JP2014019630A - グラフェンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiC基板101を加熱してシリコン原子に結合している水素103を部分的に蒸発させてグラフェン104を部分的にバッファ層102の状態に戻すことにより、SiC基板101表面の結晶方位に沿う方向に部分的に配列したナノサイズの短冊状のグラフェンナノリボン105が形成された状態とする。例えば、加熱炉の処理室内で、圧力133.322×10-10Paの真空中で670℃・2時間の条件で加熱し、一部の水素103を蒸発させればよい。
【選択図】 図1C
Description
Claims (3)
- SiC基板を加熱することで前記SiC基板の表面上に、炭素原子のみから構成されてグラフェンと同じ構造を有して一部が前記SiC基板のシリコン原子と共有結合をしている炭素の一原子層から構成されたバッファ層を形成する第1工程と、
前記バッファ層と前記SiC基板表面との間に水素を導入し、前記バッファ層と前記SiC基板のシリコン原子との共有結合を切断し、前記水素が前記共有結合の切断により生じたシリコン原子と結合した状態とすることで前記バッファ層をグラフェンにする第2工程と、
前記SiC基板を加熱して前記シリコン原子に結合している水素を部分的に蒸発させて前記グラフェンを部分的に前記バッファ層の状態に戻すことにより、前記SiC基板表面の結晶方位に沿う方向に部分的に配列した平面視短冊状のグラフェンからなるグラフェンナノリボンが形成された状態とする第3工程と
を少なくとも備えることを特徴とするグラフェンの製造方法。 - 請求項1記載のグラフェンの製造方法において、
前記第3工程では、前記SiC基板に対して基板平面方向に応力をかけた状態で前記加熱を行い前記配列の状態を制御することを特徴とするグラフェンの製造方法。 - 請求項1または2記載のグラフェンの製造方法において、
前記第3工程では、加熱温度および加熱時間を制御することで、前記グラフェンナノリボンの幅および前記バッファ層を介して隣り合う前記グラフェンナノリボンの間隔を制御することを特徴とするグラフェンの製造方法。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009043939A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Fujitsu Ltd | グラフェンを用いた電子デバイスの製造方法 |
JP2011230959A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Kazuto Yamauchi | SiC基板へのグラフェン成膜方法及びグラフェン付きSiC基板 |
JP2012028369A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気電気効果素子 |
JP2012041219A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | グラフェン膜の製造方法およびグラフェン膜の層数を均一化する方法 |
JP2012121751A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Kanazawa Univ | グラフェン・ダイヤモンド積層体 |
JP2012144415A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-08-02 | Meijo Univ | グラフェン素材の製造方法及びグラフェン素材 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009043939A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Fujitsu Ltd | グラフェンを用いた電子デバイスの製造方法 |
JP2011230959A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Kazuto Yamauchi | SiC基板へのグラフェン成膜方法及びグラフェン付きSiC基板 |
JP2012028369A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気電気効果素子 |
JP2012041219A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | グラフェン膜の製造方法およびグラフェン膜の層数を均一化する方法 |
JP2012121751A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Kanazawa Univ | グラフェン・ダイヤモンド積層体 |
JP2012144415A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-08-02 | Meijo Univ | グラフェン素材の製造方法及びグラフェン素材 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113363480A (zh) * | 2021-04-01 | 2021-09-07 | 万向一二三股份公司 | 一种包含条状石墨烯导电剂的正极片及锂离子电池 |
CN113363480B (zh) * | 2021-04-01 | 2022-09-06 | 万向一二三股份公司 | 一种包含条状石墨烯导电剂的正极片及锂离子电池 |
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