheral surface of the cap,
The hollow sealing structure according to claim 1, wherein the first resin layer is provided in a gap between a bottom surface of the protrusion and the substrate. 前記樹脂溜り部の底面は、前記第一樹脂層と密着していることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の中空封止構造。   The hollow sealing structure according to any one of claims 1 to 4, wherein a bottom surface of the resin reservoir portion is in close contact with the first resin layer. 前記突起部は前記キャップの開口端の外周面に設けられ、
前記突起部の底面に穴が形成され、前記第一樹脂層が前記穴内に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の中空封止構造。 The protrusion is provided on the outer peripheral surface of the opening end of the cap,
The hollow sealing structure according to claim 4, wherein a hole is formed in a bottom surface of the protruding portion, and the first resin layer is provided in the hole. 前記樹脂溜り部は、前記キャップの外周面に設けられた突起部であり、
前記突起部の上面及び外周面を被覆するように前記第一樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の中空封止構造。 The resin reservoir is a protrusion provided on the outer peripheral surface of the cap,
The hollow sealing structure according to claim 1, wherein the first resin layer is provided so as to cover an upper surface and an outer peripheral surface of the protrusion. 前記樹脂溜り部は、
前記基板上、かつ前記キャップの底面内周から外周までの領域に、ソルダーレジスト層によって形成され基板表面を囲う枠体部であり、
該枠体部の外周に前記第一樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の中空封止構造。 The resin reservoir is
On the substrate, in a region from the inner periphery to the outer periphery of the bottom surface of the cap, a frame body portion formed by a solder resist layer and surrounding the substrate surface,
The hollow sealing structure according to claim 1, wherein the first resin layer is provided on an outer periphery of the frame body portion. 前記第二樹脂層は、前記第二樹脂層の樹脂によってキャップを加圧しながら形成されることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の中空封止構造。   The hollow sealing structure according to any one of claims 1 to 8, wherein the second resin layer is formed while pressing a cap with the resin of the second resin layer. 基板上に樹脂を供給または成型することによって前記基板とキャップとの隙間を埋める第一樹脂層を形成し、
前記キャップと前記第一樹脂層を密着または固定し、
トランスファーモールド法によって前記キャップを覆うように第二樹脂層を形成し、封止することを特徴とする中空封止構造の製造方法。 Forming a first resin layer that fills a gap between the substrate and the cap by supplying or molding a resin on the substrate;
Adhering or fixing the cap and the first resin layer,
A method for producing a hollow sealing structure, wherein a second resin layer is formed and sealed so as to cover the cap by a transfer molding method.
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