JP2014022028A - サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブ - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、配線領域の増大化を抑制し、高周波信号の帯域幅を広く保持しながら差動インピーダンスを低減することが可能であり、さらに厚みを小さくできるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することを目的とするものである。
【解決手段】 サスペンション用基板の構成を、第１の絶縁層の一方の面の上にインターリーブ配線構造を構成する第１の配線群を形成し、前記第１の絶縁層の他方の面の上にインターリーブ配線構造を構成する第２の配線群と金属支持基板を形成し、前記第１の配線群の各配線が、前記第１の絶縁層を介して同位相の電気信号が伝送される前記第２の配線群の各配線と対向するように、前記第１の配線群と前記第２の配線群を配置した構成とすることにより、上記課題を解決する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、主に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられ、データが記憶されるディスクに対してデータの書き込み、および、読み取りを行う磁気ヘッドスライダが実装されるサスペンション用基板に関するものである。

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。

一般に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データが記憶されるディスクに対してデータの書き込み、および読み取りを行う磁気ヘッドスライダが実装されるサスペンション用基板を備えている。
このサスペンション用基板は、一般に、バネ性を有する金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された配線と、を有している。

ここで、上記の各配線の幾つか（例えば、書込配線や読込配線）においては、差動伝送により電気信号の伝送が行われ、一対の配線間には、分布定数回路としての差動伝送路の特性インピーダンスである差動インピーダンスが存在する。この差動インピーダンスは、磁気ヘッドやプリアンプの低インピーダンス化に伴い、インピーダンスマッチングの観点から、低インピーダンス化することが要求されている。

この差動インピーダンスを低減することが可能な配線構造として、第１の電気信号を伝送する配線と、前記第１の電気信号とは逆位相となる第２の電気信号を伝送する配線からなる一対の差動配線を、２以上の配線に分岐させ、第１の電気信号を伝送する配線と、前記第１の電気信号とは逆位相となる第２の電気信号を伝送する配線を、それぞれ平面的に交互配列させた配線構造（インターリーブ配線構造）が提案されている（例えば、特許文献１）。

上述のようなインターリーブ配線構造をサスペンション用基板に形成する方法として、例えば、図９（ａ）に示すように、金属支持基板１１１Ａの上に形成された第１の絶縁層１１２の上に、互いに電気的に接続された複数の第１信号配線（例えば１１３ａ、１１３ｃ）と、前記第１信号配線とは電気的に独立し、互いに電気的に接続された複数の第２信号配線（例えば１１３ｂ、１１３ｄ）とを、を平面的に交互配列し、これらの配線（１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄ）の上に第２の絶縁層１１６を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献２）。
なお、前記第１信号配線と前記第２信号配線は一対の差動配線を構成し、前記第１信号配線に伝送される電気信号（第１の電気信号）と前記第２信号配線に伝送される電気信号（第２の電気信号）とは互いに逆位相の関係になる。

ただし、図９（ａ）に示す構成では、配線１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄと、その下の金属支持基板１１１Ａとが、誘導もしくは容量性結合を形成してしまうため、配線１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄに電気信号（特に高周波信号）が伝送されると、導電性の低い金属支持基板１１１Ａにも電流が発生して、伝送ロスが大きくなるという問題がある。
そのため、図９（ｂ）に示すように、平面視において配線１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄと重なる部分の金属支持基板を除去して開口部１１５を設け、上記の誘導もしくは容量性結合を低減させる方法も提案されている（例えば、特許文献３）。

図１０は、図９（ａ）または（ｂ）に示すサスペンション用基板のインターリーブ配線の回路構成を示す説明図である。
図１０に示すように、インターリーブ配線構造１３０は、接続端子１３１ａと接続端子１３１ｃを電気的に接続する第１信号配線、および、接続端子１３１ｂと接続端子１３１ｄを電気的に接続する第２信号配線で構成される一対の差動配線からなり、前記第１信号配線は、分岐点１３２ａで配線１１３ａと配線１１３ｃに分岐し、同様に、前記第２信号配線は、分岐点１３２ｂで配線１１３ｂと配線１１３ｄに分岐し、分岐した各配線は互いに逆位相の電気信号が伝送される配線が隣になるように、図面の左端から１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄの順で並列配設されている。
そして、同位相の電気信号が伝送される配線１１３ａ、１１３ｃは、それぞれ、前記第２の絶縁層１１４に設けた接続ビア１３３ａ、１３３ｂを経由して接続線１３４ａで電気的に接続されており、同様に、配線１１３ｂ、１１３ｄは、接続ビア１３３ｃ、１３３ｄを経由して接続線１３４ｂで電気的に接続されている。

特開平１０−１２４８３７号公報 特開２０１０−１１４３６６号公報 特開２０１１−７６６４５号公報

上述のような構成を有するサスペンション基板において、さらなる低インピーダンス化に対応するためには、例えば、インターリーブ配線構造を構成する配線の本数を増やす方法や、インターリーブ配線構造を構成する配線の厚みを大きくする方法が挙げられる。
しかしながら、平面的に配線本数を増やす方法では、配線群が占める領域が大きくなることから好ましくない。例えば、配線群が占める領域が大きくなると、上述の伝送ロスを抑制するために配線群の下に設ける金属支持基板の開口部も大きくなることから、物理的強度の点でも問題が生じる。
一方、配線の厚みを大きくする方法では、配線間のスペース幅に対して配線の厚みが大きくなり、アスペクト比の高い加工が必要になることから、製造上困難性が増すという問題がある。

ここで、上記のインターリーブ配線構造においては、例えば図９（ａ）または（ｂ）に示す例のように、互いに逆位相となる配線の側面を対向させることで、配線間の容量性結合を形成している。それゆえ、低インピーダンス化には、例えば、上記のように配線の厚みを大きくすること、すなわち、配線の対向する面の面積を大きくすることが効果的になる。
そこで、例えば図１１に示すように、第２の絶縁層２１６を介して互いに逆位相となる配線２１３ａと配線２１３ｂを積層し、各配線の上下面（上層の配線の底面と下層の配線の上面）を対向させて容量性結合を形成し、差動インピーダンスを低減する方法も考えられる。

このような方法であれば、配線の側面で容量性結合を形成する場合よりも、対向する面の面積を大きくすること（すなわち、配線幅を大きくすること）も、対向する面の距離を小さくすること（すなわち、配線間の絶縁層の厚みを小さくすること）も、技術的に容易である。
しかしながら、上記のように互いに逆位相となる電気信号が伝送される配線を、絶縁層を介して積層した構成では、サスペンション基板の全体の厚みを小さくするために配線間の絶縁層を薄膜にすると、上下の逆位相の配線の相互作用により高周波特性が劣化してしまうという問題（より詳しくは、伝送特性の帯域幅が狭くなってしまうという問題）が生じることが判明した。

また、サスペンション基板が金属支持基板の上に前記第１の絶縁層２１２を有しており、その第１の絶縁層２１２上に、上記のような配線２１３ａ／第２の絶縁層２１６／配線２１３ｂを順次積層した構成を有する場合には、前記サスペンション基板の厚みが大きくなるという問題がある。

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、配線領域が増大化することを抑制しつつ、高周波信号の帯域幅を広く保持しながら、差動インピーダンスを低減することが可能であり、さらに、厚みを小さくできるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することを目的とする。

本発明者は種々研究した結果、サスペンション用基板の構成を、第１の絶縁層の一方の面の上にインターリーブ配線構造を構成する第１の配線群を形成し、前記第１の絶縁層の他方の面の上にインターリーブ配線構造を構成する第２の配線群と金属支持基板を形成し、前記第１の配線群の各配線が、前記第１の絶縁層を介して同位相の電気信号が伝送される前記第２の配線群の各配線と対向するように、前記第１の配線群と前記第２の配線群を配置した構成とすることで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。

すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、金属支持基板と、前記金属支持基板の一方の面の上に形成された第１の絶縁層と、を有するサスペンション用基板であって、前記第１の絶縁層のうち、前記金属支持基板の開口部から露出する領域において、前記金属支持基板とは反対側の面の上に第１の配線群が形成され、前記金属支持基板側の面の上に第２の配線群が形成され、前記第１の配線群および前記第２の配線群は、互いに電気的に接続された複数の第１信号配線と、前記第１信号配線とは電気的に独立し、互いに電気的に接続された複数の第２信号配線とを、平面的に交互配列させてそれぞれ有し、前記第１の配線群の前記第１信号配線と前記第２の配線群の前記第１信号配線とが前記第１の絶縁層を介して対向し、前記第１の配線群の前記第２信号配線と前記第２の配線群の前記第２信号配線とが前記第１の絶縁層を介して対向するように、前記第１の配線群と前記第２の配線群が配置されていることを特徴とするサスペンション用基板である。

また、本発明の請求項２に係る発明は、前記第２の配線群を構成する各配線の前記第1の絶縁層とは反対側の面の厚さ方向の位置が、前記金属支持基板の前記第1の絶縁層側の面の厚さ方向の位置と、前記金属支持基板の前記第1の絶縁層とは反対側の面の厚さ方向の位置との間にあることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板である。

また、本発明の請求項３に係る発明は、前記第１の配線群側の前記第１の絶縁層の面の上、および、前記第１の配線群の各配線の上に、前記第１の配線群の各配線を覆うように第２の絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板である。

また、本発明の請求項４に係る発明は、前記第２の配線群側の前記第１の絶縁層の面の上、および、前記第２の配線群の各配線の上に、前記第２の配線群の各配線を覆うように第３の絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のサスペンション用基板である。

また、本発明の請求項５に係る発明は、前記第３の絶縁層の前記第１の絶縁層とは反対側の面の厚さ方向の位置が、前記金属支持基板の前記第１の絶縁層側の面の厚さ方向の位置と、前記金属支持基板の前記第１の絶縁層とは反対側の面の厚さ方向の位置との間にあることを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板である。

また、本発明の請求項６に係る発明は、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のサスペンション用基板と、ロードビームとを含むことを特徴とするサスペンションである。

また、本発明の請求項７に係る発明は、請求項６に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンションである。

また、本発明の請求項８に係る発明は、請求項７に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブである。

本発明のサスペンション用基板においては、配線領域が増大化することを抑制しつつ、高周波信号の帯域幅を広く保持しながら、差動インピーダンスを低減することができ、さらに、厚みを小さくすることができる。
そして、本発明のサスペンション用基板を用いることで、低インピーダンスでありながら、高周波信号の帯域幅が広く、信頼性の高いサスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブを得ることができる。

本発明に係るサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。 図１における領域ＲのＡ−Ａ断面図である 本発明に係るサスペンション用基板の他の例を示す概略断面図である。 本発明に係るサスペンション用基板のインターリーブ配線の回路構成の一例を示す説明図である。 本発明に係るサスペンション用基板の製造方法の一例を示す模式的工程図である。 本発明に係るサスペンションの一例を示す概略平面図である。 本発明に係るヘッド付サスペンションの一例を示す概略平面図である。 本発明に係るハードディスクドライブの一例を示す概略斜視図である。 従来のサスペンション用基板の構成例を示す概略断面図である。 図９に示すサスペンション用基板のインターリーブ配線の回路構成を示す説明図である。 一対の差動配線を積層した構成例を示す概略断面図である。 実施例１におけるサスペンション用基板の構成を説明する概略断面図である。 比較例１におけるサスペンション用基板の構成を説明する概略断面図である。 実施例２におけるサスペンション用基板の構成を説明する概略断面図である。 比較例２におけるサスペンション用基板の構成を説明する概略断面図である。

以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブについて詳細に説明する。

［サスペンション用基板］
まず、本発明に係るサスペンション用基板の平面構成について説明する。
図１は、本発明に係るサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。
図１に示すように、本実施形態のサスペンション用基板１は、先端部分に磁気ヘッドスライダを実装するためのタング部２を有し、テール側端部に外部の読取回路または書込回路と接続するための接続端子部３を有し、タング部２と接続端子部３との間に、前記磁気ヘッドと書込回路とを電気的に接続するための書込配線を含む配線群４と、前記磁気ヘッドと読取回路とを電気的に接続する読取配線を含む配線群５を有するものである。

ここで、書込配線を含む配線群４と読取配線を含む配線群５は、相互の電気的な影響を極力避けるため、および、サスペンション用基板の力学的平衡を保つため、各々、サスペンション用基板の長手方向の両外縁に沿うように配設されている。

なお、図１における書込配線を含む配線群４と読取配線を含む配線群５の配置関係は、一例であって、他の配置関係であっても構わない。例えば、図１における書込配線を含む配線群４の位置に、読取配線を含む配線群５が配設され、読取配線を含む配線群５の位置に、書込配線を含む配線群４が配設されていても良い。

次に、本発明に係るサスペンション用基板の断面構成について説明する。
図２は、本発明に係るサスペンション用基板の構成例を示す断面図であり、図１における領域ＲのＡ−Ａ断面図である。ここで、図２（ａ）は、インターリーブ配線構造を構成する第１の配線群および第２の配線群が、各々４本の配線で構成されている例を示し、図２（ｂ）は、前記第１の配線群および前記第２の配線群が、各々６本の配線で構成されている例を示す。

本発明に係るサスペンション用基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の一方の面の上に形成された第１の絶縁層と、を有するサスペンション用基板であって、前記第１の絶縁層のうち、前記金属支持基板の開口部から露出する領域において、前記金属支持基板とは反対側の面の上に第１の配線群が形成され、前記金属支持基板側の面の上に第２の配線群が形成され、前記第１の配線群および前記第２の配線群は、互いに電気的に接続された複数の第１信号配線と、前記第１信号配線とは電気的に独立し、互いに電気的に接続された複数の第２信号配線とを、平面的に交互配列させてそれぞれ有し、前記第１の配線群の前記第１信号配線と前記第２の配線群の前記第１信号配線とが前記第１の絶縁層を介して対向し、前記第１の配線群の前記第２信号配線と前記第２の配線群の前記第２信号配線とが前記第１の絶縁層を介して対向するように、前記第１の配線群と前記第２の配線群が配置されている構成を有するものである。

例えば、図２（ａ）に示すように、本実施形態のサスペンション用基板１０は、金属支持基板１１と、前記金属支持基板１１の一方の面の上に形成された第１の絶縁層１２と、を有しており、前記第１の絶縁層１２のうち、前記金属支持基板１１の開口部１５から露出する領域において、前記金属支持基板１１とは反対側の面の上に第１の配線群（配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ）が形成されており、前記金属支持基板１１側の面の上に第２の配線群（配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ）が形成されている。

ここで、前記第１の配線群は、互いに電気的に接続された複数の第１信号配線（例えば、１３ａ、１３ｃ）と、前記第１信号配線とは電気的に独立し、互いに電気的に接続された複数の第２信号配線（例えば、１３ｂ、１３ｄ）とを、平面的に交互配列させて有しており、同様に、前記第２の配線群は、互いに電気的に接続された複数の第１信号配線（例えば、１４ａ、１４ｃ）と、前記第１信号配線とは電気的に独立し、互いに電気的に接続された複数の第２信号配線（例えば、１４ｂ、１４ｄ）とを、平面的に交互配列させて有している。

そして、前記第１の配線群の前記第１信号配線（例えば、１３ａ、１３ｃ）と前記第２の配線群の前記第１信号配線（例えば、１４ａ、１４ｃ）とが前記第１の絶縁層１２を介して対向し、前記第１の配線群の前記第２信号配線（例えば、１３ｂ、１３ｄ）と前記第２の配線群の前記第２信号配線（例えば、１４ｂ、１４ｄ）とが前記第１の絶縁層１２を介して対向するように、前記第１の配線群と前記第２の配線群が配置されている。

すなわち、前記第１の配線群および前記第２の配線群は、それぞれ上述のインターリーブ配線構造を構成しており、前記第１の配線群の各配線（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ）と、前記第２の配線群の各配線（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ）との配置関係は、同位相の電気信号が伝送される配線同士が第１の絶縁層１２を介して対向するようになっている。

なお、煩雑となるのを避けるため図示はしていないが、配線１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄと第１の絶縁層１２の間には、前記配線を電解めっき形成するためのシード層が、設けられていても良い。また、同様に、配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄと第１の絶縁層１２の間には、前記配線を電解めっき形成するためのシード層が、設けられていても良い。

このような構成を有しているため、本発明に係るサスペンション用基板は、配線領域が増大化することを抑制しつつ、高周波信号の帯域幅を広く保持しながら、差動インピーダンスを低減することができ、さらに、厚みを小さくでき、かつ、絶縁層等の収縮による反りの発生を抑制することができる。

より詳しく説明すると、まず、本発明においては、第２の配線群が第１の配線群の下に第１の絶縁層１２を介して対向するように形成されているため、平面視において両配線群の占める領域は、第１の配線群のみが形成されている場合と同じである。
すなわち、第２の配線群を形成することによって、インターリーブ配線構造を構成する配線の本数は２倍に増加されるが、配線群が占める領域は増大化せず、第１の配線群のみが形成されている場合と同程度にできる。

次に、帯域幅について説明する。上述のように、本発明における前記第１の配線群の各配線（例えば、図２（ａ）に示す形態における１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ）と、前記第２の配線群の各配線（例えば、図２（ａ）に示す形態における１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ）との配置関係は、同位相の電気信号が伝送される配線同士が第１の絶縁層１２を介して対向するようになっている。
それゆえ、サスペンション基板の厚みを小さくするために両配線群の間の第１の絶縁層１２を薄膜にしても、上下の各配線の相互作用により高周波特性が劣化してしまうという問題（より詳しくは、伝送特性の帯域幅が狭くなってしまうという問題）を抑制することができる。

次に、差動インピーダンスについて説明する。本発明においては、第２の配線群を形成することによって、インターリーブ配線構造を構成する配線の本数は、第１の配線群のみが形成されている場合に比べて２倍（配線総数は８本）に増加されている。それゆえ、本発明においては、前記第１の配線群を平面的に２つ配置した形態（配線総数は８本）と同じ程度に、差動インピーダンスを低減することができる。

次に、厚みについて説明する。
本発明に係るサスペンション用基板においては、上述のように、前記第１の絶縁層のうち、前記金属支持基板の開口部から露出する領域において、前記金属支持基板とは反対側の面の上に第１の配線群が形成され、前記金属支持基板側の面の上に第２の配線群が形成されているため、金属支持基板の一方の面に絶縁層を介した２層の積層配線群を有する構成のサスペンション用基板に比べて厚みを小さくすることができる。

また、本発明に係るサスペンション用基板においては、前記第２の配線群を構成する各配線の前記第１の絶縁層とは反対側の面の厚さ方向の位置が、前記金属支持基板の前記第１の絶縁層側の面の厚さ方向の位置と、前記金属支持基板の前記第１の絶縁層とは反対側の面の厚さ方向の位置との間にあることが好ましい。
このような構成を有していれば、厚み方向において、前記第２の配線群を構成する各配線が前記金属支持基板の前記第１の絶縁層とは反対側の面よりも突出することはなく、本実施形態のサスペンション用基板は、絶縁層を介して第１の配線群と第２の配線群を積層する構成を有しながらも、前記第１の配線群のみが形成されている場合と同等の小さな厚みにすることができるからである。

なお、本発明における「金属支持基板の開口部」とは、本発明に係るサスペンション用基板において前記金属支持基板を構成する物質が除去された部分を指し、前記金属支持基板の開口部の形態としては、例えば、図２（ａ）に示す形態のように、前記第１の配線群が占める領域の下側の前記金属支持基板を構成する物質が除去されて前記第２の配線群の左右両側に金属支持基板１１が存在する形態（すなわち、開口部１５の両端に金属支持基板１１が形成されている形態）の他に、前記第２の配線群の左右いずれか片側にしか金属支持基板１１が存在しない形態も含まれる。

ただし、サスペンション用基板の物理的強度を保持するには、図２（ａ）に示す形態のように、開口部１５の両端に金属支持基板１１が形成されている形態であることが好ましい。この場合、開口部１５は、前記第１の配線群が占める領域の幅よりも大きな開口幅を有する。
なお、上記の「前記第１の配線群が占める領域の幅」とは、前記第１の配線群の長手方向に垂直な方向の長さであって、例えば、図２（ａ）においては、図面上配線１３ａの左端から配線１３ｄの右端までの長さを指す。
例えば、図２（ａ）に示す形態において、開口部１５は、図面上配線１３ａの左端から配線１３ｄの右端までの長さに、間隔ＬＳ１０ａおよび間隔ＬＳ１０ｂの長さを加えた開口幅を有している。
上記の間隔ＬＳ１０ａおよび間隔ＬＳ１０ｂは、それぞれ独立であり、第１の配線群および第２の配線群の各配線における高周波信号の伝送ロスが大きくなることを抑制することができる距離であれば良く、例えば、１０μｍ以上であることが好ましい。

また、図２（ａ）に示す形態において、開口部１５の開口幅は、前記第１の配線群を平面的に２つ配置した形態の配線群（配線総数は８本）が占める領域の幅よりも小さな開口幅とすることが好ましい。
例えば、前記第１の配線群を平面的に２つ配置した形態（配線総数は８本）においては、金属支持基板に設ける開口部の幅も、高周波信号の伝送ロスが大きくなることを抑制するために、前記第１の配線群を平面的に２つ配置した形態の配線群（配線総数は８本）が占める領域の幅よりも大きくする必要がある。
一方、本実施形態においては、上述のように、前記第１の配線群の下に第１の絶縁層１２を介して前記第２の配線群が対向するように形成されているため、金属支持基板１１に設ける開口部１７は、前記第１の配線群が占める領域の幅よりも大きな開口幅を有していればよく、この開口幅を、前記第１の配線群を平面的に２つ配置した形態の配線群（配線総数は８本）が占める領域の幅よりも小さな開口幅とすることで、前記第１の配線群を平面的に２つ配置した形態（配線総数は８本）よりもサスペンション用基板の物理的強度を高めることができるからである。

次に、反りについて説明する。
例えば、上記の図１１に示したような積層配線構成を、金属支持基板の一方の面の上に有するようなサスペンション用基板においては、絶縁層等の収縮によって反りが発生しやすいという問題がある。
これに対し、本発明においては、前記第１の絶縁層のうち、前記金属支持基板の開口部から露出する領域において、前記金属支持基板とは反対側の面の上に第１の配線群が形成され、前記金属支持基板側の面の上に第２の配線群が形成された構成を有しているため、前記第１の配線群と前記第２の配線群は前記第１の絶縁層を介して上下対称に形成されており、サスペンション用基板に反りが発生することを抑制することが可能である。

また、本発明においては、図３（ａ）に示す形態のように、第１の配線群側の第１の絶縁層１２の面の上、および、前記第１の配線群の各配線（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ）の上に、前記第１の配線群の各配線を覆うように第２の絶縁層１６が形成されていることが好ましい。
第１の配線群を構成する各配線を、第２の絶縁層１６で被覆することにより、各配線の腐食等による劣化を防止することができるからである。また、第１の配線群を構成する各配線間の隙間を第２の絶縁層１６で埋めることにより、各配線間の容量性結合の容量をより大きくできるからである。

同様に、本発明においては、図３（ａ）に示す形態のように、前記第２の配線群側の前記第１の絶縁層１２の面の上、および、前記第２の配線群の各配線（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ）の上に、前記第２の配線群の各配線を覆うように第３の絶縁層１７が形成されていることが好ましい。
第２の配線群を構成する各配線を、第３の絶縁層１７で被覆することにより、各配線の腐食等による劣化を防止することができるからである。また、第２の配線群を構成する各配線間の隙間を第３の絶縁層１７で埋めることにより、各配線間の容量性結合の容量をより大きくできるからである。

ここで、上記の実施形態においては、前記第３の絶縁層の前記第１の絶縁層とは反対側の面の厚さ方向の位置が、前記金属支持基板の前記第１の絶縁層側の面の厚さ方向の位置と、前記金属支持基板の前記第１の絶縁層とは反対側の面の厚さ方向の位置との間にあることが好ましい。
このような構成であれば、厚み方向において、前記第３の絶縁層が前記金属支持基板の前記第１の絶縁層とは反対側の面よりも突出することはなく、本実施形態のサスペンション用基板は、前記第３の絶縁層を有しながらも、前記第３の絶縁層が形成されていない場合と同等の小さな厚みにすることができるからである。

なお、本発明に係るサスペンション用基板は、前記第２の絶縁層または前記第３の絶縁層のいずれか一方のみを有する形態であっても良いが、図３（ａ）に示す形態のように、前記第２の絶縁層および前記第３の絶縁層の両方を有する形態であることがより好ましい。
上記のような形態であれば、第１の絶縁層の両面に絶縁層が形成されることになるため、前記第２の絶縁層および前記第３の絶縁層の寸法（幅および厚さ）を適宜選択することで、上記の配線保護や容量性結合の効果に加えて、サスペンション用基板に反りが発生することを抑制する効果も奏するからである。

また、本発明において、前記第１の配線群を構成する配線の本数、および、前記第２の配線群を構成する配線の本数は、各４本に限らず４本より多い本数であっても良い。ただし、各配線群を構成する各配線の厚さ方向の配置関係は、同位相の電気信号が伝送される配線同士が、前記第１の絶縁層を介して対向するように配置する。

例えば、前記第１の配線群および前記第２の配線群を構成する配線の本数を、各々６本とする場合は、図２（ｂ）に示すように、第１の絶縁層１２の一方の面（金属支持基板１１側とは反対側の面）の上に６本の配線（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅ、２３ｆ）を有する第１の配線群を形成し、第１の絶縁層１２の他方の面（金属支持基板１１側の面）の上に６本の配線（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅ、２４ｆ）を有する第２の配線群を形成する。
そして、各配線の配置関係については、前記第１の配線群の前記第１信号配線（例えば、２３ａ、２３ｃ、２３ｅ）と前記第２の配線群の前記第１信号配線（例えば、２４ａ、２４ｃ、２４ｅ）とが第１の絶縁層１２を介して対向し、前記第１の配線群の前記第２信号配線（例えば、２３ｂ、２３ｄ、２３ｆ）と前記第２の配線群の前記第２信号配線（例えば、２４ｂ、２４ｄ、２４ｆ）とが第１の絶縁層１２を介して対向するように配置する。

次に、本発明に係るサスペンション用基板のインターリーブ配線の回路構成について説明する。なお、煩雑となるのを避けるため、ここでは、前記第１の配線群および前記第２の配線群を構成する配線の本数を各々６本とする場合の回路構成についてのみ説明する。
図４は、図２（ｂ）に示すサスペンション用基板２０のインターリーブ配線の回路構成を示す説明図である。なお、図４において、図面上、左側に位置する交互配列の配線群が第１の配線群を示し、右側に位置する交互配列の配線群が第２の配線群を示す。
図４に示すように、サスペンション用基板２０におけるインターリーブ配線構造３０は、接続端子３１ａと接続端子３１ｃを電気的に接続する第１信号配線、および、接続端子３１ｂと接続端子３１ｄを電気的に接続する第２信号配線で構成される一対の差動配線からなる。

ここで、従来のインターリーブ配線構造は単層構造であったのに対し、本発明においては積層構造であるため、各差動配線は、まず、層間接続ビアを経由して上層および下層の配線群（すなわち、第１および第２の配線群）に分岐される。
例えば、図４に示すように、接続端子３１ａからの電気信号（第１の電気信号）は、第１の配線群に伝送されるだけでなく、層間接続ビア３５ａ内の層間接続線３６ａを経由して、第２の配線群にも伝送される。そして、第２の配線群に伝送された接続端子３１ａからの電気信号（第１の電気信号）は、層間接続ビア３５ｃ内の層間接続線３６ｃを経由して、接続端子３１ｃに伝送される。
同様に、接続端子３１ｂからの電気信号（第２の電気信号）も、第１の配線群に伝送されるだけでなく、層間接続ビア３５ｂ内の層間接続線３６ｂを経由して、第２の配線群にも伝送される。そして、第２の配線群に伝送された接続端子３１ｂからの電気信号（第２の電気信号）は、層間接続ビア３５ｄ内の層間接続線３６ｄを経由して、接続端子３１ｄに伝送される。

次に、上層および下層の配線群（すなわち、第１および第２の配線群）の回路構成について説明する。
図４に示すように、第１の配線群（図面上左側の配線群）において、前記第１信号配線は、分岐点３２ａで配線２３ａ、２３ｃ、２３ｅに分岐し、同様に、前記第２信号配線は、分岐点３２ｂで配線２３ｂ、２３ｄ、２３ｆに分岐し、分岐した各配線は互いに逆位相の電気信号が伝送される配線が隣になるように、図面の左端から２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅ、２３ｆの順で並列配設されている。
そして、同位相の電気信号が伝送される配線２３ａ、２３ｃ、２３ｅは、それぞれ、接続ビア３３ａ、３３ｂ、３３ｃを経由して接続線３４ａで接続されており、同様に、配線２３ｂ、２３ｄ、２３ｆは、接続ビア３３ｄ、３３ｅ、３３ｆを経由して接続線３４ｂで接続されている。

本実施形態において、例えば、前記接続ビア３３ｇ、３３ｈ、３３ｉ、および、前記接続ビア３３ｊ、３３ｋ、３３ｌは、前記第２の絶縁層１６に形成され、前記接続線３４ｃおよび前記接続線３４ｄは、前記第２の絶縁層１６の上に形成される構成とすることができる。なお、上記の構成は例示であって、電気的に同等に接続されていれば、特に限定されるものではない。

次に、第２の配線群（図面上右側の配線群）について説明すると、前記第１信号配線は、分岐点３２ｃで配線２４ａ、２４ｃ、２４ｅに分岐し、同様に、前記第２信号配線は、分岐点３２ｄで配線２４ｂ、２４ｄ、２４ｆに分岐し、分岐した各配線は互いに逆位相の電気信号が伝送される配線が隣になるように、図面の左端から２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅ、２４ｆの順で並列配設されている。
そして、同位相の電気信号が伝送される配線２４ａ、２４ｃ、２４ｅは、それぞれ、接続ビア３３ｇ、３３ｈ、３３ｉを経由して接続線３４ｃで接続されており、同様に、配線２４ｂ、２４ｄ、２４ｆは、接続ビア３３ｊ、３３ｋ、３３ｌを経由して接続線３４ｄで接続されている。

本実施形態において、例えば、前記接続ビア３３ｇ、３３ｈ、３３ｉ、および、前記接続ビア３３ｊ、３３ｋ、３３ｌは、前記第３の絶縁層１７に形成され、前記接続線３４ｃおよび前記接続線３４ｄは、前記第３の絶縁層１７の上に形成される構成とすることができる。なお、上記の構成は例示であって、電気的に同等に接続されていれば、特に限定されるものではない。

次に、本発明のサスペンション用基板を構成する各部材について説明する。

［金属支持基板］
金属支持基板の材料としては、サスペンション用基板の支持体として機能し、所望のばね性を有するものであれば、特に限定されるものではないが、例えばステンレス鋼を挙げることができる。
金属支持基板の厚さは、例えば、１０μｍ〜３０μｍの範囲内、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。

［第１の絶縁層］
第１の絶縁層の材料としては、所望の絶縁性や誘電率を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド等を挙げることができる。また、第１の絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。第１の絶縁層の厚さは、例えば、５μｍ〜３０μｍの範囲内である。

［配線］
配線の材料としては、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。各配線は、露出する場合、その表面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）による保護めっき層が形成されていても良い。

配線の厚さとしては、例えば、３μｍ〜１８μｍの範囲内、中でも４μｍ〜１５μｍの範囲内であることが好ましい。配線の厚さが小さすぎると、充分な低インピーダンス化を図ることができない可能性があり、配線の厚さが大きすぎると、サスペンション用基板の剛性が高くなり過ぎる可能性があるからである。

配線の線幅としては、例えば、１０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。配線の線幅が小さすぎると、所望の導電性を得ることができない可能性があり、配線の線幅が大きすぎると、サスペンション用基板の充分な高密度化を図ることができない可能性があるからである。本発明において、第１の配線群を構成する各配線と第２の配線群を構成する各配線とは、それぞれ配線の線幅は異なっていても良いが、線幅が同一であることが好ましい。

また同一平面での配線間の距離は、例えば１０μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。この距離が小さすぎると、高い加工精度を要求し、コストアップ等を招くことになるため好ましくなく、一方、この距離が大きすぎると、サスペンション用基板の充分な高密度化を図ることができない可能性があるからである。

［第２の絶縁層および第３の絶縁層］
腐食等による劣化を防止するため、第１の配線群を構成する各配線は、第２の絶縁層で覆われていることが好ましい。また、第１の配線群を構成する各配線の隙間を第２の絶縁層で埋めることにより、各配線間の容量性結合の容量をより大きくすることもできる。また、同様に、第２の配線群を構成する各配線は、第３の絶縁層で覆われていることが好ましい。
第２の絶縁層および第３の絶縁層の材料としては、例えばポリイミド等を挙げることができる。また、第２の絶縁層および第３の絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。
第２の絶縁層の厚さは、例えば、第１の配線群を構成する各配線の上で４μｍ〜３０μｍの範囲内である。
同様に、第３の絶縁層の厚さは、例えば、第２の配線群を構成する各配線の上で４μｍ〜３０μｍの範囲内である。

［サスペンション用基板の製造方法］
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。なお、煩雑となるのを避けるため、ここでは、前記第１の配線群および前記第２の配線群を構成する配線の本数を各々６本とする場合について説明する。なお、本発明のサスペンション用基板の製造方法は、上述した構成を有するサスペンション用基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。

図５は、本発明に係るサスペンション用基板の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
本実施形態に係るサスペンション用基板２０、２０ａを製造するには、まず、図５（ａ）に示すように、金属支持基板材１１Ａの上に、第１の絶縁層１２、導電層１３Ａが順次積層された積層体を準備し、ドライフィルムレジストを用いたフォト製版およびエッチング等の従前公知の方法により、導電層１３Ａを加工して第１の配線群を構成する配線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅ、２３ｆを形成する（図５（ｂ））。
次に、前記金属支持基板材１１Ａをエッチングして、前記第１の配線群の下に開口部１５を有する金属支持基板１１を形成する（図５（ｃ））。
次に、ドライフィルムレジストを用いたフォト製版および電解めっき法等の従前公知の方法により、開口部１５において露出する前記第１の絶縁層１２の面の上に、第２の配線群を構成する配線２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅ、２４ｆを形成し、本発明に係るサスペンション用基板２０を得る（図５（ｄ））。
さらに、前記第１の配線群を被覆するように第２の絶縁層１６を形成し、前記第２の配線群を被覆するように第３の絶縁層１７を形成して、本発明に係るサスペンション用基板２０ａを得る（図５（ｆ））。

なお、煩雑となるのを避けるため図示はしないが、本発明においては、例えば、上記の図４に示した層間接続ビア３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、および層間接続線３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄを、第１の絶縁層１２に形成することができる。
ここで、前記層間接続ビア３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄは、それぞれ前記層間接続線３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄと一体となってビアを形成していても良い。

また、同様に図示はしないが、本発明においては、例えば、上記の図４に示した接続ビア３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、および、接続ビア３３ｄ、３３ｅ、３３ｆを第２の絶縁層１６に形成し、接続線３４ｃおよび接続線３４ｄを前記第２の絶縁層１６の上に形成することができる。

また、同様に、例えば、上記の図４に示した接続ビア３３ｇ、３３ｈ、３３ｉ、および、接続ビア３３ｊ、３３ｋ、３３ｌを第３の絶縁層１７に形成し、接続線３４ｃおよび接続線３４ｄを前記第３の絶縁層１７の上（第１の絶縁層１２側とは反対側の面の上）に形成することができる。

［サスペンション］
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述した本発明に係るサスペンション用基板と、ロードビームとを含むことを特徴とするものである。

図６は、本発明に係るサスペンションの一例を示す概略平面図である。図６に示されるサスペンション５０は、上述したサスペンション用基板１と、サスペンション用基板１の裏面側（金属支持基板１１側）に備え付けられたロードビーム５１、及びベースプレート（図示せず）とを有するものである。ロードビーム、及びベースプレートは、一般的なサスペンションに用いられるロードビーム、ベースプレートと同様のものを用いることができる。

本発明においては、上述した本発明に係るサスペンション用基板を用いることで、低インピーダンスでありながら、高周波信号の帯域幅が広く、信頼性の高いサスペンションとすることができる。

［ヘッド付サスペンション］
次に、本発明のヘッド付サスペンションについて説明する。本発明のヘッド付サスペンションは、上述した本発明に係るサスペンションと、該サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有するものである。

図７は、本発明に係るヘッド付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図７に示されるヘッド付サスペンション６０は、上述したサスペンション５０と、サスペンション５０のタング部２に実装された磁気ヘッドスライダ６１とを有するものである。

なお、サスペンション５０については、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、磁気ヘッドスライダ６１は、一般的なヘッド付サスペンションに用いられる磁気ヘッドスライダと同様のものを用いることができる。

本発明によれば、上述した本発明に係るサスペンション用基板を用いることで、低インピーダンスでありながら、高周波信号の帯域幅が広く、信頼性の高いヘッド付サスペンションとすることができる。

［ハードディスクドライブ］
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した本発明に係るヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするものである。

図８は、本発明に係るハードディスクドライブの一例を示す概略斜視図である。
図８に示されるハードディスクドライブ７０は、ケース７１と、このケース７１に回転自在に取り付けられ、データが記憶されるディスク７２と、このディスク７２を回転させるスピンドルモータ７３と、ディスク７２に所望のフライングハイトを保って近接するように設けられ、ディスク７２に対してデータの書き込みおよび読み込みを行うスライダを含むヘッド付サスペンション６０とを有している。このうちヘッド付サスペンション６０は、ケース７１に対して移動自在に取り付けられ、ケース７１にはヘッド付サスペンション６０のスライダをディスク７２上に沿って移動させるボイスコイルモータ７４が取り付けられている。また、ヘッド付サスペンション６０は、ボイスコイルモータ７４にアーム７５を介して取り付けられている。

なお、ヘッド付サスペンションについては、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。

本発明によれば、上述した本発明に係るヘッド付サスペンションを用いることで、より高機能化され、信頼性の高いハードディスクドライブとすることができる。

以上、本発明に係るサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブについて説明してきたが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。

第１の絶縁層の両面にそれぞれインターリーブ配線構造を有する構成の本発明に係るサスペンション用基板と、第１の絶縁層の片面（金属支持基板側とは反対側の面）のみにインターリーブ配線構造を有する構成（単層配線構成）の従来のサスペンション用基板について、目標とする差動インピーダンスを３０Ωと２０Ωの２種に設定し、配線群が占める領域の面積が同じ程度になる条件で、シミュレーションにより、配線の厚み、配線の幅、隣接する各配線間の幅を最適化し、その最適化した構成における配線長４０ｍｍにおける−３ｄＢ帯域幅を算出した。
なお、実施例１、２および比較例１、２のいずれにおいても、各絶縁層には比誘電率３．０のポリイミドを用い、第１の絶縁層の厚さは１０μｍとした。また、各配線の材料にはいずれも銅を用いた。
結果は以下の通りである。

（実施例１）
図１２に示す構成の本発明に係るサスペンション用基板１０において、目標とする差動インピーダンスを３０Ωとしてシミュレーションした結果、以下の条件において得られた配線長４０ｍｍにおける−３ｄＢ帯域幅は９．０ＧＨｚであった。なお、得られた差動インピーダンスの値は３１．１Ωであった。
＜シミュレーション条件＞
第１の配線群（配線１３ａ〜１３ｄ、４本）：
いずれも厚み５μｍ、幅（Ｗ１）２３μｍ、各配線間の幅（Ｓ１）１７μｍ
第２の配線群（配線１４ａ〜１４ｄ、４本）：
いずれも厚み５μｍ、幅（Ｗ１）２３μｍ、各配線間の幅（Ｓ１）１７μｍ
第２の絶縁層１６：配線上の厚み（Ｄ１１）５μｍ
第３の絶縁層１７：配線上の厚み（Ｄ１２）５μｍ
金属支持基板１１の開口端部と第１の配線群との間隔：
間隔ＬＳ１０ａ、ＬＳ１０ｂいずれも３５μｍ

（比較例１）
図１３に示す構成の従来のサスペンション用基板１２０において、目標とする差動インピーダンスを３０Ωとしてシミュレーションした結果、以下の条件において得られた配線長４０ｍｍにおける−３ｄＢ帯域幅は７．７ＧＨｚであった。なお、得られた差動インピーダンスの値は３１．８Ωであった。
＜シミュレーション条件＞
配線１１３ａ〜１１３ｄ（４本）：
いずれも厚み１０μｍ、幅（Ｗ２）２８μｍ、各配線間の幅（Ｓ２）１２μｍ
第２の絶縁層１１６：配線上の厚み（Ｄ２）５μｍ
金属支持基板１１１の開口端部と配線群との間隔：
間隔ＬＳ１２０ａ、ＬＳ１２０ｂいずれも３５μｍ

（実施例２）
図１４に示す構成の本発明に係るサスペンション用基板２０において、目標とする差動インピーダンスを２０Ωとしてシミュレーションした結果、以下の条件において得られた配線長４０ｍｍにおける−３ｄＢ帯域幅は７．０ＧＨｚであった。なお、得られた差動インピーダンスの値は１９．２Ωであった。
＜シミュレーション条件＞
第１の配線群（配線２３ａ〜２３ｆ、６本）：
いずれも厚み５μｍ、幅（Ｗ３）２３μｍ、各配線間の幅（Ｓ３）１７μｍ
第２の配線群（配線２４ａ〜２４ｆ、６本）：
いずれも厚み５μｍ、幅（Ｗ３）２３μｍ、各配線間の幅（Ｓ３）１７μｍ
第２の絶縁層１６：配線上の厚み（Ｄ３１）５μｍ
第３の絶縁層１７：配線上の厚み（Ｄ３２）５μｍ
金属支持基板１１１の開口端部と配線群との間隔：
間隔ＬＳ２０ａ、ＬＳ２０ｂいずれも３５μｍ

（比較例２）
図１５に示す構成の従来のサスペンション用基板１４０において、目標とする差動インピーダンスを２０Ωとしてシミュレーションした結果、以下の条件において得られた配線長４０ｍｍにおける−３ｄＢ帯域幅は５．９ＧＨｚであった。なお、得られた差動インピーダンスの値は１９．７Ωであった。
＜シミュレーション条件＞
配線１２３ａ〜１２３ｆ（６本）：
いずれも厚み１０μｍ、幅（Ｗ４）２８μｍ、各配線間の幅（Ｓ４）１２μｍ
第２の絶縁層１１６：配線上の厚み（Ｄ４）５μｍ
金属支持基板１１１の開口端部と配線群との間隔：
間隔ＬＳ１４０ａ、ＬＳ１４０ｂいずれも３５μｍ

上記の結果について、説明する。
まず、要求される差動インピーダンスが３０Ωの場合は、従来の４本の配線からなるインターリーブ配線構造を第１絶縁層の片側のみに有する構成（単層配線構成）でも達成可能であった。
しかしながら、比較例１に示すように、各配線間の幅（Ｓ２）が１２μｍであるのに対し配線の厚みは１０μｍと実施例１の２倍になり、アスペクト比の高い加工が必要になることから製造には困難性を伴い、得られる帯域幅も７．7ＧＨｚと実施例１より劣る結果になった。
一方、本発明のように、第１の絶縁層の両面にそれぞれインターリーブ配線構造を有し、上層（第１の配線群）の各第１信号配線と下層（第２の配線群）の各第１信号配線とがそれぞれ第１の絶縁層を介して対向し、上層（第１の配線群）の第２信号配線と下層（第２の配線群）の第２信号配線とがそれぞれ第１の絶縁層を介して対向するように配置された構成であれば、実施例１に示すように、配線領域が比較例１とほぼ同じであっても、各配線間の幅（Ｓ１）が１７μｍであるのに対し配線の厚みは５μｍと比較例１の１／２で済むため、製造上の困難性の問題を解消できる。さらに、得られる帯域幅も９．０ＧＨｚと広い値を保持でき、比較例１に優る結果であった。
また、厚みについても、比較例１では第１の絶縁層１１２の厚み（１０μｍ）、配線（例えば１１３ａ）の厚み（１０μｍ）、および第２の絶縁層１１６の配線上の厚みＤ２（５μｍ）の合計が２５μｍになるのに対し、実施例１では第１の絶縁層１２の厚み（１０μｍ）、配線（例えば１３ａ）の厚み（５μｍ）、および第２の絶縁層１６の配線上の厚みＤ１１（５μｍ）の合計が２０μｍとなり、実施例１のサスペンション用基板１０は比較例１のサスペンション用基板１２０よりも厚みを小さくすることができた。

次に、要求される差動インピーダンスが２０Ωの場合は、従来の４本の配線からなるインターリーブ配線構造を第１絶縁層の片面のみに有する構成（単層配線構成）では達成困難であり、例えば６本の配線が必要であった。
しかしながら、比較例２に示すように、各配線間の幅（Ｓ４）が１２μｍであるのに対し配線の厚みは１０μｍと実施例２の２倍の値になり、アスペクト比の高い加工が必要になることから製造には困難性を伴い、得られる帯域幅も５．９ＧＨｚと実施例２より劣る結果になった。
一方、本発明のように、第１の絶縁層の両面にそれぞれインターリーブ配線構造を有し、上層（第１の配線群）の各第１信号配線と下層（第２の配線群）の各第１信号配線とがそれぞれ第１の絶縁層を介して対向し、上層（第１の配線群）の第２信号配線と下層（第２の配線群）の第２信号配線とがそれぞれ第１の絶縁層を介して対向するように配置された構成であれば、実施例２に示すように、配線領域が比較例２とほぼ同じであっても、各配線間の幅（Ｓ３）が１７μｍであるのに対し配線の厚みは５μｍと比較例１の１／２で済むため、製造上の困難性の問題を解消できる。さらに、得られる帯域幅も７．０ＧＨｚと広い値を保持でき、比較例２に優る結果であった。
また、厚みについても、比較例２では第１の絶縁層１１２の厚み（１０μｍ）、配線（例えば１２３ａ）の厚み（１０μｍ）、および第２の絶縁層１１６の配線上の厚みＤ４（５μｍ）の合計が２５μｍになるのに対し、実施例２では第１の絶縁層１２の厚み（１０μｍ）、配線（例えば２３ａ）の厚み（５μｍ）、および第２の絶縁層１６の配線上の厚みＤ３１（５μｍ）の合計が２０μｍとなり、実施例２のサスペンション用基板２０は比較例２のサスペンション用基板１４０よりも厚みを小さくすることができた。

１、１０、１０ａ、２０、２０ａ・・・サスペンション用基板
２・・・タング部
３・・・接続端子部
４、５・・・配線群
１１・・・金属支持基板
１１Ａ・・・金属支持基板材
１２・・・第１の絶縁層
１３Ａ・・・導電層
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ・・・配線
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ・・・配線
１５・・・開口部
１６・・・第２の絶縁層
１７・・・第３の絶縁層
２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、２３ｅ、２３ｆ・・・配線
２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅ、２４ｆ・・・配線
３０・・・インターリーブ配線構造
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ・・・接続端子
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ・・・分岐点
３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３３ｅ、３３ｆ・・・接続ビア
３３ｇ、３３ｈ、３３ｉ、３３ｊ、３３ｋ、３３ｌ・・・接続ビア
３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ・・・接続線
３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ・・・層間接続ビア
３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄ・・・層間接続線
５０・・・サスペンション
５１・・・ロードビーム
６０・・・ヘッド付サスペンション
６１・・・磁気ヘッドスライダ
７０・・・ハードディスクドライブ
７１・・・ケース
７２・・・ディスク
７３・・・スピンドルモータ
７４・・・ボイスコイルモータ
７５・・・アーム
１１０、１２０、１４０・・・サスペンション用基板
１１１、１１１Ａ・・・金属支持基板
１１２・・・第１の絶縁層
１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄ・・・配線
１１５・・・開口部
１１６・・・第２の絶縁層
１３０・・・インターリーブ配線構造
１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄ・・・接続端子
１３２ａ、１３２ｂ・・・分岐点
１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃ、１３３ｄ・・・接続ビア
１３４ａ、１３４ｂ・・・接続線
２００・・・積層配線構造
２１２・・・第１の絶縁層
２１３ａ、２１３ｂ・・・配線
２１６・・・第２の絶縁層
２１７・・・第３の絶縁層

Claims (8)

1. 金属支持基板と、
   前記金属支持基板の一方の面の上に形成された第１の絶縁層と、
   を有するサスペンション用基板であって、
   前記第1の絶縁層のうち、前記金属支持基板の開口部から露出する領域において、
   前記金属支持基板とは反対側の面の上に第１の配線群が形成され、
   前記金属支持基板側の面の上に第２の配線群が形成され、
   前記第１の配線群および前記第２の配線群は、互いに電気的に接続された複数の第１信号配線と、前記第1信号配線とは電気的に独立し、互いに電気的に接続された複数の第２信号配線とを、平面的に交互配列させてそれぞれ有し、
   前記第1の配線群の前記第１信号配線と前記第２の配線群の前記第１信号配線とが前記第１の絶縁層を介して対向し、前記第１の配線群の前記第２信号配線と前記第２の配線群の前記第２信号配線とが前記第１の絶縁層を介して対向するように、前記第１の配線群と前記第２の配線群が配置されていることを特徴とするサスペンション用基板。
2. 前記第２の配線群を構成する各配線の前記第1の絶縁層とは反対側の面の厚さ方向の位置が、前記金属支持基板の前記第1の絶縁層側の面の厚さ方向の位置と、前記金属支持基板の前記第1の絶縁層とは反対側の面の厚さ方向の位置との間にあることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
3. 前記第１の配線群側の前記第１の絶縁層の面の上、および、前記第１の配線群の各配線の上に、前記第１の配線群の各配線を覆うように第２の絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
4. 前記第２の配線群側の前記第１の絶縁層の面の上、および、前記第２の配線群の各配線の上に、前記第２の配線群の各配線を覆うように第３の絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のサスペンション用基板。
5. 前記第３の絶縁層の前記第１の絶縁層とは反対側の面の厚さ方向の位置が、前記金属支持基板の前記第１の絶縁層側の面の厚さ方向の位置と、前記金属支持基板の前記第１の絶縁層とは反対側の面の厚さ方向の位置との間にあることを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のサスペンション用基板と、ロードビームとを含むことを特徴とするサスペンション。
7. 請求項６に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンション。
8. 請求項７に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
   

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