JP2014065937A - 基板加熱装置、熱ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】抵抗発熱線と電極とからなる回路とサセプタとの間での放電を防止できる基板加熱装置、熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】
基板が配置される配置面２２が設けられたサセプタ２１と、サセプタ２１の配置面２２とは逆の裏面と対向して配置された抵抗発熱線２４と、抵抗発熱線２４の一端に電気的に接続された主電極２５と、他端に電気的に接続された副電極２７と、主電極２５と前記副電極２７との間に加熱電圧を印加して、抵抗発熱線２４に電流を流す電源部２６とを有し、サセプタ２１に対する主電極２５の電位の絶対値と、サセプタ２１に対する副電極２７の電位の絶対値のうちいずれか大きい方の値を、サセプタ２１の配置面２２の裏面と抵抗発熱線２４との間の間隔で除した値は、１５Ｖ／ｍｍ以下である。そのため、サセプタ２１の配置面２２の裏面と抵抗発熱線２４との間で放電は発生しない。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板加熱装置、熱ＣＶＤ装置に関する。

現在、基板の高温加熱・急速昇温を必要とする熱ＣＶＤ法、特に有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法では、サセプタ内部の抵抗発熱線に電流を流して発熱させる抵抗加熱型の基板加熱装置がよく用いられている。

この基板加熱装置では、サセプタの基板配置面を高温領域へ昇温し、かつ高温に保持するためには、配置面の単位面積あたりに大きな投入電力を必要とする。
しかし、単位面積あたりの投入電力を増加させると、サセプタ内部で放電が発生し、基板加熱装置が破損するという危険があった。

本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、抵抗発熱線と電極とからなる回路とサセプタとの間での放電を防止できる基板加熱装置、熱ＣＶＤ装置を提供することにある。

本発明者らがサセプタ内部での放電と投入電力との関係を調べたところ、放電のきっかけは不明であるものの、パッシェン曲線の極小値より低い電圧値で放電が生じていることが分かった。本発明者らは、さらに鋭意研究を重ねて、サセプタに対する電極の電位の絶対値を、サセプタの配置面の裏面と抵抗発熱線との間の間隔で除した値が、１５Ｖ／ｍｍ以下であれば、この放電を防止できることを見出し、本発明を完成させた。

係る知見に基づいて成された本発明は、基板が配置される配置面が設けられたサセプタと、前記サセプタの前記配置面とは逆の裏面と対向して配置された抵抗発熱線と、前記抵抗発熱線の一端に電気的に接続された主電極と、他端に電気的に接続された副電極と、前記主電極と前記副電極との間に加熱電圧を印加して、前記抵抗発熱線に電流を流す電源部と、を有する基板加熱装置であって、前記サセプタに対する前記主電極の電位の絶対値と、前記サセプタに対する前記副電極の電位の絶対値のうちいずれか大きい方の値を、前記サセプタの前記配置面の前記裏面と前記抵抗発熱線との間の間隔で除した値は、１５Ｖ／ｍｍ以下である基板加熱装置である。
本発明は基板加熱装置であって、前記サセプタは、前記抵抗発熱線と前記主電極と前記副電極とを取り囲み、一端の開口が前記裏面で蓋された筒状部を有し、前記抵抗発熱線は、第一の抵抗発熱線と、前記第一の抵抗発熱線より前記筒状部の内周面の近くに配置された第二の抵抗発熱線とを含み、前記主電極は、前記第一の抵抗発熱線に電気的に接続された第一の主電極と、前記第一の主電極より前記筒状部の内周面の近くに配置され、前記第二の抵抗発熱線に電気的に接続された第二の主電極とを含み、前記副電極は、前記第一の抵抗発熱線に電気的に接続された第一の副電極と、前記第一の副電極より前記筒状部の内周面の近くに配置され、前記第二の抵抗発熱線に電気的に接続された第二の副電極とを含み、前記第二の主電極と前記第二の副電極との間の前記加熱電圧は、前記第一の主電極と前記第一の副電極との間の前記加熱電圧より小さく、前記サセプタに対する前記第二の主電極の電位の絶対値を、前記筒状部の前記内周面と前記第二の主電極との間の間隔で除した値と、前記サセプタに対する前記第二の副電極の電位の絶対値を、前記筒状部の前記内周面と前記第二の副電極との間の間隔で除した値とは、どちらも１５Ｖ／ｍｍ以下である基板加熱装置である。
本発明は基板加熱装置であって、前記第一、第二の副電極は前記サセプタと同じ電位に置かれた基板加熱装置である。
本発明は基板加熱装置であって、前記筒状部の内側にパージガスを導入するパージガス導入部を有する基板加熱装置である。
本発明は基板加熱装置であって、前記パージガスはＨ₂ガスとＮ₂ガスのうちいずれか一方のガス又は両方のガスを含む基板加熱装置である。
本発明は、真空槽と、前記真空槽内に原料ガスを導入する原料ガス導入部と、前記基板加熱装置と、を有し、前記基板加熱装置の前記配置面は前記真空槽内に露出された熱ＣＶＤ装置である。
本発明は熱ＣＶＤ装置であって、前記原料ガスは、Ｇａを含有する有機金属化合物ガスと、窒素化合物ガスとの混合ガスである熱ＣＶＤ装置である。

サセプタに対する電極の電位の絶対値を、サセプタの配置面の裏面と抵抗発熱線との間の間隔で除した値は、１５Ｖ／ｍｍ以下であるので、サセプタの配置面の裏面と抵抗発熱線との間で放電は発生せず、基板加熱装置の破損は防止される。従って、１５Ｖ／ｍｍ以下を維持しながら、抵抗発熱線と電極とからなる回路の抵抗値を低く設計すれば、放電を発生させずに投入電力の上限を大きくすることができる。

本発明の基板加熱装置の内部構成図 本発明の基板加熱装置のＡ−Ａ線切断断面図 本発明の熱ＣＶＤ装置の内部構成図

＜基板加熱装置の構造＞
本発明の基板加熱装置２０の構造を説明する。
図１は本発明の基板加熱装置２０の内部構成図である。

本発明の基板加熱装置２０は、基板が配置される配置面２２が設けられたサセプタ２１と、サセプタ２１の配置面２２とは逆の裏面と対向して配置された抵抗発熱線２４と、抵抗発熱線２４の一端に電気的に接続された主電極２５と、他端に電気的に接続された副電極２７と、主電極２５と副電極２７との間に加熱電圧を印加して、抵抗発熱線２４に電流を流す電源部２６とを有している。
なお、図１の図面上では、抵抗発熱線２４と主電極２５、副電極２７との接続部分の図示を省略している。

本実施形態では、サセプタ２１は、有底筒状のサセプタ本体２１₁と、サセプタ本体２１₁の筒状部分に接続され、サセプタ本体２１₁を支持する筒状のサセプタ支持部材２１₂とを有している。配置面２２はサセプタ本体２１₁の外側底面に設けられている。

サセプタ本体２１₁の材質はここでは炭化珪素（ＳｉＣ）で被覆されたグラファイトであり、サセプタ支持部材２１₂の材質はここではＳｉＣである。サセプタ本体２１₁とサセプタ支持部材２１₂はそれぞれ接地電位に置かれている。

サセプタ本体２１₁の筒状部分とサセプタ支持部材２１₂とからなる筒状部２８は、抵抗発熱線２４と主電極２５と副電極２７とを取り囲んで配置され、一端の開口が配置面２２とは逆の裏面で蓋されている。
抵抗発熱線２４と主電極２５と副電極２７は、筒状部２８の内側に配置されている。
抵抗発熱線２４の材質はここではタングステン（Ｗ）であり、主電極２５と副電極２７の材質はここではモリブデン（Ｍｏ）である。

本実施形態では、主電極２５は副電極２７より抵抗発熱線２４の近くに配置され、主電極２５と抵抗発熱線２４との間の空間には絶縁性の碍子３１が配置されて電気的に絶縁されている。碍子３１の材質はここではポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）である。なお、副電極２７が主電極２５より抵抗発熱線２４の近くに配置され、副電極２７と抵抗発熱線２４との間の空間に碍子３１が配置されていてもよい。

図２は、基板加熱装置２０のＡ−Ａ線切断断面図である。
本実施形態では、抵抗発熱線２４は、第一の抵抗発熱線２４ａと、第一の抵抗発熱線２４ａより筒状部２８の内周面の近くに配置された第二の抵抗発熱線２４ｂとを含んでいる。第二の抵抗発熱線２４ｂは配置面２２より外側に配置されている。

また、図１を参照し、主電極２５は、第一の抵抗発熱線２４ａに電気的に接続された第一の主電極２５ａと、第一の主電極２５ａより筒状部２８の内周面の近くに配置され、第二の抵抗発熱線２４ｂに電気的に接続された第二の主電極２５ｂとを含んでおり、副電極２７は、第一の抵抗発熱線２４ａに電気的に接続された第一の副電極２７ａと、第一の副電極２７ａより筒状部２８の内周面の近くに配置され、第二の抵抗発熱線２４ｂに電気的に接続された第二の副電極２７ｂとを含んでいる。

電源部２６は、第一の主電極２５ａと第一の副電極２７ａに電気的に接続された第一の電源２６ａと、第二の主電極２５ｂと第二の副電極２７ｂに電気的に接続された第二の電源２６ｂとを有している。

第一の電源２６ａから第一の主電極２５ａと第一の副電極２７ａとの間に加熱電圧が印加されると、第一の抵抗発熱線２４ａに電流が流れてジュール熱が発生し、第二の電源２６ｂから第二の主電極２５ｂと第二の副電極２７ｂとの間に加熱電圧が印加されると、第二の抵抗発熱線２４ｂに電流が流れてジュール熱が発生する。第一、第二の抵抗発熱線２４ａ、２４ｂからの輻射熱によりサセプタ本体２１₁が加熱されるようになっている。

本発明の基板加熱装置２０では、サセプタ２１に対する主電極２５の電位の絶対値と、サセプタ２１に対する副電極２７の電位の絶対値のうちいずれか大きい方の値を、サセプタ２１の配置面２２の裏面と抵抗発熱線２４との間の間隔で除した値は、１５Ｖ／ｍｍ以下である。そのため、主電極２５と副電極２７との間に加熱電圧が印加されて抵抗発熱線２４に電流が流れても、抵抗発熱線２４とサセプタ２１の配置面２２の裏面との間では放電が生じないようになっている。

なお、本実施形態では、配置面２２の単位面積当たりに所要電力（例えば２９０ｋＷ／ｍ²以上）を供給して、配置面２２上の基板を１０００℃以上に加熱できるように構成されている。

本発明では、サセプタ２１に対する主電極２５の電位の絶対値と、サセプタ２１に対する副電極２７の電位の絶対値のうちいずれか大きい方の値を、サセプタ２１の配置面２２の裏面と抵抗発熱線２４との間の間隔で除した値は、１５Ｖ／ｍｍ以下であり、配置面２２の単位面積当たりに所要電力を供給するために、抵抗発熱線２４と主電極２５と副電極２７とからなる回路は抵抗値が低くなるように設計されている。

具体的には、配置面２２と平行な同一平面内での抵抗発熱線２４の設置密度を一定に維持したまま、（１）抵抗発熱線２４の断面積を大きくする、（２）抵抗発熱線２４に低抵抗材料を用いる、（３）抵抗発熱線２４を主電極２５と副電極２７との間で並列接続し、一本当たりの抵抗発熱線２４の線長を短くする、などの方法が行われている。配置面２２と平行な同一平面内での抵抗発熱線２４の設置密度が維持されることにより、配置面２２内での温度分布に偏りが生じないようになっている。また、隣り合う抵抗発熱線２４間での放電の発生が防止されている。
第二の主電極２５ｂと第二の副電極２７ｂとの間の加熱電圧は、第一の主電極２５ａと第一の副電極２７ａとの間の加熱電圧より小さくされている。

サセプタ本体２１₁の筒状部分では、熱輻射やサセプタ支持部材２１₂への熱伝導により熱が逃げやすく、そのため配置面２２内では外周部に近いほど熱が逃げやすいが、本実施形態では、配置面２２より外側に配置された第二の抵抗発熱線２４ｂにも電流が流れて発熱することにより、第二の抵抗発熱線２４ｂからの輻射熱により配置面２２の外側も加熱され、配置面２２からの熱逃げが抑制されるようになっている。

本発明の基板加熱装置２０では、サセプタ２１に対する第二の主電極２５ｂの電位の絶対値を、筒状部２８の内周面と第二の主電極２５ｂとの間の間隔で除した値と、サセプタ２１に対する第二の副電極２７ｂの電位の絶対値を、筒状部２８の内周面と第二の副電極２７ｂとの間の間隔で除した値とは、どちらも１５Ｖ／ｍｍ以下である。そのため、第二の主電極２５ｂと第二の副電極２７ｂとの間に加熱電圧が印加されて第二の抵抗発熱線２４ｂに電流が流れても、第二の主電極２５ｂ又は第二の副電極２７ｂと筒状部２８の内周面との間では放電が生じないようになっている。
本実施形態では、第一、第二の副電極２７ａ、２７ｂはサセプタ２１の電位と同じ電位に置かれているが、本発明はこれに限定されず、異なる電位に置かれていてもよい。

本実施形態では、基板加熱装置２０は、筒状部２８の内側にパージガスを導入するパージガス導入部２９を有している。パージガスはＨ₂ガスとＮ₂ガスのうちいずれか一方のガス又は両方の混合ガスである。

パージガス導入部２９から筒状部２８の内側にパージガスが導入されて圧力が増加されると、筒状部２８の外側のガスが流入しにくくなり、外側のガスによる内側の汚染を防止できるようになっている。
筒状部２８の内側は１０ｋＰａ以上大気圧以下の圧力が好ましい。１０ｋＰａ未満では筒状部２８の外側のガスが内側に流入するおそれがあるからである。

＜熱ＣＶＤ装置の構造＞
図３を参照し、上述の基板加熱装置２０を有する本発明の熱ＣＶＤ装置１０の構造を説明する。
本発明の熱ＣＶＤ装置１０は、真空槽１１と、真空槽１１内に原料ガスを導入する原料ガス導入部１３と、上述の基板加熱装置２０とを有している。

原料ガスは、ここではＧａを含有する有機金属化合物ガスと窒素化合物ガスとの混合ガスである。有機金属化合物ガスは、例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガス又はトリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガスのうちいずれか一方のガス又は両方のガスの混合ガスであり、ドーパントとしてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）ガスと、ビスシクロペンタジエチルマグネシウム（ＣＰ₂Ｍｇ）ガスのうちいずれか一方のガス又は両方のガスが混合されてもよく、キャリアガスとしてＮ₂ガス又はＨ₂ガスが混合されてもよい。窒素化合物ガスは、例えばＮＨ₃ガスであり、ドーパントとしてＳｉＨ₄ガスが混合されてもよい。
基板加熱装置２０の配置面２２は真空槽１１内に露出されている。

＜熱ＣＶＤ装置の使用方法＞
上述の熱ＣＶＤ装置１０の使用方法をＧａＮ薄膜の形成方法を一例に説明する。
真空槽１１には真空排気装置１２が接続されている。真空排気装置１２により真空槽１１内を真空排気して、真空雰囲気を形成する。以後、真空排気装置１２の動作を継続して、真空槽１１内の真空雰囲気を維持する。

真空槽１１内の真空雰囲気を維持しながら、真空槽１１内に基板４０₁、４０₂を搬入し、サセプタ２１の配置面２２上に配置する。
不図示の回転装置により、サセプタ２１を筒状部２８の中心軸線を中心に回転させておく。

パージガス導入部２９から筒状部２８の内側にパージガスを導入し、筒状部２８の内側の圧力をここでは１０ｋＰａ以上にする。以後、パージガスの導入を継続する。
導入されたパージガスは、筒状部２８の開口、又はサセプタ本体２１₁とサセプタ支持部材２１₂との間の隙間から真空槽１１内に流出し、真空排気装置１２により真空排気される。

電源部２６を動作させて、主電極２５と副電極２７との間に加熱電圧を印加し、抵抗発熱線２４に電流を流して発熱させ、サセプタ本体２１₁を加熱させる。ここでは配置面２２を１０００℃以上の温度に昇温させる。

本発明では、サセプタ２１に対する主電極２５の電位の絶対値と、サセプタ２１に対する副電極２７の電位の絶対値のうちいずれか大きい方の値を、サセプタ２１の配置面２２の裏面と抵抗発熱線２４との間の間隔で除した値は、１５Ｖ／ｍｍ以下である。そのため、サセプタ２１の配置面２２の裏面と抵抗発熱線２４との間では放電が生じない。

また、サセプタ２１に対する第二の主電極２５ｂの電位の絶対値を、筒状部２８の内周面と第二の主電極２５ｂとの間の間隔で除した値と、サセプタ２１に対する第二の副電極２７ｂの電位の絶対値を、筒状部２８の内周面と第二の副電極２７ｂとの間の間隔で除した値とは、どちらも１５Ｖ／ｍｍ以下である。そのため、第二の主電極２５ｂ又は第二の副電極２７ｂと筒状部２８の内周面との間でも放電が生じない。

サセプタ本体２１₁からの熱伝導により基板４０₁、４０₂が加熱される。
原料ガス導入部１３から真空槽１１内に原料ガスを導入する。原料ガスはここではＴＭＧガスとＨ₂ガスとＮＨ₃ガスとの混合ガスである。

導入された原料ガスは基板４０₁、４０₂の表面で熱により化学反応してＧａＮを生成し、基板４０₁、４０₂の表面にはＧａＮの薄膜が形成される。
筒状部２８の内側にはパージガスが導入されており、原料ガスは筒状部２８の内側に流入しない。

基板４０₁、４０₂の表面に所望の膜厚のＧａＮ薄膜を形成した後、原料ガス導入部１３からの原料ガスの導入を停止し、電源部２６から主電極２５と副電極２７との間への電圧印加を停止する。
真空槽１１内の真空雰囲気を維持しながら、成膜済みの基板４０₁、４０₂を真空槽１１の外側に搬出する。次いで、未成膜の基板を真空槽１１内に搬入し、上述の成膜工程を繰り返す。

（実施例）
・サセプタ２１の配置面２２の裏面と抵抗発熱線２４との間の間隔：５ｍｍ、
・第二の主電極２５ｂとサセプタ支持部材２１₂の内周面との間の間隔：３ｍｍ、
・抵抗発熱線２４の直径：１．２ｍｍ、
・第一の主電極２５ａと第一の副電極２７ａとの間に並列接続された第一の抵抗発熱線２４ａの本数：３０本、
・第二の主電極２５ｂと第二の副電極２７ｂとの間に並列接続された第二の抵抗発熱線２４ｂの本数：１６本、
・電源部２６：１４台の２６０Ａ−４５Ｖ電源
である実施例の基板加熱装置２０を用いて、第一、第二の副電極２７ａ、２７ｂをサセプタ２１と同じ接地電位に置き、サセプタ２１の内側を１５ｋＰａのＮ₂ガス雰囲気に維持しながら、第一の主電極２５ａを３４Ｖの加熱電位に置き、第二の主電極２５ｂを４５Ｖの加熱電位に置いて、サセプタ２１の配置面２２を１０００℃以上に加熱した。

加熱中に第一、第二の抵抗発熱線２４ａ、２４ｂの抵抗値をモニタしたが異常はなく、加熱終了後に、第一、第二の主電極２５ａ、２５ｂへの電圧印加を停止し、基板加熱装置２０からサセプタ２１を取り外して内部を観察したが、放電の痕跡は認められなかった。

（比較例）
実施例の基板加熱装置２０から、「サセプタ２１の配置面２２の裏面と抵抗発熱線２４との間の間隔」と「第二の主電極２５ｂとサセプタ支持部材２１₂の内周面との間の間隔」は変更せずに、
・抵抗発熱線２４の直径：１ｍｍ、
・第一の主電極２５ａと第一の副電極２７ａとの間に並列接続された第一の抵抗発熱線２４ａの本数：１２本、
・第二の主電極２５ｂと第二の副電極２７ｂとの間に並列接続された第二の抵抗発熱線２４ｂの本数：８本、
・電源部２６：１３台の１５０Ａ−１００Ｖ電源
に変更した比較例の基板加熱装置を用いて、第一、第二の副電極２７ａ、２７ｂをサセプタ２１と同じ接地電位に置き、サセプタ２１の内側を１５ｋＰａのＮ₂ガス雰囲気に維持しながら、第一の主電極２５ａを９６Ｖの加熱電位に置き、第二の主電極２５ｂを６８Ｖの加熱電位に置いて、サセプタ２１を１０００℃以上に加熱した。

加熱中に第一、第二の抵抗発熱線２４ａ、２４ｂの抵抗値をモニタすると、加熱開始から６時間経過後に第一の抵抗発熱線２４ａの抵抗値が急落し、それから２分後に第二の抵抗発熱線２４ｂの抵抗値が急落した。

第一、第二の主電極２５ａ、２５ｂへの電圧印加を停止し、基板加熱装置２０からサセプタ２１を取り外して内部を観察すると、第一の主電極２５ａは部分的に溶解し、サセプタ本体２１₁の配置面２２の裏面のうち第一の抵抗発熱線２４ａと対面する部分には放電の痕跡が認められた。

また、第二の主電極２５ｂが部分的に溶解し、サセプタ支持部材２１₂のうち第二の主電極２５ｂの溶解部分と対面する部分には第二の主電極２５ｂの材質であるＭｏが付着しており、放電の痕跡が認められた。

実施例と比較例の結果を比較すると、サセプタ２１に対する主電極２５の電位の絶対値を、サセプタ２１の配置面２２の裏面と抵抗発熱線２４との間の間隔で除した値が、１５Ｖ／ｍｍ以下であると、サセプタ２１の配置面２２の裏面と抵抗発熱線２４との間での放電を防止できることが分かる。

また、サセプタ２１に対する第二の主電極２５ｂの電位の絶対値を、筒状部２８の内周面と第二の主電極２５ｂとの間の間隔で除した値が、１５Ｖ／ｍｍ以下であると、筒状部２８の内周面と第二の主電極２５ｂとの間での放電を防止できることが分かる。

１０……熱ＣＶＤ装置
１１……真空槽
１３……原料ガス導入部
２０……基板加熱装置
２１……サセプタ
２２……配置面
２４……抵抗発熱線
２４ａ、２４ｂ……第一、第二の抵抗発熱線
２５……主電極
２５ａ、２５ｂ……第一、第二の主電極
２６……電源部
２７……副電極
２７ａ、２７ｂ……第一、第二の副電極
２８……筒状部
２９……パージガス導入部
４０₁、４０₂……基板

Claims (7)

1. 基板が配置される配置面が設けられたサセプタと、
   前記サセプタの前記配置面とは逆の裏面と対向して配置された抵抗発熱線と、
   前記抵抗発熱線の一端に電気的に接続された主電極と、他端に電気的に接続された副電極と、
   前記主電極と前記副電極との間に加熱電圧を印加して、前記抵抗発熱線に電流を流す電源部と、
   を有する基板加熱装置であって、
   前記サセプタに対する前記主電極の電位の絶対値と、前記サセプタに対する前記副電極の電位の絶対値のうちいずれか大きい方の値を、前記サセプタの前記配置面の前記裏面と前記抵抗発熱線との間の間隔で除した値は、１５Ｖ／ｍｍ以下である基板加熱装置。
2. 前記サセプタは、前記抵抗発熱線と前記主電極と前記副電極とを取り囲み、一端の開口が前記裏面で蓋された筒状部を有し、
   前記抵抗発熱線は、第一の抵抗発熱線と、前記第一の抵抗発熱線より前記筒状部の内周面の近くに配置された第二の抵抗発熱線とを含み、
   前記主電極は、前記第一の抵抗発熱線に電気的に接続された第一の主電極と、前記第一の主電極より前記筒状部の内周面の近くに配置され、前記第二の抵抗発熱線に電気的に接続された第二の主電極とを含み、
   前記副電極は、前記第一の抵抗発熱線に電気的に接続された第一の副電極と、前記第一の副電極より前記筒状部の内周面の近くに配置され、前記第二の抵抗発熱線に電気的に接続された第二の副電極とを含み、
   前記第二の主電極と前記第二の副電極との間の前記加熱電圧は、前記第一の主電極と前記第一の副電極との間の前記加熱電圧より小さく、
   前記サセプタに対する前記第二の主電極の電位の絶対値を、前記筒状部の前記内周面と前記第二の主電極との間の間隔で除した値と、
   前記サセプタに対する前記第二の副電極の電位の絶対値を、前記筒状部の前記内周面と前記第二の副電極との間の間隔で除した値とは、どちらも１５Ｖ／ｍｍ以下である請求項１記載の基板加熱装置。
3. 前記第一、第二の副電極は前記サセプタと同じ電位に置かれた請求項２記載の基板加熱装置。
4. 前記筒状部の内側にパージガスを導入するパージガス導入部を有する請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の基板加熱装置。
5. 前記パージガスはＨ₂ガスとＮ₂ガスのうちいずれか一方のガス又は両方のガスを含む請求項４記載の基板加熱装置。
6. 真空槽と、
   前記真空槽内に原料ガスを導入する原料ガス導入部と、
   請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の基板加熱装置と、
   を有し、
   前記基板加熱装置の前記配置面は前記真空槽内に露出された熱ＣＶＤ装置。
7. 前記原料ガスは、Ｇａを含有する有機金属化合物ガスと、窒素化合物ガスとの混合ガスである請求項６記載の熱ＣＶＤ装置。

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