JP2014033119A - Semiconductor device - Google Patents

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Seiichiro Inokuchi
誠一郎 猪ノ口
Shinji Hatae
慎治 波多江
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having a structure that may be assembled in a simple process and a small number of components.SOLUTION: A semiconductor device according to this invention includes: a semiconductor module 1 that is resin sealed; a case 4 which forms a shell of the semiconductor module 1; an elastic member 5 held between an inner surface of a case 4 upper surface and an upper surface of the semiconductor module 1; and a heat sink 7 which is fixed closing an opening of a case 4 lower surface. A lower surface of the semiconductor module 1 is pressed to the heat sink 7 through heat conductive grease 6 by a biasing force of the elastic member 5.

Description

本発明は、電力用途の半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device for power use.

電力変換用として使用される半導体装置は、信頼性を向上させるために、半導体装置に含まれる半導体素子および半導体素子と端子の接合部を樹脂で封止する封止樹脂封止化が進んでいる。また、電力変換用として使用される半導体装置は、動作時に発熱を伴うので、ヒートシンクに取り付けて使用されるのが一般的である。また、外部の埃などから保護するために、半導体モジュールはケースに収納される。   In order to improve the reliability of semiconductor devices used for power conversion, sealing resin sealing is progressing in which a semiconductor element included in the semiconductor device and a junction between the semiconductor element and a terminal are sealed with resin. . In addition, since a semiconductor device used for power conversion generates heat during operation, it is generally attached to a heat sink. Further, the semiconductor module is housed in a case in order to protect it from external dust and the like.

例えば、特許文献1に記載の半導体装置では、半導体装置の下部に配置したヒートシンクに加えて、半導体モジュールの上部にも熱伝導性の部材を配置することで、冷却性を高めている。   For example, in the semiconductor device described in Patent Document 1, in addition to the heat sink disposed at the lower part of the semiconductor device, the cooling performance is improved by arranging a thermally conductive member at the upper part of the semiconductor module.

従来は、半導体モジュールをヒートシンクに取り付ける際、まず、半導体モジュールをヒートシンクにネジ止めなどによって取り付け、その後に半導体モジュールの端子と、バスバーの組み込まれたケースとをハンダ接合により固定していた。   Conventionally, when a semiconductor module is attached to a heat sink, the semiconductor module is first attached to the heat sink by screws or the like, and then the terminals of the semiconductor module and the case in which the bus bar is incorporated are fixed by soldering.

特開2001−267481号公報JP 2001-264781 A

従来の半導体装置は、上述のように、ヒートシンクに半導体モジュールを取り付けてから、半導体モジュールとケースを固定していたため、組み立て工程数が多くなり、組み立て性が悪い問題があった。また、固定箇所が多くなり、構成部品数が増大する問題があった。   As described above, since the semiconductor module and the case are fixed after the semiconductor module is attached to the heat sink as described above, the conventional semiconductor device has a problem in that the number of assembly steps increases and the assemblability is poor. Further, there are problems that the number of fixing points increases and the number of components increases.

本発明は以上の問題を解決するためになされたものであり、簡素な工程で組み立て可能な構造で、かつ構成部品数の少ない半導体装置の提供を目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a semiconductor device having a structure that can be assembled by a simple process and having a small number of components.

本発明に係る半導体装置は、樹脂封止された半導体モジュールと、当該半導体モジュールの外郭をなすケースと、ケース上面の内面と前記半導体モジュール上面との間に挟持された弾性部材と、ケース下面の開口を塞いで固定されたヒートシンクとを備え、前記半導体モジュールの下面は、弾性部材の付勢力により、ヒートシンクに熱伝導グリスを介して押圧されることを特徴とする。   A semiconductor device according to the present invention includes a resin-sealed semiconductor module, a case that forms an outline of the semiconductor module, an elastic member sandwiched between an inner surface of the upper surface of the case and the upper surface of the semiconductor module, And a heat sink fixed by closing the opening, wherein the lower surface of the semiconductor module is pressed against the heat sink via heat conductive grease by an urging force of an elastic member.

本発明に係る半導体装置は、ケースにヒートシンクを固定すると、ケースとヒートシンクの間に挟持された弾性部材および半導体モジュールも同時に固定される構造である。よって、ケース、弾性部材、半導体モジュールおよびヒートシンクを一括して固定することが可能なため、従来よりも組立工程を簡素化することが可能である。従来よりも組立工程数を減らすことが可能なため、製品の歩留まりが向上する。   The semiconductor device according to the present invention has a structure in which when the heat sink is fixed to the case, the elastic member and the semiconductor module sandwiched between the case and the heat sink are also fixed simultaneously. Therefore, since the case, the elastic member, the semiconductor module, and the heat sink can be fixed together, the assembly process can be simplified as compared with the conventional case. Since the number of assembly steps can be reduced as compared with the conventional case, the yield of products is improved.

また、固定に必要な部品数を削減することができるため、半導体装置の軽量化が可能である。また、部品数の削減により、部品の劣化等による耐久性の低下が従来よりも起こりにくいため、長寿命化が期待できる。   In addition, since the number of components necessary for fixing can be reduced, the weight of the semiconductor device can be reduced. In addition, the reduction in the number of components makes it difficult for the durability to deteriorate due to deterioration of the components and the like.

また、本発明は、ケースと半導体モジュールの固定にハンダ等を必要としないため、製造における環境負荷を低減することが可能である。   In addition, since the present invention does not require solder or the like for fixing the case and the semiconductor module, it is possible to reduce the environmental load in manufacturing.

実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す図である。1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor device according to a first embodiment. 実施の形態2に係る半導体装置の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a semiconductor device according to a second embodiment. 実施の形態3に係る半導体装置の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a third embodiment. 実施の形態4に係る半導体装置の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a fourth embodiment. 実施の形態5に係る半導体装置の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a fifth embodiment. 実施の形態7に係る半導体装置の断面図である。FIG. 10 is a sectional view of a semiconductor device according to a seventh embodiment. 実施の形態8に係る半導体装置の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to an eighth embodiment. 実施の形態9に係る半導体装置の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a ninth embodiment. 実施の形態10に係る半導体装置の断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a tenth embodiment. 実施の形態11に係る半導体装置の断面図である。FIG. 38 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to an eleventh embodiment. 実施の形態12に係る半導体装置の断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a twelfth embodiment. 実施の形態13に係る半導体装置の断面図である。24 is a sectional view of a semiconductor device according to a thirteenth embodiment. FIG. 実施の形態1に係る半導体装置の別の例である。4 is another example of the semiconductor device according to the first embodiment.

<実施の形態1>
<構成>
図1(a),(b)に、本実施の形態に係る半導体装置の断面図と平面図をそれぞれ示す。樹脂封止された半導体モジュール1は、半導体モジュール1の外郭をなすケース4に収納されている。ケース4上面の内面と半導体モジュール1上面との間には、弾性部材5として板バネが挟持されている。
<Embodiment 1>
<Configuration>
1A and 1B are a cross-sectional view and a plan view of a semiconductor device according to the present embodiment, respectively. The resin-sealed semiconductor module 1 is accommodated in a case 4 that forms the outline of the semiconductor module 1. A leaf spring is sandwiched as an elastic member 5 between the inner surface of the upper surface of the case 4 and the upper surface of the semiconductor module 1.

ケース4下面には開口が形成されており、この開口を塞ぐように、ケース4にヒートシンク7が固定されている。また、半導体モジュール1下面は、弾性部材5即ち板バネの付勢力により、熱伝導グリス6を介してヒートシンク7に押圧されている。   An opening is formed in the lower surface of the case 4, and a heat sink 7 is fixed to the case 4 so as to close the opening. Further, the lower surface of the semiconductor module 1 is pressed against the heat sink 7 via the heat conductive grease 6 by the urging force of the elastic member 5, that is, the leaf spring.

なお、ヒートシンク7はケース4に、ヒートシンク7側からネジ8によって固定されている。   The heat sink 7 is fixed to the case 4 with screws 8 from the heat sink 7 side.

半導体モジュール1は、例えば、並列接続されたIGBTと還流ダイオードが所定の基板上に配置されて構成される。また、大電力用途において、これらの半導体素子に高温環境で高速動作が求められる場合には、これらの材質はGaNまたはSiCであることが好ましい。また、半導体モジュール1は信頼性向上のために樹脂封止されている。   The semiconductor module 1 is configured, for example, by arranging IGBTs and free-wheeling diodes connected in parallel on a predetermined substrate. In high power applications, when these semiconductor elements are required to operate at high speed in a high temperature environment, these materials are preferably GaN or SiC. The semiconductor module 1 is resin-sealed to improve reliability.

また、半導体モジュール1は、上述の半導体素子と接続された主端子2および制御端子3を備え、これらの端子は、ケース4を貫通してケース4上面に突出している。   The semiconductor module 1 includes a main terminal 2 and a control terminal 3 connected to the above-described semiconductor element, and these terminals penetrate the case 4 and protrude from the upper surface of the case 4.

また、ヒートシンク7下面には、放熱効率を高めるために複数のフィン、例えばピンフィン7aが形成されていてもよい(図13)。   In addition, a plurality of fins, for example, pin fins 7a, may be formed on the lower surface of the heat sink 7 in order to increase the heat dissipation efficiency (FIG. 13).

本実施の形態における半導体装置の組み立て方法を、図1(c)を用いて説明する。組み立ては、ケース4上面を下にした状態で行われる。まず、ケース4上面の内面に、弾性部材5としての板バネが配置される。次に、板バネを介して半導体モジュール1が配置される。半導体モジュール1の下面には、熱伝導グリス6が塗布されている。   A method for assembling the semiconductor device in this embodiment will be described with reference to FIG. The assembly is performed with the upper surface of the case 4 facing down. First, a leaf spring as the elastic member 5 is disposed on the inner surface of the upper surface of the case 4. Next, the semiconductor module 1 is disposed via a leaf spring. Thermal conductive grease 6 is applied to the lower surface of the semiconductor module 1.

このとき、図1(c)に示すように、半導体モジュール1の主端子2および制御端子3とケース4の間には、上下方向に遊びスペースが設けられており、この遊びスペースによって、半導体モジュール1は、ケース4に対して上下方向に動くことができる。   At this time, as shown in FIG. 1 (c), a play space is provided in the vertical direction between the main terminal 2 and the control terminal 3 of the semiconductor module 1 and the case 4, and the play space provides a semiconductor module. 1 can move up and down with respect to the case 4.

次に、ケース4にヒートシンク7が、ヒートシンク7側からネジ8によりネジ止めされる。ケース4にヒートシンク7を固定することにより、ケース4とヒートシンク7の間に配置された弾性部材5即ち板バネおよび半導体モジュール1も同時に固定される。   Next, the heat sink 7 is fixed to the case 4 with screws 8 from the heat sink 7 side. By fixing the heat sink 7 to the case 4, the elastic member 5, that is, the leaf spring and the semiconductor module 1 disposed between the case 4 and the heat sink 7 are also fixed at the same time.

ケース4にヒートシンク7が固定される際に、半導体モジュール1はヒートシンク7に押されて、前述した上下方向の遊びスペースによって、弾性部材5をたわませる。つまり、弾性部材5はケース4上面の内面と半導体モジュール1上面に挟まれる。   When the heat sink 7 is fixed to the case 4, the semiconductor module 1 is pushed by the heat sink 7, and the elastic member 5 is bent by the above-described play space in the vertical direction. That is, the elastic member 5 is sandwiched between the inner surface of the upper surface of the case 4 and the upper surface of the semiconductor module 1.

半導体モジュール1は、弾性部材5のたわみ量に応じて付勢力を受ける。この付勢力によって、半導体モジュール1は、熱伝導グリス6を介してヒートシンク7に押圧される。半導体モジュール1が熱伝導グリス6を介してヒートシンク7に密着することで、半導体モジュール1の発熱をヒートシンク7に効率的に伝えることができる。   The semiconductor module 1 receives a biasing force according to the amount of deflection of the elastic member 5. With this urging force, the semiconductor module 1 is pressed against the heat sink 7 via the heat conduction grease 6. When the semiconductor module 1 is in close contact with the heat sink 7 via the heat conductive grease 6, the heat generated by the semiconductor module 1 can be efficiently transmitted to the heat sink 7.

また、本実施の形態においては、ケース4の開口から上面の内面までの深さ(以下、開口の深さという)に応じて、弾性部材5、即ち板バネのたわみ量を調整することが可能である。よって、ケース4の開口の深さに応じて、弾性部材5のたわみ量が決まるため、個々の製品ごとの弾性部材5の付勢力のばらつきを抑えることが可能である。   In the present embodiment, the amount of deflection of the elastic member 5, that is, the leaf spring, can be adjusted according to the depth from the opening of the case 4 to the inner surface of the upper surface (hereinafter referred to as the depth of the opening). It is. Therefore, since the amount of deflection of the elastic member 5 is determined according to the depth of the opening of the case 4, it is possible to suppress variation in the urging force of the elastic member 5 for each product.

<効果>
本実施の形態に係る半導体装置は、樹脂封止された半導体モジュール1と、半導体モジュール1の外郭をなすケース4と、ケース4上面の内面と半導体モジュール1上面との間に挟持された弾性部材5、即ち板バネと、ケース4下面の開口を塞いで固定されたヒートシンク7とを備え、半導体モジュール1の下面は、弾性部材5即ち板バネの付勢力により、ヒートシンク7に熱伝導グリス6を介して押圧されることを特徴とする。
<Effect>
The semiconductor device according to the present embodiment includes a resin-sealed semiconductor module 1, a case 4 that outlines the semiconductor module 1, and an elastic member that is sandwiched between the inner surface of the upper surface of the case 4 and the upper surface of the semiconductor module 1. 5, that is, a leaf spring and a heat sink 7 fixed by closing the opening on the lower surface of the case 4. It is characterized by being pressed through.

従って、本実施の形態における半導体装置は、ケース4にヒートシンク7を固定すると、ケース4とヒートシンク7の間に挟持された弾性部材5および半導体モジュール1も同時に固定される構造である。よって、ケース4、弾性部材5、半導体モジュール1およびヒートシンク7を一括して固定することが可能なため、従来よりも組立工程を簡素化することが可能である。従来よりも組立工程数を減らすことが可能なため、製品の歩留まりが向上する。   Therefore, the semiconductor device in the present embodiment has a structure in which when the heat sink 7 is fixed to the case 4, the elastic member 5 and the semiconductor module 1 sandwiched between the case 4 and the heat sink 7 are also fixed simultaneously. Therefore, since the case 4, the elastic member 5, the semiconductor module 1, and the heat sink 7 can be fixed together, the assembly process can be simplified as compared with the conventional case. Since the number of assembly steps can be reduced as compared with the conventional case, the yield of products is improved.

また、固定に必要な部品数を削減することができるため、半導体装置の軽量化が可能である。また、部品数の削減により、部品の劣化等による耐久性の低下が従来よりも起こりにくいため、長寿命化が期待できる。   In addition, since the number of components necessary for fixing can be reduced, the weight of the semiconductor device can be reduced. In addition, the reduction in the number of components makes it difficult for the durability to deteriorate due to deterioration of the components and the like.

また、弾性部材5のたわみ量は、ケース4の開口の深さによって決まるため、個々の製品ごとの弾性部材5の半導体モジュール1に対する付勢力のばらつきを抑えて、品質を向上させることが可能である。また、従来は、ハンダ接合によりケース4と半導体モジュール1を固定していたが、本実施の形態では、ケース4と半導体モジュール1の固定に、ハンダ等を必要としないため、製造における環境負荷を低減することが可能である。   In addition, since the amount of deflection of the elastic member 5 is determined by the depth of the opening of the case 4, it is possible to improve quality by suppressing variations in the urging force of the elastic member 5 on the semiconductor module 1 for each product. is there. Conventionally, the case 4 and the semiconductor module 1 are fixed by solder bonding. However, in the present embodiment, no solder or the like is required for fixing the case 4 and the semiconductor module 1, so that the environmental load in manufacturing is reduced. It is possible to reduce.

また、本実施の形態に係る半導体装置は、ヒートシンク7側からケース4がネジ止めされることにより、ケース4がヒートシンク7に固定されることを特徴とする。従って、ネジ止めにより、ヒートシンク7をケース4に固定することが可能である。   The semiconductor device according to the present embodiment is characterized in that the case 4 is fixed to the heat sink 7 by screwing the case 4 from the heat sink 7 side. Therefore, it is possible to fix the heat sink 7 to the case 4 by screwing.

また、本実施の形態に係る半導体装置において、弾性部材5は、板バネであることを特徴とする。従って、半導体モジュール1をヒートシンク7に均一な圧力で押し付けることが可能である。   In the semiconductor device according to the present embodiment, the elastic member 5 is a leaf spring. Therefore, the semiconductor module 1 can be pressed against the heat sink 7 with uniform pressure.

また、本実施の形態に係る半導体装置において、ヒートシンク7には、フィン、例えばピンフィン7aが形成されていることを特徴とする。従って、放熱効率を高めることが可能である。   In the semiconductor device according to the present embodiment, the heat sink 7 is formed with fins, for example, pin fins 7a. Therefore, it is possible to increase the heat dissipation efficiency.

また、本実施の形態に係る半導体装置において、半導体モジュール1は、Si、GaNまたはSiCからなる半導体素子を含むことを特徴とする。前述の様に部品数の削減により長寿命化が期待できるため、GaNまたはSiCからなる半導体素子を用いて高温環境における動作を行う場合であっても、従来よりも耐久性の向上が期待できる。また、Siからなる半導体素子を用いた場合であっても、従来と比較して長寿命化および組立工程数の削減が期待できる。   In the semiconductor device according to the present embodiment, the semiconductor module 1 includes a semiconductor element made of Si, GaN, or SiC. As described above, since a long life can be expected by reducing the number of parts, even when a semiconductor element made of GaN or SiC is used to operate in a high temperature environment, an improvement in durability can be expected compared to the conventional case. Even when a semiconductor element made of Si is used, it is possible to expect a longer life and a reduction in the number of assembly steps compared to the conventional case.

<実施の形態2>
図2(a)に、本実施の形態に係る半導体装置の断面図を示す。本実施の形態において、ケース4底面には、弾性を有する係止ツメ4aが形成されている。この係止ツメ4aによってヒートシンク7が係止されることにより、ケース4にヒートシンク7が固定される。その他の構成は実施の形態1(図1(a))と同じであるため、説明を省略する。
<Embodiment 2>
FIG. 2A shows a cross-sectional view of the semiconductor device according to the present embodiment. In the present embodiment, a locking claw 4 a having elasticity is formed on the bottom surface of the case 4. The heat sink 7 is fixed to the case 4 by the heat sink 7 being locked by the locking claw 4a. Since other configurations are the same as those of the first embodiment (FIG. 1A), the description thereof is omitted.

図2(b)と図2(c)を用いて、本実施の形態における半導体装置の組み立て方法を説明する。まず、実施の形態1と同様に、ケース4上面を下にした状態で、ケース4に板バネ5、半導体モジュールが順に配置される。なお、半導体モジュール1下面には熱伝導グリス6が塗布されている。   A method for assembling the semiconductor device in this embodiment will be described with reference to FIGS. 2B and 2C. First, as in the first embodiment, the leaf spring 5 and the semiconductor module are sequentially arranged in the case 4 with the upper surface of the case 4 facing down. A heat conductive grease 6 is applied to the lower surface of the semiconductor module 1.

次に、図2(b)に示すように、ケース4底面の開口にヒートシンク7を押し付けることにより、ヒートシンク7が係止ツメ4aを押し広げて、ヒートシンク7が係止ツメ4aに係止される。   Next, as shown in FIG. 2B, by pressing the heat sink 7 against the opening on the bottom surface of the case 4, the heat sink 7 spreads the locking claw 4a, and the heat sink 7 is locked to the locking claw 4a. .

また、別の取り付け方法を、図2(c)を用いて説明する。図2(c)はケース4とヒートシンク7の底面図である。図に示すように、ヒートシンク7を、ケース4と係止ツメ4aの間に沿ってスライドさせながら取り付ける。   Another attachment method will be described with reference to FIG. FIG. 2C is a bottom view of the case 4 and the heat sink 7. As shown in the drawing, the heat sink 7 is attached while being slid between the case 4 and the locking claw 4a.

<効果>
本実施の形態に係る半導体装置において、ケース4の底面には、弾性を有する係止ツメ4aが形成され、ヒートシンク7は、係止ツメ4aに係止されてケース4に固定されることを特徴とする。
<Effect>
In the semiconductor device according to the present embodiment, an elastic locking claw 4 a is formed on the bottom surface of the case 4, and the heat sink 7 is locked to the locking claw 4 a and fixed to the case 4. And

従って、ネジ止めによってケース4とヒートシンク7を固定した実施の形態1と同様の効果を得ることが可能である。さらに、ネジを用いないことによって、部品数をより削減できるため、より軽量化が可能である。また、ネジ止め作業が必要なくなるため、製造工程がより簡素化される。   Therefore, it is possible to obtain the same effect as that of the first embodiment in which the case 4 and the heat sink 7 are fixed by screwing. Furthermore, since the number of parts can be further reduced by not using screws, the weight can be further reduced. Further, since the screwing work is not necessary, the manufacturing process is further simplified.

<実施の形態3>
図3に、本実施の形態に係る半導体装置の断面図を示す。本実施の形態において、ケース4下面の内面と半導体モジュール1上面の間に挟持される弾性部材5は、ウレタンゴム、シリコン樹脂、クロロプレンゴムのいずれかである。その他の構成は実施の形態1(図1(a))と同じであるため、説明を省略する。
<Embodiment 3>
FIG. 3 is a cross-sectional view of the semiconductor device according to the present embodiment. In the present embodiment, the elastic member 5 sandwiched between the inner surface of the lower surface of the case 4 and the upper surface of the semiconductor module 1 is any one of urethane rubber, silicon resin, and chloroprene rubber. Since other configurations are the same as those of the first embodiment (FIG. 1A), the description thereof is omitted.

<効果>
本実施の形態に係る半導体装置において、弾性部材5は、ウレタンゴム、シリコン樹脂、クロロプレンゴムのいずれかからなることを特徴とする。従って、ウレタンゴム、シリコン樹脂、クロロプレンゴムのいずれを用いても、実施の形態1で用いた板バネと同様に弾性を得ることができるため、実施の形態1で述べた効果と同様の効果を得ることが可能である。
<Effect>
In the semiconductor device according to the present embodiment, the elastic member 5 is made of any one of urethane rubber, silicon resin, and chloroprene rubber. Therefore, even if any of urethane rubber, silicone resin, and chloroprene rubber is used, elasticity can be obtained in the same manner as the leaf spring used in the first embodiment, so that the same effects as those described in the first embodiment can be obtained. It is possible to obtain.

<実施の形態4>
図4(a)に、本実施の形態における半導体装置の断面図を示す。実施の形態1では、弾性部材5として板バネを用いたが、本実施の形態では、弾性部材5としてコイル状のバネ11aを用いる。図4(a)に示すように、コイル状のバネ11aを複数配置することで、半導体モジュール1に均一な圧力をかけることができる。なお、半導体モジュール1に均一な圧力をかけることが可能であれば、配置されるコイル状のバネ11aは1つでも良い。その他の構成は実施の形態1(図1(a))と同じであるため、説明を省略する。
<Embodiment 4>
FIG. 4A shows a cross-sectional view of the semiconductor device in this embodiment. In the first embodiment, a leaf spring is used as the elastic member 5, but in this embodiment, a coiled spring 11 a is used as the elastic member 5. As shown to Fig.4 (a), a uniform pressure can be applied to the semiconductor module 1 by arrange | positioning multiple coiled springs 11a. In addition, if the uniform pressure can be applied to the semiconductor module 1, the number of the coiled springs 11a arranged may be one. Since other configurations are the same as those of the first embodiment (FIG. 1A), the description thereof is omitted.

また、本実施の形態の別の実施例として、図4(b)に示す様に、コイル状のバネ11aの代わりに、皿バネ11bを用いてもよい。なお、図4(b)では、皿バネ11bを2枚重ねて弾性部材としているが、皿バネ11bの個数および配置はこれに限定されない。   As another example of the present embodiment, as shown in FIG. 4B, a disc spring 11b may be used instead of the coiled spring 11a. In FIG. 4B, the two disc springs 11b are overlapped to form an elastic member, but the number and arrangement of the disc springs 11b are not limited to this.

<効果>
本実施の形態に係る半導体装置において、弾性部材5は、コイル状のバネ11aまたは皿バネ11bであることを特徴とする。従って、コイル状のバネ11aまたは皿バネ11bを用いても、板バネと同様に弾性を得られるため、実施の形態1で述べた効果と同様の効果を得ることが可能である。
<Effect>
In the semiconductor device according to the present embodiment, the elastic member 5 is a coiled spring 11a or a disc spring 11b. Therefore, even if the coiled spring 11a or the disc spring 11b is used, elasticity similar to that of the leaf spring can be obtained, so that the same effect as that described in the first embodiment can be obtained.

<実施の形態5>
図5に、本実施の形態における半導体装置の断面図を示す。本実施の形態では、半導体モジュール1の上面の、弾性部材5即ち板バネの両側部分に突起1aが形成される。その他の構成は実施の形態1(図1(a))と同じであるため、説明を省略する。
<Embodiment 5>
FIG. 5 is a cross-sectional view of the semiconductor device in this embodiment. In the present embodiment, protrusions 1 a are formed on both sides of the elastic member 5, that is, the leaf spring, on the upper surface of the semiconductor module 1. Since other configurations are the same as those of the first embodiment (FIG. 1A), the description thereof is omitted.

図5のように半導体モジュール1上面に突起1aを形成することで、組み立ての際に、弾性部材5の位置がずれることを防止することができる。また、ケース4上面の内面に同様の突起を形成しても同じ効果を得ることができる。また、半導体モジュール1の上面とケース4上面の内面の両方に上述の突起1aを形成すれば、より確実に弾性部材5の位置がずれることを防止することが可能である。   By forming the protrusions 1a on the upper surface of the semiconductor module 1 as shown in FIG. 5, the position of the elastic member 5 can be prevented from shifting during assembly. Further, the same effect can be obtained by forming similar protrusions on the inner surface of the upper surface of the case 4. Further, if the above-described protrusions 1a are formed on both the upper surface of the semiconductor module 1 and the inner surface of the upper surface of the case 4, it is possible to prevent the position of the elastic member 5 from shifting more reliably.

また、図4(a)の様に、弾性部材5がコイル状のバネ11aである場合には、例えば、ケース4上面の内面のコイル状のバネが接する部分に窪みを形成することで、コイル状のバネ11aの端部が窪みに嵌合して、コイル状のバネ11aの位置がずれることを防止することが可能である。   When the elastic member 5 is a coiled spring 11a as shown in FIG. 4A, for example, a recess is formed in a portion of the inner surface of the case 4 where the coiled spring is in contact, thereby It is possible to prevent the end of the coiled spring 11a from fitting into the recess and shifting the position of the coiled spring 11a.

<効果>
本実施の形態に係る半導体装置は、ケース4および/または半導体モジュール1の弾性部材5が当接する面に、弾性部材5の形状に応じた凹凸が形成されることを特徴とする。
<Effect>
The semiconductor device according to the present embodiment is characterized in that irregularities corresponding to the shape of the elastic member 5 are formed on the surface of the case 4 and / or the semiconductor module 1 on which the elastic member 5 abuts.

従って、弾性部材5の形状に応じて、ケース4および/または半導体モジュール1の弾性部材5が当接する面に凹凸を形成することで、弾性部材の位置がずれることを防止することが可能である。よって、より精度の高い組み立てが可能となる。   Therefore, it is possible to prevent the position of the elastic member from shifting by forming irregularities on the surface of the case 4 and / or the semiconductor module 1 where the elastic member 5 abuts according to the shape of the elastic member 5. . Therefore, assembly with higher accuracy is possible.

<実施の形態6>
本実施の形態において、実施の形態1(図1(a))における熱伝導グリス6に代えて、ハンダまたは熱伝導性の接着剤を用いる。その他の構成は実施の形態1と同じであるため、説明を省略する。
<Embodiment 6>
In the present embodiment, solder or a heat conductive adhesive is used in place of the heat conductive grease 6 in the first embodiment (FIG. 1A). Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

<効果>
本実施の形態に係る半導体装置において、実施の形態1における熱伝導グリス6に代えて、ハンダまたは熱伝導性の接着剤を用いることを特徴とする。従って、ハンダまたは熱伝導性の接着剤を用いても、熱伝導グリス6と同様に、半導体モジュール1とヒートシンク7の隙間を埋めて熱伝導を効率よく行うことが可能であるため、実施の形態1と同様の効果を得ることが可能である。
<Effect>
The semiconductor device according to the present embodiment is characterized in that solder or a heat conductive adhesive is used instead of the heat conductive grease 6 in the first embodiment. Therefore, even when solder or a heat conductive adhesive is used, the heat conduction can be efficiently performed by filling the gap between the semiconductor module 1 and the heat sink 7 as in the case of the heat conductive grease 6. 1 can be obtained.

<実施の形態7>
図6(a)に、本実施の形態における半導体装置の断面図を示す。本実施の形態において、半導体モジュール1の主端子2の外方端側は、ケース4の側面に沿って露出しており、露出部分には貫通穴2aが形成されている。
<Embodiment 7>
FIG. 6A shows a cross-sectional view of the semiconductor device in this embodiment. In the present embodiment, the outer end side of the main terminal 2 of the semiconductor module 1 is exposed along the side surface of the case 4, and a through hole 2 a is formed in the exposed portion.

また、貫通穴2aに隣接して、ケース4側に6角ナット9が配置されている。ナット9の内面にはめねじが形成されている。なお、6角ナット9を配置せずに、貫通穴2aにめねじを形成してもよい。その他の構成は実施の形態1(図1(a))と同じであるため、説明を省略する。   Further, a hexagon nut 9 is arranged on the case 4 side adjacent to the through hole 2a. A female thread is formed on the inner surface of the nut 9. In addition, you may form a female screw in the through-hole 2a, without arrange | positioning the hexagon nut 9. FIG. Since other configurations are the same as those of the first embodiment (FIG. 1A), the description thereof is omitted.

上述の様に、半導体モジュール1の主端子2に貫通穴2aを形成して、貫通穴2a自体または貫通穴2aに連通してめねじを形成することで、主端子2と外部装置の端子を接続する際に、外部装置の端子を介して貫通穴2aにボルトを挿入してめねじで止めることで、主端子2と外部装置の端子の接続を容易に行うことが可能となる。   As described above, a through hole 2a is formed in the main terminal 2 of the semiconductor module 1, and a female screw is formed in communication with the through hole 2a itself or the through hole 2a, thereby connecting the main terminal 2 and the terminal of the external device. When connecting, the main terminal 2 and the terminal of the external device can be easily connected by inserting a bolt into the through hole 2a via the terminal of the external device and fastening with a female screw.

なお、図6(b)に示すように、主端子2の外方端側をケース4上面に沿って露出させて配置し、図6(a)と同様に、露出部分に貫通穴2aを形成し、貫通穴2aに隣接するように6角ナット9を配置しても図6(a)と同様の効果を得ることが可能である。   As shown in FIG. 6B, the outer end side of the main terminal 2 is disposed so as to be exposed along the upper surface of the case 4, and the through hole 2a is formed in the exposed portion as in FIG. 6A. Even if the hexagonal nut 9 is disposed adjacent to the through hole 2a, the same effect as in FIG. 6A can be obtained.

<効果>
本実施の形態に係る半導体装置において、半導体モジュール1の所定の端子、即ち主端子2は、その外方端側がケース4の上面または側面に沿って露出しており、主端子2の露出部分には、貫通穴2aが形成され、貫通穴2a自体または貫通穴2aに連通してめねじが形成されることを特徴とする。
<Effect>
In the semiconductor device according to the present embodiment, the predetermined terminal of the semiconductor module 1, that is, the main terminal 2, the outer end side thereof is exposed along the upper surface or the side surface of the case 4, and the exposed portion of the main terminal 2 is exposed. Is characterized in that a through hole 2a is formed and a female screw is formed in communication with the through hole 2a itself or the through hole 2a.

従って、主端子2と外部装置の端子を接続する際に、外部装置の端子を介して貫通穴2aにボルトを挿入して、めねじでボルトを止めることで、主端子2と外部装置の端子の接続を容易に行うことが可能となる。   Therefore, when connecting the main terminal 2 and the terminal of the external device, the bolt is inserted into the through hole 2a via the terminal of the external device, and the bolt is stopped with a female screw. Can be easily connected.

<実施の形態8>
図7に、本実施の形態における半導体装置の断面図を示す。本実施の形態において、半導体モジュール1の主端子2および制御端子3は、ケース4の側面から突出している。それ以外の構成は実施の形態1(図1(a))と同じであるため、説明を省略する。
<Eighth embodiment>
FIG. 7 is a cross-sectional view of the semiconductor device in this embodiment. In the present embodiment, the main terminal 2 and the control terminal 3 of the semiconductor module 1 protrude from the side surface of the case 4. Since other configurations are the same as those of the first embodiment (FIG. 1A), description thereof is omitted.

本実施の形態における半導体装置は、ケース4側面から、半導体モジュール1の端子、即ち主端子2および制御端子3が突出していることを特徴とする。従って、実施の形態1(図1(a))の様に、ケース4上面から端子、即ち主端子2および制御端子3が突出している場合と比較して、半導体装置の小型化が可能である。   The semiconductor device according to the present embodiment is characterized in that the terminals of the semiconductor module 1, that is, the main terminal 2 and the control terminal 3 protrude from the side surface of the case 4. Therefore, as in the first embodiment (FIG. 1A), the size of the semiconductor device can be reduced as compared with the case where the terminals, that is, the main terminal 2 and the control terminal 3 protrude from the upper surface of the case 4. .

<実施の形態9>
図8に、本実施の形態における半導体装置の断面図を示す。本実施の形態では、実施の形態1(図1(a))と同様に、ケース4とヒートシンク7はネジ8により固定されるが、本実施の形態では、ケース4側からネジ止めされる点が異なる。その他の構成は実施の形態1と同じであるため、説明を省略する。
<Embodiment 9>
FIG. 8 is a cross-sectional view of the semiconductor device in this embodiment. In the present embodiment, the case 4 and the heat sink 7 are fixed by screws 8 as in the first embodiment (FIG. 1A). However, in this embodiment, the case 4 is screwed from the case 4 side. Is different. Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

本実施の形態における半導体装置は、ケース4側からヒートシンク7がネジ止めされることにより、ケース4がヒートシンク7に固定されることを特徴とする。従って、実施の形態1で述べた効果と同様の効果を得ることが可能である。   The semiconductor device according to the present embodiment is characterized in that the case 4 is fixed to the heat sink 7 by screwing the heat sink 7 from the case 4 side. Therefore, it is possible to obtain the same effect as that described in the first embodiment.

<実施の形態10>
図9に、本実施の形態における半導体装置の断面図を示す。本実施の形態において、ケース4上面および半導体モジュール1には貫通穴が形成されている。なお、貫通穴の位置に弾性部材5として、例えば板バネが配置される場合は、弾性部材5にも貫通穴が形成される。
<Embodiment 10>
FIG. 9 is a cross-sectional view of the semiconductor device in this embodiment. In the present embodiment, a through hole is formed in the upper surface of the case 4 and the semiconductor module 1. In addition, when a leaf | plate spring is arrange | positioned as the elastic member 5 in the position of a through-hole, a through-hole is formed also in the elastic member 5, for example.

ネジ14は、ケース4および半導体モジュール1の貫通穴をケース4側から貫通して、ヒートシンク7にネジ止めされる。その他の構成は実施の形態1(図1(a))と同じであるため、説明を省略する。   The screw 14 passes through the through hole of the case 4 and the semiconductor module 1 from the case 4 side and is screwed to the heat sink 7. Since other configurations are the same as those of the first embodiment (FIG. 1A), the description thereof is omitted.

<効果>
本実施の形態に係る半導体装置において、ケース4および半導体モジュール1には、貫通穴が形成されており、この貫通穴を通してヒートシンク7をネジ止めすることを特徴とする。従って、実施の形態1と同様の効果を得ることが可能である。
<Effect>
In the semiconductor device according to the present embodiment, a through hole is formed in the case 4 and the semiconductor module 1, and the heat sink 7 is screwed through the through hole. Therefore, it is possible to obtain the same effect as in the first embodiment.

<実施の形態11>
図10に、本実施の形態における半導体装置の断面図を示す。実施の形態1(図1(a))では、ネジ止めによりケース4とヒートシンク7の固定を行ったが、本実施の形態では、接着部12において、接着剤によりケース4とヒートシンク7の固定を行う。その他の構成は実施の形態1と同じであるため、説明を省略する。
<Embodiment 11>
FIG. 10 is a cross-sectional view of the semiconductor device in this embodiment. In the first embodiment (FIG. 1A), the case 4 and the heat sink 7 are fixed by screwing. However, in the present embodiment, the case 4 and the heat sink 7 are fixed by an adhesive at the bonding portion 12. Do. Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

<効果>
本実施の形態において、ケース4は、ヒートシンク7に接着剤により固定されることを特徴とする。従って、実施の形態1と同様の効果を得ることが可能である。また、ケース4とヒートシンク7の固定にネジを用いないことにより、実施の形態1に比べて部品数を減らすことが可能なため、半導体装置のさらなる軽量化が可能である。
<Effect>
In this embodiment, the case 4 is fixed to the heat sink 7 with an adhesive. Therefore, it is possible to obtain the same effect as in the first embodiment. Further, by not using screws for fixing the case 4 and the heat sink 7, the number of components can be reduced as compared with the first embodiment, so that the semiconductor device can be further reduced in weight.

<実施の形態12>
図11に、本実施の形態における半導体装置の断面図を示す。本実施の形態では、ケース4の弾性部材5が接する面に、金属板13が埋め込まれている。その他の構成は実施の形態1(図1(a))と同じであるため、説明を省略する。
<Embodiment 12>
FIG. 11 is a cross-sectional view of the semiconductor device in this embodiment. In the present embodiment, a metal plate 13 is embedded in the surface of the case 4 that contacts the elastic member 5. Since other configurations are the same as those of the first embodiment (FIG. 1A), the description thereof is omitted.

金属板13は、例えばアルミ板である。金属板13を埋め込むことによって、ケース4の弾性部材5が接する部分の剛性が高まる。よって、弾性部材5の付勢力によりケース4が歪むことを抑制可能である。   The metal plate 13 is an aluminum plate, for example. By embedding the metal plate 13, the rigidity of the portion of the case 4 that contacts the elastic member 5 is increased. Therefore, it is possible to suppress the case 4 from being distorted by the urging force of the elastic member 5.

<効果>
本実施の形態における半導体装置は、ケース4の弾性部材5が接する面には、金属板13が埋め込まれていることを特徴とする。
<Effect>
The semiconductor device according to the present embodiment is characterized in that a metal plate 13 is embedded in a surface of the case 4 that contacts the elastic member 5.

従って、金属板13を埋め込むことによって、ケース4の弾性部材が接する部分の剛性が高まるため、弾性部材5の付勢力によるケース4の歪みを抑制することが可能である。よって、弾性部材5の付勢力を精度良く半導体モジュール1に伝えることが可能である。   Therefore, by embedding the metal plate 13, the rigidity of the portion of the case 4 where the elastic member is in contact is increased, so that distortion of the case 4 due to the urging force of the elastic member 5 can be suppressed. Therefore, the biasing force of the elastic member 5 can be transmitted to the semiconductor module 1 with high accuracy.

<実施の形態13>
図12に、本実施の形態における半導体装置の断面図を示す。本実施の形態では、実施の形態10(図9)の半導体装置に対して、ケース4に代えて、ケース4上面の位置に設けられた制御基板10を備える。また、ヒートシンク7は、ケース4下面の開口を塞ぐ代わりに、開口の位置で実施の形態10と同様にネジ止めにより固定される。その他の構成は実施の形態10と同じであるため、説明を省略する。
<Embodiment 13>
FIG. 12 is a cross-sectional view of the semiconductor device in this embodiment. In the present embodiment, a control substrate 10 provided on the upper surface of the case 4 is provided instead of the case 4 with respect to the semiconductor device of the tenth embodiment (FIG. 9). The heat sink 7 is fixed by screwing at the position of the opening in the same manner as in the tenth embodiment instead of closing the opening on the lower surface of the case 4. Since other configurations are the same as those of the tenth embodiment, the description thereof is omitted.

<効果>
本実施の形態における半導体装置は、実施の形態10における半導体装置に対して、ケース4に代えて、ケース4上面の位置に設けられた制御基板10を備え、ヒートシンク7は、ケース4下面の開口を塞ぐ代わりに、当該開口の位置でネジ止めにより固定される。
<Effect>
The semiconductor device in the present embodiment is provided with a control substrate 10 provided at a position on the upper surface of the case 4 instead of the case 4 with respect to the semiconductor device in the tenth embodiment, and the heat sink 7 has an opening on the lower surface of the case 4. Instead of closing, the screw is fixed at the position of the opening.

従って、実施の形態10と同様に、ネジ14によって制御基板10、弾性部材5、半導体モジュール1およびヒートシンク7を一括して固定できるため、ケース4の代わりに制御基板10を用いる場合であっても、従来よりも組立工程を簡素化することが可能である。組立工程の簡素化により、製品の歩留まりが向上する。また、固定に必要な部品数を削減することができるため、半導体装置の軽量化および長寿命化が可能である。   Therefore, similarly to the tenth embodiment, the control board 10, the elastic member 5, the semiconductor module 1, and the heat sink 7 can be fixed together with the screws 14, so that even when the control board 10 is used instead of the case 4. Thus, the assembly process can be simplified as compared with the conventional case. Product yield is improved by simplifying the assembly process. In addition, since the number of parts required for fixing can be reduced, the weight and life of the semiconductor device can be reduced.

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。   It should be noted that the present invention can be freely combined with each other within the scope of the invention, and each embodiment can be appropriately modified or omitted.

1 半導体モジュール、2 主端子、2a 貫通穴、3 制御端子、4 ケース、4a 係止ツメ、5 弾性部材、6 熱伝導グリス、7 ヒートシンク、7a ピンフィン、8,14 ネジ、9 6角ナット、10 制御基板、11a コイル状のバネ、11b 皿バネ、12 接着部、13 金属板。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor module, 2 Main terminal, 2a Through hole, 3 Control terminal, 4 Case, 4a Locking claw, 5 Elastic member, 6 Thermal conduction grease, 7 Heat sink, 7a Pin fin, 8,14 Screw, 9 Hexagon nut, 10 Control board, 11a Coiled spring, 11b Belleville spring, 12 Bonding part, 13 Metal plate.

Claims (17)

樹脂封止された半導体モジュールと、
前記半導体モジュールの外郭をなすケースと、
前記ケース上面の内面と前記半導体モジュール上面との間に挟持された弾性部材と、
前記ケース下面の開口を塞いで固定されたヒートシンクと、
を備え、
前記半導体モジュールの下面は、前記弾性部材の付勢力により、前記ヒートシンクに熱伝導グリスを介して押圧されることを特徴とする、
半導体装置。
A resin-sealed semiconductor module;
A case forming an outline of the semiconductor module;
An elastic member sandwiched between the inner surface of the upper surface of the case and the upper surface of the semiconductor module;
A heat sink fixed by closing the opening on the lower surface of the case;
With
The lower surface of the semiconductor module is pressed against the heat sink via heat conductive grease by an urging force of the elastic member.
Semiconductor device.
前記ヒートシンク側から前記ケースがネジ止めされることにより、前記ケースが前記ヒートシンクに固定されることを特徴とする、
請求項1に記載の半導体装置。
The case is fixed to the heat sink by screwing the case from the heat sink side,
The semiconductor device according to claim 1.
前記ケースの底面には、弾性を有する係止ツメが形成され、
前記ヒートシンクは、前記係止ツメに係止されて前記ケースに固定されることを特徴とする、
請求項1に記載の半導体装置。
A locking claw having elasticity is formed on the bottom surface of the case,
The heat sink is locked to the locking claw and fixed to the case.
The semiconductor device according to claim 1.
前記弾性部材は、板バネであることを特徴とする、
請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
The elastic member is a leaf spring,
The semiconductor device according to claim 1.
前記弾性部材は、ウレタンゴム、シリコン樹脂、クロロプレンゴムのいずれかからなることを特徴とする、
請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
The elastic member is made of any one of urethane rubber, silicone resin, and chloroprene rubber.
The semiconductor device according to claim 1.
前記弾性部材は、コイル状のバネまたは皿バネであることを特徴とする、
請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
The elastic member is a coiled spring or a disc spring,
The semiconductor device according to claim 1.
前記ケースおよび/または前記半導体モジュールの前記弾性部材が当接する面に、前記弾性部材の形状に応じた凹凸が形成されることを特徴とする、
請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置。
The surface of the case and / or the semiconductor module on which the elastic member abuts is formed with irregularities corresponding to the shape of the elastic member,
The semiconductor device according to claim 1.
前記熱伝導グリスに代えて、ハンダまたは熱伝導性の接着剤を用いることを特徴とする、
請求項1〜7のいずれかに記載の半導体装置。
Instead of the heat conductive grease, using solder or heat conductive adhesive,
The semiconductor device according to claim 1.
前記半導体モジュールの所定の端子は、その外方端側が前記ケースの上面または側面に沿って露出しており、
前記端子の露出部分には、貫通穴が形成され、
当該貫通穴自体または当該貫通穴に連通してめねじが形成されることを特徴とする、
請求項1〜8のいずれかに記載の半導体装置。
The predetermined terminal of the semiconductor module has its outer end exposed along the upper surface or side surface of the case,
A through hole is formed in the exposed portion of the terminal,
The internal thread is formed in communication with the through hole itself or the through hole,
The semiconductor device according to claim 1.
前記ケース側面から、前記半導体モジュールの端子が突出していることを特徴とする、
請求項1〜8のいずれかに記載の半導体装置。
The terminal of the semiconductor module protrudes from the side surface of the case,
The semiconductor device according to claim 1.
前記ケース側から前記ヒートシンクがネジ止めされることにより、前記ケースが前記ヒートシンクに固定されることを特徴とする、
請求項1に記載の半導体装置。
The case is fixed to the heat sink by screwing the heat sink from the case side,
The semiconductor device according to claim 1.
前記ケースおよび前記半導体モジュールには、貫通穴が形成されており、前記貫通穴を通してヒートシンクをネジ止めすることを特徴とする、
請求項11に記載の半導体装置。
Through holes are formed in the case and the semiconductor module, and a heat sink is screwed through the through holes.
The semiconductor device according to claim 11.
前記ケースは、前記ヒートシンクに接着剤により固定されることを特徴とする、
請求項1に記載の半導体装置。
The case is fixed to the heat sink with an adhesive,
The semiconductor device according to claim 1.
前記ケースの前記弾性部材が接する面には、金属板が埋め込まれていることを特徴とする、
請求項1〜13のいずれかに記載の半導体装置。
A metal plate is embedded in the surface of the case that contacts the elastic member,
The semiconductor device according to claim 1.
前記ケースに代えて、前記ケース上面の位置に設けられた制御基板を備え、
前記ヒートシンクは、前記ケース下面の開口を塞ぐ代わりに、当該開口の位置で前記ネジ止めにより固定される、
請求項12に記載の半導体装置。
In place of the case, provided with a control board provided at the position of the upper surface of the case,
The heat sink is fixed by screwing at the position of the opening instead of closing the opening on the lower surface of the case.
The semiconductor device according to claim 12.
前記ヒートシンクには、フィンが形成されていることを特徴とする、
請求項1〜15のいずれかに記載の半導体装置。
The heat sink is formed with fins,
The semiconductor device according to claim 1.
前記半導体モジュールは、Si、GaNまたはSiCからなる半導体素子を含むことを特徴とする、
請求項1〜16のいずれかに記載の半導体装置。
The semiconductor module includes a semiconductor element made of Si, GaN, or SiC.
The semiconductor device according to claim 1.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019106820A1 (en) * 2017-12-01 2019-06-06 三菱電機株式会社 Semiconductor device and method for manufacturing same
WO2020261382A1 (en) * 2019-06-25 2020-12-30 三菱電機株式会社 Semiconductor device
WO2021028965A1 (en) * 2019-08-09 2021-02-18 三菱電機株式会社 Semiconductor device

Citations (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS566460A (en) * 1979-06-29 1981-01-23 Ibm Multi chip module
JPS5674960A (en) * 1979-11-22 1981-06-20 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit
JPS62104449U (en) * 1985-12-20 1987-07-03
JPH0290540A (en) * 1988-09-27 1990-03-30 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH02291157A (en) * 1989-04-28 1990-11-30 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH0375549U (en) * 1989-11-22 1991-07-29
JPH04284655A (en) * 1991-03-13 1992-10-09 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
JPH05175382A (en) * 1991-12-24 1993-07-13 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH0637216A (en) * 1992-06-05 1994-02-10 Eaton Corp Method and apparatus for attachment of heat sink to semiconductor device
JPH07183435A (en) * 1993-12-24 1995-07-21 Nec Corp Heat sink for electronic component
JPH08213547A (en) * 1995-02-08 1996-08-20 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor device
JPH09134983A (en) * 1995-11-09 1997-05-20 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPH09199645A (en) * 1996-01-17 1997-07-31 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and semiconductor module
JPH1098140A (en) * 1996-09-24 1998-04-14 Hitachi Ltd Multiple-chip type semiconductor device
JPH11186472A (en) * 1997-12-17 1999-07-09 Nec Eng Ltd Heat radiating structure for in-module heat generating element
JP2000223631A (en) * 1999-01-27 2000-08-11 Nissan Motor Co Ltd Semiconductor device and its manufacture
JP2001267481A (en) * 2000-03-15 2001-09-28 Nippon Soken Inc Semiconductor device
JP2002170923A (en) * 2000-11-30 2002-06-14 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor power module
JP2002280499A (en) * 2001-03-22 2002-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Cooling module
JP2003243607A (en) * 2002-02-14 2003-08-29 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor module for electric power
JP2004087552A (en) * 2002-08-23 2004-03-18 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JP2004349547A (en) * 2003-05-23 2004-12-09 Yaskawa Electric Corp Electric controller
JP2005101489A (en) * 2003-08-27 2005-04-14 Fuji Electric Holdings Co Ltd Press contact type semiconductor device
JP2005142323A (en) * 2003-11-06 2005-06-02 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor module
JP2005276968A (en) * 2004-03-24 2005-10-06 Mitsubishi Electric Corp Power semiconductor device
JP2008198644A (en) * 2007-02-08 2008-08-28 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JP2008273476A (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Mitsubishi Electric Corp Electronic control device
JP2009004536A (en) * 2007-06-21 2009-01-08 Mitsubishi Electric Corp Thermally conductive resin sheet and power module using the same
JP2009026957A (en) * 2007-07-19 2009-02-05 Ngk Insulators Ltd Insulating fin and heat sink
JP2011035265A (en) * 2009-08-04 2011-02-17 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JP2011114157A (en) * 2009-11-26 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp Power converter
JP2014013884A (en) * 2012-06-07 2014-01-23 Toyota Industries Corp Semiconductor device

Patent Citations (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS566460A (en) * 1979-06-29 1981-01-23 Ibm Multi chip module
JPS5674960A (en) * 1979-11-22 1981-06-20 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit
JPS62104449U (en) * 1985-12-20 1987-07-03
JPH0290540A (en) * 1988-09-27 1990-03-30 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH02291157A (en) * 1989-04-28 1990-11-30 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH0375549U (en) * 1989-11-22 1991-07-29
JPH04284655A (en) * 1991-03-13 1992-10-09 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
JPH05175382A (en) * 1991-12-24 1993-07-13 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH0637216A (en) * 1992-06-05 1994-02-10 Eaton Corp Method and apparatus for attachment of heat sink to semiconductor device
JPH07183435A (en) * 1993-12-24 1995-07-21 Nec Corp Heat sink for electronic component
JPH08213547A (en) * 1995-02-08 1996-08-20 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor device
JPH09134983A (en) * 1995-11-09 1997-05-20 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPH09199645A (en) * 1996-01-17 1997-07-31 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and semiconductor module
JPH1098140A (en) * 1996-09-24 1998-04-14 Hitachi Ltd Multiple-chip type semiconductor device
JPH11186472A (en) * 1997-12-17 1999-07-09 Nec Eng Ltd Heat radiating structure for in-module heat generating element
JP2000223631A (en) * 1999-01-27 2000-08-11 Nissan Motor Co Ltd Semiconductor device and its manufacture
JP2001267481A (en) * 2000-03-15 2001-09-28 Nippon Soken Inc Semiconductor device
JP2002170923A (en) * 2000-11-30 2002-06-14 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor power module
JP2002280499A (en) * 2001-03-22 2002-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Cooling module
JP2003243607A (en) * 2002-02-14 2003-08-29 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor module for electric power
JP2004087552A (en) * 2002-08-23 2004-03-18 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JP2004349547A (en) * 2003-05-23 2004-12-09 Yaskawa Electric Corp Electric controller
JP2005101489A (en) * 2003-08-27 2005-04-14 Fuji Electric Holdings Co Ltd Press contact type semiconductor device
JP2005142323A (en) * 2003-11-06 2005-06-02 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor module
JP2005276968A (en) * 2004-03-24 2005-10-06 Mitsubishi Electric Corp Power semiconductor device
JP2008198644A (en) * 2007-02-08 2008-08-28 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JP2008273476A (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Mitsubishi Electric Corp Electronic control device
JP2009004536A (en) * 2007-06-21 2009-01-08 Mitsubishi Electric Corp Thermally conductive resin sheet and power module using the same
JP2009026957A (en) * 2007-07-19 2009-02-05 Ngk Insulators Ltd Insulating fin and heat sink
JP2011035265A (en) * 2009-08-04 2011-02-17 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JP2011114157A (en) * 2009-11-26 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp Power converter
JP2014013884A (en) * 2012-06-07 2014-01-23 Toyota Industries Corp Semiconductor device

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019106820A1 (en) * 2017-12-01 2020-02-27 三菱電機株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2019106820A1 (en) * 2017-12-01 2019-06-06 三菱電機株式会社 Semiconductor device and method for manufacturing same
JP7027021B2 (en) 2017-12-01 2022-03-01 三菱電機株式会社 Semiconductor devices and their manufacturing methods
US11621213B2 (en) 2017-12-01 2023-04-04 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device including a spring plate
JP7170870B2 (en) 2019-06-25 2022-11-14 三菱電機株式会社 semiconductor equipment
WO2020261382A1 (en) * 2019-06-25 2020-12-30 三菱電機株式会社 Semiconductor device
US12046533B2 (en) 2019-06-25 2024-07-23 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JPWO2020261382A1 (en) * 2019-06-25 2021-10-21 三菱電機株式会社 Semiconductor device
CN114008770A (en) * 2019-06-25 2022-02-01 三菱电机株式会社 Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips
WO2021028965A1 (en) * 2019-08-09 2021-02-18 三菱電機株式会社 Semiconductor device
US20220173011A1 (en) * 2019-08-09 2022-06-02 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JP7192998B2 (en) 2019-08-09 2022-12-20 三菱電機株式会社 semiconductor equipment
CN114270504A (en) * 2019-08-09 2022-04-01 三菱电机株式会社 Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips
JPWO2021028965A1 (en) * 2019-08-09 2021-02-18

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