JP2013546195A - 記憶抵抗素子およびそのような素子に基づく電子メモリ - Google Patents
記憶抵抗素子およびそのような素子に基づく電子メモリ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013546195A JP2013546195A JP2013543953A JP2013543953A JP2013546195A JP 2013546195 A JP2013546195 A JP 2013546195A JP 2013543953 A JP2013543953 A JP 2013543953A JP 2013543953 A JP2013543953 A JP 2013543953A JP 2013546195 A JP2013546195 A JP 2013546195A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- element according
- electrode
- metal
- alkali metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 49
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 33
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 229910018871 CoO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 8
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910015222 Ni1/3Mn1/3Co1/3O2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 241000894007 species Species 0.000 description 4
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
- H10B63/82—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays the switching components having a common active material layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
- H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【選択図】 図2
Description
−前記薄膜は、前記第1電極の表面上に堆積されてもよい。
−前記第1電極は、縮退した半導体基板の表面、および絶縁性基板上に堆積された金属膜から選択されてもよい。
−前記第2電極は、前記薄膜上に堆積された金属膜によって形成されてもよい。
−前記薄膜は、多結晶構造または非晶質構造を有してもよい。「多結晶」という表現は、広い意味を有すると理解されなければならず、これには、結晶サイズがマイクロメートル級の膜およびナノメートル級の膜、または非晶質マトリックスによって一緒に結合された微結晶から形成される膜が含まれる。
−前記薄膜は、厚さが10μm以下であってもよく、厚さが5nmと1μmとの間であるのが好ましい。
−少なくとも1つの遷移金属の酸化物またはカルコゲナイドで作られた、少なくとも1つのアルカリ金属の前記挿入化合物が以下の化学式を有してもよい。
・Aは、1つ以上のアルカリ金属を表し、
・M1は、AgおよびCuから選択された少なくとも1つの金属を表し、
・M2は、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Mn、Fe、CuおよびZnから選択された少なくとも1つの金属を表し、
・M3は、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、MoおよびTaから選択された少なくとも1つの金属を表し、
・M4は、Ti、V、Mn、Co、Ni、Zr、SnおよびTaから選択された少なくとも1つの金属を表し、
・Bは、O、S、SeおよびTeから選択された少なくとも1つの非金属を表し、
・パラメータx、v、w、y、zおよびβは、以下の不等式を満たし、加えて、xは化合物の安定領域で選択される。
・0<x≦1、
・0≦v≦1、
・0≦w<1、
・0≦y≦1、
・0≦z<1、
・1.5≦β、かつ、
・パラメータx、v、w、yおよびzはまた、以下の等式である、v+w+y+z=1を満たす。
・A’は、LiおよびNaから選択された少なくとも1つのアルカリ金属を表し、
・Mは、Mn、Fe、CoおよびNiから選択された少なくとも1つの金属を表し、
・Bは、OおよびSから選択された少なくとも1つの非金属を表し、かつ、
・パラメータx、yおよびβが、以下の不等式を満たし、加えて、xは化合物の安定領域で選択され、
・0<x≦1、
・y=1、
・1.5≦β、
・さらに、上で示されるように、好ましくはβ≦10、かつ、より好ましくはβ≦5である。
−なおより正確には、少なくとも1つの遷移金属の酸化物またはカルコゲナイドで作られる、少なくとも1つのアルカリ金属の前記挿入化合物が、以下の、NaxCoO2、LixCoO2、LixNiO2、LixMn4O9、LixTiO2、Li4+xTi5O12、LixV2O5、LixV6O13、LixNiyCo(1−y)O2、LixFeO2、LixMnO2、LixMn2O4、LixMoO3およびLixNi1/3Mn1/3Co1/3O2から選択され、パラメータxは、これらの化合物の安定領域で選択される。留意されたいのは、これらの化学式のあるものは、パラメータyが1よりも大きな値を有してもよい形式で書かれてきた。もちろん、それらは常に正規化されて、y=1の場合に戻る。
−好ましくは、少なくとも1つの遷移金属の酸化物またはカルコゲナイドで作られる、少なくとも1つのアルカリ金属の前記挿入化合物が、NaxCoO2およびLixCoO2から選択される。
−少なくとも1つの遷移金属の酸化物またはカルコゲナイドで作られる、少なくとも1つのアルカリ金属の前記挿入化合物が、層状構造を有してもよい。
−前記第1および第2電極の少なくとも1つが、シリコンで作られてもよい。
本発明の好ましい実施形態において、前記第1および第2電極の1つ(それもただ1つ)がシリコンで作られ、かつ、少なくとも1つのアルカリ金属の前記挿入化合物がLixCoO2である。
−変形例として、前記第1および第2電極の少なくとも1つが、アルミニウム、ガリウム、インジウム、アンチモン、ビスマス、カドミウム、亜鉛、錫および鉛から選択された材料で作られてもよい。
−Aは、1つ以上のアルカリ金属を表し、
−M1は、1に等しい酸化数を有することができ、かつ、特にAgおよびCuから選択された少なくとも1つの金属を表し、
−M2は、2に等しい酸化数を有することができ、かつ、特にMg、Ca、Sr、Ba、Ti、Mn,Fe、CuおよびZnから選択された少なくとも1つの金属を表し、
−M3は、3に等しい酸化数を有することができ、かつ、特にAl、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、MoおよびTaから選択された少なくとも1つの金属を表し、
−M4は、4に等しい酸化数を有することができ、かつ、特にTi、V、Mn、Fe、Co、Ni、Zr、SnおよびTaから選択された少なくとも1つの金属を表し、かつ、
−Bは、特にO、S、SeおよびTeから選択された少なくとも1つの非金属を表す。
−A’は、LiおよびNaから選択された少なくとも1つのアルカリ金属を表し、
−Mは、Mn、Fe、CoおよびNiから選択された少なくとも1つの金属を表し、
−Bは、OおよびSから選択された少なくとも1つの非金属を表し、かつ、
−パラメータx、yおよびβは、以下の不等式を満たし、加えて、xは化合物の安定領域において選ばれる。すなわち、0<x≦1、y=1(この条件は、化学式を正規化することによって常に満たされ得る)、かつ、1.5≦βである。
素子の「第1電極」を形成する伝導性トラック15(点線で描かれている)は、絶縁性基板11の上に堆積されている。マトリックスのある与えられた行の全ての素子は、同じ第1電極を共有する(または等価的に、素子は、自らの第1電極を電気的に一緒に接続させることが可能であろう)。好ましくは厚さが10nmと100nmとの間の、活性材料の連続膜21が、基板11および第1電極15の上に堆積される(図で、膜21の1つの端は、下方に位置する素子を示すために省略されている)。他の伝導性トラック35は、基板の上の、および活性領域の上の行15に垂直に堆積される。下部伝導性トラック15と上部伝導性トラック25との間に位置する活性膜の体積は、マトリックスの素子の活性領域22を形成する。電極が重なる所でのみ活性材料を局所的に堆積させることも可能であり、しかも好ましくさえあるが、その理由は、それによって、マトリックスの素子間で、より良い(電気的および化学的)分離が保証されるからである。しかしながら、この実施形態は、実施するのがより複雑である。
Claims (15)
- 記憶抵抗素子(M)であって、
第1電極(10)と、
第2電極(30)と、
前記第1および第2電極と直接、電気的に接触する活性領域(20)と、
によって形成され、
前記活性領域が、少なくとも1つの遷移金属の酸化物またはカルコゲナイドで作られた、少なくとも1つのアルカリ金属の挿入化合物の薄膜を含み、本質的に電子性およびイオン性の両方である伝導性を示すことを特徴とする、記憶抵抗素子(M)。 - 前記薄膜が、前記第1電極の表面上に堆積される、請求項1に記載に記憶抵抗素子。
- 前記第1電極が、縮退した半導体基板の表面および、絶縁性の基板上に堆積された金属膜から選択される、請求項1または2のいずれか1項に記載の記憶抵抗素子。
- 前記第2電極が、前記薄膜上に堆積された金属膜によって形成される、請求項1〜3の1項に記載の記憶抵抗素子。
- 前記薄膜が、多結晶構造または非晶質構造を有する、請求項1〜4の1項に記載の記憶抵抗素子。
- 前記薄膜の厚さが、10μm以下、かつ、好ましくは、10nmと1μmとの間である、請求項1〜5の1項に記載の記憶抵抗素子。
- 少なくとも1つの遷移金属の酸化物またはカルコゲナイドで作られた、少なくとも1つのアルカリ金属の前記挿入化合物が、以下の化学式である、
ここで、
Aは、1つ以上のアルカリ金属を表し、
M1は、AgおよびCuから選択された少なくとも1つの金属を表し、
M2は、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Mn、Fe、CuおよびZnから選択された少なくとも1つの金属を表し、
M3は、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、MoおよびTaから選択された少なくとも1つの金属を表し、
M4は、Ti、V、Mn、Co、Ni、Zr、SnおよびTaから選択された少なくとも1つの金属を表し、
Bは、O、S、SeおよびTeから選択された少なくとも1つの非金属を表し、
パラメータx、v、w、y、zおよびβは、以下の不等式である、
0<x≦1、
0≦v≦1、
0≦w<1、
0≦y≦1、
0≦z<1、
1.5≦β、
を満たし、加えて、xは前記化合物の安定領域で選択され、かつ、
−パラメータx、v、w、y、zはまた、等式v+w+y+z=1を満たす、請求項1〜6の1項に記載の記憶抵抗素子。 - 少なくとも1つの遷移金属の酸化物またはカルコゲナイドで作られた、少なくとも1つのアルカリ金属の前記挿入化合物が、以下の、NaxCoO2、LixCoO2、LixNiO2、LixMn4O9、LixTiO2、Li4+xTi5O12、LixV2O5、LixV6O13、LixNiyCo(1−y)O2、LixFeO2、LixMnO2、LixMn2O4、LixMoO3、およびLixNi1/3Mn1/3Co1/3O2から選択され、パラメータxが、これらの化合物の安定領域で選択される、請求項7または8のいずれかに記載の記憶抵抗素子。
- 少なくとも1つの遷移金属の酸化物またはカルコゲナイドで作られた、少なくとも1つのアルカリ金属の前記挿入化合物が、NaxCoO2およびLixCoO2から選択される、請求項9に記載の記憶抵抗素子。
- 少なくとも1つの遷移金属の酸化物またはカルコゲナイドで作られた、少なくとも1つのアルカリ金属の前記挿入化合物が、層状構造を有する、請求項1〜10の1項に記載の記憶抵抗素子。
- 前記第1および第2電極の少なくとも1つが、縮退したシリコンで作られる、請求項1〜11の1項に記載の記憶抵抗素子。
- 前記第1および第2電極の1つが、縮退したシリコンで作られ、かつ、少なくとも1つのアルカリ金属の前記挿入化合物がLixCoO2である、請求項12に記載の記憶抵抗素子。
- 前記第1および第2電極の少なくとも1つが、アルミニウム、ガリウム、インジウム、アンチモン、ビスマス、カドミウム、亜鉛、錫および鉛から選択された材料で作られる、請求項1〜11の1項に記載の記憶抵抗素子。
- 請求項1〜14の1項に記載の複数の記憶抵抗素子(M11、M12など)から形成される不揮発性電子メモリであって、マトリックスの中で行と列に配列され、ある与えられた行の全ての素子が、共通の第1電極(15)を共有し、かつ、ある与えられた列の全ての素子が、共通の第2電極(35)を共有する、不揮発性電子メモリ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1004931 | 2010-12-17 | ||
FR1004931A FR2969382B1 (fr) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | Élément memristif et mémoire électronique basée sur de tels éléments |
PCT/IB2011/055672 WO2012080967A1 (fr) | 2010-12-17 | 2011-12-14 | Element memristif et memoire electronique basee sur de tels elements. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013546195A true JP2013546195A (ja) | 2013-12-26 |
Family
ID=44244702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013543953A Pending JP2013546195A (ja) | 2010-12-17 | 2011-12-14 | 記憶抵抗素子およびそのような素子に基づく電子メモリ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9331274B2 (ja) |
EP (1) | EP2652808B1 (ja) |
JP (1) | JP2013546195A (ja) |
FR (1) | FR2969382B1 (ja) |
WO (1) | WO2012080967A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200080194A (ko) * | 2018-12-26 | 2020-07-06 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
WO2022169737A1 (en) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | The University Of Chicago | Mixed sodium and lithium period four transition metal oxides for electrochemical lithium extraction |
US12010929B2 (en) | 2018-12-26 | 2024-06-11 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | Memory device and manufacturing method therefor |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9672906B2 (en) * | 2015-06-19 | 2017-06-06 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory with inter-granular switching |
US9917252B2 (en) | 2015-06-19 | 2018-03-13 | Macronix International Co., Ltd. | GaSbGe phase change memory materials |
WO2017222592A1 (en) | 2016-06-20 | 2017-12-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus and methods for electrical switching |
US10164179B2 (en) * | 2017-01-13 | 2018-12-25 | International Business Machines Corporation | Memristive device based on alkali-doping of transitional metal oxides |
US10050196B1 (en) | 2017-05-04 | 2018-08-14 | Macronix International Co., Ltd. | Dielectric doped, Sb-rich GST phase change memory |
CN110190185B (zh) * | 2019-06-11 | 2021-01-05 | 西南交通大学 | 一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件及其制备方法 |
US11289540B2 (en) | 2019-10-15 | 2022-03-29 | Macronix International Co., Ltd. | Semiconductor device and memory cell |
US11552246B2 (en) | 2020-01-21 | 2023-01-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Memristors and related systems and methods |
US11362276B2 (en) | 2020-03-27 | 2022-06-14 | Macronix International Co., Ltd. | High thermal stability SiOx doped GeSbTe materials suitable for embedded PCM application |
CN111933794B (zh) * | 2020-07-02 | 2023-08-01 | 北京航空航天大学 | 基于模拟型和数字型共存的MoS2基忆阻器及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009122567A1 (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-08 | 株式会社 東芝 | 情報記録再生装置 |
WO2010074689A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-07-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memristive device and methods of making and using the same |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100718155B1 (ko) | 2006-02-27 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 두 개의 산화층을 이용한 비휘발성 메모리 소자 |
FR2901640B1 (fr) | 2006-05-24 | 2008-09-12 | Accumulateurs Fixes | Compose d'insertion du lithium utilisable comme matiere active cathodique d'un generateur electrochimique rechargeable au lithium |
US8766224B2 (en) | 2006-10-03 | 2014-07-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electrically actuated switch |
KR100885184B1 (ko) * | 2007-01-30 | 2009-02-23 | 삼성전자주식회사 | 전기장 및 자기장에 의해 독립적으로 제어될 수 있는 저항특성을 갖는 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
FR2915616B1 (fr) | 2007-04-27 | 2010-08-20 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif et procede de stockage de masse d'information. |
KR101438468B1 (ko) * | 2008-07-31 | 2014-09-05 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 다층의 재구성가능한 스위치 |
WO2010074589A2 (en) | 2008-09-04 | 2010-07-01 | Arpad Torok | The energy ++ house |
US8519376B2 (en) * | 2008-10-27 | 2013-08-27 | Seagate Technology Llc | Nonvolatile resistive memory devices |
CN102265434B (zh) * | 2009-01-06 | 2015-04-01 | 株式会社Lg化学 | 用于锂二次电池的正极活性材料 |
KR20110090583A (ko) * | 2010-02-04 | 2011-08-10 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 장치 및 그 형성 방법 |
-
2010
- 2010-12-17 FR FR1004931A patent/FR2969382B1/fr active Active
-
2011
- 2011-12-14 US US13/994,936 patent/US9331274B2/en active Active
- 2011-12-14 JP JP2013543953A patent/JP2013546195A/ja active Pending
- 2011-12-14 EP EP11807776.7A patent/EP2652808B1/fr active Active
- 2011-12-14 WO PCT/IB2011/055672 patent/WO2012080967A1/fr active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009122567A1 (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-08 | 株式会社 東芝 | 情報記録再生装置 |
WO2010074689A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-07-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memristive device and methods of making and using the same |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200080194A (ko) * | 2018-12-26 | 2020-07-06 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
KR102275269B1 (ko) * | 2018-12-26 | 2021-07-09 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US12010929B2 (en) | 2018-12-26 | 2024-06-11 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | Memory device and manufacturing method therefor |
WO2022169737A1 (en) * | 2021-02-02 | 2022-08-11 | The University Of Chicago | Mixed sodium and lithium period four transition metal oxides for electrochemical lithium extraction |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012080967A1 (fr) | 2012-06-21 |
EP2652808A1 (fr) | 2013-10-23 |
EP2652808B1 (fr) | 2020-10-21 |
US9331274B2 (en) | 2016-05-03 |
FR2969382A1 (fr) | 2012-06-22 |
US20130277638A1 (en) | 2013-10-24 |
FR2969382B1 (fr) | 2022-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9331274B2 (en) | Memristive element and electronic memory based on such elements | |
US9208869B2 (en) | Resistive RAM, method for fabricating the same, and method for driving the same | |
US7935953B2 (en) | Nonvolatile memory device, array of nonvolatile memory devices, and methods of making the same | |
EP1484799B1 (en) | Nonvolatile memory device comprising a switching device and a resistant material and method of manufacturing the same | |
US8525142B2 (en) | Non-volatile variable resistance memory device and method of fabricating the same | |
CN101192647B (zh) | 包括无定形合金金属氧化物层的非易失性存储装置 | |
US8441837B2 (en) | Variable resistance nonvolatile memory device | |
CN102132408B (zh) | 存储元件及存储装置 | |
KR101275800B1 (ko) | 가변 저항 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 | |
US20060104106A1 (en) | Memory element and memory device | |
WO2007020832A1 (ja) | スイッチング素子 | |
JP4469022B2 (ja) | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、および不揮発性記憶素子へのデータ書込方法 | |
WO2019190392A1 (en) | Memory cell and method of forming the same | |
CN110753991B (zh) | 基于可逆嵌入离子在两个亚稳态相之间的转移的记忆性器件 | |
KR20170089726A (ko) | 스위칭 소자, 이의 제조 방법, 스위칭 소자를 선택 소자로서 포함하는 저항 변화 메모리 장치 | |
WO2019181273A1 (ja) | クロスポイント素子および記憶装置 | |
KR101009441B1 (ko) | 높은 소자 수율을 나타내는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법 | |
JP6296464B2 (ja) | 多機能電気伝導素子の使用方法 | |
JP5215741B2 (ja) | 可変抵抗素子 | |
JP6230090B2 (ja) | 多機能電気伝導素子 | |
Ielmini et al. | Nanosession: Valence Change Memories‐Redox Mechanism and Modelling | |
Rebora et al. | Fabrication and characterization of ECM memories based on a Ge 2 Sb 2 Te 5 solid electrolyte | |
Soni et al. | A Novel Dual-Layered Electrolytic Resistance Memory with Enhanced Retention | |
CN101546811A (zh) | 电阻存储器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A525 Effective date: 20130726 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150512 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160105 |