JP2014027001A - 光電変換素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】結晶半導体12と、前記結晶半導体12の第1表面14に接して設けられる第1水素化アモルファス半導体膜16と、前記結晶半導体12に前記第1水素化アモルファス半導体膜16を介して設けられる第1低抵抗膜20と、を備える。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態の光電変換素子10の断面図である。光電変換素子10は、結晶半導体12と、結晶半導体12の第1表面14に一方の表面が接して設けられる第1水素化アモルファス半導体膜16と、第1水素化アモルファス半導体膜16の他方の表面18に接して設けられる複数の第1低抵抗膜20と、第1表面14と対向する結晶半導体12の第2表面22に接して設けられる電極24とを備える。電極24は、光電変換素子10から直流電流又は電圧を取り出すため、結晶半導体12とオーミック接触を有する。参照符号Hは、結晶半導体12の厚さを表す。
図3は、第2実施形態の光電変換素子30の断面図である。第1実施形態の光電変換素子10と同一の構成要素には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
図4は、第3実施形態の光電変換素子40の断面図である。第1実施形態の光電変換素子10と同一の構成要素には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
図6は、第4実施形態の光電変換素子50の断面図である。第3実施形態の光電変換素子40と同一の構成要素には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
図7は、第5実施形態の光電変換素子60の断面図である。第3実施形態の光電変換素子40と同一の構成要素には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
図8は、第6実施形態の光電変換素子70の断面図である。第1実施形態の光電変換素子10と同一の構成要素には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
図10は第7実施形態の光電変換素子70bの断面図である。第6実施形態の光電変換素子70と同一の構成要素には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
図11は、第8実施形態の光電変換素子80の断面図である。第7実施形態の光電変換素子70と同一の構成要素には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
図12は、第9実施形態の光電変換素子90の断面図である。第8実施形態の光電変換素子80と同一の構成要素には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
図13は、第10実施形態の光電変換素子100の断面図である。第8実施形態の光電変換素子80と同一の構成要素には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
図14は、第11実施形態の光電変換素子110の断面図である。第8実施形態の光電変換素子80と同一の構成要素には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
12…結晶半導体
14…第1表面
16、112…第1水素化アモルファス半導体膜
18、44、74、84…表面
20、54…第1低抵抗膜
22…第2表面
24、32…電極
26…光
28、78…間隙
34…パッシベーション膜
42、62…第1電荷保持層
52…パッシベーション膜兼反射防止膜
72、114…第2水素化アモルファス半導体膜
76…第2低抵抗膜
82、92、116…第2電荷保持層
102、122…反射防止膜
118…第3水素化アモルファス半導体膜
120…第3電荷保持層
Claims (17)
- 結晶半導体と、
前記結晶半導体の第1表面に接して設けられる第1水素化アモルファス半導体膜と、
前記結晶半導体に前記第1水素化アモルファス半導体膜を介して設けられる第1低抵抗膜と、
を備えることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1記載の光電変換素子において、
前記第1水素化アモルファス半導体膜と前記第1低抵抗膜とに接し、前記第1水素化アモルファス半導体膜と前記第1低抵抗膜との間に設けられる第1電荷保持層を備えることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1記載の光電変換素子において、
前記第1表面と対向する前記結晶半導体の第2表面に接して設けられる第2水素化アモルファス半導体膜と、
前記結晶半導体に前記第2水素化アモルファス半導体膜を介して設けられる第2低抵抗膜と、
を備え、
前記第2低抵抗膜は、前記第1低抵抗膜と仕事関数の値が異なることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項3記載の光電変換素子において、
前記第2水素化アモルファス半導体膜と前記第2低抵抗膜とに接し、前記第2水素化アモルファス半導体膜と前記第2低抵抗膜との間に設けられる第2電荷保持層を備えることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1記載の光電変換素子において、
前記第1水素化アモルファス半導体膜と前記第1低抵抗膜とに接し、前記第1水素化アモルファス半導体膜と前記第1低抵抗膜との間に設けられる第1電荷保持層と、
前記第1表面と対向する前記結晶半導体の第2表面に接して設けられる第2水素化アモルファス半導体膜と、
前記結晶半導体に前記第2水素化アモルファス半導体膜を介して設けられる第2低抵抗膜と、
前記第2水素化アモルファス半導体膜と前記第2低抵抗膜とに接し、前記第2水素化アモルファス半導体膜と前記第2低抵抗膜との間に設けられる第2電荷保持層と、
を備え、
前記第2電荷保持層の電荷は、前記第1電荷保持層の電荷と符号が異なることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1記載の光電変換素子において、
前記第1表面に接し、前記第1水素化アモルファス半導体膜と並置されて設けられる第2水素化アモルファス半導体膜と、
前記第1低抵抗膜と分離され、前記結晶半導体に前記第2水素化アモルファス半導体膜を介して設けられる第2低抵抗膜と、
を備え、
前記第2低抵抗膜は、前記第1低抵抗膜と仕事関数の値が異なることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項2記載の光電変換素子において、
前記第1表面に接し、前記第1水素化アモルファス半導体膜と並置されて設けられる第2水素化アモルファス半導体膜と、
前記第1低抵抗膜と分離され、前記結晶半導体に前記第2水素化アモルファス半導体膜を介して設けられる第2低抵抗膜と、
前記第2水素化アモルファス半導体膜と前記第2低抵抗膜とに接し、前記第2水素化アモルファス半導体膜と前記第2低抵抗膜との間に設けられる第2電荷保持層と、
を備え、
前記第2電荷保持層の電荷は、前記第1電荷保持層の電荷と符号が異なることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項6又は7記載の光電変換素子において、
前記第1水素化アモルファス半導体膜と前記第2水素化アモルファス半導体膜とは、同一材料であることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の光電変換素子において、
前記第1水素化アモルファス半導体膜には、凹部が形成され、前記第1低抵抗膜の少なくとも一部は、前記凹部の位置に対応させて設けられることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項3〜9のいずれか1項に記載の光電変換素子において、
前記第2水素化アモルファス半導体膜には、凹部が形成され、前記第2低抵抗膜の少なくとも一部は、前記凹部の位置に対応させて設けられることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1、3、4、6のいずれか1項に記載の光電変換素子において、
前記第1低抵抗膜と並置され、前記結晶半導体に前記水素化アモルファス半導体膜を介して設けられる前記第1電荷保持層を備えることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項3又は6記載の光電変換素子において、
前記第2低抵抗膜と並置され、前記結晶半導体に前記第2水素化アモルファス半導体膜を介して設けられる第2電荷保持層を備えることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1又は2記載の光電変換素子において、
前記第1低抵抗膜は、光電変換される波長の光を透過する材料又は膜厚からなることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項3又は5記載の光電変換素子において、
前記第1低抵抗膜又は前記第2低抵抗膜の少なくとも一方は、光電変換される波長の光を透過する材料又は膜厚からなることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1、2、6〜8のいずれか1項に記載の光電変換素子において、
前記結晶半導体は、前記第1表面と対向する前記結晶半導体の第2表面にパッシベーション層を備えることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項15記載の光電変換素子において、
前記パッシベーション層は、光電変換される波長の光に対する反射防止機能を兼ね備え、又は、反射防止膜を備えることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1又は2記載の光電変換素子において、
前記結晶半導体は、前記第1表面、又は、前記第1表面と対向する前記結晶半導体の第2表面にオーミック接触を有する電極を備えることを特徴とする光電変換素子。
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