JP2014041352A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶分子が一定の方向に並ぶように制御可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、絶縁基板１１０と、絶縁基板１１０の上に配置されており、逆テーパ状のサイドウォールを有するマイクロキャビティ層３０５と、絶縁基板１１０の上であってマイクロキャビティ層３０５内に配置された画素電極１９２と、マイクロキャビティ層３０５内に配置された液晶層と、該液晶層を覆う共通電極２７０と、を備えている。また、マイクロキャビティ３０５層の逆テーパ状のサイドウォールに対応してテーパ状のサイドウォールを有する遮光部材２２０を備えている。
【選択図】図１２Ｂ

Description

本発明は、液晶表示装置に係り、さらに詳しくは、マイクロキャビティ（Ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）内に存在する液晶層を有する液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、現在最も幅広く用いられているフラットパネル表示装置の一つであり、画素電極と共通電極など電場生成電極が形成されている二枚の表示板と、これらの間に挟持されている液晶層と、を備える。

液晶表示装置は、電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これにより液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することにより映像を表示する。

埋め込み型マイクロキャビティ（ＥＭ：Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）構造を有する液晶表示装置は、フォトレジストで犠牲層を形成し、上部に支持部材をコーティングした後に、アッシング工程で犠牲層を除去し、犠牲層の除去により形成された隙間に液晶を注入してディスプレイを製作する装置である。しかしながら、ＥＭ構造のサイドウォールによって液晶層に印加される電界に歪みが発生し、これに伴い、液晶分子が誤整列する部分が発生するという問題がある。

また、共通電極が犠牲層に沿って折れ曲がった構造に形成されるため、下部の画素電極と短絡されたり電界が歪んだりするという問題がある。

一方、犠牲層を除去するためにＥＭ構造の一方の側をエッチングしてオープンにする工程を有するが、このような工程によって、共通電極は一方向にのみ接続されているという構造を有する。その結果、一方向に印加される共通電圧は、電圧を供給する部分から遠い部分（センター部分）において変化された共通電圧によってクロストークが発生するという問題がある。

本発明が解消しようとする技術的課題は、液晶分子が一定の方向に並ぶように制御可能な液晶表示装置を提供することである。また、共通電極が水平構造を維持して画素電極と短絡されることなく電界が歪まないようにする液晶表示装置を提供することである。また、一定の共通電圧を供給するクロストークがない液晶表示装置を提供することである。

上記の課題を解消するために、本発明の実施形態による液晶表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置され、逆テーパ状のサイドウォールを有するマイクロキャビティ層と、前記マイクロキャビティ層内に配置された画素電極と、前記マイクロキャビティ層内に位置する液晶層と、前記液晶層を覆う共通電極と、を備える。

好ましくは、前記液晶表示装置は、前記マイクロキャビティ層の逆テーパ状の前記サイドウォールに対応してテーパ状のサイドウォールを有する遮光部材をさらに備える。

また、好ましくは、前記遮光部材の高さは、前記マイクロキャビティ層の高さに相当する。

さらに、好ましくは、前記共通電極は、水平な構造を有する。

さらに、好ましくは、前記液晶表示装置は、前記遮光部材と前記共通電極との間に配置された第２保護膜をさらに備え、前記遮光部材の上に配置された前記第２保護膜の高さと、前記マイクロキャビティ層の高さとが等しい。

さらに、好ましくは、前記共通電極は、前記遮光部材の上に位置する第２保護膜の高さを基準として水平である。

さらに、好ましくは、前記共通電極は、前記遮光部材の近くで折れ曲がった構造を有する。

さらに、好ましくは、前記共通電極は、前記遮光部材の近くで上側に折れ曲がった構造を有する。

さらに、好ましくは、前記液晶表示装置は、前記共通電極を覆い、且つ、液晶注入口を有するループ層をさらに備える。

さらに、好ましくは、前記ループ層は、液晶注入口を備える。

さらに、好ましくは、前記液晶注入口は、薄膜トランジスタ形成領域に位置している。

さらに、好ましくは、前記共通電極は、前記液晶注入口の部分には配置されていない。

さらに、好ましくは、前記共通電極は、一方向に延びた構造を有し、前記一方向に垂直な方向に前記共通電極を接続する共通電極接続部を備える。

さらに、好ましくは、前記共通電極接続部は、前記遮光部材の上部に配設され、遮光部材によって支持されている。

さらに、好ましくは、前記共通電極接続部は、前記ループ層によって支持されている。

さらに、好ましくは、前記画素電極は、幹部と、前記幹部から延出された複数の微細枝部と、を備える。

本発明の実施形態による液晶表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置されたマイクロキャビティ層と、前記マイクロキャビティ層内に配置された画素電極と、前記マイクロキャビティ層内に配置された液晶層と、前記液晶層を覆う共通電極と、を備え、前記共通電極は、水平な構造を有する。

好ましくは、前記マイクロキャビティ層は、逆テーパ状のサイドウォールを有する。

また、好ましくは、前記液晶表示装置は、前記絶縁基板の上であって前記マイクロキャビティ層の逆テーパ状の前記サイドウォールに対応してテーパ状のサイドウォールを有する遮光部材をさらに備える。

本発明の実施形態による液晶表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置されたマイクロキャビティ層と、前記マイクロキャビティ層内に配置された画素電極と、前記マイクロキャビティ層内に位置する液晶層と、前記マイクロキャビティ層の隣に位置している遮光部材と、前記液晶層及び前記遮光部材を覆う共通電極と、を備え、前記遮光部材は、前記マイクロキャビティ層の高さよりも高いかあるいは等しい。

好ましくは、前記マイクロキャビティ層は、逆テーパ状のサイドウォールを有する。

また、好ましくは、前記液晶表示装置は、前記絶縁基板の上であって前記マイクロキャビティ層の逆テーパ状の前記サイドウォールに対応してテーパ状のサイドウォールを有する遮光部材をさらに備える。

さらに、好ましくは、前記マイクロキャビティ層は、テーパ状のサイドウォールを有する。

さらに、好ましくは、前記液晶表示装置は、前記絶縁基板の上であって前記マイクロキャビティ層のテーパ状の前記サイドウォールに対応して逆テーパ状のサイドウォールを有する遮光部材をさらに備える。

本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法は、絶縁基板の上にテーパ状のサイドウォールを有する遮光部材を形成するステップと、絶縁基板の上に画素電極を形成するステップと、前記遮光部材のテーパ状のサイドウォールに対応する逆テーパ状のサイドウォールを有する犠牲層を形成するステップと、前記犠牲層の上に共通電極を形成するステップと、前記共通電極の上にループ層を形成するステップと、液晶注入口を形成するステップと、前記液晶注入口を介して前記犠牲層を除去してマイクロキャビティ層を形成するステップと、前記マイクロキャビティ層に液晶を注入するステップと、を含む。

好ましくは、前記遮光部材を形成するステップは、前記マイクロキャビティ層の高さに相当するように形成する。

また、好ましくは、前記遮光部材を形成するステップと前記画素電極を形成するステップとの間に第２保護膜を形成するステップをさらに含む。

さらに、好ましくは、前記犠牲層を形成するステップにおいて、前記犠牲層の高さは、前記遮光部材の上に形成されている前記第２保護膜の高さに等しいように形成する。

さらに、好ましくは、前記共通電極を形成するステップにおいて、前記共通電極は、前記遮光部材の上に位置する第２保護膜の高さを基準として水平に形成する。

さらに、好ましくは、前記共通電極を形成するステップにおいて、前記共通電極は、前記遮光部材の近くで折れ曲がった構造を有するように形成する。

さらに、好ましくは、前記共通電極は、前記遮光部材の近くで上側に折れ曲がるように形成する。

さらに、好ましくは、前記ループ層を形成するステップにおいて、前記ループ層は、一方向に延びている液晶注入口形成領域にはループ層を形成しない。

さらに、好ましくは、前記液晶注入口を形成するステップにおいて、前記液晶注入口は、前記液晶注入口形成領域に形成する。

さらに、好ましくは、前記液晶注入口を形成するステップにおいて、前記共通電極もエッチングして前記液晶注入口を形成する。

さらに、好ましくは、前記液晶注入口を形成するステップによって前記共通電極は一方向に延びた構造を有し、前記一方向に垂直な方向に形成されて前記共通電極を接続する共通電極接続部を形成する。

さらに、好ましくは、前記犠牲層を形成するステップにおいて、前記共通電極接続部が形成される位置に犠牲層を形成しない。

さらに、好ましくは、前記ループ層を形成するステップにおいて、前記ループ層は、一方向に延びている液晶注入口形成領域のうちの一部にループ層を形成しない開口部を形成する。

さらに、好ましくは、前記液晶注入口を形成するステップにおいて、前記液晶注入口は、前記開口部に形成する。

さらに、好ましくは、前記液晶注入口を形成するステップにおいて、前記共通電極もエッチングして前記液晶注入口を形成する。

さらに、好ましくは、前記液晶注入口を形成するステップによって前記共通電極は一方向に延びた構造を有し、前記一方向に垂直な方向に形成されて前記共通電極を接続する共通電極接続部を形成する。

さらに、好ましくは、前記犠牲層を形成するステップにおいて、前記共通電極接続部が形成される位置に犠牲層を形成し、前記犠牲層を除去するステップにおいて、前記共通電極接続部が形成される位置に形成された犠牲層を除去する。

さらに、好ましくは、前記犠牲層を除去してマイクロキャビティ層を形成するステップは、絶縁基板の上に形成されているフォトレジストと前記犠牲層を一緒にウェットエッチングする。

前記画素電極を形成するステップは、幹部と、前記幹部から延出された複数の微細枝部を有するように画素電極を形成する。

本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法は、絶縁基板の上に遮光部材を形成するステップと、絶縁基板の上に画素電極を形成するステップと、前記遮光部材のサイドウォールに対応するサイドウォールを有する犠牲層を形成するステップと、前記犠牲層の上に水平構造を有する共通電極を形成するステップと、前記共通電極の上にループ層を形成するステップと、液晶注入口を形成するステップと、前記液晶注入口を介して前記犠牲層を除去してマイクロキャビティ層を形成するステップと、前記マイクロキャビティ層に液晶を注入するステップと、を含む。

好ましくは、前記遮光部材のサイドウォールはテーパ状であり、前記マイクロキャビティ層のサイドウォールは逆テーパ状である。

また、好ましくは、前記遮光部材のサイドウォールは逆テーパ状であり、前記マイクロキャビティ層のサイドウォールはテーパ状である。

逆テーパ状のサイドウォールを有するＥＭ構造を形成して液晶層に印加される電界の歪みを減らし、液晶分子が誤整列する部分が発生しないようにして液晶分子が一定の方向に並ぶようにする。一方、共通電極が水平構造を維持して画素電極と短絡されることなく電界が歪まないようにする。一方、共通電極の延びた方向とは異なる方向（これに垂直な方向）にも共通電圧が印加されるようにして、共通電圧が一定の液晶表示装置を提供できるようにする。一方、液晶分子が誤整列する部分が発生する場合には、遮光部材の上部幅を広げて外部から視認されないようにする。

本発明の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図１のＩＩ-ＩＩ線に沿って切り取った断面図である。 図１のＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿って切り取った断面図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 比較例による液晶表示装置において液晶分子が誤整列される状況を示す図である。 比較例による液晶表示装置において液晶の衝突により発生したテクスチャ及び光漏れ現象を示す図である。 比較例による液晶表示装置において液晶の衝突により発生したテクスチャ及び光漏れ現象を示す図である。 本発明の実施形態による液晶表示装置において、液晶分子の整列状況を示す図である。 画素電極の構造による液晶分子の回転方向を示す図である。 画素電極の構造による液晶分子の回転方向を示す図である。 本発明の実施形態により形成された遮光部材の断面を撮影した図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図２２のＸＸＩＩＩ-ＸＸＩＩＩ線に沿って切り取った断面図である。 図２２のＸＸＩＶ-ＸＸＩＶ線に沿って切り取った断面図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図３１のＸＸＸＩＩ-ＸＸＸＩＩ線に沿って切り取った断面図である。 図３１のＸＸＸＩＩＩ-ＸＸＸＩＩＩ線に沿って切り取った断面図である。 図３１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の断面図である。

以下、本発明の実施形態につき、本発明が属する技術分野において通常の知識を持った者が容易に実施できる程度に詳しく説明する。しかしながら、本発明は種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されない。

図中、複数の層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示す。明細書全般に亘って類似する部分に対しては同じ図面符号を付する。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとしたとき、これは、他の部分の「直上に」ある場合だけではなく、これらの間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「真上に」あるとしたときには、これらの間に他の部分がないことを意味する。

以下、図１乃至図３に基づき、本発明の実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。

図１は、本発明の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２は、図１のＩＩ-ＩＩ線に沿って切り取った断面図であり、図３は、図１のＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿って切り取った断面図である。

透明ガラス製またはプラスチック製の絶縁基板１１０の上にゲート線１２１及び維持電圧線１３１が形成されている。ゲート線１２１は、第１ゲート電極１２４ａと、第２ゲート電極１２４ｂ及び第３ゲート電極１２４ｃを備える。維持電圧線１３１は、維持電極１３５ａ、１３５ｂ及びゲート線１２１に向かって突き出た突出部１３４を備える。維持電極１３５ａ、１３５ｂは、第１副画素電極１９２ｈ及び前段画素の第２副画素電極１９２ｌを取り囲む構造を有する。図１の維持電極の水平部１３５ｂは、前段画素の水平部１３５ｂと分離されない一本の配線であってもよい。

ゲート線１２１及び維持電圧線１３１の上にゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０の上には、データ線１７１の下部に位置する半導体１５１と、ソース／ドレイン電極の下部に位置する半導体１５５及び薄膜トランジスタのチャンネル部分に位置する半導体１５４が形成されている。

図示されていないが、各半導体１５１、１５４、１５５上に、データ線１７１とソース／ドレイン電極との間に複数の抵抗性接触部材が形成されてもよい。

各半導体１５１、１５４、１５５及びゲート絶縁膜１４０の上に、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂを有する複数のデータ線１７１と、第１ドレイン電極１７５ａと、第２ドレイン電極１７５ｂと、第３ソース電極１７３ｃ及び第３ドレイン電極１７５ｃを有する。

第１ゲート電極１２４ａと、第１ソース電極１７３ａ及び第１ドレイン電極１７５ａは半導体１５４と共に第１薄膜トランジスタＱａを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第１ソース電極１７３ａと第１ドレイン電極１７５ａとの間の半導体の部分１５４に形成される。これと同様に、第２ゲート電極１２４ｂと、第２ソース電極１７３ｂ及び第２ドレイン電極１７５ｂは半導体１５４と共に第２薄膜トランジスタＱｂを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第２ソース電極１７３ｂと第２ドレイン電極１７５ｂとの間の半導体の部分１５４に形成され、第３ゲート電極１２４ｃと、第３ソース電極１７３ｃ及び第３ドレイン電極１７５ｃは半導体１５４と共に第３薄膜トランジスタＱｃを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第３ソース電極１７３ｃと第３ドレイン電極１７５ｃの間の半導体の部分１５４に形成される。

本実施形態のデータ線１７１は、第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’近くの薄膜トランジスタ形成領域において幅が狭くなる構造を有する。これは、隣り合う配線との間隔を維持して信号干渉を減らすための構造であるが、必ずしもこのように形成される必要はない。

データ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ及び露出された半導体１５４部分の上には、第１保護膜１８０が形成されている。第１保護膜１８０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。

保護膜１８０の上には、カラーフィルタ２３０が形成されている。縦方向（データ線方向）に隣り合う画素には同じ色のカラーフィルタ２３０が形成されている。また、横方向（ゲート線方向）に隣り合う画素には異なる色のカラーフィルタ２３０、２３０’が形成されており、データ線１７１の上において前記二つのカラーフィルタ２３０、２３０’が重なり合っていてもよい。カラーフィルタ２３０、２３０’は、赤色と、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つの色を表示することができる。しかしながら、赤色、緑色、及び青色の三原色に制限されることはなく、青緑色、紫紅色、イエロー、ホワイト系の色のうちの一つを表示することもできる。

カラーフィルタ２３０、２３０’の上には、遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ゲート線１２１と、維持電圧線１３１及び薄膜トランジスタが形成されている領域（以下、「トランジスタ形成領域」と称する。）と、データ線１７１が形成されている領域を中心として形成され、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子状に形成されている。遮光部材２２０の開口部には、カラーフィルタ２３０が形成されている。また、遮光部材２２０は、光が透過できない物質で形成されている。さらに、遮光部材２２０は、液晶層３が注入されるマイクロキャビティ層の高さに見合う高さを有するため、マイクロキャビティ層の高さに見合う高さに形成する。マイクロキャビティ層の高さは、実施形態によって様々であるため、遮光部材２２０の高さも様々であるが、本実施形態において、遮光部材２２０は、２．０μｍ以上３．６μｍ以下の高さを有していてもよい。

また、遮光部材２２０は、サイドウォール（側面部）がテーパ構造に形成されてテーパ状のサイドウォールを有してもよく、テーパ状のサイドウォールの角度は、実施形態によって様々である。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には、これを覆う第２保護膜１８５が形成されている。第２保護膜１８５は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。図２及び図３の断面図とは異なり、カラーフィルタ２３０と遮光部材２２０との間の厚さの差によって段差が生じた場合には、第２保護膜１８５に有機絶縁物を含めるなどして段差を低減又は除去してもよい。

カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５には、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７５ｂ’をそれぞれ露出させる第１接触口１８６ａ及び第２接触口１８６ｂが形成されている。また、カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５には、維持電圧線１３１の突出部１３４及び第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’を露出させる第３接触口１８６ｃが形成されている。

本実施形態においては、遮光部材２２０及びカラーフィルタ２３０にも接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃが形成されているが、実際に遮光部材２２０及びカラーフィルタ２３０はその材質に応じて接触口のエッチングが保護膜１８０、第２保護膜１８５に比べて困難になる場合がある。このため、遮光部材２２０またはカラーフィルタ２３０のエッチングに際して接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃが形成される位置に予め遮光部材２２０またはカラーフィルタ２３０を除去しておいてもよい。

一方、実施形態によっては、遮光部材２２０の位置を変更してカラーフィルタ２３０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５のみをエッチングして接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃを形成してもよい。

第２保護膜１８５の上には、第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌを有する画素電極１９２が形成されている。画素電極１９２は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質から作製されてもよい。

第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌは列方向に隣り合い、全体的な形状は四角形であり、横幹部及びこれと交差する縦幹部からなる十字状の幹部を備える。なお、横幹部と縦幹部によって四つの副領域に画成され、各副領域は複数の微細枝部を備える。

第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌの微細枝部は、ゲート線１２１または横幹部と略４０°乃至４５°の角度をなす。また、隣り合う二つの副領域の微細枝部は、互いに直交してもよい。なお、微細枝部の幅は漸増してもよく、微細枝部同士の間隔が異なってもよい。

第１副画素電極１９２ｈ及び第２副画素電極１９２ｌは、接触口１８６ａ、１８６ｂを介してそれぞれ第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂと物理的・電気的に接続されており、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂからデータ電圧が印加される。

一方、接続部材１９４は、第３接触口１８６ｃを介して第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’と維持電圧線１３１の突出部１３４を電気的に接続される。その結果、第２ドレイン電極１７５ｂに印加されたデータ電圧のうちの一部は第３ソース電極１７３ｃを介して分圧されて、第２副画素電極１９２ｌに印加される電圧の大きさは第１副画素電極１９２ｈに印加される電圧の大きさよりも小さくてもよい。

ここで、第２副画素電極１９２ｌの面積は、第１副画素電極１９２ｈの面積に比べて１倍以上２倍以下であってもよい。

一方、第２保護膜１８５には、カラーフィルタ２３０から放出されるガスを溜める開口部が形成され、その上に画素電極１９２と同じ物質から当該開口部を覆う蓋体部が形成されていてもよい。開口部と蓋体部は、カラーフィルタ２３０から放出されるガスが他の素子に伝わることを遮断するための構造であり、必須的な構成要素ではない。

第２保護膜１８５及び画素電極１９２の上であってマイクロキャビティ層３０５（図１２Ｂ参照）に注入された液晶層３の上部には、共通電極２７０が位置する。共通電極２７０は、遮光部材２２０の上に位置する第２保護膜１８５の高さを基準として水平な構造を有する。その結果、共通電極２７０が画素電極１９２と一定の距離だけ離れていて短絡される恐れがなく、共通電極２７０がマイクロキャビティ層３０５の側面に沿って折れ曲がっていないため電界が歪まない。共通電極２７０がマイクロキャビティ層の上においても水平を維持しうる理由は、後述するループ層３１２が支持しているためである。なお、共通電極２７０が液晶注入口３３５の部分には形成されていないため、ゲート線の方向（左右方向）に沿って延びた構造を有する。

共通電極２７０は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成され、画素電極１９２と共に電界を発生させて液晶分子３１０の配列方向を制御する役割を果たす。

共通電極２７０の上には、下部絶縁層３１１が位置する。下部絶縁層３１１は、マイクロキャビティ層３０５に液晶を注入可能にするために一方の側面に液晶注入口３３５を有していてもよい。下部絶縁層３１１は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含んでいてもよい。液晶注入口３３５は、マイクロキャビティ層３０５を形成するための犠牲層を除去するときにも使用可能である。これについては、製造方法を説明しながら詳述する。

また、液晶層３が注入されるマイクロキャビティ層３０５は、サイドウォールが遮光部材２２０のテーパ状のサイドウォールに対応するため、マイクロキャビティ層３０５のサイドウォールは逆テーパ状のサイドウォールを有する。

さらに、マイクロキャビティ層３０５に注入される液晶分子を並べるために、共通電極２７０の下部及び画素電極１９２の上部には、配向膜（図示せず）が形成されていてもよい。配向膜は、ポリアミック酸、ポリシロキサンまたはポリイミドなどの液晶配向膜として汎用される物質のうちの少なくとも一つを含めて形成してもよい。

マイクロキャビティ層３０５の内部（正確には、配向膜の内部）には、液晶層３が形成されている。液晶分子３１０は、配向膜によって初期配列され、印加される電界によって配列方向が変わる。液晶層３の高さはマイクロキャビティ層３０５の高さに対応し、マイクロキャビティ層３０５の高さは遮光部材２２０の高さに相当する。本実施形態において、マイクロキャビティ層３０５の高さは、遮光部材２２０の上に位置している第２保護膜１８５の高さに等しい。本実施形態における液晶層３の厚さは、２．０μｍ以上３．６μｍ以下であってもよい。液晶層３の厚さを増大させたい場合には、遮光部材２２０も高く形成する必要がある。

マイクロキャビティ層３０５に形成される液晶層３は、毛管力を用いてマイクロキャビティ層３０５に注入してもよく、配向膜も毛管力によって形成してもよい。

下部絶縁層３１１の上には、ループ層３１２が形成されている。ループ層３１２は、画素電極１９２と共通電極２７０との間の空間（マイクロキャビティ層）が形成可能に支持する役割を果たす。本実施形態によるループ層３１２は、共通電極２７０の上部に一定の厚さでマイクロキャビティ層３０５を支持する役割を果たし、マイクロキャビティ層３０５に液晶を注入可能にするために一方の側面に液晶注入口３３５を有していてもよい。

ループ層３１２の上には、上部絶縁層３１３が形成されている。上部絶縁層３１３は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含んでいてもよい。ループ層３１２と上部絶縁層３１３は、下部絶縁層３１１と共にパターニングされて液晶注入口３３５を形成する。

実施形態によっては、下部絶縁層３１１及び上部絶縁層３１３は省略されてもよい。

絶縁基板１１０の下部及び上部絶縁層３１３の上部には、偏光板（図示せず）が位置している。偏光板は、偏光を生成する偏光素子と、耐久性を確保するためのＴＡＣ（トリアセチルセルロース）層を備えていてもよく、実施形態によっては、上部偏光板と下部偏光板は、透過軸の方向が垂直であってもよく、平行であってもよい。

以下、図４乃至図１２に基づき、本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法について説明する。

図４乃至図１２は、図１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。

まず、図４は、絶縁基板１１０の上にゲート線１２１及び維持電圧線１３１が形成された配置図である。

図４を参照すると、透明ガラス製またはプラスチック製の絶縁基板１１０の上にゲート線１２１及び維持電圧線１３１を形成する。ゲート線１２１及び維持電圧線１３１は、同じ物質から同じマスクによって一緒に形成してもよい。また、ゲート線１２１は、第１ゲート電極１２４ａと、第２ゲート電極１２４ｂ及び第３ゲート電極１２４ｃを備え、維持電圧線１３１は、維持電極１３５ａ、１３５ｂ及びゲート線１２１の方向に突き出た突出部１３４を備える。維持電極１３５ａ、１３５ｂは、第１副画素電極１９２ｈ及び前段画素の第２副画素電極１９２ｌを取り囲む構造を有する。ゲート線１２１にはゲート電圧が印加され、維持電圧線１３１には維持電圧が印加されるため、隔離されている。維持電圧は、一定の電圧レベルを有していてもよく、スイングする電圧レベルを有していてもよい。

ゲート線１２１及び維持電圧線１３１の上に、これらを覆うゲート絶縁膜１４０を形成する。

次いで、図５及び図６に示すように、ゲート絶縁膜１４０の上に半導体１５１、１５４、１５５、データ線１７１及びソース／ドレイン電極１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃを形成する。

図５は、半導体１５１、１５４、１５５を形成した配置図であり、図６は、データ線１７１及びソース／ドレイン電極１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃを形成した配置図であるが、下記の工程によって半導体１５１、１５４、１５５、データ線１７１及びソース／ドレイン電極１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃが一緒に形成されてもよい。

すなわち、半導体を形成する物質と、データ線／ソース／ドレイン電極を形成する物質をこの順に積層する。次いで、一枚のマスク（スリットマスクまたは半透過マスク）を介して露光、現像してエッチングする一回の工程によって二つのパターンを一緒に形成する。このとき、薄膜トランジスタのチャンネルの部分に位置する半導体１５４がエッチングされないようにするために、当該部分にはマスクのスリットまたは半透過領域を介して露光する。

このとき、各半導体１５１、１５４、１５５の上であってデータ線１７１と、ソース／ドレイン電極との間には、複数の抵抗性接触部材が形成されていてもよい。

データ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ及び露出された半導体１５４部分の上には、全領域に第１保護膜１８０を形成する。第１保護膜１８０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。

次いで、図７Ａ乃至図７Ｃに示すように、第１保護膜１８０の上にはカラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０を形成する。ここで、図７Ａは、図１に対応する配置図であり、図７Ｂ及び図７Ｃは、図２に対応する断面図であって、図７Ｂにはマスク５００を用いて露光するステップが示されており、図７Ｃには、露光及びエッチング後に形成された遮光部材２２０が示されている。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０を形成するに当たって、まず、カラーフィルタ２３０を形成する。単一色のカラーフィルタ２３０は縦方向（データ線方向）に長く形成し、横方向（ゲート線方向）に隣り合う画素には異なる色のカラーフィルタ２３０、２３０’を形成する。その結果、各色のカラーフィルタ２３０別に露光、現像及びエッチング工程を行わなければならない。三原色を含む液晶表示装置は、それぞれ３回の露光、現像及びエッチング工程によってカラーフィルタ２３０を形成する。このとき、データ線１７１の上においては、先に形成したカラーフィルタ２３０’は下部に位置し、その次に形成したカラーフィルタ２３０は上部に位置して重なり合ってもよい。

カラーフィルタ２３０のエッチングに際して接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃが形成される位置に予めカラーフィルタ２３０を除去しておいてもよい。

カラーフィルタ２３０の上には、光が透過できない物質で遮光部材２２０を形成する。図７Ａのハッチング部分（遮光部材２２０を示す）を参照すると、遮光部材２２０は、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子状に形成する。開口部には、カラーフィルタ２３０が形成されている。

遮光部材２２０は、図７Ａに示すように、ゲート線１２１と、維持電圧線１３１及び薄膜トランジスタが形成されているトランジスタ形成領域に沿って横方向に形成された部分と、データ線１７１が形成されている領域を中心として縦方向に形成された部分を有する。

遮光部材２２０は、一定の高さに形成されて液晶層３が注入されるマイクロキャビティ層３０５を確保する。遮光部材２２０は、スペーサを形成する有機物に光を遮断する黒色顔料を含めて形成してもよく、図１９は、遮光部材２２０が様々な高さに形成されうることを示している。本実施形態において、遮光部材２２０は、２．０μｍ以上３．６μｍ以下の高さを有していてもよい。

また、遮光部材２２０のサイドウォールは、テーパ状に形成する。テーパ状のサイドウォールを形成するために、マスクに半透過パターンまたはスリットパターンを形成し、これを用いて露光量を調節して形成してもよい。しかしながら、半透過パターンやスリットパターンなしでも、エッチング工程で自然にテーパ状のサイドウォールが形成されてもよい。

図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には、全領域に亘って第２保護膜１８５を形成する。第２保護膜１８５は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。

次いで、カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５に第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７５ｂ’をそれぞれ露出させる第１接触口１８６ａ及び第２接触口１８６ｂを形成する。また、カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５には、維持電圧線１３１の突出部１３４及び第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’を露出させる第３接触口１８６ｃを形成する。

次いで、第２保護膜１８５の上に第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌを有する画素電極１９２を形成する。このとき、画素電極１９２は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質から作製されてもよい。また、第１副画素電極１９２ｈ及び第２副画素電極１９２ｌは、接触口１８６ａ、１８６ｂを介してそれぞれ第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂと物理的・電気的に接続する。さらに、第３接触口１８６ｃを介して第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’と維持電圧線１３１の突出部１３４を電気的に接続させる接続部材１９４も形成する。その結果、第２ドレイン電極１７５ｂに印加されたデータ電圧のうちの一部は第３ソース電極１７３ｃを介して分圧されて、第２副画素電極１９２ｌに印加される電圧の大きさは第１副画素電極１９２ｈに印加される電圧の大きさよりも小さくてもよい。

ここで、図８Ｂは、図２に対応する図であって、図８Ａまで形成された断面図である。

次いで、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、開口部３０１を有する犠牲層３００を形成する。犠牲層３００は、フォトレジスト（ＰＲ）などの有機物質で形成されてもよく、フォトレジスト（ＰＲ）を形成した後にマスク５００で露光し、現像及びエッチングして犠牲層３００を完成する。犠牲層３００は、遮光部材２２０が形成されていない領域を中心として形成されて遮光部材２２０のサイドウォールと犠牲層３００のサイドウォールは互いに対応する関係を有する。その結果、犠牲層３００のサイドウォールは遮光部材２２０のテーパ状のサイドウォールに対応して逆テーパ状のサイドウォールを有する。犠牲層３００は、マイクロキャビティ層が形成される位置に、マイクロキャビティ層の構造に対応する本体と隣り合う本体の間に位置する開口部３０１を有する。開口部３０１の幅は、約２．５μｍであってもよい。また、犠牲層３００の高さは、遮光部材２２０の上部面に第２保護膜１８５が形成された高さに等しい。図９Ｂには、遮光部材２２０の上部面の上に犠牲層３００用フォトレジスト（ＰＲ）が残っているように示されているが、これは、マスクで露光するステップであるため残っているのであり、エッチング後には犠牲層３００が遮光部材２２０の上に残っていない。しかしながら、実施形態によっては残っている場合もある。

次いで、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、共通電極２７０及び下部絶縁層３１１をこの順に形成する。すなわち、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質を表示パネルの全領域に形成した後、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含む下部絶縁層形成物質を表示パネルの全領域に形成する。その結果、下部絶縁層３１１は、共通電極２７０を覆いながら形成される。

次いで、図１１Ａに示すように、ループ層３１２を形成する。ループ層３１２は、有機物質を含んで形成してもよく、液晶注入口３３５の形成工程でエッチングされる領域（以下、「液晶注入口オープン領域」と称する。）にはループ層３１２を形成しない。図１１Ａには、液晶注入口オープン領域は薄膜トランジスタ形成領域に対応して形成されることが示されており、ゲート線の形成方向に沿って延びた構造を有する。また、当該領域にはループ層３１２が形成されないため、図１０Ａ及び図１０Ｂにおいて全体的に形成した共通電極２７０及び下部絶縁層３１１が露出されている領域に対して番号を付して間接的に示している。実際には、液晶注入口オープン領域においては実際に下部絶縁層３１１の上部面のみが露出されるが、層状関係を示すために共通電極２７０の番号も併記している。

ループ層３１２の形成は、パネルの全領域に有機物質を含むループ層用物質を形成した後、マスクを用いて露光、現像した後に液晶注入口オープン領域に対応する領域のループ層用物質を除去して行う。このとき、ループ層３１２の下部に形成される共通電極２７０及び下部絶縁層３１１は、エッチングされずに露出される。液晶注入口オープン領域には、犠牲層３００と、共通電極２７０及び下部絶縁層３１１のみが形成されており、その他の領域には犠牲層３００または開口部３０１と、共通電極２７０と、下部絶縁層３１１及びループ層３１２が積層されている。

次いで、図１１Ｂと、図１１Ｃと、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含む上部絶縁層用物質を形成（図１１Ａ、図１１Ｂ参照）し、液晶注入口オープン領域をエッチング（図１２Ａ及び図１２Ｂ参照）して上部絶縁層３１３及び液晶注入口３３５を形成する。

具体的に、図１１Ｂ及び図１１Ｃに示すように、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含む上部絶縁層用物質を表示パネルの全領域に形成する。その結果、図１１Ｂ及び図１１Ｃに示すように、上部絶縁層用物質３１３がループ層３１２の上にも形成され、ループ層３１２が形成されていない液晶注入口オープン領域にも形成されて液晶注入口オープン領域の下部絶縁層３１１の上に上部絶縁層用物質３１３が形成されている。図１１Ｂにおける２７０／３１１／３１３は、共通電極２７０と、下部絶縁層３１１及び上部絶縁層用物質３１３が液晶注入口オープン領域にこの順に積層されていることを示している。一方、図１１Ｃには液晶注入口オープン領域は削除されて示されていないため、共通電極２７０と、下部絶縁層３１１と、ループ層３１２及び上部絶縁層用物質３１３がこの順に積層された構造が示されている。

次いで、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、液晶注入口オープン領域をエッチングする工程を行う。液晶注入口オープン領域をエッチングするためには、フォトレジスト（ＰＲ）を全領域に形成し、液晶注入口オープン領域に対応するフォトレジスト（ＰＲ）が除去されたフォトレジストパターンを形成し、次いで、フォトレジストパターンを用いてエッチングして液晶注入口オープン領域をエッチングする。このとき、液晶注入口オープン領域においてエッチングされる層は、上部絶縁層用物質３１３と、下部絶縁層３１１と、共通電極２７０及び犠牲層３００であり、その下の層はエッチングしない。実施形態によっては犠牲層３００の一部のみがエッチングされてもよく、全くエッチングされなくてもよい。ここで、液晶注入口オープン領域をエッチングする工程は、ドライエッチング工程であってもよく、エッチングする層を一緒にエッチングしうるエッチング液がある場合にはウェットエッチング工程であってもよい。

次いで、図１２Ｂに示すように、液晶注入口オープン領域を介して犠牲層３００を除去してマイクロキャビティ層３０５を形成する工程を行う。本実施形態においては、犠牲層３００はフォトレジスト（ＰＲ）で形成したため、上部絶縁層３１３の上に形成されたフォトレジストパターンを除去する工程と同時に行われてもよい。すなわち、フォトレジストパターンを除去するエッチング液（例えば、フォトレジストストリッパ）に浸漬して犠牲層３００と共に上部絶縁層３１３の上に形成されたフォトレジストパターンをウェットエッチングしてもよい。このような工程によれば、上部絶縁層３１３の上に形成されたフォトレジスト（ＰＲ）を除去する工程と、犠牲層３００を除去する工程を同時に行うことができて製造工程が短くなるという長所を有する。一方で、犠牲層３００をフォトレジスト（ＰＲ）ではない物質で形成する場合には、二つの工程を別々に行ってもよい。なお、犠牲層３００は、ウェットエッチングではなくドライエッチングで行ってもよい。

次いで、図２及び図３に示すように、マイクロキャビティ層３０５に配向膜（図示せず）または液晶層３を毛管力を用いて注入する。

次いで、図示はしないが、マイクロキャビティ層３０５に注入された液晶層３が外部に漏れ出ることを防ぐために、マイクロキャビティ層３０５を封止する工程を行ってもよい。

以上の実施形態においては、液晶注入口オープン領域を形成するフォトレジスト（ＰＲ）と犠牲層３００を一緒に除去して工程時間を短縮している。また、ループ層３１２を形成するに当たって、液晶注入口オープン領域からはループ層３１２を除去して、今後の液晶注入口のオープンに際して工程時間を短縮する。また、図１１Ａにおいて液晶注入口オープン領域のループ層３１２を除去するときに用いるマスクと、図１２Ａ及び図１２Ｂにおいて液晶注入口オープン領域をエッチングするためにフォトレジスト（ＰＲ）を形成するマスクは、同じものであってもよい。また、以上の実施形態とは異なり、ループ層３１２を形成するときに液晶注入口オープン領域に対応するループ層３１２を除去しなくてもよく、この場合には、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、液晶注入口オープン領域をエッチングするときに、液晶注入口オープン領域に対応するループ層３１２も一緒にエッチングしてもよい。

実施形態によっては、下部絶縁層３１１及び上部絶縁層３１３は省略されてもよい。

また、絶縁基板１１０の下部及び上部絶縁層３１３の上部に偏光板（図示せず）を取り付ける工程がさらに行われてもよい。偏光板は、偏光を生成する偏光素子と耐久性を確保するためのトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）層を備えていてもよく、実施形態によっては、上部偏光板と下部偏光板は、透過軸の方向が垂直であってもよく、平行であってもよい。

以上の実施形態においては、犠牲層３００のサイドウォールが遮光部材２２０のテーパ状のサイドウォールに対応して逆テーパ構造を有する。その結果、マイクロキャビティ層３０５もサイドウォールが逆テーパ構造を有する。以上のマイクロキャビティ層３０５の構造によって液晶分子３１０が誤整列することを防ぐことができるという長所があるが、これについては、下記の図１３乃至図１８に基づいて詳述する。

図１３は、比較例による液晶表示装置において液晶分子が誤整列する状況を示す図である。

図１３に示すように、比較例による液晶表示装置は、液晶層を有しているマイクロキャビティ層のサイドウォールはテーパ構造を有する。すなわち、本発明の実施形態においては、マイクロキャビティ層３０５のサイドウォールが逆テーパ構造を有するのに対し、比較例のマイクロキャビティ層のサイドウォールはテーパ構造を有するところに相違点がある。比較例においては遮光部材が低く形成され、その上にループ層が支持台の役割を果たしながら形成されており、支持台の役割を果たすループ層のサイドウォールが逆テーパ構造を有し、マイクロキャビティ層のサイドウォールはテーパ構造を有する。

図１３のマイクロキャビティ層のサイドウォールの部分に並べられた液晶層は、サイドウォールの傾斜によって他の部分の液晶分子と配列方向がずれていることを確認することができる。

このように液晶分子の配列方向がずれていることに起因して、図１４及び図１５に示すように、ディスクリネーションによるテクスチャ及び光漏れ現象が発生する。

図１４及び図１５は、比較例による液晶表示装置において液晶の衝突により発生したテクスチャ及び光漏れ現象を示す図である。

このような比較例の欠点は、本発明の実施形態でのように、マイクロキャビティ層３０５のサイドウォールに逆テーパ構造を持たせることにより克服され、図１６にこれを示している。

図１６は、本発明の実施形態による液晶表示装置における液晶分子の整列状況を示す図である。

図１６によれば、マイクロキャビティ層３０５のサイドウォールが逆テーパ構造を有しているため、マイクロキャビティ層のサイドウォール近くの液晶分子が同じ配列方向を有することから、液晶分子が誤整列するという問題が発生しない（図１６におけるＰ領域参照）

図１３に戻ると、比較例による液晶表示装置における共通電極２７０はループ層の下に位置し、遮光部材２２０の上においてはループ層３１２を支持している支持台と遮光部材２２０との間に降下して位置している。このような共通電極２７０の構造は、下部の画素電極１９２と短絡される恐れが高く、共通電極２７０が折れ曲がる部分及び遮光部材２２０側に降下している部分において電界を歪ませるという問題を発生させる。

これに対し、本発明の実施形態においては、共通電極２７０が遮光部材２２０の上に一字状に形成されて下部の画素電極と短絡される恐れがなく、電界も歪まないという長所を有する。

これらに加えて、本発明の実施形態によれば、図１８に示す画素電極構造を用いてもよい。

図１７及び図１８は、画素電極の構造による液晶分子の回転方向を示す図である。

すなわち、比較例は、図１３に示すように、マイクロキャビティ層のサイドウォールの部分において液晶分子が外方に向かって横たわるため、同様に液晶分子が全体的に外方に向かって横たわる構造の画素電極を用いてもよい。

このような画素電極の構造は、図１７に示されている。図１７の画素電極１９２’は、外周縁を縁取る４つの辺から約４５°の角度で延出するように微細枝部が突き出ており、画素電極の中央には開口部１９３が形成されている。開口部１９３は、十字状の幹開口部と、それから約４５°の角度で伸びている枝開口部を有する。

図１７に示す構造は、液晶分子が自然に外方に向かって横たわるため、図１３に示す比較例に適用すれば、液晶分子がマイクロキャビティ層のサイドウォール領域だけではなく、全領域に亘って外方に向かって横たわることで発生するディスクリネーションを抑制することができる。

しかしながら、本発明の実施形態のように逆テーパ状のサイドウォールを有するマイクロキャビティ層３０５を用いる場合、マイクロキャビティ層３０５のサイドウォールの部分において液晶層は内方に向かって横たわるため（図１６参照）、図１７とは異なり、図１８の構造を有する画素電極を用いることができる。

図１８に示す画素電極１９２は、画素電極の中央に十字状の枝電極１９３’が存在し、そこから約４５°の角度で微細枝部が延出している。本発明の実施形態によるマイクロキャビティ層３０５を用いれば、図１８に示す画素電極においても、液晶分子が自然に内方に向かって横たわることができるため、マイクロキャビティ層３０５のサイドウォール領域の液晶分子の誤整列を抑制することができ、その結果、全領域に亘って液晶分子の誤整列を抑制することができる。

以上述べたように、本発明の実施形態と比較例との基本的な相違点は、マイクロキャビティ層のサイドウォールが逆テーパ構造を有するか、それともテーパ構造を有するかにある。このようなサイドウォールの構造的な相違点は、遮光部材２２０の構造に起因する。すなわち、比較例においては、遮光部材がマイクロキャビティ層よりも低く形成されてマイクロキャビティ層の形成に影響しないが、本発明の実施形態においては遮光部材２２０がマイクロキャビティ層の高さに見合うようにテーパ状のサイドウォールを有して形成されるため、マイクロキャビティ層のサイドウォールがこれに対応して逆テーパ状の構造を有する。すなわち、遮光部材２２０が２．０μｍ以上３．６μｍ以下の高さを有する必要があるが、これについては、図１９において遮光部材２２０の断面写真を用いて高さを示している。

図１９は、本発明の実施形態により形成された遮光部材の断面を撮った図である。

図１９の写真から明らかなように、遮光部材２２０は、１．５μｍ以上３μｍの高さを有することができる。図１９においては３μｍまでの高さの場合のみが写真に示されているが、遮光部材２２０の材料及び工程条件を調節してそれ以上の高さまで形成してもよい。このため、遮光部材２２０が本発明の実施形態において要求する２．０μｍ以上３．６μｍ以下の高さを有することができる。

以下の図２０及び図２１においては、本発明の実施形態の図２とは異なり、共通電極２７０が僅かに折れ曲がる構造を有している。図１に示すように、共通電極２７０が全く屈曲なしに水平な構造を有することが好ましいが、製造工程の誤差などによって一部が折れ曲がる構造を有していてもよい。このような図２０及び図２１の実施形態は、図１とは異なり、電界が僅かに歪むことがあるが、共通電極２７０がマイクロキャビティ層３０５の側面に沿って折れ曲がっている構造のように多大に折れ曲がらないため電界の歪みは僅かである。なお、共通電極２７０が依然として画素電極１９２と一定の距離だけ離れていて短絡される恐れがない。

以下、図２０及び図２１に基づいて詳述する。

図２０及び図２１は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の断面図である。

図２０及び図２１は、図２に対応する図であって、共通電極２７０の遮光部材２２０における高さが図２における高さに比べて高くて共通電極２７０が遮光部材２２０の周りで折れ曲がる構造を有している。すなわち、犠牲層３００の上部面の高さが遮光部材２２０の上部面の高さよりも低ければ、共通電極２７０が遮光部材２２０の周りで上方に折れ曲がる構造を有する。

図２０と図２１との相違点は、図２１の場合はカラーフィルタ２３０と遮光部材２２０との間に層間保護膜１８０’が形成されている実施形態を示している点にある。

一方、図２０及び図２１とは異なり、共通電極２７０のマイクロキャビティ層３０５における高さが図２における高さに比べて高くて共通電極２７０が遮光部材２２０の周りで下方に折れ曲がる構造を有していてもよい。

以上の構造は、犠牲層３００及び遮光部材２２０の高さを工程上正確に一致させることが難しいため、発生する可能性がある。

以上、マイクロキャビティ層３０５が逆テーパ状のサイドウォールを有する液晶表示装置について述べた。

以下、これに加えて、液晶注入口３３５をエッチングすることで、共通電極が第１方向（例えば、垂直方向、データ線方向）だけにしか供給されないことで発生する共通電極の差は、共通電極２７０が第２方向（例えば、水平方向、ゲート線方向）に接続される構造を有することにより、十分に減少させられる又は効果的に除去することができる液晶表示装置について説明する。

図２２は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ-ＸＸＩＩＩ線に沿って切り取った断面図であり、図２４は、図２２のＸＸＩＶ-ＸＸＩＶ線に沿って切り取った断面図である。

図２２の実施形態においては、図１とは異なり、共通電極２７０を液晶注入口３３５の部分において上下方向（データ線方向）に接続する共通電極接続部２７１を有する。

透明ガラス製またはプラスチック製の絶縁基板１１０の上にゲート線１２１及び維持電圧線１３１が形成されている。ゲート線１２１は、第１ゲート電極１２４ａと、第２ゲート電極１２４ｂ及び第３ゲート電極１２４ｃを備える。維持電圧線１３１は、維持電極１３５ａ、１３５ｂ及びゲート線１２１の方向に突き出た突出部１３４を備える。維持電極１３５ａ、１３５ｂは、第１副画素電極１９２ｈ及び前段画素の第２副画素電極１９２ｌを取り囲む構造を有する。

ゲート線１２１及び維持電圧線１３１の上にゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０の上には、データ線１７１の下部に位置する半導体１５１と、ソース／ドレイン電極の下部に位置する半導体１５５及び薄膜トランジスタのチャンネルの部分に位置する半導体１５４が形成されている。

図示されていないが、各半導体１５１、１５４、１５５上に、データ線１７１とソース／ドレイン電極との間に複数の抵抗性接触部材が形成されてもよい。

各半導体１５１、１５４、１５５及びゲート絶縁膜１４０の上に、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂを有する複数のデータ線１７１と、第１ドレイン電極１７５ａと、第２ドレイン電極１７５ｂと、第３ソース電極１７３ｃ及び第３ドレイン電極１７５ｃを有する。

第１ゲート電極１２４ａと、第１ソース電極１７３ａ及び第１ドレイン電極１７５ａは半導体１５４と共に第１薄膜トランジスタＱａを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第１ソース電極１７３ａと第１ドレイン電極１７５ａとの間の半導体の部分１５４に形成される。これと同様に、第２ゲート電極１２４ｂと、第２ソース電極１７３ｂ及び第２ドレイン電極１７５ｂは半導体１５４と共に第２薄膜トランジスタＱｂを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第２ソース電極１７３ｂと第２ドレイン電極１７５ｂとの間の半導体の部分１５４に形成され、第３ゲート電極１２４ｃと、第３ソース電極１７３ｃ及び第３ドレイン電極１７５ｃは半導体１５４と共に第３薄膜トランジスタＱｃを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第３ソース電極１７３ｃと第３ドレイン電極１７５ｃとの間の半導体の部分１５４に形成される。

本実施形態のデータ線１７１は、第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’近くの薄膜トランジスタ形成領域において幅が狭くなる構造を有する。これは、隣り合う配線との間隔を維持して信号干渉を減らすための構造であるが、必ずしもこのように形成する必要はない。

データ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ及び露出された半導体１５４部分の上には、第１保護膜１８０が形成されている。第１保護膜１８０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。

保護膜１８０の上には、カラーフィルタ２３０が形成されている。縦方向（データ線方向）に隣り合う画素には同じ色のカラーフィルタ２３０が形成されている。また、横方向（ゲート線方向）に隣り合う画素には異なる色のカラーフィルタ２３０、２３０’が形成されており、データ線１７１の上において二つのカラーフィルタ２３０、２３０’が重なり合っていてもよい。カラーフィルタ２３０、２３０’は、赤色と、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つの色を表示することができる。しかしながら、赤色と、緑色及び青色の三原色に制限されることはなく、青緑色、紫紅色、イエロー、ホワイト系の色のうちの一つを表示することもできる。

カラーフィルタ２３０、２３０’の上には、遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ゲート線１２１と、維持電圧線１３１及び薄膜トランジスタが形成されている領域（以下、「トランジスタ形成領域」と称する。）と、データ線１７１が形成されている領域を中心として形成され、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子状に形成されている。遮光部材２２０の開口部には、カラーフィルタ２３０が形成されている。また、遮光部材２２０は、光が透過できない物質で形成されている。さらに、遮光部材２２０は、液晶層３が注入されるマイクロキャビティ層の高さに見合う高さを有するため、マイクロキャビティ層の高さに見合う高さに形成する。マイクロキャビティ層の高さは、実施形態によって様々であるため、遮光部材２２０の高さも様々であるが、本実施形態において、遮光部材２２０は２．０μｍ以上３．６μｍ以下の高さを有していてもよい。

また、遮光部材２２０は、サイドウォールがテーパ構造に形成されてテーパ状のサイドウォールを有してもよく、テーパ状のサイドウォールの角度は実施形態によって様々である。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には、これらを覆う第２保護膜１８５が形成されている。第２保護膜１８５は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。図２及び図３の断面図とは異なり、カラーフィルタ２３０と遮光部材２２０との厚さの差によって段差が発生した場合には、第２保護膜１８５に有機絶縁物を含めて段差を低減又は除去してもよい。

カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５には、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７５ｂ’をそれぞれ露出させる第１接触口１８６ａ及び第２接触口１８６ｂが形成されている。また、カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５には、維持電圧線１３１の突出部１３４及び第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ'を露出させる第３接触口１８６ｃが形成されている。

本実施形態においては、遮光部材２２０及びカラーフィルタ２３０にも接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃが形成されているが、実際に遮光部材２２０及びカラーフィルタ２３０はその材質に応じて接触口のエッチングが保護膜１８０、第２保護膜１８５に比べて困難になる場合がある。このため、遮光部材２２０またはカラーフィルタ２３０のエッチングに際して接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃが形成される位置に予め遮光部材２２０またはカラーフィルタ２３０を除去しておいてもよい。

一方、実施形態によっては遮光部材２２０の位置を変更してカラーフィルタ２３０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５のみをエッチングして接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃを形成してもよい。

第２保護膜１８５の上には、第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌを有する画素電極１９２が形成されている。画素電極１９２は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成されてもよい。

第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌは列方向に隣り合い、全体的な形状は四角形であり、横幹部及びこれと交差する縦幹部からなる十字状幹部を備える。なお、横幹部と縦幹部によって四つの副領域に画成され、各副領域は複数の微細枝部を備える。

第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌの微細枝部は、ゲート線１２１または横幹部と略４０°以上略４５°以下の角度をなす。また、隣り合う二つの副領域の微細枝部は互いに直交してもよい。なお、微細枝部の幅は漸増してもよく、微細枝部同士の間隔が異なってもよい。

第１副画素電極１９２ｈ及び第２副画素電極１９２ｌは、接触口１８６ａ、１８６ｂを介してそれぞれ第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂと物理的・電気的に接続されており、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂからデータ電圧が印加される。

一方、接続部材１９４は、第３接触口１８６ｃを介して第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’と維持電圧線１３１の突出部１３４を電気的に接続される。その結果、第２ドレイン電極１７５ｂに印加されたデータ電圧のうちの一部は第３ソース電極１７３ｃを介して分圧されて、第２副画素電極１９２ｌに印加される電圧の大きさは第１副画素電極１９２ｈに印加される電圧の大きさよりも小さくてもよい。

ここで、第２副画素電極１９２ｌの面積は、第１副画素電極１９２ｈの面積に比べて１倍以上２倍以下であってもよい。

一方、第２保護膜１８５には、カラーフィルタ２３０から放出されるガスを溜める開口部が形成され、その上に画素電極１９２と同じ物質から当該開口部を覆う蓋体部が形成されていてもよい。開口部と蓋体部は、カラーフィルタ２３０から放出されるガスが他の素子に伝わることを遮断するための構造であり、必須的な構成要素ではない。

第２保護膜１８５及び画素電極１９２の上であってマイクロキャビティ層３０５（図１２Ｂ参照）に注入された液晶層３の上部には、共通電極２７０が位置する。共通電極２７０は、遮光部材２２０の上に位置する第２保護膜１８５の高さを基準として水平な構造を有する。共通電極２７０がマイクロキャビティ層の上においても水平を維持しうる理由は、後述するループ層３１２が支持しているためである。

また、共通電極２７０が液晶注入口３３５の部分には形成されないためゲート線の方向（左右方向）に沿って延びた構造を有する。しかしながら、図２２の実施形態においては、共通電極２７０を上下方向（データ線方向）に接続する共通電極接続部２７１を有する。共通電極接続部２７１によって共通電圧がゲート線方向にのみ印加されることなく、データ線方向にも印加されて共通電圧が表示領域の中央の部分において変化しないようにする。その結果、表示品質が向上する。共通電極接続部２７１は、遮光部材２２０及び第２保護膜１８５によって支持される。

共通電極２７０は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成され、画素電極１９２と共に電界を発生させて液晶分子３１０の配列方向を制御する役割を果たす。

共通電極２７０の上には、下部絶縁層３１１が位置する。下部絶縁層３１１は、マイクロキャビティ層３０５に液晶を注入可能にするために一方の側面に液晶注入口３３５を有していてもよい。下部絶縁層３１１は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含んでいてもよい。液晶注入口３３５は、マイクロキャビティ層３０５を形成するための犠牲層を除去するときにも使用可能である。これについては、製造方法を説明しながら詳述する。

また、液晶層３が注入されるマイクロキャビティ層３０５は、サイドウォールが遮光部材２２０のテーパ状のサイドウォールに対応するため、マイクロキャビティ層３０５のサイドウォールは逆テーパ状のサイドウォールを有する。

さらに、マイクロキャビティ層３０５に注入される液晶分子を並べるために、共通電極２７０の下部及び画素電極１９２の上部には配向膜（図示せず）が形成されていてもよい。配向膜は、ポリアミック酸、ポリシロキサンまたはポリイミドなどの液晶配向膜であって、汎用される物質のうちの少なくとも一つを含めて形成してもよい。

マイクロキャビティ層３０５の内部（正確には、配向膜の内部）には、液晶層３が形成されている。液晶分子３１０は、配向膜によって初期配列され、印加される電界によって配列方向が変わる。液晶層３の高さは、マイクロキャビティ層３０５の高さに対応し、マイクロキャビティ層３０５の高さは、遮光部材２２０の高さに相当する。本実施形態において、マイクロキャビティ層３０５の高さは、遮光部材２２０の上に位置している第２保護膜１８５の高さに等しい。本実施形態における液晶層３の厚さは、２．０μｍ以上３．６μｍ以下であってもよい。液晶層３の厚さを増大させたい場合には、遮光部材２２０も高く形成する必要がある。

マイクロキャビティ層３０５に形成される液晶層３は、毛管力を用いてマイクロキャビティ層３０５に注入してもよく、配向膜も毛管力によって形成してもよい。

下部絶縁層３１１の上には、ループ層３１２が形成されている。ループ層３１２は、一定の厚さでマイクロキャビティ層３０５を支持する役割を果たす。なお、マイクロキャビティ層３０５及び液晶層３によって発生した段差を除去してもよい。ループ層３１２は、有機物質を含んでいてもよい。

ループ層３１２の上には、上部絶縁層３１３が形成されている。上部絶縁層３１３は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含んでいてもよい。ループ層３１２と上部絶縁層３１３は、下部絶縁層３１１と共にパターニングされて液晶注入口３３５を形成する。

実施形態によっては、下部絶縁層３１１及び上部絶縁層３１３は省略されてもよい。

絶縁基板１１０の下部及び上部絶縁層３１３の上部には、偏光板（図示せず）が位置している。偏光板は、偏光を生成する偏光素子と耐久性を確保するためのトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）層を備えていてもよく、実施形態によっては、上部偏光板と下部偏光板は、透過軸の方向が垂直であってもよく、平行であってもよい。

以下、図２５乃至図３０に基づき、本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法について説明する。

図２５乃至図３０は、図２２の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。

まず、図２５Ａは図７Ａに対応し、図４乃至図６の過程は図２２の実施形態にも同様に適用される。

すなわち、まず、絶縁基板１１０の上にゲート線１２１及び維持電圧線１３１を形成し、ゲート線１２１及び維持電圧線１３１の上にこれらを覆うゲート絶縁膜１４０を形成する。

次いで、ゲート絶縁膜１４０の上に半導体１５１、１５４、１５５と、データ線１７１及びソース／ドレイン電極１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃを形成する。

次いで、データ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ及び露出された半導体１５４部分の上には全領域に亘って第１保護膜１８０を形成する。次いで、第１保護膜１８０の上にはカラーフィルタ２３０を形成する。カラーフィルタ２３０のエッチングに際して接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃが形成される位置に予めカラーフィルタ２３０を除去しておいてもよい。

次いで、図２５Ａ乃至図２５Ｇに示すように、第１保護膜１８０及びカラーフィルタ２３０の上には、光が透過できない物質で遮光部材２２０を形成する。図２５Ａのハッチング部分（遮光部材２２０を示す）を参照すると、遮光部材２２０は、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子状に形成する。開口部には、カラーフィルタ２３０が形成されている。

遮光部材２２０は、図２５Ａに示すように、ゲート線１２１と、維持電圧線１３１及び薄膜トランジスタが形成されているトランジスタ形成領域に沿って横方向に形成された部分と、データ線１７１が形成されている領域を中心として縦方向に形成された部分を有する。

以下、遮光部材２２０の形成方法について、図２５Ｂ乃至図２５Ｇに基づいて詳述する。ここで、図２５Ｂと、図２５Ｄ及び図２５Ｆは図２３に対応し、図２５Ｃと、図２５Ｅ及び図２５Ｇは図２４に対応する。

図２５Ｂ及び図２５Ｃに示すように、第１保護膜１８０及びカラーフィルタ２３０の上に光が透過できない物質を積層する。

次いで、図２５Ｄ及び図２５Ｅのように、マスク５００を用いて露光して、図２５Ｆ及び図２５Ｇに示す遮光部材２２０を形成する。図２２の実施形態においては、図２５Ｆから明らかなように、共通電極接続部２７１が通過する領域（以下、接続領域と称する。）における遮光部材２２０の高さが高く突き出ている。一方、図２２の実施形態においても、マイクロキャビティ層３０５を確保するために遮光部材２２０が一定の高さに形成される。これは、図２４における左右側に形成された遮光部材２２０から確認可能であり、本実施形態において、マイクロキャビティ層３０５を確保するための遮光部材２２０は、２．０μｍ以上３．６μｍ以下の高さを有していてもよい。このように遮光部材２２０の高さを様々に形成するために、マスク５００は、光を一部のみ透過させる半透過領域やスリットパターンを備えていてもよい。

遮光部材２２０は、スペーサを形成する有機物に光を遮断する黒色顔料を含めて形成してもよい。

また、遮光部材２２０のサイドウォールは、テーパ状に形成する。テーパ状のサイドウォールを形成するために、マスクに半透過パターンまたはスリットパターンを形成し、これを用いて露光量を調節して形成してもよい。しかしながら、半透過パターンやスリットパターンなしでも、エッチング工程で自然にテーパ状のサイドウォールが形成されてもよい。

図２５Ｆ及び図２５Ｇを参照すると、カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には、全領域に亘って第２保護膜１８５を形成する。第２保護膜１８５は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。

次いで、カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５に第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７５ｂ’をそれぞれ露出させる第１接触口１８６ａ及び第２接触口１８６ｂを形成する。また、カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５には、維持電圧線１３１の突出部１３４及び第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ'を露出させる第３接触口１８６ｃを形成する。

次いで、図２６Ａ乃至図２６Ｃに示すように、第２保護膜１８５の上に第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌを有する画素電極１９２を形成する。このとき、画素電極１９２は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成されてもよい。また、第１副画素電極１９２ｈ及び第２副画素電極１９２ｌは、接触口１８６ａ、１８６ｂを介してそれぞれ第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂと物理的・電気的に接続される。さらに、第３接触口１８６ｃを介して第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’と維持電圧線１３１の突出部１３４を電気的に接続させる接続部材１９４も形成する。その結果、第２ドレイン電極１７５ｂに印加されたデータ電圧のうちの一部は第３ソース電極１７３ｃを介して分圧されて、第２副画素電極１９２ｌに印加される電圧の大きさは第１副画素電極１９２ｈに印加される電圧の大きさよりも小さくてもよい。

次いで、図２７Ａ乃至図２７Ｃに示すように、開口部３０１を有する犠牲層３００を形成する。犠牲層３００は、フォトレジスト（ＰＲ）などの有機物質で形成されてもよく、フォトレジスト（ＰＲ）を形成した後にマスク５００で露光し、現像及びエッチングして犠牲層３００を完成する。犠牲層３００は、遮光部材２２０が形成されていない領域を中心として形成され、遮光部材２２０のサイドウォールと犠牲層３００のサイドウォールは互いに対応する関係を有する。その結果、犠牲層３００のサイドウォールは遮光部材２２０のテーパ状のサイドウォールに対応して逆テーパ状のサイドウォールを有する。犠牲層３００は、マイクロキャビティ層が形成される位置に、マイクロキャビティ層の構造に対応する本体と隣り合う本体の間に位置する開口部３０１を有する。開口部３０１の幅は、約２．５μｍであってもよい。なお、犠牲層３００の高さは、遮光部材２２０の上部面に第２保護膜１８５が形成された高さに等しい。

次いで、図２８Ａ乃至図２８Ｃに示すように、共通電極２７０及び下部絶縁層３１１をこの順に形成する。すなわち、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質を表示パネルの全領域に形成した後、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含む下部絶縁層形成物質を表示パネルの全領域に形成する。その結果、下部絶縁層３１１は、共通電極２７０を覆いながら形成される。

次いで、図２９Ａ乃至図２９Ｄに示すように、ループ層３１２を形成する。ループ層３１２は、有機物質を含んで形成してもよく、液晶注入口３３５の形成工程でエッチングされる領域（以下、「液晶注入口オープン領域」と称する。）にはループ層３１２を形成しない。図２９Ａには、液晶注入口オープン領域が薄膜トランジスタ形成領域に対応して形成される場合が示されている。また、当該領域にはループ層３１２が形成されないため、図２９Ａ乃至図２９Ｄにおいて、全体的に形成した共通電極２７０及び下部絶縁層３１１が露出されている領域に対して番号を付して間接的に示している。

ループ層３１２の形成は、パネルの全領域に亘って有機物質を含むループ層用物質を形成した後に、マスクを用いて露光、現像した後、液晶注入口オープン領域に対応する領域のループ層用物質を除去して行う。このとき、ループ層３１２の下部に形成される共通電極２７０及び下部絶縁層３１１は、エッチングされずに露出される。液晶注入口オープン領域には、犠牲層３００と、共通電極２７０及び下部絶縁層３１１のみが形成されており、その他の領域には、犠牲層３００または開口部３０１と、共通電極２７０と、下部絶縁層３１１及びループ層３１２が積層されている。

次いで、図３０Ａ乃至図３０Ｃに示すように、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含む上部絶縁層用物質３１３を形成する。

次いで、図３０Ｄに示すように、液晶注入口オープン領域をエッチングして上部絶縁層３１３及び液晶注入口３３５を完成し、共通電極接続部２７１も形成する。図３０Ｄに示すように、液晶注入口オープン領域は、図１の実施形態とは異なり、共通電極接続部２７１が形成される部分はエッチングしない。その結果、共通電極２７０がデータ線の延長方向にも接続される。共通電極接続部２７１は、遮光部材２２０と第２保護膜１８５によって支持される。

ここで、液晶注入口オープン領域をエッチングするためには、フォトレジスト（ＰＲ）を全領域に形成し、液晶注入口オープン領域に対応するフォトレジスト（ＰＲ）が除去されたフォトレジストパターンを形成し、次いで、フォトレジストパターンを用いてエッチングして液晶注入口オープン領域をエッチングする。このとき、液晶注入口オープン領域においてエッチングされる層は、上部絶縁層用物質３１３と、下部絶縁層３１１と、共通電極２７０及び犠牲層３００であり、その下の層はエッチングしない。また、共通電極接続部２７１が形成される領域もエッチングしない。実施形態によっては、犠牲層３００の一部のみがエッチングされてもよく、全くエッチングされなくてもよい。ここで、液晶注入口オープン領域をエッチングする工程は、ドライエッチング工程であってもよく、エッチングする層を一緒にエッチングしうるエッチング液がある場合に、ウェットエッチング工程であってもよい。

次いで、液晶注入口オープン領域を介して犠牲層３００を除去してマイクロキャビティ層３０５を形成する工程を行う。本実施形態においては、犠牲層３００はフォトレジスト（ＰＲ）で形成したため、上部絶縁層３１３の上に形成されたフォトレジストパターンを除去する工程と同時に行われてもよい。すなわち、フォトレジストパターンを除去するエッチング液（例えば、フォトレジストストリッパ）に浸漬して犠牲層３００と共に上部絶縁層３１３の上に形成されたフォトレジストパターンをウェットエッチングしてもよい。このような工程によれば、上部絶縁層３１３の上に形成されたフォトレジスト（ＰＲ）を除去する工程と犠牲層３００を除去する工程を同時に行うことができて、製造工程が短くなるという長所を有する。一方で、犠牲層３００をフォトレジスト（ＰＲ）ではない物質で形成する場合には、二つの工程を別々に行ってもよい。なお、犠牲層３００の除去は、ウェットエッチングではなく、ドライエッチングにより行ってもよい。

次いで、マイクロキャビティ層３０５に配向膜（図示せず）または液晶層３を毛管力を用いて注入する。

次いで、マイクロキャビティ層３０５に注入された液晶層３が外部に漏れ出ることを防ぐために、マイクロキャビティ層３０５を封止する工程を行ってもよい。

以上の図２２の実施形態は、共通電極接続部２７１が形成されるところに特徴があるため、液晶注入口オープン領域をエッチングするときに、共通電極接続部２７１に対応する位置はエッチングしないことが図１の実施形態との相違点である。

図２２の実施形態のように共通電極接続部２７１が形成されると、共通電圧がデータ線方向にも印加されて表示領域の中央において共通電圧が低下するという短所をなくすことができる。

一方、以下、図３１の実施形態によって、他の構造を有する共通電極接続部２７１を有する実施形態について説明する。図３１の実施形態は、共通電極接続部２７１の上にループ層３１２が形成されている構造を有する。また、図３１の実施形態においては、ループ層３１２はゲート線方向に全体がエッチングされるのではなく、液晶注入口オープン領域の上に開口部３１２’を有するようにエッチングされ、当該開口部３１２’に液晶注入口３３５が形成されてもよい。なお、開口部３１２'の周りには共通電極接続部２７１と、下部絶縁層３１１と、ループ層３１２及び上部絶縁層３１３がこの順に積層されていてもよい。

以下、図３１の実施形態についてより具体的に説明する。

図３１は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図３２は、図３１のＸＸＸＩＩ-ＸＸＸＩＩ線に沿って切り取った断面図であり、図３３は、図３１のＸＸＸＩＩＩ-ＸＸＸＩＩＩ線に沿って切り取った断面図である。

図３１の実施形態は、図１とは異なり、共通電極２７０を液晶注入口３３５の部分において上下方向（データ線方向）に接続する共通電極接続部２７１を有する。

透明ガラス製またはプラスチック製の絶縁基板１１０の上に、ゲート線１２１及び維持電圧線１３１が形成されている。ゲート線１２１は、第１ゲート電極１２４ａと、第２ゲート電極１２４ｂ及び第３ゲート電極１２４ｃを備える。維持電圧線１３１は、維持電極１３５ａ、１３５ｂ及びゲート線１２１の方向に突き出た突出部１３４を備える。維持電極１３５ａ、１３５ｂは、第１副画素電極１９２ｈ及び前段画素の第２副画素電極１９２ｌを取り囲む構造を有する。

ゲート線１２１及び維持電圧線１３１の上に、ゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０の上には、データ線１７１の下部に位置する半導体１５１と、ソース／ドレイン電極の下部に位置する半導体１５５及び薄膜トランジスタのチャンネルの部分に位置する半導体１５４が形成されている。

各半導体１５１、１５４、１５５上に、データ線１７１とソース／ドレイン電極との間に複数の抵抗性接触部材が形成されてもよい。

各半導体１５１、１５４、１５５及びゲート絶縁膜１４０の上に、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂを有する複数のデータ線１７１と、第１ドレイン電極１７５ａと、第２ドレイン電極１７５ｂと、第３ソース電極１７３ｃ及び第３ドレイン電極１７５ｃを有する。

第１ゲート電極１２４ａと、第１ソース電極１７３ａ及び第１ドレイン電極１７５ａは半導体１５４と共に第１薄膜トランジスタＱａを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第１ソース電極１７３ａと第１ドレイン電極１７５ａとの間の半導体の部分１５４に形成される。これと同様に、第２ゲート電極１２４ｂと、第２ソース電極１７３ｂ及び第２ドレイン電極１７５ｂは半導体１５４と共に第２薄膜トランジスタＱｂを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第２ソース電極１７３ｂと第２ドレイン電極１７５ｂとの間の半導体の部分１５４に形成され、第３ゲート電極１２４ｃと、第３ソース電極１７３ｃ及び第３ドレイン電極１７５ｃは半導体１５４と共に第３薄膜トランジスタＱｃを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第３ソース電極１７３ｃと第３ドレイン電極１７５ｃとの間の半導体の部分１５４に形成される。

本実施形態のデータ線１７１は、第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’近くの薄膜トランジスタ形成領域において幅が狭くなる構造を有する。これは、隣り合う配線との間隔を維持して信号干渉を減らすための構造であるが、必ずしもこのように形成される必要はない。

データ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ及び露出された半導体１５４部分の上には、第１保護膜１８０が形成されている。第１保護膜１８０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。

保護膜１８０の上には、カラーフィルタ２３０が形成されている。縦方向（データ線方向）に隣り合う画素には、同じ色のカラーフィルタ２３０が形成されている。また、横方向（ゲート線方向）に隣り合う画素には、異なる色のカラーフィルタ２３０、２３０’が形成されており、データ線１７１の上において二つのカラーフィルタ２３０、２３０’が重なり合っていてもよい。カラーフィルタ２３０、２３０’は、赤色と、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つの色を表示することができる。しかしながら、赤色と、緑色及び青色の三原色に制限されることはなく、青緑色、紫紅色、イエロー、ホワイト系の色のうちの一つを表示することもできる。

カラーフィルタ２３０、２３０’の上には、遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ゲート線１２１と、維持電圧線１３１及び薄膜トランジスタが形成されている領域（以下、「トランジスタ形成領域」と称する。）とデータ線１７１が形成されている領域を中心として形成され、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子状に形成されている。遮光部材２２０の開口部には、カラーフィルタ２３０が形成されている。また、遮光部材２２０は、光が透過できない物質で形成されている。さらに、遮光部材２２０は、液晶層３が注入されるマイクロキャビティ層の高さに見合う高さを有するため、マイクロキャビティ層の高さに見合う高さに形成する。マイクロキャビティ層の高さは、実施形態によって様々であるため、遮光部材２２０の高さも様々であるが、本実施形態において、遮光部材２２０は、２．０μｍ以上３．６μｍ以下の高さを有していてもよい。

また、遮光部材２２０は、サイドウォールがテーパ構造に形成されてテーパ状のサイドウォールを有し、テーパ状のサイドウォールの角度は実施形態によって様々である。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には、これらを覆う第２保護膜１８５が形成されている。第２保護膜１８５は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。図２及び図３の断面図とは異なり、カラーフィルタ２３０と遮光部材２２０との厚さの差によって段差が発生した場合には、第２保護膜１８５に有機絶縁物を含めて段差を低減又は除去してもよい。

カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５には、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７５ｂ’をそれぞれ露出させる第１接触口１８６ａ及び第２接触口１８６ｂが形成されている。また、カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５には、維持電圧線１３１の突出部１３４及び第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ'を露出させる第３接触口１８６ｃが形成されている。

本実施形態においては、遮光部材２２０及びカラーフィルタ２３０にも接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃが形成されているが、実際に、遮光部材２２０及びカラーフィルタ２３０はその材質に応じて接触口のエッチングが保護膜１８０、第２保護膜１８５に比べて困難になる場合がある。このため、遮光部材２２０またはカラーフィルタ２３０のエッチングに際して接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃが形成される位置に予め遮光部材２２０またはカラーフィルタ２３０を除去しておいてもよい。

一方、実施形態によっては、遮光部材２２０の位置を変更してカラーフィルタ２３０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５のみをエッチングして接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃを形成してもよい。

第２保護膜１８５の上には、第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌを有する画素電極１９２が形成されている。画素電極１９２は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成されてもよい。

第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌは列方向に隣り合い、全体的な形状は四角形であり、横幹部及びこれと交差する縦幹部からなる十字状の幹部を備える。なお、横幹部と縦幹部によって四つの副領域に画成され、各副領域は複数の微細枝部を備える。

第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌの微細枝部は、ゲート線１２１または横幹部と略４０°以上略４５°以下の角度をなす。また、隣り合う二つの副領域の微細枝部は、互いに直交してもよい。さらに、微細枝部の幅は漸増してもよく、微細枝部同士の間隔が異なってもよい。

第１副画素電極１９２ｈ及び第２副画素電極１９２ｌは、接触口１８６ａ、１８６ｂを介してそれぞれ第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂと物理的・電気的に接続されており、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂからデータ電圧が印加される。

一方、接続部材１９４は、第３接触口１８６ｃを介して第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’と維持電圧線１３１の突出部１３４を電気的に接続される。その結果、第２ドレイン電極１７５ｂに印加されたデータ電圧のうちの一部は第３ソース電極１７３ｃを介して分圧されて、第２副画素電極１９２ｌに印加される電圧の大きさは第１副画素電極１９２ｈに印加される電圧の大きさよりも小さくてもよい。

ここで、第２副画素電極１９２ｌの面積は、第１副画素電極１９２ｈの面積に比べて１倍以上２倍以下であってもよい。

一方、第２保護膜１８５には、カラーフィルタ２３０から放出されるガスを溜める開口部が形成され、その上に画素電極１９２と同じ物質から当該開口部を覆う蓋体部が形成されていてもよい。開口部と蓋体部は、カラーフィルタ２３０から放出されるガスが他の素子に伝わることを遮断するための構造であり、必須的な構成要素ではない。

第２保護膜１８５及び画素電極１９２の上であってマイクロキャビティ層３０５（図１２Ｂ参照）に注入された液晶層３の上部には、共通電極２７０が位置する。共通電極２７０は、遮光部材２２０の上に位置する第２保護膜１８５の高さを基準として水平な構造を有する。共通電極２７０がマイクロキャビティ層の上においても水平を維持しうる理由は、後述するループ層３１２が支持しているためである。

また、共通電極２７０が液晶注入口３３５の部分には形成されないため、ゲート線の方向（左右方向）に沿って延びた構造を有する。しかしながら、図３１の実施形態においては、共通電極２７０を上下方向（データ線方向）に接続する共通電極接続部２７１を有する。図３１の実施形態による共通電極接続部２７１は、図２２の実施形態とは異なり、遮光部材２２０の上に形成されて遮光部材２２０によって支持されることなく、上部の下部絶縁層３１１と、ループ層３１２及び上部絶縁層３１３の下に形成されてループ層３１２によって支持される。図３１の実施形態においては、下部絶縁層３１１と、ループ層３１２及び上部絶縁層３１３によって共通電極接続部２７１が支持されている。

共通電極接続部２７１によって共通電圧がゲート線方向にのみ印加されるのではなく、データ線方向にも印加されて共通電圧が表示領域の中央の部分において変化しないようにする。その結果、表示品質が向上する。

共通電極２７０は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成され、画素電極１９２と共に電界を発生させて液晶分子３１０の配列方向を制御する役割を果たす。

共通電極２７０の上には、下部絶縁層３１１が位置する。下部絶縁層３１１は、マイクロキャビティ層３０５に液晶を注入可能にするために、一方の側面に液晶注入口３３５を有していてもよい。下部絶縁層３１１は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含んでいてもよい。液晶注入口３３５は、マイクロキャビティ層３０５を形成するための犠牲層を除去するときにも使用可能である。これについては、製造方法を説明しながら詳述する。

また、液晶層３が注入されるマイクロキャビティ層３０５は、サイドウォールが遮光部材２２０のテーパ状のサイドウォールに対応するため、マイクロキャビティ層３０５のサイドウォールは、逆テーパ状のサイドウォールを有する。

さらに、マイクロキャビティ層３０５に注入される液晶分子を並べるために、共通電極２７０の下部及び画素電極１９２の上部には、配向膜（図示せず）が形成されていてもよい。配向膜は、ポリアミック酸、ポリシロキサンまたはポリイミドなどの液晶配向膜であり、汎用される物質のうちの少なくとも一つを含めて形成してもよい。

マイクロキャビティ層３０５の内部（正確には、配向膜の内部）には、液晶層３が形成されている。液晶分子３１０は、配向膜によって初期配列され、印加される電界によって配列方向が変わる。液晶層３の高さは、マイクロキャビティ層３０５の高さに対応し、マイクロキャビティ層３０５の高さは、遮光部材２２０の高さに相当する。本実施形態において、マイクロキャビティ層３０５の高さは、遮光部材２２０の上に位置している第２保護膜１８５の高さに等しい。本実施形態における液晶層３の厚さは、２．０μｍ以上３．６μｍ以下であってもよい。液晶層３の厚さを増大させたい場合には、遮光部材２２０も高く形成する必要がある。

マイクロキャビティ層３０５に形成される液晶層３は、毛管力を用いてマイクロキャビティ層３０５に注入してもよく、配向膜も毛管力によって形成してもよい。

下部絶縁層３１１の上には、ループ層３１２が形成されている。ループ層３１２は、マイクロキャビティ層３０５を支持し、マイクロキャビティ層３０５及び液晶層３によって発生した段差を除去することができる。ループ層３１２は、有機物質を含んでいてもよい。

ループ層３１２の上には、上部絶縁層３１３が形成されている。上部絶縁層３１３は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含んでいてもよい。図３１の実施形態においては、共通電極接続部２７１の上には、下部絶縁層３１１と、ループ層３１２及び上部絶縁層３１３が形成されている。

ループ層３１２と上部絶縁層３１３は、下部絶縁層３１１と共にパターニングされて液晶注入口３３５を形成する。

実施形態によっては、下部絶縁層３１１及び上部絶縁層３１３は省略されてもよい。

絶縁基板１１０の下部及び上部絶縁層３１３の上部には、偏光板（図示せず）が位置している。偏光板は、偏光を生成する偏光素子と耐久性を確保するためのトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）層を備えていてもよく、実施形態によっては、上部偏光板と下部偏光板は、透過軸の方向が垂直であってもよく、平行であってもよい。

以下、図３４乃至図４１に基づき、本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法について説明する。

図３４乃至図４１は、図３１の実施形態による液晶表示装置の製造方法を順番に示す手順図である。

まず、図３４Ａは、図７Ａ及び図２５Ａに対応し、図４乃至図６の過程は、図３１の実施形態にも同様に適用される。

すなわち、まず、絶縁基板１１０の上にゲート線１２１及び維持電圧線１３１を形成し、ゲート線１２１及び維持電圧線１３１の上にこれらを覆うゲート絶縁膜１４０を形成する。

次いで、ゲート絶縁膜１４０の上に半導体１５１、１５４、１５５と、データ線１７１及びソース／ドレイン電極１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃを形成する。

次いで、データ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ及び露出された半導体１５４部分の上には、全領域に亘って第１保護膜１８０を形成する。次いで、第１保護膜１８０の上には、カラーフィルタ２３０を形成する。カラーフィルタ２３０のエッチングに際して、接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃが形成される位置に予めカラーフィルタ２３０を除去しておいてもよい。

次いで、図３４Ａ乃至図３４Ｇに示すように、第１保護膜１８０及びカラーフィルタ２３０の上には、光が透過できない物質で遮光部材２２０を形成する。図２５Ａのハッチング部分（遮光部材２２０を示す）を参照すると、遮光部材２２０は、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子状に形成する。開口部には、カラーフィルタ２３０が形成されている。

遮光部材２２０は、図３４Ａに示すように、ゲート線１２１と、維持電圧線１３１及び薄膜トランジスタが形成されているトランジスタ形成領域に沿って横方向に形成された部分と、データ線１７１が形成されている領域を中心として縦方向に形成された部分を有する。

以下、遮光部材２２０の形成方法について、図３４Ｂ乃至図３４Ｇに基づいて詳述する。ここで、図３４Ｂと、図３４Ｄ及び図３４Ｆは、図３２に対応し、図３４Ｃと、図３４Ｅ及び図３４Ｇは、図３３に対応する。

図３４Ｂ及び図３４Ｃに示すように、第１保護膜１８０及びカラーフィルタ２３０の上に光が透過できない物質を積層する。

次いで、図３４Ｄ及び図３４Ｅに示すように、マスク５００を用いて露光して、図３４Ｆ及び図３４Ｇに示すように、遮光部材２２０を形成する。図３１の実施形態においては、図３４Ｆから明らかなように、共通電極接続部２７１が通過する領域（以下、接続領域と称する。）における遮光部材２２０の高さが図２２の実施形態よりも低く形成される。一方、図３１の実施形態においても、マイクロキャビティ層３０５を確保するために、遮光部材２２０は一定の高さに形成される。これは、図３３における左右側に形成された遮光部材２２０から確認可能であり、本実施形態において、マイクロキャビティ層３０５を確保するための遮光部材２２０は、２．０μｍ以上３．６μｍ以下の高さを有していてもよい。このように遮光部材２２０の高さを様々に形成するために、マスク５００は、光を一部のみ透過させる半透過領域やスリットパターンを備えていてもよい。

遮光部材２２０は、スペーサを形成する有機物に光を遮断する黒色顔料を含めて形成してもよい。

また、遮光部材２２０のサイドウォールは、テーパ状に形成する。テーパ状のサイドウォールを形成するために、マスクに半透過パターンまたはスリットパターンを形成し、これを用いて露光量を調節して形成してもよい。しかしながら、半透過パターンやスリットパターンなしでも、エッチング工程で自然にテーパ状のサイドウォールが形成されてもよい。

図３４Ｆ及び図３４Ｇを参照すると、カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には、全領域に亘って第２保護膜１８５を形成する。第２保護膜１８５は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。

次いで、カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５に第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７５ｂ’をそれぞれ露出させる第１接触口１８６ａ及び第２接触口１８６ｂを形成する。また、カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５には、維持電圧線１３１の突出部１３４及び第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ'を露出させる第３接触口１８６ｃを形成する。

次いで、図３５Ａ乃至図３５Ｃに示すように、第２保護膜１８５の上に、第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌを有する画素電極１９２を形成する。このとき、画素電極１９２は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成されてもよい。また、第１副画素電極１９２ｈ及び第２副画素電極１９２ｌは、接触口１８６ａ、１８６ｂを介してそれぞれ第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂと物理的・電気的に接続される。さらに、第３接触口１８６ｃを介して第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’と維持電圧線１３１の突出部１３４を電気的に接続させる接続部材１９４も形成する。その結果、第２ドレイン電極１７５ｂに印加されたデータ電圧のうちの一部は第３ソース電極１７３ｃを介して分圧されて、第２副画素電極１９２ｌに印加される電圧の大きさは第１副画素電極１９２ｈに印加される電圧の大きさよりも小さくてもよい。

次いで、図３６Ａ乃至図３６Ｃに示すように、開口部３０１及び接続部３０２を有する犠牲層３００を形成する。犠牲層３００は、フォトレジスト（ＰＲ）などの有機物質で形成されてもよく、フォトレジスト（ＰＲ）を形成した後にマスク５００で露光し、現像及びエッチングして犠牲層３００を完成する。犠牲層３００は、遮光部材２２０が形成されていない領域を中心として形成されて遮光部材２２０のサイドウォールと犠牲層３００のサイドウォールは互いに対応する関係を有する。その結果、犠牲層３００のサイドウォールは遮光部材２２０のテーパ状のサイドウォールに対応して逆テーパ状のサイドウォールを有する。犠牲層３００は、マイクロキャビティ層が形成される位置に、マイクロキャビティ層の構造に対応する本体と隣り合う本体の間に位置する開口部３０１を有する。開口部３０１の幅は、約２．５μｍであってもよい。また、犠牲層３００の高さは、遮光部材２２０の上部面に第２保護膜１８５が形成された高さに等しい。一方、接続部３０２は、液晶注入口３３５の形成工程でエッチングされる領域（液晶注入口オープン領域）に対応する位置に形成されている。

次いで、図３７Ａ乃至図３７Ｃに示すように、共通電極２７０及び下部絶縁層３１１をこの順に形成する。すなわち、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質を表示パネルの全領域に形成した後、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含む下部絶縁層形成物質を表示パネルの全領域に形成する。その結果、下部絶縁層３１１は、共通電極２７０を覆いながら形成される。

次いで、図３８Ａ乃至図３８Ｄに示すように、液晶注入口オープン領域の上に開口部３１２’を有するループ層３１２を形成する。開口部３１２'の左右に形成された領域は、開口部周辺領域３１２-１として表示した。ループ層３１２は、有機物質を含んで形成されてもよく、液晶注入口３３５の形成工程でエッチングされる領域（液晶注入口オープン領域）のうちの一部の領域にはループ層３１２が存在しない開口部３１２'が形成されている。図３８Ａには、液晶注入口オープン領域が薄膜トランジスタ形成領域に対応して形成されることが示されている。なお、当該領域にはループ層３１２が一部形成されないため、図３８Ａ乃至図３８Ｄにおいて、全面形成した共通電極２７０及び下部絶縁層３１１が露出されている。

ループ層３１２の形成は、パネルの全体領域に有機物質を含むループ層用物質を形成した後、マスクを用いて露光、現像した後、液晶注入口オープン領域のうちの一部の領域にループ層用物質を除去して開口部３１２’を形成することにより行う。このとき、ループ層３１２の下部に形成される共通電極２７０及び下部絶縁層３１１は、エッチングされずに露出される。すなわち、開口部３１２’には、犠牲層３００と、共通電極２７０及び下部絶縁層３１１のみが形成されており、その他の領域（開口部周辺領域３１２-１を含む）には犠牲層３００または開口部３０１と、共通電極２７０と、下部絶縁層３１１及びループ層３１２が積層されている。

次いで、図３９Ａ乃至図３９Ｃに示すように、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含む上部絶縁層用物質３１３を形成する。

次いで、図４０及び図４１に示すように、液晶注入口オープン領域に対応する領域を露光してエッチングして上部絶縁層３１３及び液晶注入口３３５を完成し、共通電極接続部２７１も形成する。図４１に示すように、液晶注入口オープン領域は、図１の実施形態とは異なり、共通電極接続部２７１が形成される部分はエッチングしない。その結果、共通電極２７０がデータ線の延長方向にも接続される。

ここで、液晶注入口オープン領域をエッチングするためには、フォトレジスト（ＰＲ）を全領域に形成し、液晶注入口オープン領域に対応するフォトレジスト（ＰＲ）が除去されたフォトレジストパターンを形成し、次いで、フォトレジストパターンを用いてエッチングして液晶注入口オープン領域をエッチングする。このとき、液晶注入口オープン領域においてエッチングされる層は、上部絶縁層用物質３１３と、下部絶縁層３１１と、共通電極２７０及び犠牲層３００であり、その下の層はエッチングしない。なお、共通電極接続部２７１が形成される領域もエッチングしない。実施形態によっては、犠牲層３００の一部のみがエッチングされてもよく、全くエッチングされなくてもよい。ここで、液晶注入口オープン領域をエッチングする工程は、ドライエッチング工程であってもよく、エッチングする層を一緒にエッチングしうるエッチング液がある場合に、ウェットエッチング工程であってもよい。

次いで、液晶注入口オープン領域を介して犠牲層３００を除去してマイクロキャビティ層３０５を形成する工程を行う。本実施形態においては、犠牲層３００はフォトレジスト（ＰＲ）で形成したため、上部絶縁層３１３の上に形成されたフォトレジストパターンを除去する工程と同時に行われてもよい。すなわち、フォトレジストパターンを除去するエッチング液（例えば、フォトレジストストリッパ）に浸漬して犠牲層３００と共に上部絶縁層３１３の上に形成されたフォトレジストパターンをウェットエッチングしてもよい。このような工程によれば、上部絶縁層３１３の上に形成されたフォトレジスト（ＰＲ）を除去する工程と犠牲層３００を除去する工程を同時に行うことができて、製造工程が短くなるという長所を有する。一方で、犠牲層３００をフォトレジスト（ＰＲ）ではない物質で形成する場合には、二つの工程を別々に行ってもよい。なお、犠牲層３００の除去は、ウェットエッチングではなく、ドライエッチングにより行ってもよい。

以上のようにして犠牲層３００が除去されるときに、犠牲層３００の接続部３０２も一緒に除去される。その結果、図３２に示すように、共通電極接続部２７１が空中に浮き上がった構造を有し、上部の下部絶縁層３１１と、ループ層３１２及び上部絶縁層３１３により支持される。これは、図２２の実施形態（共通電極接続部２７１が下の遮光部材２２０から支持される）とは異なる構造である。

次いで、マイクロキャビティ層３０５に配向膜（図示せず）または液晶層３を毛管力を用いて注入する。

次いで、マイクロキャビティ層３０５に注入された液晶層３が外部に漏れ出ることを防ぐために、マイクロキャビティ層３０５を封止する工程を行ってもよい。

以上の図３１の実施形態においては、共通電極接続部２７１が形成されるところに特徴があるため、液晶注入口オープン領域をエッチングするに際して共通電極接続部２７１に対応する位置はエッチングしないことが図１の実施形態との相違点である。

図３１の実施形態のように、共通電極接続部２７１が形成されると、共通電圧がデータ線方向にも印加されて表示領域の中央において共通電圧が低下するという短所をなくすことができる。

図３１の実施形態は、図２２の実施形態と同様に、共通電極接続部２７１を有する。しかしながら、図２２の実施形態においては、共通電極接続部２７１が形成される位置の下に遮光部材２２０を高く形成し、その上に共通電極接続部２７１が位置するようにして共通電極接続部２７１が遮光部材２２０によって支持される構造を有する。これとは異なり、図３１の実施形態においては、共通電極接続部２７１が形成される位置の下に犠牲層の接続部３０２を形成し、犠牲層３００を除去するときに接続部３０２も除去されるため、共通電極接続部２７１の下には隙間が形成される。実施形態によっては、共通電極接続部２７１の下の隙間のうちの少なくとも一部に液晶層が充填されてもよい。図３１に示す構造において、共通電極接続部２７１は、上部に形成されている下部絶縁層３１１と、ループ層３１２及び上部絶縁層３１３によって支持される。

以下、本発明の他の実施形態について図４２に基づいて説明する。

図４２は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の断面図である。

図４２の実施形態は、図１３の比較例のように、液晶分子が誤整列するテーパ状のサイドウォールを有するマイクロキャビティ層３０５を有していても、液晶分子が誤整列する領域Ｄを遮光部材２２０の上部面を介して遮る実施形態である。なお、図４２の実施形態においては、共通電極２７０が水平をなしているため電界が歪まない。

以下、図４２の実施形態を図２の実施形態と比較して説明する。

図４２の実施形態は、図２の実施形態とは異なり、マイクロキャビティ層３０５のサイドウォールがテーパ状の構造を有し、遮光部材２２０のサイドウォールはマイクロキャビティ層３０５のサイドウォールに対応して逆テーパ状の構造を有する。

また、図４２の実施形態においては、図２とは異なり、下部絶縁層３１１が共通電極２７０とループ層３１２との間に形成されていないが、実施形態によっては、下部絶縁層３１１が共通電極２７０とループ層３１２との間に形成されていてもよい。

図４２の実施形態の平面構造は、図１と同じであってもよい。以下、図１及び図４２に基づき、図４２の実施形態について詳述する。

透明ガラス製またはプラスチック製の絶縁基板１１０の上に、ゲート線１２１及び維持電圧線１３１が形成されている。ゲート線１２１は、第１ゲート電極１２４ａと、第２ゲート電極１２４ｂ及び第３ゲート電極１２４ｃを備える。維持電圧線１３１は、維持電極１３５ａ、１３５ｂ及びゲート線１２１の方向に突き出た突出部１３４を備える。維持電極１３５ａ、１３５ｂは、第１副画素電極１９２ｈ及び前段画素の第２副画素電極１９２ｌを取り囲む構造を有する。維持電極の水平部１３５ｂは、前段画素の水平部１３５ｂと分離されない一本の配線であってもよい。

ゲート線１２１及び維持電圧線１３１の上に、ゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０の上には、データ線１７１の下部に位置する半導体１５１と、ソース／ドレイン電極の下部に位置する半導体１５５及び薄膜トランジスタのチャンネルの部分に位置する半導体１５４が形成されている。

各半導体１５１、１５４、１５５上に、データ線１７１とソース／ドレイン電極との間に複数の抵抗性接触部材が形成されてもよい。

各半導体１５１、１５４、１５５及びゲート絶縁膜１４０の上に、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂを有する複数のデータ線１７１と、第１ドレイン電極１７５ａと、第２ドレイン電極１７５ｂと、第３ソース電極１７３ｃ及び第３ドレイン電極１７５ｃを有する。

第１ゲート電極１２４ａと、第１ソース電極１７３ａ及び第１ドレイン電極１７５ａは半導体１５４と共に第１薄膜トランジスタＱａを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第１ソース電極１７３ａと第１ドレイン電極１７５ａとの間の半導体の部分１５４に形成される。これと同様に、第２ゲート電極１２４ｂと、第２ソース電極１７３ｂ及び第２ドレイン電極１７５ｂは半導体１５４と共に第２薄膜トランジスタＱｂを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第２ソース電極１７３ｂと第２ドレイン電極１７５ｂとの間の半導体の部分１５４に形成され、第３ゲート電極１２４ｃと、第３ソース電極１７３ｃ及び第３ドレイン電極１７５ｃは半導体１５４と共に第３薄膜トランジスタＱｃを形成し、薄膜トランジスタのチャンネルは第３ソース電極１７３ｃと第３ドレイン電極１７５ｃとの間の半導体の部分１５４に形成される。

本実施形態のデータ線１７１は、第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’近くの薄膜トランジスタ形成領域において幅が狭くなる構造を有する。これは、隣り合う配線との間隔を維持して信号干渉を減らすための構造であるが、必ずしもこのように形成される必要はない。

データ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ及び露出された半導体１５４部分の上には、第１保護膜１８０が形成されている。第１保護膜１８０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。

保護膜１８０の上には、カラーフィルタ２３０が形成されている。縦方向（データ線方向）に隣り合う画素には、同じ色のカラーフィルタ２３０が形成されている。また、横方向（ゲート線方向）に隣り合う画素には、異なる色のカラーフィルタ２３０、２３０’が形成されており、データ線１７１の上において二つのカラーフィルタ２３０、２３０’が重なり合っていてもよい。カラーフィルタ２３０、２３０’は、赤色と、緑色及び青色の三原色など基本色のうちの一つの色を表示することができる。しかしながら、赤色と、緑色及び青色の三原色に制限されることはなく、青緑色、紫紅色、イエロー、ホワイト系の色のうちの一つを表示することもできる。

カラーフィルタ２３０、２３０’の上には、これらを覆う第２保護膜１８５が形成されている。第２保護膜１８５は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物または有機絶縁物を含んでいてもよい。実施形態によっては、第２保護膜１８５を有機絶縁物を含んでいてもよい。

カラーフィルタ２３０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５には、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７５ｂ’をそれぞれ露出させる第１接触口１８６ａ及び第２接触口１８６ｂが形成されている。また、カラーフィルタ２３０と、遮光部材２２０及び保護膜１８０、第２保護膜１８５には、維持電圧線１３１の突出部１３４及び第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ'を露出させる第３接触口１８６ｃが形成されている。

本実施形態においては、カラーフィルタ２３０にも接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃが形成されているが、実際にカラーフィルタ２３０はその材質に応じて接触口のエッチングが保護膜１８０、第２保護膜１８５に比べて困難になる場合がある。このため、カラーフィルタ２３０のエッチングに際して接触口１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃが形成される位置に予めカラーフィルタ２３０を除去しておいてもよい。

第２保護膜１８５の上には、第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌを有する画素電極１９２が形成されている。画素電極１９２は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成されてもよい。

第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌは列方向に隣り合い、全体的な形状は四角形であり、横幹部及びこれと交差する縦幹部からなる十字状の幹部を備える。なお、横幹部と縦幹部によって四つの副領域に画成され、各副領域は複数の微細枝部を備える。

第１副画素電極１９２ｈと第２副画素電極１９２ｌの微細枝部は、ゲート線１２１または横幹部と略４０°以上略４５°以下の角度をなす。また、隣り合う二つの副領域の微細枝部は、互いに直交してもよい。なお、微細枝部の幅は漸増してもよく、微細枝部同士の間隔が異なってもよい。

第１副画素電極１９２ｈ及び第２副画素電極１９２ｌは、接触口１８６ａ、１８６ｂを介してそれぞれ第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂと物理的・電気的に接続されており、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂからデータ電圧が印加される。

一方、接続部材１９４は、第３接触口１８６ｃを介して第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７５ｃ’と維持電圧線１３１の突出部１３４を電気的に接続される。その結果、第２ドレイン電極１７５ｂに印加されたデータ電圧のうちの一部は第３ソース電極１７３ｃを介して分圧されて、第２副画素電極１９２ｌに印加される電圧の大きさは第１副画素電極１９２ｈに印加される電圧の大きさよりも小さくてもよい。

ここで、第２副画素電極１９２ｌの面積は、第１副画素電極１９２ｈの面積に比べて１倍以上２倍以下であってもよい。

一方、第２保護膜１８５には、カラーフィルタ２３０から放出されるガスを溜める開口部が形成され、その上に画素電極１９２と同じ物質から当該開口部を覆う蓋体部が形成されていてもよい。開口部と蓋体部は、カラーフィルタ２３０から放出されるガスが他の素子に伝わることを遮断するための構造であり、必須的な構成要素ではない。

第２保護膜１８５の上であって画素電極１９２が形成されていない領域には、遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ゲート線１２１と、維持電圧線１３１及び薄膜トランジスタが形成されている領域（以下、「トランジスタ形成領域」と称する。）と、データ線１７１が形成されている領域を中心として形成され、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子状に形成されている。遮光部材２２０の開口部には、カラーフィルタ２３０及び画素電極１９２が形成されている。また、遮光部材２２０は、光が透過できない物質で形成されている。なお、遮光部材２２０は、液晶層３が注入されるマイクロキャビティ層の高さよりも大きな高さを有する。

また、遮光部材２２０は、サイドウォールが逆テーパ構造に形成されて逆テーパ状のサイドウォールを有し、逆テーパ状のサイドウォールの角度は実施形態によって様々である。逆テーパ状のサイドウォールによって、遮光部材２２０は上部面がさらに広い構造を有する。その結果、遮光部材２２０によって液晶分子３１０が誤整列する領域Ｄを遮光部材２２０の上部面で遮ることができる。

遮光部材２２０のサイドウォールは、マイクロキャビティ層３０５のサイドウォールに対応する。すなわち、液晶層３が位置するマイクロキャビティ層３０５のサイドウォールは、テーパ構造を有する。マイクロキャビティ層３０５は、犠牲層３００を形成し、これを除去して形成されるが、図４２の実施形態を製造するときには、犠牲層３００をまずテーパ状構造に形成し、次いで、遮光部材２２０が犠牲層３００のサイドウォール間の空間を埋めるように形成して、逆テーパ状のサイドウォールを有するように形成してもよい。

第２保護膜１８５及び画素電極１９２の上であってマイクロキャビティ層３０５に注入された液晶層３の上部には、共通電極２７０が位置する。共通電極２７０は、遮光部材２２０の高さを基準として水平な構造を有する。その結果、共通電極２７０が画素電極１９２と一定の距離だけ離れていて短絡される恐れがなく、共通電極２７０がマイクロキャビティ層３０５の側面に沿って折れ曲がっていないため電界が歪まない。共通電極２７０がマイクロキャビティ層の上においても水平を維持しうる理由は、後述するループ層３１２が支持しているためである。なお、共通電極２７０が液晶注入口３３５の部分には形成されていないため、ゲート線の方向（左右方向）に沿って延びた構造を有する。

共通電極２７０は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成され、画素電極１９２と共に電界を発生させて液晶分子３１０の配列方向を制御する役割を果たす。

図４２には示されていないが、実施形態によっては、共通電極２７０の上には下部絶縁層３１１が形成されていてもよい。下部絶縁層３１１は、マイクロキャビティ層３０５に液晶を注入可能にするために一方の側面に液晶注入口３３５を有していてもよい。下部絶縁層３１１は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含んでいてもよい。液晶注入口３３５は、マイクロキャビティ層３０５を形成するための犠牲層を除去するときにも使用可能である。

共通電極２７０または下部絶縁層３１１の上には、ループ層３１２が形成されている。ループ層３１２は、画素電極１９２と共通電極２７０との間の空間（マイクロキャビティ層）が形成できるように支持する役割を果たす。本実施形態によるループ層３１２は、共通電極２７０の上部に一定の厚さでマイクロキャビティ層３０５を支持する役割を果たし、マイクロキャビティ層３０５に液晶を注入可能にするために一方の側面に液晶注入口３３５を有していてもよい。

ループ層３１２の上には、上部絶縁層３１３が形成されている。上部絶縁層３１３は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質を含んでいてもよい。ループ層３１２と上部絶縁層３１３は、下部絶縁層３１１と共にパターニングされて液晶注入口３３５を形成する。
実施形態によっては、上部絶縁層３１３は省略されてもよい。

マイクロキャビティ層３０５に注入される液晶分子を並べるために、共通電極２７０の下部及び画素電極１９２の上部には配向膜（図示せず）が形成されていてもよい。配向膜は、ポリアミック酸、ポリシロキサンまたはポリイミドなどの液晶配向膜であり、汎用される物質のうちの少なくとも一つを含めて形成してもよい。

マイクロキャビティ層３０５の内部（正確には、配向膜の内部）には、液晶層３が形成されている。液晶分子３１０は、配向膜によって初期配列され、印加される電界によって配列方向が変わる。液晶層３の高さは、マイクロキャビティ層３０５の高さに対応し、マイクロキャビティ層３０５の高さは、遮光部材２２０の高さに相当する。本実施形態における液晶層３の厚さは、２．０μｍ以上３．６μｍ以下であってもよい。液晶層３の厚さを増大させたい場合には、遮光部材２２０も高く形成する必要がある。

マイクロキャビティ層３０５に形成される液晶層３は、毛管力を用いてマイクロキャビティ層３０５に注入してもよく、配向膜も毛管力によって形成してもよい。

絶縁基板１１０の下部及び上部絶縁層３１３の上部には、偏光板（図示せず）が位置している。偏光板は、偏光を生成する偏光素子と耐久性を確保するためのトリアセチルセルロース層を備えていてもよく、実施形態によっては、上部偏光板と下部偏光板は、透過軸の方向が垂直であってもよく、平行であってもよい。

図４２の実施形態においては、以上のように、マイクロキャビティ層３０５のサイドウォールがテーパ構造を有して液晶分子３１０が誤整列する部分がマイクロキャビティ層３０５のサイドウォールの近くに生じることがある。しかしながら、図４２の実施形態は、図１３の比較例とは異なり、遮光部材２２０の上部面が広くて液晶分子３１０が誤整列する領域を遮ってユーザにより視認されないようにする。なお、図４２の実施形態においては、共通電極２７０が水平構造を有して電界が歪まない。

以上、本発明の好適な実施形態について詳述したが、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、次の特許請求の範囲において定義している本発明の基本概念を用いた当業者の種々の変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属するものである。

１１０:絶縁基板
１２１:ゲート線
１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ:ゲート電極
１３１:維持電圧線
１３５ａ、１３５ｂ:維持電極
１４０:ゲート絶縁膜
１５１、１５４、１５５:半導体
１７１:データ線
１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ:ソース電極
１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ:ドレイン電極
１８０、１８５:保護膜
１８６ａ、１８６ｂ、１８６ｃ:接触口
２２０:遮光部材
２３０:カラーフィルタ
１９２:画素電極
２７０:共通電極
２７１:共通電極接続部
３:液晶層
３００:犠牲層
３０１:開口部
３０２:接続部
３０５:マイクロキャビティ層
３１０:液晶分子
３１１:下部絶縁層
３１２:ループ層
３１２’:ループ層開口部
３１３:上部絶縁層
３３５:液晶注入口

Claims (34)

1. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板の上に配置され、逆テーパ状のサイドウォールを有するマイクロキャビティ層と、
   前記マイクロキャビティ層内に配置された画素電極と、
   前記マイクロキャビティ層内に配置された液晶層と、
   前記液晶層を覆う共通電極と、
   を備える液晶表示装置。
2. 前記マイクロキャビティ層の逆テーパ状の前記サイドウォールに対応してテーパ状のサイドウォールを有する遮光部材をさらに備える請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記遮光部材の高さは、前記マイクロキャビティ層の高さに相当する請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記共通電極は、水平な構造を有する請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記遮光部材と前記共通電極との間に配置された第２保護膜をさらに備え、
   前記遮光部材の上に配置された前記第２保護膜の高さと、前記マイクロキャビティ層の高さと、が等しい請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記共通電極は、前記遮光部材の上に位置する前記第２保護膜の高さを基準として水平である請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記共通電極は、前記遮光部材の近くで折れ曲がった構造を有する請求項３に記載の液晶表示装置。
8. 前記共通電極は、前記遮光部材の近くで上側に折れ曲がった構造を有する請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記共通電極を覆うループ層をさらに備える請求項１に記載の液晶表示装置。
10. 前記ループ層は、液晶注入口を備える請求項９に記載の液晶表示装置。
11. 前記液晶注入口は、薄膜トランジスタ形成領域に位置している請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. 前記共通電極は、前記液晶注入口の部分には配置されていない請求項１１に記載の液晶表示装置。
13. 前記共通電極は、一方向に延びた構造を有し、前記一方向に垂直な方向に前記共通電極を接続する共通電極接続部を備える請求項１２に記載の液晶表示装置。
14. 前記共通電極接続部は、前記遮光部材の上部に配設され、遮光部材によって支持されている請求項１３に記載の液晶表示装置。
15. 前記共通電極接続部は、前記ループ層によって支持されている請求項１３に記載の液晶表示装置。
16. 前記画素電極は、幹部と、前記幹部から延出された複数の微細枝部と、を備える請求項１に記載の液晶表示装置。
17. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板の上に配置されたマイクロキャビティ層と、
    前記マイクロキャビティ層内に配置された画素電極と、
    前記マイクロキャビティ層内に配置された液晶層と、
    前記マイクロキャビティ層の隣に位置している遮光部材と、
    前記液晶層及び前記遮光部材を覆う共通電極と、
    を備え、
    前記遮光部材は、前記マイクロキャビティ層の高さよりも高いかあるいは等しい液晶表示装置。
18. 前記マイクロキャビティ層は、逆テーパ状のサイドウォールを有する請求項１７に記載の液晶表示装置。
19. 前記遮光部材は、前記マイクロキャビティ層の逆テーパ状の前記サイドウォールに対応してテーパ状のサイドウォールを有する請求項１８に記載の液晶表示装置。
20. 前記マイクロキャビティ層は、テーパ状のサイドウォールを有する請求項１７に記載の液晶表示装置。
21. 前記遮光部材は、前記マイクロキャビティ層のテーパ状の前記サイドウォールに対応して逆テーパ状のサイドウォールを有する請求項２０に記載の液晶表示装置。
22. 前記遮光部材の高さは、前記マイクロキャビティ層の高さに相当する請求項１７に記載の液晶表示装置。
23. 前記共通電極は、水平な構造を有する請求項２２に記載の液晶表示装置。
24. 前記遮光部材と前記共通電極との間に配置された第２保護膜をさらに備え、前記遮光部材の上に配置された前記第２保護膜の高さと、前記マイクロキャビティ層の高さとが等しい請求項２３に記載の液晶表示装置。
25. 前記共通電極は、前記遮光部材の上に位置する前記第２保護膜の高さを基準として水平である請求項２４に記載の液晶表示装置。
26. 前記共通電極は、前記遮光部材の近くで折れ曲がった構造を有する請求項２２に記載の液晶表示装置。
27. 前記共通電極は、前記遮光部材の近くで上側に折れ曲がった構造を有する請求項２６に記載の液晶表示装置。
28. 前記共通電極を覆うループ層をさらに備える請求項１７に記載の液晶表示装置。
29. 前記ループ層は、液晶注入口を備える請求項２８に記載の液晶表示装置。
30. 前記液晶注入口は、薄膜トランジスタ形成領域に位置している請求項２９に記載の液晶表示装置。
31. 前記共通電極は、前記液晶注入口の部分には配置されていない請求項３０に記載の液晶表示装置。
32. 前記共通電極は、一方向に延びた構造を有し、
    前記一方向に垂直な方向に前記共通電極を接続する共通電極接続部を備える請求項３１に記載の液晶表示装置。
33. 前記共通電極接続部は、前記遮光部材の上部に配置され、遮光部材によって支持されている請求項３２に記載の液晶表示装置。
34. 前記共通電極接続部は、前記ループ層によって支持されている請求項３１に記載の液晶表示装置。