JP2014065646A - Glass substrate processing device and glass substrate processing method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass substrate processing device and a glass substrate processing method capable of improving a processing yield.SOLUTION: A glass substrate processing device 1 comprises: a first film formation part 2 for forming a first protective film on a first surface of a glass substrate; a first film removing part 3 for partially removing the first protective film by radiating laser beam on a face of the first protective film on the first surface opposite to the glass substrate; a second film formation part 4 for forming a second protective film on a second surface of the glass substrate from which the first protective film is partially removed; a second film removing part 5 for partially removing the second protective film by radiating laser beam to a portion opposed to a portion on the first surface of the glass substrate from which the first protective film is removed, on a face of the second protective film on the second surface opposite to the glass substrate; and an etching part 6 for treating the glass substrate from which the second protective film is partially removed with etching liquid.

Description

本発明の実施形態は、ガラス基板加工装置及びガラス基板加工方法に関する。   Embodiments described herein relate generally to a glass substrate processing apparatus and a glass substrate processing method.

ガラス基板加工装置は、強化ガラス基板(例えば、化学強化ガラス基板など)を所望の形状に切断する加工を行う装置である。このガラス基板加工装置は、半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程において広く用いられている。なお、化学強化ガラス基板とは、化学処理によってガラス基板の表面から深さ数十μmに応力発生層(強化層)を形成したガラス基板である。   The glass substrate processing apparatus is an apparatus that performs processing for cutting a tempered glass substrate (for example, a chemically tempered glass substrate) into a desired shape. This glass substrate processing apparatus is widely used in the manufacturing process of electronic components such as semiconductor devices and liquid crystal display devices. The chemically tempered glass substrate is a glass substrate in which a stress generation layer (strengthening layer) is formed at a depth of several tens of μm from the surface of the glass substrate by chemical treatment.

通常、化学強化ガラスを切断する方法としては、強化したガラス基板に耐エッチング液性を有するレジスト材(保護膜)を塗布し、露光及び現像工程を経て所望の形状のガラス基板露出部を形成し、その後、エッチング液によりガラス基板をエッチングして切断する方法が提案されている。また、露光及び現像工程を経ずに直接レジスト材(保護膜)をレーザ光により部分的に除去し、所望の形状のガラス基板露出部を形成し、その後、エッチング液によりガラス基板をエッチングして切断する方法も提案されている。   Usually, as a method of cutting chemically tempered glass, a resist material (protective film) having an etching solution resistance is applied to a tempered glass substrate, and a glass substrate exposed portion having a desired shape is formed through exposure and development processes. Thereafter, a method of etching and cutting the glass substrate with an etching solution has been proposed. In addition, the resist material (protective film) is partially removed directly by a laser beam without passing through exposure and development steps to form a glass substrate exposed portion of a desired shape, and then the glass substrate is etched with an etchant. A method of cutting is also proposed.

特開2009−292699号公報JP 2009-292699 A

本発明が解決しようとする課題は、加工歩留りを改善することができるガラス基板加工装置及びガラス基板加工方法を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a glass substrate processing apparatus and a glass substrate processing method capable of improving the processing yield.

実施形態に係るガラス基板加工装置は、互いに向かい合う第1の表面及び第2の表面を有するガラス基板の第1の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第1の保護膜を形成する第1の膜形成部と、ガラス基板の第1の表面に形成された第1の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、ガラス基板の第1の表面に形成された第1の保護膜を部分除去する第1の膜除去部と、第1の保護膜が第1の表面から部分除去されたガラス基板の第2の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第2の保護膜を形成する第2の膜形成部と、ガラス基板の第2の表面に形成された第2の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面であってガラス基板の第1の表面における第1の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、ガラス基板の第2の表面に形成された第2の保護膜を部分除去する第2の膜除去部と、第2の保護膜が第2の表面から部分除去されたガラス基板をエッチング液により処理するエッチング部とを備える。   The glass substrate processing apparatus according to the embodiment forms a first protective film having laser light absorption and etching resistance on a first surface of a glass substrate having a first surface and a second surface facing each other. The first film forming portion and the first protective film formed on the first surface of the glass substrate are irradiated with laser light on the surface opposite to the glass substrate side, and formed on the first surface of the glass substrate. The first film removing portion for removing the first protective film and the second surface of the glass substrate from which the first protective film has been partially removed from the first surface are provided with laser light absorption and etching resistance. A second film forming portion for forming a second protective film having a second surface of the glass substrate, and a surface of the second protective film formed on the second surface of the glass substrate opposite to the glass substrate side. Opposite the location where the first protective film on the surface of 1 is removed A second film removing portion for partially removing the second protective film formed on the second surface of the glass substrate by irradiating the portion with laser light; and the second protective film is partially removed from the second surface. And an etching unit for treating the glass substrate with an etching solution.

実施形態に係るガラス基板加工装置は、互いに向かい合う第1の表面及び第2の表面を有するガラス基板の第1の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第1の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、ガラス基板の第1の表面に形成された第1の保護膜を部分除去する第1の膜除去部と、ガラス基板の第2の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第2の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面であってガラス基板の第1の表面における第1の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、ガラス基板の第2の表面に形成された第2の保護膜を部分除去する第2の膜除去部とを備える。   A glass substrate processing apparatus according to an embodiment includes a first protective film having laser light absorption and etching resistance formed on a first surface of a glass substrate having a first surface and a second surface facing each other. A first film removing section for irradiating a surface opposite to the glass substrate side with laser light to partially remove the first protective film formed on the first surface of the glass substrate; and a second surface of the glass substrate. The surface of the second protective film formed on the side opposite to the glass substrate side in the second protective film having laser light absorption and etching resistance, where the first protective film on the first surface of the glass substrate is removed. A second film removing unit that irradiates a laser beam to the opposite part and partially removes the second protective film formed on the second surface of the glass substrate;

実施形態に係るガラス基板加工方法は、互いに向かい合う第1の表面及び第2の表面を有するガラス基板の第1の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第1の保護膜を形成する工程と、ガラス基板の第1の表面に形成された第1の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、ガラス基板の第1の表面に形成された第1の保護膜を部分除去する工程と、第1の保護膜が第1の表面から部分除去されたガラス基板の第2の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第2の保護膜を形成する工程と、ガラス基板の第2の表面に形成された第2の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面であってガラス基板の第1の表面における第1の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、ガラス基板の第2の表面に形成された第2の保護膜を部分除去する工程と、第2の保護膜が第2の表面から部分除去されたガラス基板をエッチング液により処理する工程とを有する。   In the glass substrate processing method according to the embodiment, a first protective film having laser light absorption and etching resistance is formed on a first surface of a glass substrate having a first surface and a second surface facing each other. A step of irradiating a surface of the first protective film formed on the first surface of the glass substrate opposite to the glass substrate side with a laser beam to form a first protection formed on the first surface of the glass substrate; A step of partially removing the film, and forming a second protective film having laser light absorption and etching resistance on the second surface of the glass substrate from which the first protective film has been partially removed from the first surface In the step where the first protective film on the first surface of the glass substrate is removed on the surface opposite to the glass substrate side in the second protective film formed on the second surface of the glass substrate Irradiate the laser beam to the opposite location And a step of second protective layer portion is removed which is formed on the second surface of the substrate, and a step in which the second protective film for processing a glass substrate was partially removed from the second surface with an etchant.

実施形態に係るガラス基板加工方法は、互いに向かい合う第1の表面及び第2の表面を有するガラス基板の第1の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第1の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、ガラス基板の第1の表面に形成された第1の保護膜を部分除去する工程と、ガラス基板の第2の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第2の保護膜におけるガラス基板側と反対側の面であってガラス基板の第1の表面における第1の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、ガラス基板の第2の表面に形成された第2の保護膜を部分除去する工程とを有する。   A glass substrate processing method according to an embodiment includes a first protective film having laser light absorption and etching resistance formed on a first surface of a glass substrate having a first surface and a second surface facing each other. A step of irradiating a surface opposite to the glass substrate with laser light to partially remove the first protective film formed on the first surface of the glass substrate; and a laser formed on the second surface of the glass substrate. The laser is applied to the surface of the second protective film having light absorption and etching resistance on the side opposite to the glass substrate side and facing the portion of the first surface of the glass substrate where the first protective film is removed. Irradiating light and partially removing the second protective film formed on the second surface of the glass substrate.

本発明によれば、加工歩留りを改善することができる。   According to the present invention, the processing yield can be improved.

第1の実施形態に係るガラス基板加工装置の概略構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows schematic structure of the glass substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係るガラス基板加工工程の流れを説明するための第1の工程断面図である。It is a 1st process sectional view for explaining the flow of the glass substrate processing process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係るガラス基板加工工程の流れを説明するための第2の工程断面図である。It is a 2nd process sectional view for explaining the flow of the glass substrate processing process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係るガラス基板加工工程の流れを説明するための第3の工程断面図である。It is a 3rd process sectional view for explaining the flow of the glass substrate processing process concerning a 1st embodiment. 図4に対する比較例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the comparative example with respect to FIG. 第1の実施形態に係るガラス基板加工工程の流れを説明するための第4の工程断面図である。It is a 4th process sectional view for explaining the flow of the glass substrate processing process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係るガラス基板加工工程の流れを説明するための第5の工程断面図である。It is a 5th process sectional view for explaining the flow of the glass substrate processing process concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係るガラス基板加工工程の流れを説明するための第6の工程断面図である。It is a 6th process sectional view for explaining the flow of the glass substrate processing process concerning a 1st embodiment. 第2の実施形態に係るガラス基板加工装置の概略構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows schematic structure of the glass substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment.

(第1の実施形態)
第1の実施形態について図1乃至図8を参照して説明する。
(First embodiment)
A first embodiment will be described with reference to FIGS.

図1に示すように、第1の実施形態に係るガラス基板加工装置1は、第1の膜形成部2、第1の膜除去部3、第2の膜形成部4、第2の膜除去部5及びエッチング部6を備えている。これらの各部2〜6の間の搬送はロボットハンドリングやベルトコンベアなどの搬送部(図示せず)により行われる。以下、各部2〜6について図2乃至図8を参照しながら説明する。   As shown in FIG. 1, the glass substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment includes a first film forming unit 2, a first film removing unit 3, a second film forming unit 4, and a second film removing unit. A part 5 and an etching part 6 are provided. Transfer between these units 2 to 6 is performed by a transfer unit (not shown) such as robot handling or a belt conveyor. Hereinafter, each part 2-6 is demonstrated, referring FIG. 2 thru | or FIG.

第1の膜形成部2は、図2に示すように、ガラス基板11の第1の表面M1に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第1の保護膜12をスピンコートやインクジェット塗布などの膜形成方法により形成する(第1の膜形成工程)。ガラス基板11は、互いに向かい合う第1の表面M1及び第2の表面M2を有している。このガラス基板11としては、例えば、強化層(応力発生層)を両面に有する強化ガラス基板(一例として、化学強化ガラス基板)などを用いることが可能であり、また、第1の保護膜12としては、例えば、レジスト材などを用いることが可能である。なお、高価なレジスト材を用いる必要はなく、耐エッチング液性の保護塗料にレーザ吸収剤を含有させたレジスト材を用いても良い。   As shown in FIG. 2, the first film forming unit 2 spin-coats, inkjet-coats, etc. the 1st surface M1 of the glass substrate 11 with the 1st protective film 12 which has laser-light absorptivity and etching resistance The first film forming process is used. The glass substrate 11 has a first surface M1 and a second surface M2 facing each other. As the glass substrate 11, for example, a tempered glass substrate (for example, a chemically tempered glass substrate) having a tempering layer (stress generation layer) on both sides can be used, and the first protective film 12 can be used. For example, a resist material or the like can be used. Note that it is not necessary to use an expensive resist material, and a resist material in which a laser absorbent is contained in an etching-resistant protective paint may be used.

第1の膜除去部3は、図3に示すように、レーザ照射部3aを用いて、ガラス基板11の第1の表面M1上に形成された第1の保護膜12におけるガラス基板11側と反対側の面(露出面)にレーザ光を照射し、ガラス基板11の第1の表面M1上の第1の保護膜12を所望の形状に部分的に除去する(第1の膜除去工程)。   As shown in FIG. 3, the first film removal unit 3 uses the laser irradiation unit 3 a and the glass substrate 11 side in the first protective film 12 formed on the first surface M <b> 1 of the glass substrate 11. The opposite surface (exposed surface) is irradiated with laser light to partially remove the first protective film 12 on the first surface M1 of the glass substrate 11 into a desired shape (first film removal step). .

この第1の膜除去工程により、第1の保護膜12は、後の工程であるエッチング工程においてガラス基板11、例えば強化層を選択的にエッチングするように所望の位置及び形状にレーザスクライブされる。これにより、図4に示すように、ガラス基板11の第1の表面M1上の第1の保護膜12に掘り込み部(溝)12aが形成され、第1の表面M1の露出部(ガラス基板露出部)M1aが形成される。なお、第1の保護膜12は、使用するレーザ光の波長を吸収する性質を持っている。また、その使用するレーザ光はガラスに吸収されにくい波長のレーザ光であることが望ましい。   By this first film removal process, the first protective film 12 is laser-scribed to a desired position and shape so as to selectively etch the glass substrate 11, for example, the reinforcing layer, in an etching process which is a subsequent process. . Thereby, as shown in FIG. 4, a digging portion (groove) 12a is formed in the first protective film 12 on the first surface M1 of the glass substrate 11, and an exposed portion (glass substrate) of the first surface M1 is formed. Exposed portion) M1a is formed. Note that the first protective film 12 has a property of absorbing the wavelength of the laser beam to be used. Further, the laser beam used is desirably a laser beam having a wavelength that is not easily absorbed by glass.

ここで、第1の膜除去工程では、ガラス基板11の第1の表面M1上の第1の保護膜12は、図3に示すように、レーザ光の照射により照射側表面より徐々に加工されていく。このとき、レーザ光は第1の保護膜12の加工に消費されるため、ガラス基板11への影響はほとんど無い。その後、レーザ照射による加工が進み、図4に示すように、第1の保護膜12がほとんど無くなった時点でレーザ光がガラス基板11に届き、そのガラス基板11を加熱することになる。ただし、使用するレーザ光として、ガラスに吸収されにくい波長を有するレーザ光を選択すれば、加熱は小さくなる。   Here, in the first film removal step, the first protective film 12 on the first surface M1 of the glass substrate 11 is gradually processed from the irradiation side surface by laser light irradiation as shown in FIG. To go. At this time, since the laser light is consumed for processing the first protective film 12, there is almost no influence on the glass substrate 11. Thereafter, processing by laser irradiation proceeds, and as shown in FIG. 4, when the first protective film 12 almost disappears, the laser light reaches the glass substrate 11 and heats the glass substrate 11. However, if a laser beam having a wavelength that is difficult to be absorbed by glass is selected as the laser beam to be used, heating is reduced.

このとき、図5に示すように、裏側の第2の表面M2に保護膜21が形成されていると(比較例)、ガラス基板11を透過したレーザ光は第2の表面M2上の保護膜21も加工することになる。このとき、レーザ光はガラス基板11から保護膜21に入射し、その保護膜21におけるガラス基板11に直接接触している部分を加工するため、この加工で生じる熱は表側(レーザ照射側)の第1の保護膜12の加工時と異なって高温となる。このため、ガラス基板11への熱影響は極めて大きなものとなり、基板強度の低下やクラック22が発生してしまう(最悪の場合には破砕が発生してしまう)。これを避けるため、前述のレーザスクライブでは、図3及び図4に示すように、ガラス基板11の表側の第1の表面M1のみに第1の保護膜12が形成され、裏側の第2の表面M2には保護膜が無く、レーザ光は表側の第1の表面M1から照射されることになる。   At this time, as shown in FIG. 5, when the protective film 21 is formed on the second surface M2 on the back side (comparative example), the laser light transmitted through the glass substrate 11 is transmitted to the protective film on the second surface M2. 21 is also processed. At this time, the laser light is incident on the protective film 21 from the glass substrate 11 and the portion of the protective film 21 that is in direct contact with the glass substrate 11 is processed, so the heat generated by this processing is on the front side (laser irradiation side). Unlike the processing of the first protective film 12, the temperature becomes high. For this reason, the thermal influence on the glass substrate 11 becomes extremely large, and the strength of the substrate is reduced and cracks 22 are generated (in the worst case, crushing occurs). In order to avoid this, in the laser scribe described above, as shown in FIGS. 3 and 4, the first protective film 12 is formed only on the first surface M1 on the front side of the glass substrate 11, and the second surface on the back side. M2 has no protective film, and the laser beam is irradiated from the first surface M1 on the front side.

第2の膜形成部4は、図6に示すように、第1の保護膜12が部分除去されたガラス基板11の第2の表面M2上に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第2の保護膜13をスピンコートやインクジェット塗布などの膜形成方法により形成する(第2の膜形成工程)。第2の保護膜13としては、前述の第1の保護膜12と同様に、例えば、レジスト材などを用いることが可能である。   As shown in FIG. 6, the second film forming unit 4 has a laser light absorption property and etching resistance on the second surface M2 of the glass substrate 11 from which the first protective film 12 has been partially removed. The second protective film 13 is formed by a film forming method such as spin coating or ink jet coating (second film forming step). As the second protective film 13, for example, a resist material or the like can be used in the same manner as the first protective film 12 described above.

第2の膜除去部5は、図7に示すように、レーザ照射部5aを用いて、ガラス基板11の第2の表面M2上に形成された第2の保護膜13におけるガラス基板11側と反対側の面(露出面)であってガラス基板11の第1の表面M1上における第1の保護膜12が除去された箇所(露出部M1a)に対向する箇所にレーザ光を照射し、ガラス基板11の第2の表面M2上の第2の保護膜13を所望の形状に部分的に除去する(第2の膜除去工程)。   As shown in FIG. 7, the second film removing unit 5 uses the laser irradiation unit 5 a and the glass substrate 11 side in the second protective film 13 formed on the second surface M <b> 2 of the glass substrate 11. The opposite surface (exposed surface) which is irradiated with laser light on the first surface M1 of the glass substrate 11 where the first protective film 12 is removed (exposed portion M1a) is irradiated with laser light. The second protective film 13 on the second surface M2 of the substrate 11 is partially removed into a desired shape (second film removal step).

このとき、第2の膜除去部5は、位置合わせ部5bを用いて、レーザ照射部5aにより出射されたレーザ光がガラス基板11の第1の表面M1における第1の保護膜12が除去された箇所に対向する箇所に入射するようにレーザ照射位置を調整する。位置合わせ部5bは、カメラなどの撮像部により第1の保護膜12の加工箇所を確認し、その加工箇所の位置を基準にしてレーザ照射位置を調整する。なお、第1の保護膜12の加工箇所を確認する以外にも、位置決めを可能とする基準となる目印をガラス基板11上に形成する機構及び工程を設け、その目印を撮像部により確認して基準とするようにしても良い。   At this time, the second film removing unit 5 uses the alignment unit 5b to remove the first protective film 12 on the first surface M1 of the glass substrate 11 from the laser beam emitted by the laser irradiation unit 5a. The laser irradiation position is adjusted so that the light is incident on the part facing the part. The alignment unit 5b confirms the processing location of the first protective film 12 by an imaging unit such as a camera, and adjusts the laser irradiation position with reference to the position of the processing location. In addition to confirming the processing location of the first protective film 12, a mechanism and a process for forming a mark serving as a reference on the glass substrate 11 that enables positioning are provided, and the mark is confirmed by the imaging unit. You may make it become a reference | standard.

この第2の膜除去工程により、第2の保護膜13は、後の工程であるエッチング工程においてガラス基板11、例えば強化層を選択的にエッチングするように所望の位置及び形状にレーザスクライブされる。これにより、図8に示すように、ガラス基板11の第2の表面M2上の第2の保護膜13に掘り込み部(溝)13aが形成され、第2の表面M2の露出部(ガラス基板露出部)M2aが形成される。なお、第2の保護膜13は、第1の保護膜12と同様、使用するレーザ光の波長を吸収する性質を持っている。また、その使用するレーザ光はガラスに吸収されにくい波長のレーザ光であることが望ましい。   By this second film removal process, the second protective film 13 is laser-scribed to a desired position and shape so as to selectively etch the glass substrate 11, for example, the reinforcing layer, in an etching process which is a subsequent process. . As a result, as shown in FIG. 8, a digging portion (groove) 13a is formed in the second protective film 13 on the second surface M2 of the glass substrate 11, and an exposed portion (glass substrate) of the second surface M2 is formed. Exposed portion) M2a is formed. Note that the second protective film 13 has the property of absorbing the wavelength of the laser light to be used, like the first protective film 12. Further, the laser beam used is desirably a laser beam having a wavelength that is not easily absorbed by glass.

ここで、第2の膜除去工程では、ガラス基板11の第2の表面M2上の第2の保護膜13は、図7に示すように、レーザ光の照射により照射側表面より徐々に加工されていく。このとき、レーザ光は第2の保護膜13の加工に消費されるため、ガラス基板11への影響はほとんど無い。その後、レーザ照射による加工が進み、図8に示すように、第2の保護膜13がほとんど無くなった時点でレーザ光がガラス基板11に届き、そのガラス基板11を加熱することになる。ただし、使用するレーザ光として、ガラスに吸収されにくい波長を有するレーザ光を選択すれば、加熱は小さくなる。   Here, in the second film removal step, the second protective film 13 on the second surface M2 of the glass substrate 11 is gradually processed from the irradiation side surface by laser light irradiation as shown in FIG. To go. At this time, since the laser light is consumed for processing the second protective film 13, there is almost no influence on the glass substrate 11. Thereafter, processing by laser irradiation proceeds, and as shown in FIG. 8, the laser beam reaches the glass substrate 11 when the second protective film 13 almost disappears, and the glass substrate 11 is heated. However, if a laser beam having a wavelength that is difficult to be absorbed by glass is selected as the laser beam to be used, heating is reduced.

このとき、表側の第1の表面M1の露出部M1aに保護膜が存在していると、ガラス基板11を透過したレーザ光は第1の表面M1上の保護膜を加工することなる。このとき、レーザ光はガラス基板11から保護膜に入射し、その保護膜におけるガラス基板11に直接接触している部分を加工するため、この加工で生じる熱は裏側(レーザ照射側)の第2の保護膜13と異なって高温となる。このため、ガラス基板11への熱影響は極めて大きなものとなり、基板強度の低下やクラックが発生してしまう(最悪の場合には破砕が発生してしまう)。これを避けるため、前述のレーザスクライブでは、図6及び図7に示すように、ガラス基板11の裏側の第2の表面M2に第2の保護膜13が形成され、レーザ光はガラス基板11の第1の表面M1上における第1の保護膜12が除去された箇所(露出部M1a)に対向する箇所に照射されることになる。   At this time, if a protective film exists on the exposed portion M1a of the first surface M1 on the front side, the laser light transmitted through the glass substrate 11 processes the protective film on the first surface M1. At this time, the laser light is incident on the protective film from the glass substrate 11, and the portion of the protective film that is in direct contact with the glass substrate 11 is processed. Therefore, the heat generated by this processing is the second on the back side (laser irradiation side). Unlike the protective film 13 of FIG. For this reason, the thermal influence on the glass substrate 11 becomes extremely large, and the strength of the substrate is reduced and cracks occur (in the worst case, crushing occurs). In order to avoid this, in the laser scribe described above, as shown in FIGS. 6 and 7, the second protective film 13 is formed on the second surface M2 on the back side of the glass substrate 11, and the laser light is emitted from the glass substrate 11. Irradiation is performed on a location on the first surface M1 opposite to the location where the first protective film 12 is removed (exposed portion M1a).

すなわち、第2の膜除去工程時に、第1の膜除去工程により第1の保護膜12が除去されていない部分を裏面側からレーザスクライブすると、レーザの照射部分のみを見れば、両面に保護膜が形成されている状態となり、ガラス基板11への熱影響が避けられない。したがって、第2の膜除去工程を実施する際には、第1の膜除去工程により第1の保護膜12が除去された部分に加工部を一致させて行う必要がある。このため、レーザ照射位置は、位置合わせ部5bにより、レーザ照射部5aからのレーザ光がガラス基板11の第1の表面M1における第1の保護膜12が除去された箇所にガラス基板11を間にして対向する箇所に入射するように調整される。   That is, when the portion where the first protective film 12 is not removed by the first film removing step is laser-scribed from the back side during the second film removing step, the protective film is formed on both surfaces if only the laser irradiated portion is seen. As a result, a thermal effect on the glass substrate 11 is inevitable. Therefore, when performing the second film removal step, it is necessary to align the processed portion with the portion where the first protective film 12 has been removed in the first film removal step. Therefore, the laser irradiation position is determined by positioning the glass substrate 11 at a position where the first protective film 12 on the first surface M1 of the glass substrate 11 has been removed by the alignment unit 5b from the laser irradiation unit 5a. Thus, it is adjusted so as to be incident on the opposite portion.

エッチング部6は、第1の保護膜12及び第2の保護膜13が所望の形状に加工されたガラス基板11にエッチング液(ガラスを腐食するための液体)を供給して、ガラス基板11の両面の強化層(所定深さの強化層)をエッチング処理し、ガラス基板11の両面の強化層を部分的に除去する(エッチング工程)。これにより、第1の保護膜12及び第2の保護膜13により保護されていない強化層(強化層露出部分)が除去され、ガラス基板11のガラス材(通常の切断可能なガラス材)が部分的に露出する。その後、ガラス基板11はガラス材露出部分からカッターやブレードなどを用いた切断部によって切断される。これにより、ガラス基板11は所望の形状に切断されることになる。なお、カッターやブレードなどの切断部を用いず、エッチングを継続してガラス基板11を切断することも可能である。このようなエッチング工程後には、第1の保護膜12及び第2の保護膜13はガラス基板11から除去される。   The etching unit 6 supplies an etching solution (liquid for corroding glass) to the glass substrate 11 in which the first protective film 12 and the second protective film 13 are processed into a desired shape, The reinforcing layers on both sides (the reinforcing layers having a predetermined depth) are etched, and the reinforcing layers on both sides of the glass substrate 11 are partially removed (etching step). Thereby, the reinforced layer (strengthened layer exposed portion) that is not protected by the first protective film 12 and the second protective film 13 is removed, and the glass material of the glass substrate 11 (ordinary severable glass material) is partially formed. Exposed. Then, the glass substrate 11 is cut | disconnected by the cutting part using a cutter, a blade, etc. from the glass material exposure part. Thereby, the glass substrate 11 is cut into a desired shape. It is also possible to continue the etching and cut the glass substrate 11 without using a cutting part such as a cutter or a blade. After such an etching process, the first protective film 12 and the second protective film 13 are removed from the glass substrate 11.

ここで、前述のエッチング液の供給としては、ガラス基板11をエッチング液に浸しても、ガラス基板11にエッチング液をかけるようにしても良く、また、バッチ処理でも枚葉処理でもどちらの処理を用いても良い。ガラス基板11にエッチング液をかけて供給する場合には、ガラス基板11を回転させながらエッチング液を供給したり、あるいは、ガラス基板11をローラ搬送しながらエッチング液を供給したりするが、その供給方法は特に限定されるものではない。   Here, as the supply of the etching solution, the glass substrate 11 may be immersed in the etching solution, or the etching solution may be applied to the glass substrate 11, and either the batch processing or the single wafer processing is performed. It may be used. When supplying the etching solution to the glass substrate 11, the etching solution is supplied while rotating the glass substrate 11, or the etching solution is supplied while the glass substrate 11 is conveyed by a roller. The method is not particularly limited.

このようなガラス基板加工工程において、レーザ照射の際、保護膜(第1の保護膜12又は第2の保護膜13)はガラス基板11の両面(第1の表面M1及び第2の表面M2)の両方に存在しておらず、どちらか一方の片面のみに存在することになる。また、レーザ照射方向は保護膜の露出面側から内部へ向かう方向である。第1の膜除去工程では、ガラス基板11の第1の表面M1のみに第1の保護膜12を形成し、その反対側の第2の表面M2には保護膜が無く、第1の表面M1側からレーザ光を照射する。第2の膜除去工程では、第2の表面M2の全面に第2の保護膜13を形成し、第2の表面M2側からレーザ光を照射する。このとき、所望の加工箇所の反対側すなわち第1の表面M1側は、第1の膜除去工程によって第1の保護膜12が除去済みであるので、レーザ光の照射箇所に限定して見ると、裏側には第2の保護膜13が形成されているが、表側には保護膜が無いことになる。このように、表側の第1の膜除去工程と裏側の第2の膜除去工程を分けることによって、片面ごとに膜除去工程(レーザスクライブ)が行われるので、ガラス基板11への熱影響を減らすことが可能となり、レーザスクライブによって生じるクラックなどの発生が激減するので、クラックなどの発生を防止しながらの膜除去を行うことができ、結果として、加工歩留りを改善することができる。   In such a glass substrate processing step, during laser irradiation, the protective film (first protective film 12 or second protective film 13) is formed on both surfaces of the glass substrate 11 (first surface M1 and second surface M2). Is not present on both of them, and is present only on one side of either. The laser irradiation direction is a direction from the exposed surface side of the protective film toward the inside. In the first film removal step, the first protective film 12 is formed only on the first surface M1 of the glass substrate 11, and the second surface M2 on the opposite side has no protective film, and the first surface M1. Laser light is irradiated from the side. In the second film removal step, the second protective film 13 is formed on the entire surface of the second surface M2, and laser light is irradiated from the second surface M2 side. At this time, since the first protective film 12 has been removed on the opposite side of the desired processing location, that is, the first surface M1 side by the first film removal step, it is limited to the laser light irradiation location. The second protective film 13 is formed on the back side, but there is no protective film on the front side. Thus, by separating the first film removal process on the front side and the second film removal process on the back side, the film removal process (laser scribing) is performed for each side, thereby reducing the thermal effect on the glass substrate 11. Since the generation of cracks and the like caused by laser scribing is drastically reduced, the film can be removed while preventing the occurrence of cracks, and as a result, the processing yield can be improved.

以上説明したように、第1の実施形態によれば、ガラス基板11の第1の表面M1に第1の保護膜12を形成し、その第1の表面M1上の第1の保護膜12におけるガラス基板11側と反対側の面にレーザ光を照射して第1の保護膜12を部分除去し、その後、第1の保護膜12を部分除去したガラス基板11の第2の表面M2に第2の保護膜13を形成し、その第2の表面M2上の第2の保護膜13におけるガラス基板11側と反対側の面であってガラス基板11の第1の表面M1における第1の保護膜12が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射して第2の保護膜12を部分除去し、最後に、第2の保護膜12を部分除去したガラス基板11をエッチング液により処理する。したがって、レーザ光によりガラス基板11上の第1の保護膜12又は第2の保護膜13を除去する場合、レーザ光は第1の保護膜12又は第2の保護膜13を除去してガラス基板11に入射するが、そのガラス基板11におけるレーザ入射側と反対側の面には保護膜が存在していないため、そのままガラス基板11を透過することになる。このため、反対面の保護膜の存在に起因してレーザ光により熱が発生することが無くなり、そのガラス基板11への熱影響が軽減されるので、基板強度の低下やクラックの発生などを防止することが可能となり、ガラス基板11の加工歩留りを改善することができる。   As described above, according to the first embodiment, the first protective film 12 is formed on the first surface M1 of the glass substrate 11, and the first protective film 12 on the first surface M1 is formed. The first protective film 12 is partially removed by irradiating the surface opposite to the glass substrate 11 side with laser light, and then the second surface M2 of the glass substrate 11 from which the first protective film 12 is partially removed is applied to the second surface M2. The second protective film 13 is formed, and the first protection on the first surface M1 of the glass substrate 11 is the surface of the second protective film 13 on the second surface M2 opposite to the glass substrate 11 side. The second protective film 12 is partially removed by irradiating the portion opposite the portion from which the film 12 has been removed, and finally the glass substrate 11 from which the second protective film 12 has been partially removed is treated with an etching solution. To do. Therefore, when the first protective film 12 or the second protective film 13 on the glass substrate 11 is removed by the laser light, the laser light removes the first protective film 12 or the second protective film 13 to remove the glass substrate. However, since the protective film is not present on the surface of the glass substrate 11 opposite to the laser incident side, the glass substrate 11 is transmitted as it is. For this reason, heat is not generated by the laser beam due to the presence of the protective film on the opposite surface, and the thermal effect on the glass substrate 11 is reduced, thereby preventing a decrease in substrate strength, generation of cracks, and the like. Thus, the processing yield of the glass substrate 11 can be improved.

(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態について図9を参照して説明する。第2の実施形態では、第1の実施形態との相違点について説明し、第1の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
(Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment, differences from the first embodiment will be described, the same parts as those described in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will also be omitted.

図9に示すように、第2の実施形態に係るガラス基板加工装置1は、第1の膜形成部2、第1の膜除去部3、第2の膜形成部4、第2の膜除去部5及びエッチング部6に加え、第1の洗浄部7及び第2の洗浄部8を備えている。これらの各部2〜8の間の搬送はロボットハンドリングやベルトコンベアなどの搬送部(図示せず)により行われる。なお、第1の洗浄部7及び第2の洗浄部8は両方ではなく片方だけ設けられても良い。   As shown in FIG. 9, the glass substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment includes a first film formation unit 2, a first film removal unit 3, a second film formation unit 4, and a second film removal. In addition to the unit 5 and the etching unit 6, a first cleaning unit 7 and a second cleaning unit 8 are provided. Transfer between these units 2 to 8 is performed by a transfer unit (not shown) such as robot handling or a belt conveyor. In addition, the 1st washing | cleaning part 7 and the 2nd washing | cleaning part 8 may be provided only in one rather than both.

第1の洗浄部7は、第1の保護膜12が第1の表面M1上に形成されたガラス基板11の第2の表面M2を洗浄する。これにより、第1の表面M1上の第1の保護膜12を部分除去する工程の前に、第1の保護膜12が第1の表面M1上に形成されたガラス基板11の第2の表面M2を洗浄する工程が存在することになる。この洗浄工程後に第1の保護膜12が第1の表面M1から部分除去される。   The first cleaning unit 7 cleans the second surface M2 of the glass substrate 11 on which the first protective film 12 is formed on the first surface M1. Thereby, before the step of partially removing the first protective film 12 on the first surface M1, the second surface of the glass substrate 11 on which the first protective film 12 is formed on the first surface M1. There will be a step of washing M2. After this cleaning step, the first protective film 12 is partially removed from the first surface M1.

第2の洗浄部8は、第1の保護膜12が第1の表面M1から部分除去されたガラス基板11の第1の表面M1を洗浄する。これにより、第2の表面M2上の第2の保護膜13を部分除去する工程の前に、第1の保護膜12が第1の表面M1から部分除去されたガラス基板11の第1の表面M1を洗浄する工程が存在することになる。この洗浄工程後に第2の保護膜13が第2の表面M2から部分除去される。   The second cleaning unit 8 cleans the first surface M1 of the glass substrate 11 from which the first protective film 12 has been partially removed from the first surface M1. Thus, the first surface of the glass substrate 11 from which the first protective film 12 is partially removed from the first surface M1 before the step of partially removing the second protective film 13 on the second surface M2. There will be a step of washing M1. After this cleaning process, the second protective film 13 is partially removed from the second surface M2.

ここで、第1の表面M1上の第1の保護膜12を除去する場合、その裏面の第2の表面M2上に保護膜が存在しない状態であっても、加工飛散物や残留物などの付着物が存在していると、やはり第2の表面M2上に保護膜がある状態と同じとなり、レーザ光による熱がガラス基板11に直接接触している付着物の部分で発生するため、ガラス基板11への熱影響は極めて大きなものとなる。これは、ガラス基板11へのダメージの原因となるため、ガラス基板11におけるレーザ照射側と反対側の面、すなわち第2の表面M2をきれいに保つことが望ましい。また、第2の表面M2上の第2の保護膜13を除去する際も同様の理由からガラス基板11におけるレーザ照射側と反対側の面、すなわち第1の表面M1(特に、露出部M1a)をきれいに保つことが望ましい。   Here, when the first protective film 12 on the first surface M1 is removed, even if the protective film is not present on the second surface M2 on the back surface, the processing scattered matter, residue, etc. If the deposit is present, the state is the same as the state in which the protective film is on the second surface M2, and heat from the laser light is generated in the portion of the deposit that is in direct contact with the glass substrate 11. The thermal effect on the substrate 11 is extremely large. Since this causes damage to the glass substrate 11, it is desirable to keep the surface opposite to the laser irradiation side in the glass substrate 11, that is, the second surface M2. Further, when removing the second protective film 13 on the second surface M2, for the same reason, the surface of the glass substrate 11 opposite to the laser irradiation side, that is, the first surface M1 (particularly, the exposed portion M1a). It is desirable to keep it clean.

したがって、第1の表面M1上の第1の保護膜12を除去する前に、前述の第1の洗浄部7により、その裏面の第2の表面M2を洗浄することによって、ガラス基板11におけるレーザ照射側と反対側の面、すなわち第2の表面M2をきれいに保つことが可能となる。同じように、第2の表面M2上の第2の保護膜13を除去する前に、前述の第2の洗浄部8により、その反対面の第1の表面M1を洗浄することによって、ガラス基板11におけるレーザ照射側と反対側の面、すなわち第1の表面M1(特に、露出部M1a)をきれいに保つことが可能となる。   Therefore, before removing the first protective film 12 on the first surface M1, the laser on the glass substrate 11 is cleaned by cleaning the second surface M2 on the back surface by the first cleaning unit 7 described above. The surface opposite to the irradiation side, that is, the second surface M2 can be kept clean. Similarly, before removing the second protective film 13 on the second surface M2, the glass substrate is cleaned by cleaning the first surface M1 opposite to the second cleaning unit 8 described above. 11, the surface opposite to the laser irradiation side, that is, the first surface M1 (particularly, the exposed portion M1a) can be kept clean.

以上説明したように、第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第1の洗浄部7及び第2の洗浄部8を設けることによって、ガラス基板11におけるレーザ照射側と反対側の面がきれいに維持されるので、反対面の付着物の存在に起因してレーザ光により熱が発生することが無くなり、そのガラス基板11への熱影響が軽減されることになる。これにより、基板強度の低下やクラックの発生などを確実に防止することが可能となり、ガラス基板11の加工歩留りをより確実に改善することができる。   As described above, according to the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Furthermore, by providing the first cleaning unit 7 and the second cleaning unit 8, the surface opposite to the laser irradiation side in the glass substrate 11 is maintained clean, which is attributed to the presence of deposits on the opposite surface. Heat is not generated by the laser light, and the thermal influence on the glass substrate 11 is reduced. As a result, it is possible to reliably prevent the substrate strength from being lowered and the occurrence of cracks, and the processing yield of the glass substrate 11 can be more reliably improved.

ここで、前述の第2の膜形成工程において、第2の保護膜13を裏側の第2の表面M2に形成する際に、回り込みなどにより表側の第1の表面M1(特に、露出部M1a)に保護膜が形成されると、前述と同様の理由によってガラス基板11へのダメージの原因となるため、避けなければならない。このため、第2の膜形成工程では、第2の保護膜13がガラス基板11の第2の表面M2から第1の表面M1に回り込むことを抑え、特に第1の表面M1上の第1の保護膜12に存在する掘り込み部12aに入り込むことを防いで第2の表面M2に第2の保護膜13を形成する。なお、第2の保護膜13がガラス基板11の第2の表面M2から第1の表面M1に回り込んでしまった場合には、その回り込んだ部分の第2の保護膜13を除去する。ここで、第2の保護膜13がガラス基板11の第2の表面M2から第1の表面M1に回り込むことを抑えるための具体例としては、スピンコータに回り込み防止カバーをつけて、そのスピンコータにより第2の表面M2に第2の保護膜13を形成する。   Here, when the second protective film 13 is formed on the second surface M2 on the back side in the second film forming step described above, the first surface M1 on the front side (especially the exposed portion M1a) due to wraparound or the like. If a protective film is formed on the glass substrate 11, it causes damage to the glass substrate 11 for the same reason as described above, and must be avoided. For this reason, in the second film formation step, the second protective film 13 is prevented from wrapping around from the second surface M2 of the glass substrate 11 to the first surface M1, and in particular, the first film on the first surface M1. The second protective film 13 is formed on the second surface M <b> 2 while preventing entry into the dug portion 12 a existing in the protective film 12. In addition, when the 2nd protective film 13 wraps around from the 2nd surface M2 of the glass substrate 11 to the 1st surface M1, the 2nd protective film 13 of the wraparound part is removed. Here, as a specific example for preventing the second protective film 13 from wrapping from the second surface M2 of the glass substrate 11 to the first surface M1, a wraparound prevention cover is attached to the spin coater, and the spin coater is used to The second protective film 13 is formed on the second surface M2.

なお、前述の第1又は第2の実施形態においては、第1の膜形成部2及び第2の膜形成部4を設け、また、第1の膜除去部3及び第2の膜除去部5を設けているが、これに限るものではなく、例えば、第1の膜形成部2及び第2の膜形成部4として一台の膜形成部を共用するようにしても良く、また、第1の膜除去部3及び第2の膜除去部5として一台の膜除去部を共用するようにしても良い。   In the first or second embodiment described above, the first film forming unit 2 and the second film forming unit 4 are provided, and the first film removing unit 3 and the second film removing unit 5 are provided. However, the present invention is not limited to this. For example, one film forming unit may be shared as the first film forming unit 2 and the second film forming unit 4. One film removing unit may be shared as the film removing unit 3 and the second film removing unit 5.

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   As mentioned above, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

1 ガラス基板加工装置
2 第1の膜形成部
3 第1の膜除去部
4 第2の膜形成部
5 第2の膜除去部
5b 位置合わせ部
6 エッチング部
7 第1の洗浄部
8 第1の洗浄部
11 ガラス基板
12 第1の保護膜
13 第2の保護膜
M1 第1の表面
M2 第2の表面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate processing apparatus 2 1st film | membrane formation part 3 1st film | membrane removal part 4 2nd film | membrane formation part 5 2nd film | membrane removal part 5b Positioning part 6 Etching part 7 1st washing | cleaning part 8 1st Cleaning unit 11 Glass substrate 12 First protective film 13 Second protective film M1 First surface M2 Second surface

Claims (14)

互いに向かい合う第1の表面及び第2の表面を有するガラス基板の第1の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第1の保護膜を形成する第1の膜形成部と、
前記ガラス基板の第1の表面に形成された前記第1の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第1の表面に形成された前記第1の保護膜を部分除去する第1の膜除去部と、
前記第1の保護膜が前記第1の表面から部分除去された前記ガラス基板の第2の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第2の保護膜を形成する第2の膜形成部と、
前記ガラス基板の第2の表面に形成された前記第2の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面であって前記ガラス基板の第1の表面における前記第1の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第2の表面に形成された前記第2の保護膜を部分除去する第2の膜除去部と、
前記第2の保護膜が前記第2の表面から部分除去された前記ガラス基板をエッチング液により処理するエッチング部と、
を備えることを特徴とするガラス基板加工装置。
A first film forming section for forming a first protective film having laser light absorption and etching resistance on a first surface of a glass substrate having a first surface and a second surface facing each other;
The first protective film formed on the first surface of the glass substrate is irradiated with laser light on the surface of the first protective film opposite to the glass substrate side, and the first surface formed on the first surface of the glass substrate. A first film removing unit for partially removing the protective film;
Second film formation for forming a second protective film having laser light absorption and etching resistance on the second surface of the glass substrate from which the first protective film has been partially removed from the first surface And
The surface of the second protective film formed on the second surface of the glass substrate is the surface opposite to the glass substrate side, and the first protective film on the first surface of the glass substrate is removed. A second film removal unit that irradiates a part facing the part with a laser beam and partially removes the second protective film formed on the second surface of the glass substrate;
An etching portion for treating the glass substrate from which the second protective film has been partially removed from the second surface with an etchant;
A glass substrate processing apparatus comprising:
前記第1の保護膜が前記第1の表面に形成された前記ガラス基板の第2の表面を洗浄する洗浄部をさらに備え、
前記第1の膜除去部は、前記第2の表面が洗浄された前記ガラス基板に対してレーザ光を照射することを特徴とする請求項1に記載のガラス基板加工装置。
A cleaning unit for cleaning the second surface of the glass substrate on which the first protective film is formed on the first surface;
2. The glass substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the first film removing unit irradiates the glass substrate with the second surface cleaned with laser light. 3.
前記第1の保護膜が前記第1の表面から部分除去された前記ガラス基板の第1の表面を洗浄する洗浄部をさらに備え、
前記第2の膜除去部は、前記第1の表面が洗浄された前記ガラス基板に対してレーザ光を照射することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のガラス基板加工装置。
A cleaning unit for cleaning the first surface of the glass substrate from which the first protective film has been partially removed from the first surface;
3. The glass substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second film removing unit irradiates the glass substrate with the first surface cleaned with laser light. 4.
前記第2の膜形成部は、前記第2の保護膜が前記第2の表面から前記第1の表面に回り込むことを抑えて前記第2の表面に前記第2の保護膜を形成することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のガラス基板加工装置。   The second film forming unit forms the second protective film on the second surface while suppressing the second protective film from flowing from the second surface to the first surface. The glass substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned. 前記第2の膜除去部は、前記第2の表面から前記第1の表面に回り込んだ前記第2の保護膜を除去することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のガラス基板加工装置。   The said 2nd film | membrane removal part removes the said 2nd protective film which wraps around the said 1st surface from the said 2nd surface, The any one of Claim 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned. The glass substrate processing apparatus of description. 前記第2の膜除去部は、前記ガラス基板の第1の表面における前記第1の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光の照射位置を合わせる位置合わせ部を具備することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のガラス基板加工装置。   The second film removing unit includes an alignment unit that aligns an irradiation position of the laser beam at a position facing the position where the first protective film is removed on the first surface of the glass substrate. The glass substrate processing apparatus as described in any one of Claim 1 thru | or 5. 互いに向かい合う第1の表面及び第2の表面を有するガラス基板の第1の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第1の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第1の表面に形成された前記第1の保護膜を部分除去する第1の膜除去部と、
前記ガラス基板の第2の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第2の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面であって前記ガラス基板の第1の表面における前記第1の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第2の表面に形成された前記第2の保護膜を部分除去する第2の膜除去部と、
を備えることを特徴とするガラス基板加工装置。
The first protective film formed on the first surface of the glass substrate having the first surface and the second surface facing each other on the surface opposite to the glass substrate side in the first protective film having laser light absorption and etching resistance. A first film removing unit that irradiates a laser beam and partially removes the first protective film formed on the first surface of the glass substrate;
The second protective film formed on the second surface of the glass substrate and having a laser light absorption property and etching resistance is a surface opposite to the glass substrate side and the surface of the first surface of the glass substrate. A second film removing unit that irradiates a portion facing the portion from which the first protective film has been removed with a laser beam, and partially removes the second protective film formed on the second surface of the glass substrate; ,
A glass substrate processing apparatus comprising:
互いに向かい合う第1の表面及び第2の表面を有するガラス基板の第1の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第1の保護膜を形成する工程と、
前記ガラス基板の第1の表面に形成された前記第1の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第1の表面に形成された前記第1の保護膜を部分除去する工程と、
前記第1の保護膜が前記第1の表面から部分除去された前記ガラス基板の第2の表面に、レーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第2の保護膜を形成する工程と、
前記ガラス基板の第2の表面に形成された前記第2の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面であって前記ガラス基板の第1の表面における前記第1の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第2の表面に形成された前記第2の保護膜を部分除去する工程と、
前記第2の保護膜が前記第2の表面から部分除去された前記ガラス基板をエッチング液により処理する工程と、
を有することを特徴とするガラス基板加工方法。
Forming a first protective film having laser light absorption and etching resistance on a first surface of a glass substrate having a first surface and a second surface facing each other;
The first protective film formed on the first surface of the glass substrate is irradiated with laser light on the surface of the first protective film opposite to the glass substrate side, and the first surface formed on the first surface of the glass substrate. Removing part of the protective film,
Forming a second protective film having laser light absorption and etching resistance on the second surface of the glass substrate from which the first protective film has been partially removed from the first surface;
The surface of the second protective film formed on the second surface of the glass substrate is the surface opposite to the glass substrate side, and the first protective film on the first surface of the glass substrate is removed. Irradiating a portion facing the portion with laser light, partially removing the second protective film formed on the second surface of the glass substrate;
Treating the glass substrate from which the second protective film has been partially removed from the second surface with an etchant;
The glass substrate processing method characterized by having.
前記第1の保護膜を部分除去する工程の前に、前記第1の保護膜が前記第1の表面に形成された前記ガラス基板の第2の表面を洗浄する工程をさらに有することを特徴とする請求項8に記載のガラス基板加工方法。   Before the step of partially removing the first protective film, the method further comprises the step of cleaning the second surface of the glass substrate on which the first protective film is formed on the first surface. The glass substrate processing method of Claim 8. 前記第2の保護膜を部分除去する工程の前に、前記第1の保護膜が前記第1の表面から部分除去された前記ガラス基板の第1の表面を洗浄する工程をさらに有することを特徴とする請求項8又は請求項9に記載のガラス基板加工方法。   Before the step of partially removing the second protective film, the method further comprises a step of cleaning the first surface of the glass substrate from which the first protective film has been partially removed from the first surface. The glass substrate processing method according to claim 8 or 9. 前記第2の保護膜を形成する工程では、前記第2の保護膜が前記第2の表面から前記第1の表面に回り込むことを抑えて前記第2の表面に前記第2の保護膜を形成することを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれか一項に記載のガラス基板加工方法。   In the step of forming the second protective film, the second protective film is formed on the second surface while preventing the second protective film from flowing from the second surface to the first surface. The glass substrate processing method according to any one of claims 8 to 10, wherein: 前記第2の保護膜を部分除去する工程では、前記第2の表面から前記第1の表面に回り込んだ前記第2の保護膜を除去することを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれか一項に記載のガラス基板加工方法。   11. The method according to claim 8, wherein, in the step of partially removing the second protective film, the second protective film that has wrapped around the first surface from the second surface is removed. The glass substrate processing method as described in any one of Claims. 前記第2の保護膜を部分除去する工程では、前記ガラス基板の第1の表面における前記第1の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光の照射位置を合わせることを特徴とする請求項8乃至請求項12のいずれか一項に記載のガラス基板加工方法。   In the step of partially removing the second protective film, the irradiation position of the laser beam is aligned with a position on the first surface of the glass substrate opposite to the position where the first protective film is removed. The glass substrate processing method as described in any one of Claims 8 thru | or 12. 互いに向かい合う第1の表面及び第2の表面を有するガラス基板の第1の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第1の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第1の表面に形成された前記第1の保護膜を部分除去する工程と、
前記ガラス基板の第2の表面に形成されたレーザ光吸収性及び耐エッチング性を有する第2の保護膜における前記ガラス基板側と反対側の面であって前記ガラス基板の第1の表面における前記第1の保護膜が除去された箇所に対向する箇所にレーザ光を照射し、前記ガラス基板の第2の表面に形成された前記第2の保護膜を部分除去する工程と、
を有することを特徴とするガラス基板加工方法。
The first protective film formed on the first surface of the glass substrate having the first surface and the second surface facing each other on the surface opposite to the glass substrate side in the first protective film having laser light absorption and etching resistance. Irradiating a laser beam to partially remove the first protective film formed on the first surface of the glass substrate;
The second protective film formed on the second surface of the glass substrate and having a laser light absorption property and etching resistance is a surface opposite to the glass substrate side and the surface of the first surface of the glass substrate. Irradiating a portion facing the portion from which the first protective film has been removed with laser light, and partially removing the second protective film formed on the second surface of the glass substrate;
The glass substrate processing method characterized by having.
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