JP2014011179A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】さらなる生産効率の向上を図ることが可能な半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 転写用基板と機能層形成用基板上に形成された機能層とを、仮止め層を介して貼り付ける工程と、機能層形成用基板を除去し機能層を露出させる工程と、露出した機能層に最終基板を貼り付ける工程と、仮止め層と転写用基板とを機能層から分離する工程とを有し、仮止め層は、(A)200℃に1分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm以上であり、且つ、200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満である、又は、(B)50℃のN−メチル−2−ピロリドンに60秒間浸漬し、150℃で30分乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上である半導体素子の製造方法。
【選択図】 図1
【解決手段】 転写用基板と機能層形成用基板上に形成された機能層とを、仮止め層を介して貼り付ける工程と、機能層形成用基板を除去し機能層を露出させる工程と、露出した機能層に最終基板を貼り付ける工程と、仮止め層と転写用基板とを機能層から分離する工程とを有し、仮止め層は、(A)200℃に1分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm以上であり、且つ、200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満である、又は、(B)50℃のN−メチル−2−ピロリドンに60秒間浸漬し、150℃で30分乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上である半導体素子の製造方法。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体素子の製造方法に関する。
従来、GaAs、GaP、サファイア、SiC等の機能層形成用基板に、液層エピタキシャル成長法や有機金属化学気相成長法により機能層を形成する方法が知られている。機能層は、光電素子等に利用することができる。しかしながら、機能層を形成するための機能層形成用基板は、一般的に熱伝導性が低く、放熱特性の改善が求められている。
そこで、近年、機能層を機能層形成用基板から剥離し、高熱伝導基板に転写することにより、放熱特性を向上させる試みがされている。薄い機能層を機能層形成用基板から剥離する方法(リフトオフ法)としては、従来、機能層の機能層形成用基板とは反対側の面に一旦、転写用基板を貼り付け、その後、YAGレーザー、Excimerレーザーにより剥離する方法が知られている(例えば、特許文献1、2参照)。また、機能層と機能層形成用基板との間に予めエッチング層を設けておき、このエッチング層をエッチングして剥離する方法が知られている(例えば、特許文献3参照)。
以下、従来のウェットエッチングを採用した場合の機能層転写方法について説明する。図7〜図11は、従来の基板転写方法を説明するための断面模式図である。
まず、図7に示すように、機能層形成用基板100上に第1のエッチング層102を形成する。次に、第1のエッチング層102上に液層エピタキシャル成長法や有機金属化学気相成長法により機能層104を形成する。さらに、機能層104上に第2のエッチング層106を形成する。一方、第3のエッチング層112を介して耐熱性の接着剤層114が形成されている転写用基板110を準備する。
次に、第2のエッチング層106と耐熱性の接着剤層114とを貼り合わせる(図8参照)。
次に、第1のエッチング層102をエッチングするためのエッチング液を用いて第1のエッチング層102をエッチングする。これにより、機能層形成用基板100が除去され、機能層104が露出する(図9参照)。
次に、露出した機能層104に、最終基板120を貼り付ける(図10参照)。
次に、第2のエッチング層106をエッチングするためのエッチング液を用いて第2のエッチング層106をエッチングする。これにより、耐熱性の接着剤層114と転写用基板110とが、機能層100から分離される(図11参照)。
以上により、機能層104が、機能層形成用基板100から最終基板120に転写される。
機能層を機能層形成用基板から最終基板に転写する手順としては、まず、機能層を転写用基板に貼り付け、この状態で機能層形成用基板を除去し、その後、露出した機能層に、最終基板を貼り付け、最後に、転写用基板を、機能層から分離する。上述した従来の転写方法においては、第2のエッチング層106と耐熱性の接着剤層114とを介して、機能層104を転写用基板110に貼り付け、この状態で機能層形成用基板100を除去し、その後、露出した機能層104に、最終基板120を貼り付け、最後に、第2のエッチング層106をエッチングすることにより、耐熱性の接着剤層114と転写用基板110とを、機能層100から分離している(図11参照)。
このような手順となっている理由としては、耐熱性の接着剤層114は、一旦、接着対象を接着した後は剥離困難となるため、第2のエッチング層や第3のエッチング層を設ける必要があるためである。
しかしながら、上述した従来のウェットエッチングを用いた機能層転写方法では、工程数が多いため、さらなる生産効率の向上が求められている。
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、さらなる生産効率の向上を図ることが可能な半導体素子の製造方法を提供することにある。
本願発明者等は、上記従来の問題点を解決すべく検討した結果、特定の仮止め層を用いることにより、生産効率の向上を図ることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明に係る半導体素子の製造方法は、
転写用基板と機能層形成用基板上に形成された機能層とを、仮止め層を介して貼り付ける工程と、
前記機能層形成用基板を除去し、前記機能層を露出させる工程と、
露出した前記機能層に、最終基板を貼り付ける工程と、
前記仮止め層と前記転写用基板とを、前記機能層から分離する工程とを有し、
前記仮止め層は、(A)200℃に1分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm以上であり、且つ、200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満である、又は、(B)50℃のN−メチル−2−ピロリドンに60秒間浸漬し、150℃で30分乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上であることを特徴とする。
転写用基板と機能層形成用基板上に形成された機能層とを、仮止め層を介して貼り付ける工程と、
前記機能層形成用基板を除去し、前記機能層を露出させる工程と、
露出した前記機能層に、最終基板を貼り付ける工程と、
前記仮止め層と前記転写用基板とを、前記機能層から分離する工程とを有し、
前記仮止め層は、(A)200℃に1分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm以上であり、且つ、200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満である、又は、(B)50℃のN−メチル−2−ピロリドンに60秒間浸漬し、150℃で30分乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上であることを特徴とする。
前記仮止め層は、(A)200℃に1分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm以上であり、且つ、200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満である、又は、(B)50℃のN−メチル−2−ピロリドンに60秒間浸漬し、150℃で30分乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上である。前記(A)の場合、前記仮止め層は、ある程度高温に晒されても剥離せず、且つ、さらにより高温領域においては、剥離する。その結果、転写用基板と機能層とを、仮止め層を介して貼り付けた後、前記仮止め層を前記機能層から分離するまでの間に、ある程度高温に晒されたとしても、剥離しないようにすることができる。一方、前記仮止め層を前記機能層から分離する段階においては、高温にすることにより剥離できる。
このように、前記構成によれば、従来のウェットエッチングを用いた機能層転写方法において、必要としていた第2のエッチング層や第3のエッチング層を形成することなく、機能層を最終基板に転写することができる。その結果、生産効率の向上を図ることができる。
また、加熱による断接着力の低下によって剥離するため、レーザーを用いた剥離に比して、機能層へのダメージを低減することができる。
このように、前記構成によれば、従来のウェットエッチングを用いた機能層転写方法において、必要としていた第2のエッチング層や第3のエッチング層を形成することなく、機能層を最終基板に転写することができる。その結果、生産効率の向上を図ることができる。
また、加熱による断接着力の低下によって剥離するため、レーザーを用いた剥離に比して、機能層へのダメージを低減することができる。
また、前記(B)の場合、前記仮止め層は、50℃のN−メチル−2−ピロリドン(NMP)に60秒間浸漬し、150℃で30分乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上である。50℃のN−メチル−2−ピロリドン(NMP)に60秒間浸漬し、150℃で30分乾燥した後の重量減少率が1重量%以上であるため、仮止め層がN−メチル−2−ピロリドンに溶け出し、充分に重量減少しているといえる。その結果、前記仮止め層を前記機能層から分離する段階において、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)を用いることにより、容易に剥離することができる。仮止め層の前記重量減少率は、例えば、原材料のNMPに対する溶解性によりコントロールすることができる。すなわち、原材料として、NMPに対する溶解性の高いものを選択するほど、当該原材料を用いて得られた仮止め層は、NMPに対する溶解性は高くなる。
このように、前記構成によれば、従来のウェットエッチングを用いた機能層転写方法において、必要としていた第2のエッチング層や第3のエッチング層を形成することなく、機能層を最終基板に転写することができる。その結果、生産効率の向上を図ることができる。
また、溶剤(N−メチル−2−ピロリドン(NMP))によって剥離するため、レーザーを用いた剥離に比して、機能層へのダメージを低減することができる。
このように、前記構成によれば、従来のウェットエッチングを用いた機能層転写方法において、必要としていた第2のエッチング層や第3のエッチング層を形成することなく、機能層を最終基板に転写することができる。その結果、生産効率の向上を図ることができる。
また、溶剤(N−メチル−2−ピロリドン(NMP))によって剥離するため、レーザーを用いた剥離に比して、機能層へのダメージを低減することができる。
前記構成において、前記仮止め層のダイナミック硬さは、0.01以上10以下であることが好ましい。前記仮止め層のダイナミック硬さが10以下であると、機能層の凹凸への追従性が良好となる。一方、前記仮止め層の表面硬度が0.01以上であると、機能層シフト制御(仮止め層の形状変化による、機能層を最終基板へ貼合わせた際の位置ズレ抑制)という効果が得られる。
前記構成において、前記仮止め層は、3%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に5分浸漬した後の重量減少率が1重量%未満であることが好ましい。3%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に5分浸漬した後の重量減少率が1重量%未満であると、3%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液への溶け出しが少ないため、耐溶剤性(特に、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に対する耐溶剤性)を高めることができる。
前記構成において、前記仮止め層は、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有し、前記エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位は、グリコール骨格、又は、アルキレングリコールを有するジアミンに由来するグリコール骨格を有することが好ましい。エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有している場合、仮止め層を高温(例えば、200℃以上)に加熱すると、剪断接着力を低下させることができる。この現象について、本発明者らは、高温に加熱されることにより、前記エーテル構造が仮止め層を構成する樹脂から脱離し、この脱離により剪断接着力が低下している推察している。前記エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位が、グリコール骨格、又は、アルキレングリコールを有するジアミンに由来するグリコール骨格を有すると、高温(例えば、200℃以上)に加熱することにより、より良好な剥離性を示す。
前記仮止め層がグリコール骨格を有するジアミンを有するか否かは、FT−IRスペクトルにおいて、2700〜3000cm−1に吸収ピークを持つスペクトルが存在するか否かにより確認できる。すなわち、2700〜3000cm−1に吸収ピークを持つスペクトルが存在する場合、グリコール骨格を有するジアミンを有すると判断することができる。
特に、前記仮止め層がアルキレングリコールを有するジアミンに由来するグリコール骨格を有するジアミンを有するか否かは、FT−IRスペクトルにおいて2700〜3000cm−1に吸収ピークを持つスペクトルが存在するか否かにより確認できる。
前記仮止め層がグリコール骨格を有するジアミンを有するか否かは、FT−IRスペクトルにおいて、2700〜3000cm−1に吸収ピークを持つスペクトルが存在するか否かにより確認できる。すなわち、2700〜3000cm−1に吸収ピークを持つスペクトルが存在する場合、グリコール骨格を有するジアミンを有すると判断することができる。
特に、前記仮止め層がアルキレングリコールを有するジアミンに由来するグリコール骨格を有するジアミンを有するか否かは、FT−IRスペクトルにおいて2700〜3000cm−1に吸収ピークを持つスペクトルが存在するか否かにより確認できる。
前記構成において、前記仮止め層は、酸無水物と、エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンと、を反応させて得られるポリアミド酸をイミド化して得られるポリイミド樹脂を構成材料とし、前記酸無水物と、前記エーテル構造を有するジアミンと、前記エーテル構造を有さないジアミンとを反応させる際の前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、100:0〜10:90の範囲内であることが好ましい。前記酸無水物と、前記エーテル構造を有するジアミンと、前記エーテル構造を有さないジアミンとを反応させる際の前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、100:0〜10:90の範囲内にあると、高温での熱剥離性により優れる。
前記構成において、前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、200〜5000の範囲内であることが好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、200〜5000の範囲内であると、低温での接着力が高く、且つ、高温において剥離性を奏する仮止め層をえやすい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、GPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー)により測定し、ポリスチレン換算により算出された値(重量平均分子量)をいう。
前記構成において、前記機能層形成用基板が、GaAs、GaP、サファイア、又は、SiCであり、前記機能層が発光層であることが好ましい。前記機能層形成用基板が、GaAs、GaP、サファイア、又は、SiCであり、前記機能層が発光層であると、最終基板が高熱電導タイプの場合、より高い放熱性が得られる。
本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。図1〜図5は、本実施形態に係る半導体素子の製造方法を説明するための断面模式図である。なお、本明細書において、図には、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にするために拡大又は縮小等して図示した部分がある。
[半導体素子の製造方法]
本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、
転写用基板20と機能層形成用基板10上に形成された機能層14とを、仮止め層24を介して貼り付ける工程と、
機能層形成用基板10を除去し、機能層14を露出させる工程と、
露出した機能層14に、最終基板30を貼り付ける工程と、
仮止め層24と転写用基板20とを、機能層14から分離する工程とを少なくとも有し、
仮止め層24は、(A)200℃に1分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm以上であり、且つ、200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満である。又は、(B)50℃のN−メチル−2−ピロリドンに60秒間浸漬し、150℃で30分乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上である。以下、本実施形態に係る半導体素子の製造方法について詳述する。
本実施形態に係る半導体素子の製造方法は、
転写用基板20と機能層形成用基板10上に形成された機能層14とを、仮止め層24を介して貼り付ける工程と、
機能層形成用基板10を除去し、機能層14を露出させる工程と、
露出した機能層14に、最終基板30を貼り付ける工程と、
仮止め層24と転写用基板20とを、機能層14から分離する工程とを少なくとも有し、
仮止め層24は、(A)200℃に1分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm以上であり、且つ、200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満である。又は、(B)50℃のN−メチル−2−ピロリドンに60秒間浸漬し、150℃で30分乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上である。以下、本実施形態に係る半導体素子の製造方法について詳述する。
まず、図1に示すように、機能層形成用基板10上に第1のエッチング層12を形成する。機能層形成用基板10としては、GaAs、GaP、サファイア、又は、SiC基板を挙げることができる。これらの基板を用いることにより、機能層14を液層エピタキシャル成長法や有機金属化学気相成長法により当該基板上に形成することができる。第1のエッチング層12は、例えば、特開2009−99989号公報に記載されているように、窒化物層に格子状の酸化ケイ素が形成された層を挙げることができる。第1のエッチング層12は、詳しくは後述するが、機能層形成用基板10を機能層14から分離する際に、エッチング液により溶解させる層である。特に、第1のエッチング層12が、窒化物層に格子状の酸化ケイ素が形成された層である場合には、この酸化ケイ素をエッチングで取り除き、窒化物層中に、中空通路を導入させることで機能層形成用基板10を機能層14から分離することができる。
次に、第1のエッチング層12上に液層エピタキシャル成長法や有機金属化学気相成長法により機能層14を形成する。機能層14は、半導体素子としての各種機能を発揮するための層であり、従来公知のものを採用することができる。機能層14としては、LED(Lighg Emitting Diode)等の光を発する発光層や、イメージセンサー、太陽電池セル等の光電変換をする機能を有する層を挙げることができる。
一方、転写用基板20を準備し、転写用基板20上に仮止め層24を形成する。
転写用基板20としては、特に限定されないが、耐熱性に優れるものが好ましく、例えば、シリコン、ガラス等の材料から形成されたものを挙げることができる。
ここで、仮止め層24について詳細に説明することとする。
仮止め層24は、(A)200℃に1分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm以上であることが好ましく、0.30kg/5×5mm以上であることがより好ましく、0.50kg/5×5mm以上であることがさらに好ましい。また、仮止め層24は、200℃を超え、500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満であることが好ましく、0.10kg/5×5mm未満であることがより好ましく、0.05kg/5×5mm未満であることがさらに好ましい。200℃に1分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm以上であり、且つ、200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満であるため、仮止め層24は、ある程度高温に晒されても剥離せず、且つ、さらにより高温領域においては、剥離する。その結果、転写用基板20と機能層14とを、仮止め層24を介して貼り付けた後(仮止めした後)、仮止め層24を機能層14から分離するまでの間に、ある程度高温に晒されたとしても、剥離しないようにすることができる。一方、仮止め層24を機能層14から分離する段階においては、高温にすることにより剥離できる。仮止め層24の前記剪断接着力は、例えば、仮止め層24に含まれる官能基数によりコントロールすることができる。
また、仮止め層24のシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満(好ましくは、0.10kg/5×5mm未満、より好ましくは、0.05kg/5×5mm未満)となる温度は、200℃を超え、500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度であれば、特に限定されないが、好ましくは、220℃を超え、480℃以下であり、より好ましくは、240℃を超え、450℃以下である。
なお、仮止め層24は、200℃以下であっても、長時間保持すると、シリコンウエハに対する前記剪断接着力は、0.25kg/5×5mm未満となる場合がある。また、仮止め層24は、200℃より大きい温度に保持したとしても、短時間であれば、シリコンウエハに対する前記剪断接着力は、0.25kg/5×5mm未満とはならない場合がある。
すなわち、「200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満」は、高温での剥離性を評価する指標であり、「200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度」にすると、直ちに、シリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満になることを意味するものではない。また、「200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度」にしなければ、剥離性を発現しないことを意味するものでもない。
また、仮止め層24のシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満(好ましくは、0.10kg/5×5mm未満、より好ましくは、0.05kg/5×5mm未満)となる温度は、200℃を超え、500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度であれば、特に限定されないが、好ましくは、220℃を超え、480℃以下であり、より好ましくは、240℃を超え、450℃以下である。
なお、仮止め層24は、200℃以下であっても、長時間保持すると、シリコンウエハに対する前記剪断接着力は、0.25kg/5×5mm未満となる場合がある。また、仮止め層24は、200℃より大きい温度に保持したとしても、短時間であれば、シリコンウエハに対する前記剪断接着力は、0.25kg/5×5mm未満とはならない場合がある。
すなわち、「200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満」は、高温での剥離性を評価する指標であり、「200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度」にすると、直ちに、シリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満になることを意味するものではない。また、「200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度」にしなければ、剥離性を発現しないことを意味するものでもない。
仮止め層24は、(B)50℃のN−メチル−2−ピロリドン(NMP)に60秒間浸漬し、150℃で30分間乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上であることが好ましく、1.1重量%以上であることがより好ましく、1.2重量%以上であることがさらに好ましい。また、前記重量減少率は、大きいほど好ましいが、例えば、50重量%以下、40重量%以下である。50℃のN−メチル−2−ピロリドン(NMP)に60秒間浸漬し、150℃で30分間乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上であると、仮止め層24がN−メチル−2−ピロリドンに溶け出し、充分に重量減少しているといえる。その結果、仮止め層24をN−メチル−2−ピロリドンにより容易に剥離することができる。仮止め層24の前記重量減少率は、例えば、原材料のNMPに対する溶解性によりコントロールすることができる。すなわち、原材料として、NMPに対する溶解性の高いものを選択するほど、当該原材料を用いて得られた仮止め層24は、NMPに対する溶解性は高くなる。
仮止め層24は、ダイナミック硬さが10以下であることが好ましく、9以下であることがより好ましく、8以下であることがさらに好ましい。また、前記ダイナミック硬さは、小さいほど好ましいが、例えば、0.01以上である。前記ダイナミック硬さが10以下であると、仮止め層24の転写用基板20や機能層14への接着力を充分なものとすることができる。また、前記ダイナミック硬さが10以下であると、機能層14の凹凸への追従性が良好となる。一方、仮止め層24の表面硬度が0.01以上であると、機能層シフト制御(仮止め層24の形状変化による、機能層14を最終基板30へ貼合わせた際の位置ズレ抑制)という効果が得られる。
仮止め層24は、3%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に5分浸漬した後の重量減少率が1重量%未満であることが好ましく、0.9重量%未満であることがより好ましく、0.8重量%未満であることがさらに好ましい。また、前記重量減少率は、小さいほど好ましいが、例えば、0重量%以上、0.001重量%以上である。3%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に5分浸漬した後の重量減少率が1重量%未満であると、3%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液への溶け出しが少ないため、耐溶剤性(特に、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に対する耐溶剤性)を高めることができる。仮止め層24の前記重量減少率は、例えば、用いるジアミンの組成(ジアミンの水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に対する溶解性)により、コントロールすることができる。
仮止め層24は、シリコンウエハに貼り合わせた後に剥離した際の、シリコンウエハ面上の0.2μm以上のパーティクルの増加量が、シリコンウエハに貼り合わせる前に対して、10000個/6インチウェハ未満であることが好ましく、9000個/6インチウェハ未満であることがより好ましく、8000個/6インチウェハ未満であることさらに好ましい。前記パーティクルの増加量は、特に好ましくは、シリコンウエハに貼り合わせる前に対して、1000個/6インチウェハ未満、900個/6インチウェハ未満、800個/6インチウェハ未満である。シリコンウエハに貼り合わせた後に剥離した際の、シリコンウエハ面上の0.2μm以上のパーティクルの増加量が、シリコンウエハに貼り合わせる前に対して、10000個/6インチウェハ未満であると、剥離後の糊残りを抑制することができる。
仮止め層24は、(A)200℃に1分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm以上であり、且つ、200℃を超え、500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満であるか、又は、(B)50℃のN−メチル−2−ピロリドンに60秒間浸漬し、150℃で30分乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上であれば、その形成材料は、特に限定されないが、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ゴム樹脂等を挙げることができる。
前記ポリイミド樹脂は、一般的に、その前駆体であるポリアミド酸をイミド化(脱水縮合)することにより得ることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、従来公知の加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等を採用することができる。なかでも、加熱イミド化法が好ましい。加熱イミド化法を採用する場合、ポリイミド樹脂の酸化による劣化を防止するため、窒素雰囲気下や、真空中等の不活性雰囲気下にて加熱処理を行なうことが好ましい。
前記ポリアミド酸は、適宜選択した溶媒中で、酸無水物とジアミンとを実質的に等モル比となるように仕込み、反応させて得ることができる。
前記ポリイミド樹脂としては、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有することが好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンは、エーテル構造を有し、且つ、アミン構造を有する端末を少なくとも2つ有する化合物である限り、特に限定されない。前記エーテル構造を有するジアミンのなかでも、グリコール骨格を有するジアミンであることが好ましい。前記ポリイミド樹脂が、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位、特に、グリコール骨格を有するジアミンに由来する構成単位を有している場合、仮止め層24を加熱すると、剪断接着力を低下させることができる。この現象について、本発明者らは、高温に加熱されることにより、前記エーテル構造、又は、前記グリコール骨格が仮止め層24を構成する樹脂から脱離し、この脱離により剪断接着力が低下している推察している。
なお、前記エーテル構造、又は、前記グリコール骨格が仮止め層24を構成する樹脂から脱離していることは、例えば、300℃での加熱を30分する前後におけるFT−IR(fourier transform infrared spectroscopy)スペクトルを比較し、2800〜3000cm−1のスペクトルが加熱前後で減少していることにより確認できる。
なお、前記エーテル構造、又は、前記グリコール骨格が仮止め層24を構成する樹脂から脱離していることは、例えば、300℃での加熱を30分する前後におけるFT−IR(fourier transform infrared spectroscopy)スペクトルを比較し、2800〜3000cm−1のスペクトルが加熱前後で減少していることにより確認できる。
前記グリコール骨格を有するジアミンとしては、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に1つずつ有するジアミン、ポリエチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に1つずつ有するジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に1つずつ有するジアミン等のアルキレングリコールを有するジアミンを挙げることができる。また、これらのグリコール構造の複数を有し、且つ、アミノ基を両末端に1つずつ有するジアミンを挙げることができる。
前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、200〜5000の範囲内であることが好ましく、230〜4500であることがより好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量が200〜5000の範囲内であると、低温での接着力が高く、且つ、高温において剥離性を奏する仮止め層24をえやすい。
前記ポリイミド樹脂の形成には、エーテル構造を有するジアミン以外に、エーテル構造を有さないジアミンを併用することもできる。エーテル構造を有さないジアミンとしては、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。エーテル構造を有さないジアミンを併用することにより、機能層や転写用基板との密着力をコントロールすることができる。エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合は、モル比で、100:0〜10:90の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは、100:0〜20:80であり、さらに好ましくは、99:1〜30:70である。前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、100:0〜10:90の範囲内にあると、高温での熱剥離性により優れる。
前記脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、1,8−ジアミノオクタン、1,10−ジアミノデカン、1,12−ジアミノドデカン、4,9−ジオキサ−1,12−ジアミノドデカン、1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン(α、ω−ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン)などが挙げられる。前記脂肪族ジアミンの分子量は、通常、50〜1,000,000であり、好ましくは100〜30,000である。
芳香族ジアミンとしては、例えば、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルプロパン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)−2,2−ジメチルプロパン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。前記芳香族ジアミンの分子量は、通常、50〜1000であり、好ましくは100〜500である。なお、本明細書において、分子量は、GPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー)により測定し、ポリスチレン換算により算出された値(重量平均分子量)をいう。
前記酸無水物としては、例えば、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物(6FDA)、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記酸無水物と前記ジアミンを反応させる際の溶媒としては、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等を挙げることができる。これらは、単独で使用してもよく、複数を混合して用いてもよい。また、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレン等の非極性の溶媒を適宜、混合して用いてもよい。
仮止め層24は、例えば、次の通りにして作製される。先ず、前記ポリアミド酸を含む溶液を作製する。次に、前記溶液を基材上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させる。前記基材としては、SUS304、6−4アロイ、アルミ箔、銅箔、Ni箔などの金属箔や、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等が使用可能である。また、塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工、スピンコート塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度50〜150℃、乾燥時間3〜30分間の範囲内で行われる。さらに150〜400℃、30〜240分間、窒素中又は真空中で熱硬化(イミド化)させる。これにより、本実施形態に係る仮止め層24が得られる。このようにして得られたシート状の仮止め層24は、転写用基板20上に貼り付けて使用できる。貼り付け方法としては、従来公知の方法を採用することができ、例えば、プレス、ロールラミネーションを挙げることができる。
また、仮止め層24は、前記液状の溶液を直接、転写用基板20上に塗布することにより形成することができる。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工、スピンコート塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度50〜150℃、乾燥時間3〜30分間の範囲内で行われる。さらに150〜400℃、30〜240分間、窒素中又は真空中で熱硬化(イミド化)させる。これにより、本実施形態に係る仮止め層24が得られる。
また、仮止め層24は、前記液状の溶液を直接、転写用基板20上に塗布することにより形成することができる。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工、スピンコート塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度50〜150℃、乾燥時間3〜30分間の範囲内で行われる。さらに150〜400℃、30〜240分間、窒素中又は真空中で熱硬化(イミド化)させる。これにより、本実施形態に係る仮止め層24が得られる。
次に、図2に示すように、転写用基板20と機能層形成用基板10上に形成された機能層14とを、仮止め層24を介して貼り付ける。
次に、第1のエッチング層12をエッチングするためのエッチング液を用いて第1のエッチング層12をエッチングする。これにより、機能層形成用基板10が除去され、機能層14が露出する(図3参照)。
次に、露出した機能層14に、最終基板30を貼り付ける(図4参照)。
次に、仮止め層24と転写用基板20とを、機能層14から分離する(図5)。分離方法としては、(a)高温加熱による分離と、(b)N−メチル−2−ピロリドンへの浸漬による分離が挙げられる。
前記(a)の場合、高温に加熱し、仮止め層24の剪断接着力を低下させ、仮止め層24と転写用基板20とを、機能層14から分離する。前記高温加熱の条件としては、仮止め層24の剪断接着力を低下させ、仮止め層24と転写用基板20とを、機能層14から分離できる範囲内において、適宜設定できるが、下限値としては、例えば、180℃、200℃、250℃等とすることができる。また、上限値は、300℃、350℃、400℃等とすることができる。また、前記高温加熱の工程において前記温度条件下に維持する時間は、温度に応じて異なるが、0.05〜120分が好ましく、0.1〜30分がより好ましい。
一方、前記(b)の場合、−10〜100℃のN−メチル−2−ピロリドンに1〜600秒間浸漬し、仮止め層24の剪断接着力を低下させ、仮止め層24と転写用基板20とを、機能層14から分離する。
以上により、機能層14が機能層形成用基板10から最終基板30に転写され、最終基板30上に機能層14が積層された半導体素子を得ることができる。
最終基板30としては、特に限定されないが、アルミナ基板等の熱導電性に優れた高熱伝導基板が好ましい。最終基板30が高熱伝導基板であり、機能層14が発光層であると、発光効率に優れた発光素子とすることができる。
以上、本実施形態に係る半導体素子の製造方法によれば、従来のウェットエッチングを用いた機能層転写方法において必要としていた第2のエッチング層や第3のエッチング層を形成することなく、機能層を最終基板に転写することができる。その結果、生産効率の向上を図ることができる。また、加熱による断接着力の低下によって剥離するため、レーザーを用いた剥離に比して、機能層へのダメージを低減することができる。
上述した実施形態では、仮止め層24が、前記(A)を満たし、且つ、前記(B)を満たす場合について説明した。すなわち、(A)200℃に1分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm以上であり、且つ、200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満であり、且つ、(B)50℃のN−メチル−2−ピロリドンに60秒間浸漬し、150℃で30分乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上である場合について説明した。
しかしながら、本発明において、仮止め層は、前記(A)か前記(B)の少なくとも一方を満たせばよい。
しかしながら、本発明において、仮止め層は、前記(A)か前記(B)の少なくとも一方を満たせばよい。
図6は、他の実施形態に係る半導体素子の製造方法を説明するための断面模式図である。
上述した実施形態においては、最終基板30上に直接に機能層14を貼り付ける場合について説明した。しかしながら、本発明においては、この例に限定されず、図6に示すように、最終基板30上に反射層32を形成し、反射層32を介して、機能層14に最終基板30を貼り付けてもよい。反射層32が設けられている場合、発光層としての機能層14から発せられる光の発光効率をより向上させることができる。
上述した実施形態においては、最終基板30上に直接に機能層14を貼り付ける場合について説明した。しかしながら、本発明においては、この例に限定されず、図6に示すように、最終基板30上に反射層32を形成し、反射層32を介して、機能層14に最終基板30を貼り付けてもよい。反射層32が設けられている場合、発光層としての機能層14から発せられる光の発光効率をより向上させることができる。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
(実施例1)
窒素気流下の雰囲気において、140.85gのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)中に、ポリエーテルジアミン(ハインツマン製、D−4000、分子量:4023.5)8.05g、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(DDE、分子量:200.2)8.78g、及び、ピロメリット酸二無水物(PMDA、分子量:218.1)10.0gを70℃で混合して反応させ、ポリアミド酸溶液Aを得た。室温(23℃)にまで冷却した後、ポリアミド酸溶液Aをスピンコーターで8インチシリコンウエハーのミラー面上に塗布し、90℃で20分乾燥後し、ポリアミド酸付き転写用基板Aを得た。ポリアミド酸付き転写用基板Aを、窒素雰囲気下、300℃で2時間熱処理して、厚み30μmのポリイミド皮膜(仮止め層)を形成し、仮止め層付き転写用基板Aを得た。
窒素気流下の雰囲気において、140.85gのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)中に、ポリエーテルジアミン(ハインツマン製、D−4000、分子量:4023.5)8.05g、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(DDE、分子量:200.2)8.78g、及び、ピロメリット酸二無水物(PMDA、分子量:218.1)10.0gを70℃で混合して反応させ、ポリアミド酸溶液Aを得た。室温(23℃)にまで冷却した後、ポリアミド酸溶液Aをスピンコーターで8インチシリコンウエハーのミラー面上に塗布し、90℃で20分乾燥後し、ポリアミド酸付き転写用基板Aを得た。ポリアミド酸付き転写用基板Aを、窒素雰囲気下、300℃で2時間熱処理して、厚み30μmのポリイミド皮膜(仮止め層)を形成し、仮止め層付き転写用基板Aを得た。
(実施例2)
窒素気流下の雰囲気において138.48gのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)中に、ポリエーテルジアミン(ハインツマン製、D−2000、分子量:1990.8)10.21g、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(DDE、分子量:200.2)8.15g、及び、ピロメリット酸二無水物(PMDA、分子量:218.1)10.0gを70℃で混合して反応させ、ポリアミド酸溶液Bを得た。室温(23℃)にまで冷却した後、ポリアミド酸溶液BをSUS箔(厚み38μm)の上に乾燥後の厚みが50μmとなるように塗布し、90℃で20分乾燥後し、ポリアミド酸付き転写用基板Bを得た。ポリアミド酸付き転写用基板Bを、窒素雰囲気下、300℃で2時間熱処理して、厚み50μmのポリイミド皮膜(仮止め層)を形成し、仮止め層付き転写用基板Bを得た。
窒素気流下の雰囲気において138.48gのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)中に、ポリエーテルジアミン(ハインツマン製、D−2000、分子量:1990.8)10.21g、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(DDE、分子量:200.2)8.15g、及び、ピロメリット酸二無水物(PMDA、分子量:218.1)10.0gを70℃で混合して反応させ、ポリアミド酸溶液Bを得た。室温(23℃)にまで冷却した後、ポリアミド酸溶液BをSUS箔(厚み38μm)の上に乾燥後の厚みが50μmとなるように塗布し、90℃で20分乾燥後し、ポリアミド酸付き転写用基板Bを得た。ポリアミド酸付き転写用基板Bを、窒素雰囲気下、300℃で2時間熱処理して、厚み50μmのポリイミド皮膜(仮止め層)を形成し、仮止め層付き転写用基板Bを得た。
(比較例1)
窒素気流下の雰囲気において、364.42gのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)中に、4,4‘−ジアミノジフェニルエーテル(DDE、分子量:200.2)9.18g、及び、ピロメリット酸二無水物(PMDA、分子量:218.1)10.00gを70℃で混合し反応させ、ポリアミド酸溶液Cを得た。室温(23℃)にまで冷却した後、ポリアミド酸溶液Cをスピンコーターで8インチシリコンウエハーのミラー面上に塗布し、90℃で20分乾燥後し、ポリアミド酸付き転写用基板Cを得た。ポリアミド酸付き転写用基板Cを、窒素雰囲気下、300℃で2時間熱処理して、厚み30μmのポリイミド皮膜(仮止め層)を形成し、仮止め層付き転写用基板Cを得た。
窒素気流下の雰囲気において、364.42gのN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)中に、4,4‘−ジアミノジフェニルエーテル(DDE、分子量:200.2)9.18g、及び、ピロメリット酸二無水物(PMDA、分子量:218.1)10.00gを70℃で混合し反応させ、ポリアミド酸溶液Cを得た。室温(23℃)にまで冷却した後、ポリアミド酸溶液Cをスピンコーターで8インチシリコンウエハーのミラー面上に塗布し、90℃で20分乾燥後し、ポリアミド酸付き転写用基板Cを得た。ポリアミド酸付き転写用基板Cを、窒素雰囲気下、300℃で2時間熱処理して、厚み30μmのポリイミド皮膜(仮止め層)を形成し、仮止め層付き転写用基板Cを得た。
(シリコンウエハに対する剪断接着力の測定)
転写用基板上に形成した仮止め層上に、5mm角(厚さ500μm)のシリコンウェハチップをのせ、60℃、10mm/sの条件にてラミネートした後、せん断試験機(Dage社製、Dage4000)を用いて、仮止め層とシリコンウェハチップとのせん断接着力を測定した。せん断試験の条件は、以下の2通りとした。結果を表1に示す。なお、比較例1は、シリコンウェハチップに接着しなかったため、測定しなかった。
<せん断試験の条件1>
ステージ温度:200℃
ステージに保持してからせん断接着力測定開始までの時間:1分
測定速度:500μm/s
測定ギャップ:100μm
<せん断試験の条件2>
ステージ温度:260℃
ステージに保持してからせん断接着力測定開始までの時間:3分
測定速度:500μm/s
測定ギャップ:100μm
転写用基板上に形成した仮止め層上に、5mm角(厚さ500μm)のシリコンウェハチップをのせ、60℃、10mm/sの条件にてラミネートした後、せん断試験機(Dage社製、Dage4000)を用いて、仮止め層とシリコンウェハチップとのせん断接着力を測定した。せん断試験の条件は、以下の2通りとした。結果を表1に示す。なお、比較例1は、シリコンウェハチップに接着しなかったため、測定しなかった。
<せん断試験の条件1>
ステージ温度:200℃
ステージに保持してからせん断接着力測定開始までの時間:1分
測定速度:500μm/s
測定ギャップ:100μm
<せん断試験の条件2>
ステージ温度:260℃
ステージに保持してからせん断接着力測定開始までの時間:3分
測定速度:500μm/s
測定ギャップ:100μm
(水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液へ浸漬した際の重量減少率の測定)
まず、実施例、及び、比較例に係る仮止め層付き転写用基板から、転写用基板を剥離した。次に、剥離した仮止め層を100mm角に切り出し、その重量を測定した。次に、23℃の3%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(TMAH)に5分浸漬した。水洗を十分に行った後、150℃で30分間、乾燥を行った。その後、重量を測定し、浸漬後の重量とした。
重量減少率は、下記式により求めた。結果を表1に示す。なお、比較例1は、測定しなかった。
(重量減少率(重量%))=[1−((浸漬後の重量)/(浸漬前の重量))]×100
まず、実施例、及び、比較例に係る仮止め層付き転写用基板から、転写用基板を剥離した。次に、剥離した仮止め層を100mm角に切り出し、その重量を測定した。次に、23℃の3%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(TMAH)に5分浸漬した。水洗を十分に行った後、150℃で30分間、乾燥を行った。その後、重量を測定し、浸漬後の重量とした。
重量減少率は、下記式により求めた。結果を表1に示す。なお、比較例1は、測定しなかった。
(重量減少率(重量%))=[1−((浸漬後の重量)/(浸漬前の重量))]×100
(N−メチル−2−ピロリドンに浸漬した際の重量減少率の測定)
まず、実施例、及び、比較例に係る仮止め層付き転写用基板から、転写用基板を剥離した。次に、剥離した仮止め層を100mm角に切り出し、その重量を測定した。次に、50℃のN−メチル−2−ピロリドン(NMP)に60秒浸漬した。水洗を十分に行った後、150℃で30分間、乾燥を行った。その後、重量を測定し、浸漬後の重量とした。
重量減少率は、下記式により求めた。結果を表1に示す。なお、比較例1は、測定しなかった。
(重量減少率(重量%))=[((浸漬後の重量)/(浸漬前の重量))−1]×100
まず、実施例、及び、比較例に係る仮止め層付き転写用基板から、転写用基板を剥離した。次に、剥離した仮止め層を100mm角に切り出し、その重量を測定した。次に、50℃のN−メチル−2−ピロリドン(NMP)に60秒浸漬した。水洗を十分に行った後、150℃で30分間、乾燥を行った。その後、重量を測定し、浸漬後の重量とした。
重量減少率は、下記式により求めた。結果を表1に示す。なお、比較例1は、測定しなかった。
(重量減少率(重量%))=[((浸漬後の重量)/(浸漬前の重量))−1]×100
(糊残り評価)
まず、実施例、及び、比較例に係る仮止め層付き転写用基板から、転写用基板を剥離した。次に、直径6インチサイズに実施例、及び、比較例の仮止め層を加工し、直径8インチのウェハに、60℃、10mm/sの条件にてラミネートした。その後、1分間放置し、剥離した。パーティクルカウンター(SFS6200、KLA製)を用い、直径8インチウェハの面上の0.2μm以上のパーティクル数を測定した。また、ラミネート前と比較して、剥離後のパーティクル増加量が1000個/6インチウェハ未満である場合を○、1000個/6インチウェハ以上である場合を×として評価した。結果を表1に示す。なお、比較例1は、ウェハに接着しなかったため、測定しなかった。
まず、実施例、及び、比較例に係る仮止め層付き転写用基板から、転写用基板を剥離した。次に、直径6インチサイズに実施例、及び、比較例の仮止め層を加工し、直径8インチのウェハに、60℃、10mm/sの条件にてラミネートした。その後、1分間放置し、剥離した。パーティクルカウンター(SFS6200、KLA製)を用い、直径8インチウェハの面上の0.2μm以上のパーティクル数を測定した。また、ラミネート前と比較して、剥離後のパーティクル増加量が1000個/6インチウェハ未満である場合を○、1000個/6インチウェハ以上である場合を×として評価した。結果を表1に示す。なお、比較例1は、ウェハに接着しなかったため、測定しなかった。
(剥離温度)
実施例、及び、比較例に係る仮止め層について、30mm角の大きさとし、その仮止め層の上に、10mm角(厚さ:2mm)のガラスをラミネータを用いて貼りつけた。このサンプルを用いて、山陽精工製の高温度観察装置、(製品名:SK−5000)にて、昇温速度:4℃/分、測定温度:20〜350℃の条件で加温し、ガラスが仮止め層から剥離する温度を確認した。結果を表1に示す。なお、比較例1は、ガラスに接着しなかったため、測定しなかった。
実施例、及び、比較例に係る仮止め層について、30mm角の大きさとし、その仮止め層の上に、10mm角(厚さ:2mm)のガラスをラミネータを用いて貼りつけた。このサンプルを用いて、山陽精工製の高温度観察装置、(製品名:SK−5000)にて、昇温速度:4℃/分、測定温度:20〜350℃の条件で加温し、ガラスが仮止め層から剥離する温度を確認した。結果を表1に示す。なお、比較例1は、ガラスに接着しなかったため、測定しなかった。
(ガス目視温度)
実施例、及び、比較例に係る仮止め層について、30mm角の大きさとし、その仮止め層の上に、10mm角(厚さ:2mm)のガラスをラミネータを用いて貼りつけた。このサンプルを用いて、山陽精工製の高温度観察装置、(製品名:SK−5000)にて、昇温速度:4℃/分、測定温度:20〜350℃の条件で加温し、白煙が発生する温度を確認した。結果を表1に示す。なお、比較例1は、ガラスに接着しなかったため、測定しなかった。
実施例、及び、比較例に係る仮止め層について、30mm角の大きさとし、その仮止め層の上に、10mm角(厚さ:2mm)のガラスをラミネータを用いて貼りつけた。このサンプルを用いて、山陽精工製の高温度観察装置、(製品名:SK−5000)にて、昇温速度:4℃/分、測定温度:20〜350℃の条件で加温し、白煙が発生する温度を確認した。結果を表1に示す。なお、比較例1は、ガラスに接着しなかったため、測定しなかった。
(ダイナミック硬さ)
実施例に係る仮止め層について、島津製作所製の硬度計(製品名:DUH−210)、圧子(商品名:Triangular115、株式会社島津製作所製)を用い、荷重0.5mNにて負荷-除荷試験を行い、ダイナミック硬さの測定を行なった。結果を表1に示す。なお、比較例1は、測定しなかった。
実施例に係る仮止め層について、島津製作所製の硬度計(製品名:DUH−210)、圧子(商品名:Triangular115、株式会社島津製作所製)を用い、荷重0.5mNにて負荷-除荷試験を行い、ダイナミック硬さの測定を行なった。結果を表1に示す。なお、比較例1は、測定しなかった。
10 機能層形成用基板
12 第1のエッチング層
14 機能層
20 転写用基板
24 仮止め層
30 最終基板
32 反射層
12 第1のエッチング層
14 機能層
20 転写用基板
24 仮止め層
30 最終基板
32 反射層
Claims (7)
- 転写用基板と機能層形成用基板上に形成された機能層とを、仮止め層を介して貼り付ける工程と、
前記機能層形成用基板を除去し、前記機能層を露出させる工程と、
露出した前記機能層に、最終基板を貼り付ける工程と、
前記仮止め層と前記転写用基板とを、前記機能層から分離する工程とを有し、
前記仮止め層は、(A)200℃に1分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm以上であり、且つ、200℃より大きく500℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において3分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が0.25kg/5×5mm未満である、又は、(B)50℃のN−メチル−2−ピロリドンに60秒間浸漬し、150℃で30分乾燥した後の重量減少率が1.0重量%以上であることを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記仮止め層のダイナミック硬さは、0.01以上10以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記仮止め層は、3%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に5分浸漬した後の重量減少率が1重量%未満であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記仮止め層は、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有し、
前記エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位は、グリコール骨格、又は、アルキレングリコールを有するジアミンに由来するグリコール骨格を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記仮止め層は、酸無水物と、エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンと、を反応させて得られるポリアミド酸をイミド化して得られるポリイミド樹脂を構成材料とし、
前記酸無水物と、前記エーテル構造を有するジアミンと、前記エーテル構造を有さないジアミンとを反応させる際の前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、100:0〜10:90の範囲内である請求項1〜4のいずれか1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、200〜5000の範囲内であることを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記機能層形成用基板が、GaAs、GaP、サファイア、又は、SiCであり、前記機能層が発光層であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1に記載の半導体素子の製造方法。
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