JP2014017447A - 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
集積型薄膜太陽電池およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014017447A JP2014017447A JP2012155701A JP2012155701A JP2014017447A JP 2014017447 A JP2014017447 A JP 2014017447A JP 2012155701 A JP2012155701 A JP 2012155701A JP 2012155701 A JP2012155701 A JP 2012155701A JP 2014017447 A JP2014017447 A JP 2014017447A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- photoelectric conversion
- electrode layer
- string
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【課題】ストリング分離溝を簡易かつ低コストな方法で形成してストリングが複数並列接続された集積型薄膜太陽電池およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】透光性絶縁基板の表面に第１電極層、光電変換層および第２電極層が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が複数個互いに電気的に直列接続されたストリングを形成するストリング形成工程と、前記ストリングにおける複数の薄膜光電変換素子を部分的に光ビームによって除去して直列接続方向に延びるストリング分離溝を１本以上形成して、ストリングを複数に分割するストリング分割工程とを含み、前記ストリング分離溝は、第１電極層を除去して形成された第１溝と、光電変換層および第２電極層を除去して形成された第２溝とからなり、前記第１溝は、前記第１電極層上に前記光電変換層を積層する前に形成されることを特徴とする集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【選択図】図２
【解決手段】透光性絶縁基板の表面に第１電極層、光電変換層および第２電極層が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が複数個互いに電気的に直列接続されたストリングを形成するストリング形成工程と、前記ストリングにおける複数の薄膜光電変換素子を部分的に光ビームによって除去して直列接続方向に延びるストリング分離溝を１本以上形成して、ストリングを複数に分割するストリング分割工程とを含み、前記ストリング分離溝は、第１電極層を除去して形成された第１溝と、光電変換層および第２電極層を除去して形成された第２溝とからなり、前記第１溝は、前記第１電極層上に前記光電変換層を積層する前に形成されることを特徴とする集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【選択図】図２
Description
本発明は、集積型薄膜太陽電池およびその製造方法に関する。
従来の集積型薄膜太陽電池として、例えば特許文献１の図２には、透光性絶縁基板の表面に透明電極層、光電変換層および金属電極層が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が複数個互いに電気的に接続されたストリング（電池列）を、直列接続方向と直交する方向にかつ相互に電気的に絶縁して複数並べて配置した集積型薄膜太陽電池（以下、太陽電池と略称する場合がある）が開示されている。
この太陽電池は、複数のストリングにおいて、直列接続方向両側の薄膜光電変換素子が、直列接続方向と直交する方向に隣接する薄膜光電変換素子と繋がって電気的に並列接続されており、並列接続された直列接続方向両側の薄膜光電変換素子から電力が取り出される。この場合、直列接続方向両側の電力取り出し用の薄膜光電変換素子の金属電極層上に、金属線（例えば銅線）からなる集電電極をろう材を介して電気的に接合し、金属電極層と集電電極とによって大電流を取り出せるように構成することもある。
同一基板上に複数のストリングを形成し、それらを並列接続する理由は、同一基板上に形成されたストリングが１つの場合、ストリング中のいずれかの薄膜光電変換素子内にリーク箇所が１つでも存在すると、ストリング全体（太陽電池全体）の出力が低下するため、ストリングを複数に分割することにより、セルリーク箇所が存在するストリングの出力が低下しても太陽電池全体の出力が低下しないようにするためである。
同一基板上に複数のストリングを形成し、それらを並列接続する理由は、同一基板上に形成されたストリングが１つの場合、ストリング中のいずれかの薄膜光電変換素子内にリーク箇所が１つでも存在すると、ストリング全体（太陽電池全体）の出力が低下するため、ストリングを複数に分割することにより、セルリーク箇所が存在するストリングの出力が低下しても太陽電池全体の出力が低下しないようにするためである。
また、この太陽電池において、隣り合うストリングは、特許文献１の図２（Ｃ）に示す断面形状のストリング分離溝（採光用開口溝）によって相互に絶縁されている。このストリング分離溝は、透明電極層を除去した第１溝と、光電変換層および金属電極層を除去した第２溝とからなり、光ビームにて薄膜光電変換素子を除去する際に透明電極層と金属電極層が短絡しないように第１溝の溝幅よりも第２溝の溝幅を広くしている。
このストリング分離溝の場合、まず、透明電極層、光電変換層および金属電極層を一度に除去可能な第１溝形成用光ビーム（例えば、ＩＲレーザ）を透光性絶縁基板側から照射して透明電極層から金属電極層まで貫通する第１溝を形成する。その後、光電変換層と金属電極層のみを除去可能な第２溝形成用光ビーム（例えば、ＳＨＧレーザ）を透光性絶縁基板側から第１溝を内側に含む領域に照射して溝幅の広い第２溝を形成している。なお、第１溝形成用光ビームによって透明電極層の飛散物が第１溝の側壁に付着して透明電極層と金属電極層とがリークする場合がある。そのため、第２溝の溝幅を第１溝の溝幅より広くすることにより、リーク箇所を除去している。
このストリング分離溝の場合、まず、透明電極層、光電変換層および金属電極層を一度に除去可能な第１溝形成用光ビーム（例えば、ＩＲレーザ）を透光性絶縁基板側から照射して透明電極層から金属電極層まで貫通する第１溝を形成する。その後、光電変換層と金属電極層のみを除去可能な第２溝形成用光ビーム（例えば、ＳＨＧレーザ）を透光性絶縁基板側から第１溝を内側に含む領域に照射して溝幅の広い第２溝を形成している。なお、第１溝形成用光ビームによって透明電極層の飛散物が第１溝の側壁に付着して透明電極層と金属電極層とがリークする場合がある。そのため、第２溝の溝幅を第１溝の溝幅より広くすることにより、リーク箇所を除去している。
この太陽電池のストリング分離溝は、強度の異なるＹＡＧ基本波光ビームを透光性絶縁基板へ向けて照射しながら直列接続方向に移動させて溝形成が行われている。この際、複数のストリング同士を並列接続する両側の薄膜光電変換素子を分断しないが、これらの間の他の薄膜光電変換素子は確実に分断するように光ビームのＯＮ／ＯＦＦを制御していた。さらにこの際、複数のストリングを並列接続させる任意の薄膜光電変換素子の一部を除去するようにストリング分離溝を形成することにより、ストリング分離溝の端部の形成許容範囲を広げている。この結果、ストリング分離溝を形成する際の光ビームの高精度なＯＮ／ＯＦＦ制御を行うことなく、光ビームをある程度の精度で移動制御するという簡易な方法でストリング分離溝を形成して、ストリングが複数並列接続された集積型薄膜太陽電池を得ることができるとされている。
特許文献１に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法では、複数のストリングを電気的に並列接続させる直列接続方向両側の薄膜光電変換素子の一部を除去するようにストリング分離溝を形成することにより、ストリング分離溝の端部の形成許容範囲を広げている。しかしながら、第１溝の直列接続方向の端部は、第２溝の直列接続方向の端部からはみ出てはいけないという制約がある。すなわち、第１溝の直列接続方向の両端部は所定位置に配置されて基準となり、第２溝の直列接続方向の両端部が第１溝の基準となる前記両端部を超えた位置まで形成される。そのため、第１溝を形成する際は、透光性絶縁基板の直列接続方向の両端部分にマスクを配置した上で、第１溝加工用光ビームを透光性絶縁基板に向けて照射する必要がある。これは、ハードとソフト両面での機能追加の負担を招き、製造コストの増加に繋がる。
また、第１溝を形成する際、透光性絶縁基板内に異物が混入していると、その異物がマスクとなってしまい、異物と重なった位置にある透明電極層、光電変換層および金属電極層を第１溝形成用光ビームで除去することができない。したがって、ストリング分離溝内に２種類の光ビームで除去されない導電膜（透明電極層と光電変換層と金属電極層とが積層した残留物）が残留し、直列接続方向と直交する方向に隣接する２つの薄膜光電変換素子の電気的な絶縁状態が不十分になってしまうおそれがある。
また、特許文献１に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法では、透明電極層上に光電変換層を積層する前に、光ビーム（ＩＲレーザ）にて透明電極層を部分的に除去して直列接続方向と直交する方向に延びる素子分離溝を形成する工程と、光ビーム（ＩＲレーザ）にてストリングを部分的に除去してストリング分割溝の第１溝を形成する工程とが、製造ラインの異なる場所で行われる。そのため、両工程で使用される光ビームは同じ種類であっても、製造ラインに同じ光ビーム照射器を２台設置する必要があり、製造コストの上昇に繋がっていた。
本発明は、ストリング分離溝を簡易かつ低コストな方法で形成してストリングが複数並列接続された集積型薄膜太陽電池およびその製造方法を提供することを目的とする。
かくして、本発明によれば、透光性絶縁基板の表面に第１電極層、光電変換層および第２電極層が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が複数個互いに電気的に直列接続されたストリングを形成するストリング形成工程と、
前記ストリングにおける複数の薄膜光電変換素子を部分的に光ビームによって除去して直列接続方向に延びるストリング分離溝を１本以上形成して、ストリングを複数に分割するストリング分割工程とを含み、
前記ストリング分離溝は、第１電極層を除去して形成された第１溝と、光電変換層および第２電極層を除去して形成された第２溝とからなり、
前記第１溝は、前記第１電極層上に前記光電変換層を積層する前に形成される集積型薄膜太陽電池の製造方法が提供される。
前記ストリングにおける複数の薄膜光電変換素子を部分的に光ビームによって除去して直列接続方向に延びるストリング分離溝を１本以上形成して、ストリングを複数に分割するストリング分割工程とを含み、
前記ストリング分離溝は、第１電極層を除去して形成された第１溝と、光電変換層および第２電極層を除去して形成された第２溝とからなり、
前記第１溝は、前記第１電極層上に前記光電変換層を積層する前に形成される集積型薄膜太陽電池の製造方法が提供される。
また、本発明の別の観点によれば、透光性絶縁基板の表面に透光性第１電極層、光電変換層および第２電極層が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が複数互いに電気的に直列接続されたストリングを備え、
前記ストリングは、同一の前記透光性絶縁基板上に、直列接続方向に延びる１本以上のストリング分離溝を挟んで直列接続方向と直交する方向に複数並列して配置され、
前記ストリング分離溝は、第１電極層を除去して形成された第１溝と、光電変換層および第２電極層を除去して形成された第２溝とからなり、
前記第１溝は前記直列接続方向に前記第２溝からはみ出して形成され、かつ前記第１溝のはみ出した部分は前記光電変換層および前記裏面電極で覆われており、
前記ストリングは、隣接する２つの薄膜光電変換素子の間に第２電極層および光電変換層が除去されて形成された素子分離溝を有し、
一の薄膜光電変換素子の第１電極層は、その一端が前記素子分離溝を横切って隣接する他の薄膜光電変換素子の領域まで延びた延出部を有し、かつ隣接する薄膜光電変換素子の第１電極層とは電極分離ラインによって電気的に絶縁され、
一の薄膜光電変換素子の第２電極層の一端は、光電変換層を貫通する直列用導電部を介して隣接する薄膜光電変換素子の第１電極層の前記延出部と電気的に接続している集積型薄膜太陽電池が提供される。
前記ストリングは、同一の前記透光性絶縁基板上に、直列接続方向に延びる１本以上のストリング分離溝を挟んで直列接続方向と直交する方向に複数並列して配置され、
前記ストリング分離溝は、第１電極層を除去して形成された第１溝と、光電変換層および第２電極層を除去して形成された第２溝とからなり、
前記第１溝は前記直列接続方向に前記第２溝からはみ出して形成され、かつ前記第１溝のはみ出した部分は前記光電変換層および前記裏面電極で覆われており、
前記ストリングは、隣接する２つの薄膜光電変換素子の間に第２電極層および光電変換層が除去されて形成された素子分離溝を有し、
一の薄膜光電変換素子の第１電極層は、その一端が前記素子分離溝を横切って隣接する他の薄膜光電変換素子の領域まで延びた延出部を有し、かつ隣接する薄膜光電変換素子の第１電極層とは電極分離ラインによって電気的に絶縁され、
一の薄膜光電変換素子の第２電極層の一端は、光電変換層を貫通する直列用導電部を介して隣接する薄膜光電変換素子の第１電極層の前記延出部と電気的に接続している集積型薄膜太陽電池が提供される。
本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法では、ストリング分割溝を構成する第１溝は、第１電極層上に光電変換層を積層する前に形成されるため、従来のように第１電極層と光電変換層と金属電極層を同時に除去して第１溝を形成する際に第１電極層の飛散物によって第１電極層と金属電極層との間にリークが生じるという問題が発生しない。詳しく説明すると、本発明では、透光性絶縁基板上に第１電極層を積層した後、光ビームによって第１電極層を部分的に除去して第１溝を形成する。このとき、光ビームが照射されて飛散した第１電極層の飛散物が第１電極層表面に付着しても、その後に光電変換層によって第１溝およびその周辺の第１電極層が覆われるため、従来のようなリークの問題は全く生じない。この結果、第１溝の直列接続方向の端部を、第２溝の直列接続方向の端部からはみ出して形成することが可能となり、第１溝を形成する際に透光性絶縁基板の直列接続方向両側を覆うために用いていたマスクが、本発明では不要となる。よって、本発明では、ハードとソフト両面での機能の負担を軽減することができ、製造コストを軽減することができる。
また、従来問題となっていたリークの原因は、光電変換層が積層されている状態でＩＲ加工（第１溝の形成）を行うため、光電変換層の加工端面のシリコンが結晶化してリーク箇所となることも挙げられる。従来技術では、その結晶化した部分を取り除くために、ＩＲ加工後に結晶化を誘因しないＳＨＧレーザを用いて第２溝を形成している。これに対し、本発明では、光電変換層の積層前にＩＲ加工を行うため、光電変換層の結晶化によるリークの問題が事前に回避される。
また、本発明では、第１電極層側から光ビームを照射して第１電極層を部分的に除去して第１溝を形成することができるため、透光性絶縁基板内に異物が混入していても第１電極層の除去に影響が全くなく、直列接続方向と直交する方向に隣接する２つの薄膜光電変換素子の電気的な絶縁状態を十分に確保することができる。
また、前記のよう従来技術では、光ビーム（ＩＲレーザ）にて透明電極層に素子分離溝を形成する工程と、同じ光ビームにてストリングに第１溝を形成する工程とが別の場所で行われるため、製造ラインに同じ光ビーム照射器を２台設置する必要があり製造コストが上昇していたが、本発明では光ビーム（ＩＲレーザ）による透明電極層への素子分離溝と第１溝の形成を同一工程で行えるため、光ビーム照射器を１台削減することができ、製造コストを低減することができる。
本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法は、透光性絶縁基板の表面に第１電極層、光電変換層および第２電極層が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が複数個互いに電気的に直列接続されたストリングを形成するストリング形成工程と、前記ストリングにおける複数の薄膜光電変換素子を部分的に光ビームによって除去して直列接続方向に延びるストリング分離溝を１本以上形成して、ストリングを複数に分割するストリング分割工程とを含み、前記ストリング分離溝は、第１電極層を除去して形成された第１溝と、光電変換層および第２電極層を除去して形成された第２溝とからなり、前記第１溝は、前記第１電極層上に前記光電変換層を積層する前に形成される。
以下、本明細書において、単に「直列接続方向」と言うときは複数の薄膜光電変換素子が直列に接続された方向を意味し、単に「上流側」または「下流側」というときはストリングを流れる電流の電流方向に対する「上流側」または「下流側」を意味する。
以下、本明細書において、単に「直列接続方向」と言うときは複数の薄膜光電変換素子が直列に接続された方向を意味し、単に「上流側」または「下流側」というときはストリングを流れる電流の電流方向に対する「上流側」または「下流側」を意味する。
本発明の集積型薄膜太陽電池の製造方法は、具体的には次のように行ってもよい。
（１）前記ストリング形成工程が、透光性絶縁基板上に前記第１電極層を積層する工程と、前記第１電極層を部分的に除去して前記直列接続方向と直交する方向に延びる第１素子分離溝を複数本形成する工程と、前記第１電極層上および前記第１素子分離溝内に前記光電変換層を積層する工程と、前記光電変換層を部分的に除去して前記直列接続方向と直交する方向に延びる素子接続用溝を複数本形成する工程と、前記光電変換層上および前記素子接続用溝内に前記第２電極層を積層する工程と、前記第２電極層および前記光電変換層を部分的に除去して前記直列接続方向と直交する方向に延びる第２素子分離溝を複数本形成する工程とを有し、
前記第１溝と前記第１素子分離溝とは連続的に形成されてもよい。
このようにすれば、従来の製造方法では第１溝の形成工程を第１素子分離溝の形成工程とは完全に分けて行う必要があったことから、実質的に一工程削減することができ、生産性を高め製造コストをさらに低減することができる。
（１）前記ストリング形成工程が、透光性絶縁基板上に前記第１電極層を積層する工程と、前記第１電極層を部分的に除去して前記直列接続方向と直交する方向に延びる第１素子分離溝を複数本形成する工程と、前記第１電極層上および前記第１素子分離溝内に前記光電変換層を積層する工程と、前記光電変換層を部分的に除去して前記直列接続方向と直交する方向に延びる素子接続用溝を複数本形成する工程と、前記光電変換層上および前記素子接続用溝内に前記第２電極層を積層する工程と、前記第２電極層および前記光電変換層を部分的に除去して前記直列接続方向と直交する方向に延びる第２素子分離溝を複数本形成する工程とを有し、
前記第１溝と前記第１素子分離溝とは連続的に形成されてもよい。
このようにすれば、従来の製造方法では第１溝の形成工程を第１素子分離溝の形成工程とは完全に分けて行う必要があったことから、実質的に一工程削減することができ、生産性を高め製造コストをさらに低減することができる。
（２）前記第１溝が、前記第１電極層を除去可能な第１溝形成用光ビームを前記第１電極層側から照射し、かつ前記第１溝形成用光ビームと前記透光性絶縁基板のうち少なくとも一方を直列接続方向に移動させることにより形成され、
前記第２溝が、前記光電変換層および前記第２電極層を除去可能な第２溝形成用光ビームを透光性絶縁基板側から照射し、かつ前記第２溝形成用光ビームと前記透光性絶縁基板のうち少なくとも一方を直列接続方向に移動させることにより形成されてもよい。
このようにすれば、第１電極層側から光ビームを照射して第１電極層を部分的に除去して第１溝を形成するため、透光性絶縁基板内に異物が混入していても第１電極層の除去に影響が全くなく、直列接続方向と直交する方向に隣接する２つの薄膜光電変換素子の電気的な絶縁状態を十分かつ確実に確保することができる。また、第２溝形成用光ビームは透光性絶縁基板側から照射されるため、光電変換層および第２電極層の飛散物が第１および第２溝の側面に付着して第１および第２電極層間がリークするということがなく、ストリング分割溝を高精度に形成することができる。
なお、本発明では、各種光ビームによる溝形成の際、基板を固定し各種ビームを移動させてもよく、あるいは、各種光ビームを固定し基板を移動させてもよく、あるいは、各種光ビームと基板の両方を移動させてもよい。
前記第２溝が、前記光電変換層および前記第２電極層を除去可能な第２溝形成用光ビームを透光性絶縁基板側から照射し、かつ前記第２溝形成用光ビームと前記透光性絶縁基板のうち少なくとも一方を直列接続方向に移動させることにより形成されてもよい。
このようにすれば、第１電極層側から光ビームを照射して第１電極層を部分的に除去して第１溝を形成するため、透光性絶縁基板内に異物が混入していても第１電極層の除去に影響が全くなく、直列接続方向と直交する方向に隣接する２つの薄膜光電変換素子の電気的な絶縁状態を十分かつ確実に確保することができる。また、第２溝形成用光ビームは透光性絶縁基板側から照射されるため、光電変換層および第２電極層の飛散物が第１および第２溝の側面に付着して第１および第２電極層間がリークするということがなく、ストリング分割溝を高精度に形成することができる。
なお、本発明では、各種光ビームによる溝形成の際、基板を固定し各種ビームを移動させてもよく、あるいは、各種光ビームを固定し基板を移動させてもよく、あるいは、各種光ビームと基板の両方を移動させてもよい。
（３）前記ストリング分割工程は、直列接続方向と直交する方向に延びる任意の薄膜光電変換素子にはその一部のみに第２溝が形成されるよう、前記第２溝形成用光ビームによってストリングを部分的に除去する工程であってもよい。
（４）前記ストリング分割工程において、前記第１溝が幅方向において前記第２溝の内側に配置されるように、前記第２溝形成用光ビームの移動を制御してもよい。
この場合、第１溝を包囲するように溝幅の広い第２溝が形成される。
この場合、第１溝を包囲するように溝幅の広い第２溝が形成される。
（５）前記ストリング分割工程において、前記第２溝が幅方向において前記第１溝の内側に配置されるように、前記第２溝形成用光ビームの移動を制御してもよい。
この場合、第１溝内に溝幅の狭い第２溝が形成されるため、従来よりも発電領域を増加させることができるメリットが得られる。
なお、本発明では、第１溝と第２溝のどちらの幅が広くなっていても構わないが、二つの溝は幅方向（直列接続方向と直交する方向）に少なくとも一部が重なり合わなければならない。第１溝と第２溝が幅方向に全く重ならない場合、直交する方向と斜め方向に配置される薄膜光電変換素子同士でリークが生じるおそれがある。
この場合、第１溝内に溝幅の狭い第２溝が形成されるため、従来よりも発電領域を増加させることができるメリットが得られる。
なお、本発明では、第１溝と第２溝のどちらの幅が広くなっていても構わないが、二つの溝は幅方向（直列接続方向と直交する方向）に少なくとも一部が重なり合わなければならない。第１溝と第２溝が幅方向に全く重ならない場合、直交する方向と斜め方向に配置される薄膜光電変換素子同士でリークが生じるおそれがある。
（６）前記第２溝を形成する際、前記第１溝を画像認識するようにしてもよい。つまり、第２溝を形成する際、予め形成されている第１溝をカメラ等で画像認識し、加工位置を把握した後、レーザの加工ノズルを第１溝の上に移動させて加工することにより、２つの溝がずれずに重なって加工することができる。カメラ認識する際は、第１溝の一部分のみを画像認識してもよいし、複数の部分を画像認識してもよい。
（７）第１溝形成用光ビームの径が１０〜１０００μｍであり、第２溝形成用光ビームの径が１０〜１０００μｍであってもよい。
（８）前記任意の薄膜光電変換素子の第２電極層上に集電電極を電気的に接合する工程をさらに含んでもよい。
（８）前記任意の薄膜光電変換素子の第２電極層上に集電電極を電気的に接合する工程をさらに含んでもよい。
また、本発明の別の観点によれば、透光性絶縁基板の表面に透光性第１電極層、光電変換層および第２電極層が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が複数互いに電気的に直列接続されたストリングを備え、
前記ストリングは、同一の前記透光性絶縁基板上に、直列接続方向に延びる１本以上のストリング分離溝を挟んで直列接続方向と直交する方向に複数並列して配置され、
前記ストリング分離溝は、第１電極層を除去して形成された第１溝と、光電変換層および第２電極層を除去して形成された第２溝とからなり、
前記第１溝は前記直列接続方向に前記第２溝からはみ出して形成され、かつ前記第１溝のはみ出した部分は前記光電変換層および前記裏面電極で覆われており、
前記ストリングは、隣接する２つの薄膜光電変換素子の間に第２電極層および光電変換層が除去されて形成された素子分離溝を有し、
一の薄膜光電変換素子の第１電極層は、その一端が前記素子分離溝を横切って隣接する他の薄膜光電変換素子の領域まで延びた延出部を有し、かつ隣接する薄膜光電変換素子の第１電極層とは電極分離ラインによって電気的に絶縁され、
一の薄膜光電変換素子の第２電極層の一端は、光電変換層を貫通する直列用導電部を介して隣接する薄膜光電変換素子の第１電極層の前記延出部と電気的に接続している集積型薄膜太陽電池が提供される。
前記ストリングは、同一の前記透光性絶縁基板上に、直列接続方向に延びる１本以上のストリング分離溝を挟んで直列接続方向と直交する方向に複数並列して配置され、
前記ストリング分離溝は、第１電極層を除去して形成された第１溝と、光電変換層および第２電極層を除去して形成された第２溝とからなり、
前記第１溝は前記直列接続方向に前記第２溝からはみ出して形成され、かつ前記第１溝のはみ出した部分は前記光電変換層および前記裏面電極で覆われており、
前記ストリングは、隣接する２つの薄膜光電変換素子の間に第２電極層および光電変換層が除去されて形成された素子分離溝を有し、
一の薄膜光電変換素子の第１電極層は、その一端が前記素子分離溝を横切って隣接する他の薄膜光電変換素子の領域まで延びた延出部を有し、かつ隣接する薄膜光電変換素子の第１電極層とは電極分離ラインによって電気的に絶縁され、
一の薄膜光電変換素子の第２電極層の一端は、光電変換層を貫通する直列用導電部を介して隣接する薄膜光電変換素子の第１電極層の前記延出部と電気的に接続している集積型薄膜太陽電池が提供される。
以下、図面を参照しながら本発明の集積型薄膜太陽電池の実施形態を詳しく説明する。なお、「集積型薄膜太陽電池」を「太陽電池」と略称し、「薄膜光電変換素子」を「セル」と称する場合がある。実施形態は本発明の一例であり、本発明は実施形態によって限定されるものではない。
（実施形態１）
図１は本発明の集積型薄膜太陽電池の実施形態１を示す平面図である。また、図２(Ａ)は図１のＩ−Ｉ線断面図であり、図２（Ｂ）は図１の集積型薄膜太陽電池を直列接続方向から見た側面図であり、図２（Ｃ）は図１のII−II線断面図である。また、図３（Ａ）は図１のIII−III線断面図であり、図３（Ｂ）は図１の集積型薄膜太陽電池のストリング分離溝付近を示す平面図である。また、図４（Ａ）は図３（Ｂ）のIV−IV線拡大断面図であり、図４（Ｂ）は図３（Ｂ）のV−V線拡大断面図である。
図１は本発明の集積型薄膜太陽電池の実施形態１を示す平面図である。また、図２(Ａ)は図１のＩ−Ｉ線断面図であり、図２（Ｂ）は図１の集積型薄膜太陽電池を直列接続方向から見た側面図であり、図２（Ｃ）は図１のII−II線断面図である。また、図３（Ａ）は図１のIII−III線断面図であり、図３（Ｂ）は図１の集積型薄膜太陽電池のストリング分離溝付近を示す平面図である。また、図４（Ａ）は図３（Ｂ）のIV−IV線拡大断面図であり、図４（Ｂ）は図３（Ｂ）のV−V線拡大断面図である。
この集積型薄膜太陽電池は、四角形の透光性絶縁基板１と、絶縁基板１の表面に透光性第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４が順次積層されてなる薄膜光電変換素子５が複数互いに電気的に直列接続されたストリングＳと、ストリングＳにおける直列接続方向Ａの両側の薄膜光電変換素子５ａ、５ｂの第２電極層４上にろう材を介して電気的に接合された１本の第１集電電極６および１本の第２集電電極７とを備える。第１および第２集電電極６、７としては、例えば銅線、はんだメッキ銅線等が用いられる。
さらに、この太陽電池は、ストリングＳが、同一の絶縁基板１上に、直列接続方向Ａに延びる複数（この場合５本）のストリング分離溝８を挟んで直列接続方向Ａと直交する方向Ｂに複数（この場合６個）並列して配置され、かつ複数のストリングＳが並列接続されている。なお、図１と図２（Ａ）と図３（Ａ）において、矢印Ｅはストリングに電流が流れる電流方向を表している。
さらに、この太陽電池は、ストリングＳが、同一の絶縁基板１上に、直列接続方向Ａに延びる複数（この場合５本）のストリング分離溝８を挟んで直列接続方向Ａと直交する方向Ｂに複数（この場合６個）並列して配置され、かつ複数のストリングＳが並列接続されている。なお、図１と図２（Ａ）と図３（Ａ）において、矢印Ｅはストリングに電流が流れる電流方向を表している。
＜ストリング＞
図１および図２（Ａ）に示すように、ストリングＳは、直列接続方向Ａに隣接する２つのセル（薄膜光電変換素子）５の間に第２電極層４および光電変換層３が除去されて形成された素子分離溝９を有している。この素子分離溝９は、一つのセル５の第２電極４および光電変換層３と、隣接する他のセル５の第２電極４および光電変換層３とを電気的に分離するよう、矢印Ｂ方向に延びて形成されており、その溝幅（矢印Ａ方向）は３０〜８０μｍ程度が好ましい。
図１および図２（Ａ）に示すように、ストリングＳは、直列接続方向Ａに隣接する２つのセル（薄膜光電変換素子）５の間に第２電極層４および光電変換層３が除去されて形成された素子分離溝９を有している。この素子分離溝９は、一つのセル５の第２電極４および光電変換層３と、隣接する他のセル５の第２電極４および光電変換層３とを電気的に分離するよう、矢印Ｂ方向に延びて形成されており、その溝幅（矢印Ａ方向）は３０〜８０μｍ程度が好ましい。
このストリングＳにおいて、一つのセル５の第１電極層２は、その一端（電流方向Ｅの下流側端部）が素子分離溝９を横切って隣接する他のセル５の領域まで延びた延出部２ａを有し、かつ隣接する第１電極層２とは電極分離ライン１０によって電気的に絶縁されている。
また、一つのセル５の第２電極層４の一端（電流方向Ｅの上流側端部）は、光電変換層３を貫通する直列用導電部４ａを介して隣接するセル５の第１電極層２の延出部２ａと電気的に接続している。なお、直列用導電部４ａは、第２電極層４と同一工程にて同一材料で一体的に形成することができる。
また、一つのセル５の第２電極層４の一端（電流方向Ｅの上流側端部）は、光電変換層３を貫通する直列用導電部４ａを介して隣接するセル５の第１電極層２の延出部２ａと電気的に接続している。なお、直列用導電部４ａは、第２電極層４と同一工程にて同一材料で一体的に形成することができる。
また、複数のストリングＳにおいて、第１および第２集電電極６、７が接合されたセル５ａ、５ｂは、図１および図２（Ｂ）に示すように繋がっている。
この場合、ストリング分離溝８は隣接する２つのストリングＳを完全に分割しておらず、矢印Ａ方向両端のセル５ａ、５ｂは矢印Ｂ方向に長く延びている。そのため、全てのストリングＳの両端はそれぞれ共通の第２電極層４を介して第１および第２集電電極６、７と電気的に並列接続されていることになる。
この場合、ストリング分離溝８は隣接する２つのストリングＳを完全に分割しておらず、矢印Ａ方向両端のセル５ａ、５ｂは矢印Ｂ方向に長く延びている。そのため、全てのストリングＳの両端はそれぞれ共通の第２電極層４を介して第１および第２集電電極６、７と電気的に並列接続されていることになる。
ストリング分離溝８は、第１電極層２を除去して形成された第１溝８ａと、光電変換層３および第２電極層４を第１溝８ａの幅よりも広い幅で除去して形成された第２溝８ｂとからなる。このストリング分離溝８によって、各セルの第１電極層２と第２電極層４とが短絡すること防止している。この第１溝８ａの溝幅（矢印Ｂ方向）としては１０〜１０００μｍ程度が好ましく、第２溝８ｂの溝幅（矢印Ｂ方向）としては２０〜１５００μｍ程度が好ましい。
また、図３（Ａ）および（Ｂ）に示すように、複数のストリングにおいて、直列接続方向Ａ（矢印Ａ方向）と直交する方向Ｂ（矢印Ｂ方向）に延びる任意のセル、つまり、第１および第２集電電極６、７が接合された２つのセル５ａ、５ｂは、ストリング分離溝８によって一部が除去されかつ残部が繋がっていればよい。
具体的には、第１溝８ａの直列接続方向Ａの両端部８ａ1、８ａ2の位置が、直列接続方向Ａの両側の第１電極層２、２における直列接続方向Ａの端面２ｅ1、２ｅ2の位置と一致している。これによって全てのセル５、５ａ、５ｂの第１電極層２は第１溝８ａによって完全に絶縁分離される。このように、第１溝８ａによって全てのセル５、５ａ、５ｂの第１電極層２を絶縁分離できる理由は、第１電極層２上に光電変換層３が積層される前に第１溝８ａを形成するためである。これについて詳しくは後述する。
具体的には、第１溝８ａの直列接続方向Ａの両端部８ａ1、８ａ2の位置が、直列接続方向Ａの両側の第１電極層２、２における直列接続方向Ａの端面２ｅ1、２ｅ2の位置と一致している。これによって全てのセル５、５ａ、５ｂの第１電極層２は第１溝８ａによって完全に絶縁分離される。このように、第１溝８ａによって全てのセル５、５ａ、５ｂの第１電極層２を絶縁分離できる理由は、第１電極層２上に光電変換層３が積層される前に第１溝８ａを形成するためである。これについて詳しくは後述する。
一方、電流方向Ｅの下流側に配置された第２溝８ｂの端部８ｂ2は、セル５ｂの上流側に隣接するセル５の第２電極層４よりも下流側に配置されており、これによってセル５ｂに隣接する複数（矢印Ｂ方向）のセル５の第２電極層４および光電変換層３は第２溝８ｂによって完全に絶縁分離される。実施形態１では、第２溝８ｂの端部８ｂ2は、セル５ｂの素子分離溝９近傍に位置しているため、セル５ｂの第２電極層４および光電変換層３の一部が除去されていることになる。
また、電流方向Ｅの上流側に配置された第２溝８ｂの端部８ｂ1は、セル５ａの一部（第２電極層４および光電変換層３）を除去しても除去しなくてもよく、実施形態１では除去しておらず、セル５ａに隣接する素子分離溝９の領域内に位置している。つまり、第２溝８ｂの端部８ｂ1は、セル５ａの下流側に隣接するセル５の領域からセル５ａ側へ所定寸法入り込んだ位置Ｐｂ1までの範囲内に配置されればよい。
なお、図３（Ｂ）において、符号Ｐｂ1は上流側セル５ａにおいて第２溝８ｂの上流側端部８ｂ1の形成が許される位置を表し、符号Ｐｂ2は下流側セル５ｂにおいて第２溝８ｂの下流側端部８ｂ2の形成が許される位置を表している。
また、電流方向Ｅの上流側に配置された第２溝８ｂの端部８ｂ1は、セル５ａの一部（第２電極層４および光電変換層３）を除去しても除去しなくてもよく、実施形態１では除去しておらず、セル５ａに隣接する素子分離溝９の領域内に位置している。つまり、第２溝８ｂの端部８ｂ1は、セル５ａの下流側に隣接するセル５の領域からセル５ａ側へ所定寸法入り込んだ位置Ｐｂ1までの範囲内に配置されればよい。
なお、図３（Ｂ）において、符号Ｐｂ1は上流側セル５ａにおいて第２溝８ｂの上流側端部８ｂ1の形成が許される位置を表し、符号Ｐｂ2は下流側セル５ｂにおいて第２溝８ｂの下流側端部８ｂ2の形成が許される位置を表している。
このようにして第１溝８ａおよび第２溝８ｂを形成することにより、上流側のセル５ａと下流側のセル５との間の各ストリングＳは相互に絶縁分離されているため、複数のストリングＳのうちの１つのストリングＳのセル５がリークしていても、他のストリングＳのセル５は影響を受けることがない。
このように本発明では、全てのセル５、５ａ、５ｂの第１電極層２を完全に分離するように第１溝８ａを形成することができると共に、第２溝８ｂは上流側セル５ａと下流側セル５ｂの形成許容範囲内で形成すればよい。そのため、第１溝形成用の光ビームの高精度なＯＮ／ＯＦＦ制御は全く必要なく、第２溝形成用の光ビームはある程度の精度で移動制御すればよいため、簡易な方法でストリング分離溝を形成して、ストリングが複数並列接続された集積型薄膜太陽電池を得ることができる。なお、第２溝形成用の光ビームの矢印Ａ方向の移動制御およびＯＮ／ＯＦＦ制御について、詳しくは後述する。
このように本発明では、全てのセル５、５ａ、５ｂの第１電極層２を完全に分離するように第１溝８ａを形成することができると共に、第２溝８ｂは上流側セル５ａと下流側セル５ｂの形成許容範囲内で形成すればよい。そのため、第１溝形成用の光ビームの高精度なＯＮ／ＯＦＦ制御は全く必要なく、第２溝形成用の光ビームはある程度の精度で移動制御すればよいため、簡易な方法でストリング分離溝を形成して、ストリングが複数並列接続された集積型薄膜太陽電池を得ることができる。なお、第２溝形成用の光ビームの矢印Ａ方向の移動制御およびＯＮ／ＯＦＦ制御について、詳しくは後述する。
例えば、直列接続方向Ａにおいて、上流側のセル５ａの長さが５〜１５ｍｍ、下流側のセル５ｂの長さが３〜５ｍｍ、その他のセル５の長さが５〜１５ｍｍ、第１および第２集電電極６、７の太さが１〜２ｍｍ、素子分離溝９の溝幅が３０〜８０μｍである場合、第２溝８ｂの下流側端部８ｂ2の形成許容範囲Ｌｂとしては０〜２ｍｍ程度とすることができる。なお、第２溝８ｂの下流側端部８ｂ2の形成許容位置Ｐｂ2は第２集電電極７の接合箇所に十分届かない位置である。
このストリングＳにおいて、第２集電電極７側のセル５ｂは、直列接続方向Ａの幅が狭く形成されているため実質的に発電に寄与しておらず、そのため、このセル５ｂの第２電極４は、隣接するセル５の第１電極２の引き出し電極として用いられている。
また、複数のストリングＳは、透光性絶縁基板１の外周端面（四辺の端面）よりも内側に形成されている。つまり、絶縁基板１の表面の外周領域は、第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４が形成されていない非導電性表面領域１２とされており、その幅は太陽電池の出力電圧に応じた寸法範囲に設定されている。
また、複数のストリングＳは、透光性絶縁基板１の外周端面（四辺の端面）よりも内側に形成されている。つまり、絶縁基板１の表面の外周領域は、第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４が形成されていない非導電性表面領域１２とされており、その幅は太陽電池の出力電圧に応じた寸法範囲に設定されている。
〔透光性絶縁基板および第１電極層〕
透光性絶縁基板１としては、以降の膜形成プロセスにおける耐熱性および透光性を有するガラス基板、ポリイミド等の樹脂基板等が使用可能である。
また、第１電極層２は、透明導電膜からなり、好ましくは、ＺｎＯまたはＳｎＯ2を含む材料からなる透明導電膜からなる。ＳｎＯ2を含む材料は、ＳｎＯ2自体であってもよく、ＳｎＯ2と別の酸化物の混合物（例えば、ＳｎＯ2とＩｎ2Ｏ3の混合物であるＩＴＯ）であってもよい。
透光性絶縁基板１としては、以降の膜形成プロセスにおける耐熱性および透光性を有するガラス基板、ポリイミド等の樹脂基板等が使用可能である。
また、第１電極層２は、透明導電膜からなり、好ましくは、ＺｎＯまたはＳｎＯ2を含む材料からなる透明導電膜からなる。ＳｎＯ2を含む材料は、ＳｎＯ2自体であってもよく、ＳｎＯ2と別の酸化物の混合物（例えば、ＳｎＯ2とＩｎ2Ｏ3の混合物であるＩＴＯ）であってもよい。
〔光電変換層〕
光電変換層３を構成する各半導体層の材料は、特に限定されず、例えば、シリコン系半導体、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2）化合物半導体、ＣＩＧＳ（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2）化合物半導体等からなる。以下、各半導体層がシリコン系半導体からなる場合を例にとって説明を進める。「シリコン系半導体」とは、非晶質又は微結晶シリコン、又は非晶質又は微結晶シリコンに炭素やゲルマニウム又はその他の不純物が添加された半導体（シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム等）を意味する。また、「微結晶シリコン」とは、結晶粒径が小さい（数十から千Å程度）結晶シリコンと、非晶質シリコンとの混合相の状態のシリコンを意味する。微結晶シリコンは、例えば、結晶シリコン薄膜をプラズマＣＶＤ法などの非平衡プロセスを用いて低温で作製した場合に形成される。
光電変換層３を構成する各半導体層の材料は、特に限定されず、例えば、シリコン系半導体、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2）化合物半導体、ＣＩＧＳ（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2）化合物半導体等からなる。以下、各半導体層がシリコン系半導体からなる場合を例にとって説明を進める。「シリコン系半導体」とは、非晶質又は微結晶シリコン、又は非晶質又は微結晶シリコンに炭素やゲルマニウム又はその他の不純物が添加された半導体（シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム等）を意味する。また、「微結晶シリコン」とは、結晶粒径が小さい（数十から千Å程度）結晶シリコンと、非晶質シリコンとの混合相の状態のシリコンを意味する。微結晶シリコンは、例えば、結晶シリコン薄膜をプラズマＣＶＤ法などの非平衡プロセスを用いて低温で作製した場合に形成される。
光電変換層３は、第１電極２側から順にｐ型半導体層、ｉ型半導体層およびｎ型半導体層が積層されてなる。なお、ｉ型半導体層を省略してもよい。
ｐ型半導体層には、ボロン、アルミニウム等のｐ型不純物原子がドープされており、ｎ型半導体層にはリン等のｎ型不純物原子がドープされている。ｉ型半導体層は、完全にノンドープである半導体層であってもよく、微量の不純物を含む弱ｐ型または弱ｎ型で光電変換機能を十分に備えている半導体層であってもよい。なお、本明細書において、「非晶質層」及び「微結晶層」は、それぞれ、非晶質および微結晶の半導体層を意味する。
また、光電変換層３は、ｐｉｎ構造が複数重ねられたタンデム型でもよく、例えば、第１電極２上にa-Si:Ｈｐ層、a-Si:Ｈｉ層、a-Si:Ｈｎ層をこの順に積層した上部半導体層と、上部半導体層上にμc-Si:Ｈｐ層、μc-Si:Ｈｉ層、μc-Si:Ｈｎ層をこの順に積層した下部半導体層とから構成されてもよい。また、ｐｉｎ構造を上部半導体層、中部半導体層および下部半導体層からなる３層構造の光電変換層３としてもよく、例えば、上部および中部半導体層にアモルファスシリコン（a-Si）、下部半導体層に微結晶シリコン（μc-Si）を用いた３層構造でも構わない。光電変換層３の材料および積層構造の組み合わせは、特に限定されるものではない。なお、本願の実施形態および実施例においては、薄膜太陽電池の光入射側に位置する半導体層を上部半導体層とし、光入射側と反対側に位置する半導体層を下部半導体層とし、図２（Ａ）〜（Ｃ）中の光電変換層３内に記された直線は上部半導体層と下部半導体層との境界を表している。
ｐ型半導体層には、ボロン、アルミニウム等のｐ型不純物原子がドープされており、ｎ型半導体層にはリン等のｎ型不純物原子がドープされている。ｉ型半導体層は、完全にノンドープである半導体層であってもよく、微量の不純物を含む弱ｐ型または弱ｎ型で光電変換機能を十分に備えている半導体層であってもよい。なお、本明細書において、「非晶質層」及び「微結晶層」は、それぞれ、非晶質および微結晶の半導体層を意味する。
また、光電変換層３は、ｐｉｎ構造が複数重ねられたタンデム型でもよく、例えば、第１電極２上にa-Si:Ｈｐ層、a-Si:Ｈｉ層、a-Si:Ｈｎ層をこの順に積層した上部半導体層と、上部半導体層上にμc-Si:Ｈｐ層、μc-Si:Ｈｉ層、μc-Si:Ｈｎ層をこの順に積層した下部半導体層とから構成されてもよい。また、ｐｉｎ構造を上部半導体層、中部半導体層および下部半導体層からなる３層構造の光電変換層３としてもよく、例えば、上部および中部半導体層にアモルファスシリコン（a-Si）、下部半導体層に微結晶シリコン（μc-Si）を用いた３層構造でも構わない。光電変換層３の材料および積層構造の組み合わせは、特に限定されるものではない。なお、本願の実施形態および実施例においては、薄膜太陽電池の光入射側に位置する半導体層を上部半導体層とし、光入射側と反対側に位置する半導体層を下部半導体層とし、図２（Ａ）〜（Ｃ）中の光電変換層３内に記された直線は上部半導体層と下部半導体層との境界を表している。
〔第２電極層〕
第２電極層４の構成や材料は、特に限定されないが、一例では、第２電極４は、透明導電膜と金属膜とが光電変換層上に積層した積層構造を有する。透明導電膜は、ZnO、ITO、SnO2などからなる。金属膜は、銀、アルミニウム等の金属からなる。なお、第２電極層４はAg、Al等の金属膜のみでも良いが、ZnO、ITO、SnO2等の透明導電膜を光電変換層３側に配置した方が、光電変換層３で吸収されなかった光を裏面電極層４で反射する反射率が向上し、高い変換効率の薄膜太陽電池を得ることができる点で好ましい。
第２電極層４の構成や材料は、特に限定されないが、一例では、第２電極４は、透明導電膜と金属膜とが光電変換層上に積層した積層構造を有する。透明導電膜は、ZnO、ITO、SnO2などからなる。金属膜は、銀、アルミニウム等の金属からなる。なお、第２電極層４はAg、Al等の金属膜のみでも良いが、ZnO、ITO、SnO2等の透明導電膜を光電変換層３側に配置した方が、光電変換層３で吸収されなかった光を裏面電極層４で反射する反射率が向上し、高い変換効率の薄膜太陽電池を得ることができる点で好ましい。
〔その他の構成〕
図示しないが、この太陽電池において、透光性絶縁基板１上にはストリングＳおよび非導電性表面領域８を完全に覆うように裏面封止材が接着層を介して積層されている。接着層としては、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）からなる封止樹脂シートを用いることができる。裏面封止材としては、例えば、ＰＥＴ／アルミニウム／ＰＥＴの積層フィルムを用いることができる。なお、接着層および裏面封止材には、各集電電極と接続される取り出し線１３の先端を外部へ導出するための小孔が予め形成されている。
また、裏面封止材上には、各取り出し線１３と電気的に接続される出力線および端子を有する端子ボックスが取り付けられる。
また、裏面封止材および接着層にて封止された太陽電池の外周部にはフレーム（例えば、アルミニウム製）が取り付けられる。
図示しないが、この太陽電池において、透光性絶縁基板１上にはストリングＳおよび非導電性表面領域８を完全に覆うように裏面封止材が接着層を介して積層されている。接着層としては、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）からなる封止樹脂シートを用いることができる。裏面封止材としては、例えば、ＰＥＴ／アルミニウム／ＰＥＴの積層フィルムを用いることができる。なお、接着層および裏面封止材には、各集電電極と接続される取り出し線１３の先端を外部へ導出するための小孔が予め形成されている。
また、裏面封止材上には、各取り出し線１３と電気的に接続される出力線および端子を有する端子ボックスが取り付けられる。
また、裏面封止材および接着層にて封止された太陽電池の外周部にはフレーム（例えば、アルミニウム製）が取り付けられる。
＜集積型薄膜太陽電池の製造方法について＞
この集積型薄膜太陽電池は、透光性絶縁基板１の表面に第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が複数個互いに電気的に直列接続されたストリング（分割前のストリング）を形成するストリング形成工程と、ストリングにおける薄膜光電変換素子部分を光ビームによって除去して直列接続方向に延びるストリング分離溝８を１本以上形成して、ストリングを複数に分割するストリング分割工程とを含む製造方法により製造することができる。
以下、図１〜４を参照しながら集積型薄膜太陽電池の製造方法について詳しく説明する。
この集積型薄膜太陽電池は、透光性絶縁基板１の表面に第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が複数個互いに電気的に直列接続されたストリング（分割前のストリング）を形成するストリング形成工程と、ストリングにおける薄膜光電変換素子部分を光ビームによって除去して直列接続方向に延びるストリング分離溝８を１本以上形成して、ストリングを複数に分割するストリング分割工程とを含む製造方法により製造することができる。
以下、図１〜４を参照しながら集積型薄膜太陽電池の製造方法について詳しく説明する。
〔ストリング形成工程〕
ストリング形成工程は、透光性絶縁基板１の表面に第１電極層、光電変換層および第２電極層を順次積層して積層膜を形成する成膜工程と、積層膜における第２電極層および光電変換層を除去して直列接続方向と直交する方向（矢印Ｂ方向）に延びる素子分離溝９を複数本形成することにより複数の薄膜光電変換素子を形成する工程とを有する。
ストリング形成工程は、透光性絶縁基板１の表面に第１電極層、光電変換層および第２電極層を順次積層して積層膜を形成する成膜工程と、積層膜における第２電極層および光電変換層を除去して直列接続方向と直交する方向（矢印Ｂ方向）に延びる素子分離溝９を複数本形成することにより複数の薄膜光電変換素子を形成する工程とを有する。
成膜工程では、まず、透光性絶縁基板１の表面全面に、ＣＶＤ、スパッタ、蒸着等の方法により膜厚600〜1000ｎｍの透明導電膜を形成する。次いで、透明導電膜を部分的に光ビームによって除去して矢印Ｂ方向に延びる電極分離ライン１０を複数本平行に形成する。これにより、透明導電膜をストライプ状にパターニングする。この際、光ビームとしてＹＡＧレーザの基本波（波長：1064ｎｍ）を照射することにより、透明導電膜は所定幅で短冊状に分離され、電極分離ライン１０が所定間隔で形成される。なお、光ビームは、透光性絶縁基板１側から照射してもよく、あるいは透明導電膜側から照射してもよい。
ストライプ状の透明導電膜上には光電変換膜が積層されるが、その前に、ストリング分割工程における第１ステップが行われ、透明導電膜に矢印Ａ方向に延びる第１溝８ａを複数本平行に形成する。この場合も、光ビームとしてＹＡＧレーザの基本波を透光性絶縁基板１側からあるいは透明導電膜側から照射することにより第１溝８ａを形成することができる。このとき、全ての透明導電膜を第１溝８ａにより完全に分割することができるため、光ビームを矢印Ａ方向に移動させながら照射する際、透明導電膜の所定位置で光ビームのＯＮ／ＯＦＦを高精度に制御する必要がない。なお、電極分離ライン１０の形成と第１溝８ａの形成は連続的に行われればよいため、第１溝８ａを形成した後に電極分離ライン１０を形成してもよい。
この後、得られた基板を純水で超音波洗浄し、その後、ｐ-ＣＶＤにより電極分離ライン１０および第１溝８ａを完全に埋め込むように光電変換膜を第１電極層２上に形成する。なお、前記超音波洗浄の代わりに、ドライエア洗浄あるいは高圧水洗浄等を行ってもよい。
例えば、第１電極２上にa-Si:Ｈｐ層、a-Si:Ｈｉ層（膜厚150nmから300nm程度）、a-Si:Ｈｎ層をこの順に積層して上部半導体層を形成し、上部半導体層上にμc-Si:Ｈｐ層、μc-Si:Ｈｉ層（膜厚1.5μmから3μｍ程度）、μc-Si:Ｈｎ層をこの順に積層して下部半導体層を形成する。
その後、タンデム構造の光電変換膜を部分的に光ビームによって除去して、直列用導電部４ａ、短絡用第１導電部１１ａおよび短絡用第２導電部１１ｂを形成するための、コンタクトラインを形成することにより所定パターンの光電変換層３を形成する。この際、ＹＡＧレーザの第二高調波（波長：532nｍ）を透光性絶縁基板１側から照射することにより、光電変換膜は所定幅で短冊状に分離される。なお、レーザとしてＹＡＧレーザの第二高調波の代りにＹＶＯ4レーザの第二高調波（波長：532ｎｍ）を用いても構わない。
例えば、第１電極２上にa-Si:Ｈｐ層、a-Si:Ｈｉ層（膜厚150nmから300nm程度）、a-Si:Ｈｎ層をこの順に積層して上部半導体層を形成し、上部半導体層上にμc-Si:Ｈｐ層、μc-Si:Ｈｉ層（膜厚1.5μmから3μｍ程度）、μc-Si:Ｈｎ層をこの順に積層して下部半導体層を形成する。
その後、タンデム構造の光電変換膜を部分的に光ビームによって除去して、直列用導電部４ａ、短絡用第１導電部１１ａおよび短絡用第２導電部１１ｂを形成するための、コンタクトラインを形成することにより所定パターンの光電変換層３を形成する。この際、ＹＡＧレーザの第二高調波（波長：532nｍ）を透光性絶縁基板１側から照射することにより、光電変換膜は所定幅で短冊状に分離される。なお、レーザとしてＹＡＧレーザの第二高調波の代りにＹＶＯ4レーザの第二高調波（波長：532ｎｍ）を用いても構わない。
次に、ＣＶＤ、スパッタ、蒸着等の方法によりコンタクトラインを完全に埋め込むように導電膜を光電変換層３上に形成し、導電膜および光電変換層３を部分的に光ビームによって除去して素子分離溝９を形成することにより所定パターンの第２電極層４を形成する。これにより、透光性絶縁基板１上に複数のセル５が直列用導電部４ａにて直列接続したストリングが形成される。この時点では、ストリングは未だ複数に分割されていないため、１つのセルは矢印Ｂ方向に長く延びている。
この工程では、導電膜を透明導電膜（ZnO、ITO、SnO2等）と金属膜（Ag、Al等）の２層構造にすることができる。透明導電膜の膜厚としては10〜100ｎｍ、金属膜の膜厚としては100〜500ｎｍとすることができる。
また、第２電極層４のパターニングでは、光ビームによる第１電極層２へのダメージを避けるため、第１導電層２に対する透過性が高いＹＡＧレーザの第二高調波またはＹＶＯ4レーザの第二高調波を透光性絶縁基板１側から照射することにより、導電膜は所定幅で短冊状に分離され、素子分離溝９が形成される。この際、第１電極層２へのダメージを最小限に抑え、かつ、第２電極層４の加工後の銀電極のバリ発生を抑制する加工条件を選択することが好ましい。
また、第２電極層４のパターニングでは、光ビームによる第１電極層２へのダメージを避けるため、第１導電層２に対する透過性が高いＹＡＧレーザの第二高調波またはＹＶＯ4レーザの第二高調波を透光性絶縁基板１側から照射することにより、導電膜は所定幅で短冊状に分離され、素子分離溝９が形成される。この際、第１電極層２へのダメージを最小限に抑え、かつ、第２電極層４の加工後の銀電極のバリ発生を抑制する加工条件を選択することが好ましい。
〔ストリング分割工程の第２ステップ〕
ストリング分割工程の第２ステップでは、直列接続方向Ａと直交する方向Ｂに延びる任意の薄膜光電変換素子にはその一部のみに第２溝８ｂが形成されるよう、光ビームによってストリングを部分的に除去する。このとき、光電変換層３および第２電極層４を除去可能な第２溝形成用光ビームを透光性絶縁基板１側から照射しながら直列接続方向Ａに移動させて第２溝８ｂを形成する。この場合、第２溝形成用光ビームとしては第１導電層２に対する透過性が高いＹＡＧレーザの第二高調波またはＹＶＯ4レーザの第二高調波を用いることができ、そのビーム径は１０〜１０００μｍ程度とすることができる。
ストリング分割工程の第２ステップでは、直列接続方向Ａと直交する方向Ｂに延びる任意の薄膜光電変換素子にはその一部のみに第２溝８ｂが形成されるよう、光ビームによってストリングを部分的に除去する。このとき、光電変換層３および第２電極層４を除去可能な第２溝形成用光ビームを透光性絶縁基板１側から照射しながら直列接続方向Ａに移動させて第２溝８ｂを形成する。この場合、第２溝形成用光ビームとしては第１導電層２に対する透過性が高いＹＡＧレーザの第二高調波またはＹＶＯ4レーザの第二高調波を用いることができ、そのビーム径は１０〜１０００μｍ程度とすることができる。
具体的に、実施形態１では、上流側セル５ａと下流側セル５ｂとの間の全てのセル５および下流側のセル５ｂの一部のみに第２溝８ｂが形成されるよう、光ビームによって第１溝８ａ内およびその周辺の光電変換層３および第２電極層４を除去することにより、セル５ａ、５ｂによって並列接続された複数のストリングＳを形成する。
このようにして形成されたストリング分離溝８において、上流側セル５ａと下流側セル５ｂとの間部分は、図４（Ｂ）に示すように、幅の狭い第１溝８ａ上に幅の広い第２溝８ｂが形成された断面形状になっている。なお、第２溝８ｂから直列接続方向にはみ出した第１溝８ａ内には、図４（Ａ）に示すように、光電変換層３が埋め込まれており、この第１溝８ａのみではストリング分割溝８として機能しない。
このようにして形成されたストリング分離溝８において、上流側セル５ａと下流側セル５ｂとの間部分は、図４（Ｂ）に示すように、幅の狭い第１溝８ａ上に幅の広い第２溝８ｂが形成された断面形状になっている。なお、第２溝８ｂから直列接続方向にはみ出した第１溝８ａ内には、図４（Ａ）に示すように、光電変換層３が埋め込まれており、この第１溝８ａのみではストリング分割溝８として機能しない。
第２溝８ｂを形成する際、図３に示すように、電流方向Ｅの上流側に形成される第２溝８ｂの端部８ｂ1が、任意のセルである上流側のセル５ａの下流側に隣接するセル５の領域からセル５ａ側へ所定寸法だけ入り込んだ位置Ｐｂ1までの範囲内に配置されるように、第２溝形成用光ビームの移動を制御する。また、第２溝８ｂの下流側の端部８ｂ2が、別の任意のセルである下流側のセル５ｂの上流側に隣接するセル５の第２電極層４よりも下流側に配置されるように、第２溝形成用光ビームの移動を制御する。実施形態１では、第２溝８ｂの端部８ｂ1は素子分離溝９の領域内に配置され、第２溝８ｂの端部８ｂ2はセル５ｂの素子分離溝９の近傍位置に配置されている。
この際、第２溝形成用光ビームの移動方向は、上流側から下流側に向かう方向でも、下流側から上流側に向かう方向でも、どちらでもよい。つまり、第２溝８ｂの上流側の端部８ｂ1と下流側の端部８ｂ2が上述の範囲内に配置されるように第２溝８ｂを形成しさえすれば、第２溝形成用光ビームのＯＮとＯＦＦを第２溝８ｂの端部の上流側とするか下流側とするかは、任意に選択することができる。
この際、第２溝形成用光ビームの移動方向は、上流側から下流側に向かう方向でも、下流側から上流側に向かう方向でも、どちらでもよい。つまり、第２溝８ｂの上流側の端部８ｂ1と下流側の端部８ｂ2が上述の範囲内に配置されるように第２溝８ｂを形成しさえすれば、第２溝形成用光ビームのＯＮとＯＦＦを第２溝８ｂの端部の上流側とするか下流側とするかは、任意に選択することができる。
例えば、セル５ｂ側の範囲Ｌｂ内にビーム照射手段によって第２溝形成用光ビームを照射開始（ＯＮ）し、光ビームを照射しながらビーム照射手段を移動機構によってセル５ａ側へ直列接続方向Ａに移動させていき、光ビームがセル５ａ側の素子分離溝９付近（位置Ｐｂ1よりも下流側）まで移動したところで移動機構を停止させ、その直後または移動停止と同時に光ビーム照射を停止（ＯＦＦ）させる。これにより、分割前のストリングに第２溝８ｂが形成される。
なお、第２溝形成用光ビームの径が、形成しようとする第２溝８ｂの溝幅よりも小さい場合は、ビーム照射手段を直列接続方向Ａに複数回移動させて所望の溝幅の第２溝８ｂを形成する。また、このような第２溝８ｂの形成は、形成しようとするストリング分離溝８の本数分だけ矢印Ｂ方向に所定間隔で行われる。
なお、第２溝形成用光ビームの径が、形成しようとする第２溝８ｂの溝幅よりも小さい場合は、ビーム照射手段を直列接続方向Ａに複数回移動させて所望の溝幅の第２溝８ｂを形成する。また、このような第２溝８ｂの形成は、形成しようとするストリング分離溝８の本数分だけ矢印Ｂ方向に所定間隔で行われる。
このとき、第２溝形成用光ビームを移動させる移動機構は、第１溝形成用光ビームを移動させる移動機構と同様の機構を採用することができ、同一の移動機構を兼用してもよい。したがって、移動機構による光ビームの位置制御の精度にある程度の誤差が含まれるのであれば、その誤差を考慮して、第２溝８ｂの端部８ｂ1、８ｂ2が前記範囲内で形成されるように、光ビームの矢印Ａ方向の移動のスタート位置とストップ位置を制御する。
なお、第２溝８ｂの上述の形成動作を逆にしてもよいが、第２溝８ｂの下流側の端部８ｂ2の位置は上流側の端部８ｂ1の位置よりも重要であるため、下流側端部８ｂ2を形成する位置にビーム照射手段を位置決めした後、第２溝形成用光ビームを照射開始（ＯＮ）して上流側へ移動させる方法が好ましい。また、第２溝８ｂの形成に際して、光ビームを移動させる以外にも、光ビームの位置を固定し、基板を移動および停止させてもよく、あるいは光ビームと基板の両方を移動および停止させてもよい。
なお、第２溝８ｂの上述の形成動作を逆にしてもよいが、第２溝８ｂの下流側の端部８ｂ2の位置は上流側の端部８ｂ1の位置よりも重要であるため、下流側端部８ｂ2を形成する位置にビーム照射手段を位置決めした後、第２溝形成用光ビームを照射開始（ＯＮ）して上流側へ移動させる方法が好ましい。また、第２溝８ｂの形成に際して、光ビームを移動させる以外にも、光ビームの位置を固定し、基板を移動および停止させてもよく、あるいは光ビームと基板の両方を移動および停止させてもよい。
従来では、光ビーム照射のＯＮ／ＯＦＦ制御のみでストリング分離溝の両端の位置制御を行っていたため、光ビームがストリングのどの位置を照射しているかを正確に知る必要があり、光ビームまたはビーム照射手段の位置検出を高精度に行う必要があった。
これに対し、本発明では、光ビーム照射のＯＮ／ＯＦＦ制御でストリング分離溝８の第２溝８ｂの両端の位置制御を行うのではなく、上述のように、移動機構の位置精度誤差を考慮した上で、光ビームの直列接続方向Ａの移動を制御して、第２溝８ｂの両端の位置制御をしている。光ビームの照射開始位置と停止位置は、上述の範囲内であればよいため、光ビームまたはビーム照射手段の位置検出を高精度に行う必要はない。それに加え、ビーム照射手段を急停止させるように移動機構を特別精密に構成する必要もないため、移動機構を簡素な構造で低コストにて作製することができる。
これに対し、本発明では、光ビーム照射のＯＮ／ＯＦＦ制御でストリング分離溝８の第２溝８ｂの両端の位置制御を行うのではなく、上述のように、移動機構の位置精度誤差を考慮した上で、光ビームの直列接続方向Ａの移動を制御して、第２溝８ｂの両端の位置制御をしている。光ビームの照射開始位置と停止位置は、上述の範囲内であればよいため、光ビームまたはビーム照射手段の位置検出を高精度に行う必要はない。それに加え、ビーム照射手段を急停止させるように移動機構を特別精密に構成する必要もないため、移動機構を簡素な構造で低コストにて作製することができる。
〔その他の工程〕
このストリング分割工程の後または前に、透光性絶縁基板１の外周端面から内側へ所定幅で、透光性絶縁基板１の表面の外周部に形成されている薄膜光電変換素子部分である第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４を、例えばＹＡＧレーザの基本波を用いて除去して非導電性表面領域１２を全周に形成する。これによって、非導電性表面領域１２に囲まれた複数列のストリングＳが形成される。
このストリング分割工程の後または前に、透光性絶縁基板１の外周端面から内側へ所定幅で、透光性絶縁基板１の表面の外周部に形成されている薄膜光電変換素子部分である第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４を、例えばＹＡＧレーザの基本波を用いて除去して非導電性表面領域１２を全周に形成する。これによって、非導電性表面領域１２に囲まれた複数列のストリングＳが形成される。
次に、各ストリングＳの直列接続方向Ａの両端の第２電極層４上にろう材（例えば、銀ペースト）を塗布し、第１および第２集電電極６、７を加圧接着して電気的に接続して、電流の取り出し部を作製する。
次に、太陽電池の裏面側（非受光面側）に接着層の材料として透明なＥＶＡシートおよび裏面封止材を重ね、真空ラミネート装置を用いて接着層を介して裏面封止材を太陽電池に接着して封止する。この時、裏面封止材として、ＰＥＴ／Ａｌ／ＰＥＴの積層フィルムを用いることが好ましい。
その後、前記取り出し線１３を端子ボックスの出力線と電気的に接続し、端子ボックスを裏面封止材に接着し、シリコーン樹脂で端子ボックス内を充填する。そして、薄膜太陽電池の外周部にアルミフレームを取り付けて製品化を完了させる。
その後、前記取り出し線１３を端子ボックスの出力線と電気的に接続し、端子ボックスを裏面封止材に接着し、シリコーン樹脂で端子ボックス内を充填する。そして、薄膜太陽電池の外周部にアルミフレームを取り付けて製品化を完了させる。
（実施形態２）
図５（Ａ）は実施形態２の集積型薄膜太陽電池のストリング分割溝付近の直列接続方向の部分的な断面図であり、図５（Ｂ）は実施形態２の集積型薄膜太陽電池のストリング分離溝付近の部分的な平面図である。
実施形態２が実施形態１と異なる点は、ストリング分離溝８の第２溝８ｂの上流側端部８ｂ1が上流側セル５ａの領域に配置された点である。実施形態２におけるこれら以外の構成は、実施形態１と同様である。
このようにしても、実施形態１と同様に、ストリング分離溝８を形成する光ビームの高精度なＯＮ／ＯＦＦ制御を行わずに、簡易な移動機構による光ビームの移動制御によってストリング分離溝８を形成することができる。
図５（Ａ）は実施形態２の集積型薄膜太陽電池のストリング分割溝付近の直列接続方向の部分的な断面図であり、図５（Ｂ）は実施形態２の集積型薄膜太陽電池のストリング分離溝付近の部分的な平面図である。
実施形態２が実施形態１と異なる点は、ストリング分離溝８の第２溝８ｂの上流側端部８ｂ1が上流側セル５ａの領域に配置された点である。実施形態２におけるこれら以外の構成は、実施形態１と同様である。
このようにしても、実施形態１と同様に、ストリング分離溝８を形成する光ビームの高精度なＯＮ／ＯＦＦ制御を行わずに、簡易な移動機構による光ビームの移動制御によってストリング分離溝８を形成することができる。
（実施形態３）
図６は本発明の集積型薄膜太陽電池の実施形態３示す平面図である。なお、図６中の構成要素において、図１〜図３中の構成要素と同様のものには同一の符号を付している。
実施形態３の太陽電池は、ストリングＳが、同一の透光性絶縁基板１上に、直列接続方向に延びる１本以上のストリング分離溝を挟んで直列接続方向Ａと直交する方向Ｂに複数並列して配置され、少なくとも１本のストリング分離溝によって複数のストリングＳがグループ毎に完全に分離され、分離されたストリングＳの各グループが第１集電電極１６および第２集電電極１７によって並列接続され、並列接続された複数のストリングＳのグループが直列接続されている。
図６は本発明の集積型薄膜太陽電池の実施形態３示す平面図である。なお、図６中の構成要素において、図１〜図３中の構成要素と同様のものには同一の符号を付している。
実施形態３の太陽電池は、ストリングＳが、同一の透光性絶縁基板１上に、直列接続方向に延びる１本以上のストリング分離溝を挟んで直列接続方向Ａと直交する方向Ｂに複数並列して配置され、少なくとも１本のストリング分離溝によって複数のストリングＳがグループ毎に完全に分離され、分離されたストリングＳの各グループが第１集電電極１６および第２集電電極１７によって並列接続され、並列接続された複数のストリングＳのグループが直列接続されている。
詳しく説明すると、実施形態３の場合、同一の絶縁基板１上に６つのストリングＳが形成され、そのうちの隣接する３つのストリングＳの第１グループと隣接する他の３つのストリングＳの第２グループが、１本のストリング分離溝１８Ａによって完全に分離されている。すなわち、ストリング分離溝１８Ａは、一端から他端まで第１溝８ａと第２溝８ｂが重なった断面形状をしている（図４（Ｂ）参照）。
また、各グループにおけるストリング分離溝１８Ｂは隣接する２つのストリングＳを完全には分離しておらず、各グループの３つのストリングＳにおける直列接続方向Ａの両側のセル５ａ、５ｂは一体化しており、それらの上に個別に第１および第２集電電極６、７が接合されている。したがって、各グループの３つのストリングＳは電気的に並列接続されているが、第１グループと第２グループは電気的に並列接続されていない。すなわち、ストリング分離溝１８Ｂの一端および他端は、第１溝８ａ内に光電変換層３が埋め込まれた断面形状をしている（図４（Ａ）参照）。
また、各グループにおけるストリング分離溝１８Ｂは隣接する２つのストリングＳを完全には分離しておらず、各グループの３つのストリングＳにおける直列接続方向Ａの両側のセル５ａ、５ｂは一体化しており、それらの上に個別に第１および第２集電電極６、７が接合されている。したがって、各グループの３つのストリングＳは電気的に並列接続されているが、第１グループと第２グループは電気的に並列接続されていない。すなわち、ストリング分離溝１８Ｂの一端および他端は、第１溝８ａ内に光電変換層３が埋め込まれた断面形状をしている（図４（Ａ）参照）。
このように構成された太陽電池は、取り出し線１３ａによって第１グループの第１集電電極６と第２グループの第２集電電極７とが直接または端子ボックスに設けられた接続線と接続されることにより電気的に直列され、残りの第１および第２集電電極６、７は取り出し線１３を介して端子ボックスの出力線と電気的に接続される。
この実施形態３によれば、第１グループおよび第２グループで発生した電流はそれぞれ電流方向Ｅへ流れ、かつ第１グループと第２グループは直列接続されているため、１つの太陽電池で高電圧の電流を出力することができる構成とするのに有効である。
なお、実施形態３において、その他の構成および効果は実施形態１と同様である。
この実施形態３によれば、第１グループおよび第２グループで発生した電流はそれぞれ電流方向Ｅへ流れ、かつ第１グループと第２グループは直列接続されているため、１つの太陽電池で高電圧の電流を出力することができる構成とするのに有効である。
なお、実施形態３において、その他の構成および効果は実施形態１と同様である。
（実施形態４）
図７は本発明の集積型薄膜太陽電池の実施形態４を示す平面図であり、図８（Ａ）は実施形態４の集積型薄膜太陽電池のストリング分割溝付近の直列接続方向の部分的な断面図であり、図８（ｂ）は実施形態４の集積型薄膜太陽電池のストリング分離溝付近の部分的な平面図である。なお、図７および図８中の構成要素において、図１〜図３中の構成要素と同様のものには同一の符号を付している。
実施形態４が実施形態１と異なる点は、太陽電池が、第１集電電極６および第２集電電極７が接合された２つのセル５ａ、５ｂの間の１つ以上のセル５ｃの第２電極層４上に接合された中間集電電極１４を備えた点、および中間集電電極１４が形成されたセル５ｃはストリング分離溝１８によって一部が除去されかつ残部が繋がって並列接続されている点であり、その他の構成は実施形態１と同様である。
図７は本発明の集積型薄膜太陽電池の実施形態４を示す平面図であり、図８（Ａ）は実施形態４の集積型薄膜太陽電池のストリング分割溝付近の直列接続方向の部分的な断面図であり、図８（ｂ）は実施形態４の集積型薄膜太陽電池のストリング分離溝付近の部分的な平面図である。なお、図７および図８中の構成要素において、図１〜図３中の構成要素と同様のものには同一の符号を付している。
実施形態４が実施形態１と異なる点は、太陽電池が、第１集電電極６および第２集電電極７が接合された２つのセル５ａ、５ｂの間の１つ以上のセル５ｃの第２電極層４上に接合された中間集電電極１４を備えた点、および中間集電電極１４が形成されたセル５ｃはストリング分離溝１８によって一部が除去されかつ残部が繋がって並列接続されている点であり、その他の構成は実施形態１と同様である。
具体的に説明すると、この太陽電池は、同一の透光性絶縁基板１上に複数個のストリングＳがストリング分離溝１８を挟んで並列され、かつ第１および第２集電電極６、７が直列接続方向Ａ（電流方向Ｅ）の上流側および下流側の各ストリングＳのセル５ａ、５ｂ上に接合されて、各ストリングＳを並列接続している。
さらに、各ストリングＳの直列接続方向Ａのほぼ中間位置のセル５ｃ（以下、中間セル５ｃと称する）は、各ストリング分離溝１８によって分割されず矢印Ｂ方向に延びており、中間セル５ｃ上に１本の中間集電電極１４がろう材を介して接合されている。なお、この各ストリング分離溝１８は、実施形態１と同様の、第１溝１８ａと、第１溝１８ａよりも溝幅の広い第２溝１８ｂとからなり、第１溝１８ａは上流側および下流側のセル５ａ、５ｂだけでなく中間位置のセル５ｃの下も通っている。
さらに、各ストリングＳの直列接続方向Ａのほぼ中間位置のセル５ｃ（以下、中間セル５ｃと称する）は、各ストリング分離溝１８によって分割されず矢印Ｂ方向に延びており、中間セル５ｃ上に１本の中間集電電極１４がろう材を介して接合されている。なお、この各ストリング分離溝１８は、実施形態１と同様の、第１溝１８ａと、第１溝１８ａよりも溝幅の広い第２溝１８ｂとからなり、第１溝１８ａは上流側および下流側のセル５ａ、５ｂだけでなく中間位置のセル５ｃの下も通っている。
なお、図８（Ｂ）において、Ｐｂ1は上流側セル５ａにおいて第２溝１８ｂの上流側端部１８ｂ1の形成が許される位置、Ｐｂ2は中間セル５ｃにおいて第２溝１８ｂの下流側端部１８ｂ2の形成が許される位置、Ｐｂ3は中間セル５ｃにおいて第２溝１８ｂの上流側端部１８ｂ3の形成が許される位置、Ｐｂ4は下流側セル５ｂにおいて第２溝１８ｂの下流側端部１８ｂ4の形成が許される位置を表している。
実施形態４の場合、上流側セル５ａと下流側セル５ｂに対する第１溝１８ａの端部および第２溝１８ｂの端部の形成位置は、実施形態１と同様であるため、説明を省略する。
中間セル５ｃに対する第２溝１８ｂの端部の形成位置は、実施形態１の上流側セル５ａと下流側セル５ｂに準じて形成される。
中間セル５ｃよりも上流側のストリング分離溝１８において、第２溝１８ｂの下流側端部１８ｂ2は、中間セル５ｃの上流側に隣接するセル５の第２電極層４よりも下流側であって中間セル５ｃにおける位置Ｐｂ2までの範囲Ｌｂ2内に形成される。
このような中間セル５ｃに対する第２溝１８ｂの下流側端部１８ｂ2の形成位置は、実施形態１の下流側セル５ｂに対する第２溝８ｂの下流側端部８ｂ2の形成位置と同様である（図３（Ａ）、（Ｂ）参照）。
中間セル５ｃに対する第２溝１８ｂの端部の形成位置は、実施形態１の上流側セル５ａと下流側セル５ｂに準じて形成される。
中間セル５ｃよりも上流側のストリング分離溝１８において、第２溝１８ｂの下流側端部１８ｂ2は、中間セル５ｃの上流側に隣接するセル５の第２電極層４よりも下流側であって中間セル５ｃにおける位置Ｐｂ2までの範囲Ｌｂ2内に形成される。
このような中間セル５ｃに対する第２溝１８ｂの下流側端部１８ｂ2の形成位置は、実施形態１の下流側セル５ｂに対する第２溝８ｂの下流側端部８ｂ2の形成位置と同様である（図３（Ａ）、（Ｂ）参照）。
一方、中間セル５ｃよりも下流側のストリング分離溝１８において、第２溝１８ｂの上流側端部１８ｂ3は、中間セル５ｃの下流側に隣接するセル５の領域（中間セル５ｃにおける位置Ｐｂ3までの範囲内）に形成される。
このような中間セル５ｃに対する第２溝１８ｂの上流側端部１８ｂ3の形成位置は、実施形態１の上流側セル５ａに対する第２溝８ｂの上流側端部８ｂ1の形成位置と同様である（図３（Ａ）、（Ｂ）参照）。
このような中間セル５ｃに対する第２溝１８ｂの上流側端部１８ｂ3の形成位置は、実施形態１の上流側セル５ａに対する第２溝８ｂの上流側端部８ｂ1の形成位置と同様である（図３（Ａ）、（Ｂ）参照）。
したがって、直列接続方向Ａに並ぶ２本のストリング分離溝１８のうちの上流側のストリング分離溝１８は、上流側セル５ａと中間セル５ｃの間の矢印Ｂ方向に隣接する複数のセル５の第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４を完全に分離している。また、下流側のストリング分離溝１８は、下流側セル５ｂと中間セル５ｃの間の矢印Ｂ方向に隣接する複数のセル５の第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４を完全に分離している。
このようにしても、実施形態１と同様に、ストリング分離溝１８を形成する光ビームの高精度なＯＮ／ＯＦＦ制御を行わずに、簡易な移動機構による光ビームの移動制御によってストリング分離溝１８を形成することができる。
このようにしても、実施形態１と同様に、ストリング分離溝１８を形成する光ビームの高精度なＯＮ／ＯＦＦ制御を行わずに、簡易な移動機構による光ビームの移動制御によってストリング分離溝１８を形成することができる。
このように構成された実施形態４の太陽電池は、実施形態１に準じてストリング分離溝１８を矢印Ａ方向に２本形成し、同様の工程を矢印Ｂ方向に所定間隔で複数回行うことにより、図７に示すように、第１集電電極６、中間集電電極１４および第２集電電極７によって複数のストリングＳが並列接続された太陽電池を製造することができる。
その後、並列接続された複数のストリングＳに、端子ボックスＴ内に設けられたバイパスダイオードＤが取り出し線１３を介して並列接続され、それらのバイパスダイオードＤが複数直列接続される。このような接続により、ホットスポット耐性を維持しながら高電圧出力の集積型薄膜太陽電池を得ることができる。
なお、実施形態４において、上述のような構成および製造方法以外は、実施形態１と同様である。
その後、並列接続された複数のストリングＳに、端子ボックスＴ内に設けられたバイパスダイオードＤが取り出し線１３を介して並列接続され、それらのバイパスダイオードＤが複数直列接続される。このような接続により、ホットスポット耐性を維持しながら高電圧出力の集積型薄膜太陽電池を得ることができる。
なお、実施形態４において、上述のような構成および製造方法以外は、実施形態１と同様である。
（実施形態５）
図９（Ａ）は実施形態５の集積型薄膜太陽電池のストリング分割溝付近の直列接続方向の部分的な断面図であり、図９（Ｂ）は実施形態６の集積型薄膜太陽電池のストリング分離溝付近の部分的な平面図である。
実施形態５が実施形態４と異なる点は、各ストリング分離溝１８の第２溝１８ｂの上流側端部１８ｂ1、１８ｂ3が上流側セル５ａおよび中間セル５ｃの領域に配置された点である。実施形態５におけるこれら以外の構成は、実施形態４と同様である。
このようにしても、実施形態１と同様に、ストリング分離溝１８を形成する光ビームの高精度なＯＮ／ＯＦＦ制御を行わずに、簡易な移動機構による光ビームの移動制御によってストリング分離溝１８を形成することができる。
図９（Ａ）は実施形態５の集積型薄膜太陽電池のストリング分割溝付近の直列接続方向の部分的な断面図であり、図９（Ｂ）は実施形態６の集積型薄膜太陽電池のストリング分離溝付近の部分的な平面図である。
実施形態５が実施形態４と異なる点は、各ストリング分離溝１８の第２溝１８ｂの上流側端部１８ｂ1、１８ｂ3が上流側セル５ａおよび中間セル５ｃの領域に配置された点である。実施形態５におけるこれら以外の構成は、実施形態４と同様である。
このようにしても、実施形態１と同様に、ストリング分離溝１８を形成する光ビームの高精度なＯＮ／ＯＦＦ制御を行わずに、簡易な移動機構による光ビームの移動制御によってストリング分離溝１８を形成することができる。
（実施形態６）
図１０は実施形態６の集積型薄膜太陽電池のストリング分割溝の断面図であって、図１０（Ａ）は図４（Ａ）対応図であり、図１０（Ｂ）は図４（Ｂ）対応図である。
実施形態１〜５では、幅の狭い第１溝上に幅の広い第２溝が形成されてなるストリング分割溝を例示したが、実施形態６のように、第２溝１０８ｂが幅方向において第１溝１０８ａの内側に配置されてなるストリング分割溝１０８を採用してもよい。つまり、幅の広い第１溝１０８ａ内に幅の狭い第２溝１０８ｂを形成してもよい。
このようにすれば、各セル１０５の光電変換層３の面積（すなわち、発電領域）が増加するため、光電変換効率を高めることができるメリットが得られる。
図１０は実施形態６の集積型薄膜太陽電池のストリング分割溝の断面図であって、図１０（Ａ）は図４（Ａ）対応図であり、図１０（Ｂ）は図４（Ｂ）対応図である。
実施形態１〜５では、幅の狭い第１溝上に幅の広い第２溝が形成されてなるストリング分割溝を例示したが、実施形態６のように、第２溝１０８ｂが幅方向において第１溝１０８ａの内側に配置されてなるストリング分割溝１０８を採用してもよい。つまり、幅の広い第１溝１０８ａ内に幅の狭い第２溝１０８ｂを形成してもよい。
このようにすれば、各セル１０５の光電変換層３の面積（すなわち、発電領域）が増加するため、光電変換効率を高めることができるメリットが得られる。
（他の実施形態）
１．図４（Ｂ）および図１１（Ｂ）で示したストリング分割溝において、第１溝と第２溝の幅方向の中心位置は多少ずれてもよい。例えば、図４（Ｂ）の場合、第２溝８ｂの側面が第１溝８ａ内に配置されても問題はなく、図１１（Ｂ）の場合、第１溝１０８ａの側面が第２溝１０８ｂ内に配置されても問題はない。
１．図４（Ｂ）および図１１（Ｂ）で示したストリング分割溝において、第１溝と第２溝の幅方向の中心位置は多少ずれてもよい。例えば、図４（Ｂ）の場合、第２溝８ｂの側面が第１溝８ａ内に配置されても問題はなく、図１１（Ｂ）の場合、第１溝１０８ａの側面が第２溝１０８ｂ内に配置されても問題はない。
２．ストリングの数、集電電極の取り付け位置および数等は、上述の実施形態に限定されず、例えば、中間集電電極を残し、直列接続方向両端の第１および第２集電電極を第１電極層（ｐ側電極、ｎ側電極）に接続してもよい。
また、ストリングの直列接続方向の複数箇所に中間集電電極を設けてもよい。
また、集電電極は全く省略されてもよい。
また、同一の透光性絶縁基板のストリング形成領域を４区画とし、各区画にストリングのグループを形成し、複数のグループを所望の形態に接続してもよい。
また、ストリングの直列接続方向の複数箇所に中間集電電極を設けてもよい。
また、集電電極は全く省略されてもよい。
また、同一の透光性絶縁基板のストリング形成領域を４区画とし、各区画にストリングのグループを形成し、複数のグループを所望の形態に接続してもよい。
１ 透光性絶縁基板
２、２ｂ 透光性第１電極層
２ａ 延出部
３ 光電変換層
４ 第２電極層
４ａ 直列用導電部
５、５ａ、５ｂ、５ｃ 薄膜光電変換素子（セル）
６ 第１集電電極
７ 第２集電電極
８、１８ ストリング分離溝
８ａ、１８ａ、１０８ａ 第１溝
８ａ1、８ａ2、１８ａ1、１８ａ2 第１溝の端部
８ｂ、１８ｂ、１０８ｂ 第２溝
８ｂ1、８ｂ2、１８ｂ1、１８ｂ2、１８ｂ3、１８ｂ4 第２溝の端部
９ 素子分離溝
１０ 電極分離ライン
１４ 中間集電電極
Ａ 直列接続方向
Ｂ 直列接続方向と直交する方向
Ｅ 電流方向
Ｄ バイパスダイオード
Ｌｂ、Ｌｂ2、Ｌｂ4 範囲
Ｓ ストリング
２、２ｂ 透光性第１電極層
２ａ 延出部
３ 光電変換層
４ 第２電極層
４ａ 直列用導電部
５、５ａ、５ｂ、５ｃ 薄膜光電変換素子（セル）
６ 第１集電電極
７ 第２集電電極
８、１８ ストリング分離溝
８ａ、１８ａ、１０８ａ 第１溝
８ａ1、８ａ2、１８ａ1、１８ａ2 第１溝の端部
８ｂ、１８ｂ、１０８ｂ 第２溝
８ｂ1、８ｂ2、１８ｂ1、１８ｂ2、１８ｂ3、１８ｂ4 第２溝の端部
９ 素子分離溝
１０ 電極分離ライン
１４ 中間集電電極
Ａ 直列接続方向
Ｂ 直列接続方向と直交する方向
Ｅ 電流方向
Ｄ バイパスダイオード
Ｌｂ、Ｌｂ2、Ｌｂ4 範囲
Ｓ ストリング
Claims (17)
- 透光性絶縁基板の表面に第１電極層、光電変換層および第２電極層が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が複数個互いに電気的に直列接続されたストリングを形成するストリング形成工程と、
前記ストリングにおける複数の薄膜光電変換素子を部分的に光ビームによって除去して直列接続方向に延びるストリング分離溝を１本以上形成して、ストリングを複数に分割するストリング分割工程とを含み、
前記ストリング分離溝は、第１電極層を除去して形成された第１溝と、光電変換層および第２電極層を除去して形成された第２溝とからなり、
前記第１溝は、前記第１電極層上に前記光電変換層を積層する前に形成されることを特徴とする集積型薄膜太陽電池の製造方法。 - 前記ストリング形成工程が、透光性絶縁基板上に前記第１電極層を積層する工程と、前記第１電極層を部分的に除去して前記直列接続方向と直交する方向に延びる第１素子分離溝を複数本形成する工程と、前記第１電極層上および前記第１素子分離溝内に前記光電変換層を積層する工程と、前記光電変換層を部分的に除去して前記直列接続方向と直交する方向に延びる素子接続用溝を複数本形成する工程と、前記光電変換層上および前記素子接続用溝内に前記第２電極層を積層する工程と、前記第２電極層および前記光電変換層を部分的に除去して前記直列接続方向と直交する方向に延びる第２素子分離溝を複数本形成する工程とを有し、
前記第１溝と前記第１素子分離溝とは連続的に形成される請求項１に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。 - 前記第１溝が、前記第１電極層を除去可能な第１溝形成用光ビームを前記第１電極層側から照射し、かつ前記第１溝形成用光ビームと前記透光性絶縁基板のうち少なくとも一方を直列接続方向に移動させることにより形成され、
前記第２溝が、前記光電変換層および前記第２電極層を除去可能な第２溝形成用光ビームを透光性絶縁基板側から照射し、かつ前記第２溝形成用光ビームと前記透光性絶縁基板のうち少なくとも一方を直列接続方向に移動させることにより形成される請求項１または２に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。 - 前記ストリング分割工程は、直列接続方向と直交する方向に延びる任意の薄膜光電変換素子にはその一部のみに第２溝が形成されるよう、前記第２溝形成用光ビームによってストリングを部分的に除去する工程である請求項１〜３のいずれか１つに記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記ストリング分割工程において、前記第１溝が幅方向において前記第２溝の内側に配置されるように、前記第２溝形成用光ビームの移動を制御する請求項３または４に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記ストリング分割工程において、前記第２溝が幅方向において前記第１溝の内側に配置されるように、前記第２溝形成用光ビームの移動を制御する請求項３〜５のいずれか１つに記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記第１溝によって前記第１電極層を完全に分割する請求項１〜６のいずれか１つに記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記第２溝を形成する際、前記第１溝を画像認識する請求項１〜７のいずれか１つに記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
- 第１溝形成用光ビームの径が１０〜１０００μｍであり、第２溝形成用光ビームの径が１０〜１０００μｍである請求項１〜８のいずれか１つに記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記任意の薄膜光電変換素子の第２電極層上に集電電極を電気的に接合する工程をさらに含む請求項１〜９のいずれか１つに記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
- 透光性絶縁基板の表面に透光性第１電極層、光電変換層および第２電極層が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が複数互いに電気的に直列接続されたストリングを備え、
前記ストリングは、同一の前記透光性絶縁基板上に、直列接続方向に延びる１本以上のストリング分離溝を挟んで直列接続方向と直交する方向に複数並列して配置され、
前記ストリング分離溝は、第１電極層を除去して形成された第１溝と、光電変換層および第２電極層を除去して形成された第２溝とからなり、
前記第１溝は前記直列接続方向に前記第２溝からはみ出して形成され、かつ前記第１溝のはみ出した部分は前記光電変換層および前記裏面電極で覆われており、
前記ストリングは、隣接する２つの薄膜光電変換素子の間に第２電極層および光電変換層が除去されて形成された素子分離溝を有し、
一の薄膜光電変換素子の第１電極層は、その一端が前記素子分離溝を横切って隣接する他の薄膜光電変換素子の領域まで延びた延出部を有し、かつ隣接する薄膜光電変換素子の第１電極層とは電極分離ラインによって電気的に絶縁され、
一の薄膜光電変換素子の第２電極層の一端は、光電変換層を貫通する直列用導電部を介して隣接する薄膜光電変換素子の第１電極層の前記延出部と電気的に接続していることを特徴とする集積型薄膜太陽電池。 - 複数のストリングにおいて、直列接続方向と直交する方向に隣接する任意の薄膜光電変換素子は、前記ストリング分離溝によって一部が除去されかつ残部が繋がって並列接続されている請求項１１に記載の集積型薄膜太陽電池。
- 前記第１溝が幅方向において前記第２溝の内側に配置されている請求項１１または１２に記載の集積型薄膜太陽電池。
- 前記第２溝が幅方向において前記第１溝の内側に配置されている請求項１１または１２に記載の集積型薄膜太陽電池。
- 前記第１溝の前記直列接続方向の両端部の位置が、前記直列接続方向両側の前記第１電極層における前記直列接続方向の端面の位置と一致している請求項１１〜１４のいずれか１つに記載の集積型薄膜太陽電池。
- 前記第１溝の溝幅が１０〜１５００μｍであり、前記第２溝の溝幅が１０〜１５００μｍである請求項１１〜１５のいずれか１つに記載の集積型薄膜太陽電池。
- 任意の薄膜光電変換素子の第２電極層上にさらに集電電極が電気的に接合された請求項１１〜１６のいずれか１つに記載の集積型薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012155701A JP2014017447A (ja) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012155701A JP2014017447A (ja) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014017447A true JP2014017447A (ja) | 2014-01-30 |
Family
ID=50111865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012155701A Pending JP2014017447A (ja) | 2012-07-11 | 2012-07-11 | 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2014017447A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9356184B2 (en) | 2014-05-27 | 2016-05-31 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
| US9947820B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-04-17 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell panel employing hidden taps |
| US10084104B2 (en) | 2015-08-18 | 2018-09-25 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| US10090430B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-10-02 | Sunpower Corporation | System for manufacturing a shingled solar cell module |
| EP3518126A1 (en) * | 2014-05-27 | 2019-07-31 | SunPower Corporation | Shingled solar cell module |
| US10673379B2 (en) | 2016-06-08 | 2020-06-02 | Sunpower Corporation | Systems and methods for reworking shingled solar cell modules |
| USD896747S1 (en) | 2014-10-15 | 2020-09-22 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| US10861999B2 (en) | 2015-04-21 | 2020-12-08 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module comprising hidden tap interconnects |
| USD913210S1 (en) | 2014-10-15 | 2021-03-16 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| USD933585S1 (en) | 2014-10-15 | 2021-10-19 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| USD933584S1 (en) | 2012-11-08 | 2021-10-19 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| US11482639B2 (en) | 2014-05-27 | 2022-10-25 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
| USD977413S1 (en) | 2014-10-15 | 2023-02-07 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| US11595000B2 (en) | 2012-11-08 | 2023-02-28 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | High efficiency configuration for solar cell string |
| USD999723S1 (en) | 2014-10-15 | 2023-09-26 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| US11942561B2 (en) | 2014-05-27 | 2024-03-26 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Shingled solar cell module |
-
2012
- 2012-07-11 JP JP2012155701A patent/JP2014017447A/ja active Pending
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USD933584S1 (en) | 2012-11-08 | 2021-10-19 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| US11595000B2 (en) | 2012-11-08 | 2023-02-28 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | High efficiency configuration for solar cell string |
| US11482639B2 (en) | 2014-05-27 | 2022-10-25 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
| US9356184B2 (en) | 2014-05-27 | 2016-05-31 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
| US9780253B2 (en) | 2014-05-27 | 2017-10-03 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
| US9876132B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-01-23 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
| US9882077B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-01-30 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
| US9947820B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-04-17 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell panel employing hidden taps |
| US11942561B2 (en) | 2014-05-27 | 2024-03-26 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Shingled solar cell module |
| US10090430B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-10-02 | Sunpower Corporation | System for manufacturing a shingled solar cell module |
| EP3518126A1 (en) * | 2014-05-27 | 2019-07-31 | SunPower Corporation | Shingled solar cell module |
| US9397252B2 (en) | 2014-05-27 | 2016-07-19 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
| US9484484B2 (en) | 2014-05-27 | 2016-11-01 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
| US11038072B2 (en) | 2014-05-27 | 2021-06-15 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
| US11949026B2 (en) | 2014-05-27 | 2024-04-02 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Shingled solar cell module |
| US9401451B2 (en) | 2014-05-27 | 2016-07-26 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
| USD1012832S1 (en) | 2014-10-15 | 2024-01-30 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Solar panel |
| USD913210S1 (en) | 2014-10-15 | 2021-03-16 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| USD933585S1 (en) | 2014-10-15 | 2021-10-19 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| USD1013619S1 (en) | 2014-10-15 | 2024-02-06 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Solar panel |
| USD934158S1 (en) | 2014-10-15 | 2021-10-26 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| USD916651S1 (en) | 2014-10-15 | 2021-04-20 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| USD896747S1 (en) | 2014-10-15 | 2020-09-22 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| USD999723S1 (en) | 2014-10-15 | 2023-09-26 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| USD977413S1 (en) | 2014-10-15 | 2023-02-07 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| US10861999B2 (en) | 2015-04-21 | 2020-12-08 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module comprising hidden tap interconnects |
| US11804565B2 (en) | 2015-08-18 | 2023-10-31 | Maxeon Solar Pte. Ltd. | Solar panel |
| US10084104B2 (en) | 2015-08-18 | 2018-09-25 | Sunpower Corporation | Solar panel |
| US10673379B2 (en) | 2016-06-08 | 2020-06-02 | Sunpower Corporation | Systems and methods for reworking shingled solar cell modules |
| US11070167B2 (en) | 2016-06-08 | 2021-07-20 | Sunpower Corporation | Systems and methods for reworking shingled solar cell modules |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014017447A (ja) | 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| WO2010032713A1 (ja) | 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP5171490B2 (ja) | 集積型薄膜太陽電池 | |
| WO2009107517A1 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| WO2004064167A1 (ja) | 透光性薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
| JP2005123445A (ja) | 光起電力素子および光起電力素子の製造方法 | |
| JP2010251667A (ja) | 太陽電池 | |
| WO2012117765A1 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP5376873B2 (ja) | 集積型薄膜太陽電池 | |
| JP6611786B2 (ja) | 光電変換素子および光電変換装置 | |
| KR20100069354A (ko) | 박막형 태양전지와 그의 제조 방법 및 제조 시스템 | |
| JP7127042B2 (ja) | 光電変換モジュール及び光電変換モジュールを製造する方法 | |
| WO2013057978A1 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法、光電変換モジュール | |
| KR101550927B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| JP3520425B2 (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| JP2013058702A (ja) | 太陽電池セルおよびその製造方法、太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
| JP4904320B2 (ja) | 集積型薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP6590165B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
| JP2013229427A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| WO2017038733A1 (ja) | 光電変換素子 | |
| JP2019054167A (ja) | 光電変換モジュール | |
| JP2005033006A (ja) | 集積型タンデム接合太陽電池及び集積型タンデム接合太陽電池の製造方法 | |
| JPWO2017175491A1 (ja) | 多接合光電変換装置の製造方法 | |
| WO2019232034A1 (en) | Thin-film photovoltaic device structure and method of monolithically interconnecting photovoltaic cells in modules utilizing such structure | |
| JP2013251286A (ja) | バイパスダイオード装置及びその検査方法 |