JP2014028774A - カルバゾール化合物、その製造法、及びその用途 - Google Patents

カルバゾール化合物、その製造法、及びその用途 Download PDF

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Abstract

【課題】高いT1を有す新規なカルバゾール化合物、その製造方法、及びその用途を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表されるカルバゾール化合物を、有機EL素子の発光層、正孔輸送層及び正孔注入層のいずれか一層以上に用いる。
Figure 2014028774

(式中、Ar及びArは、各々独立して、炭素数6〜40のアリール基または炭素数3〜40のヘテロアリール基等を表す。)
【選択図】なし

Description

本発明は、新規なカルバゾール化合物、その製造法、及びその用途に関するものである。
本発明のカルバゾール化合物は、特に、燐光材料を用いた有機EL素子に対して非常に有用である。
有機EL素子は、次世代の薄型平面ディスプレイとして現在盛んに研究されており、既に携帯電話のディスプレイやテレビ、照明等への実用化も始まっている。特に最近では、発光効率を向上させるため、燐光発光材を用いた素子開発が活発化してきている。
燐光発光材を用いた有機EL素子では、蛍光発光材を用いた有機EL素子に比べて、三重項準位(T1)が高いキャリア輸送材(例えば、正孔輸送材料)と燐光発光材を組み合わせることが好ましい。例えば、正孔輸送材料として良く知られている4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)のT1は2.3eV程度であるが、α−NPDと燐光発光材を組み合わせた有機EL素子の場合、発光層に三重項励起エネルギーを十分に閉じ込められず、燐光発光有機EL素子で期待される高い外部量子効率が得られないことが知られている(例えば、非特許文献1参照)。このため、α−NPDより高いT1を有する正孔輸送材が強く望まれている。
正孔輸送材としては、カルバゾール環を有するトリアリールアミン化合物の開発が行われている(例えば、特許文献1、化合物1)。しかしながら、発明者らの測定によると、化合物1のT1は2.3eVであり、当該化合物より高いT1を有する化合物の開発が求められていた。
Figure 2014028774
特開2008−120769公報
J.Appl.Phys.,2004年,第95巻,7798頁
本発明は上記の背景技術に鑑みてなされたものであり、その目的は、高いT1を有す新規なカルバゾール化合物、その製造方法、及びその用途を提供することにある。
本発明者らは、上記課題を解決する為に鋭意検討した結果、一般式(1)で表されるカルバゾール化合物を見いだし、本発明を完成させるに至った。即ち本発明は、下記一般式(1)で表される特定のカルバゾール化合物、その製造方法、及びその用途に関するものである。
Figure 2014028774
(式中、
Ar及びArは、各々独立して、炭素数6〜40のアリール基または炭素数3〜40のヘテロアリール基を表し、これらは、各々独立して、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、異なっていてもよい2個の炭素数6〜18のアリール基を結合してなるジアリールアミノ基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる1種以上の置換基を有してもよい。
、R、R、及びRは、各々独立して、水素原子、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、又は炭素数3〜40のヘテロアリール基を表す。
Mは、炭素数6〜18の2価のアリーレン基を表し、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、及び炭素数3〜40のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1種以上の置換基を1個以上有してもよい。)
本発明によれば、従来公知の正孔輸送材料に比べて、外部量子効率が高く、長寿命な燐光発光性有機EL素子を提供することが可能となる。
以下、本発明を詳細に説明する。
上記一般式(1)で表されるカルバゾール化合物において、Ar及びArは、各々独立して、炭素数6〜40のアリール基または炭素数3〜40のヘテロアリール基を表し、これらは、各々独立して、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、異なっていてもよい2個の炭素数6〜18のアリール基を結合してなるジアリールアミノ基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる1種以上の置換基を有してもよい。
Ar及びArにおいて、炭素数6〜40のアリール基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、4−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、2−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、3−エチルフェニル基、2−エチルフェニル基、4−n−プロピルフェニル基、4−n−ブチルフェニル基、4−イソブチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−シクロペンチルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、3,4−ジメチルフェニル基、ビフェニルリル基、ターフェニリル基、9−フェナントリル基、9,9−ジアルキル−フルオレン−2−イル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ピセニル基等が挙げられる。このうち、正孔輸送特性の点で、フェニル基、4−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、2−メチルフェニル基、ビフェニルリル基、が好ましく、フェニル基、4−メチルフェニル基、ビフェニリル基が特に好ましい。
Ar及びArにおいて、炭素数3〜40のヘテロアリール基としては、特に限定するものではないが、例えば、キノリル基、ピリジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ジベンゾチオフェニル基、N−カルバゾリル基等が挙げられる。
Ar及びArにおいて、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基としては、以下に限定されるものではないが、具体的には、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、プロピン基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、1,3−シクロヘキサジエニル基、2−シクロペンテン−1−イル基等を例示することができる。
Ar及びArにおいて、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基としては、以下に限定されるものではないが、具体的には、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等を例示することができる。
Ar及びArにおいて、炭素数6〜40のアリールオキシ基としては、以下に限定されるものではないが、具体的には、フェノキシ基、o−トリロキシ基、m−トリロキシ基、p−トリロキシ基、4−ビフェニルオキシ基、3−ビフェニルオキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、p−tert−ブチルフェノキシ基、3−フルオロフェノキシ基、4−フルオロフェノキシ基等を例示することができる。
Ar及びArにおいて、異なっていてもよい2個の炭素数6〜18のアリール基を結合してなるジアリールアミノ基としては、特に限定するものではないが、例えば、N,N−ジフェニルアミノ基、N,N−ジトリルアミノ基、N−フェニル−N−トリルアミノ基、N−ナフチル−N−フェニルアミノ基、N−ビフェニリル−N−フェニルアミノ基、N,N−ジビフェニリルアミノ基等が挙げられる。なお、前記炭素数6〜18のアリール基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、トリル基、エチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ビフェニルリル基、ターフェニリル基、フルオレニル基、9,9−ジメチル−フルオレン−2−イル基、ナフチル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基等が挙げられる。
Ar及びArにおいて、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができる。
なお、Ar及びArにおける、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、異なっていてもよい2個の炭素数6〜18のアリール基を結合してなるジアリールアミノ基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる1種以上の置換基を有してもよい炭素数6〜40のアリール基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニル基、4−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、2−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、3−エチルフェニル基、2−エチルフェニル基、4−n−プロピルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、2−イソプロピルフェニル基、4−n−ブチルフェニル基、4−イソブチルフェニル基、4−sec−ブチルフェニル基、2−sec−ブチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、3−tert−ブチルフェニル基、2−tert−ブチルフェニル基、4−n−ペンチルフェニル基、4−イソペンチルフェニル基、4−ネオペンチルフェニル基、2−ネオペンチルフェニル基、4−tert−ペンチルフェニル基、4−n−ヘキシルフェニル基、4−(2’−エチルブチル)フェニル基、4−n−ヘプチルフェニル基、4−n−オクチルフェニル基、4−(2’−エチルヘキシル)フェニル基、4−tert−オクチルフェニル基、4−n−デシルフェニル基、3−シクロヘキシルフェニル基、2−シクロヘキシルフェニル基、4−n−ドデシルフェニル基、4−n−テトラデシルフェニル基、4−シクロペンチルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、4−(4’−tert−ブチルシクロヘキシル)フェニル基、4−トリチルフェニル基、3−トリチルフェニル基、4−(4’−メチルフェニル)フェニル基、4−(3’−メチルフェニル)フェニル基、4−(4’−メトキシフェニル)フェニル基、4−(4’−n−ブトキシフェニル)フェニル基、2−(2’−メトキシフェニル)フェニル基、3−メチル−4−フェニルフェニル基、3−メトキシ−4−フェニルフェニル基、3,5−ジフェニルフェニル基、4−トリフェニルシリルフェニル基、3−トリフェニルシリルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、3,4−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、2,4−ジエチルフェニル基、2,6−ジエチルフェニル基、2,5−ジイソプロピルフェニル基、2,6−ジイソブチルフェニル基、2,4−ジ−tert−ブチル−2−メチルフェニル基、2,5−ジ−tert−ブチルフェニル基、5−tert−ブチル−2−メチルフェニル基、2,3,5−トリメチルフェニル基、2,3,6−トリメチルフェニル基、3,4,5−トリメチルフェニル基、4,6−ジ−tert−ブチル−2−メチルフェニル基、4−tert−ブチル−2,6−ジメチルフェニル基、4−メトキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、2−メトキシフェニル基、4−エトキシフェニル基、3−エトキシフェニル基、2−エトキシフェニル基、4−n−プロポキシフェニル基、3−n−プロポキシフェニル基、4−イソプロポキシフェニル基、2−イソプロポキシフェニル基、4−n−ブトキシフェニル基、4−イソブトキシフェニル基、2−sec−ブトキシフェニル基、4−n−ペンチルオキシフェニル基、4−イソペンチルオキシフェニル基、2−イソペンチルオキシフェニル基、4−ネオペンチルオキシフェニル基、2−ネオペンチルオキシフェニル基、4−n−ヘキシルオキシフェニル基、2−(2−エチルブチル)オキシフェニル基、4−n−オクチルオキシフェニル基、4−n−デシルオキシフェニル基、4−n−ドデシルオキシフェニル基、4−n−テトラデシルオキシフェニル基、4−シクロヘキシルオキシフェニル基、2−シクロヘキシルオキシフェニル基、4−フェノキシフェニル基、2−メチル−4−メトキシフェニル基、2−メチル−5−メトキシフェニル基、3−メチル−4−メトキシフェニル基、3−メチル−5−メトキシフェニル基、3−エチル−5−メトキシフェニル基、2−メトキシ−4−メチルフェニル基、3−メトキシ−4−メチルフェニル基、2,4−ジメトキシフェニル基、2,5−ジメトキシフェニル基、2,6−ジメトキシフェニル基、3,4−ジメトキシフェニル基、3,5−ジメトキシフェニル基、3,5−ジエトキシフェニル基、3,5−ジ−n−ブトキシフェニル基、2−メトキシ−4−エトキシフェニル基、2−メトキシ−6−エトキシフェニル基、3,4,5−トリメトキシフェニル基、4−(9−カルバゾリル)フェニル基、3−(9−カルバゾリル)フェニル基、4−フルオロフェニル基、3−フルオロフェニル基、2−フルオロフェニル基、2,3−ジフルオロフェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、2,5−ジフルオロフェニル基、2,6−ジフルオロフェニル基、3,4−ジフルオロフェニル基、3,5−ジフルオロフェニル基、4−(1−ナフチル)フェニル基、4−(2−ナフチル)フェニル基、3−(1−ナフチル)フェニル基、3−(2−ナフチル)フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、6−メチル−2−ナフチル基、6−n−ブチル−2−ナフチル基、4−フェニル−1−ナフチル基、6−フェニル−2−ナフチル基、2−メトキシ−1−ナフチル基、4−メトキシ−1−ナフチル基、5−エトキシ−1−ナフチル基、6−エトキシ−2−ナフチル基、7−メトキシ−2−ナフチル基、6−n−ブトキシ−2−ナフチル基、6−n−ヘキシルオキシ−2−ナフチル基、4−n−ブトキシ−1−ナフチル基、7−n−ブトキシ−2−ナフチル基、2−アントリル基、9−アントリル基、10−フェニル−9−アントリル基、10−(3,5−ジフェニルフェニル)−9−アントリル基、2−フルオレニル基、9−メチル−2−フルオレニル基、9−エチル−2−フルオレニル基、9−n−ヘキシル−2−フルオレニル基、9−フェニル−2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、9,9−ジエチル−2−フルオレニル基、9,9−ジ−n−プロピル−2−フルオレニル基、9,9−ジ−n−オクチル−2−フルオレニル基、9,9−ジフェニル−2−フルオレニル基、9,9’−スピロビフルオレニル基、9−フェナントリル基、2−フェナントリル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ピセニル基、4−ビフェニリル基、3−ビフェニリル基、2−ビフェニリル基、p−ターフェニル基、m−ターフェニル基、o−ターフェニル基等が挙げられる。このうち、正孔輸送特性の点で、フェニル基、4−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、4−ビフェニリル基、p−ターフェニル基が好ましく、フェニル基、4−メチルフェニル基、4−ビフェニリル基、p−ターフェニル基が特に好ましい。
Ar及びArにおける、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、異なっていてもよい2個の炭素数6〜18のアリール基を結合してなるジアリールアミノ基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる1種以上の置換基を有してもよい炭素数3〜40のヘテロアリール基としては、特に限定するものではないが、例えば、4−キノリル基、4−ピリジル基、4−(2−メチル)ピリジル基、4−(2−エチル)ピリジル基、4−(2−フェニル)ピリジル基、3−ピリジル基、2−ピリジル基、3−フリル基、2−フリル基、3−チエニル基、2−チエニル基、2−オキサゾリル基、2−チアゾリル基、2−ベンゾオキサゾリル基、2−ベンゾチアゾリル基、2−ベンゾイミダゾリル基、2−ジベンゾチオフェニル基、4−ジベンゾチオフェニル基、2−ジベンゾフラニル基、4−ジベンゾフラニル基、2−チアントレニル基、4−フェノキサチエニル基等が挙げられる。このうち、正孔輸送特性の点で、2−ジベンゾチオフェニル基、4−ジベンゾチオフェニル基、2−ジベンゾフラニル基、4−ジベンゾフラニル基が好ましく、4−ジベンゾチオフェニル基、4−ジベンゾフラニル基が特に好ましい。
、R、R、及びRは、各々独立して、水素原子、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、又は炭素数3〜40のヘテロアリール基を表す。
、R、R、及びRにおける炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基としては、特に限定されるものではないが、具体的には、Ar及びArにおいて示した炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基と同じ置換基が挙げられる。
、R、R、及びRにおける炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基としては、特に限定されるものではないが、具体的には、Ar及びArにおいて示した炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基と同じ置換基が挙げられる。
、R、R、及びRにおける炭素数6〜40のアリール基としては、特に限定されるものではないが、具体的には、Ar及びArにおいて示した炭素数6〜40のアリール基と同じ置換基が挙げられる。
、R、R、及びRにおける炭素数6〜40のアリールオキシ基としては、特に限定されるものではないが、具体的には、Ar及びArにおいて示した炭素数6〜40のアリールオキシ基と同じ置換基が挙げられる。
、R、R、及びRにおける炭素数3〜40のヘテロアリール基としては、特に限定されるものではないが、具体的には、Ar及びArにおいて示した炭素数3〜40のヘテロアリール基と同じ置換基が挙げられる。
、R、R、及びRとしては、正孔輸送特性に優れる点で、水素原子、メチル基、フェニル基が好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
一般式(1)で表されるカルバゾール化合物において、Mは、炭素数6〜18の2価のアリーレン基を表し、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、及び炭素数3〜40のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1種以上の置換基を1個以上有してもよい。
Mにおける炭素数6〜18の2価のアリーレン基としては、特に限定するものではないが、例えば、フェニレン基、ビフェニルジイル基、ナフタレンジイル基、ターフェニルジイル基、フルオレンジイル基等が挙げられる。このうち、正孔輸送特性に優れる点で、フェニレン基、ビフェニルジイル基が好ましく、フェニル基が特に好ましい。
Mにおける炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基としては、特に限定されるものではないが、具体的には、Ar及びArにおいて示した炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基と同じ置換基が挙げられる。
Mにおける炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基としては、特に限定されるものではないが、具体的には、Ar及びArにおいて示した炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基と同じ置換基が挙げられる。
Mにおける炭素数6〜40のアリール基としては、特に限定されるものではないが、具体的には、Ar及びArにおいて示した炭素数6〜40のアリール基と同じ置換基が挙げられる。
Mにおける炭素数6〜40のアリールオキシ基としては、特に限定されるものではないが、具体的には、Ar及びArにおいて示した炭素数6〜40のアリールオキシ基と同じ置換基が挙げられる。
Mにおける炭素数3〜40のヘテロアリール基としては、特に限定されるものではないが、具体的には、Ar及びArにおいて示した炭素数3〜40のヘテロアリール基と同じ置換基が挙げられる。
一般式(1)で表されるカルバゾール化合物のうち、特に限定するものではないが、外部量子効率及び素子寿命の点で、一般式(2)で表されるカルバゾール化合物が好ましく、一般式(3)又は(4)で表されるカルバゾール化合物がさらに好ましい。
一般式(2)
Figure 2014028774
(式中、Ar、Ar、R、R、R、R、及びMは、上記一般式(1)で示したものと同じ基を表す。)
Figure 2014028774
(一般式(3)及び(4)中、Ar、Ar、及びMは、上記一般式(1)で示したものと同じ基を表す。)
以下に、一般式(1)で表されるカルバゾール化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
Figure 2014028774
Figure 2014028774
Figure 2014028774
Figure 2014028774
Figure 2014028774
一般式(1)で表されるカルバゾール化合物は、遷移金属触媒及び塩基の存在下、一般式(5)で表されるカルバゾール化合物と一般式(6)で表されるボロン酸化合物をカップリング反応させることで製造することが出来る。
Figure 2014028774
(一般式(1)、(5)、(6)中、
Ar、Ar、R、R、R、R、及びMは、上記一般式(1)で示したものと同じ基を表す。
Yは、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表す。)
カップリング反応において、一般式(6)で示されるボロン酸化合物の使用量は、一般式(5)で示されるカルバゾール化合物1モルに対し、通常1.0〜3.5倍モルである。一般式(6)で示されるボロン酸化合物の使用量が上記範囲であれば、選択性高く一般式(1)で示されるカルバゾール化合物を合成することができるが、生産効率を向上させる観点から、ボロン酸化合物の使用量は、一般式(5)で表されるカルバゾール化合物1モルに対し、1.0〜2.0倍モルの範囲が好ましい。
カップリング反応に用いる遷移金属触媒としては、パラジウム触媒、又はニッケル触媒が挙げられる。
パラジウム触媒としては、特に限定するものではないが、例えば、塩化パラジウム(II)、臭化パラジウム(II)、酢酸パラジウム(II)、パラジウムアセチルアセトナート(II)、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム(II)、ジクロロビス(アセトニトリル)パラジウム(II)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロテトラアンミンパラジウム(II)、ジクロロ(シクロオクタ−1,5−ジエン)パラジウム(II)、パラジウムトリフルオロアセテート(II)等の2価パラジウム化合物、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム(0)、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウムクロロホルム錯体(0)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)等の0価パラジウム化合物が挙げられる(以上まとめて、「パラジウム化合物」と称す)。また、上記以外に、ポリマー固定型パラジウム触媒、パラジウム炭素等の固定化パラジウム触媒も例示できる。
パラジウム触媒は、上記のパラジウム化合物、または固定化パラジウム触媒とともに、ホスフィン化合物を含んでいてもよい。
ホスフィン化合物しては、特に限定するものではないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ(o―トリル)ホスフィン、トリ(メシチル)ホスフィン等の単座アリールホスフィン、トリ(シクロヘキシル)ホスフィン、トリ(イソプロピル)ホスフィン、トリ(tert−ブチル)ホスフィン等の単座アルキルホスフィン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン等のニ座ホスフィン等が挙げられる。
ホスフィン化合物を含んでもよいパラジウム触媒としては、上記パラジウム化合物、または固定化パラジウム触媒に、ホスフィン化合物を事前に混合して調整したものを用いることもできるし、上記パラジウム化合物、または固定化パラジウム触媒に、ホスフィン化合物を反応溶液中に別々に添加混合して調整することもできる。
ニッケル触媒としては、特に限定するものではないが、例えば、ニッケル塩と前記のホスフィン化合物を含むものが挙げられる。ニッケル塩とは、ニッケル元素を有効成分とする化合物を示し、例えば、0価から2価のニッケル塩を示す。具体的には、フッ化ニッケル(II)、塩化ニッケル(II)、臭化ニッケル(II)、ヨウ化ニッケル(II)等のハロゲン化ニッケル、ニッケル(0)粉末、硫酸ニッケル(II)、硝酸ニッケル(II)、過塩素酸ニッケル(II)等の無機塩、蟻酸ニッケル(II)、シュウ酸ニッケル(II)、酢酸ニッケル(II)、安息香酸ニッケル(II)、ニッケルアセチルアセトナート(II)等の有機酸ニッケル塩が挙げられる。
遷移金属触媒の使用量は、特に限定するものではないが、一般式(5)で表されるカルバゾール化合物1モルに対し、通常0.0000001〜0.2倍モル(金属原子換算)の範囲である。触媒が上記範囲内であれば、生産性良く一般式(1)で表されるカルバゾール化合物を合成できるが、生産効率を向上させる観点から、遷移金属触媒の使用量は、一般式(5)で表されるカルバゾール化合物1モルに対し、0.0001〜0.05倍モル(金属原子換算)の範囲が好ましい。
カップリング反応に使用される塩基としては、無機塩基、有機塩基から選択すればよく、特に限定するものではないが、より好ましくは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸カリウム、燐酸ナトリウム等、ナトリウム−メトキシド、ナトリウム−エトキシド、カリウム−メトキシド、カリウム−エトキシド、リチウム−tert−ブトキシド、ナトリウム−tert−ブトキシド、カリウム−tert−ブトキシド等のようなアルカリ金属アルコキシド、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジンであって、更に好ましくは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、燐酸カリウム、燐酸ナトリウムである。また、これらの塩基を2種以上混合して用いることも可能である。
塩基の使用量は、一般式(5)で表されるカルバゾール化合物1モルに対し、通常1〜20倍モルの範囲でから選ばれる。1〜20倍モル(金属原子換算)の範囲であれば、高い収率で一般式(1)で表されるカルバゾール化合物が得られるが、反応終了後の後処理操作を容易にする観点から、塩基の量は、1〜10倍モルの範囲が好ましい。
カップリング反応は、通常、不活性溶媒存在下で行われる。溶媒としては、本反応を著しく阻害しない溶媒であればよく、特に限定するものではないが、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系有機溶媒や、ジエチルエーテル、テトラハイドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサンなどのエーテル系有機溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホトリアミド等が挙げられる。これらのうち反応速度に優れる点で、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラハイドロフラン、ジオキサン等のエーテル系有機溶媒が好ましい。
カップリング反応は、特に限定するものではないが、通常、常圧又は加圧下、及び窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うことができる。反応は、通常、20〜300℃の範囲で行われるが、より好ましくは30〜150℃の範囲である。
カップリング反応にかかる反応時間は、一般式(6)で表されるボロン酸化合物の量、一般式(5)で表されるカルバゾール化合物の量、遷移金属触媒、塩基の量、反応温度等によって一定しないが、通常、数分〜72時間の範囲から選択することができる。
以上の操作により、一般式(1)で表されるカルバゾール化合物を合成することができるが、当該化合物は、一般公知の方法によって、分離、乾燥、精製等を行うことができる。
一般式(1)で表されるカルバゾール化合物は、有機EL素子、有機太陽電池素子、有機光導電素子、有機トランジスタ等の有機半導体素子において、正孔輸送特性を示す材料として用いられる。このうち、有機EL素子において、特に好ましく用いられる。
本発明の有機EL素子は、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極等を基本的な構成要素とし、適宜、別の層を挿入することもできるし、一部の層を削除することもできる。
一般式(1)で表されるカルバゾール化合物は、有機EL素子の発光層、正孔輸送層及び/又は正孔注入層として使用することができる。一般式(1)で表されるカルバゾール化合物は正孔輸送能に優れることから、正孔輸送層、正孔注入層、又はその両方の層に使用した際に、有機EL素子の低駆動電圧化、高外部量子効率、及び耐久性の向上を実現することができる。
一般式(1)で表されるカルバゾール化合物を有機EL素子の発光層、正孔注入層、又は正孔輸送層に使用する際の発光層には、従来から使用されている公知の発光材料を使用することができる。発光層は1種類の発光材料のみで形成されていても、ホスト材料中に1種類以上の発光材料がドープされていてもよい。また、近年、高い外部量子効率を実現できる理由から、発光材料として燐光材料を使用した有機EL素子が注目されているが、前記一般式(1)で表されるカルバゾール化合物は燐光材料とも組み合わせて使用することができる。
一般式(1)で表されるカルバゾール化合物を正孔注入層又は正孔輸送層に用いる際は、必要に応じて2種類以上の材料を含有又は積層させてもよく、例えば、酸化モリブデン等の酸化物、7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン等の公知の電子受容性材料を含有又は積層させてもよい。
一般式(1)で表されるカルバゾール化合物を有機EL素子の発光層として使用する場合には、カルバゾール化合物を単独で使用、公知の発光ホスト材料にドープして使用、又は公知の蛍光若しくは燐光材料をドープして使用することができる。
一般式(1)で表されるカルバゾール化合物を含有する正孔注入層、正孔輸送層又は発光層を形成する方法としては、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法等の公知の方法を適用することができる。
以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
なお、本実施例で用いた分析機器及び測定方法を以下に列記する。
[材料純度測定(HPLC分析)]
測定装置: マルチステーションLC−8020(東ソー社製)
測定条件: カラム Inertsil ODS−3V(4.6mmΦ×250mm、ジーエルサイエンス社製)
検出器 UV検出(波長 254nm)
溶離液 メタノール/テトラヒドロフラン=9/1(v/v比)
[燐光スペクトル測定]
測定装置: 分光蛍光光度計FP−6500(日本分光株式会社製)
[NMR測定]
測定装置: Gemini200(バリアン社製)
[有機EL素子の電流−電圧特性及び発光特性]
測定装置: ソースメータ 2400(ケースレーインスツルメンツ社製)
輝度計LUMINANCE METER BM−9(TOPCON社製)
Figure 2014028774
合成例1 化合物(B−1)の合成
窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた5Lセパラブルフラスコに、2,3−ジクロロニトロベンゼン 250g(1.30mol)、フェニルボロン酸 159g(1.30mmol)、40%リン酸カリウム水溶液 1725g(リン酸カリウム 690g(3.25mol))、テトラヒドロフラン 1000mLを加えた。この溶液に、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム 15.0g(13.0mmol)を加え、反応溶液を80℃に加熱した。15時間後、加熱を終了し、室温まで放冷した。この反応溶液を飽和食塩水で洗浄分液し、得られた有機層を減圧濃縮して溶媒を留去した。得られた茶色固体をエタノールで再結晶精製し、黄土色結晶 242gを得た(収率 80%、純度 99.4%)。H−NMR及び13C−NMR分析から、得られた黄土色結晶は目的の化合物(B−1)であることを確認した。
H−NMR(CDCl)δ(ppm)=7.22〜7.27(m 2H), 7.41〜7.45(m 4H), 7.66〜7.74(m 2H)
13C−NMR(CDCl)δ(ppm)=121.96, 128.46, 128.55, 128.68, 128.71, 128.91, 133.29, 133.91, 134.68, 135.71
合成例2 化合物(B−2)の合成
窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた1Lの3つ口フラスコに、化合物(B−1) 141g(606mmol)を加え、反応容器を140℃に加熱して溶解させた。その後、亜リン酸トリエチル 252g(1.52mol)を2時間かけて滴下し、更に140℃で15時間加熱した。その後、減圧下で溶媒を留去し、室温まで放冷した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、更にヘキサンで再結晶することにより、微黄色粉末 47.0gを得た(収率 39%、純度 99.0%)。H−NMR及び13C−NMR分析から、得られた白色粉末は目的の化合物(B−2)であることを確認した。
H−NMR(Acetone−d6)δ(ppm)=7.15〜7.59(m 6H), 8.52(d 1H), 10.71(br−s 1H)
13C−NMR(Acetone−d6)δ(ppm)=110.15, 111.45, 119.75, 119.88, 120.57, 122.33, 122.99, 126.61, 126.76, 128.37, 140.71, 141.80
合成例3 化合物(B−3)の合成
窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた200mL3つ口フラスコ中に、ブロモベンゼン 7.71g(49.1mmol)、ジ−p−トリルアミン 9.78g(49.6mmol)、tert−ブトキシナトリウム 5.70g(59.3mmol)、酢酸パラジウム 110mg(0.490mmol)、トリ−tert−ブチルホスフィン 396mg(1.96mmol)、o−キシレン 110mLを加え、120℃で20時間攪拌した。反応終了後、純水 150mLを添加して洗浄分液した。さらに、純水 150mL、次いで飽和食塩水で洗浄分液した後、得られた有機層を減圧濃縮して溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色結晶 12.9gを得た(収率 96%、純度 99.1%)。H−NMR及び13C−NMR分析から、得られた白色結晶は目的の化合物(B−3)であることを確認した。
H−NMR(CDCl)δ(ppm)=2.29(s 6H), 6.91〜7.22(m 13H)
13C−NMR(CDCl)δ(ppm)=20.95, 121.72, 122.97, 124.47, 129.03, 129.83, 132.27, 145.45, 148.26
合成例4 化合物(B−4)の合成
窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた1L3つ口フラスコ中に、化合物(B−3) 13.0g(47.6mmol)、ジクロロメタン 150mLを加え、室温で5分間攪拌した。この溶液に、N−ブロモスクシンイミド 8.89g(49.9mmol)をジクロロメタン 200mLに溶解させた溶液を、1時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに室温で5時間攪拌した。反応終了後、反応液に純水 純水 150mLを添加して洗浄分液した。さらに、純水 150mL、次いで飽和食塩水で洗浄分液した後、得られた有機層を減圧濃縮して溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、更にメタノールで再結晶することにより、白色結晶 12.9gを得た(収率 77%、純度 99.9%)。H−NMR及び13C−NMR分析から、得られた白色結晶は目的の化合物(B−4)であることを確認した。
H−NMR(CDCl)δ(ppm)=2.30(s 6H), 6.85〜7.28(m 12H)
13C−NMR(CDCl)δ(ppm)=20.93, 113.61, 123.88, 124.65, 129.96, 131.89, 132.87, 144.89, 147.38
合成例5 化合物(B−5)の合成
窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた100mLの4つ口フラスコ中に、化合物(B−2) 2.03g(10.1mmol)、化合物(B−4) 3.90g(11.1mmol)、tert−ブトキシナトリウム 1.26g(13.1mmol)、酢酸パラジウム 23mg(0.10mmol)、トリ−tert−ブチルホスフィン 83mg(0.41mmol)、o−キシレン 25mLを加え、140℃で22時間攪拌した。反応終了後、純水 50mLを添加して洗浄分液した。さらに、飽和食塩水で洗浄分液した後、得られた有機層を減圧濃縮して溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、更にトルエン/ヘキサンの混合溶媒で再結晶することにより、白色結晶 2.40gを得た(収率 50%、純度 99.2%)。H−NMR及び13C−NMR分析から、得られた白色結晶は目的の化合物(B−5)であることを確認した。
H−NMR(CDCl)δ(ppm)=2.33(s 6H), 7.07〜7.49(m 18H), 8.64〜8.67(d 1H)
13C−NMR(CDCl)δ(ppm)=20.51, 107.77, 109.22, 119.51, 119.89, 121.56, 121.81, 122.53, 124.69, 125.46, 125.82, 127.47, 128.19, 129.12, 129.61, 132.82, 140.89, 141.88, 144.37, 147.49
実施例1 化合物(A−2)の合成
10mLのシュレンク管に攪拌子を入れ、窒素置換した後、酢酸パラジウム 14mg(0.062mmol)、トリシクロヘキシルホスフィン 70mg(0.25mmol)、1,4−ジオキサン 1mLを加え、この溶液を窒素下にて20分間60℃で攪拌し、これを触媒溶液とした。窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた100mLの4つ口フラスコに、化合物(B−5) 1.00g(2.11mmol)、2−ジベンゾチオフェンボロン酸 0.58g(2.54mmol)、20%炭酸ナトリウム水溶液 5.0g(炭酸ナトリウムとして、1.00g(9.43mmol))、1,4−ジオキサン 15mLを加えた。室温で、この溶液に先の触媒溶液をシリンジで加え、反応溶液を100℃に加熱した。21時間後、加熱を終了し、室温まで放冷した。この反応溶液を飽和食塩水で洗浄分液し、得られた有機層を減圧濃縮して溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色粉末 1.02gを得た(収率 78%、純度 99.7%)。H−NMR及び13C−NMR分析から、得られた白色粉末は目的の化合物(A−2)であることを確認した。
H−NMR(CDCl)δ(ppm)=2.34(s 6H), 6.90〜6.98(m 1H), 7.13〜7.52(m 20H), 7.75〜8.16(m 4H), 8.45(d 1H)
13C−NMR(CDCl)δ(ppm)=20.51, 108.52, 109.27, 118.87, 120.18, 121.12, 121.24, 121.67, 121.74, 121.98, 122.16, 122.23, 122.42, 123.97, 124.65, 125.07, 125.18, 126.32, 127.64, 129.60, 132.71, 135.16, 135.31, 136.87, 137.23, 138.13, 139.37, 141.08, 141.22, 144.47, 147.32
Figure 2014028774
合成例6 化合物(C−1)の合成
窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた1L3つ口フラスコ中に、4−ブロモビフェニル 50.0g(214mmol)、アニリン 9.10g(97.5mmol)、tert−ブトキシナトリウム 22.5g(234mmol)、酢酸パラジウム 219mg(0.975mmol)、トリ−tert−ブチルホスフィン 788mg(3.90mmol)、o−キシレン 400mLを加え、140℃で20時間攪拌した。反応終了後、純水 300mLを添加して洗浄分液した。さらに、飽和食塩水で洗浄分液した後、得られた有機層を減圧濃縮して溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色粉末 33.4gを得た(収率 86%、純度 99.9%)。H−NMR及び13C−NMR分析から、得られた白色粉末は目的の化合物(C−1)であることを確認した。
H−NMR(CDCl)δ(ppm)=7.04〜7.59(m 23H)
13C−NMR(CDCl)δ(ppm)=122.67, 123.70, 124.16, 126.19, 126.35, 127.34, 128.26, 128.86, 134.89, 140.11, 146.48, 147.01
合成例7 化合物(C−2)の合成
窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた1Lの3つ口フラスコ中に、化合物(C−1) 33.0g(83.0mmol)、ジクロロメタン 150mLを加え、室温で5分間攪拌した。この溶液に、N−ブロモスクシンイミド 14.8g(83.2mmol)をジクロロメタン 450mLに溶解させた溶液を、1時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに室温で5時間攪拌した。反応終了後、反応液に純水 純水 200mLを添加して洗浄分液した。さらに、飽和食塩水で洗浄分液した後、得られた有機層を減圧濃縮して溶媒を留去した。得られた淡黄色粉末をヘキサンで洗浄し、白色粉末 34.3gを得た(収率 87%、純度 97.9%)。H−NMR及び13C−NMR分析から、得られた白色粉末は目的の化合物(C−2)であることを確認した。
H−NMR(CDCl)δ(ppm)=7.01〜7.06(m 2H), 7.14〜7.60(m 20H)
13C−NMR(CDCl)δ(ppm)=114.80, 123.92, 125.07, 126.19, 126.48, 127.47, 128.26, 131.78, 135.46, 139.92, 145.97, 146.17
合成例8 化合物(C−3)の合成
窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた300mLの4つ口フラスコ中に、化合物(C−2) 25.0g(52.5mmol)、化合物(B−2) 10.5g(52.1mmol)、炭酸カリウム 14.5g(105mmol)、酢酸パラジウム 118mg(0.53mmol)、トリ−tert−ブチルホスフィン 424mg(2.10mmol)、o−キシレン 250mL、18−クラウン−6 420mg(1.59mmol)を加え、140℃で22時間攪拌した。反応終了後、純水 100mLを添加して洗浄分液した。さらに、飽和食塩水で洗浄分液した後、得られた有機層を減圧濃縮して溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色粉末 21.5gを得た(収率 69%、純度 97.3%)。H−NMR及び13C−NMR分析から、得られた白色粉末は目的の化合物(C−3)であることを確認した。
H−NMR(CDCl)δ(ppm)=7.20〜7.62(m 28H), 8.65〜8.69(d 1H)
13C−NMR(CDCl)δ(ppm)=107.75, 109.20, 119.71, 119.98, 120.09, 121.69, 122.62, 123.79, 124.43, 125.57, 125.93, 126.26, 126.57, 127.64, 127.73, 128.33, 130.58, 135.80, 139.94, 140.78, 141.77, 146.04, 146.72
実施例2 化合物(A−5)の合成
20mLのシュレンク管に攪拌子を入れ、窒素置換した後、酢酸パラジウム 62mg(0.28mmol)、トリシクロヘキシルホスフィン 310mg(1.11mmol)、1,4−ジオキサン 2mLを加え、この溶液を窒素下にて20分間60℃で攪拌し、これを触媒溶液とした。窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた200mLの4つ口フラスコに、化合物(C−3) 5.50g(9.21mmol)、2−ジベンゾチオフェンボロン酸 2.52g(11.0mmol)、20%炭酸ナトリウム水溶液 22.0g(炭酸ナトリウムとして、4.40g(41.5mmol))、1,4−ジオキサン 80mLを加えた。室温で、この溶液に先の触媒溶液をシリンジで加え、反応溶液を100℃に加熱した。21時間後、加熱を終了し、室温まで放冷した。この反応溶液を飽和食塩水で洗浄分液し、得られた有機層を減圧濃縮して溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色粉末 4.22gを得た(収率 62%、純度 98.9%)。H−NMR及び13C−NMR分析から、得られた白色粉末は目的の化合物(A−5)であることを確認した。
H−NMR(CDCl)δ(ppm)=6.91〜6.99(m 1H), 7.22〜7.63(m 30H), 7.75〜8.16(m 4H), 8.45〜8.46(d 1H)
13C−NMR(CDCl)δ(ppm)=108.50, 109.23, 119.05, 120.31, 121.26, 121.30, 121.67, 121.83, 122.29, 122.25, 122.44, 123.94, 123.99, 124.38, 125.16, 125.27, 126.25, 126.35, 126.54, 127.62, 127.87, 128.31, 131.08, 135.16, 135.33, 135.71, 136.96, 137.18, 138.17, 139.39, 139.98, 140.95, 141.10, 146.11, 146.53
実施例3 化合物(A−19)の合成
実施例2において、2−ジベンゾチオフェンボロン酸の代わりに4−ジベンゾチオフェンボロン酸 2.52g(11.0mmol)を用いた以外は、実施例2と同様の実験操作を行って、白色粉末 4.00gを得た(収率 58%、純度 99.3%)。H−NMR及び13C−NMR分析から、得られた白色粉末は目的の化合物(A−19)であることを確認した。
H−NMR(CDCl)δ(ppm)=6.82〜6.89(m 1H), 7.00〜7.04(d 1H), 7.24〜7.72(m 32H), 8.22〜8.32(m 2H)
13C−NMR(CDCl)δ(ppm)=109.16, 109.23, 119.20, 120.28, 120.35, 120.46, 121.30, 121.80, 121.98, 122.34, 123.79, 123.94, 124.38, 125.29, 126.26, 126.54, 126.98, 127.62, 127.82, 128.31, 131.10, 134.58, 135.40, 135.55, 135.69, 139.52, 139.63, 134.00, 140.84, 141.11, 146.13, 146.48
実施例4 化合物(A−2)の三重項準位(T1)の測定
サンプルチューブ内で、化合物(A−2) 1mgと2−メチルテトラヒドロフラン 1mLをよく混合し、均一な溶液を調製した。この溶液をアルゴンガスで10分間バブリングすることによって脱気した後、このサンプルチューブを密栓することにより燐光スペクトル測定用サンプルとした。温度77K(液体窒素冷却下)で燐光スペクトルを測定したところ、得られた燐光スペクトルから算出された化合物(A−2)のT1は、2.68eVであった。
実施例5 化合物(A−5)の三重項準位(T1)の測定
実施例4において、化合物(A−2)の代わりに化合物(A−5)を用いた以外は同様の実験操作を行って燐光スペクトルを測定したところ、得られた燐光スペクトルから算出された化合物(A−5)のT1は、2.57eVであった。
実施例6 化合物(A−19)の三重項準位(T1)の測定
実施例4において、化合物(A−2)の代わりに化合物(A−19)を用いた以外は同様の実験操作を行って燐光スペクトルを測定したところ、得られた燐光スペクトルから算出された化合物(A−19)のT1は、2.57eVであった。
実施例7 化合物(A−2)の素子評価
厚さ200nmのITO透明電極を積層したガラス基板を、アセトン及び純水による超音波洗浄、イソプロピルアルコールによる煮沸洗浄した後、乾燥した。さらに、UV/オゾン処理を行い、真空蒸着装置へ設置後、1×10−4Paになるまで真空ポンプにて排気した。まず、ITO透明電極上にα−NPDを蒸着速度0.3nm/秒で蒸着し、20nmの正孔注入層とした。次に、化合物(A−2)を蒸着速度0.3nm/秒で蒸着し、30nmの正孔輸送層とした。次に、燐光ドーパント材料であるトリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(ppy))とホスト材料である4,4’−ビス(N−カルバゾリル)ビフェニル(CBP)を重量比が1:11.5となるように蒸着速度0.25nm/秒で共蒸着し、20nmの発光層とした。次に、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP)を蒸着速度0.3nm/秒で蒸着し、10nmのエキシトシンブロック層とした。次に、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯体を蒸着速度0.3nm/秒で蒸着し、30nmの電子輸送層とした。さらに、電子注入層としてフッ化リチウムを蒸着速度0.01nm/秒で0.5nm蒸着し、最後にアルミニウムを蒸着速度0.25nm/秒で100nm蒸着して陰極を形成した。窒素雰囲気下、封止用のガラス板をUV硬化樹脂で接着し、評価用の有機EL素子とした。このようにして得られた素子に、20mA/cmの電流を印加し、駆動電圧及び外部量子効率を測定した。また、素子の輝度半減時間は、6.25mA/cmの電流を印加して評価した。結果を表1に示す。
実施例8 化合物(A−5)の素子評価
実施例7において、化合物(A−2)の代わりに化合物(A−5)を用いた以外は同様の実験操作を行って、有機EL素子を作製し、実施例7と同じ条件で評価した。結果を表1に示す。
実施例9 化合物(A−19)の素子評価
実施例7において、化合物(A−2)の代わりに化合物(A−19)を用いた以外は同様の実験操作を行って、有機EL素子を作製し、実施例7と同じ条件で評価した。結果を表1に示す。
比較例1 α−NPDの素子評価
実施例7において、化合物(A−2)の代わりにα−NPDを用いた以外は同様の実験操作を行って、有機EL素子を作製し、実施例7と同じ条件で評価した。結果を表1に示す。
比較例2 比較化合物1の素子評価
実施例7において、化合物(A−2)の代わりに下記に示す比較化合物1を用いた以外は同様の実験操作を行って、有機EL素子を作製し、実施例7と同じ条件で評価した。結果を表1に示す。
なお、比較化合物1は、特開2008−120769公報の実施例に基づいて合成した。
Figure 2014028774
Figure 2014028774
本発明のカルバゾール化合物は、有機EL素子の正孔注入材料、正孔輸送材料又は発光層のホスト材料として利用可能である。
本発明のカルバゾール化合物は、従来の材料以上に高いT1を有すことから、特に燐光材料を用いた有機EL素子において極めて有用な材料となることが期待される。
さらに本発明のカルバゾール化合物は、有機EL素子又は電子写真感光体の正孔注入材料、正孔輸送材料又は発光材料としてのみでなく、光電変換素子、太陽電池、又はイメージセンサー等の有機光導電材料への分野にも応用可能である。

Claims (10)

  1. 一般式(1)
    Figure 2014028774
    (式中、
    Ar及びArは、各々独立して、炭素数6〜40のアリール基または炭素数3〜40のヘテロアリール基を表し、これらは、各々独立して、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、異なっていてもよい2個の炭素数6〜18のアリール基を結合してなるジアリールアミノ基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる1種以上の置換基を有してもよい。
    、R、R及びRは、各々独立して、水素原子、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、又は炭素数3〜40のヘテロアリール基を表す。
    Mは、炭素数6〜18の2価のアリーレン基を表し、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、及び炭素数3〜40のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1種以上の置換基を1個以上有してもよい。)
    で表されるカルバゾール化合物。
  2. 一般式(2)
    Figure 2014028774
    (式中、
    Ar及びArは、各々独立して、炭素数6〜40のアリール基または炭素数3〜40のヘテロアリール基を表し、これらは、各々独立して、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、異なっていてもよい2個の炭素数6〜18のアリール基を結合してなるジアリールアミノ基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる1種以上の置換基を有してもよい。
    、R、R、及びRは、各々独立して、水素原子、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、又は炭素数3〜40のヘテロアリール基を表す。
    Mは、炭素数6〜18の2価のアリーレン基を表し、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、及び炭素数3〜40のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1種以上の置換基を1個以上有してもよい。)
    で表される、請求項1に記載のカルバゾール化合物。
  3. 、R、R、及びRが水素原子であることを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載のカルバゾール化合物。
  4. 下記一般式(3)又は(4)
    Figure 2014028774
    (一般式(3)、(4)中、
    Ar及びArは、各々独立して、炭素数6〜40のアリール基または炭素数3〜40のヘテロアリール基を表し、これらは、各々独立して、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、異なっていてもよい2個の炭素数6〜18のアリール基を結合してなるジアリールアミノ基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる1種以上の置換基を有してもよい。
    Mは、炭素数6〜18の2価のアリーレン基を表し、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、及び炭素数3〜40のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1種以上の置換基を1個以上有してもよい。)
    で表される、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物。
  5. Mがフェニレン基又はビフェニルジイル基(これらは、各々独立して、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、及び炭素数3〜40のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1種以上の置換基を1個以上有してもよい。)であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物。
  6. Mがフェニレン基又はビフェニルジイル基であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物。
  7. Ar及びArがフェニル基、トリル基、又はビフェニリル基(これらは、各々独立して、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、異なっていてもよい2個の炭素数6〜18のアリール基を結合してなるジアリールアミノ基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる1種以上の置換基を有してもよい。)であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物。
  8. Ar及びArがフェニル基、トリル基、又はビフェニリル基であることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物。
  9. 一般式(5)で表されるカルバゾール化合物と一般式(6)で表されるボロン酸化合物を、遷移金属触媒及び塩基の存在下、反応させることを特徴とする、一般式(1)で表されるカルバゾール化合物の製造方法。
    Figure 2014028774
    (一般式(1)、(5)、(6)中、
    Ar及びArは、各々独立して、炭素数6〜40のアリール基または炭素数3〜40のヘテロアリール基を表し、これらは、各々独立して、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、異なっていてもよい2個の炭素数6〜18のアリール基を結合してなるジアリールアミノ基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる1種以上の置換基を有してもよい。
    、R、R、及びRは、各々独立して、水素原子、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、又は炭素数3〜40のヘテロアリール基を表す。
    Mは、炭素数6〜18の2価のアリーレン基を表し、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、及び炭素数3〜40のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1種以上の置換基を1個以上有してもよい。
    Yは、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表す。)
  10. 一般式(1)
    Figure 2014028774
    (式中、
    Ar及びArは、各々独立して、炭素数6〜40のアリール基または炭素数3〜40のヘテロアリール基を表し、これらは、各々独立して、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、炭素数3〜40のヘテロアリール基、異なっていてもよい2個の炭素数6〜18のアリール基を結合してなるジアリールアミノ基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる1種以上の置換基を有してもよい。
    、R、R、及びRは、各々独立して、水素原子、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、又は炭素数3〜40のヘテロアリール基を表す。
    Mは、炭素数6〜18の2価のアリーレン基を表し、メチル基、エチル基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、炭素数3〜18の直鎖、分岐、若しくは環状のアルコキシ基、シアノ基、炭素数6〜40のアリール基、炭素数6〜40のアリールオキシ基、及び炭素数3〜40のヘテロアリール基からなる群より選ばれる1種以上の置換基を1個以上有してもよい。)
    で表されるカルバゾール化合物を、発光層、正孔輸送層、及び正孔注入層のいずれか一層以上に用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016094408A (ja) * 2014-11-12 2016-05-26 ▲いく▼▲雷▼光電科技股▲分▼有限公司 複素環化合物及びその化合物を用いた有機エレクトロルミネセント装置
KR20180092885A (ko) * 2017-02-10 2018-08-20 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
CN111307991A (zh) * 2020-04-07 2020-06-19 中钢集团南京新材料研究院有限公司 一种采用高效液相色谱同时检测溴苯和咔唑化合物的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007288035A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2011019156A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-17 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
WO2011081061A1 (ja) * 2009-12-28 2011-07-07 新日鐵化学株式会社 有機電界発光素子
WO2011139055A2 (ko) * 2010-05-03 2011-11-10 제일모직 주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007288035A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2011019156A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-17 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Novel organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
WO2011081061A1 (ja) * 2009-12-28 2011-07-07 新日鐵化学株式会社 有機電界発光素子
WO2011139055A2 (ko) * 2010-05-03 2011-11-10 제일모직 주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016094408A (ja) * 2014-11-12 2016-05-26 ▲いく▼▲雷▼光電科技股▲分▼有限公司 複素環化合物及びその化合物を用いた有機エレクトロルミネセント装置
US10014480B2 (en) 2014-11-12 2018-07-03 E-Ray Optoelectronics Technology Co., Ltd. Heterocyclic compounds and organic electroluminescent devices using the same
KR20180092885A (ko) * 2017-02-10 2018-08-20 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR102029446B1 (ko) * 2017-02-10 2019-10-07 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
CN111307991A (zh) * 2020-04-07 2020-06-19 中钢集团南京新材料研究院有限公司 一种采用高效液相色谱同时检测溴苯和咔唑化合物的方法

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