JP2013544038A - カルコゲン含有半導体を製造するためのインク及び方法 - Google Patents
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- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 title claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 204
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 183
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims abstract description 146
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 113
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 77
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 76
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 113
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 77
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 69
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 54
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 30
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 22
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 22
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 19
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 8
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910007610 Zn—Sn Inorganic materials 0.000 claims description 6
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 3
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 claims description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 2
- 150000004771 selenides Chemical class 0.000 claims 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 73
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 63
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical class CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 33
- -1 Cu-Sn chalcogenide Chemical class 0.000 description 31
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 22
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 20
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 20
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 15
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical class CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical class O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 10
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002392 Novomer Polymers 0.000 description 5
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 150000003958 selenols Chemical class 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 5
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 5
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 4
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 4
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 description 4
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 4
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 238000001314 profilometry Methods 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 4
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 4
- 150000007944 thiolates Chemical class 0.000 description 4
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005698 Diels-Alder reaction Methods 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 150000001356 alkyl thiols Chemical class 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 239000001177 diphosphate Substances 0.000 description 3
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 150000002905 orthoesters Chemical class 0.000 description 3
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000000264 sodium ferrocyanide Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 3
- AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N tin(ii) sulfide Chemical compound [Sn]=S AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trichloroethane Chemical compound ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMBXCGGQNSVESQ-UHFFFAOYSA-N 1-Hexanethiol Chemical compound CCCCCCS PMBXCGGQNSVESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GSNUFIFRDBKVIE-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylfuran Chemical compound CC1=CC=C(C)O1 GSNUFIFRDBKVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 2-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CC=N1 ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUYKNJBYIJFRCU-UHFFFAOYSA-N 3-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CN=C1 CUYKNJBYIJFRCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHBMMWSBFZVSSR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybutyric acid Chemical compound CC(O)CC(O)=O WHBMMWSBFZVSSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150023635 Ctse gene Proteins 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002211 L-ascorbic acid Substances 0.000 description 2
- 235000000069 L-ascorbic acid Nutrition 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000220010 Rhode Species 0.000 description 2
- 238000002056 X-ray absorption spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 2
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- WQAQPCDUOCURKW-UHFFFAOYSA-N butanethiol Chemical compound CCCCS WQAQPCDUOCURKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIUMTDPSDBCACC-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu][Zn][Cu] MIUMTDPSDBCACC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- LJSQFQKUNVCTIA-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfide Chemical compound CCSCC LJSQFQKUNVCTIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N ethanethiol Chemical compound CCS DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N ethoxymethanedithioic acid Chemical compound CCOC(S)=S ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- BMFVGAAISNGQNM-UHFFFAOYSA-N isopentylamine Chemical compound CC(C)CCN BMFVGAAISNGQNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 2
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920006316 polyvinylpyrrolidine Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 2
- SUVIGLJNEAMWEG-UHFFFAOYSA-N propane-1-thiol Chemical compound CCCS SUVIGLJNEAMWEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical class O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- PCYCVCFVEKMHGA-UHFFFAOYSA-N thiirane 1-oxide Chemical class O=S1CC1 PCYCVCFVEKMHGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HIZCIEIDIFGZSS-UHFFFAOYSA-L trithiocarbonate Chemical compound [S-]C([S-])=S HIZCIEIDIFGZSS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012989 trithiocarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000012991 xanthate Substances 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXEIVSYQEOJLBU-UHFFFAOYSA-N 1-$l^{1}-selanylethanimine Chemical compound CC([Se])=N FXEIVSYQEOJLBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRKMQKLGEQPLNS-UHFFFAOYSA-N 1-Pentanethiol Chemical compound CCCCCS ZRKMQKLGEQPLNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAAIPIWKKXCNOC-UHFFFAOYSA-N 1h-tetrazol-1-ium-5-thiolate Chemical compound SC1=NN=NN1 JAAIPIWKKXCNOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCPFMZCGPRVIQQ-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydrothiophene-3-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CCSC1 QCPFMZCGPRVIQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJROPLWGFCORRM-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-amine Chemical compound CCC(C)CN VJROPLWGFCORRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAXDZWQIWUSWJH-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropan-1-amine Chemical compound COCCCN FAXDZWQIWUSWJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Natural products CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 241001483078 Phyto Species 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229920000388 Polyphosphate Polymers 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N Tetradecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCN PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004998 X ray absorption near edge structure spectroscopy Methods 0.000 description 1
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical compound [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000007171 acid catalysis Methods 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005910 alkyl carbonate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003927 aminopyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005815 base catalysis Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIRRNZWTWJGJCT-UHFFFAOYSA-N carbamothioylthiourea Chemical compound NC(=S)NC(N)=S JIRRNZWTWJGJCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCLDXRHGQVDVJR-UHFFFAOYSA-N carbamothioylurea Chemical compound NC(=O)NC(N)=S YCLDXRHGQVDVJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBHJBMIOOPYDBQ-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;propan-2-one Chemical compound O=C=O.CC(C)=O RBHJBMIOOPYDBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035602 clotting Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- AMOLYAKYUOOZIR-UHFFFAOYSA-N copper selanylidenetin Chemical compound [Cu].[Sn]=[Se] AMOLYAKYUOOZIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCRGAMCZHDYVOL-UHFFFAOYSA-N copper selanylidenetin zinc Chemical compound [Cu].[Zn].[Sn]=[Se] PCRGAMCZHDYVOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N copper sulfanylidenetin zinc Chemical compound [Sn]=S.[Zn].[Cu] WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWZDSGXTFSTEAT-UHFFFAOYSA-N copper zinc selenium(2-) Chemical compound [Cu++].[Zn++].[Se--].[Se--] QWZDSGXTFSTEAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002447 crystallographic data Methods 0.000 description 1
- 150000001913 cyanates Chemical class 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- IZDJJEMZQZQQQQ-UHFFFAOYSA-N dicopper;tetranitrate;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O IZDJJEMZQZQQQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- ZTPZXOVJDMQVIK-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-selenol Chemical compound CCCCCCCCCCCC[SeH] ZTPZXOVJDMQVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- ALCDAWARCQFJBA-UHFFFAOYSA-N ethylselanylethane Chemical compound CC[Se]CC ALCDAWARCQFJBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 229930182478 glucoside Natural products 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000487 histidyl group Chemical group [H]N([H])C(C(=O)O*)C([H])([H])C1=C([H])N([H])C([H])=N1 0.000 description 1
- BRWIZMBXBAOCCF-UHFFFAOYSA-N hydrazinecarbothioamide Chemical compound NNC(N)=S BRWIZMBXBAOCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-O hydrazinium(1+) Chemical compound [NH3+]N OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002527 isonitriles Chemical class 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002540 isothiocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- GCVPPZSLIPNFGU-UHFFFAOYSA-N n'-amino-1-$l^{1}-selanylmethanimidamide Chemical compound NN=C(N)[Se] GCVPPZSLIPNFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M phenolate Chemical compound [O-]C1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940031826 phenolate Drugs 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- PMJHHCWVYXUKFD-UHFFFAOYSA-N piperylene Natural products CC=CC=C PMJHHCWVYXUKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005646 polycarboxylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 239000001205 polyphosphate Substances 0.000 description 1
- 235000011176 polyphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- OQRNKLRIQBVZHK-UHFFFAOYSA-N selanylideneantimony Chemical compound [Sb]=[Se] OQRNKLRIQBVZHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003388 sodium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000007655 standard test method Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneantimony Chemical compound [Sb]=S YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N tert-butyl-[(1r,3s,5z)-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-5-(2-diphenylphosphorylethylidene)-4-methylidenecyclohexyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C1[C@@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C[C@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C(=C)\C1=C/CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 description 1
- 125000002813 thiocarbonyl group Chemical group *C(*)=S 0.000 description 1
- 150000003567 thiocyanates Chemical class 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N triton Chemical compound [3H+] GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 231100000925 very toxic Toxicity 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
本発明は、銅、亜鉛及びスズを含むカルコゲン含有半導体を製造するための方法、ならびにこの方法で使用されるインクに関する。このインクは、特定の金属の元素の粒子である少なくとも1種の銅、亜鉛またはスズ供給源を含む。
Description
本出願は、参照によって本明細書に組み込まれる2010年11月22日出願の米国仮特許出願第61/416013号明細書の利点を主張する。
本発明は、銅、亜鉛及びスズを含むカルコゲン含有半導体を製造するための方法に関する。
薄膜光電池では、典型的に、エネルギー吸収材料としてCdTeまたは硫化/セレン化銅インジウムガリウム(CIGS)などの半導体が使用される。カドミウムの毒性及びインジウムの限られた入手可能性のため、代替物が求められている。硫化銅亜鉛スズ(Cu2ZnSnS4または「CZTS」)は、約1.5eVのバンドギャップエネルギー、及び高い吸収係数(約104cm−1)を有し、有望なCIGS代替物となる。
CZTS薄膜を製造するための最も一般的な方法は、真空技術を使用して、Cu、Zn、Sn、ZnS及びSnSなどの元素または2成分系前駆体を堆積させ、続いて前駆体のカルコゲン化を行うことである。得られる膜は、基板に適合する連続堆積物である。しかしながら、典型的な真空技術は、複雑な装置を必要とし、したがって、本質的に高価な方法である。
CZTSへの低コストなルートは利用可能であるが、不備を有する。例えば、CZTSを形成するための電気化学堆積は安価な方法であるが、組成が不均一であること、及び/または二次相の存在のため、この方法によって高品質のCZTS薄膜を製造することは妨げられる。CZTS薄膜は、硫黄供給源としてチオ尿素を使用して、金属塩、典型的にCuCl、ZnCl2及びSnCl4を含有する溶液の噴霧熱分解によっても製造可能である。この方法は、モルフォロジー、密度及び粒径の低い膜を生じる傾向がある。ゾル−ゲル法によって堆積させたオキシ水和物前駆体から形成されたCZTS膜も低いモルフォロジーを有し、そしてアニール化のためにH2S雰囲気を必要とする。光化学堆積も、p型CZTS薄膜を生じることが示されている。しかしながら、生成物の組成は十分に制御されず、そして水酸化物のような不純物の形成を回避することが困難である。キャッピング剤として高沸点アミンを取り入れるCZTSナノ粒子からのCZTS膜の合成も開示されている。ナノ粒子層のキャッピング剤の存在がアニール化CZTS膜に混入して、その密度を低下させる可能性がある。溶解されたCu−Snカルコゲニド(SまたはS−Se)、Zn−カルコゲニド粒子及び過剰のカルコゲンを含むヒドラジンをベースとするスラリーの調製が関与するCZTSへのハイブリッド溶液−粒子法が報告されている。しかしながら、ヒドラジンは、高度に反応性であり、潜在的に起爆性溶媒であって、Merck Indexには、「猛毒」と記載されている。
ミル粉砕された銅、亜鉛及びスズ粒子の混合物は、複雑な複数工程の方法でCZTSを形成するために使用されている。この方法には、粒子混合物を押圧する工程と、封着された管の中において真空下で押圧された粒子を加熱して、合金を形成する工程と、溶融スピンをして、合金片を形成する工程と、合金片と硫黄粉末とを混合する工程と、ボールミル粉砕をして、前駆体混合物を形成する工程とが関与する。この混合物をコーティングして、次いで、硫黄蒸気下でアニールし、CZTSの膜を形成することができる。
したがって、単純で低コストの計測可能な材料及び操作数が少ない方法であって、調整可能な組成及びモルフォロジーを有する高品質結晶CZTS膜を提供するものがなお必要とされている。また、比較的低毒性の溶媒及び試薬を使用するこれらの材料への低温大気圧ルートも必要とされている。
本発明の一態様は、
a)媒体と、
b)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
c)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
d)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を混合物で含んでなり、銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含むインクである。
a)媒体と、
b)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
c)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
d)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を混合物で含んでなり、銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含むインクである。
本発明のもう1つの態様は、上記インクを基板上に堆積し、コーティングされた基板を形成する方法である。
本発明のもう1つの態様は、
(a)上記インクを基板上に堆積することによってコーティングされた基板を形成する工程と、
(b)コーティングされた基板を加熱して、CZTS/Seの膜を提供する工程と
を含む方法であって、加熱が不活性気体を含む雰囲気下で実行され、そしてインク中の全カルコゲン対(Cu+Zn+Sn)のモル比が約1未満である場合、雰囲気はカルコゲン供給源をさらに含む方法である。
(a)上記インクを基板上に堆積することによってコーティングされた基板を形成する工程と、
(b)コーティングされた基板を加熱して、CZTS/Seの膜を提供する工程と
を含む方法であって、加熱が不活性気体を含む雰囲気下で実行され、そしてインク中の全カルコゲン対(Cu+Zn+Sn)のモル比が約1未満である場合、雰囲気はカルコゲン供給源をさらに含む方法である。
本発明のもう1つの態様は、
a)基板、ならびに
b)i)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
ii)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
iii)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を混合物で含んでなり、銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含む、基板上に配置された少なくとも1層
を含むコーティングされた基板である。
a)基板、ならびに
b)i)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
ii)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
iii)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を混合物で含んでなり、銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含む、基板上に配置された少なくとも1層
を含むコーティングされた基板である。
本明細書中、具体的に別に定義されない限り、「太陽電池」及び「光電池」という用語は同義である。これらの用語は、可視及び近可視光エネルギーを有用な電気エネルギーに変換するために半導体を使用するデバイスを指す。具体的に別に定義されない限り、「バンドギャップエネルギー」、「光学バンドギャップ」及び「バンドギャップ」という用語は同義である。これらの用語は、半導体材料で電子正孔対を生じるために必要とされるエネルギーを指し、一般に価原子帯から伝導帯まで電子を励起するために必要とされる最小エネルギーである。
本明細書中、元素基はCAS表記法を使用して表される。本明細書に使用される場合、「カルコゲン」という用語は、第VIA族元素を指し、そして「金属カルコゲニド」または「カルコゲニド」という用語は、金属及び第VIA族元素を含む材料を指す。適切な第VIA族元素は、硫黄、セレン及びテルルを含む。金属カルコゲニドは、これらの化合物の多くが十分、地球太陽スペクトルの範囲内である光学バンドギャップ値を有するため、光起電用途のための重要な候補材料である。
本明細書中、「2成分系金属カルコゲニド」という用語は、1種の金属を含むカルコゲニド組成物を指す。「3成分系金属カルコゲニド」という用語は、2種の金属を含むカルコゲニド組成物を指す。「4成分系金属カルコゲニド」という用語は、3種の金属を含むカルコゲニド組成物を指す。「複数成分系金属カルコゲニド」という用語は、2種以上の金属を含むカルコゲニド組成物を指し、そして3成分系及び4成分系金属カルコゲニド組成物を包含する。
本明細書中、「硫化銅スズ」及び「CTS」という用語は、Cu2SnS3を指す。「セレン化銅スズ」及び「CTSe」は、Cu2SnSe3を指す。「硫化/セレン化銅スズ」、「CTS/Se」及び「CTS−Se」は、Cu2SnS3、Cu2SnSe3及びCu2SnSxSe3−x(式中、0≦x≦3)を含むCu2Sn(S,Se)3の全ての可能な組み合わせを包含する。「硫化銅スズ」、「セレン化銅スズ」、「硫化/セレン化銅スズ」、「CTS」、「CTSe」、「CTS/Se」及び「CTS−Se」という用語は、分数化学量論、例えば、Cu1.80Sn1.05S3をさらに包含する。すなわち、元素の化学量論は、厳密な2:1:3のモル比から変化することができる。同様に、「Cu2S/Se」、「CuS/Se」、「Cu4Sn(S/Se)4」、「Sn(S/Se)2」、「SnS/Se」及び「ZnS/Se」という用語は、分数化学量論を包含し、そしてCu2(SySe1−y)、Cu(SySe1−y)、Cu4Sn(SySe1−y)4、Sn(SySe1−y)2、Sn(SySe1−y)及びZn(SySe1−y)(式中、0≦y≦1)の全ての可能な組み合わせを包含する。
本明細書中、「硫化銅亜鉛スズ」及び「CZTS」という用語は、Cu2ZnSnS4を指す。「セレン化銅亜鉛スズ」及び「CZTSe」は、Cu2ZnSnSe4を指す。「硫化/セレン化銅亜鉛スズ」、「CZTS/Se」及び「CZTS−Se」は、Cu2ZnSnS4、Cu2ZnSnSe4及びCu2ZnSnSxSe4−x(式中、0≦x≦4)を含むCu2ZnSn(S,Se)4の全ての可能な組み合わせを包含する。「CZTS」、「CZTSe」、「CZTS/Se」及び「CZTS−Se」という用語は、分数化学量論の硫化/セレン化銅亜鉛スズ半導体、例えば、Cu1.94Zn0.63Sn1.3S4をさらに包含する。すなわち、元素の化学量論は、厳密な2:1:1:4のモル比から変化することができる。CZTS/Seとして示される材料は、少量のナトリウムなどの他の元素を含有することもできる。現在までのところ、最も高い効率は、銅の少ないCZTS/Se太陽電池に関して測定されており、ここで「銅が少ない」とは、比率Cu/(Zn+Sn)が1.0未満であることとして理解される。効率の高いデバイスのためには、1より高い亜鉛対スズのモル比も望ましい。
用語「黄錫亜鉛鉱(kesterite)」は鉱物の黄錫亜鉛鉱系統群に属する材料を指すために一般に使用され、鉱物CZTSの一般名もある。本明細書に使用される場合、「黄錫亜鉛鉱」という用語は、公称式Cu2ZnSn(S,Se)4を有するI4−またはI4−2m空間群のいずれかの結晶化合物を指す。また、亜鉛が銅の一部と置き換わって、または銅が亜鉛一部と置き換わって、CucZnzSn(S,Se)4(式中、cは2より大きく、かつzは1より小さいか;またはcは2より小さく、かつzは1より大きい)をもたらす「非典型黄錫亜鉛鉱(atypical kesterite)」も指す。「黄錫亜鉛鉱構造」という用語は、これらの化合物の構造を指す。本明細書に使用される場合、「コヒーレントドメイン径」は、欠陥のないコヒーレント構造が存在する結晶ドメインの径を指す。コヒーレンシーは、三次元配列がこれらのドメイン中で崩壊していないという事実による。
本明細書中、具体的に別に定義されない限り、「ナノ粒子」、「ナノ結晶」及び「ナノ結晶粒子」という用語は同義であり、そして約1nm〜約500nmの平均最長寸法によって特徴づけられる様々な形状を有するナノ粒子を含むことを意味する。本明細書中、ナノ粒子「径」または「径範囲」または「径分布」とは、複数のナノ粒子の平均最長寸法がその範囲内にあることを意味する。「最長寸法」は、端部から端部までのナノ粒子の測定値として本明細書に定義される。粒子の「最長寸法」は、粒子の形状次第である。例えば、概略的または実質的に球状である粒子に関して、最長寸法は粒子の直径である。他の粒子に関して、最長寸法は対角線または側面である。
本明細書に定義されるように、「コーティングされた粒子」は、有機または無機材料の表面コーティングを有する粒子を指す。無機粒子の表面コーティングの方法は、当該技術で周知である。本明細書に定義されるように、「表面コーティング」及び「キャッピング剤」という用語は同義的に使用され、そして粒子表面上の有機または無機分子の強く吸収されたか、または化学的に結合された単分子層を指す。炭素及び水素に加えて、適切な有機キャッピング剤は、窒素、酸素、硫黄、セレン及びリンをベースとする官能基を含む官能基を含むことが可能である。適切な無機キャッピング剤は、金属カルコゲニドを含むカルコゲニド及びジントル(zintl)イオンを含むことが可能である。ジントルイオンは、主族の遷移金属、ランタニド及び/またはアクチニドの同一または異なる金属間で金属間結合を有するホモ多原子アニオン及びヘテロ多原子アニオンを指す。
元素及び金属カルコゲニド粒子は、明示された元素のみから構成され、また少量の他の元素でドーピングされることも可能である。本明細書に使用される場合、「合金」という用語は、2種以上の金属の融合などによる混合物である物質を指す。本明細書中、粒子の重量%に関する全ての記載は、表面コーティングを含むことを意味する。ナノ粒子の多くの供給元は、分散助剤として作用する、開示されていないか、または独占所有権のある表面コーティングを使用する。本明細書中、粒子の重量%に関する全ての記載は、製造業者によって分散助剤として添加される開示されていないか、または独占所有権のあるコーティングを含むことを意味する。例えば、市販の銅ナノ粉末は、公称100重量%銅と考えられる。
本明細書中、「O−、N−、S−及びSeをベースとする機能基」とは、O−、N−、S−またはSeヘテロ原子を含んでなり、自由原子価がこのヘテロ原子に位置する一価の基を意味する。O−、N−、S−及びSeをベースとする官能基の例には、アルコキシド、アミド、チオレート及びセレノレートが含まれる。
インク組成物
本発明の一態様は、
a)媒体と、
b)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
c)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
d)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を混合物で含んでなり、銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含むインクである。
本発明の一態様は、
a)媒体と、
b)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
c)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
d)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を混合物で含んでなり、銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含むインクである。
このインクは、CZTS/Se薄膜を形成するための前駆体を含有するため、CZTS/Se前駆体インクと呼ばれる。典型的にインクの調製は、いずれかの従来の方法によって成分を混合する工程を含む。いくつかの実施形態において、調製は不活性雰囲気下で行われる。いくつかの実施形態において、インクは、成分(a)〜(d)から本質的になる。
モル比。いくつかの実施形態において、Cu:Zn:Snのモル比は、約2:1:1である。いくつかの実施形態において、Cu対(Zn+Sn)のモル比は1未満である。いくつかの実施形態において、Zn対Snのモル比は1より大きい。これらの実施形態は、「Cu:Zn:Snのモル比は約2:1:1である」という用語によって包含され、これは、1.75:1:1.35及び1.78:1:1.26のCu:Zn:Sn比などの組成範囲を含む。いくつかの実施形態において、Cu、Zn及びSnの比率は、2:1:1のモル比から+/−40モル%、+/−30モル%、+/−20モル%、+/−10モル%または+/−5モル%まで変化することが可能である。
カルコゲン供給源。いくつかの実施形態において、銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つはカルコゲニド粒子を含むか、あるいはインクは元素カルコゲンをさらに含む。いくつかの実施形態において、カルコゲニド粒子は、硫化物粒子、セレン化物粒子、硫化物/セレン化物粒子及びそれらの混合物からなる群から選択され、そしてカルコゲンは、硫黄、セレン及びそれらの混合物からなる群から選択される。いくつかの実施形態において、全カルコゲン対(Cu+Zn+Sn)のモル比は少なくとも約1である。本明細書に定義されるように、全カルコゲンのモルは、各カルコゲン含有種のモルに、含有するカルコゲンの当量の数を乗算し、次いで、これらの量を合計することによって決定される。(Cu+Zn+Sn)のモルは、各CuまたはZnまたはSn含有種のモルに、含有するCuまたはZnまたはSnの当量の数を乗算し、次いで、これらの量を合計することによって決定される。本明細書に定義されるように、全カルコゲンの供給源は、カルコゲニドナノ粒子及び元素カルコゲンインク成分を含む。一例として、Cu2S粒子、Zn粒子、SnS2粒子及び硫黄を含むインクの全カルコゲン対(Cu+Zn+Sn)のモル比=[(Cu2Sのモル)+2(SnS2のモル)+(Sのモル)]/[2(Cu2Sのモル)+(Znのモル)+(SnS2のモル)]。
媒体。インクは、粒子を担持するための媒体を含む。いくつかの実施形態において、媒体は、流体及び低融点固体からなる群から選択される。低融点固体の融点は、約100℃、90℃、80℃、70℃、60℃、50℃、40℃または30℃未満である。いくつかの実施形態において、媒体は溶媒を含む。適切な溶媒には、芳香族、複素環式芳香族、アルカン、塩素化アルカン、ケトン、エステル、ニトリル、アミド、アミン、チオール、セレノール、ピロリジノン、エーテル、チオエーテル、セレノエーテル、アルコール、水及びそれらの混合物が含まれる。これらの溶媒の有用な例には、トルエン、p−キシレン、メシチレン、ベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ピリジン、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、2,2,4−トリメチルペンタン、n−オクタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−ペンタン、シクロヘキサン、クロロホルム、ジクロロメタン、1,1,1−トリクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、2−ブタノン、アセトン、アセトフェノン、酢酸エチル、アセトニトリル、ベンゾニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、3−メトキシプロピルアミン、2−メチルブチルアミン、イソ−アミルアミン、1−ブタンチオール、1−ヘキサンチオール、1−オクタンチオール、N−メチル−2−ピロリジノン、テトラヒドロフラン、2,5−ジメチルフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチルスルフィド、ジエチルセレニド、2−メトキシエタノール、イソプロパノール、ブタノール、エタノール、メタノール及びそれらの混合物が含まれる。いくつかの実施形態において、インク中の媒体の重量%は、インクの全重量に基づき、約98〜約5重量%、90〜10重量%、80〜20重量%、70〜30重量%、60〜40重量%、98〜50重量%、98〜60重量%、98〜70重量%、98〜75重量%、98〜80重量%、98〜85重量%、95〜75重量%、95〜80重量%または95〜85重量%である。いくつかの実施形態において、媒体は、分散剤またはキャッピング剤として、ならびに粒子の担体媒体として機能する。キャッピング剤として特に有用である溶媒をベースとする媒体は、複素環式芳香族、アミン、チオール、セレノール、チオエーテル及びセレノエーテルを含む。
粒子。本発明の粒子は購入することができるか、またはバルク量の材料のミル粉砕及びふるいがけなどの既知の技術によって合成することができる。いくつかの実施形態において、粒子は、約5ミクロン、4ミクロン、3ミクロン、2ミクロン、1.5ミクロン、1.25ミクロン、1.0ミクロンまたは0.75ミクロン未満の平均最長寸法を有する。いくつかの実施形態において、粒子はナノ粒子を含む。いくつかの実施形態において、ナノ粒子は、電子顕微鏡法によって決定される約500nm、400nm、300nm、250nm、200nm、150nmまたは100nm未満の平均最長寸法を有する。ナノ粒子は、購入することができるか、または金属塩及び錯体の分解及び還元、化学蒸着、電気化学堆積、ガンマ、X線レーザーまたはUV照射の使用、超音波またはマイクロ波処理、電子またはイオンビーム、アーク放電、ワイヤーの電気爆発、または生合成などの既知の技術によって合成することができる。
キャッピング剤。いくつかの実施形態において、粒子はキャッピング剤をさらに含む。キャッピング剤は、粒子の分散を助けることができ、そしてインク中でのそれらの相互作用及び凝塊形成を抑制することもできる。
いくつかの実施形態において、キャッピング剤は界面活性剤または分散剤を含む。適切なキャッピング剤には、以下が含まれる。
(a)N−、O−、S−、Se−またはPをベースとする官能基などの官能基を含有する有機分子。
(b)ルイス塩基。ルイス塩基は、周囲圧力で約200℃、150℃、120℃または100℃以上である沸騰温度を有するように選択することができるか、及び/または有機アミン、ホスフィンオキシド、ホスフィン、チオール、セレノール及びそれらの混合物からなる群から選択することができる。
(c)アミン、チオール、セレノール、ホスフィンオキシド、ホスフィン、ホスフィン酸、ピロリドン、ピリジン、カルボキシレート、ホスフェート、複素環式芳香族、ペプチド及びアルコール。
(d)アルキルアミン、アルキルチオール、アルキルセレノール、トリアルキルホスフィンオキシド、トリアルキルホスフィン、アルキルホスホン酸、ポリビニルピロリドン、ポリカルボキシレート、ポリホスフェート、ポリアミン、ピリジン、アルキルピリジン、アミノピリジン、システイン及び/またはヒスチジン残基を含むペプチド、エタノールアミン、シトレート、チオグリコール酸、オレイン酸及びポリエチレングリコール。
(e)金属カルコゲニド及びジントルイオンを含む無機カルコゲニド。
(f)正電荷の対イオンが、アルカリ金属イオン、アンモニウム、ヒドラジニウムまたはテトラアルキルアンモニウムであることが可能な、S2−、Se2−、Se2 2−、Se3 2−、Se4 2−、Se6 2−、Te2 2−、Te3 2−、Te4 2−、Sn4 2−、Sn5 2−、Sn9 3−、Sn9 4−、SnS4 4−、SnSe4 4−、SnTe4 4−、Sn2S6 4−、Sn2Se6 4−、Sn2Te6 4−。
(g)ジカルコゲノカルバメート、モノカルコゲノカルバメート、キサンテート、トリチオカルボネート、ジカルコゲノイミドジホスフェート、チオビウレット、ジチオビウレット、カルコゲノセミカルバジド及びテトラゾールを含む分解性キャッピング剤。いくつかの実施形態において、キャッピング剤は、熱及び/または酸及び塩基触媒法などの化学的方法によって分解可能である。分解性キャッピング剤には、ジアルキルジチオカルバメート、ジアルキルモノチオカルバメート、ジアルキルジセレノカルバメート、ジアルキルモノセレノカルバメート、アルキルキサンテート、アルキルトリチオカルボネート、ジスルフィドイミドジホスフェート、ジセレノイミドジホスフェート、テトラアルキルチオビウレット、テトラアルキルジチオビウレット、チオセミカルバジド、セレノセミカルバジド、テトラゾール、アルキルテトラゾール、アミノテトラゾール、チオテトラゾール、及びカルボキシル化テトラゾールが含まれる。いくつかの実施形態において、ナノ粒子からのそれらの除去に触媒作用を及ぼすために、カルバメート、キサンテートまたはトリチオカルボネートキャッピング剤によって安定化されたナノ粒子にルイス塩基を添加することができる。ルイス塩基はアミンを含むことができる。
(h)銅カルコゲニド、亜鉛カルコゲニド及びスズカルコゲニドへの分子前駆体錯体。これらの分子前駆体錯体のための適切な配位子には、チオ基、セレノ基、チオレート、セレノレート及び上記の熱分解性キャッピング剤が含まれる。適切なチオレート及びセレノレートには、アルキルチオレート、アルキルセレノレート、アリールチオレート及びアリールセレノレートが含まれる。
(i)CuS、Cu2S、ZnS、SnS、SnS2、Cu2SnS3、Cu2ZnSnS4の分子前駆体錯体。
(j)オレイルアミンなどの、粒子が形成される溶媒。
(k)ギ酸、酢酸、シュウ酸などの短鎖カルボン酸。
揮発性キャッピング剤。いくつかの実施形態において、粒子は揮発性キャッピング剤を含む。キャッピング剤は、ナノ粒子の組成物またはインクが膜に形成されるときに、分解及び不純物を導入する代わりに、膜の堆積、乾燥またはアニールの間に蒸発する場合、揮発性であると考えられる。揮発性キャッピング剤には、周囲圧力で、約200℃、150℃、120℃または100℃未満の沸点を有するものが含まれる。いくつかの実施形態において、揮発性キャッピング剤は、合成の間、または交換反応の間に粒子上へ吸着されるか、または結合される。したがって、一実施形態において、合成の間に取り込まれて第1のキャッピング剤によって安定化した粒子、または粒子のインクもしくは反応混合物を、より高い揮発性を有する第2のキャッピング剤と混合して、粒子中で第1のキャッピング剤と第2のキャッピング剤とを交換する。適切な揮発性キャッピング剤には、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、アセトニトリル、酢酸エチル、ブタノール、ピリジン、エタンチオール、プロパンチオール、ブタンチオール、t−ブチルチオール、ペンタンチオール、ヘキサンチオール、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテルが含まれる。適切な揮発性キャッピング剤には、アミン、アミド、アミド、ニトリル、イソニトリル、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、アジ化物、チオカルボニル、チオール、チオレート、硫化物、スルフィネート、スルホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスファイト、ヒドロキシル、ヒドロキシド、アルコール、アルコレート、フェノール、フェノレート、エーテル、カルボニル、カルボキシレート、カルボン酸、カルボン酸酸無水物、グリシジル、及びそれらの混合物も含まれる。
元素粒子。いくつかの実施形態において、インクは、元素銅、亜鉛またはスズ含有粒子を含む。適切な元素銅含有粒子には、Cu粒子、Cu−Sn合金粒子、Cu−Zn合金粒子及びそれらの混合物が含まれる。適切な元素亜鉛含有粒子には、Zn粒子、Cu−Zn合金粒子、Zn−Sn合金粒子及びそれらの混合物が含まれる。適切な元素スズ含有粒子には、Sn粒子、Cu−Sn合金粒子、Zn−Sn合金粒子及びそれらの混合物が含まれる。いくつかの実施形態において、元素銅、亜鉛またはスズ含有粒子は、ナノ粒子である。元素ナノ粒子は、Sigma−Aldrich(St.Louis,MO)、Nanostructured and Amorphous Materials,Inc.(Houston,TX)、American Elements(Los Angeles,CA)、Inframat Advanced Materials LLC(Manchester,CT)、Xuzhou Jiechuang New Material Technology Co.,Ltd.(Guangdong,China)、Absolute Co.Ltd.(Volgograd,Russian Federation)、MTI Corporation(Richmond,VA)、またはReade Advanced Materials(Providence,Rhode Island)から商業的に得ることができる。元素ナノ粒子は既知の技術によって合成することもできる。いくつかの実施形態において、元素粒子は、キャッピング剤を含む。
カルコゲニド粒子。いくつかの実施形態において、インクは銅、亜鉛またはスズ含有カルコゲニド粒子を含む。いくつかの実施形態において、カルコゲニドは硫化物またはセレン化物である。適切な銅含有カルコゲニド粒子には、Cu2S/Se粒子、CuS/Se粒子、Cu2Sn(S/Se)3粒子、Cu4Sn(S/Se)4粒子、Cu2ZnSn(S/Se)4粒子及びそれらの混合物が含まれる。適切な亜鉛含有カルコゲニド粒子には、ZnS/Se粒子、Cu2ZnSn(S/Se)4粒子及びそれらの混合物が含まれる。適切なスズ含有カルコゲニド粒子には、Sn(S/Se)2粒子、SnS/Se粒子、Cu2Sn(S/Se)3粒子、Cu4Sn(S/Se)4粒子、Cu2ZnSn(S/Se)4粒子及びそれらの混合物が含まれる。いくつかの実施形態において、銅、亜鉛またはスズ含有カルコゲニド粒子はナノ粒子である。銅、亜鉛またはスズ含有カルコゲニドナノ粒子は、Reade Advanced Materials(Providence,Rhode Island)から商業的に購入可能であるか、または既知の技術に従って合成することができる。銅、亜鉛及びスズ含有カルコゲニドナノ粒子の混合物を合成するために特に有用な方法を以下に記載する。
混合物を合成するための方法は、
(a)2種以上の金属塩及び1種またはそれ以上の配位子を含む第1の水溶液を提供する工程と、
(b)任意選択的に、pH変性物質を添加して、第2の水溶液を形成する工程と、
(c)第1または第2の水溶液をカルコゲン供給源と組み合わせて、反応混合物を提供する工程と、
(d)反応混合物を攪拌及び任意選択的に加熱して、金属カルコゲニドナノ粒子を製造する工程と
を含む。
(a)2種以上の金属塩及び1種またはそれ以上の配位子を含む第1の水溶液を提供する工程と、
(b)任意選択的に、pH変性物質を添加して、第2の水溶液を形成する工程と、
(c)第1または第2の水溶液をカルコゲン供給源と組み合わせて、反応混合物を提供する工程と、
(d)反応混合物を攪拌及び任意選択的に加熱して、金属カルコゲニドナノ粒子を製造する工程と
を含む。
一実施形態において、この方法は、金属カルコゲニドナノ粒子を反応混合物から分離する工程をさらに含む。もう1つの実施形態において、この方法は、ナノ粒子の表面をクリーニングする工程をさらに含む。もう1つの実施形態において、この方法は、ナノ粒子の表面をキャッピング剤と反応させる工程をさらに含む。
いくつかの例において、カルゴゲニドナノ粒子は、キャッピング剤を含む。CuS、CuSe、ZnS、ZnSe、SnS、Cu2SnS3及びCu2ZnSnS4を含むコーティングされた2成分系、3成分系及び4成分系カルコゲニドナノ粒子は、1種またはそれ以上の安定剤の存在下、0℃〜500℃、または150℃〜350℃の温度で、金属塩または錯体と、硫化物またはセレン化物の供給源との反応によって、相当する金属塩または錯体から調製することができる。いくつかの状況において、安定剤もコーティングを提供する。例えば、非溶媒による沈殿及びその後の遠心分離によって、カルコゲニドナノ粒子を単離することができ、そして洗浄、溶解または再沈殿することによってさらに精製することができる。この合成ルートのための適切な金属塩及び錯体には、Cu(I)、Cu(II)、Zn(II)、Sn(II)及びSn(IV)のハロゲン化物、酢酸塩、硝酸塩、及び2,4−ペンタンジオネートが含まれる。適切なカルコゲン供給源には、元素硫黄、元素セレン、Na2S、Na2Se、(NH4)2S、(NH4)2Se、チオ尿素及びチオアセトアミドが含まれる。適切な安定剤には、上記で開示されるキャッピング剤が含まれる。特に適切な安定剤には、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、オレイルアミン、トリオクチルアミン、トリオクチルホスフィンオキシド、他のトリアルキルホスフィンオキシド、及びトリアルキルホスフィンが含まれる。
Cu2Sナノ粒子は、金属塩が脱イオン水に溶解されるソルボサーマル法によって合成することができる。長鎖アルキルチオールまたはセレノール(例えば1−ドデカンチオールまたは1−ドデカンセレノール)は、硫黄供給源として、そしてナノ粒子の分散剤としての両方で役立つことができる。アセテート及び塩化物を含むいくつかの追加的な配位子は、酸または塩の形態で添加可能である。反応は、典型的に、150℃〜300℃の温度で、そして150psig〜250psig窒素の圧力で実行される。冷却後、例えば、非溶媒を使用する沈殿及び濾過によって、生成物を非水相から単離することができる。
相当する金属塩を、適切な溶媒中、150℃〜300℃の温度で、チオアセトアミド、チオ尿素、セレノアセトアミド、セレノ尿素または硫化物もしくはセレン化物イオンの他の供給源、及び有機安定剤(例えば長鎖アルキルチオールまたは長鎖アルキルアミン)と一緒に分散させる他のソルボサーマル法によって、カルコゲニドナノ粒子を合成することもできる。この反応は、典型的に、150psig窒素〜250psig窒素の圧力で実行される。この合成ルートのための適切な金属塩には、Cu(I)、Cu(II)、Zn(II)、Sn(II)及びSn(IV)のハロゲン化物、酢酸塩、硝酸塩、及び2,4−ペンタンジオネートが含まれる。
3つのルートのいずれからでも得られるカルコゲニドナノ粒子は、有機安定剤でコーティングされ、二次イオン質量分析法及び核磁気共鳴分光学法によって決定することができる。得られたコーティングされた2成分系ナノ粒子の無機結晶コアの構造は、X線回折(XRD)及び透過電子顕微鏡(TEM)技術によって決定することができる。
元素カルコゲン。いくつかの実施形態において、インクは硫黄、セレン及びそれらの混合物からなる群から選択される元素カルコゲンを含む。硫黄及びセレンの有用な形態には、Sigma−Aldrich(St.Louis,MO)及びAlfa Aesar(Ward Hill,MA)から入手可能な粉末が含まれる。いくつかの実施形態において、カルコゲン粉末は、インク媒体中に可溶性である。カルコゲンが媒体中で不溶性である場合、その粒径は1nm〜200ミクロンであることができる。いくつかの実施形態において、粒子は、約100ミクロン、50ミクロン、25ミクロン、10ミクロン、5ミクロン、4ミクロン、3ミクロン、2ミクロン、1.5ミクロン、1.25ミクロン、1.0ミクロン、0.75ミクロン、0.5ミクロン、0.25ミクロンまたは0.1ミクロン未満の平均最長寸法を有する。いくつかの実施形態において、カルコゲン粒子は、形成される膜の厚さより小さい。カルコゲン粒子は、ボールミル粉砕、蒸発縮合、液滴を形成するための溶融及び噴霧(「原子化」)、またはコロイドを形成するための乳化によって形成されることができる。
添加剤。いくつかの実施形態において、インクは、約10重量%、7.5重量%、5重量%、2.5重量%または1重量%までの、分散剤、界面活性剤、ポリマー、結合剤、配位子、キャッピング剤、消泡剤、増粘剤、腐食抑制剤、可塑剤及びドーパントからなる群から選択される1種またはそれ以上の添加剤をさらに含む。適切なドーパントには、N−、O−、C−、S−またはSeをベースとする有機配位子を含むアルカリ化合物、アルカリ硫化物、アルカリセレン化物及びそれらの混合物からなる群から選択されるナトリウム及びアルカリ含有化合物が含まれる。他の適切なドーパントは、硫化アンチモン及びセレン化アンチモンからなる群から選択されるアンチモンカルコゲニドを含む。適切な結合剤には、例えばPVP/VA E−535(International Specialty Products)を含むビニルピロリドン−ビニルアセテートコポリマーが含まれる。いくつかの実施形態において、結合剤は、キャッピング剤として機能することが可能である。適切な界面活性剤は、シロキシ−、フルオリル−、アルキル−、アルキニル−及びアンモニウム置換された界面活性剤を含む。これらには、例えば、Byk(登録商標)界面活性剤(Byk Chemie)、Zonyl(登録商標)界面活性剤(DuPont)、Triton(登録商標)界面活性剤(Dow)、Surfynol(登録商標)界面活性剤(Air Products)、Dynol(登録商標)界面活性剤(Air Products)、及びTego(登録商標)界面活性剤(Evonik Industries AG)が含まれる。ある種の実施形態において、界面活性剤はキャッピング剤として機能する。いくつかの実施形態において、インクは、分解性結合剤、分解性界面活性剤、開裂性界面活性剤、約250℃未満の沸点を有する界面活性剤、及びそれらの混合物からなる群から選択される1種またはそれ以上の結合剤または界面活性剤を含む。適切な分解性結合剤には、ポリエーテルのホモ−及びコポリマー、ポリ乳酸のホモ−及びコポリマー、例えば、Novomer PPC(Novomer社)を含むポリカーボネートのホモ−及びコポリマー、ポリ[3−ヒドロキシ酪酸]のホモ−及びコポリマー、ポリメタクリレートのホモ−及びコポリマー、ならびにそれらの混合物が含まれる。適切な低沸点界面活性剤は、Air ProductsからのSurfynol(登録商標)61界面活性剤である。本明細書でキャッピング剤をとして有用な開裂性界面活性剤には、Diels−Alder付加物、チイランオキシド、スルホン、アセタール、ケタール、カルボネート及びオルトエステルが含まれる。適切な開裂性界面活性剤には、アルキル置換Diels−Alder付加物、フランのDiels−Alder付加物、チイランオキシド、アルキルチイランオキシド、アリールチイランオキシド、ピペリレンスルホン、ブタジエンスルホン、イソプレンスルホン、2,5−ジヒドロ−3−チオフェンカルボン酸−1,1−ジオキシド−アルキルエステル、アルキルアセタール、アルキルケタール、アルキル1,3−ジオキソラン、アルキル1,3−ジオキサン、ヒドロキシルアセタール、アルキルグルコシド、エーテルアセタール、ポリオキシエチレンアセタール、アルキルカルボネート、エーテルカルボネート、ポリオキシエチレンカルボネート、ギ酸のオルトエステル、アルキルオルトエステルエーテルオルトエステル及びポリオキシエチレンオルトエステルが含まれる。
インクの混合物。いくつかの実施形態において、2種以上のインクが調製される。いくつかの実施形態において、各インクは試薬の全組み合わせを含んでなり、例えば、各インクは、少なくとも亜鉛供給源、銅供給源及びスズ供給源を含む。他の実施形態において、1つのインクは試薬の全組み合わせを含んでなり、そして他のインクは試薬の部分的組み合わせを含んでなり、例えば、1つのインクは、銅、亜鉛及びスズ供給源を含んでなり、そして第2のインクはスズ供給源を含む。次いで2種以上のインクを組み合わせることができる。この方法は、特に化学量論を制御して、高純度のCZTS/Seを得るために有用である。例えば、異なるインクからの膜は、混合前にコーティング、アニール及びXRDによる分析が可能である。次いで、XRDの結果から、組み合わせられる各インクの種類及び量の選択を導くことができる。例えば、微量の硫化銅及び硫化亜鉛を有するCZTS/Seのアニール膜を生じるインクを、微量の硫化スズを有するCZTS/Seのアニール膜を生じるインクと組み合わせて、XRDによって決定されるように、CZTS−Seのみを含むアニール膜を生じるインクを形成することができる。もう1つの例として、スズ供給源のみを含有するインクを、様々な量で銅、亜鉛及びスズ供給源含有インクに添加することができ、そして得られたデバイス性能に基づいて化学量論を最適化することができる。
方法及びコーティングされた基板
本発明のもう1つの態様は、
(a)i)媒体と、
ii)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
iii)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
iv)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を混合物で含んでなり、銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含むインクを基板上に堆積することによってコーティングされた基板を形成する工程と、
(b)コーティングされた基板を加熱して、CZTS/Seの膜を提供する工程と
を含む方法であって、加熱が不活性気体を含む雰囲気下で実行され、そしてインク中の全カルコゲン対(Cu+Zn+Sn)のモル比が約1未満である場合、雰囲気はカルコゲン供給源をさらに含む方法である。
本発明のもう1つの態様は、
(a)i)媒体と、
ii)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
iii)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
iv)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を混合物で含んでなり、銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含むインクを基板上に堆積することによってコーティングされた基板を形成する工程と、
(b)コーティングされた基板を加熱して、CZTS/Seの膜を提供する工程と
を含む方法であって、加熱が不活性気体を含む雰囲気下で実行され、そしてインク中の全カルコゲン対(Cu+Zn+Sn)のモル比が約1未満である場合、雰囲気はカルコゲン供給源をさらに含む方法である。
(i)〜(iv)に関する説明及び選択は、インク組成物に関して上記されたものと同様である。いくつかの実施形態において、銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つは、銅含有、亜鉛含有またはスズ含有カルコゲニド粒子を含むか、あるいはインクは元素カルコゲンをさらに含んでなり、そして全カルコゲン対(Cu+Zn+Sn)のモル比は少なくとも約1である。
本発明のもう1つの態様は、
a)基板、ならびに
b)i)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
ii)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
iii)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を混合物で含んでなり、銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含む、基板上に配置された少なくとも1層
を含むコーティングされた基板である。
a)基板、ならびに
b)i)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
ii)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
iii)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を混合物で含んでなり、銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含む、基板上に配置された少なくとも1層
を含むコーティングされた基板である。
(i)〜(iii)に関する説明及び選択は、インク組成物に関して上記されたものと同様である。いくつかの実施形態において、コーティングされた基板の少なくとも1層は、成分(i)〜(iii)から本質的になる。
基板。基板は剛性であることも、可撓性であることも可能である。一実施形態において、基板は、(i)基部、及び(ii)任意選択的に基部上の導電性コーティングを含む。基部材料は、ガラス、金属、セラミック及びポリマー膜からなる群から選択される。適切な基部材料には、金属箔、プラスチック、ポリマー、金属化プラスチック、ガラス、太陽ガラス、低鉄ガラス、グリーンガラス、ソーダ石灰ガラス、金属化ガラス、鋼、ステンレス鋼、アルミニウム、セラミック、金属プレート、金属化セラミックプレート及び金属化ポリマープレートが含まれる。いくつかの実施形態において、基部材料は、充填ポリマー(例えばポリイミド及び無機充填材)を含む。いくつかの実施形態において、基部材料は、薄絶縁層(例えばアルミナ)でコーティングされた金属(例えばステンレス鋼)を含む。
適切な導電性コーティングには、金属導体、透明伝導性酸化物及び有機導体が含まれる。特に興味深いものは、モリブデンがコーティングされたソーダ石灰ガラス、モリブデンがコーティングされたポリイミド膜、及びナトリウム化合物(例えばNaF、Na2SまたはNa2Se)の薄層をさらに含むモリブデンがコーティングされたポリイミド膜の基板である。
インク堆積。コーティングされた基板を提供するために、スピンコーティング、スプレーコーティング、浸漬コーティング、ロッドコーティング、ドロップキャストコーティング、ローラーコーティング、スロットダイコーティング、ドローダウンコーティング、インクジェットコーティング、コンタクト印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、及びスクリーン印刷を含む溶液ベースのコーティングまたは印刷技術によって、インクを基板上に配置する。コーティングは、蒸発、真空適用、加熱、吹込み、またはそれらの組み合わせによって乾燥することができる。いくつかの実施形態において、基板及び配置されたインクは、溶媒、存在する場合は副生物及び揮発性キャッピング剤の少なくとも一部を除去するために、80〜350℃、100〜300℃、120〜250℃または150〜190℃の温度で加熱される。乾燥工程は、別々の異なった工程であることができ、あるいは基板及び前駆体インクがアニール工程で加熱される時に実行することができる。
コーティングされた基板。いくつかの実施形態において、基板上のコーティング中のCu:Zn:Snのモル比は約2:1:1である。他の実施形態において、Cu対(Zn+Sn)のモル比は1未満である。他の実施形態において、Zn:Snのモル比は1より大きい。いくつかの実施形態において、コーティングされた基板の粒子は、電子顕微鏡法によって決定されるように、約500nm、400nm、300nm、250nm、200nm、150nmまたは100nm未満の平均最長寸法を有するナノ粒子である。プロフィロメトリーで測定されるように、Ra(平均粗度)は、粗度の数学的平均偏差であり、そしてWa(平均うねり)は、評価長さ内の平均線からの数学的平均偏差である。いくつかの実施形態において、粒子はナノ粒子であり、そして少なくとも1層のRaは、プロフィロメトリーで測定されるように、約1ミクロン、0.9ミクロン、0.8ミクロン、0.7ミクロン、0.6ミクロン、0.5ミクロン、0.4ミクロンまたは0.3ミクロン未満である。いくつかの実施形態において、少なくとも1層のWaは、プロフィロメトリーで測定されるように、約1ミクロン、0.9ミクロン、0.8ミクロン、0.7ミクロン、0.6ミクロン、0.5ミクロン、0.4ミクロン、0.3ミクロン、0.2ミクロンまたは0.1ミクロン未満である。
アニール。いくつかの実施形態において、この方法は、コーティングされた基板が、約100〜800℃、200〜800℃、250〜800℃、300〜800℃、350〜800℃、400〜650℃、450〜600℃、450〜550℃、450〜525℃、100〜700℃、200〜650℃、300〜600℃、350〜575℃または350〜525℃で加熱されるアニール工程をさらに含む。いくつかの実施形態において、コーティングされた基板は、約1分〜約48時間、1分〜約30分、10分〜約10時間、15分〜約5時間、20分〜約3時間、または30分〜約2時間の範囲の時間加熱される。典型的に、アニールは、熱処理、急速熱処理(RTP)、急速熱アニール(RTA)、パルス熱処理(PTP)、レーザービーム曝露、IRランプによる加熱、電子ビーム露光、パルス電子ビーム処理、マイクロ波照射による加熱、またはそれらの組み合わせを含む。本明細書では、RTPは、標準的な炉に置き換えて使用することが可能である技術を指し、単一ウエハ処理、ならびに急速な加熱及び冷却速度が関与する。RTAはRTPのサブセットであり、ドーパントの活性化、基板界面の変化、膜の密度を高めて、状態を変化させること、損傷の修復、及びドーパントの移動を含む種々の効果のためのユニークな熱処理からなる。急速熱アニールは、ランプをベースとする加熱、ホットチャックまたはホットプレートのいずれかを使用して実行される。PTPは、非常に短期間での極めて強力な密度の熱アニール構造を含み、例えば、欠陥低下をもたらす。同様に、パルス電子ビーム処理は、短いパルス期間で間断化された高エネルギー電子ビームを使用する。パルス処理は、熱感知基板上での薄膜処理のために有用である。パルス期間がそのように短いため、エネルギーが基板へ移動することはほとんどなく、損傷を生じない。
いくつかの実施形態において、アニールは、不活性気体(窒素または第VIIIA族気体、特にアルゴン)、任意選択的に水素、及び任意選択的にセレン蒸気、硫黄蒸気、硫化水素、セレン化水素、セレン化ジエチルまたはそれらの混合物などのカルコゲン供給源を含む雰囲気下で実行される。アニール工程を、不活性気体を含む雰囲気下で実行することができるが、ただし、コーティング中の全カルコゲン対(Cu+Zn+Sn)のモル比は約1より高い。全カルコゲン対(Cu+Zn+Sn)のモル比が約1未満である場合、アニール工程は、不活性気体及びカルコゲン供給源を含む雰囲気で実行される。いくつかの実施形態において、コーティングに存在するカルコゲン(例えばS)の少なくとも部分は、異なるカルコゲン(例えばSe)の存在下でアニール工程を実行することによって交換可能である(例えば、SをSeに置き換えることができる)。いくつかの実施形態において、アニールは雰囲気の組み合わせにおいて実行される。例えば、上記のとおり、第1のアニールは不活性雰囲気下で実行され、そして第2のアニールは、不活性気体及びカルコゲン供給源を含む雰囲気で実行され、またはその逆も同様である。いくつかの実施形態において、アニールは、低速加熱及び/または冷却工程、例えば、約15℃/分、10℃/分、5℃/分、2℃/分または1℃/分未満の温度上昇及び下降を行いながら実行される。いくつかの実施形態において、アニールは、急速及び/または冷却工程、例えば、約15℃/分、20℃/分、30℃/分、45℃/分または60℃/分より高い温度上昇及び下降を行いながら実行される。
CZTS/Se組成物。XRDまたはXASによって決定されるように、CZTS/Seは、アニール工程の間に高収量で形成されることができることが見出された。いくつかの実施形態において、XRD分析によれば、アニール膜はCZTS/Seから本質的になる。くつかの実施形態において、CZTS/Se膜のコヒーレントドメイン径は、XRDによって決定されるように、約30nmより大きいか、あるいは40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nmまたは100nmより大きい。いくつかの実施形態において、アニール膜中のCu:Zn:Snのモル比は約2:1:1である。他の実施形態において、CZTS/Seを含むアニール膜中のCu対(Zn+Sn)のモル比は1未満であり、そしてほかの実施形態において、Zn対Snのモル比は1より大きい。
コーティング及び膜厚。インク濃度及び/またはコーティング技術及び温度を変化することによって、様々な厚さの層を単一コーティング工程でコーティングすることができる。いくつかの実施形態において、コーティング厚さを、コーティング及び乾燥工程を繰り返すことによって増加させることができる。これらの複数のコーティングは、同一のインクで、または異なるインクで実行することができる。上記のとおり、2種以上のインクが混合される場合、複数の層を異なるインクでコーティングすることはCu対Zn対Sn比を微調整することによって、CZTS/Se膜の化学量論及び純度を微調整するために使用可能である。
アニール膜は、典型的に、湿式前駆体層のものと比較して、密度が増加し、及び/または厚さが低下する。いくつかの実施形態において、乾燥及びアニールされたコーティングの膜厚さは、0.1〜200ミクロン、0.1〜100ミクロン、0.1〜50ミクロン、0.1〜25ミクロン、0.1〜10ミクロン、0.1〜5ミクロン、0.1〜3ミクロン、0.3〜3ミクロン、または0.5〜2ミクロンである。
コーティングされた層及び膜の精製。複数のコーティングの適用、コーティングの洗浄、及び/またはキャッピング剤の交換は、コーティング及び膜中の炭素をベースとする不純物を減少させるために役に立つことが可能である。例えば、最初のコーティングの後、コーティングされた基板を乾燥することができ、次いで、第2のコーティングをスピンコーティングによって適用及びコーティングすることができる。スピンコーティング工程は、第1のコーティングから有機物を洗浄することができる。あるいは、コーティングされた膜を溶媒に浸漬することができ、次いで、有機物を洗浄するためにスピンコーティングすることができる。コーティング中の有機物を除去するための有用な溶媒の例には、アルコール、例えばメタノールまたはエタノール、及び炭化水素、例えばトルエンが含まれる。もう1つの例として、不純物及びキャッピング剤を除去するために、基板をインクに浸漬コーティングする工程を、基板を溶媒浴に浸漬コーティングする工程と置き換えることができる。コーティングから不揮発性キャッピング剤の除去は、これらのキャッピング剤を揮発性キャッピング剤と交換することによってさらに促進することができる。例えば、揮発性キャッピング剤を、洗浄溶液として、または浴の成分として使用することができる。いくつかの実施形態において、第1のキャッピング剤を含むコーティングされた基板の層を第2のキャッピング剤と接触させ、それによって第1のキャッピング剤を第2のキャッピング剤に置き換えて、第2のコーティングされた基板を形成する。この方法の利点としては、特にそれが後でアニールされる場合、膜中の炭素をベースとする不純物がより低濃度であることに加えて、膜が高密度化されることが含まれる。あるいは、2成分系硫化物及び他の不純物を、CIGS膜に使用される技術などの技術を使用するアニール膜のエッチングによって除去することができる。
薄膜光電池を含むデバイスの調製
様々な電気素子を、少なくとも部分的に、本明細書に記載されるインク及び方法を用いて形成することができる。本発明の一態様は、電子デバイスを製造する方法を提供し、そして基板のアニールされたコーティング上に層状配列で1層またはそれ以上の層を堆積する工程を含む。層は、導体、半導体及び誘電体からなる群から選択することができる。
様々な電気素子を、少なくとも部分的に、本明細書に記載されるインク及び方法を用いて形成することができる。本発明の一態様は、電子デバイスを製造する方法を提供し、そして基板のアニールされたコーティング上に層状配列で1層またはそれ以上の層を堆積する工程を含む。層は、導体、半導体及び誘電体からなる群から選択することができる。
本発明のもう1つの態様は、CZTS/Seを含む薄膜光電池を製造する方法を提供する。典型的な光電池は、基板、背面接触層(例えばモリブデン)、吸収体層(第1の半導体層とも呼ばれる)、緩衝層(第2の半導体層とも呼ばれる)、及び上部接触層を含む。緩衝層、上部接触層、電極パッド及び反射防止層を、アニールCZTS/Se膜上に堆積することができる。光電池は、半導体層への光の透過を向上させるために、上部接触層上に電極パッド、及び基板の(光に面する)前面上に反射防止(AR)コーティングも含むことができる。
一実施形態において、この方法は光起電デバイスを提供し、そして導電層が存在する基板のアニールされたコーティング上に層状配列で以下の層を堆積させる工程を含む:(i)緩衝層、(ii)透明上部接触層、及び(iii)任意選択的に反射防止層。なおもう1つの実施形態において、この方法は光起電デバイスを提供し、そして緩衝層、上部接触層、電極パッド及び反射防止層からなる群から選択される1層またはそれ以上の層をアニールされたCZTS/Se膜上に配置する工程を含む。いくつかの実施形態において、これらの層のための構造及び材料は、CIGS光電池のものと類似である。光電池基板のための適切な基板材料は上記のとおりである。
産業上の有用性
本発明のインク及び方法の利点は多数ある:1.銅、亜鉛及びスズ含有元素ならびにカルコゲニド粒子は容易に調製され、場合によっては商業的に入手可能である。2.元素及びカルコゲニド粒子、特にナノ粒子との分子前駆体の組み合わせを調製することができ、これによって、インク中で分散剤の量を最小限に保ちながら、沈殿または凝塊形成をせずに長期間貯蔵可能な安定した分散剤が形成される。3.インクの元素粒子の組み込みによって膜中の亀裂及び小穴を最小化することができ、そして大きな粒度を有するアニールされたCZTS膜の形成が導かれる。4.光電池の最適性能を達成するため、前駆体インク中の銅、亜鉛、スズ及びカルコゲニドの全体的な比率、ならびに硫黄/セレン比を容易に変動させることができる。5.ナノ粒子の使用によって、より低いアニール温度及びより高密度膜パッキングが可能となる。6.インクは、安価な方法を使用して堆積することができる。7.本明細書に記載されるインクから誘導されるコーティングは、大気圧でアニールされることができる。さらに、ある種のインク組成物に関して、不活性雰囲気のみが必要とされる。他のインク組成物に関して、硫化またはセレン化は硫黄またはセレン蒸気で達成することができるため、H2SまたはH2Seの使用はCZTS/Seを形成するために必要とされない。
本発明のインク及び方法の利点は多数ある:1.銅、亜鉛及びスズ含有元素ならびにカルコゲニド粒子は容易に調製され、場合によっては商業的に入手可能である。2.元素及びカルコゲニド粒子、特にナノ粒子との分子前駆体の組み合わせを調製することができ、これによって、インク中で分散剤の量を最小限に保ちながら、沈殿または凝塊形成をせずに長期間貯蔵可能な安定した分散剤が形成される。3.インクの元素粒子の組み込みによって膜中の亀裂及び小穴を最小化することができ、そして大きな粒度を有するアニールされたCZTS膜の形成が導かれる。4.光電池の最適性能を達成するため、前駆体インク中の銅、亜鉛、スズ及びカルコゲニドの全体的な比率、ならびに硫黄/セレン比を容易に変動させることができる。5.ナノ粒子の使用によって、より低いアニール温度及びより高密度膜パッキングが可能となる。6.インクは、安価な方法を使用して堆積することができる。7.本明細書に記載されるインクから誘導されるコーティングは、大気圧でアニールされることができる。さらに、ある種のインク組成物に関して、不活性雰囲気のみが必要とされる。他のインク組成物に関して、硫化またはセレン化は硫黄またはセレン蒸気で達成することができるため、H2SまたはH2Seの使用はCZTS/Seを形成するために必要とされない。
全般
材料。他に記載されない限り、試薬を商業的供給源から購入し、購入した状態のまま使用した。界面活性剤、ジエチルポリプロポキシヒドロキシエチルアンモニウムは、Evonik Industries AG(Essen,Germany)から、TEGO(登録商標)IL P51Pの名前で入手可能である。PVP/VA E−535(International Specialty Products,Wayne,NJ)は、ビニルピロリドン/酢酸ビニルコポリマーのエタノール中50%溶液である。
材料。他に記載されない限り、試薬を商業的供給源から購入し、購入した状態のまま使用した。界面活性剤、ジエチルポリプロポキシヒドロキシエチルアンモニウムは、Evonik Industries AG(Essen,Germany)から、TEGO(登録商標)IL P51Pの名前で入手可能である。PVP/VA E−535(International Specialty Products,Wayne,NJ)は、ビニルピロリドン/酢酸ビニルコポリマーのエタノール中50%溶液である。
調合物及びコーティング調製。基板(SLGスライド)を、王水、Millipore(登録商標)水及びイソプロパノールで順番にクリーニングし、110℃で乾燥し、SLG基板の非フロート表面でコーティングした。全てのインク及びコーティングは、窒素パージされたドライボックス中で調製された。
管状炉におけるコーティングされた基板のアニール。窒素、窒素/硫黄または窒素/セレン雰囲気下のいずれかでアニールを実行した。外部温度制御装置及び1インチ石英管を備えた単一ゾーンLindberg/Blue(Ashville,NC)管状炉、または3インチ石英管を備えたLindberg/Blue3ゾーン管状炉(Model STF55346C)のいずれかにおいて、窒素雰囲気下でのアニールを実行した。気体の入口及び出口は管の反対側に配置され、そして加熱及び冷却の間、管を窒素でパージした。コーティングされた基板を、管内部の水晶板上に配置した。
窒素/硫黄雰囲気下でのアニールは、1インチ管の単一ゾーン炉で実行された。長さ3インチのセラミックボートに2.5gの元素硫黄を置き、そしてこれを直接加熱ゾーンの外側で、窒素入口付近に配置した。コーティングされた基板を管内部の水晶板上に配置した。以下の実施例において、他に記載されない限り、アニールを窒素/硫黄雰囲気下で実行した。
セレン化の前に、試料を最初に3ゾーン炉の3インチ管において窒素パージ下でアニールした。次いで、試料を、1/8インチの壁を有する5インチ×1.4インチ×1インチの、中心にリップ部及び1mmの正孔を有する蓋を備えたグラファイトボックスに配置した。各グラファイトボックスは、各端部に2つのセラミックボート(0.984インチ×0.591インチ×0.197インチ)を備えており、0.1gのセレンを含有していた。次いで、グラファイトボックスを2インチ管に配置したが、管につき2つまでのグラファイトボックスを配置した。ハウスバキュームを管に10〜15分間適用し、続いて、窒素パージを10〜15分間行った。このプロセスを3回実行した。次いで、グラファイトボックスを含有する管を単一ゾーン炉で加熱したが、この時、加熱及び冷却は両方とも窒素パージ下で行った。
急速熱アニール(RTA)。加熱のため、ULVAC−RICO Inc.(Methuen,MA)によるMILA−5000 Infrared Lamp Heating Systemを使用し、そして15℃に保持した浴を再循環するPolyscience(Niles,IL)を使用して、このシステムを冷却した。試料を窒素パージ下で以下の通りに加熱した。10分間20℃、1分間で400℃まで上昇、2分間400℃で保持、約30分間で20℃まで冷却。
デバイス製造のために使用される手順の詳細
Moスパッタリング基板。光起電デバイスのための基板は、Denton Sputtering Systemを使用して、SLG基板をパターン化されたモリブデンの500nm層でコーティングすることによって調製された。堆積条件は、150ワットのDC力、20sccmのAr及び5mT圧力であった。
Moスパッタリング基板。光起電デバイスのための基板は、Denton Sputtering Systemを使用して、SLG基板をパターン化されたモリブデンの500nm層でコーティングすることによって調製された。堆積条件は、150ワットのDC力、20sccmのAr及び5mT圧力であった。
硫化カドミウム堆積。12.5mgのCdSO4(無水)をナノ純水(34.95mL)及び28%NH4OH(4.05mL)の混合物に溶解した。次いで、チオ尿素22.8mgの1mL水溶液を迅速に添加し、浴溶液を形成した。混合直後に、コーティングされる試料を含有する二重壁ビーカー(壁間で70℃の水が循環している)に浴溶液を注入した。マグネチック撹拌棒を用いて溶液を連続的に攪拌した。23分後、試料を取り出し、ナノ純水ですすいで、次いで1時間浸漬した。試料を窒素流下で乾燥し、次いで、200℃で2時間、窒素雰囲気下でアニールした。
絶縁ZnO及びAZO堆積。透明導体を、以下の構造によってCdS上でスパッタリングした:50nmの絶縁ZnO(150W RF、5mTorr、20sccm)、続いて、2%Al2O3、98%ZnO標的を使用して500nmのAlドーピングZnO(75または150W RF、10mTorr、20sccm)。
ITO透明導体堆積。透明導体を、以下の構造によってCdS上でスパッタリングした:50nmの絶縁ZnO[100W RF、20mTorr(19.9mTorr Ar+0.1mTorr O2)]、続いて、250nmのITO[100W RF、12mTorr(12mTorr Ar+5×10−6Torr O2)]。得られたITO層のシート抵抗は、およそ30オーム/スクエアである。
銀ラインの堆積。銀を750nmの標的厚さで、150WDC、5mTorr、20sccm Arで堆積した。
X線、IV、EQE及びOBIC分析の詳細
XAS分析。Argonne National LaboratoryのAdvanced Photon Sourceにおいて、Cu、Zn及びSnのK端におけるXANES分光学法を実行した。データは、ビームライン5BMD、DND−CATにおいて蛍光幾何学的に得られた。薄膜試料は、製造された状態のまま、入射X線ビームに提出された。Oxford分光学法グレードイオンチャンバーを使用して、X線入射強度(I0)を決定した。I0検出器には、570TorrのN2及び20TorrのArを充填した。蛍光検出器は、ビーム伝達方向に対して垂直に設置されたXeによって充填されたLytle Cellであった。データは、Cu端に関して、8879eVから9954eVまで入手した。高い最終エネルギーは、同データセットにおいてZn端の一部を捕獲するために使用され、端が、膜のCu:Zn比の推定値として比率決定を可能にする。Zn端データは、9557eV〜10,404eVの範囲で得られた。Sn端データは、29,000eV〜29,750eVの範囲におよんだ。データエネルギースケールは、試料データ収集の前に得られる金属参照箔からのデータに基づいて較正された。第二次背景を差し引き、そしてスペクトルを正常化した。同条件で、いくつかのCu、Zn及びSn硫化物及び酸化物標準(Cu2ZnSnS4、Cu2SnS3、CuS、Cu2S、CuO、Cu2O、ZnS、ZnO、SnS、SnO及びSnO2)からのデータを得た。試料から得られるスペクトルに対する適切な標準の線形の組み合わせの非線形最小二乗法によって、各元素に対する相分布が得られた。
XAS分析。Argonne National LaboratoryのAdvanced Photon Sourceにおいて、Cu、Zn及びSnのK端におけるXANES分光学法を実行した。データは、ビームライン5BMD、DND−CATにおいて蛍光幾何学的に得られた。薄膜試料は、製造された状態のまま、入射X線ビームに提出された。Oxford分光学法グレードイオンチャンバーを使用して、X線入射強度(I0)を決定した。I0検出器には、570TorrのN2及び20TorrのArを充填した。蛍光検出器は、ビーム伝達方向に対して垂直に設置されたXeによって充填されたLytle Cellであった。データは、Cu端に関して、8879eVから9954eVまで入手した。高い最終エネルギーは、同データセットにおいてZn端の一部を捕獲するために使用され、端が、膜のCu:Zn比の推定値として比率決定を可能にする。Zn端データは、9557eV〜10,404eVの範囲で得られた。Sn端データは、29,000eV〜29,750eVの範囲におよんだ。データエネルギースケールは、試料データ収集の前に得られる金属参照箔からのデータに基づいて較正された。第二次背景を差し引き、そしてスペクトルを正常化した。同条件で、いくつかのCu、Zn及びSn硫化物及び酸化物標準(Cu2ZnSnS4、Cu2SnS3、CuS、Cu2S、CuO、Cu2O、ZnS、ZnO、SnS、SnO及びSnO2)からのデータを得た。試料から得られるスペクトルに対する適切な標準の線形の組み合わせの非線形最小二乗法によって、各元素に対する相分布が得られた。
XRD分析。結晶相を特定するために、粉末X線回折を使用した。Philips X’PERT自動化粉末回折計(Model 3040)によってデータを得た。この回折計は自動変動抗散乱及び発散スリット、X’Celerator RTM検出器及びNiフィルターを備えていた。放射線はCuK(アルファ)(45kV、40mA)であった。データは、室温で、4〜120°.2θで、0.02°の等しいステップサイズの連続走査及びシータ/シータ幾何学の80秒〜240秒/ステップのカウント時間を使用して得た。薄膜試料は、製造された状態のままX線ビームに提出された。相識別及びデータ分析には、International Committee for Diffraction DataデータベースPDF4+2008によるMDI/Jadeソフトウェア9.1版を使用した。
IV分析。4点プローブ構造で、E5270Bメインフレームで2つのAgilent 5281B精密中出力SMUを使用して、電流(I)対電圧(V)測定を試料上で実行した。試料に、1 sun AM 1.5GでOriel 81150太陽シミュレーターを用いて照射した。
EQE分析。ASTM Standard E1021−06(“Standard Test Method for Spectral Responsivity Measurements of Photovoltaic Devices”)に記載のとおり、外部量子効率(EQE)測定を実行した。装置の基準検出器は、パイロ電気放射計(Laser Probe(Utica,NY)、LaserProbe Model Rm−6600 Universal Radiometerで制御されるLaserProbe Model RkP−575)であった。励起光源は、オーダーソートフィルターとともにモノクロメーターによって提供される波長選択を有するキセノンアーク灯であった。光バイアスは、モノクロプローブビームよりわずかに大きいスポットに焦点を置く広帯域タングステン光源によって提供された。測定スポットサイズは、約1mm×2mmであった。
OBIC分析。光励起電流測定は、励起源として焦点モノクロレーザーを使用する目的構成装置によって決定された。励起ビームは、直径が約100ミクロンのスポットに焦点を置く。試料の光電流対位置のマップを構築するために光電流を同時に測定しながら、励起スポットは試験試料の表面上でラスターされた。得られた光電流マップは、デバイス対位置の光応答を特徴づける。装置は、励起レーザーの選択を通して、様々な波長で作動することができる。典型的に、440、532または633nmの励起供給源が使用された。
Cuナノ粒子の合成。40mLのオレイルアミン中の塩化銅(II)(1.3445g、10mmol)及びトリオクチルホスフィンオキシド(11.6g、30mmol)の溶液を窒素雰囲気下、1時間連続的に機械攪拌しながら220℃で加熱し、続いて、10mLのオレイルアミン中の硫黄(0.3840g、12mmol)の溶液を迅速に添加した。反応混合物を2分間220℃で保持し、次いで、氷水浴中で冷却した。ナノ粒子を分散するために、ヘキサン(30mL)を反応混合物に添加した。次いで、60mLのエタノールを混合物に添加し、ナノ粒子を沈殿させた。混合物を遠心分離し、上澄みをデカンテーションすることによってナノ粒子を回収し、次いで、CuSナノ粒子を真空デシケーター中で一晩乾燥した。CuS銅藍構造をXRDによって決定した。
Cu2Sナノ粒子の合成。400mLガラスライニングHastelloy Cシェーカー管中、20mLの水中の硝酸銅(Cu(NO3)2・2.5H2O、0.2299g、1mmol)、酢酸ナトリウム(0.8203g、10mmol)及び氷酢酸(0.6mL)の溶液を室温で1−ドデカンチオール(3mL)と混合した。反応混合物を6時間250psigの窒素下において200℃で加熱した。反応混合物を冷却し、そして管底部の無色水相を廃棄した。暗褐色油相にエタノール(20mL)を添加し、コーティングされたナノ粒子を沈殿し、これを遠心分離によって回収した。XRD及びTEMによって、コーティングされたCu2Sナノ粒子は、10〜15nmの平均直径を有するほぼ球状である。
SnSナノ粒子の合成。40mLのオレイルアミン中の塩化スズ(IV)(2.605g、10mmol)及びトリオクチルホスフィンオキシド(11.6g、30mmol)の溶液を窒素雰囲気下、15分間連続的に機械攪拌しながら220℃で加熱し、続いて、10mLのオレイルアミン中の硫黄(0.3840g、12mmol)の溶液を迅速に添加した。反応混合物を3分間220℃で保持し、次いで、氷水浴中で冷却した。ナノ粒子を分散するために、ヘキサン(30mL)を反応混合物に添加した。次いで、60mLのエタノールを混合物に添加し、ナノ粒子を沈殿させた。混合物を遠心分離し、上澄みをデカンテーションすることによってナノ粒子を回収し、次いで、SnSナノ粒子を真空デシケーター中で一晩乾燥した。
ZnSナノ粒子の合成。80mLのオレイルアミン中のZnCl2(3.8164g、28mmol)及びトリオクチルホスフィンオキシド(32.4786g、84mmol)の溶液を窒素雰囲気下、1時間連続的に機械攪拌しながら170℃で加熱し、続いて、10mLのオレイルアミン中の硫黄(0.8960g、28mmol)の溶液を迅速に添加した。反応混合物を320℃まで加熱し、そしてこの温度で75分間保持し、その後、氷水浴中で冷却した。ナノ粒子を分散するために、ヘキサン(60mL)を反応混合物に添加した。次いで、120mLのエタノールを混合物に添加し、ナノ粒子を沈殿させた。混合物を遠心分離し、上澄みをデカンテーションすることによってナノ粒子を回収し、次いで、ZnSナノ粒子を真空デシケーター中で一晩乾燥した。ZnS閃亜鉛鉱構造をXRDによって決定し、そして径をSEMによって決定した。
コーティングされたCu2SnS3ナノ粒子の合成。10mLのオレイルアミン中のCuCl(0.1980g、2mmol)、SnCl4(0.2605g、1mmol)及びトリオクチルホスフィンオキシド(2.3g、5.95mmol)の溶液を窒素雰囲気下、15分間連続的に機械攪拌しながら240℃で加熱し、続いて、3mLのオレイルアミン中に溶解された硫黄(0.0960g、3mmol)を添加した。反応混合物を240℃で20分間撹拌した。最初に反応容器を室温水浴に、次いで、アセトン乾燥氷浴(−78℃)に浸漬し、反応混合物を急速に冷却し、固体生成物を得た。固体をヘキサン中に溶解し、そしてエタノール中で沈殿した。沈殿させた固体は遠心分離を使用して回収した。ヘキサン中での溶解、エタノールによる沈殿及び遠心分離の工程を2回繰り返した。Cu2SnS3構造をXRDによって決定した。粒子の形状及び径は、SEM及びTEMを使用して決定した。SEMによると、粒子は直径10〜50nmであった。TEMによると、粒子は直径10〜30nmであった。
Cu粒子の合成。0.4MのL−アスコルビン酸及び0.8MのポリビニルピロリドンK30の100mL水溶液と、0.025Mの硝酸銅(II)ヘミ五水和物及び0.8MのポリビニルピロリドンK30の100mL水溶液を混合した。強力な磁気攪拌下、反応混合物を45℃まで加熱した。この反応を2.5時間この温度で続けた。ナノ粒子を遠心分離によって回収し、水、次いで、エタノールによって洗浄し、その後、室温の真空下で乾燥させた。
市販のCu粒子からの酸化物層の除去。市販の銅ナノ粉末(99.8%、1g、78nm、Nanostructured & Amorphous Materials,Inc.,Houston,TX)を、10gのクエン酸、1.5gのL−アスコルビン酸、1mLのCitranox(Alconox Inc.,White Plains,NY)及び20mLの水を含有する溶液に添加した。混合物を、50℃の超音波浴で30分間超音波処理した。遠心分離及び上澄みのデカンテーションによって銅ナノ粒子を回収した。その後、Cuナノ粒子を水で2回、そしてエタノールで1回洗浄し、次いで、真空デシケーター中で一晩乾燥させた。
実施例1
SnS及びZnSナノ粒子(上記のとおりに調製される)を、1mLのTHFあたり500mgのナノ粒子の濃度で、個々にTHFに分散させた。各懸濁液を超音波浴中で30分間超音波処理し、次いで、10分間の超音波プローブを行った。ZnS懸濁液は、1.0ミクロンのシリンジフィルター(Whatman、1.0ミクロン GF/B w/GMF)を通過させた。SnS懸濁液は、2.7ミクロンのシリンジフィルター(Whatman、2.7ミクロン GF/D w/GMF)を通過させた。Cuナノ粒子(41.9mg、上記のとおりに精製される)、0.1540mLのZnS懸濁液及び0.3460mLのSnS懸濁液を混合し、次いで、得られた混合物を20分間超音波浴で超音波処理した。このインクを、堆積の直前に強力に攪拌した。1000rpmで20秒間スピンし、次いで、1500rpmで10秒間スピンすることによって、Moコーティングされたガラス基板上へインクをスピンコーティングした。その後、N2雰囲気中1時間550℃、次いで、硫黄/N2雰囲気中1時間500℃で、管状炉中で試料をアニールした。アニールした試料を1分間50℃で0.5M KCN溶液中でエッチングし、脱イオン水ですすぎ、そして窒素流下で乾燥させた。1.0M HCl溶液中、1分間室温で第2のエッチング工程を実行し、続いて、脱イオン水で徹底的にすすぎ、窒素流下で乾燥させた。アニール化工程後に得られたXRDの結果によると、銅、硫化亜鉛及び硫化スズ前駆体がCZTSに変換したことが示された。加熱後に得られたXRDデータを図1に示す。図2は、実施例1で得られたCZTS試料の断面図のSEMを示す。
SnS及びZnSナノ粒子(上記のとおりに調製される)を、1mLのTHFあたり500mgのナノ粒子の濃度で、個々にTHFに分散させた。各懸濁液を超音波浴中で30分間超音波処理し、次いで、10分間の超音波プローブを行った。ZnS懸濁液は、1.0ミクロンのシリンジフィルター(Whatman、1.0ミクロン GF/B w/GMF)を通過させた。SnS懸濁液は、2.7ミクロンのシリンジフィルター(Whatman、2.7ミクロン GF/D w/GMF)を通過させた。Cuナノ粒子(41.9mg、上記のとおりに精製される)、0.1540mLのZnS懸濁液及び0.3460mLのSnS懸濁液を混合し、次いで、得られた混合物を20分間超音波浴で超音波処理した。このインクを、堆積の直前に強力に攪拌した。1000rpmで20秒間スピンし、次いで、1500rpmで10秒間スピンすることによって、Moコーティングされたガラス基板上へインクをスピンコーティングした。その後、N2雰囲気中1時間550℃、次いで、硫黄/N2雰囲気中1時間500℃で、管状炉中で試料をアニールした。アニールした試料を1分間50℃で0.5M KCN溶液中でエッチングし、脱イオン水ですすぎ、そして窒素流下で乾燥させた。1.0M HCl溶液中、1分間室温で第2のエッチング工程を実行し、続いて、脱イオン水で徹底的にすすぎ、窒素流下で乾燥させた。アニール化工程後に得られたXRDの結果によると、銅、硫化亜鉛及び硫化スズ前駆体がCZTSに変換したことが示された。加熱後に得られたXRDデータを図1に示す。図2は、実施例1で得られたCZTS試料の断面図のSEMを示す。
実施例1A。実施例1の手順に従って、コーティングされた基板を調製した。Tencorプロフィロメーターを使用して、5つの異なる位置で表面のプロフィロメトリーを得て、そしてデータを25ミクロン低域フィルターで処理したところ、コーティングされた基板に関して、1.0715ミクロンの平均高さ、460nmの平均Ra及び231nmの平均Waが得られた。
実施例2
Sigma Aldrichからの市販のSnナノサイズ活性化粉末(99.7%、176.5mg)及びTEGO IL P51P(10.2mg)をトルエン(2258mg)中に分散することによって、CZTS前駆体インクを調製した。次いで、この分散系を15分間超音波浴で超音波処理した。次いで、CuS粒子(298.9mg)及びZnS粒子(274.6mg)をSn粉末懸濁液に添加した。混合物を超音波浴で30分間さらに超音波処理した。モリブデンがコーティングされたガラス基板上へ、CZTS前駆体分散をスピンコーティングした。インクを基板に塗布した。次いで、試料を200rpmで10秒間スピンし、続いて、350rpmで30秒間スピンし、そして最後に600rpmで10秒間スピンした。次いで、コーティングされた基板を空気中室温で乾燥させた。次いで、コーティングされた基板を硫黄/N2雰囲気中で2時間、500℃の管状炉でアニールした。XRDの結果は、CZTSがアニール膜の主要な相であることを示す。
Sigma Aldrichからの市販のSnナノサイズ活性化粉末(99.7%、176.5mg)及びTEGO IL P51P(10.2mg)をトルエン(2258mg)中に分散することによって、CZTS前駆体インクを調製した。次いで、この分散系を15分間超音波浴で超音波処理した。次いで、CuS粒子(298.9mg)及びZnS粒子(274.6mg)をSn粉末懸濁液に添加した。混合物を超音波浴で30分間さらに超音波処理した。モリブデンがコーティングされたガラス基板上へ、CZTS前駆体分散をスピンコーティングした。インクを基板に塗布した。次いで、試料を200rpmで10秒間スピンし、続いて、350rpmで30秒間スピンし、そして最後に600rpmで10秒間スピンした。次いで、コーティングされた基板を空気中室温で乾燥させた。次いで、コーティングされた基板を硫黄/N2雰囲気中で2時間、500℃の管状炉でアニールした。XRDの結果は、CZTSがアニール膜の主要な相であることを示す。
実施例3
精製されたCu粒子(61.3mg)、Znナノ粉末(Sigma−Aldrich、31.5mg)及びSnナノ粉末(Sigma−Aldrich、57.2mg)を0.5mLのテトラヒドロフラン中PVP/VA E−535溶液(5重量%)に分散することによって、CZTS前駆体インクを調製した。次いで、この分散系を15分間超音波浴で超音波処理した。モリブデンがコーティングされたガラス基板上へ、CZTS前駆体分散系をスピンコーティングした。インクを基板に塗布した。次いで、試料を1000rpmで20秒間スピンし、続いて、1500rpmで10秒間スピンした。コーティングされた基板をN2雰囲気中で1時間、550℃の管状炉でアニールした。次いで、硫黄/N2雰囲気中で1時間、500℃の管状炉で第2のアニール工程を行った。XRDの結果によって、アニール膜中のCZTSの存在が確認される。
精製されたCu粒子(61.3mg)、Znナノ粉末(Sigma−Aldrich、31.5mg)及びSnナノ粉末(Sigma−Aldrich、57.2mg)を0.5mLのテトラヒドロフラン中PVP/VA E−535溶液(5重量%)に分散することによって、CZTS前駆体インクを調製した。次いで、この分散系を15分間超音波浴で超音波処理した。モリブデンがコーティングされたガラス基板上へ、CZTS前駆体分散系をスピンコーティングした。インクを基板に塗布した。次いで、試料を1000rpmで20秒間スピンし、続いて、1500rpmで10秒間スピンした。コーティングされた基板をN2雰囲気中で1時間、550℃の管状炉でアニールした。次いで、硫黄/N2雰囲気中で1時間、500℃の管状炉で第2のアニール工程を行った。XRDの結果によって、アニール膜中のCZTSの存在が確認される。
実施例3A。実施例3の手順に従ってデバイスを製造し、Moコーティングされた基板上に、アニールCZTS膜を提供した。硫化カドミウム、絶縁ZnO、ITO及び銀ラインを堆積した。デバイス効率は0.01%であった。440nmでのOBICによる分析では、1.3マイクロアンペアのJ90による光応答及び0.53マイクロアンペアの暗電流が得られた。EQE開始は860nmであって、640nmで0.81%のEQEが得られた。
実施例4
精製されたCu粒子(61.3mg)、Znナノ粉末(Sigma−Aldrich、31.5mg)及びSnナノ粉末(Sigma−Aldrich、57.2mg)を2.5mLのクロロホルム中Novomer PPC溶液(5重量%)に分散することによって、CZTSe前駆体インクを調製した。(Novomer高分子量ポリ(プロピレンカーボネート)ポリオール(Novomer PPC)(アドバンスドセラミック等級)はNovomer,Inc.(Waltham,MA)から得た)。次いで、この分散系を15分間超音波浴で超音波処理した。モリブデンがコーティングされたガラス基板上へ、CZTS前駆体分散系をナイフコーティングした。150mgのセレン及び20mgのスズを含有するグラファイトボックス中で、コーティングされた基板をアルゴン下で20分間、560℃の管状炉でアニールした。XRDの結果によって、アニール膜中のCZTSeの存在が確認された。SEM画像は、セレン化された膜が数マイクロメートルサイズの粒子を含有することを示した。
精製されたCu粒子(61.3mg)、Znナノ粉末(Sigma−Aldrich、31.5mg)及びSnナノ粉末(Sigma−Aldrich、57.2mg)を2.5mLのクロロホルム中Novomer PPC溶液(5重量%)に分散することによって、CZTSe前駆体インクを調製した。(Novomer高分子量ポリ(プロピレンカーボネート)ポリオール(Novomer PPC)(アドバンスドセラミック等級)はNovomer,Inc.(Waltham,MA)から得た)。次いで、この分散系を15分間超音波浴で超音波処理した。モリブデンがコーティングされたガラス基板上へ、CZTS前駆体分散系をナイフコーティングした。150mgのセレン及び20mgのスズを含有するグラファイトボックス中で、コーティングされた基板をアルゴン下で20分間、560℃の管状炉でアニールした。XRDの結果によって、アニール膜中のCZTSeの存在が確認された。SEM画像は、セレン化された膜が数マイクロメートルサイズの粒子を含有することを示した。
Claims (15)
- a)媒体と、
b)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
c)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
d)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を混合物を含むインクであって、前記銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含むインク。 - Cu:Zn:Snのモル比が約2:1:1である、請求項1に記載のインク。
- 前記銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、銅含有、亜鉛含有またはスズ含有カルコゲニド粒子を含むか、あるいは前記インクが元素カルコゲンをさらに含む、請求項1に記載のインク。
- 前記カルコゲニド粒子が、硫化物粒子、セレン化物粒子、硫化物/セレン化物粒子及びそれらの混合物からなる群から選択され、そして前記元素カルコゲンが、硫黄、セレンまたはそれらの混合物である、請求項3に記載のインク。
- 前記銅供給源が、Cu粒子、Cu−Sn合金粒子、Cu−Zn合金粒子、Cu2S/Se粒子、CuS/Se粒子、Cu2Sn(S/Se)3粒子、Cu4Sn(S/Se)4粒子、Cu2ZnSn(S/Se)4粒子及びそれらの混合物からなる群から選択され、前記亜鉛供給源が、Zn粒子、Cu−Zn合金粒子、Zn−Sn合金粒子、ZnS/Se粒子、Cu2ZnSn(S/Se)4粒子及びそれらの混合物からなる群から選択され、そして前記スズ供給源が、Sn粒子、Cu−Sn合金粒子、Zn−Sn合金粒子、Sn(S/Se)2粒子、SnS/Se粒子、Cu2Sn(S/Se)3粒子、Cu4Sn(S/Se)4粒子、Cu2ZnSn(S/Se)4粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載のインク。
- 前記銅、亜鉛またはスズ含有カルコゲニド粒子が有機キャッピング剤をさらに含む、請求項1に記載のインク。
- 約10重量%までの、分散剤、界面活性剤、ポリマー、結合剤、配位子、キャッピング剤、消泡剤、増粘剤、腐食抑制剤、可塑剤及びドーパントからなる群から選択される1種またはそれ以上の添加剤をさらに含む、請求項1に記載のインク。
- (a)i)媒体と、
ii)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
iii)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
iv)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を混合物を含み、前記銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含むインクを、基板上に堆積することによってコーティングされた基板を形成する工程と、
(b)前記コーティングされた基板を加熱して、CZTS/Seの膜を提供する工程であって、前記加熱が不活性気体を含む雰囲気下で実行され、そして前記インク中の全カルコゲン対(Cu+Zn+Sn)のモル比が約1未満である場合、前記雰囲気はカルコゲン供給源をさらに含む工程とを含む方法。 - 前記雰囲気が、水素、カルコゲン供給源またはそれらの混合物をさらに含む、請求項8に記載の方法。
- a)基板、ならびに
b)i)元素銅含有粒子、銅含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源と、
ii)元素亜鉛含有粒子、亜鉛含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される亜鉛供給源と、
iii)元素スズ含有粒子、スズ含有カルコゲニド粒子及びそれらの混合物からなる群から選択されるスズ供給源と
を含む、基板上に配置された少なくとも1層であって、前記銅、亜鉛またはスズ供給源の少なくとも1つが、元素銅含有、元素亜鉛含有または元素スズ含有粒子を含む層、
を含むコーティングされた基板。 - Cu:Zn:Snのモル比が約2:1:1である、請求項10に記載のコーティングされた基板。
- 前記銅供給源が、Cu粒子、Cu−Sn合金粒子、Cu−Zn合金粒子、Cu2S/Se粒子、CuS/Se粒子、Cu2Sn(S/Se)3粒子、Cu4Sn(S/Se)4粒子、Cu2ZnSn(S/Se)4粒子及びそれらの混合物からなる群から選択され、前記亜鉛供給源が、Zn粒子、Cu−Zn合金粒子、Zn−Sn合金粒子、ZnS/Se粒子、Cu2ZnSn(S/Se)4粒子及びそれらの混合物からなる群から選択され、そして前記スズ供給源が、Sn粒子、Cu−Sn合金粒子、Zn−Sn合金粒子、Sn(S/Se)2粒子、SnS/Se粒子、Cu2Sn(S/Se)3粒子、Cu4Sn(S/Se)4粒子、Cu2ZnSn(S/Se)4粒子及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項10に記載のコーティングされた基板。
- 前記銅、亜鉛またはスズ含有カルコゲニド粒子が有機キャッピング剤を含む、請求項10に記載のコーティングされた基板。
- 約10重量%までの、分散剤、界面活性剤、ポリマー、結合剤、配位子、キャッピング剤、消泡剤、増粘剤、腐食抑制剤、可塑剤及びドーパントからなる群から選択される1種またはそれ以上の添加剤をさらに含む、請求項10に記載のコーティングされた基板。
- 前記基板が、ガラス、金属、セラミック及びポリマー膜からなる群から選択される材料を含む、請求項10に記載のコーティングされた基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US41601310P | 2010-11-22 | 2010-11-22 | |
US61/416,013 | 2010-11-22 | ||
PCT/US2011/061567 WO2012071287A1 (en) | 2010-11-22 | 2011-11-20 | Inks and processes to make a chalcogen-containing semiconductor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013544038A true JP2013544038A (ja) | 2013-12-09 |
Family
ID=46146172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013540983A Pending JP2013544038A (ja) | 2010-11-22 | 2011-11-20 | カルコゲン含有半導体を製造するためのインク及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130221489A1 (ja) |
JP (1) | JP2013544038A (ja) |
KR (1) | KR20130121129A (ja) |
CN (1) | CN103222062A (ja) |
WO (1) | WO2012071287A1 (ja) |
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-
2011
- 2011-11-20 WO PCT/US2011/061567 patent/WO2012071287A1/en active Application Filing
- 2011-11-20 CN CN2011800547291A patent/CN103222062A/zh active Pending
- 2011-11-20 JP JP2013540983A patent/JP2013544038A/ja active Pending
- 2011-11-20 KR KR1020137016119A patent/KR20130121129A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-11-20 US US13/883,293 patent/US20130221489A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012071287A1 (en) | 2012-05-31 |
KR20130121129A (ko) | 2013-11-05 |
US20130221489A1 (en) | 2013-08-29 |
CN103222062A (zh) | 2013-07-24 |
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