JP2014060334A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体装置内で生じた熱を効率的に放熱可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１および第２の配線部材８、９は互いに接合されて接合部Ａを構成している。封止絶縁体１０は、半導体素子２、第１の配線部材８および接合部Ａを覆うとともに、第２の配線部材９の一部を露出している。第１の配線部材８は、接合部Ａから封止絶縁体１０内を延びるように形成された放熱部８ａを有している。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置に関し、特に、半導体素子が封止絶縁体に覆われた半導体装置に関するものである。
近年、車載用電力半導体装置において、大出力化が進行する一方で、小型軽量化、高効率化が求められるようになってきた。そのため、配線の断面積を拡大し、かつ密に配線をすることが必要となる。電力半導体装置の小型化を実現するには、配線と電子部品との間隔も密になることから、配線の発熱が大きいとその熱が周囲の電子部品などに伝わり熱干渉を起こすといった問題がある。
このため、電力半導体装置の配線は大電流が流れた際に発熱が小さくなるよう大きな断面積を有している必要がある。さらには、それら配線同士の接続部も大電流が流れた際に発熱が小さくなるよう大きな接合面積を有している必要がある。
接合部の形状の例としては多くの先行例がある。たとえば特開２０１１−１９４４０３号公報（特許文献１参照）には、一方の金属導体板の第１接合面にレーザ仮打ちによって突出部を形成した後に、他方の金属導体板の第２接合面と上記突出部とを接触させた接触部にレーザ本打ちによって溶接部を形成する方法が開示されている。
特開２０１１−１９４４０３号公報
しかし、電力半導体装置では、高出力化・小型化に伴い半導体スイッチング素子における発熱が大きくなってきている。また電力半導体装置のコストの多くを半導体スイッチング素子が占めており、チップシュリンクによるコストダウンの面からもチップの放熱設計は難しくなっている。一方で、配線に大電流が流れることによる配線や接合部の発熱が、配線を伝わり半導体スイッチング素子と熱干渉するといった問題もある。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、半導体装置内で生じた熱を効率的に放熱可能な半導体装置を提供することである。
本発明の半導体装置は、冷却器と、半導体素子と、第１の配線部材と、第２の配線部材と、封止絶縁体とを備えている。冷却器は表面を有している。半導体素子は冷却器の表面側に配置されている。第１の配線部材は半導体素子に電気的に接続されている。第２の配線部材は第１の配線部材と接合されて接合部を構成している。封止絶縁体は、半導体素子、第１の配線部材および接合部を覆うとともに、第２の配線部材の一部を露出している。第１および第２の配線部材の少なくとも一方の配線部材は、接合部から封止絶縁体内を延びるように形成された放熱部を有している。
本発明の半導体装置によれば、第１および第２の配線部材の少なくとも一方の配線部材は、接合部から封止絶縁体内を延びるように形成された放熱部を有しているため、配線部材、接合部、半導体素子などで生じた熱が放熱部から封止絶縁体を介して冷却器へ効率的に放熱され、半導体素子などへの熱干渉を低減することができる。
以上説明したように本発明の半導体装置によれば、配線部材、接合部、半導体素子などで生じた熱が放熱部から封止絶縁体を介して冷却器へ効率的に放熱され、半導体素子などへの熱干渉を低減することができる。
本発明の実施の形態１における電力半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。 図１の第１および第２の配線部材の接合部付近の構成を概略的に示す部分拡大斜視図である。 本発明の実施の形態２における電力半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。 図３の第１および第２の配線部材の接合部付近の構成を概略的に示す部分拡大斜視図である。 本発明の実施の形態３における電力半導体装置の第１および第２の配線部材の接合部付近の構成を概略的に示す部分拡大斜視図である。 本発明の実施の形態４における電力半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。 配線基板側にも放熱部を有する配線部材を使用した構成を概略的に示す断面図である。 第１および第２の配線部材の双方に放熱部材を設けた構成を概略的に示す断面図である。 図８の第１および第２の配線部材の接合部付近の構成を概略的に示す部分拡大斜視図である。
以下に本発明の実施の形態について図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の既述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
（実施の形態１）
図１を参照して、電力半導体装置１は、半導体素子２と、配線基板３と、接合部材４ａ、４ｂと、放熱接合部材５と、冷却器６と、電極部７と、第１の配線部材８と、第２の配線部材９と、封止絶縁体１０とを主に有している。
半導体素子２は、たとえば少なくとも２つの半導体スイッチング素子である。２つの半導体スイッチング素子２は、たとえばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）と、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）とである。
少なくとも２つの半導体スイッチング素子２は、配線基板３の電極部７に接合部材４ａにより接合されている。配線基板３は、たとえば銅板やセラミックよりなる基板と、その基板に形成された主回路（図示せず）とを有している。接合部材４ａは、たとえばはんだや銀（Ａｇ）シンターなどからなっている。
配線基板３は、放熱接合部材５を介して冷却器６の表面６ａに接合されている。放熱接合部材５は放熱グリスや放熱絶縁シートなどからなっている。冷却器６は、その内部に冷媒が流れるように構成されている。
第１および第２の配線部材８、９は、半導体スイッチング素子２と図示しない外部回路（電力半導体装置１の外部に位置する回路）とを電気的に接続するためのものである。第１の配線部材８は、少なくとも２つの半導体スイッチング素子２に接合部材４ｂにより電気的に接続されている。
この第１の配線部材８は、半導体スイッチング素子２の配線基板３側とは反対側に配置されている。第１の配線部材８は、主回路を形成し、かつたとえば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属からなっている。接合部材４ｂは、たとえばはんだや銀シンターなどからなっている。
第２の配線部材９は、たとえば溶接により第１の配線部材８に接合されている。これにより第１および第２の配線部材８、９の間には接合部Ａが構成されている。第２の配線部材９も、主回路を形成し、かつたとえば銅、アルミニウムなどの金属からなっている。
封止絶縁体１０は、少なくとも２つの半導体スイッチング素子２と、第１の配線部材８と、接合部Ａとを少なくとも覆い、かつ第２の配線部材９の一部を露出するように形成されている。本実施の形態においては、封止絶縁体１０は、たとえば少なくとも２つの半導体スイッチング素子２と、配線基板３と、第１の配線部材８と、接合部Ａと、第２の配線部材９の接合部Ａ側の部分とを覆うように冷却器６上に形成されている。このため、第２の配線部材９の接合部Ａとは反対側の部分が封止絶縁体１０から露出している。
この封止絶縁体１０は、たとえば熱伝導率の高いエポキシ樹脂やシリコーン樹脂よりなっている。通常の放熱性を要求されない樹脂の熱伝導率は０．１〜０．３Ｗ／Ｋ・ｍである。このため封止絶縁体１０の熱伝導率は０．１Ｗ／Ｋ・ｍ以上であればよく、放熱性を考慮すれば０．３Ｗ／Ｋ・ｍ以上であることがより好ましい。また高放熱化のためには封止絶縁体１０の熱伝導率は大きいほどよいが、流動性などを考慮すると１Ｗ／Ｋ・ｍ程度であることが現実的である。このように封止絶縁体１０は、放熱部８ａが空気中に位置するよりも封止絶縁体１０中に位置する方が放熱部８ａからの放熱が容易なように構成されている。
次に、上記の第１および第２の配線部材の構成について図１および図２を用いて詳細に説明する。
図１および図２を参照して、第１の配線部材８は、放熱部８ａと、接続部８ｂと、折り曲げ部８ｃとを有している。また第２の配線部材９は、延在部９ａと、折り曲げ部９ｂとを有している。
第１の配線部材８の接続部８ｂは、接合部材４ｂにより少なくとも２つの半導体スイッチング素子２と接続される部分である。第１の配線部材８の折り曲げ部８ｃは、接続部８ｂから折り曲げられた部分であり、接続部８ｂに対してたとえば９０°の角度で上方側（半導体スイッチング素子２および冷却器６とは反対側）に折り曲げられている。
第２の配線部材９の延在部９ａは、封止絶縁体１０中を延在する部分を有し、かつ封止絶縁体１０内に位置する一方端部と、封止絶縁体から露出した他方端部とを有している。第２の配線部材９の折り曲げ部９ｂは、延在部９ａから折り曲げられた部分であり、延在部９ａに対してたとえば９０°の角度で折り曲げられている。折り曲げ部９ｂは延在部９ａよりも上方側（半導体スイッチング素子２および冷却器６とは反対側）に延びるように形成されている。
第１の配線部材８の折り曲げ部８ｃと第２の配線部材９の折り曲げ部９ｂとは、互いに対面するように重ね合わされた状態でたとえば溶接により互いに接合されている。これにより、第１の配線部材８の折り曲げ部８ｃと第２の配線部材９の折り曲げ部９ｂとが互いに重ね合わされた部分が接合部Ａを構成している。
第１の配線部材８の放熱部８ａは、接合部Ａから封止絶縁体１０内を延びるように形成されている。具体的には、放熱部８ａは第１の配線部材８の折り曲げ部８ｃから折り曲げられた部分であり、この折り曲げ部８ｃに対してたとえば９０°の角度で第２の配線部材９とは反対側に折り曲げられている。放熱部８ａは、接合部Ａから冷却器６の表面６ａに沿って延びるように、たとえば冷却器６の表面６ａに平行に延びるように形成されている。この放熱部８ａの接合部Ａとは反対側の先端部８ａ1は、他の導電物質には接続されておらず封止絶縁体１０に接触しており、かつその周囲を封止絶縁体１０により覆われている。
上述のとおり第１および第２の配線部材８、９は半導体スイッチング素子２と図示しない外部回路との間の電流経路を構成するが、放熱部８ａはこの電流経路から外れた部分に形成されている。つまり上記の電流経路は、第１の配線部材８の接続部８ｂと、折り曲げ部８ｃと、接合部Ａと、第２の配線部材９の折り曲げ部９ｂと、延在部９ａとにより構成されており、その電流経路に第１の配線部材８の放熱部８ａは含まれていない。このため、半導体スイッチング素子２と外部回路との間に電流を流した際に、放熱部８ａは電流が流れないように構成されている。
なお放熱部８ａは第１の配線部材８と一体に形成されていることが好ましいが、第１の配線部材８と別体で設けられていてもよい。
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
一般的に、第１および第２の配線部材８、９の発熱量と接合部Ａの発熱量とは、合わせても多寡だか１０Ｗ程度である。しかし、一般的に電力半導体装置１の半導体スイッチング素子２の熱抵抗が約０．２Ｋ／Ｗである。このため、上記１０Ｗ程度の発熱量を半導体スイッチング素子２がそのまま受けると、半導体スイッチング素子２の温度は約２℃も上昇してしまう。
また第１および第２の配線部材８、９の発熱と接合部Ａの発熱とを第１および第２の配線部材８、９を通じて電力半導体装置１の外部へ逃がすことも考えられる。しかし、特に車載用の電力半導体装置１では、その電力半導体装置１がモータ近傍に配置されることが多くなってきている。このため、図示しない外部配線から第１および第２の配線部材８、９が受熱してしまう傾向にある。
また第１および第２の配線部材８、９は一般に電気伝導度の高い銅やアルミニウムよりなっているため高い熱伝導率を有している。このため、第１および第２の配線部材８、９を互いに接合する際に、接合部に与えられた接合のための熱が上記接合部から逃げやすくなる。よって、大きな接合面積を得ることは難しい。
また、接合面積を増大させていくと接合条件が狭くなり、接合条件がばらつくと接合欠陥が多くなる。このため、大面積の接合には接合欠陥が含まれる可能性が高くなり、その接合部に応力集中が発生してクラックが入りやすくなる。また接合面積を増大させるためには、エネルギーの大きな接合装置を用いる必要があり、生産性やコストの面からの問題も大きい。
また、第１および第２の配線部材８、９を冷却する方法として、一般的に第１および第２の配線部材８、９を他の部材（絶縁層など）を介して冷却器６に接続し冷却する方法が考えられる。しかし、この方法で接合部Ａの発熱を冷却するには接合部Ａ近傍で冷却器６に接続させる必要がある。高密度実装が求められる電力半導体装置１では希望の位置に第１および第２の配線部材８、９を接続させるスペースの確保が難しいといった問題や第１および第２の配線部材８、９を冷却器６に接続するために第１および第２の配線部材８、９が複雑で長くなるといった問題がある。
また接合部Ａの断面積は第１および第２の配線部材８、９の断面積よりも小さくなるのが一般的であることから、大電流が流れる電力半導体装置１では接合部Ａの発熱が無視できなくなってくる。そのため、少しでも半導体スイッチング素子２に発熱が流れないように第１および第２の配線部材８、９および接合部Ａの冷却が重要となってきている。
また、熱が半導体スイッチング素子２から第１および第２の配線部材８、９を通り図示しない外部回路に流れる状況も想定される。回路構成上、半導体スイッチング素子２の近傍には図示しないコンデンサが配置されることが多い。コンデンサは、応答性、コストの面から熱に弱いフィルムコンデンサを用いることが多いため、電力半導体装置１からの受熱が問題となる。
上記に対して本実施の形態においては、図１および図２に示すように、接合部Ａから封止絶縁体１０内を延びる放熱部８ａが形成されている。このため第１および第２の配線部材８、９での発熱および接合部Ａでの発熱が放熱部８ａを介して封止絶縁体１０中に拡散され、冷却器６を介して放熱される。よって、接合部Ａの高い信頼性を確保するだけでなく半導体スイッチング素子２や図示しない近傍の電子部品との熱干渉も低減できる。
なお放熱部８ａが封止絶縁体１０に覆われない場合は、放熱部８ａから空気中への熱伝達率は大きくとも１０Ｗ／Ｋ・ｍ2であるため、放熱部８ａの寸法が大きくなり、現実的ではない。このため、放熱部８ａは封止絶縁体１０に覆われている必要がある。
また半導体スイッチング素子２からコンデンサまでの途中の第１および第２の配線部材８、９の接合部Ａに放熱部８ａが設けられている。これにより、放熱部８ａにより接合部Ａより先に伝わる熱を抑制する効果があり、第１および第２の配線部材８、９近傍に配置される電子部品との熱干渉が緩和できる。
また放熱部８ａが接合部Ａから延びるように形成されているため、接合部Ａでの発熱を効率的に放熱することができる。このため、接合部Ａにおける接合面積を小さくでき、接合面積を大きくすることによる製造上、コスト上などの問題を抑制することもできる。
また放熱部８ａから封止絶縁体１０を通じて冷却器６へ効率的に放熱することができるため、第１および第２の配線部材８、９を他の部材（絶縁層など）を介して冷却器６に接続する必要もない。このため、他の部材を配置するためのスペースの確保も不要であり、かつ冷却器６に接続するために第１および第２の配線部材８、９を複雑で長くする必要もない。
また放熱部８ａが第１の配線部材８と一体成形されている場合、別体で形成する場合よりも生産性が良好となるとともに、第１および第２の配線部材８、９を小型化することができる。
また放熱部８ａが冷却器６の表面６ａに沿って延びているため、冷却器６の冷却面（表面６ａ）に対向する面積を大きく確保することができ、放熱量を増やすことができる。
また接合部Ａでは位置精度が非常に重要になる。特に、溶接では位置精度が接合品質を左右する重要なパラメータとなる。本実施の形態においては、２つの放熱部８ａが接合部Ａの両端部から延びているため、２つの放熱部８ａを位置合わせに用いることで、第１および第２の配線部材８、９の接合時の位置合わせが容易になる。
また、半導体スイッチング素子２の温度が高く、封止絶縁体１０表面の温度上昇が大きくなり他の電子部品と熱干渉が問題になる場合がある。その際は、放熱部８ａが半導体スイッチング素子２の真上に配置されていることで、封止絶縁体１０表面の温度上昇を抑制することができる。なお、半導体スイッチング素子２の発熱は放熱部８ａ、封止絶縁体１０、冷却器６の順に伝わって放熱されるため、封止絶縁体１０の表面から外部に漏れにくくなり、電力半導体装置１が搭載される筺体内の温度上昇を抑制することが可能となる。
（実施の形態２）
図３および図４を参照して、本実施の形態の構成は、図１および図２に示す実施の形態１の構成と比較して第１および第２の配線部材８、９の構成において異なっている。本実施の形態の第１の配線部材８の放熱部８ａは、折り曲げ部８ｃに対してたとえば９０°の角度で（つまり垂直な方向に）延びており、かつ折り曲げ部８ｃから第２の配線部材９側に折り曲げられている。この放熱部８ａの先端部８ａ1は、他の導電物質には接続されておらず封止絶縁体１０に接触しており、かつその周囲を封止絶縁体１０により覆われている。
この放熱部８ａは、接合部Ａから冷却器６の表面６ａに沿って延びるように、たとえば冷却器６の表面６ａに平行に延びるように形成されている。また冷却器６の表面６ａに垂直な方向から見たときに、放熱部８ａは、半導体スイッチング素子２と重ならない位置（領域Ｒ）に配置されている。
第２の配線部材９の折り曲げ部９ｂは延在部９ａよりも下方側に（半導体スイッチング素子２および冷却器６側に）延びるように形成されている。第２の配線部材９の延在部９ａは放熱部８ａよりも上方に延在している。
なお、本実施の形態の上記以外の構成については、実施の形態１の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
放熱部８ａからの熱は冷却器６に向かって流れていく。このため本実施の形態のように冷却器６の表面６ａに垂直な方向から見たときに、放熱部８ａが半導体スイッチング素子２と重ならない位置（領域Ｒ）に配置されることで、放熱部８ａから冷却器６へ向かう熱による半導体スイッチング素子２との熱干渉を抑制することができる。
放熱部８ａを折り曲げ部８ｃに対して垂直な方向であって、第２の配線部材９側に延ばすことによって、放熱部８ａにより第１の配線部材８に対する第２の配線部材９の位置合わせが可能となる。これにより、接合部Ａの接合が安定し信頼性の向上を図ることができる。
（実施の形態３）
図５を参照して、本実施の形態の構成は、図１および図２に示す実施の形態１の構成と比較して第１および第２の配線部材８、９の構成において異なっている。本実施の形態の構成においては、第２の配線部材９は、折り曲げ部を有しておらず、放熱部９ｃを有している。このため、この放熱部９ｃは延在部９ａと一体に形成されており、かつ第２の配線部材９の延在部９ａから一直線上に延びている。また第１の配線部材８は放熱部を有していない。
第２の配線部材９の放熱部９ｃは、延在部９ａから二股に分かれて伸びており、その放熱部９ｃの二股の間に第１の配線部材８の折り曲げ部８ｃが配置されている。これにより第１の配線部材８の折り曲げ部８ｃと第２の配線部材９の二股の放熱部９ｃの間の部分とで第１および第２の配線部材８、９の接合部Ａが構成されている。
なお、本実施の形態の上記以外の構成については、実施の形態１の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
本実施の形態においては、第２の配線部材９の放熱部９ｃが延在部９ａと一体に形成され、かつ延在部９ａと一直線上に配置されているため、第２の配線部材９の加工が容易となる。
（実施の形態４）
図６を参照して、本実施の形態の構成は、図３および図４に示す実施の形態２の構成と比較して放熱部８ａと冷却器６との間に放熱部材１１および絶縁部材１２が追加されている点において異なっている。
本実施の形態の構成において、放熱部材１１は絶縁部材１２を介在して放熱部８ａに取り付けられている。放熱部材１１は配線基板３に接続するように配置されている。絶縁部材１２は放熱部材１１と放熱部８ａとの双方に接するように放熱部材１１と放熱部８ａとの間に配置されている。
放熱部材１１は、たとえばアルミニウム、銅などの高熱伝導材の金属からなっている。絶縁部材１２は、電気絶縁可能で弾性のある材料からなっており、たとえばセラミック、シリカなどのフィラー入りのエポキシ樹脂シート（絶縁シート）である。組み立てにおいては、第１および第２の配線部材８、９とを互いに接合した後に放熱部材１１が配線基板３に設けられることが望ましい。なお放熱部材１１は、配線基板３に設けられた後に、絶縁部材１２を介在して放熱部８ａに接続される。
放熱部材１１は配線基板３ではなく冷却器６に直接接続されていてもよい。
なお、本実施の形態の上記以外の構成については、実施の形態２の構成とほぼ同じであるため同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
本実施の形態においては、実施の形態２の構成に比べて、より多くの熱を放熱部８ａから放熱部材１１を通して冷却器６へ放熱することができる。また、放熱部８ａが半導体スイッチング素子２との外部回路との間の電流経路を構成しない。このため、放熱部８ａの構成が複雑になっても発熱が増加することが無く、放熱効率が低くなることはない。また熱は放熱部材１１を流れる方が封止絶縁体１０を流れるときよりも広がらずに冷却器６まで到達できるため、他の電子部品との熱干渉がさらに低減され得る。
なお、放熱部材１１を設けた後に第１および第２の配線部材８、９の接合を行うと、接合部Ａの熱容量が増加し第１および第２の配線部材８、９の接合性が低下する。しかし、第１および第２の配線部材８、９同士の接合が終わった後に放熱部材１１を配線基板３に設けることで第１および第２の配線部材８、９の接合性の悪化を防止することができる。
また放熱部材１１と放熱部８ａとの間に、弾性のある絶縁部材１２を設けることにより、放熱部８ａの高さ方向の位置ずれを絶縁部材１２によって吸収することができる。
（その他）
上記の実施の形態１〜４においては、半導体スイッチング素子２の上面側に第１および第２の配線部材８、９を電気的に接続した構成について説明したが、図７に示すように第１および第２の配線部材８、９は半導体スイッチング素子２の下面側に電気的に接続されてもよい。この場合には、第１および第２の配線部材８、９は、半導体スイッチング素子２の下面側に電気的に接続された配線基板３に電気的に接続するように設けられてもよい。
また図７に示すように、半導体スイッチング素子２の上面側に電気的に接続された第１および第２の配線部材８、９と、半導体スイッチング素子２の下面側に電気的に接続された第１および第２の配線部材８、９と双方が設けられてもよい。
また上記の実施の形態１〜４においては、第１および第２の配線部材８、９の一方のみに放熱部８ａ、９ｃを設けた構成について説明したが、図８および図９に示すように第１および第２の配線部材８、９の双方に放熱部８ａ、９ｃが設けられてもよい。図８および図９に示す構成においては、放熱部８ａはたとえば接合部Ａから第２の配線部材９側とは反対側に延びており、放熱部９ｃはたとえば接合部Ａから第１の配線部材８側とは反対側に延びているが、放熱部８ａ、９ｃの各々の延びる方向はこれに限定されるものではない。たとえば放熱部８ａ、９ｃは互いに異なる方向に延びていてもよく、また互いに同じ方向に延びていてもよい。
また上記の実施の形態においては、第１および第２の配線部材８、９が溶接により接合される場合について説明したが、はんだやロウ付けにより接合されてもよい。はんだやロウ付けにより接合される場合であっても、銅などの高熱伝導材料に大きな接合部Ａを得ようとすることが難しいため、接合部Ａが小さくなる。これにより、接合部Ａの発熱が問題となるため、はんだやロウ付けを用いる場合にも上記の各実施の形態に記載の構成を用いることが有効である。
また、はんだやロウ付けでは、第１および第２の配線部材８、９と異なる金属での接合となるため、接合部Ａの温度上昇に伴う線膨張差による疲労が懸念される。しかし、上記の各実施の形態に記載のような放熱部８ａ、９ｃを設けることで接合部Ａの温度上昇を抑制することができるため、熱による疲労を緩和することができる。
また上記の実施の形態は適宜組み合わせることが可能である。また上記においては電力半導体装置について説明したが、電力用に限られず半導体装置全般に上記の実施の形態を適用することができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
１ 電力半導体装置、２ 半導体スイッチング素子（半導体素子）、３ 配線基板、４ａ，４ｂ 接合部材、５ 放熱接合部材、６ 冷却器、７ 電極部、８ 第１の配線部材、９ 第２の配線部材、８ａ，９ｃ 放熱部、８ａ1 先端部、８ｂ 接続部、８ｃ，９ｂ 折り曲げ部、９ａ 延在部、１０ 封止絶縁体、１１ 放熱部材、１２ 絶縁部材。

Claims (6)

  1. 表面を有する冷却器と、
    前記冷却器の前記表面側に配置された半導体素子と、
    前記半導体素子に電気的に接続された第１の配線部材と、
    前記第１の配線部材と接合されて接合部を構成する第２の配線部材と、
    前記半導体素子、前記第１の配線部材および前記接合部を覆うとともに、前記第２の配線部材の一部を露出する封止絶縁体とを備え、
    前記第１および第２の配線部材の少なくとも一方の配線部材は、前記接合部から前記封止絶縁体内を延びるように形成された放熱部を有する、半導体装置。
  2. 前記放熱部は、前記少なくとも一方の配線部材と一体に形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記放熱部は、前記接合部から前記冷却器の前記表面に沿って延びるように形成されている、請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 前記放熱部は、前記第１および第２の配線部材のいずれか一方の配線部材を挟み込むように前記第１および第２の配線部材のいずれか他方の配線部材に形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
  5. 前記冷却器の前記表面に垂直な方向から見たときに、前記放熱部が前記半導体素子と重ならない位置に配置されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
  6. 前記放熱部と前記冷却器との間に配置された絶縁部材および放熱部材をさらに備え、
    前記放熱部材は前記絶縁部材を介在して前記放熱部に取り付けられている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
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