JP2014022578A - 処理液供給装置及び処理液供給方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】供給配管を流通する洗浄液及びレジスト液の流通状況を正確に把握することで、洗浄液及び処理液の過度な排出を防止する。
【解決手段】フィルタを処理液供給装置から取り外した状態で、洗浄液を供給管路から供給ノズルに流通させて、供給管路、ポンプ及び供給ノズルを洗浄する洗浄工程と、洗浄工程の後に、フィルタを処理液供給装置に取り付けた状態で、レジスト液を供給管路に流通させる処理液流通工程とを備え、洗浄工程は、洗浄液の比熱に基づいて、洗浄液の供給を停止し、洗浄液を排出することで、洗浄工程を終了し、処理液流通工程で流通するレジスト液は、レジスト液の比熱に基づいて、ウエハに供給される。
【選択図】図6
【解決手段】フィルタを処理液供給装置から取り外した状態で、洗浄液を供給管路から供給ノズルに流通させて、供給管路、ポンプ及び供給ノズルを洗浄する洗浄工程と、洗浄工程の後に、フィルタを処理液供給装置に取り付けた状態で、レジスト液を供給管路に流通させる処理液流通工程とを備え、洗浄工程は、洗浄液の比熱に基づいて、洗浄液の供給を停止し、洗浄液を排出することで、洗浄工程を終了し、処理液流通工程で流通するレジスト液は、レジスト液の比熱に基づいて、ウエハに供給される。
【選択図】図6
Description
この発明は、例えば、半導体ウエハやLCDガラス基板等の被処理基板に、レジスト液等の処理液を供給する処理液供給方法及び処理液供給装置に関するものである。
一般に、半導体ウエハ等の製造工程では、半導体ウエハやLCDガラス基板等の被処理基板にレジスト膜のパターンを形成するための、フォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォトリソグラフィ技術では、被処理基板の表面(上面)にレジスト液を供給(塗布)することでレジスト膜を形成する処理液供給装置と、形成されたレジスト膜にパターンを露光する露光処理装置と、露光処理後の被処理基板に現像液を供給する現像処理装置が用いられる。
一般に、処理液供給装置は、着脱可能でありレジスト液を貯留するレジストタンクと、レジスト液を被処理基板に供給(塗布)するための供給ノズルと、レジストタンクと供給ノズルとを接続する供給管路と、処理液貯留容器の二次側の供給管路に介設され、処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタと、供給管路に介設されるポンプとを備えている。
この供給管路、供給ノズル、フィルタ、ポンプ(以下、供給管路等と記す。)は、処理液供給装置の立上げ時にはレジスト液が長時間にわたり供給されていないため、パーティクルが供給管路等に付着する場合がある。従って、処理液供給装置を立ち上げる際には、パーティクルの発生を防止するために、供給管路、供給ノズル、フィルタ、及びポンプの洗浄を行う必要がある。
供給管路等を洗浄する洗浄装置として、洗浄液を貯留する洗浄液タンクと、洗浄液タンク内の洗浄液をフィルタに圧送供給するポンプと、供給される洗浄液中のパーティクル等を除去するフィルタと、洗浄液タンク内の洗浄液を排出する排出部を備え、洗浄液タンク、排出部、ポンプ、及びフィルタを配管で連通した洗浄装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。この洗浄装置によれば、ポンプ、フィルタ及び洗浄液タンクを流通した洗浄液を排出部から排出することで、ポンプ、フィルタ、洗浄液タンク、及び配管を清浄に保つことができる。
しかしながら、特許文献1に記載される洗浄装置では、洗浄装置内を流通する洗浄液の状態を正確に把握することができないため、洗浄液を過度に排出する場合がある。そのため、特許文献1に記載される洗浄装置では、被処理基板へのレジスト液の供給の開始に時間を要し、また洗浄液や処理液の過剰な排出によるコスト増加を生じる虞がある。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、供給配管を流通する洗浄液(流体)や処理液の流通状況を正確に把握することで、流体の過度な排出を防止することのできる処理液供給方法及び処理液供給装置を提供することを目的とするものである。
上記課題を解決するために、請求項1記載の処理液供給装置は、 被処理基板に処理液を供給する供給ノズルと、 上記処理液を貯留する処理液貯留容器と、 上記供給ノズルと上記処理液貯留容器とを接続する供給管路と、 上記処理液貯留容器の二次側の供給管路に着脱可能に介設され、上記処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタと、 上記フィルタの二次側の供給管路に介設されるポンプと、 上記ポンプの二次側であって上記供給ノズルの近傍に有する比熱センサを備え、 該比熱センサで上記処理液の比熱を測定することを特徴とする。
この場合、上記比熱センサで上記供給管路を洗浄するための洗浄液の比熱をも測定することが好ましい(請求項2)。また、上記比熱センサは、上記洗浄液を乾燥させるための不活性ガスの比熱をも測定するものであってもよい(請求項3)。また、上記比熱センサは、上記処理液用の溶剤の比熱をも測定するものであってもよい(請求項4)。
請求項4記載の処理液供給装置においては、上記処理液用の溶剤は上記洗浄液と同一の液体からなることが好ましい(請求項5)。また、請求項1ないし5のいずれかに記載の処理液供給装置においては、上記比熱センサは、上記供給ノズルの近傍位置に介設される比熱センサの他に、上記ポンプの二次側であって該ポンプの近傍位置、上記ポンプの一次側であって上記フィルタの二次側、上記フィルタの一次側の少なくとも一箇所に介設されていることが好ましい(請求項6)。
請求項7記載の処理液供給装置は、請求項1ないし6のいずれかに記載の処理液供給装置において、上記供給ノズルから排出される洗浄液、処理液、溶剤の少なくとも一つの流体に含まれるパーティクルを検知するパーティクル検知装置を更に備えることを特徴とする。
請求項8記載の処理液供給方法は、 被処理基板に処理液を供給する供給ノズルと、上記処理液を貯留する処理液貯留容器と、上記供給ノズルと上記処理液貯留容器とを接続する供給管路と、上記処理液貯留容器の二次側の供給管路に着脱可能に介設され、上記処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタと、上記フィルタの二次側の供給管路に介設されるポンプと、上記ポンプの二次側であって上記供給ノズルの近傍に有する比熱センサを備え、該比熱センサで上記処理液の比熱を測定する処理液供給装置を用いた処理液供給方法であって、 上記フィルタを上記処理液供給装置から取り外した状態で、上記洗浄液を上記供給管路から上記供給ノズルに流通させて、上記供給管路、上記ポンプ及び上記供給ノズルを洗浄する洗浄工程と、 上記洗浄工程の後に、上記フィルタを上記処理液供給装置に取り付けた状態で、上記処理液を上記供給管路に流通させる処理液流通工程とを備え、 上記処理液流通工程で流通する処理液は、上記処理液の比熱に基づいて、上記被処理基板に供給されることを特徴とする。
この場合、上記洗浄工程は、上記洗浄液の比熱に基づいて、上記洗浄液の供給を停止し、上記洗浄液を排出することで、上記洗浄工程を終了することが好ましい(請求項9)。また、この場合において、上記洗浄工程の後であって上記処理液流通工程の前に、不活性ガスを上記供給管路から上記供給ノズルに流通させて上記処理液供給装置を乾燥させる乾燥工程を更に備え、記供給管路から上記供給ノズルに流通する上記不活性ガスの供給は、上記不活性ガスの比熱に基づいて停止させてもよい(請求項10)。
また、請求項11記載の処理液供給方法は、上記洗浄工程の後であって上記処理液流通工程の前に、上記処理液の溶剤を上記供給管路から上記供給ノズルに流通させる溶剤供給工程を更に備え、上記溶剤供給工程は、上記溶剤の比熱に基づいて、上記溶剤の供給を停止し、上記溶剤を排出することで、上記溶剤供給工程を終了するものであってもよい。この場合において、上記洗浄工程の後であって上記溶剤供給工程の前に、不活性ガスを上記供給管路から上記供給ノズルに流通させて上記処理液供給装置を乾燥させる乾燥工程を更に備え、記供給管路から上記供給ノズルに流通する上記不活性ガスの供給は、上記不活性ガスの比熱に基づいて停止するものであってもよい(請求項12)。
また、請求項13記載の処理液供給方法は、上記比熱センサは、上記供給ノズルの近傍位置に介設される比熱センサの他に、上記ポンプの二次側であって該ポンプの近傍位置、上記ポンプの一次側であって上記フィルタの二次側、上記フィルタの一次側の少なくとも一箇所に介設されていることを特徴とする。
また、請求項14記載の処理液供給方法は、請求項6記載の処理液供給装置を用いたもので、上記洗浄工程、溶剤流通工程、処理液流通工程の少なくとも一つの工程の後に、上記供給ノズルから排出される流体に含まれるパーティクルを検知するパーティクル検知工程を更に備えることを特徴とする。
この発明は、上記のように構成されているので、以下のような顕著な効果が得られる。
(1)請求項1〜6,8〜13に記載の発明によれば、上記のように構成されているので、洗浄工程、処理液流通工程、乾燥工程及び溶剤供給工程で供給管路を流通する流体の流通状況を正確に把握することができる。そのため、上記各工程における流体の過剰な排出を防止することができる。
(2)請求項7,14に記載の発明によれば、供給ノズルから排出される処理液中に含まれるパーティクルを検知することができるため、パーティクルが生じていないことを確認した後に、被処理基板への処理液の供給を行うことができる。そのため、パーティクルが生じている状態で被処理基板に処理液を供給することを防止することができる。
以下、この発明の実施形態について、添付図面に基づいて説明する。ここでは、この発明に係る処理液供給装置50(レジスト液処理装置)を塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。
上記塗布・現像処理装置は、図1及び図2に示すように、被処理基板であるウエハWを複数枚例えば25枚密閉収納するキャリア10を搬出入するためのキャリアステーション1と、このキャリアステーション1から取り出されたウエハWにレジスト塗布,現像処理等を施す処理部2と、ウエハWの受け渡しを行うインターフェース部3とを具備している。また、インターフェース部3には、ウエハWの表面に光を透過する液層を形成した状態でウエハWの表面を液浸露光する露光部4が接続されている。
キャリアステーション1には、キャリア10を複数個並べて載置可能な載置部11と、この載置部11から見て前方の壁面に設けられる開閉部12と、開閉部12を介してキャリア10からウエハWを取り出すための受け渡し手段A1とが設けられている。
インターフェース部3は、処理部2と露光部4との間に前後に設けられる第1の搬送室3A及び第2の搬送室3Bにて構成されており、それぞれに第1のウエハ搬送部30A及び第2のウエハ搬送部30Bが設けられている。
また、キャリアステーション1の奥側には筐体20にて周囲を囲まれる処理部2が接続されており、この処理部2には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットU1,U2,U3及び液処理ユニットU4,U5の各ユニット間のウエハWの受け渡しを行う主搬送手段A2,A3が交互に配列して設けられている。また、主搬送手段A2,A3は、キャリアステーション1から見て前後方向に配置される棚ユニットU1,U2,U3側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットU4,U5側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁21により囲まれる空間内に配置されている。また、キャリアステーション1と処理部2との間、処理部2とインターフェース部3との間には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニット22が配置されている。
棚ユニットU1,U2,U3は、液処理ユニットU4,U5にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば10段に積層した構成とされており、その組み合わせはウエハWを加熱(ベーク)する加熱ユニット(図示せず)、ウエハWを冷却する冷却ユニット(図示せず)等が含まれる。また、ウエハWに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニットU4,U5は、例えば図1に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部14の上に反射防止膜を塗布する反射防止膜塗布ユニット(BCT)23,ウエハWにレジスト液を塗布する塗布ユニット(COT)24、ウエハWに現像液を供給して現像処理する現像ユニット(DEV)25等を複数段例えば5段に積層して構成されている。
上記のように構成される塗布・現像処理装置におけるウエハの流れの一例について、図1及び図2を参照しながら簡単に説明する。まず、例えば25枚のウエハWを収納したキャリア10が載置部11に載置されると、開閉部12と共にキャリア10の蓋体が外されて受け渡し手段A1によりウエハWが取り出される。そして、ウエハWは棚ユニットU1の一段をなす受け渡しユニット(図示せず)を介して主搬送手段A2へと受け渡され、塗布処理の前処理として例えば反射防止膜形成処理、冷却処理が行われた後、塗布ユニット(COT)24にてレジスト液が塗布される。次いで、主搬送手段A2によりウエハWは棚ユニットU1〜U3の一の棚をなす加熱ユニットで加熱(ベーク処理)され、更に冷却された後棚ユニットU3の受け渡しユニットを経由してインターフェース部3へと搬入される。このインターフェース部3において、第1の搬送室3A及び第2の搬送室3Bの第1のウエハ搬送部30A及び第2のウエハ搬送部30Bによって露光部4に搬送され、ウエハWの表面に対向するように露光手段(図示せず)が配置されて露光が行われる。露光後、ウエハWは逆の経路で主搬送手段A2まで搬送され、現像ユニット(DEV)25にて現像されることでパターンが形成される。しかる後ウエハWは載置部11上に載置された元のキャリア10へと戻される。
<処理液供給装置>
次に、この発明に係る処理液供給装置50について説明する。処理液供給装置50は塗布ユニット(COT)24内に組み込まれている。
次に、この発明に係る処理液供給装置50について説明する。処理液供給装置50は塗布ユニット(COT)24内に組み込まれている。
図3に示すように、上記処理液供給装置50は、被処理基板であるウエハWに処理液であるレジスト液を供給する供給ノズル51と、レジスト液を貯留する処理液貯留容器52と、供給ノズル51と処理液貯留容器52とを接続する供給管路53と、レジスト液を濾過して異物を除去すると共に、レジスト液中に混入している気泡を除去するフィルタ54aを有するフィルタ装置54と、フィルタ54aの二次側の供給管路53に介設されるポンプ55を備える。ここで、供給管路53には、処理液貯留容器52に貯留されているレジスト液の他に、供給管路53や供給ノズル51の内部を洗浄するための洗浄液や、洗浄液を乾燥させるための不活性ガス例えば窒素ガス、レジスト液用の溶剤が流通する。
処理液供給装置50は、供給ノズル51を流通するレジスト液や洗浄液の比熱を測定する比熱センサ56を、ポンプ55の二次側であって供給ノズル51の近傍に有する。このように、比熱センサ56を供給ノズル51の近傍に有することにより、供給ノズル51により近い供給管路53でのレジスト液、洗浄液、不活性ガス、レジスト液用の溶剤の置換状況を把握することができる。
供給ノズル51は下側が開口するようにして供給管路53の先端に設けられている。この供給ノズル51は、上面にウエハWを水平に真空吸着保持し、図示しないモータにより回転運動をするスピンチャック70の上方に設けられている。
処理液貯留容器52の二次側には、処理液貯留容器52から導かれたレジスト液を一時貯留するバッファタンク59が設けられている。
供給管路53は、処理液貯留容器52とバッファタンク59とを接続する第1の流体供給管路53aと、バッファタンク59と供給ノズル51とを接続する第2の流体供給管路53bとから構成される。第1の流体供給管路53aには、処理液貯留容器52からバッファタンク59へのレジスト液の流通の有無を切り換える電磁式の開閉弁Vaが設けられている。
バッファタンク59の上側には、バッファタンク59内のレジスト液を排出するためのドレイン管60aが接続されている。また、ドレイン管60aには、バッファタンク59内のレジスト液の排出の有無を切り換える電磁式の開閉弁Vbが設けられている。
処理液貯留容器52の上部には、処理液貯留容器52と不活性ガス例えば窒素ガスの供給源57とを接続する第1の気体供給管路61aが接続されている。また、バッファタンク59の上部には、第1の気体供給管路61aを介して窒素ガスの供給源57と接続する第2の気体供給管路61bと、バッファタンク59内の窒素ガスを排気するためのドレイン管60bが接続されている。
第2の気体供給管路61bには、窒素ガスの供給源57からバッファタンク59方向のみの窒素ガスの供給を可能とする逆止弁Vc及び電磁式の開閉弁Vdが設けられている。また、ドレイン管60bには、バッファタンク59内の窒素ガスの排出の有無を切り換える電磁式の開閉弁Vdが設けられている。
フィルタ54aはフィルタ装置54に着脱可能に介設されており、このフィルタ装置54は処理液貯留容器52の二次側の第2の流体供給管路53bに介設されている。また、フィルタ装置54の上部には、フィルタ54a内の雰囲気を排気するためのドレイン管60cが接続され、このドレイン管60cに電磁式の開閉弁Veが設けられている。なお、本実施形態では、ポンプ55にダイヤフラムポンプが用いられている。
また、第2の流体供給管路53bには、フィルタ54a、ポンプ55、比熱センサ56、及び供給ノズル51から吐出されるレジストRの供給制御を行うディスペンスバルブ(AMC)62が介設されている。
図4に基づいて、フィルタ装置54の構成について説明する。フィルタ装置54は、円筒状に形成されたフィルタ54aと、フィルタ54aを囲むように保持する保持部54bと、外壁部54cとから主に構成されている。また、フィルタ54aの内周側には、循環するレジスト液が満たされる空間部54dが設けられている。フィルタ装置54の外壁部54cと保持部54bとの間には、レジスト液通路54eが設けられている。また、レジスト液通路54eの二次側はフィルタ54aを介して空間部54dと連通している。また、空間部54dの一次側及び二次側は第2の流体供給管路53bと連通し、レジスト液通路54eの二次側はドレイン管60cと連通している。また、フィルタ54aは保持部54bに対して着脱可能に形成されている。
図5Aに基づいて、比熱センサ56の構成について説明する。比熱センサ56は、第2の流体供給管路53bの内部を流通する流体を加熱するためのヒーター56aと、上記流体の温度を測定するための温度センサ56b,56cとを備えている。温度センサ56b,56cとヒーター56aは第2の流体供給管路53bの外周面に取り付けられている。また、温度センサ56bはヒーター56aの一次側に、温度センサ56cはヒーター56aの二次側にそれぞれ設けられている。
比熱センサ56の測定原理について説明する。供給管路53を流通する流体の比熱(C)は、流体に加えられた熱量(Q)を流体の質量(m)と熱量を加えられた前後での流体の温度差(ΔT)とで除することで求められる。供給管路53を流通する流体の質量は、供給管路53の流路方向の断面積と、供給管路53を流通する流体の流速と、流体の密度に基づいて求めることができる。また、流体に加えられえた熱量は、ヒーター56aの熱量から求めることができる。
図5Bに基づいて、供給管路53内の流体の温度分布と比熱センサ56の取り付け位置との関係を説明する。図5Bにおける温度分布のグラフの実線は比熱の測定開始時の供給管路53内を流通する流体の温度分布を示しており、温度分布のグラフの点線は比熱の測定開始から所定時間が経過したときの供給管路53内を流通する流体の温度分布を示している。
比熱センサ56による比熱測定の開始時では、ヒーター56aの熱は、ヒーター56aの近傍の流体には伝達されているが、温度センサ56b近傍の流体には伝達されていない。そのため、図5Bの実線で示されるように、流体の温度はヒーター56aの近傍で高くなり、温度センサ56bの近傍で低くなる。
一方、比熱センサ56による比熱の測定を一定時間行った場合には、流体管路53内の流体は供給ノズル51側に流れている。そのため、流体の温度は、ヒーター56aの二次側に設けられている温度センサ56c側で高温となり、ヒーター56aの一次側に設けられている温度センサ56b側で高温となる。
温度センサ56b,56cによる温度の測定から、供給管路53を流通する流体の温度差と流速を求めることができる。また、供給管路53の断面積と流体の密度と流体に加わる熱量についても求めることができる。供給管路53の断面積と供給管路53を流す流体の質量は予めわかっているため、温度センサ56b,56cによる温度の測定から、供給管路53を流通する流体の比熱を求めることができる。
〈処理液供給方法の第1実施形態〉
次に、図6を用いて、処理液供給装置50で用いられる処理液供給方法の一例について説明する。図6は、処理液供給装置50を用いた処理液供給工程の一例として、処理液供給装置50の立上げ時に行われる、処理液供給装置50の洗浄工程、処理液流通工程を示すフローチャートである。また、表1は、レジスト液、洗浄液、窒素ガスの比熱を示す表である。
次に、図6を用いて、処理液供給装置50で用いられる処理液供給方法の一例について説明する。図6は、処理液供給装置50を用いた処理液供給工程の一例として、処理液供給装置50の立上げ時に行われる、処理液供給装置50の洗浄工程、処理液流通工程を示すフローチャートである。また、表1は、レジスト液、洗浄液、窒素ガスの比熱を示す表である。
先ず、供給管路53に空気を供給することで、レジスト液等の液体が供給管路53、ポンプ55、フィルタ装置54、及び供給ノズル51等で構成される供給配管80から除去されている状態にする(ステップS1)。次に、比熱センサ56を用いて、供給管路53の内部を流通する空気の比熱を測定する(ステップS2)。ここで、測定した比熱が1(J/g・K)である場合には、空気を供給配管80に供給したことによりレジスト液等の液体が除去されたと考えられる。そのため、測定した比熱が1(J/g・K)であることが図示しないモニタで確認された場合には、供給配管80への空気の供給を停止する(ステップS3)。
次いで、フィルタ54aをフィルタ装置54から取り外し(ステップS4)、洗浄液であるアセトンを供給配管80に流通させることで、供給配管80の洗浄を行う(ステップS5)。次に、ステップS2と同様に、供給管路53の内部を流通するアセトンの比熱を比熱センサ56を用いて測定する(ステップS6)。ここで、測定した比熱と空気の比熱とが異なっている場合には、供給管路53にアセトンが供給されていると考えられる。そのため、測定した比熱が空気の比熱と異なっていることを確認した場合には、供給配管80へのアセトンの供給を停止し、アセトンを供給ノズル51から排出する(ステップS7)。ここで、ステップS5〜S7で示される工程が洗浄工程に相当する。
なお、本実施形態では洗浄液としてアセトンを用いているが、NMP(N―メチルー2−ピロリドン)、シクロヘキサノン、Y−ブチロラクトン等の有機溶剤を洗浄液として用いてもよい。
次いで、フィルタ54aがフィルタ装置54に取り付けられ(ステップS8)、処理液貯留装置52に貯留されているレジスト液が窒素ガスの圧送によりバッファタンク59に導入され、バッファタンク59に導入されたレジスト液が供給配管80に供給される(ステップS9)。
次いで、ステップS2と同様に、比熱センサ56を用いて、第2の流体供給管路53bの内部を流通するレジスト液の比熱を測定する(ステップS10)。ここで、測定した比熱が安定している場合には、レジスト液が供給配管80に流通し、供給配管80へのレジスト液の置換が完了していると考えられる。そのため、測定した比熱が安定していることを確認した場合には、レジスト液をウエハWに吐出する準備ができたとして、レジスト液をウエハWに吐出し、ウエハWにレジスト膜を形成する(ステップS11)。ここで、ステップS9,S10で示される工程が処理液流通工程に相当する。
なお、レジスト液としては、PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)や、PGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル)が用いられる。
このように、図6で示される処理液供給方法では、ステップS5からステップS7で供給配管80を洗浄する洗浄工程が行われ、洗浄工程において測定された洗浄液の比熱が空気の比熱と比較して大きく異なっている場合に、アセトンの供給を停止し、アセトンを供給ノズル51から排出する。また、ステップS9、ステップS10で、レジスト液を供給配管80に流通させる処理液流通工程が行われ、処理液流通工程におけるレジスト液の比熱が安定している場合に、レジスト液が供給ノズル51に供給される。
なお、ステップS1〜ステップS11に示される処理液供給方法は、ウエハWにレジスト液を塗布することでレジスト膜を形成する工程で用いられているが、この処理液供給方法はレジスト膜の上面若しくは下面に反射防止膜を形成する工程で用いてもよい。この場合においては、ステップS9〜ステップS11で用いられているレジスト液の代わりに、反射防止膜液が用いられる。
以上のように、洗浄工程及び処理液流通工程の両方で、供給管路53を流通する流体の比熱を測定することで、流体の流通状況を正確に把握することができるため、洗浄工程及び処理液流通工程における過剰な排出を防止することができる。
〈処理液供給方法の第2実施形態〉
次に、図7,図8に基づいて、処理液供給装置50で用いられる処理液供給方法の他の一例について説明する。図7,図8に示される処理液供給方法は、洗浄液を供給配管80に流通させる洗浄工程の後に、窒素ガスを供給配管80に供給することで供給配管80を乾燥させる乾燥工程を行い、その後レジスト液を供給配管80に流通させる処理液流通工程を行う点で、図6に記載されている処理液供給方法と異なっている。なお、図6に記載されている処理液供給方法と同一の内容については、図6と同一の番号を付して、説明を省略する。
次に、図7,図8に基づいて、処理液供給装置50で用いられる処理液供給方法の他の一例について説明する。図7,図8に示される処理液供給方法は、洗浄液を供給配管80に流通させる洗浄工程の後に、窒素ガスを供給配管80に供給することで供給配管80を乾燥させる乾燥工程を行い、その後レジスト液を供給配管80に流通させる処理液流通工程を行う点で、図6に記載されている処理液供給方法と異なっている。なお、図6に記載されている処理液供給方法と同一の内容については、図6と同一の番号を付して、説明を省略する。
図7に示すステップS7で、供給配管80へのアセトンの供給が停止された後、図8に示すステップS71で、供給配管80に残留しているアセトンを除去するための窒素ガスが供給配管80に供給される。次に、ステップS2と同様に、比熱センサ56を用いて、第2の流体供給管路53bの内部を流通する窒素ガスの比熱が測定される(ステップS72)。
測定された比熱が1.03(J/g・K)である場合には、窒素ガスが供給配管80に流通されているため、アセトンが乾燥し供給配管80から除去されていると考えられる。そのため、測定された比熱が1.03(J/g・K)であることを確認した場合には、窒素ガスの供給を停止する(ステップS73)。ここで、ステップS71〜S73で示される工程が乾燥工程に相当する。
このように、図7,図8で示される処理液供給方法では、ステップS5からステップS7で行われる洗浄工程と、ステップS9、ステップS10で行われる処理液流通工程との間に、ステップS71からステップS73で行われる乾燥工程が行われている。
従って、乾燥工程で供給配管80に残留するアセトン等の洗浄液を乾燥させることができるため、図6に示す処理液供給方法で得られる効果に加えて、処理液供給工程でレジスト液を供給配管80に供給する際のアセトン等の洗浄液の混入を防止することができる。
〈処理液供給方法の第3実施形態〉
次に、図9,図10に基づいて、処理液供給装置50で用いられる処理液供給方法の他の一例について説明する。図9,図10に示される処理液供給方法は、レジスト液用の溶剤(プリウェット用の溶剤)を供給管路53から供給ノズル51に流通させる溶剤供給工程を有する点で、図7,図8に記載されている処理液供給方法と異なっている。なお、図7,図8に記載されている処理液供給方法と同一の内容については、図7,図8と同一の番号を付して、説明を省略する。
次に、図9,図10に基づいて、処理液供給装置50で用いられる処理液供給方法の他の一例について説明する。図9,図10に示される処理液供給方法は、レジスト液用の溶剤(プリウェット用の溶剤)を供給管路53から供給ノズル51に流通させる溶剤供給工程を有する点で、図7,図8に記載されている処理液供給方法と異なっている。なお、図7,図8に記載されている処理液供給方法と同一の内容については、図7,図8と同一の番号を付して、説明を省略する。
ステップS72において測定された比熱が1.03(J/g・K)であることを確認し、ステップS73において窒素ガスの供給を停止した後に、フィルタ54aがフィルタ装置54に取り付けられる(ステップS8)。次いで、プリウェット用の溶剤が供給配管80に供給される(ステップS81)。
次に、ステップS2と同様に比熱センサ56を用いて、第2の流体供給管路53bの内部を流通するプリウェット用の溶剤の比熱が測定される(ステップS82)。測定された比熱が安定している場合には、プリウェット用の溶剤が第2の流体供給管路53bに流通されていると考えられる。そのため、測定された比熱が安定している場合には、供給配管80への溶剤の供給を停止し、溶剤を供給ノズル51から排出する(ステップS83)。ここで、ステップS81〜S83で示される工程が溶剤供給工程に相当する。
なお、プリウェット用の溶剤としては、アセトン、NMP、シクロヘキサノン、Y−ブチロラクトン等の有機溶剤がある。また、ステップS5からステップS7で用いられる洗浄液とステップS81からステップS83で用いられる溶剤は、同一の液体であっても、異なる液体であってもよい。
このように、図9,図10で示される処理液供給方法は、ステップS81からステップS83で行われる溶剤供給工程を有しており、溶剤供給工程において測定される洗浄液の比熱が安定している場合に、洗浄液の供給を停止し、洗浄液を供給ノズル51から排出する。従って、プリウェットを行う場合であっても、図7,図8に示す処理液供給方法で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
また、図9,図10で示される処理液供給方法において、ステップS71からステップS73で行われる乾燥工程を行わない場合であっても、ステップS7で行われる洗浄液の供給の停止及び排出の後に、フィルタ54aをフィルタ装置54に取り付けて(ステップS8)、ステップS81からステップS83で行われる溶剤供給工程を行うことにより、図5,図6に示す処理液供給方法で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
〈比熱センサを複数使用した場合〉
以上のように、図5から図10に基づいて、1つの比熱センサ56を第2の流体供給管路53に取り付けた処理液供給装置50に基づく処理液供給方法を説明したが、この比熱センサ56は処理液要求装置50に複数取り付けられているものであってもよい。一例として、図11に示すように、比熱センサ56a〜56dは、ポンプ55の二次側であって供給ノズル51の近傍位置の他に、ポンプ55の二次側であってポンプ55の近傍位置、ポンプ55の一次側であってフィルタ装置54の二次側、フィルタ装置54の一次側に取り付けられていてもよい。
以上のように、図5から図10に基づいて、1つの比熱センサ56を第2の流体供給管路53に取り付けた処理液供給装置50に基づく処理液供給方法を説明したが、この比熱センサ56は処理液要求装置50に複数取り付けられているものであってもよい。一例として、図11に示すように、比熱センサ56a〜56dは、ポンプ55の二次側であって供給ノズル51の近傍位置の他に、ポンプ55の二次側であってポンプ55の近傍位置、ポンプ55の一次側であってフィルタ装置54の二次側、フィルタ装置54の一次側に取り付けられていてもよい。
このように、複数の比熱センサ56を処理液供給装置50に取り付けることにより、ポンプ55の二次側、フィルタ54aの二次側での処理液、窒素ガス、レジスト液の置換状態を把握することが可能となる。そのため、レジスト液の置換に掛かる時間を短縮することが可能となり、レジスト液の過剰な供給を防止することが可能となる。なお、これらの比熱センサ56は全て取り付けられる必要はなく、少なくとも一箇所に取り付けられていればよい。
〈パーティクル検知工程〉
次に、図12に基づいて、レジスト液中に含まれるパーティクルを検知するパーティクル検知装置及びパーティクル検知工程について説明する。
次に、図12に基づいて、レジスト液中に含まれるパーティクルを検知するパーティクル検知装置及びパーティクル検知工程について説明する。
図12に示すように、パーティクル検知装置90は、下方に載置されているテスト基板Tに光を照射する光源91と、光源91からテスト基板Tに進行する光を透過しテスト基板Tにより反射されて上方に進行する光を水平方向に反射するハーフミラー92と、テスト基板Tに付着するパーティクルを撮像するCCDカメラ93を備えている。
パーティクル検知装置90は塗布ユニット(COT)24とは別の図示しないユニットに設けられている。パーティクル検知工程は、図6に示すステップS6において洗浄液の比熱を測定した後に行われる。ステップS6において洗浄液の比熱を測定した後、テスト基板Tの上面に洗浄液が吐出され、洗浄液の塗布されたテスト基板Tが光源91の下側に載置される。次いで、光源91からの光Lがテスト基板Tの上面に照射される。照射された光Lは、テスト基板Tによって反射され、さらにハーフミラー92によって方向を変えて、CCDカメラ93に入射する。従って、テスト基板Tの上面がCCDカメラ93に撮像され、図示しないモニタによりテスト基板Tの上面に付着するパーティクルを確認することができる。
パーティクル検知装置90によるパーティクルの検知、すなわちパーティクル検知工程は、ステップS6において洗浄液の比熱を測定した後に行われる。ただし、ステップS81からステップS83に示されるプリウェット工程が行われる場合には、ステップS82においてプリウェット用の溶剤の比熱を測定した後にパーティクル検知工程を行ってもよい。また、ステップS6,ステップS82でパーティクル検知工程を行わない場合でも、ステップS10においてレジスト液の比熱を測定した後にパーティクル検知工程を行ってもよい。
このように、処理液供給装置50にパーティクル検知装置90が設けられ、洗浄工程、溶剤供給工程、処理液流通工程のいずれかの工程の後にパーティクル検知工程が行われるため、パーティクルが生じていないことを確認した後に、ウエハWへのレジスト液の供給を行うことができる。そのため、パーティクルが生じている状態でウエハWにレジスト液を供給することを防止することができる。
51 供給ノズル
52 処理液貯留容器
53 供給管路
54 フィルタ
55 ポンプ
56 比熱センサ
90 パーティクル検知装置
W ウエハ(被処理基板)
52 処理液貯留容器
53 供給管路
54 フィルタ
55 ポンプ
56 比熱センサ
90 パーティクル検知装置
W ウエハ(被処理基板)
Claims (14)
- 被処理基板に処理液を供給する供給ノズルと、
上記処理液を貯留する処理液貯留容器と、
上記供給ノズルと上記処理液貯留容器とを接続する供給管路と、
上記処理液貯留容器の二次側の供給管路に着脱可能に介設され、上記処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタと、
上記フィルタの二次側の供給管路に介設されるポンプと、
上記ポンプの二次側であって上記供給ノズルの近傍に有する比熱センサを備え、
該比熱センサで上記処理液の比熱を測定することを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項1記載の処理液供給装置において、
上記比熱センサで上記供給管路を洗浄するための洗浄液の比熱をも測定することを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項1又は2に記載の処理液供給装置において、
上記比熱センサで、上記洗浄液を乾燥させるための不活性ガスの比熱をも測定することを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の処理液供給装置において、
上記比熱センサで、上記処理液用の溶剤の比熱をも測定することを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項4に記載の処理液供給装置において、
上記処理液用の溶剤は上記洗浄液と同一の液体からなることを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の処理液供給装置において、
上記比熱センサは、上記供給ノズルの近傍位置に介設される比熱センサの他に、上記ポンプの二次側であって該ポンプの近傍位置、上記ポンプの一次側であって上記フィルタの二次側、上記フィルタの一次側の少なくとも一箇所に介設されていることを特徴とする処理液供給装置。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の処理液供給装置において、
上記供給ノズルから排出される洗浄液、処理液、溶剤の少なくとも一つの流体に含まれるパーティクルを検知するパーティクル検知装置を更に備えることを特徴とする処理液供給装置。 - 被処理基板に処理液を供給する供給ノズルと、上記処理液を貯留する処理液貯留容器と、上記供給ノズルと上記処理液貯留容器とを接続する供給管路と、上記処理液貯留容器の二次側の供給管路に着脱可能に介設され、上記処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタと、上記フィルタの二次側の供給管路に介設されるポンプと、上記ポンプの二次側であって上記供給ノズルの近傍に有する比熱センサを備え、該比熱センサで上記処理液の比熱を測定する処理液供給装置を用いた処理液供給方法であって、
上記フィルタを上記処理液供給装置から取り外した状態で、上記洗浄液を上記供給管路から上記供給ノズルに流通させて、上記供給管路、上記ポンプ及び上記供給ノズルを洗浄する洗浄工程と、
上記洗浄工程の後に、上記フィルタを上記処理液供給装置に取り付けた状態で、上記処理液を上記供給管路に流通させる処理液流通工程とを備え、
上記処理液流通工程で流通する処理液は、上記処理液の比熱に基づいて、上記被処理基板に供給されることを特徴とする処理液供給方法。 - 請求項8記載の処理液供給方法において、
上記洗浄工程は、上記洗浄液の比熱に基づいて、上記洗浄液の供給を停止し、上記洗浄液を排出することで、上記洗浄工程を終了することを特徴とする処理液供給方法。 - 請求項8又は9記載の処理液供給方法において、
上記洗浄工程の後であって上記処理液流通工程の前に、不活性ガスを上記供給管路から上記供給ノズルに流通させて上記処理液供給装置を乾燥させる乾燥工程を更に備え、
記供給管路から上記供給ノズルに流通する上記不活性ガスの供給は、上記不活性ガスの比熱に基づいて停止することを特徴とする処理液供給方法。 - 請求項8又は9に記載の処理液供給方法において、
上記洗浄工程の後であって上記処理液流通工程の前に、上記処理液の溶剤を上記供給管路から上記供給ノズルに流通させる溶剤供給工程を更に備え、
上記溶剤供給工程は、上記溶剤の比熱に基づいて、上記溶剤の供給を停止し、上記溶剤を排出することで、上記溶剤供給工程を終了することを特徴とする処理液供給方法。 - 請求項11記載の処理液供給方法において、
上記洗浄工程の後であって上記溶剤供給工程の前に、不活性ガスを上記供給管路から上記供給ノズルに流通させて上記処理液供給装置を乾燥させる乾燥工程を更に備え、
上記供給管路から上記供給ノズルに流通する上記不活性ガスの供給は、上記不活性ガスの比熱に基づいて停止することを特徴とする処理液供給方法。 - 請求項8ないし12のいずれかに記載の処理液供給方法において、
上記比熱センサは、上記供給ノズルの近傍位置に介設される比熱センサの他に、上記ポンプの二次側であって該ポンプの近傍位置、上記ポンプの一次側であって上記フィルタの二次側、上記フィルタの一次側の少なくとも一箇所に介設されていることを特徴とする処理液供給方法。 - 請求項8ないし13のいずれかに記載の処理液供給方法において、
上記洗浄工程、溶剤流通工程、処理液流通工程の少なくとも一つの工程の後に、上記供給ノズルから排出される流体に含まれるパーティクルを検知するパーティクル検知工程を更に備えることを特徴とする処理液供給方法。
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