JP2014021267A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】平面ベタで形成された画素電極の上に層間絶縁膜介してコモン電極を形成したIPS方式の液晶表示装置において、画面を斜め方向から見た場合の混色を軽減する。
【解決手段】TFT基板側のコモン電極110と、対向基板側のオーバーコート膜203との間に液晶層300が形成されている。青画素(B)と赤画素(R)との間の画素間コモン電極1011の厚さは、画素内のコモン電極110の厚さよりも大きい。点灯している青画素(B)を通過して赤画素(R)を通過する光は、青画素(B)と赤画素(R)の境界を含む領域に形成された厚さの厚いコモン電極1011を通過するので、透過率が低下し、青に対する赤の混色の度合いを低下させることが出来る。一方、画素間コモン電極1101に対応する対向基板にはブラックマトリクス202が形成されているので、正面輝度の低下は防止することが出来る。
【選択図】図1
【解決手段】TFT基板側のコモン電極110と、対向基板側のオーバーコート膜203との間に液晶層300が形成されている。青画素(B)と赤画素(R)との間の画素間コモン電極1011の厚さは、画素内のコモン電極110の厚さよりも大きい。点灯している青画素(B)を通過して赤画素(R)を通過する光は、青画素(B)と赤画素(R)の境界を含む領域に形成された厚さの厚いコモン電極1011を通過するので、透過率が低下し、青に対する赤の混色の度合いを低下させることが出来る。一方、画素間コモン電極1101に対応する対向基板にはブラックマトリクス202が形成されているので、正面輝度の低下は防止することが出来る。
【選択図】図1
Description
本発明は表示装置に係り、特に視野角特性が優れ、かつ、斜めから見ても混色の少ない横電界方式の液晶表示装置に関する。
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ(TFT)等を有する画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、TFT基板に対向して、TFT基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、TFT基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やDSC(Digital Still Camera)等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるIPS(In Plane Switching)方式が優れた特性を有している。
IPS方式も種々存在するが、例えば、コモン電極または画素電極を平面ベタで形成し、その上に、絶縁膜を挟んで櫛歯状の画素電極またはコモン電極を配置し、画素電極とコモン電極の間に発生する電界によって液晶分子を回転させる方式、いわゆるIPS−PRO方式が比較的、透過率を大きくすることが出来るので、現在主流となっている。
「特許文献1」には、コモン電極を平面ベタで形成し、その上に絶縁膜を挟んで櫛歯状の画素電極を配置する構成において、液晶表示パネルの透過率を向上させる構成が記載されている。「特許文献2」には、画素電極を平面ベタで形成し、その上に絶縁膜を挟んで櫛歯状のコモン電極を記載した構成において、映像信号線とコモン電極との容量を小さくするために、映像信号線の上方に凸状の有機膜を形成する構成が記載されている。
画素ピッチが小さくなると、画面を斜めから見た場合に、隣りの画素の一部が見えるために、混色を生ずるという問題が生ずる。画素ピッチが大きいときは、混色は目立たないが、高精細になって画素ピッチが小さくなると混色の問題が顕著になる。
IPS―PRO方式においても、平面ベタで画素電極を形成し、その上を層間絶縁膜で覆い、その上に櫛歯状のコモン電極を配置する構成は、画素電極とTFTのソース電極を接続するスルーホールの径を小さくできること、スルーホールの近傍あるいはスルーホールの中にまで、有効領域を形成すること等が可能なので、透過率が優れている。これをコモントップのIPSと称するが、本発明は、このコモントップのIPSにおいて、混色の問題を対策する構成を与えるものである。
図15は、IPS方式の液晶表示装置における、TFT基板の一部断面図である。図15は、有機パッシベーション膜109の上に平面ベタで矩形状に画素電極112を形成し、その上に層間絶縁膜111を形成し、その上にスリット1102を有するコモン電極110を配置した構成である。図15において、画素電極112に映像信号が加わると、コモン電極110と画素電極112との間に発生する電気力線によって、コモン電極110の上方に位置する液晶分子が回転し、液晶層を透過する光の量を制御することによって画像が形成される。
図16は、図15を上が側から見た平面図である。図16においては、最上層のコモン電極110のみが記載されている。コモン電極110の下には、平面ベタの画素電極が形成されているが、図面が複雑化するのを避けるために図16においては、画素電極は省略されている。
図16において、図示しない画素電極に電圧が印加されると、コモン電極110の表面から液晶層側に電気力線が発生し、この電気力線は、スリット1102を通して下層の画素電極に向かう。この電気力線によって液晶が回転し、液晶層の透過率が制御される。
図17はこのようなIPS構造において、混色が発生するメカニズムを記載した断面模式図である。図17において、TFT基板側の層間絶縁膜111の上にコモン電極110が形成されている。コモン電極は画素内のコモン電極110と画素と画素の間の画素間コモン電極1101とから構成されており、いずれも透明電極であるITO(Indium Tin Oxide)によって形成されている。画素間コモン電極1101の幅は、画素内のコモン電極110の幅よりも大きい。
対向基板側には、ブラックマトリクス202、カラーフィルタ201、オーバーコート膜203が順に形成されている。TFT基板側のコモン電極110と対向基板側のオーバーコート膜203との間に液晶層300が挟持されている。図17において、青画素(B)を点灯させたと仮定する。この画面を斜め方向から見ると、青カラーフィルタ201Bを通った光のみでなく、赤カラーフィルタ201Rを通った光も視認される。そうすると、青の色純度は劣化し、赤みがかった青、すなわち、マゼンダが観測される。なお、混色は、画面を見る角度によって異なるが、本明細書では、法線に対する角度θを60度とした場合を評価している。
図17は、青と赤を例にとって説明したが、他の色間の混色も同様である。本発明は、図17に示すような混色の度合いを軽減し、斜めから見ても高い色純度を維持することが出来る液晶表示装置を実現することである。
コモン電極トップ方式のもう一つの問題点は、コモン電極110は画面全体にわたって、共通して形成され、電圧は、画面の外から供給されるので、コモン電極110の抵抗が高い場合は、この影響によって、スメアやフリッカが発生する場合があることである。本発明のもう一つの課題は、コモン電極トップ方式におけるスメアやフリッカを防止することである。
コモン電極トップ方式のもう一つの問題点は、コモン電極110は画面全体にわたって、共通して形成され、電圧は、画面の外から供給されるので、コモン電極110の抵抗が高い場合は、この影響によって、スメアやフリッカが発生する場合があることである。本発明のもう一つの課題は、コモン電極トップ方式におけるスメアやフリッカを防止することである。
本発明は上記問題を克服するものであり、簡単にいうと、画素間コモン電極の膜厚を大きくすることによって、画素間を透過する光の量を小さくし、混色の原因となる他のカラーフィルタを通過する光の量を低下させることである。また、画素間コモン電極の厚さを大きくしても、透過率には大きな影響がないので、画面の輝度の減少は抑えることが出来る。さらに、画素間コモン電極の厚さを大きくするので、コモン電極の抵抗が大きいことに起因するスメアやフリッカを防止することが出来る。具体的な手段は次のとおりである。
(1)平面ベタで形成された画素電極の上に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の上にスリットを有するコモン電極が形成された画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、ブラックマトリクスが形成された対向基板との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、前記コモン電極は前記画素内に形成された第1のコモン電極と前記画素と画素の境界を含む領域に形成された第2のコモン電極によって構成され、前記第2のコモン電極の厚さは、前記第1のコモン電極の厚さよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
(2)平面ベタで形成された画素電極の上に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の上にスリットを有するコモン電極が形成された赤画素(R)と緑画素(G)と青画素(B)が並んで配置したTFT基板と、前記赤画素(R)、緑画素(G)、青画素(B)に対応して赤カラーフィルタ、緑カラーフィルタ、青カラーフィルタが形成され、各カラーフィルタ間にブラックマトリクスが形成された対向基板との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、前記コモン電極は第1のコモン電極と前記第1のコモン電極よりも厚さの厚い第2のコモン電極によって構成され、前記赤画素(R)、緑画素(G)、青画素(B)内には、第1のコモン電極が形成され、前記赤画素(R)と前記緑画素(G)の境界を含む領域および前記緑画素(G)と前記青画素(B)の境界を含む領域には、第1のコモン電極が形成され、前記赤画素(R)と前記青画素(B)の境界を含む領域には第2のコモン電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
本発明によれば、コモン電極トップのIPS方式の液晶表示装置において、画素間コモン電極の厚さを画素内のコモン電極の厚さよりも大きくするので、画面を斜め方向から視た場合の色純度の劣化防止と画質の低下を防止することが出来る。また、画素間コモン電極に対応する対向基板にはブラックマトリクスが形成されているので、画面を正面から視た場合の輝度の変化は小さい。
また、画素間コモン電極の膜厚が大きいので、コモン電極全体としてのシート抵抗を小さくできるため、コモン電極の抵抗に起因するスメアやフリッカを防止することが出来る。
以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
図1は、本発明において、混色を低下させることが出来る原理を記載した断面図である。図1の構成は、先に説明した図17の構成とは、コモン電極110のうち、画素間コモン電極1101の厚さが従来よりも大きいことに特徴がある。図1において、画素内のコモン電極110の厚さt1は0.1μmであるのに対し、画素間コモン電極1101の厚さt2は、1μmである。画素間コモン電極1101に対応する位置の対向基板にはブラックマトリクス202が形成されており、画素間コモン電極1101の厚さを大きくしても、正面輝度には大きな影響は出ない。
画素間コモン電極1101の厚さは、実用範囲として、0.5μmから3μm程度とすることが出来る。つまり、画素内のコモン電極1101の厚さに対して5倍から30倍の範囲である。この範囲であれば、混色に対して大きな効果がある一方、正面輝度に対しては大きな影響は出ない。画素間コモン電極1101の膜厚と混色の関係は、後で詳述する。なお、混色は、画面を見る角度によって異なるが、本明細書では、図1における法線に対する角度θを60度とした場合で評価している。
さらに、このように、画素間コモン電極1101の膜厚を大きくすることによって、コモン電極110全体の抵抗を小さくすること出来、コモン電極110の抵抗が大きいことに起因する画面のスメア、フリッカ等を防止することが出来る。
図2は、本発明が適用されるコモントップのIPS方式の液晶表示装置の断面図である。図2におけるTFTは、いわゆるトップゲートタイプのTFTであり、使用される半導体としては、LTPS(Low Temperature Poli−Si)が使用されている。一方、a−Si半導体を使用した場合は、いわゆるボトムゲート方式のTFTが多く用いられる。以後の説明では、トップゲート方式のTFTを用いた場合を例にして説明するが、ボトムゲート方式のTFTを用いた場合についても、本発明を適用することが出来る。
図2において、ガラス基板100の上にSiNからなる第1下地膜101およびSiO2からなる第2下地膜102がCVD(Chemical Vapor Deposition)によって形成される。第1下地膜101および第2下地膜102の役割はガラス基板100からの不純物が半導体層103を汚染することを防止することである。
第2下地膜102の上には半導体層103が形成される。この半導体層103は第2下地膜102に上にCVDによってa−Si膜を形成し、これをレーザアニールすることによってpoly−Si膜に変換したものである。このpoly−Si膜をフォトリソグラフィによってパターニングする。
半導体膜103の上にはゲート絶縁膜104が形成される。このゲート絶縁膜104はTEOS(テトラエトキシシラン)によるSiO2膜である。この膜もCVDによって形成される。その上にゲート電極105が形成される。ゲート電極105は走査信号線と同層で、同時に形成される。ゲート電極105は例えば、MoW膜によって形成される。ゲート配線105の抵抗を小さくする必要があるときはAl合金が使用される。
ゲート電極105はフォトリソグラフィによってパターニングされるが、このパターニングの際に、イオンインプランテーションによって、リンあるいはボロン等の不純物をpoly−Si層にドープしてpoly−Si層にソースSあるいはドレインDを形成する。また、ゲート電極105のパターニングの際のフォトレジストを利用して、poly−Si層のチャネル層と、ソースSあるいはドレインDとの間にLDD(Lightly Doped Drain)層を形成する。
その後、ゲート電極105あるいはゲート配線を覆って層間絶縁膜106をSiO2によって形成する。第1層間絶縁膜106はゲート配線105とソース電極107を絶縁するためである。第1層間絶縁膜106およびゲート絶縁膜104には、半導体層103のソース部Sをソース電極107と接続するためのスルーホール120が形成される。第1層間絶縁膜106とゲート絶縁膜104にスルーホール120を形成するためのフォトリソグラフィは同時に行われる。
第1層間絶縁膜106の上にソース電極107が形成される。ソース電極107は、スルーホール120を介して画素電極112と接続する。図1においては、ソース電極107は広く形成され、TFTを覆う形となっている。一方、TFTのドレインDは、図示しない部分においてドレイン電極と接続している。
ソース電極107、ドレイン電極および映像信号線は、同層で、同時に形成される。ソース電極107、ドレイン電極および映像信号線(以後ソース電極107で代表させる)は、抵抗を小さくするために、例えば、AlSi合金が使用される。AlSi合金はヒロックを発生したり、Alが他の層に拡散したりするので、例えば、図示しないMoWによるバリア層、およびキャップ層によってAlSiをサンドイッチする構造がとられている。
ソース電極107を覆って無機パッシベーション膜(絶縁膜)108が被覆され、TFT全体を保護する。無機パッシベーション膜108は第1下地膜101と同様にCVDによって形成される。無機パッシベーション膜108を覆って有機パッシベーション膜109が形成される。有機パッシベーション膜109は感光性のアクリル樹脂で形成される。有機パッシベーション膜109は、アクリル樹脂の他、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等でも形成することが出来る。有機パッシベーション膜109は平坦化膜としての役割を持っているので、厚く形成される。有機パッシベーション膜109の膜厚は1〜4μmであるが、多くの場合は2μm程度である。
画素電極110とソース電極107との導通を取るために、無機パッシベーション膜108および有機パッシベーション膜109にスルーホール130が形成される。有機パッシベーション膜109は感光性の樹脂を使用している。感光性の樹脂を塗付後、この樹脂を露光すると、光が当たった部分のみが特定の現像液に溶解する。すなわち、感光性樹脂を用いることによって、フォトレジストの形成を省略することが出来る。有機パッシベーション膜109にスルーホール130を形成したあと、230℃程度で有機パッシベーション膜を焼成することによって有機パッシベーション膜109が完成する。
有機パッシベーション膜109をレジストとしてエッチングすることにより無機パッシベーション膜108にスルーホールを形成する。こうして、ソース電極107と画素電極110を導通するためのスルーホール130が形成される。パターニングされた有機パッシベーション膜109をレジストとして無機パッシベーション膜108をエッチングするので、新たなマスクを使用する必要はなく、フォトリソグラフィ工程は1工程で済む。有機パッシベーション膜109は厚いので、スルーホール130の上側と下側では、孔の大きさが異なる。
このようにして形成された有機パッシベーション膜109の上面は平坦となっている。有機パッシベーション膜109の上にアモルファスITO(Indium Tin Oxide)をスパッタリングによって被着し、フォトレジストによって、パターニングした後、蓚酸でエッチングし、画素電極112のパターニングを行う。画素電極112はスルーホール130をも覆って形成される。画素電極112は透明電極であるITOによって形成され、厚さは例えば、50〜70nmである。
その後、画素電極112を覆って、第2層間絶縁膜111をCVDによって成膜する。このときのCVDの温度条件は、200℃程度であり、これは低温CVDと呼ばれる。低温CVDを用いるのは、すでに形成されている有機パッシベーション膜109の変質を防止するためである。
フォトリソグラフィ工程によって、層間絶縁膜111のパターニングを行うが、このパターニングは端子部分のパターニングであり、スルーホール領域におけるパターニングは不要である。
第2層間絶縁膜111の上にアモルファスITOをスパッタリングし、フォトリソグラフィ工程によって、スリットを有するコモン電極110を形成する。コモン電極の膜厚は例えば、30nm〜100nm程度である。このように、コモン電極110を薄く形成するのは、コモン電極110の上に形成される配向膜113をラビングする場合に、ラビング影による配向不良を防止するためである。
このようにして、コモン電極110を形成した後、本発明では、図2では図示しない画素間コモン電極の厚さを大きくするために、画素間コモン電極は2層に形成する。詳細は後で説明する。図3は、コモン電極110の形状を示す平面図である。コモン電極110は全面に同時に形成されるが、画素部においては、図3に示すようなスリット1102を有する。スリット1102が擬似くの字をしているのは、画素内に複数のドメインを形成して視野角特性を向上させるためである。
図3において、画素B、R、Gの境界の画素間コモン電極1101の部分にはハッチングが施されている。ハッチングが施された部分である画素間コモン電極1101の厚さは、画素内のコモン電極110の厚さよりも大きい。図2に示すように、コモン電極110上面から画素電極112に、コモン電極110の間のスリット1102を通して、電気力線が伸び、この電気力線によって液晶分子を回転させる。
図2において、画素電極112もコモン電極110もスルーホール130領域にも形成される。したがって、光配向等によって、配向膜113の配向処理を適正に行うことが出来れば、スルーホール130の上端部、あるいは、スルーホール130の内壁にも、光を透過する領域を形成することが出来る。したがって、画素電極トップ方式の場合に比較して、画素領域を画像形成のために、より効率的に使用することが出来る。
図2において、液晶層300を挟んで対向基板200が配置されている。対向基板200の内側には、カラーフィルタ201が形成されている。カラーフィルタ201は画素毎に、赤、緑、青のカラーフィルタが形成されており、カラー画像が形成される。カラーフィルタ201とカラーフィルタ201の間にはブラックマトリクス202が形成され、画像のコントラストを向上させている。なお、ブラックマトリクス202はTFTの遮光膜としての役割も有し、TFTに光電流が流れることを防止している。
カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202を覆ってオーバーコート膜203が形成されている。カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜203によって表面を平らにしている。オーバーコート膜203の上には、液晶の初期配向を決めるための配向膜113が形成されている。なお、図2はIPSであるから、コモン電極はTFT基板100側に形成されており、対向基板200側には形成されていない。
図2に示すように、IPSでは、対向基板200の内側には導電膜が形成されていない。そうすると、対向基板200の電位が不安定になる。また、外部からの電磁ノイズが液晶層300に侵入し、画像に対して影響を与える。このような問題を除去するために、対向基板200の外側に外部導電膜210が形成される。外部導電膜210は、透明導電膜であるITOをスパッタリングすることによって形成される。
図4は、TFT基板における画素1個分の画素電極112より上側の構造を示す断面図である。図4において、有機パッシベーション膜109の上に平面ベタで画素電極112が形成されている。画素電極112を覆って第2層間絶縁膜111が形成され、その上にスリット1102を有するコモン電極110が形成されている。画素の両側に形成される画素間コモン電極1101の厚さは、画素内のコモン電極110の厚さよりも大きい。これによって、画素間の混色を防止することが出来る。
画素内のコモン電極110の厚さt1は例えば、0.1μmであり、画素間コモン電極1101の厚さは、例えば、1μmである。画素間コモン電極1101の厚さは画素内のコモン電極110の厚さの5〜30倍に設定することが出来る。図4において、画素内のコモン電極110の厚さは正確に設定することが必要なので、まず、画素内コモン電極110の厚さによって全面にコモン電極110をパターニングし、その後画素間コモン電極1101を厚く画素間に形成する。
図5は本発明のコモン電極110を形成するプロセスを示す例である。図5において、有機パッシベーション膜109の上にITOを形成する(図5(a))。このITOの膜厚は、画素内のITOの膜厚と同じである。その後、図5(b)に示すように、ITOをパターニングする。これによって画素内コモン電極と画素間コモン電極が形成される。この状態では画素間コモン電極は画素内コモン電極と同じ厚さである。次に、パターニングされたITOを覆ってレジスト10を形成する(図5(c))。
このレジスト10を画素間コモン電極1101の部分を除去するように現像する(図5(d))。その後、レジスト10等を覆ってITOを厚く被着する。画素間コモン電極1101の厚さは、最初のITOと2回目のITOの厚さの合計となる。その後レジスト10を除去すると、レジスト10の上に形成されたITOも同時に除去される。そうすると、画素内においては、最初の薄いITOによるコモン電極110が形成され、画素間においては、厚い画素間コモン電極1101が形成されることになる。
図6は、このようにして形成されたコモン電極110を有する画素における場所ごとの透過率を示すグラフである。図6(a)は、3個の画素の電極構造を記載した断面図である。図6(b)は図6(a)の一番左の画素のみを点灯した場合の該画素の位置に対応する輝度のデータである。輝度が高い程、透過率が高いということである。
透過率が画素内において一様ではないのは、コモン電極110がスリット1102を有する構成であり、部分的に透過率が異なるからである。図6(b)において、点線がコモン電極110が0.1μmで一定の場合の透過率である。図6(b)において、実線は、本発明の例であり、画素内コモン電極110は0.1μmであるが、画素間コモン電極1101は3μmである場合の透過率である。
図6において、本発明のように、画素間コモン電極1101が3μmの場合は、画素の両端において透過率が減少している。これは、画素の両端においては、画素間コモン電極1101の厚さが厚いために、バックライトからの光の透過率が低下しているためである。したがって、図1に示すように、混色を抑制することが出来る。
図7乃至図11は、本発明を実際の製品AおよびBに適用した場合の効果を示す例である。評価は、混色率および表示モード効率によって行った。ここで、表示モード効率とは、画面を法線方向から見た場合の液晶表示パネルの透過率である。混色率は(式1)によって定義される。
図7は、(式1)を説明するための画素の部分の断面図である。(式1)における分母は、青画素のみを光らせた場合の、青カラーフィルタ201Bを通過する光の場所毎における透過率を面積w1にわたって積分したものである。また、分子は、青画素のみを光らせた場合の、赤カラーフィルタ201Rを通過する光の場所毎における透過率を面積w2にわたって積分したものである。
図7において、混色率は画面を法線方向に対して60度の角度から見た場合に、青カラーフィルタ201Bを通過した光に対して赤カラーフィルタ201Rを通過した光がどの程度混入するかによって評価している。画素内には、スリット1102を有するコモン電極110が厚さ0.1μmで形成され、画素と画素の間には、画素間コモン電極1101が厚く形成されている。
図7において、青画素のみを光らせた場合にも、赤カラーフィルタ201Rを通過した光が通過し、これが混色の原因となる。図7において、青カラーフィルタ201Bを通過する光の面積をw1とし、赤カラーフィルタ201Rを通過する光の面積をw2とする。従来例では、混色率は、w2/w1によって定義することが出来る。しかし、本発明においては、画素間コモン電極1101の厚さt2は画素内のコモン電極110の厚さt1よりも大きい。
図7において、赤カラーフィルタ201Rを通過する光は、膜厚の厚い画素間コモン電極1101を通過する割合が大きい。すなわち、透過率が低下する。一方、青カラーフィルタ201Bを通過する光は、画素間コモン電極1101も通過するが、画素内のコモン電極110あるいはスリット1102を通過する面積の方が大きい。したがって、赤カラーフィルタ201Rを通過する光は、青カラーフィルタ201Bを通過する光よりも大きく減衰することになり、混色率が低下する。
一方、表示モード効率は、画面を法線方向から見た透過率であり、膜厚の厚い画素間コモン電極1101を通過する光は、ブラックマトリクス202によって遮られるので、画素間コモン電極1101の厚さは、表示モードに対しては大きな影響を与えない。したがって、(式1)に示す混色率は小さくなり、色純度は改善されることになる。
以上の混色の説明では、青画素(B)表示に赤カラーフィルタ201Rを通過する光が混入する場合について説明したが、赤画素(R)表示に青カラーフィルタ201Bを通過する光が混入する場合、赤画素(R)表示に緑カラーフィルタ201Gを通過する光が混入する場合、緑画素(G)表示に赤カラーフィルタ201Rを通過する光が混入する場合、青画素(B)表示に緑カラーフィルタ201Gを通過する光が混入する場合、緑画素(G)表示に青カラーフィルタ201Bを通過する光が混入する場合等についても同様である。
図8は、製品Aにおいて、画素内のコモン電極110の厚さを0.1μmとし、画素間のコモン電極1101の厚さを変化させた場合の混色率の変化を示すグラフである。図8の横軸は画素間コモン電極1101の厚さであり、縦軸は、混色率である。混色率の数値は小さい程、混色の程度が小さいと言える。現行仕様すなわち、画素間コモン電極1101が画素内のコモン電極110と同じ膜厚であるとした場合は、(式1)であらわされる混色率は11%である。一方、画素内のコモン電極110の膜厚は0.1μmに保ち、画素間コモン電極1101の厚さを3μmとした場合は、混色率は7%にまで改善される。
図9は、製品Aにおいて、画素内のコモン電極110の厚さを0.1μmとし、画素間のコモン電極1101の厚さを変化させた場合の表示モード効率、すなわち液晶表示パネルの画面法線方向の透過率の変化を示すグラフである。図9の横軸は画素間コモン電極1101の厚さであり、縦軸は、表示モード効率である。画素間コモン電極1101の厚さを大きくするにしたがって、表示モード効率も低下するが、その低下は小さい。
現行仕様すなわち、画素間コモン電極1101が画素内のコモン電極110と同じ膜厚である0.1μmとした場合は、表示モード効率は77.5%であるのに対し、画素内のコモン電極110の厚さを0.1μmに保ち、画素間コモン電極1101を3μmとした場合であても、表示モード効率は、75.5%程度であり、低下の度合いはわずかである。このように、製品Aに本発明を適用することによって、混色率を大きく低減させることが出来るのに対し、表示モード効率の低下は抑えることが出来るので、画面を斜めから見た場合の色純度と画質を大幅に向上させることが出来る。
図10は、製品Bにおいて、画素内のコモン電極110の厚さを0.1μmとし、画素間のコモン電極1101の厚さを変化させた場合の混色率の変化を示すグラフである。図10の横軸は画素間コモン電極1101の厚さであり、縦軸は、混色率である。混色率の数値は小さい程、混色の程度が小さいと言える。現行仕様すなわち、画素間コモン電極1101が画素内のコモン電極110と同じ膜厚であるとした場合は、(式1)で表される混色率は25%である。一方、画素内のコモン電極110の厚さを0.1μmに保ち、画素間コモン電極1101の厚さを3μmとした場合は、混色率は11%にまで改善される。
図11は、製品Bにおいて、画素内のコモン電極110の厚さを0.1μmとし、画素間のコモン電極1101の厚さを変化させた場合の表示モード効率、すなわち液晶表示パネルの透過率の変化を示すグラフである。図11の横軸は画素間コモン電極1101の厚さであり、縦軸は、表示モード効率である。画素間コモン電極1101の厚さを大きくするにしたがって、表示モード効率も低下するが、その低下は小さい。
現行仕様すなわち、画素間コモン電極1101が画素内のコモン電極110と同じ膜厚であるとした場合は、表示モード効率は78.5%であるのに対し、画素内のコモン電極110の厚さを0.1μmとし、画素間コモン電極1101を3μmとした場合は、表示モード効率は、66.5%程度であり、混色率の低下に比較して表示モード効率の低下は小さい。したがって、製品Bにおいても、本発明を適用することによって、斜めから画面を見た場合の色純度および画質は、大幅に向上させることが出来る。
実施例1は画素間コモン電極1101の幅は、最初に形成するITOの幅と同等である。画素間コモン電極1101の部分は、一般には、対向基板にブラックマトリクス202が形成されているために、画面の透過率には影響がほとんど無いからである。一方、画面の透過率を上昇させるために、画素間コモン電極1101の端部も有効表示領域として使用したい場合がある。
図12は、このような場合に対応する画素間コモン電極1101の断面図である。図12の画素間コモン電極1101において、第1回目のITOによって形成される画素間コモン電極の幅s1は、第2回目のITOによって形成されるITOの幅s2よりも大きい。したがって、画素間コモン電極1101の端部は、画素内のコモン電極110と同様に、液晶層を制御することが出来る。
コモン電極110の上に図示しない配向膜を形成して、この配向膜をラビングによって配向処理する場合、本実施例では画素間コモン電極1101の端部の厚さは小さいので、コモン電極110の影となってラビングされない部分が生ずることを防止することが出来る。このように、本実施例によれば、混色を防止しつつ、画面の透過率を向上させることが出来る。
隣接する画素からの光が混入する場合、光の混入が同程度であっても、人間の眼に認識される混色の度合いは同程度ではない。人間の眼には、赤と青の混色が最も目立つ。したがって、赤画素(R)と青画素(B)の境界の画素間コモン電極1101のみを厚く形成することによって効率的に混色を対策することが出来る。
図13は、本実施例におけるコモン電極110の例を示す平面図である。図13において、青画素(B)と赤画素(R)の画素間コモン電極1101にのみ、コモン電極が厚く形成されていることを示すハッチングが施されている。赤画素(R)と緑画素(G)、あるいは、緑画素(G)と青画素(B)の間の画素間コモン電極1101は画素内のコモン電極110と同じ厚さである。
図14は、本実施例における画素部分を示す断面図である。図14において、有機パッシベーション膜109の上に平面ベタで矩形状の画素電極112が形成され、画素電極112を覆って第2層間絶縁膜111が形成され、第2層間絶縁膜111の上にコモン電極110が形成されている。赤画素(R)と青画素(B)間の画素間コモン電極1101のみが厚く形成され、赤画素(R)、緑画素(G)間と緑画素(G)、青画素(B)間は、画素内のコモン電極110と同じ厚さである。
本実施例によれば、人間の輝度に対する視感度がもっとも高い緑に対して、透過率の減少を防止することが出来る。一方、人間が混色に対して最も敏感に感ずる赤と青の混色を効果的に防止することが出来る。したがって、輝度と色度の低下を効率的に防止することが出来る。
実施例1乃至3においては、本発明の主たる効果として、正面輝度の減少を抑えつつ斜めから画面を視た場合の混色率が低下するとして説明した。しかし、本発明の効果として、画素間コモン電極1101の膜厚を大きくするので、コモン電極全体としてのシート抵抗を低減できる。したがって、コモン電極110の抵抗に起因するスメアやフリッカを防止することが出来るという効果がある。
10…レジスト、 100…TFT基板、 101…第1下地膜、 102…第2下地膜、 103…半導体層、 104…ゲート絶縁膜、 105…ゲート電極、 106…第1層間絶縁膜、 107…ソース電極、 108…無機パッシベーション膜、 109…有機パッシベーション膜、 110…コモン電極、 111…第2層間絶縁膜、 112…画素電極、 113…配向膜、 130…スルーホール、 150…端子部、 200…対向基板、 201…カラーフィルタ、 201R…赤カラーフィルタ、 201G…緑カラーフィルタ、 201B青…カラーフィルタ、 202…ブラックマトリクス、 203…オーバーコート膜、 210…外部導電膜、 300…液晶層、 301…液晶分子、1101…画素間コモン電極、1102…スリット、 S…ソース部、 D…ドレイン部。
Claims (8)
- 平面ベタで形成された画素電極の上に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の上にスリットを有するコモン電極が形成された画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、ブラックマトリクスが形成された対向基板との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、
前記コモン電極は前記画素内に形成された第1のコモン電極と前記画素と画素の境界を含む領域に形成された第2のコモン電極によって構成され、
前記第2のコモン電極の厚さは、前記第1のコモン電極の厚さよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第2のコモン電極の厚さは、前記第1のコモン電極の厚さの5〜30倍であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2のコモン電極に対応する前記対向基板の位置にはブラックマトリクスが形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記第2のコモン電極は、厚さの薄い第1のITOと、厚さの厚い第2のITOによって形成され、前記厚さの薄い第1のITOの幅は、前記厚さの厚い第2のITOの幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 平面ベタで形成された画素電極の上に層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の上にスリットを有するコモン電極が形成された赤画素(R)と緑画素(G)と青画素(B)が並んで配置したTFT基板と、前記赤画素(R)、緑画素(G)、青画素(B)に対応して赤カラーフィルタ、緑カラーフィルタ、青カラーフィルタが形成され、各カラーフィルタ間にブラックマトリクスが形成された対向基板との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、
前記コモン電極は第1のコモン電極と前記第1のコモン電極よりも厚さの厚い第2のコモン電極によって構成され、
前記赤画素(R)、緑画素(G)、青画素(B)内には、第1のコモン電極が形成され、
前記赤画素(R)と前記緑画素(G)の境界を含む領域および前記緑画素(G)と前記青画素(B)の境界を含む領域には、第1のコモン電極が形成され、
前記赤画素(R)と前記青画素(B)の境界を含む領域には第2のコモン電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第2のコモン電極の厚さは、前記第1のコモン電極の厚さの5〜30倍であることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記第2のコモン電極に対応する前記対向基板の位置にはブラックマトリクスが形成されていることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
- 前記第2のコモン電極は、厚さの薄い第1のITOと、厚さの厚い第2のITOによって形成され、前記厚さの薄い第1のITOの幅は、前記厚さの厚い第2のITOの幅よりも大きいことを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。
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JP (1) | JP2014021267A (ja) |
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2012
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