JP2014052443A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ブルー相を発現する温度範囲が広い液晶層を有する、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板に前記液晶層に電界を印加するための電極群と、を有し、前記液晶層は、少なくとも１種類の液晶性化合物と、少なくとも１種類のキラルドーパントとを含み、前記液晶層に含まれる前記液晶性化合物のうちの一つはブルー相液晶を発現し、前記液晶層の、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´は、４０００Ｐａ以上である、液晶表示装置。
【選択図】図６

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。

液晶パネルに用いられる液晶材料として、特許文献１などに開示されるブルー相液晶は、ネマティック液晶と比較して高速な応答を実現することができ、光学的に等方であるため、コントラストを飛躍的に向上することができ、ＩＰＳ駆動のため視野角依存性がない。さらに、配向膜を省略することが可能であり、配向膜を省略した場合、ラビングなどの配向処理や視野角補償のための光学フィルムも不要となるため、液晶パネルを薄く安く作ることができる。また、ブルー相が安定に存在する温度領域が非常に狭かったが、これを広げる技術が登場し、実用化が期待されている。

特開２０１０−２５０３０６号公報

高コントラストかつ高速応答を示す次世代液晶ディスプレイに実用されることが期待される、ブルー相液晶は、その発現温度範囲が数℃程度であるという問題がある。ここで、液晶層に、既知の高分子安定化ブルー相液晶を用いた液晶表示装置は、ブルー相を発現する温度範囲が広がるものの、実用化可能な使用温度範囲と比較すると狭いことが課題である。

そして、ブルー相液晶を液晶表示装置に実用化しようとすると、ブルー相を発現する温度域が、−１０℃付近の低温度域から、７０℃付近の高温度域までをカバーしている必要がある。しかしながら、このような温度域をカバーしているブルー相液晶は、未だ知られていないという現状である。

本発明は、ブルー相を発現する温度範囲が広い液晶層を有する、液晶表示装置を提供することを目的の一つとする。また、本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかにする。

本発明に係る液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板に前記液晶層に電界を印加するための電極群と、を有し、前記液晶層は、少なくとも１種類の液晶性化合物と、少なくとも１種類のキラルドーパントとを含み、前記液晶層に含まれる前記液晶性化合物のうちの一つはブルー相液晶を発現し、前記液晶層の、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´は、４０００Ｐａ以上である、ことを特徴とする。

また、前記液晶層に含まれる前記液晶性化合物のうちの一つは、ＴＮＩ点（Ｎｅｍａｔｉｃ―Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ相の相転移温度）が７０℃以上であることとしてもよい。また、前記液晶層は、少なくとも１種類の重合性モノマーによって重合された、高分子を含有する、こととしてもよい。また、前記液晶層は、前記高分子を１０．０ｍｏｌ％以下含有する、こととしてもよい。また、前記高分子は、少なくとも２種類の重合性モノマーによって重合され、一方の前記重合性モノマーの溶解度パラメータの値は、前記液晶性化合物の溶解度パラメータの値よりも大きく、他方の前記重合性モノマーの溶解度パラメータの値は、前記液晶性化合物の溶解度パラメータの値よりも小さい、こととしてもよい。また、前記液晶層は、分子構造中に、フェニル基、シアノ基又は環状構造の分子構造を含む液晶性化合物を含み、前記キラルドーパントは、イソソルビド誘導体又はビナフチル誘導体である、こととしてもよい。

また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板に前記液晶層に電界を印加するための電極群と、を有する液晶表示装置の製造方法であって、前記液晶層は、少なくとも１種類の液晶性化合物と、少なくとも１種類のキラルドーパントとを含み、前記液晶層に含まれる前記液晶性化合物のうちの一つはブルー相液晶を発現し、前記液晶層の、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´を、４０００Ｐａ以上に調整する、液晶層粘度調整工程を含むことを特徴とする。

また、液晶表示装置の製造方法における前記液晶層は、少なくとも１種類の重合性モノマーによって重合された、高分子を含有し、前記液晶層粘度調整工程は、前記高分子の重合度によって、前記液晶層の、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´を、４０００Ｐａ以上に調整することとしてもよい。

本発明により、ブルー相を発現する温度範囲が広い液晶層を有する、液晶表示装置を提供できる。

本発明に係る液晶表示装置の概略構成の一例を示す模式ブロック図である。 液晶表示パネルの１つの画素の回路構成の一例を示す模式回路図である。 液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式平面図である。 図１ＣのＡ−Ａ線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 一実施形態の液晶表示パネルにおけるアクティブマトリクス基板の１つの画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。 図２Ａに示した領域の上に対向基板を重ねたときの平面構成の一例を示す模式平面図である。 図２Ａおよび図２ＢのＢ−Ｂ線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 図２Ａおよび図２ＢのＣ−Ｃ線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 図２Ａおよび図２ＢのＤ−Ｄ線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 図２Ａおよび図２ＢのＥ−Ｅ線における断面構成の一例を示す模式断面図である。 貯蔵弾性率Ｇ´の測定を行う粘弾性測定装置について説明する図である。 本発明に係る液晶表示装置の液晶層に含有される高分子を形成する重合性モノマーの種類、及び濃度について示す図である。 サンプルＡ〜Ｈの重合性モノマーによって形成された高分子が液晶層に含有された際の、液晶層の２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｐａを示す図である。 サンプルＡ〜Ｈの重合性モノマーによって形成された高分子が液晶層に含有された際の、液晶層のブルー相を示す温度範囲を示す図である。 液晶層の２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率と、液晶層のブルー相を示す温度範囲との関係を示す図である。 液晶層の２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率と、液晶層のブルー相を示す下限温度との関係を示す図である。 サンプルＡ〜Ｈの重合性モノマーによって形成された高分子が液晶層に含有された液晶表示装置の−１０℃における動作評価を示した図である。

まず、本発明にかかる一の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明は、下記で説明する実施形態、および実施例における技術的思想を逸脱しない範囲内において、適宜変更が可能であることはいうまでもない。

なお、下記説明において使用する全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

本実施形態にかかる液晶表示装置は、例えば、複数のスイッチング素子を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板間に配置された液晶層ＬＣと、前記一対の基板の一方の基板に形成され、この基板面に対して支配的に平行な成分を持った電界を前記液晶層に発生させるための電極構造と、前記一対の基板上の前記液晶層に接触するそれぞれの面上に形成された一対の配向制御膜と、前記一対の基板を挟むように配置された一対の偏光板を有する。

図１Ａ乃至図１Ｄは、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す模式図である。

図１Ａは、本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す模式ブロック図である。図１Ｂは、本実施形態に係る液晶表示パネルの１つの画素の回路構成を示す模式回路図である。図１Ｃは、本実施形態に係る液晶表示パネルの概略構成を示す模式平面図である。図１Ｄは、図１ＣのＡ−Ａ線における断面構成を示す模式断面図である。

アクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、たとえば、図１Ａに示すように、液晶表示パネル１、第１の駆動回路２、第２の駆動回路３、制御回路４、およびバックライト５
を有する。

液晶表示パネル１は、複数本の走査信号線ＧＬ（ゲート線）および複数本の映像信号線ＤＬ（ドレイン線）を有し、映像信号線ＤＬは第１の駆動回路２に接続しており、走査信号線ＧＬは第２の駆動回路３に接続している。また、液晶表示パネル１の表示領域ＤＡは、多数の画素の集合で構成されており、１つの画素の回路構成は、たとえば、図１Ｂに示すような構成になっており、アクティブ素子として機能するＴＦＴ素子Ｔｒ、画素電極ＰＸ、共通電極ＣＴ（対向電極と呼ぶこともある）、液晶層ＬＣ（液晶材料）を有する。またこのとき、液晶表示パネル１には、たとえば、複数の画素の共通電極ＣＴを共通化する共通化配線ＣＬが設けられている。

さらに、液晶表示パネル１は、たとえば、図１Ｃおよび図１Ｄに示すように、アクティブマトリクス基板６と対向基板７の間に液晶層ＬＣを配置した構造になっている。このとき、アクティブマトリクス基板６と対向基板７とは、表示領域ＤＡの外側に設けられた環状のシール材８で接着されており、液晶層ＬＣは、アクティブマトリクス基板６、対向基板７、およびシール材８で囲まれた空間に密封されている。またこのとき、バックライト５を有する液晶表示装置の液晶表示パネル１は、アクティブマトリクス基板６、液晶層ＬＣ、および対向基板７を挟んで対向配置させた一対の偏光板９ａ，９ｂを有する。

また、本実施形態に係る液晶表示装置では、液晶層ＬＣが密封された空間に、たとえば、それぞれの画素における液晶層ＬＣの厚さ（セルギャップということもある）の均一化するための柱状スペーサ１０が複数設けられてもよい。

本発明は、上記のようなアクティブマトリクス方式の液晶表示装置のうち液晶表示パネル１の液晶層ＬＣの材料組成に関する。そのため、本発明には直接関係しない第１の駆動回路２、第２の駆動回路３、制御回路４、およびバックライト５の構成についての詳細な説明は省略する。

図２Ａ乃至図２Ｆは、本発明にかかる一実施形態のＩＰＳ方式液晶表示パネルの概略構成の一例を示す模式図である。

図２Ａは、一実施形態の液晶表示パネルにおけるアクティブマトリクス基板の１つの画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示した領域の上に対向基板を重ねたときの平面構成の一例を示す模式平面図である。図２Ｃは、図２Ａおよび図２ＢのＢ−Ｂ線における断面構成の一例を示す模式断面図である。図２Ｄは、図２Ａおよび図２ＢのＣ−Ｃ線における断面構成の一例を示す模式断面図である。図２Ｅは、図２Ａおよび図２ＢのＤ−Ｄ線における断面構成の一例を示す模式断面図である。図２Ｆは、図２Ａおよび図２ＢのＥ−Ｅ線における断面構成の一例を示す模式断面図である。

なお、図２ＡにおけるＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線、およびＥ−Ｅ線は、それぞれ、図２ＢにおけるＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線、およびＥ−Ｅ線をアクティブマトリクス基板６に投影した線である。また、図２Ｆは、液晶層ＬＣおよびその近傍のアクティブマトリクス基板６および対向基板７の断面構成のみを示している。

本発明の一実施形態においては、本発明に適応し得る液晶表示パネル１の一例として、横電界駆動方式であるＩＰＳ方式の液晶表示パネルを挙げる。このとき、液晶表示パネル１における１つの画素およびその周辺の構成は、たとえば、図２Ａ乃至図２Ｆに示すような構成になっている。

アクティブマトリクス基板６は、ガラス基板６０１などの絶縁基板の表面に、走査信号線ＧＬおよび共通化配線ＣＬと、それらを覆う第１の絶縁層６０２が形成されている。

第１の絶縁層６０２の上には、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層６０３、映像信号線ＤＬ、および画素電極ＰＸと、それらを覆う第２の絶縁層６０４が形成されている。半導体層６０３は、走査信号線ＧＬの上に配置されており、走査信号線ＧＬのうちの半導体層６０３の下部に位置する部分がＴＦＴ素子Ｔｒのゲート電極として機能する。また、半導体層６０３は、たとえば、第１のアモルファスシリコンからなる能動層（チャネル形成層）の上に、第１のアモルファスシリコンとは不純物の種類や濃度が異なる第２のアモルファスシリコンからなるソース拡散層およびドレイン拡散層が積層された構成になっている。またこのとき、映像信号線ＤＬの一部分および画素電極ＰＸの一部分は、それぞれ、半導体層６０３に乗り上げており、当該半導体層６０３に乗り上げた部分がＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極およびソース電極として機能する。

ところで、ＴＦＴ素子Ｔｒのソースとドレインは、バイアスの関係、すなわちＴＦＴ素子Ｔｒがオンになったときの画素電極ＰＸの電位と映像信号線ＤＬの電位との高低の関係によって入れ替わる。しかしながら、本明細書における以下の説明では、映像信号線ＤＬに接続している電極をドレイン電極といい、画素電極に接続している電極をソース電極という。

第２の絶縁層６０４の上には、表面が平坦化された第３の絶縁層６０５（オーバーコート層）が形成されている。

第３の絶縁層６０５の上には、共通電極ＣＴと、共通電極ＣＴおよび第３の絶縁層６０５を覆う透明層６１０が形成されている。共通電極ＣＴは、第１の絶縁層６０２、第２の絶縁層６０４、および第３の絶縁層６０５を貫通するコンタクトホールＣＨ（スルーホール）を介して共通化配線ＣＬと接続している。また、共通電極ＣＴは、たとえば、図２Ａに示した平面における画素電極ＰＸとの間隙Ｐｇ（図２Ｃ参照）が、７（μｍ）程度になるように形成されている。

一方、対向基板７は、ガラス基板７０１などの絶縁基板の表面に、ブラックマトリクス７０２およびカラーフィルタ７０３Ｒ，７０３Ｇ，７０３Ｂと、それらを覆うオーバーコート層７０４が形成されている。ブラックマトリクス７０２は、たとえば、表示領域ＤＡに画素単位の開口領域を設けるための格子状の遮光膜である。また、カラーフィルタ７０３Ｒ，７０３Ｇ，７０３Ｂは、たとえば、バックライト５からの白色光のうちの特定の波長領域（色）の光のみを透過する膜であり、液晶表示装置がＲＧＢ方式のカラー表示に対応している場合は、赤色の光を透過するカラーフィルタ７０３Ｒ、緑色の光を透過するカラーフィルタ７０３Ｇ、および青色の光を透過するカラーフィルタ７０３Ｂが配置される。また、オーバーコート層７０４は、表面が平坦化されている。

オーバーコート層７０４の上には、複数の柱状スペーサ１０および配向膜７０５が形成されている。柱状スペーサ１０は、たとえば、頂上部が平坦な円錐台形（台形回転体ということもある）であり、アクティブマトリクス基板６の走査信号線ＧＬのうちの、ＴＦＴ素子Ｔｒが配置されている部分および映像信号線ＤＬと交差している部分を除く部分と重なる位置に形成されている。

そして、ＴＦＴ素子Ｔｒをオンにして映像信号線ＤＬに加えられている階調電圧を画素電極ＰＸに書き込み、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの間の電位差が生じると、図２Ｂおよび図２Ｃに示したような電界１２（電気力線）が発生し、画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの電位差に応じた強度の電界１２が液晶層ＬＣに印加される。このとき、液晶層ＬＣが持つ誘電異方性と電界１２との相互作用により、液晶層ＬＣの屈折異方性が変化する。またこのとき、屈折率異方性の大きさが印加する電界１２の強度（画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの電位差の大きさ）によって決まる。したがって、液晶表示装置では、たとえば、共通電極ＣＴの電位を固定しておき、画素電極ＰＸに加える階調電圧を画素毎に制御して、それぞれの画素における光透過率を変化させることで、映像や画像の表示を行うことができる。

次に、液晶層ＬＣについて下記に説明を行う。本実施形態における液晶層ＬＣは、少なくとも１種類の液晶性化合物と、少なくとも１種類のキラルドーパントとを含む。そして、液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物のうちの一つはブルー相液晶を発現するものである。そして、液晶層ＬＣの、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´（動的せん断貯蔵弾性率）は、４０００Ｐａ以上である。

ブルー相を発現する液晶性化合物は、例えば、コレステリック相（カイラルネマチック相）と等方相との間で、ブルー相（青色相）を発現し得るものである。また、ブルー相を発現する液晶性化合物は、サーモトロピック液晶であることとしてもよい。

また、ブルー相を発現する液晶性化合物は、ビフェニル、ターフェニル、ビフェニル・シクロヘキシル等の分子構造を含み、不斉原子によりそれ自身がキラリティー（カイラルティー）を有する液晶性化合物であることとしてもよい。

また、ブルー相を発現する液晶性化合物は、液晶層に含まれるキラルドーパント（カイラル物質）によって、コレステリック相（カイラルネマチック相）を発現し得る液晶性化合物であることとしてもよい。このような液晶性化合物としては、ネマティック液晶が例示される。より具体的には、例えば、本実施形態における液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物は、ネマティック液晶ＪＣ１０４１ＸＸ（チッソ社製）、４−ｐｅｎｔｙｌ−４’−ｃｙａｎｏｂｉｐｈｅｎｙｌ（５ＣＢ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）、又はこれらを所定のモル比で混合したものであることとしてもよい。

また、本実施形態における液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物のうちの一つは、ＴＮＩ点（Ｎｅｍａｔｉｃ―Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ相の相転移温度）が７０℃以上であることとしてもよい。すなわち、本実施形態における液晶層ＬＣに含まれる、ブルー相液晶を発現する液晶性化合物が、７０℃以上のＴＮＩ点を有する液晶性化合物であることとしてもよい。また、本実施形態における液晶層ＬＣに含まれる、ブルー相液晶を発現する液晶性化合物とは異なる種類の他の液晶性化合物であって、７０℃以上のＴＮＩ点を有する液晶性化合物を、液晶層ＬＣは、ブルー相液晶を発現する液晶性化合物の他に、更に含むこととしてもよい。ここで、液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物全体のＴＮＩ点は、液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物の混合物を、液晶層ＬＣに含有されるモル比で調製し、当該混合物の相変化温度を、目視による観察によって測定した。また、例えば液晶性化合物の混合物の、着色の度合いによっては、相変化温度を目視による観察では測定しづらい場合がある。この様な場合、液晶性化合物全体のＴＮＩ点は、液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物の混合物を、液晶層ＬＣに含有されるモル比で調製し、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）を用いて測定された当該混合物の相変化温度に代替することとしてもよい。また、本実施形態における液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物全体の、ＴＮＩ点（Ｎｅｍａｔｉｃ―Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ相の相転移温度）が７０℃以上であることとしてもよい。

ＴＮＩ点（Ｎｅｍａｔｉｃ―Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ相の相転移温度）を７０℃以上とするために、液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物の一つは、分子構造中に、フェニル基、シアノ基、環状構造等の分子構造を含む液晶性化合物であることとしてもよい。より具体的には、液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物の一つは、３フッ素環化合物であることとしてもよい。液晶層ＬＣが、ＴＮＩ点が７０℃以上の液晶性化合物を含むことによって、本実施形態に係る液晶表示装置１の使用温度範囲が、広くなるという格別な効果を奏する。また、ＴＮＩ点が７０℃以上の液晶性化合物を含むことによって、本実施形態に係る液晶表示装置１の高温度域（例えば、７０℃以上）での使用が可能となる。

なお、液晶層ＬＣ中が、ＴＮＩ点７０℃以上の液晶性化合物を含まない場合、液晶表示装置の使用温度範囲の上限は、当然７０℃を下回る温度（高々４０℃）にとどまり、結果、当該液晶表示装置の使用温度範囲は狭いものとなる。また、本実施形態における、液晶表示装置１の液晶層の溶ける温度（Ｔｃ値）は、７０℃以上であることとしてもよい。

例えば、液晶性化合物が、ネマティック液晶ＪＣ１０４１ＸＸ（チッソ社製）を約４７モル％、４−ｐｅｎｔｙｌ−４’−ｃｙａｎｏｂｉｐｈｅｎｙｌ（５ＣＢ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を約４７モル％含み、キラルドーパントであるＺＬＩ−４５７２を約６モル％からなる液晶層ＬＣが備えられた液晶表示装置の場合、当該液晶表示装置の使用温度範囲の上限は、Ｔｃ値が７０℃を下回り、高々４０℃にとどまり、液晶表示装置に使用された際の使用温度は狭いものとなる。

また、液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物のＴＮＩ点の上限については特に規定はないが、例えば、１２０℃以下であることとしてもよい。Ｔｃ値についても同様に、例えば、１２０℃以下であることとしてもよい。

また、本実施形態における液晶層ＬＣは、上記説明を行った液晶性化合物の他に、誘電率異方性Δεが１０以上である液晶性化合物を、更に含むこととしてもよい。また、本実施形態における液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物全体のΔεが１０以上であることとしてもよい。

すなわち、本実施形態における液晶層ＬＣに含まれる、ブルー相液晶を発現する液晶性化合物が、Δεが１０以上である液晶性化合物であることとしてもよい。また、本実施形態における液晶層ＬＣに含まれる、ブルー相液晶を発現する液晶性化合物とは異なる種類の他の液晶性化合物であって、Δεが１０以上である液晶性化合物を、液晶層ＬＣは、ブルー相液晶を発現する液晶性化合物の他に、更に含むこととしてもよい。ここで、液晶性化合物のΔεは、液晶性化合物の容積変化を測定する方法によって測定された値である。

Δεが１０以上である液晶性化合物は、例えば、シアノジフッ素エステルであることとしてもよい。

液晶層ＬＣが、Δεが１０の液晶性化合物を含むことによって、あるいは、液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物全体のΔεが１０以上であることによって、本実施形態に係る液晶表示装置１の駆動電圧が低くなる（例えば駆動電圧が、７０Ｖ以下になる）という効果を奏する。

また、本実施形態における液晶層ＬＣに含まれるキラルドーパントは、液晶に捩じれ構造を生じさせるものである。また、液晶層ＬＣに含まれるキラルドーパントの分子構造は軸不斉および液晶に類似の構造を有することとしてもよい。また、本実施形態におけるキラルドーパントとしては、例えば、ビナフチル誘導体やアビエチン酸誘導体、イソソルビド誘導体等の環構造の光学活性部位を有するキラル化合物を用いることとしてもよい。また、本実施形態におけるキラルドーパントは、例えば、ビナフチル誘導体であることとしてもよい。またより具体的には、本実施形態におけるキラルドーパントは、イソソルビド誘導体、下記式（１）にて示されるビナフチル誘導体であることとしてもよい。

なお、液晶層ＬＣにキラルドーパントとして添加されるビナフチル誘導体の濃度によって、ブルー相が有するＢｒａｇｇ回折光の波長を制御することとしてもよい。この場合、ビナフチル誘導体の液晶層ＬＣにおける添加濃度は、特開２０１１−９０２７８号公報に開示されている内容に基づいて定められることとしてもよい。

本実施形態における液晶層ＬＣは、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´は、４０００Ｐａ以上である。また、本実施形態における液晶層ＬＣは、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´は、４５００Ｐａ以上であることとしてもよい。

また、本実施形態における液晶層ＬＣの、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´の上限値は、特に規定がないが、例えば、４００００Ｐａ以下であることとしてもよい。

液晶層ＬＣの、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´が、４０００Ｐａ以上である場合、当該液晶層ＬＣはブルー相を発現する温度範囲が広いものとなり、使用温度域が広い液晶表示装置を提供できる。また、２５℃、周波数１Ｈｚにおける貯蔵弾性率Ｇ´が４０００Ｐａ以上の液晶層ＬＣが備えられた液晶表示装置１は、特に低温度域（−１０以下）での使用が可能となるという格別の効果を奏するものである。

貯蔵弾性率Ｇ´は、図３にて示される粘弾性測定装置を用い、既知の方法によって測定される。以下に、図３を参照して貯蔵弾性率Ｇ´の測定方法について説明する。図３は、貯蔵弾性率Ｇ´の測定を行う粘弾性測定装置について説明する図である。図２に示されるように粘弾性測定装置は、回転軸１０１と、回転軸１０１０と固定して接続される上円板１０２と、上円板１０２と対向して備えられる下円板１０３と、が備えられている。また、下円板１０３の、上円板１０２と対向する側の面には粘着層１２０が備えられている。そして、粘着層１２０を介して評価試験体１１０を固定して、上円板１０２と下円板１０３との間に挟んで評価試験体１１０を取り付ける。評価試験体１１０は、測定対象となるブルー相が形成されたＰＳＢＰ（Ｐｏｌｙｍｅｒ ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｂｌｕｅ ｐｈａｓｅ）膜１１０Ｂと、該ＰＳＢＰ膜が固定される基板１１０Ａとを、積層したものである。

本発明における貯蔵弾性率Ｇ´の測定は、Ｒｈｅｏ Ｓｔｒｅｓｓ ＲＳ１００（ＨＡＡＫＥ社製）を用いて行った。測定位置は貯蔵弾性率Ｇ´が安定した位置とし、本発明においては液晶層（ＰＳＢＰ膜１１０Ｂ）の厚さ方向に、上円板１０２を０．００２ｍｍ程度押し込んだ位置とした。測定条件は、温度２５℃、周波数（回転数）１Ｈｚ、圧力３Ｐａである。

液晶層ＬＣの２５℃、周波数１Ｈｚにおける貯蔵弾性率Ｇ´は、液晶層ＬＣを構成する化合物の組み合わせ、配合比率によって大きく変化する。液晶層ＬＣの、２５℃、周波数１Ｈｚにおける貯蔵弾性率Ｇ´を４０００Ｐａ以上とするために、液晶層ＬＣは、少なくとも１種類の重合性モノマーによって重合された、高分子を含有することとしてもよいし、又はカーボンナノチューブ若しくはカーボンナノホーンを含有することとしてもよい。

また、本実施形態における液晶層ＬＣは、２５℃、周波数１Ｈｚにおける貯蔵弾性率Ｇ´を４０００Ｐａ以上とするために、少なくとも１種類の重合性モノマーによって重合された、高分子を含有することとしてもよい。

また、液晶層ＬＣに高分子が含有される場合、該高分子を形成する重合性モノマーは、重合に用いられる反応性官能基の数が多いことが好ましい。すなわち、液晶層ＬＣに高分子が含有される場合、該高分子を形成する重合性モノマーは、単官能であるよりも、多官能であることが好ましい。また、該高分子が、２種類以上の重合性モノマーによって重合される場合、重合性モノマーのそれぞれは、重合に用いられる反応性官能基を複数有することとしてもよい。すなわち、液晶層ＬＣに含有される高分子は、２種以上の多官能重合性モノマーによって形成されることとしてもよい。

また、液晶層ＬＣに高分子が含有される場合、該高分子を形成する重合性モノマーは、環構造を含むことが好ましい。具体的には、液晶層ＬＣに高分子が含有される場合、該高分子を形成する重合性モノマーは、その構造中に、ベンゼン環、及びシクロヘキサン環から選択される少なくとも１種以上の環構造を有することとしてもよい。また、液晶層ＬＣに高分子が含有される場合、該高分子を形成する重合性モノマーは、その構造中に、ベンゼン環、及びシクロヘキサン環から選択される環構造を少なくとも１つ以上有することとしてもよい。

また、液晶層ＬＣに含有される高分子は、少なくとも２種類の重合性モノマーによって重合され、一方の該重合性モノマーの溶解度パラメータの値は、液晶層ＬＣに含有される液晶性化合物の溶解度パラメータの値よりも大きく、他方の該重合性モノマーの溶解度パラメータの値は、液晶層ＬＣに含有される液晶性化合物の溶解度パラメータの値よりも小さいこととしてもよい。

このように、液晶層ＬＣに含有される、液晶性化合物の溶解度パラメータの値と、高分子を形成する複数の重合性モノマーのそれぞれの溶解パラメータの値と、を制御することによって、液晶性化合物によって形成される液晶構造のディスクリネーションに高分子が入り込みやすくなり、液晶層ＬＣの安定化に寄与し、結果、本発明の効果を更に高めることとなる。

また、本実施形態における液晶層ＬＣは、上記説明を行った高分子を１５．０ｍｏｌ％以下含有することとしてもよい。液晶層ＬＣ中の高分子含有量が１５．０ｍｏｌ％を超える場合、液晶表示装置の駆動電圧を高めることとなり、更にはブルー相自体が発現しない可能性が高まり好ましくない。また、本実施形態における液晶層ＬＣは、上記説明を行った高分子を１０．０ｍｏｌ％以下含有することは好ましい。液晶層ＬＣが、上記説明を行った高分子を１０．０ｍｏｌ％以下含有することによって本発明の効果は更に高まる。また、液晶層ＬＣ中の高分子含有量の下限値は特に規定はないが、例えば、本実施形態における液晶層ＬＣは、上記説明を行った高分子を１．０ｍｏｌ％以上含有することとしてもよいし、５．０ｍｏｌ％以上含有することとしてもよい。

以下に、上記説明を行った液晶表示パネル１の製造方法の一例を説明する。なお、下記説明において、従来の液晶表示パネルの製造方法と同じ手順で行うことが可能な工程については、その詳細な説明を省略する。

本実施形態の液晶表示パネル１の製造方法は、アクティブマトリクス基板６を形成する工程と、対向基板７を形成する工程と、アクティブマトリクス基板６と対向基板７とを張り合わせて液晶材料（液晶層ＬＣ）を封入する工程の３つの工程に大別される。

アクティブマトリクス基板６を形成する工程は、たとえば、厚さが０．７ｍｍの、表面を研磨したガラス基板６０１を用いて行う。そして、まず、ガラス基板６０１の表面に、走査信号線ＧＬおよび共通化配線ＣＬを形成する。走査信号線ＧＬおよび共通化配線ＣＬは、たとえば、ガラス基板６０１の表面全体にクロム膜（Ｃｒ膜）などの金属膜を形成した後、当該金属膜をエッチングして形成する。

次に、第１の絶縁層６０２を形成する。第１の絶縁層６０２は、たとえば、ガラス基板６０１の表面全体に、厚さ０．３（μｍ）程度の窒化シリコン膜を成膜して形成する。

次に、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層６０３に用いる島状半導体膜を形成する。島状半導体膜は、たとえば、第１の絶縁層６０２の表面全体にアモルファスシリコン膜を形成した後当該アモルファスシリコン膜をエッチングして形成する。このとき、アモルファスシリコン膜は、たとえば、第１のアモルファスシリコン層の上に、第１のアモルファスシリコン層とは導電型、または不純物の種類や濃度が異なる第２のアモルファスシリコン層が積層された構成になるように形成する。また、島状半導体膜を形成するときには、たとえば、走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとが交差する領域に介在させる短絡防止層なども同時に形成する。

次に、映像信号線ＤＬおよび画素電極ＰＸを形成する。映像信号線ＤＬおよび画素電極ＰＸは、たとえば、第１の絶縁層６０２の上にクロム膜などの金属膜を形成した後、当該金属膜をエッチングして形成する。このとき、映像信号線ＤＬは、島状半導体膜に乗り上げる部分、すなわちＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極として機能させる部分を有する形状にする。またこのとき、画素電極ＰＸは、島状半導体膜に乗り上げる部分、すなわちＴＦＴ素子のソース電極として機能させる部分を有する形状にする。

次に、映像信号線ＤＬおよび画素電極ＰＸをマスクにして島状半導体膜の第２のアモルファスシリコン層をエッチングしてドレイン拡散層とソース拡散層とに分離すると、ＴＦＴ素子Ｔｒの半導体層６０３が得られる。

次に、第２の絶縁層６０４および第３の絶縁層６０５を形成する。第２の絶縁層６０４は、たとえば、厚さ０．３（μｍ）程度の窒化シリコン膜を成膜して形成する。第３の絶縁層は、たとえば、未硬化状態のアクリル系樹脂を塗布した後、所定の条件、たとえば、温度２２０℃で１時間加熱し、硬化させて形成する。また、第３の絶縁層６０５は、たとえば、絶縁性、透明性に優れるエポキシアクリル系樹脂またはポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂を用いて形成してもよい。またさらに、第３の絶縁層６０５は、たとえば、光硬化性の透明な樹脂を用いて形成してもよいし、ポリシロキサンなど無機系の材料を用いて形成してもよい。

次に、共通化配線ＣＬのうちの所定の領域の上に、第１の絶縁層６０２、第２の絶縁層６０４、および第３の絶縁層６０５を貫通するコンタクトホールＣＨを形成する。コンタクトホールＣＨは、第１の絶縁層６０２、第２の絶縁層６０４、および第３の絶縁層６０ ５をエッチングして形成する。

次に、共通電極ＣＴを形成する。共通電極ＣＴは、たとえば、第３の絶縁層６０５の上にＩＴＯ膜などの透明導電膜を約５０ｎｍの厚みで成膜した後、当該透明導電膜をエッチングして形成する。

一方、液晶表示パネル１の対向基板７を形成する工程は、従来の手順と同じでよいので、説明を省略する。

上記の手順で形成したアクティブマトリクス基板６と対向基板７とを張り合わせて、アクティブマトリクス基板６と対向基板７との間に液晶層ＬＣを構成する各種材料を封入する工程は、たとえば、対向基板７の表示領域ＤＡの外周部に環状のシール材８を塗布し、当該シール材８で囲まれた領域に液晶材料を滴下した後、アクティブマトリクス基板６を張り合わせる。

上述のように、本実施形態に係る液晶表示装置１に備えられる液晶層ＬＣは、少なくとも１種類の液晶性化合物と、少なくとも１種類のキラルドーパントとを含み、液晶層ＬＣに含まれる液晶性化合物のうちの一つはブルー相液晶を発現するものである。そして、本実施形態に係る液晶表示装置１の製造方法は、液晶層ＬＣの、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´を、４０００Ｐａ以上に調整する、液晶層粘度調整工程を含む。

液晶層ＬＣの貯蔵弾性率Ｇ´を調整する方法は、上述のように、例えば液晶層ＬＣに高分子を配合する方法がある。

例えば、高分子を重合性モノマーの重合によって形成する場合、該重合性モノマーを紫外線による光重合によって形成することは好ましい。より具体的に説明を行うと、アクティブマトリクス基板６と対向基板７との間に、少なくとも１種類の液晶性化合物と、少なくとも１種類のキラルドーパントと、少なくとも１種類の紫外線により重合する重合性モノマーと、を封入し、封入後、該液晶性化合物がブルー相を示す温度範囲にて、紫外線照射を行うことによって該重合性モノマーを重合し高分子を形成することは好ましい。

なお、高分子を重合性モノマーの重合によって形成する場合、該重合性モノマーを加熱による重合によって形成することは好ましくない。なぜならば、仮に重合性モノマーを加熱によって重合すると、加熱によって液晶層ＬＣに含有される液晶性化合物をブルー相の発現する温度範囲で維持することが困難であるからである。

ここで、液晶層ＬＣに高分子を添加する場合、高分子の配合量によっては、液晶表示装置の駆動電圧を高め、液晶層ＬＣのブルー相の発現を抑制するおそれがあるため、所定の貯蔵弾性率Ｇ´は可能な限り少ない高分子の配合量で得られることが好ましい。

すなわち、高分子が光重合性モノマーによって形成される場合であって、光重合性ポリマーが液晶層ＬＣ中に１０．０ｍｏｌ％以下の範囲で含有される場合、照射する紫外線の照射強度を制御することによって所定の貯蔵弾性率を調整することが好ましい。

例えば、重合性モノマーとしてＥＨＡ／ＲＭ２５７（＝７０／３０ｍｏｌ％）の二種類が、液晶層ＬＣ中に１０．０ｍｏｌ％以下の範囲で配合される場合、所定の貯蔵弾性率を得るためには、１．９ｍＷｃｍ^−２（ＵＶ：３６５ｎｍ）以上の照射強度が必要である。また、望ましくは２．０ｍＷｃｍ^−２（ＵＶ：３６５ｎｍ）以上の照射強度にて重合し高分子を形成することが好ましい。

光重合性モノマーの種類によっては、重合度を高めることによって貯蔵弾性率Ｇ´が飛躍的に上昇するため、通常の重合反応にて照射する照射強度よりも、高い照射強度にて重合を行うことが、所定の貯蔵弾性率Ｇ´を確実に得ることが可能となり、結果、液晶表示装置１の使用温度範囲を広げることとなるからである。

また、本実施形態では、図２Ａ乃至図２Ｆに示したような構成の画素を有する横電界方式の液晶表示パネル１を例に挙げたが、画素の構成、たとえば、ＴＦＴ素子Ｔｒ、画素電極ＰＸ、および共通電極ＣＴの平面形状（平面レイアウト）などは、これに限らず、適宜変更可能であることはもちろんである。

また、図２Ａおよび図２Ｃに示したＴＦＴ素子Ｔｒは、走査信号線ＧＬの上に半導体層６０３が配置されているボトムゲート構造であるが、これに限らず、ガラス基板６０１と走査信号線ＧＬとの間に半導体層６０３が配置されているトップゲート構造であってもよいことはもちろんである。また、アクティブマトリクス基板６と対向基板７の液晶層ＬＣ側に配向膜などの膜を形成してもよい。ブルー相液晶は本実施形態のように配向膜がなくても作製可能であるが、現行ネマティック相を使用する際同様、配向膜はポリアミド酸加熱して得られるポリイミド樹脂で形成され、表面に液晶配向能を付与するためのラビング処理を施しても作製可能である。

以上のように、図１〜図２Ｆを用い本発明に係る一実施形態であるＩＰＳ方式液晶パネルの概略構成について説明を行ったが、電極構造はこれに限定されるものではなく、パネル面前面方向に光が透過する構成であればよい。また、作成方法や他の構成についても同様に、上記説明に限定されるものではない。

以下に、第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板に前記液晶層に電界を印加するための電極群と、を有し、前記液晶層は、少なくとも１種類の液晶性化合物と、少なくとも１種類のキラルドーパントとを含み、前記液晶層に含まれる前記液晶性化合物のうちの一つはブルー相液晶を発現し、前記液晶層の、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´は、４０００Ｐａ以上である、液晶表示装置について更に具体的に説明を行う。

実施例における液晶表示装置の構造は、前述のＩＰＳ液晶表示装置とし、液晶層に含まれる液晶性化合物として、ネマティック液晶ＪＣ１０４１ＸＸ（チッソ社製）、４−ｐｅｎｔｙｌ−４’−ｃｙａｎｏｂｉｐｈｅｎｙｌ（５ＣＢ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を等モルで混合したものを用いた。また、液晶層には上記化学式（１）にて示されるキラルドーパントが５．０ｍｏｌ％の割合で含有され、高ＴＮＩ点（ＴＮＩ点７０℃以上）を有する液晶性化合物をＴｃ値７０℃となるように調製して添加した。

そして、液晶層の、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´を所定の数値に調整するための高分子は、光重合性モノマーによって形成した高分子を用いた。図４は、本発明に係る液晶表示装置の液晶層に含有される高分子を形成する重合性モノマーの種類、及び濃度について示す図である。図４に示されるように高分子を形成する材料（重合性モノマー）は二種類のものを併用し、６０：４０（モル比）にて混合したものを用いた。すなわち、実施例１のサンプルＡを例にとると、ＥＨＡ：ＲＭ２５７＝６０：４０（モル比）で混合したものを、高分子を形成する重合性モノマーとした。また、図４中の濃度とは、液晶層中の、混合された重合性モノマー合計の配合割合であり、すなわち、液晶層中の高分子の配合濃度に相当する。

図５は、サンプルＡ〜Ｈの重合性モノマーによって形成された高分子が液晶層に含有された際の、液晶層の２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｐａを示す図である。図５に示されるように、サンプルＡ〜Ｃの重合性モノマーによって形成された高分子が液晶層に含有された際、該液晶層の２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率が、４０００Ｐａ以上となるように、重合条件（紫外線の照射強度）を調整し高分子を形成した。

一方、サンプルＤ〜Ｈの重合性モノマーによって形成された高分子が液晶層に含有された際、該液晶層の２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率が、４０００Ｐａよりも小さくなるように、重合条件（紫外線の照射強度）を調整し高分子を形成した。

なお実施例における、液晶層の２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率の測定方法は、前述説明のようにＲｈｅｏ Ｓｔｒｅｓｓ ＲＳ１００（ＨＡＡＫＥ社製）を用いて行った。

図６は、サンプルＡ〜Ｈの重合性モノマーによって形成された高分子が液晶層に含有された際の、液晶層のブルー相を示す温度範囲を示す図である。ここで、液晶層のブルー相を示す温度範囲ＴＲの上限値Ｘは、液晶が溶け始める温度とし、液晶層のブルー相を示す温度範囲ＴＲの下限値Ｙは、偏光板直交ニコル下で異方性を示した温度とした。

図６にて示されるように、サンプルＡ〜Ｃの重合性モノマーによって形成された高分子が液晶層に含有された際の、液晶層のブルー相を示す温度範囲ＴＲは、サンプルＤ〜Ｈの重合性モノマーによって形成された高分子が液晶層に含有された際の、液晶層のブルー相を示す温度範囲ＴＲよりも広いものであった。特に、サンプルＡ〜Ｃの重合性モノマーによって形成された高分子が液晶層に含有された際の、液晶層のブルー相を示す温度範囲ＴＲは、低温度域において広くなっていることがわかる。

図７Ａは、液晶層の２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率と、液晶層のブルー相を示す温度範囲との関係を示す図である。また、図７Ｂは、液晶層の２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率と、液晶層のブルー相を示す下限温度との関係を示す図である。

図７Ａにて示されるように、液晶層の２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率が、４０００Ｐａ以上である場合、液晶層のブルー相を示す温度範囲は８０℃以上である。また、液晶層の２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率が、４０００Ｐａ以上である場合、液晶層のブルー相を示す温度範囲は８０℃以上である。

また、図７Ｂにて示されるように、液晶層の２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率が、４０００Ｐａ以上である場合、液晶層のブルー相を示す下限温度は−１０℃以下である。

図８は、サンプルＡ〜Ｈの重合性モノマーによって形成された高分子が液晶層に含有された液晶表示装置の−１０℃における動作評価を示した図である。図８中における−１０℃における動作評価の○は、−１０℃においても問題なく液晶表示装置が動作したことを示し、動作評価の×は、−１０℃において液晶表示装置が動作しなかったことを示す。

１ 液晶表示パネル、２ 第１の駆動回路、３ 第２の駆動回路、４ 制御回路、５
バックライト、６ アクティブマトリクス基板、６０１ ガラス基板、６０２ 第１の絶
縁層、６０３ （ＴＦＴ素子の）半導体層、６０４ 第２の絶縁層、６０５ 第３の絶縁
層、６０７ ソース電極、６０８ 導電層、６０９ 突起形成部材、６０９ａ （突起形
成部材の）半導体層、６０９ｂ （突起形成部材の）導電層、７ 対向基板、７０１ ガ
ラス基板、７０２ ブラックマトリクス、７０３Ｒ，７０３Ｇ，７０３Ｂ カラーフィル
タ、７０４ オーバーコート層、８ シール材、９ａ，９ｂ 偏光板、１０ 柱状スペー
サ、１１ 液晶分子、１２ 電界（電気力線）、ＧＬ 走査信号線、ＤＬ 映像信号線、
Ｔｒ ＴＦＴ素子、ＰＸ 画素電極、ＣＴ 共通電極、ＣＬ 共通化配線、ＬＣ 液晶層、ＴＲ 温度範囲、Ｘ 上限温度、Ｙ 下限温度。

Claims (8)

1. 第１基板と、
   第２基板と、
   前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された液晶層と、
   前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板に前記液晶層に電界を印加するための電極群と、を有し、
   前記液晶層は、少なくとも１種類の液晶性化合物と、少なくとも１種類のキラルドーパントとを含み、
   前記液晶層に含まれる前記液晶性化合物のうちの一つはブルー相液晶を発現し、
   前記液晶層の、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´は、４０００Ｐａ以上である、
   ことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記液晶層に含まれる前記液晶性化合物のうちの一つは、ＴＮＩ点（Ｎｅｍａｔｉｃ―Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ転移温度）が７０℃以上である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記液晶層は、少なくとも１種類の重合性モノマーによって重合された、高分子を含有する、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
4. 前記液晶層は、前記高分子を１０．０ｍｏｌ％以下含有する、
   ことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記高分子は、少なくとも２種類の重合性モノマーによって重合され、
   一方の前記重合性モノマーの溶解度パラメータの値は、前記液晶性化合物の溶解度パラメータの値よりも大きく、
   他方の前記重合性モノマーの溶解度パラメータの値は、前記液晶性化合物の溶解度パラメータの値よりも小さい、
   ことを特徴とする請求項３又は４に記載の液晶表示装置。
6. 前記液晶層は、分子構造中に、フェニル基、シアノ基又は環状構造の分子構造を含む液晶性化合物を含み、
   前記キラルドーパントは、イソソルビド誘導体又はビナフチル誘導体である、
   ことを特徴とする請求項１乃至５いずれか一項に記載の液晶表示装置。
7. 第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板に前記液晶層に電界を印加するための電極群と、を有する液晶表示装置の製造方法であって、
   前記液晶層は、少なくとも１種類の液晶性化合物と、少なくとも１種類のキラルドーパントとを含み、
   前記液晶層に含まれる前記液晶性化合物のうちの一つはブルー相液晶を発現し、
   前記液晶層の、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´を、４０００Ｐａ以上に調整する、液晶層粘度調整工程を含む、
   ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
8. 前記液晶層は、少なくとも１種類の重合性モノマーによって重合された、高分子を含有し、
   前記液晶層粘度調整工程は、前記高分子の重合度によって、前記液晶層の、２５℃における周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ´を、４０００Ｐａ以上に調整する、
   ことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。

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