JP2013538440A - 窒素結合５員環複素環により置換されたジベンゾフラン及びジベンゾチオフェン及び有機エレクトロニクスにおけるそれらの使用 - Google Patents

窒素結合５員環複素環により置換されたジベンゾフラン及びジベンゾチオフェン及び有機エレクトロニクスにおけるそれらの使用 Download PDF

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Abstract

少なくとも１つの窒素結合５員環複素環を置換基として有するジベンゾフラン及びジベンゾチオフェンの有機エレクトロニクスにおけるホスト、ブロッカー及び／又は電荷輸送材料としての使用ならびに少なくとも１つの窒素結合５員環複素環と少なくとも１つのカルバゾリル残基を置換基として有するジベンゾフラン及びジベンゾチオフェン、その製法及び有機エレクトロニクスにおけるこれらの化合物の使用が開示されている。

Description

本発明は、少なくとも１つの窒素結合５員環複素環を置換基として有するジベンゾフラン及びジベンゾチオフェンの有機エレクトニックスにおけるホスト、ブロッカー及び／又は電荷輸送材料としての使用に関する。更に、本発明は少なくとも１つの窒素結合５員環複素環と少なくとも１つのカルバゾリル基を置換基として有するジベンゾフラン及びジベンゾチオフェン、その製法及びこれらの化合物の有機エレクトロニクスにおける使用に関する。
有機エレクトロニクスは、ポリマー又はより小さな有機化合物を有する電子回路を使用するエレクトロニクスの副次的な分野である。有機エレクトロニクスを使用する分野は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤs）におけるポリマー又はより小さな有機化合物の使用、有機太陽電池における使用（有機光電池）及び有機トランジスター、例えば有機ＦＥＴｓならびに有機ＴＥＴｓのようなスイッチ部材における使用である。
このように適切な新規有機材料の使用は、有機エレクトロニクスをベースとする様々なタイプの、例えば、ディスプレイ、センサー、トランジスター、データストレージ又は太陽電池のような新規コンポーネントの提供を可能にする。これは、低コストで薄く、軽量でフレキシブルかつ生産性のある新規用途での開発を可能にする。
本発明による用途の有利な使用分野は、有機発光ダイオードにおける比較的に小さな有機化合物の使用である。
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤs）は、電流により励起されると光を放つ材料の特性を利用している。ＯＬＥＤsは、フラットなＶＤＵ（ビジュアル・ディスプレイ・ユニット）を生産するための陰極線管及び液晶ディスプレイの代替品として特に関心がある。極めてコンパクトなデザイン及び本質的に低い消費電力ゆえに、ＯＬＥＤｓを有する装置は特にモバイル用途、例えば、携帯電話、ラップトップなどにおける用途ならびにイルミネーションにおける用途に適切である。
ＯＬＥＤｓが作用する基本的な原理及びＯＬＥＤｓの適切な構造（層）は、例えば、ＷＯ２００５／１１３７０４ならびにそこに記載されている文献に記載されている。
使用される発光体材料（発光体）ならびに蛍光材料（蛍光発光体）は、リン光材料（リン光発光体）であってもよい。リン光発光体は通常は有機金属錯体であり、これは単一発光を示す蛍光発光体とは異なり三重発光を示す（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏｗ等、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９，７５，４〜６頁）。クアンタムのメカニズムの理由で、リン光発光体が使用される場合には４倍までの量子効率、エネルギー効率及び電力効率が可能である。
特に関心のあるものは、長い運転寿命、良好な効率、熱応力に対して高い安定性を有する有機発光ダイオードである。
前記特性を実際に満たすために、適切な発光体材料を提供するだけではなく、ＯＬＥＤの他の成分（相補材料）も適切な装置構成物において互いにバランスをとらなくてはならない。このような装置構成物は、例えば、分散した形で実際の発光体が存在する特定のマトリックス材料を有していてもよい。更に、該構成物はブロッカー材料を有していてもよく、正孔ブロッカー、励起子ブロッカー及び／又は電子ブロッカーが装置の構成物中に存在していてもよい。更に又は二者択一的に、装置の構成物は、正孔注入材料及び／又は電子注入材料及び／又は電荷輸送材料、例えば、正孔伝導体材料及び／又は電子伝導体材料を有していてもよい。実際の発光体と一緒に組み合わせて使用される前記材料の選択は、ＯＬＥＤｓの効率及び寿命を含むパラメーター及び使用及び動作電圧に影響を与える。
従来技術は、ＯＬＥＤｓの種々の層で使用するための多くの種々の材料を提案している。
ＷＯ２００６／１２８８００Ａ１には、特にアミノ置換基を有していてもよいジベンゾフラン誘導体を有するエレクトロルミネセント成分が開示されている。２位と４位に窒素を有する５員環複素環を有する相応の誘導体はこの文献では開示されていない。
ＷＯ２００６／１１４３７７Ａ１には、芳香族、特にベンゾフランにより置換されていてもよいトリアゾールが開示されている。トリアゾールは３位でベンゾフランに結合している。２位及び／又は４位で置換されているベンゾフラン又はジベンゾチオフェン化合物は明確に開示されていない。
ＷＯ２００５／０５４２１２Ａ１とＷＯ２００３／１０５５３８Ａ１には、５員環窒素複素環により３位が置換されていてもよいジベンゾフラン誘導体が開示されている。しかし、２位と４位が５員環窒素複素環により置換されているジベンゾフラン誘導体はこの文献で言及されていない。
更に、相応の窒素複素環が置換されたジベンゾフラン又はジベンゾチオフェンが金属錯体においてリガンドとして使用されている公知の従来技術がある。
ＵＳ２００９／０７９３４０Ａ１には、例えば以下の化合物：
Figure 2013538440
 が開示されている。
ＪＰ２００７／２１７３９７には、リガンドに以下の前駆体：
Figure 2013538440
 が開示されている。
どちらの文献にも相補的材料（上記の定義を参照）としての使用が開示されていない。ジベンゾフラン又はジベンゾチオフェン上に更にカルバゾール置換基を有する化合物は明確に開示されていない。
ＪＰ２００８／３０３１５０には、同様に相応の置換ジベンゾフラン又はジベンゾチオフェンが開示されているが、その際これらの化合物中の複素環は窒素により結合していない。
従って、従来技術からは、発光層において特に蛍光発光体としてならびに場合によりマトリックス材料として使用される公知のジベンゾフラン及びジベンゾチオフェン誘導体が存在することが明らかである。更に、相応のジベンゾフラン誘導体が公知であり、これは２位又は４位に窒素を有する置換基を有し、かつ金属錯体においてリガンドとして存在する。
前記従来技術に鑑み、本発明の対象はＯＬＥＤｓならびに有機エレクトロニクスにおける更なる用途において使用するために適切な更なる材料を提供することである。特に、ＯＬＥＤｓにおいて使用するためのホスト、ブロッカー及び／又は電荷輸送材料が提供されるのがよい。更に、該材料は良好な効率、優れた運転寿命及び熱応力に高い安定性を確実にするＯＬＥＤｓならびにＯＬＥＤｓの低い使用電圧及び動作電圧を提供するために適切であるべきである。
本発明によりこれらの対象は、式（Ｉ）
Figure 2013538440
 ［式中、
ＸはＳ又はＯであり；
Ｒ1、Ｒ2は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）2Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12又はＣ基であり；
Ｒ3、Ｒ4は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり、
又は
Ｒ3とＲ4は、窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい。
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり、
ｎは、０、１、２、３又は４であり、
ｍは、０、１、２又は３であり、
ｐは、１又は２であり、ここでｍ＋ｐは≦４であり、
Ｃは、一般式（II）
Figure 2013538440
 （式中、
Ａ1は、互いに独立にＣＲa、Ｎ又はＮＲbであり、
Ａ2は、互いに独立にＣＲc、Ｎ又はＮＲdであり、
Ａ3は、互いに独立にＣＲe、Ｎ又はＮＲfであり、
Ａ4は、互いに独立にＣＲg、Ｎ又はＮＲhであり、
Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhは、互いに独立に水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり；又は
（Ｒa又はＲb）と（Ｒc又はＲd）、又は
（Ｒe又はＲf）と（Ｒg又はＲh）、及び／又は
（Ｒc又はＲd）と（Ｒe又はＲf）は、炭素又は窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい）
の５員環の飽和又は不飽和の複素環式基である］
の化合物（その際、Ｃ基は２位及び／又は４位で結合する、又は前記の一般式（Ｉ）の２個のユニットは、場合により少なくとも１つのヘテロ原子により又はＯを介して中断されている１つの結合、線状又は分枝状の、飽和又は不飽和の橋かけ部により互いに橋かけられ、その際、一般式（Ｉ）中のこの橋かけ部はＲa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhの代わりに、又はＲ1又はＲ2により、又はＲ1又はＲ2の代わりにモノマーの形、重合した形又は架橋した形で結合する）の使用により達成された。
本発明の対象は、一般式（III）
Figure 2013538440
 ［式中、
ＸはＳ又はＯであり；
Ｒ2は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）2Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12であり；
Ｒ3、Ｒ4は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であるか又は
Ｒ3とＲ4は、窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び、ドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に互いに縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり、
Ｒ13、Ｒ14は互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）2Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12であり；
ｍは、０、１、２又は３であり、
ｐは、１又は２であり、その際、ｍ＋ｐは≦４であり、
ｑは、０、１、２、３又は４であり、
ｒは、０、１、２、３又は４であり、
ｓは、１、２、３又は４であり、
Ｃは、一般式（II）
Figure 2013538440
 （式中、
Ａ1は、互いに独立にＣＲa、Ｎ又はＮＲbであり、
Ａ2は、互いに独立にＣＲc、Ｎ又はＮＲdであり、
Ａ3は、互いに独立にＣＲe、Ｎ又はＮＲfであり、
Ａ4は、互いに独立にＣＲg、Ｎ又はＮＲhであり、
Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhは、互いに独立に水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり；又は
（Ｒa又はＲb）と（Ｒc又はＲd）、又は
（Ｒe又はＲf）と（Ｒg又はＲh）、及び／又は
（Ｒc又はＲd）と（Ｒe又はＲf）は、炭素原子又は窒素元素と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい）
の５員環の飽和又は不飽和複素環基である］
の化合物（その際、Ｃ基は２位及び／又は４位で結合する、又は前記の一般式（III）の２個のユニットは場合により少なくとも１つのヘテロ原子により又はＯを介して中断されている１つの結合、線状又は分枝状の、飽和又は不飽和の橋かけ部により互いに橋かけられ、その際、一般式（III）中のこの架橋はＲa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒh、Ｒ13又はＲ14代わりに、又はＲ2を介して及び／又はＲ2の代わりに結合する）の使用により達成された。
式（Ｉ）又は（III）のヘテロ環が置換された特定のジベンゾフラン及びジベンゾチオフェン化合物は、電荷キャリア伝導性を必要とする用途で使用するために特に適切であり、特に有機エレクトロニクス用途、例えば、スイッチ部材、例えば、有機トランジスター、例えば、有機ＦＥＴｓ及び有機ＴＦＴｓ、有機太陽電池及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤs）から選択される用途で使用するために適切である。式（Ｉ）及び（II）の化合物は、発光層においてマトリックス材料として及び／又は正孔材料及び／又は励起子ブロッカー材料として及び／又は電子ブロッカー材料及び／又は励起子ブロッカー材料として、及び／又は電子伝導体材料として、特にリン発光体と組み合わせて使用するために適切である。ＯＬＥＤｓにおける式（Ｉ）又は（III）の本発明の化合物の使用は、良好な効率及び長い寿命を有するＯＬＥＤｓを提供し、かつこれは特に低い使用電圧及び動作電圧で運転することができる。式（III）の本発明の化合物は、特に青色及び緑色発光体、例えば、明るい青色又は深い青色発光体（これらは特にリン光発光体である）のマトリックス材料及び／又は正孔／励起子ブロッカー材料として使用するために適切である。電子伝導体として、本発明の化合物は当業者に公知の全ての色を有するＯＬＥＤにおいて使用できる。更に、式（Ｉ）又は（III）の化合物は、スイッチ部材及び有機太陽電池から選択される有機エレクトニックス用途で使用できる。
本発明に関連して、アリール残基又はアリール基、ヘテロアリール残基又はヘテロアリール基、アルキル残基又はアルキル基、シクロアルキル残基又はシクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル残基又はヘテロシクロアルキル基、アルケニル残基又はアルケニル基、アルキニル残基又はアルキニル基、アラルキル残基又はアラルキル基ならびにドナー及び／又はアクセプター作用を有する基という用語を以下のように定義する。
アリール残基（又は基）とは、６〜３０個の炭素原子、有利には６〜１８個の炭素原子を有する基本骨格を有し、かつ芳香族環又は複数の縮合芳香族環から形成される残基を意味すると解釈される。適切な基本骨格は、例えば、フェニル、ナフチル、アントラセニル又はフェナントレニル、インデニル又はフルオレニルである。この基本骨格は、非置換（すなわち、置換可能な炭素原子は水素原子を有する）であるか又は、基本骨格の置換可能な１個又は１個よりも多い又は全ての位置で置換されていてもよい。
適切な置換基は、例えば、ジューテリウム、アルコキシ残基、アリールオキシ残基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、カルバゾイリル基、シリル基、ＳｉＲ16Ｒ17Ｒ18（適切なシリル基ＳｉＲ16Ｒ17Ｒ18は以下に記載してある）、アルキル残基、有利には１〜８個の炭素原子を有するアルキル残基、より有利にはメチル、エチル、又はi−プロピル、アリール残基、有利にはＣ6−アリール残基であり（これは置換されているか又は非置換であってもよい）、ヘテロアリール残基、より有利には少なくとも１個の窒素原子を有するヘテロアリール残基、より有利にはピリジル残基及びカルバゾリル残基、アルケニル残基、有利には１個の二重結合を有するアルケニル残基、より有利には１個の二重結合と１〜８個の炭素原子を有するアルケニル残基、アルキニル残基、有利には１個の三重結合を有するアルキニル残基、より有利には１個の三重結合と１〜８個の炭素原子を有するアルキニル残基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基、又はスペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基である。ドナー又はアクセプター作用を有する適切な基を以下に説明する。最も有利には、置換アリール残基は、メチル、エチル、イソプロピル、アルコキシ、ヘテロアリール、ハロゲン、擬ハロゲン及びアミノ、有利にはアリールアミノから成るグループから選択される置換基を有する。アリール残基又はアリール基は、有利にはＣ6〜Ｃ18−アリール残基、より有利にはＣ6−アリール残基であり、これは場合により１個又は１個以上の前記の置換基により置換されている。より有利には、Ｃ6〜Ｃ18−アリール残基、有利にはＣ6−アリール残基は、０個、１個、２個、３個又は４個、最も有利には０個、１個又は２個の前記置換基を有する。
ヘテロアリール残基又はヘテロアリール基とは、アリール残基の基本骨格において、少なくとも１つの炭素原子がヘテロ原子により置換され、かつヘテロアリール残基の基本骨格が有利には５〜１８個の環原子を有する点において前記アリール残基とは異なる残基を意味すると解釈される。有利なヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ及びＳである。特に有利に適切なヘテロアリール残基は、窒素含有ヘテロアリール残基である。最も有利には、基本骨格の１個又は２個の炭素原子は、ヘテロ原子、有利には窒素により置換されている。とりわけ有利には、基本骨格は、ピリジン、ピリミジン及び５員環ヘテロ芳香族、例えば、ピロール、フラン、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、オキサゾール、チアゾール、トリアゾールのような系から選択される。更に、ヘテロアリール残基は縮合環系、例えば、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、ベンゾピロリル、ジベンゾフリル、ジベンゾチエニル、フェナントロリニル、カルバゾリル残基、アザカルバゾリル残基又はジアザカルバゾリル残基であってもよい。基本骨格は、該基本骨格の１個、１個よりも多い、又は全ての置換可能な位置で置換されていてもよい。適切な置換基はアリール基で既に記載したものと同じである。
アルキル残基又はアリール基とは、１〜２０個の炭素原子、有利には１〜１０個の炭素原子、より有利には１〜８個の炭素原子及び最も有利には１〜４個の炭素原子を有する残基を意味すると解釈される。このアルキル残基は、分枝又は非分枝であってよく、かつ場合により１つ又は複数のヘテロ原子、有利にはＳｉ、Ｎ、Ｏ又はＳ、より有利にはＮ、Ｏ又はＳにより中断されている。更に、このアルキル残基はアリール基で記載した１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい。更に、本発明により存在するアルキル残基は、少なくとも１つのハロゲン原子、例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ、特にＦを有していてもよい。もう１つの実施態様では、本発明により存在するアルキル残基は完全にフッ素化されていてもよい。同様に、アルキル残基は１つ又は複数の（ヘテロ）アリール基を有することができる。従って、本明細書に関連して例えばベンジル残基は置換されたアルキル残基である。上記の（ヘテロ）アリール基の全てが適切である。アルキル残基はより有利には、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル及びｔ−ブチルから成るグループから選択され、極めて有利にはメチルとエチルが挙げられる。
シクロアルキル残基又はシクロアルキル基とは、３〜２０個の炭素原子、有利には３〜１０個の炭素原子、より有利には３〜８個の炭素原子を有する残基を意味すると解釈される。この基本骨格は非置換（すなわち、置換可能な全ての炭素原子が水素原子を有する）又は該基本骨格の１個、１個よりも多い又は全ての置換可能な位置で置換されていてもよい。適切な置換基は、先にアリール残基に関して挙げたグループである。同様に、シクロアルキル残基が１つ又は複数の（ヘテロ）アリール基を有することもできる。適切なシクロアルキル残基の例は、シクロプロピル、シクロペンチル及びシクロヘキシルである。
ヘテロシクロアルキル残基又はヘテロシクロアルキル基は、シクロアルキル残基の基本骨格において、少なくとも１つの炭素原子がヘテロ原子により置換されている点において前記シクロアルキル残基とは異なる残基を意味すると解釈される。有利なヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ及びＳである。最も有利には、シクロアルキル残基の基本骨格の１個又は２個の炭素原子は、ヘテロ原子により置換されている。適切なヘテロシクロアルキル残基の例は、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、テトラヒドロフラン、ジオキサンから誘導される残基である。
アルケニル残基又はアルケニル基とは、少なくとも２個の炭素原子を有するが、アルキル残基の少なくとも１つのＣ−Ｃ−単結合がＣ−Ｃ−二重結合により置き換わっている点において異なる前記アルキル残基に相応する残基を意味すると解釈される。
アルキニル残基又はアルキニル基とは、少なくとも２個の炭素原子を有するが、アルキル残基の少なくとも１つのＣ−Ｃ−単結合がＣ−Ｃ−三重結合により置き換わっている点において異なる前記アルキル残基に相応する残基を意味すると解釈される。
ＳｉＲ16Ｒ17Ｒ18基とは、シリル残基を意味すると解釈され、その際、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は、互いに独立にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール又はＯＲ22である。
ＳｉＲ23Ｒ24Ｒ25基とは、シリル残基を意味すると解釈され、その際、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は、互いに独立にアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール又はＯＲ22である。
本明細書に関連して、ドナー又はアクセプター作用を有する基又は置換基とは、以下のグループを意味すると解釈される：
ドナー作用を有する基とは、＋Ｉ及び／又は＋Ｍ作用を有する基を意味すると解釈され、かつアクセプター作用を有する基とは、−Ｉ及び／又は−Ｍ作用を有する基を意味すると解釈される。有利な適切な基は、Ｃ1〜Ｃ20−アルコキシ、Ｃ6〜Ｃ30−アリールオキシ、Ｃ1〜Ｃ20−アルキルチオ、Ｃ6〜Ｃ30−アリールチオ、ＳｉＲ19Ｒ20Ｒ21、ＯＲ22、ハロゲン残基、ハロゲン化Ｃ1〜Ｃ20−アルキル残基、カルボニル（−ＣＯ（Ｒ19））、カルボニルチオ（−Ｃ＝Ｏ（ＳＲ19））、カルボニルオキシ（−Ｃ＝Ｏ（ＯＲ19））、オキシカルボニル（−ＯＣ＝Ｏ（ＯＲ19））、チオカルボニル（−ＳＣ＝Ｏ（Ｒ19））、アミノ（−ＮＲ19Ｒ20）、擬ハロゲン残基、アミド（−Ｃ＝Ｏ（ＮＲ19））、−ＮＲ19Ｃ＝Ｏ（Ｒ21）、ホスホネート（−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ19）2、ホスフェート（−ＯＰ（Ｏ）ＯＲ19）2）、ホスフィン（−ＰＲ19Ｒ20）、ホスフィンオキシド（−Ｐ（Ｏ）Ｒ19 2）、スルフェート（−ＯＳ（Ｏ）2ＯＲ19）、スルホキシド（−Ｓ（Ｏ）Ｒ19）、スルホネート（−Ｓ（Ｏ）2ＯＲ19）、スルホニル（−Ｓ（Ｏ）2Ｒ19、スルホンアミド（−Ｓ（Ｏ）2ＮＲ19Ｒ20）、ＮＯ2、ホウ素エステル（−ＯＢ（ＯＲ19）2）、イミノ（−Ｃ＝ＮＲ19Ｒ20））、ボラン残基、スタンネン残基、ヒドラジン残基、ヒドラゾン残基、オキシム残基、ニトロソ基、ジアゾ基、ビニル基、スルホキシミン、アラン、ゲルマン、ボロキシム及びボラジンから選択される。
ドナー又はアクセプター作用を有する前記基で記載したＲ19、Ｒ20及びＲ21残基は、互いに独立に以下のものである：
置換又は非置換のＣ1〜Ｃ20−アルキル又は、置換又は非置換のＣ6〜Ｃ30−アリール、又はＯＲ22、上記の適切かつ有利なアルキル及びアリール残基。Ｒ19、Ｒ20及びＲ21残基は、より有利にはそれぞれＣ1〜Ｃ6−アルキル、例えば、メチル、エチル又はi−プロピル又はフェニルである。有利な実施態様では、ＳｉＲ19Ｒ20Ｒ21の場合には、−Ｒ19、Ｒ20及びＲ21は有利には互いに独立に置換又は非置換のＣ1〜Ｃ20−アルキル又は置換又は非置換のアリール、有利にはフェニルである。
ドナー又はアクセプター作用を有する有利な置換基は、次のものから成るグループから選択される：Ｃ1〜Ｃ20−アルコキシ、有利にはＣ1〜Ｃ6−アルコキシ、より有利にはエトキシ又はメトキシ；Ｃ6〜Ｃ30−アリールオキシ、有利にはＣ6〜Ｃ10−アリールオキシ、より有利にはフェニルオキシ；ＳｉＲ19Ｒ20Ｒ21（式中、Ｒ19、Ｒ20及びＲ21は有利には互いに独立に置換又は非置換のアルキル又は置換又は非置換アリール、有利にはフェニル；より有利にはＲ19、Ｒ20及びＲ21残基のうち少なくとも１つは、置換又は非置換のフェニルであり、適切な置換基は先に記載されている；ハロゲン残基、有利にはＦ、Ｃｌ、より有利にはＦ、ハロゲン化Ｃ1〜Ｃ20−アルキル残基、有利にはハロゲン化Ｃ1〜Ｃ6−アルキル残基、最も有利にはフッ化Ｃ1〜Ｃ6−アルキル残基、例えばＣＦ3、ＣＨ2Ｆ、ＣＨＦ2又はＣ2Ｆ5；アミノ、有利にはジメチルアミノ、ジエチルアミノ又はジアリールアミノ、より有利にはジアリールアミノ；擬ハロゲン残基、有利にはＣＮ、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ1〜Ｃ４−アルキル、有利には−Ｃ（Ｏ）ＯＭe、Ｐ（Ｏ）Ｒ2、有利にはＰ（Ｏ）Ｐｈ2である。
ドナー又はアクセプター作用を有する特に極めて有利な置換基は、メトキシ、フェニルオキシ、ハロゲン化Ｃ1〜Ｃ4−アルキル、有利にはＣＦ3、ＣＨ2Ｆ、ＣＨＦ2、Ｃ2Ｆ5、ハロゲン、有利にはＦ、ＣＮ、ＳｉＲ19Ｒ20Ｒ21（適切なＲ19、Ｒ20及びＲ21残基は、既に先に記載してある）、ジアリールアミノ（ＮＲ19Ｒ20、ここでＲ19、Ｒ20はそれぞれＣ6〜Ｃ30−アリールである）、−Ｃ（Ｏ）ＯＣ1〜Ｃ４−アルキル、有利には−Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、Ｐ（Ｏ）Ｐｈ2から成るグループから選択される。
ハロゲン基は、有利にはＦ、Ｃｌ及びＢｒ、より有利にはＦ及びＣｌ、最も有利にはＦを意味すると解釈される。
擬ハロゲン基は、有利にはＣＮ、ＳＣＮ及びＯＣＮ、より有利にはＣＮを意味すると解釈される。
ドナー又はアクセプター作用を有する前記基は、本明細書中で記載されたが、ドナー又はアクセプター作用を有する基の上記リストに含まれていない更なる残基及び置換基がドナー又はアクセプター作用を有する可能性を除外するわけではない。
アリール残基又はアリール基、ヘテロアリール残基又はヘテロアリール基、アルキル残基又はアルキル基、シクロアルキル残基又はシクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル残基又はヘテロシクロアルキル基、アルケニル残基又はアルケニル基ならびにドナー及び／又はアクセプター作用を有する基は、上記のように置換又は非置換であってもよい。本明細書に関連して、非置換の基とは、基の置換可能な原子が水素原子を有する基を意味すると解釈される。本明細書に関連して、置換された基とは、１つ又は複数の置換可能な原子が少なくとも１つの位置で、水素原子の代わりに１つの置換基を有する基を意味すると解釈される。適切な置換基は、アリール残基又はアリール基に関して既に記載した置換基である。
同じナンバリングを有する残基が本発明の化合物において１回以上生じる場合には、これらの残基は独立に記載された定義を有していてもよい。
一般式（Ｉ）の化合物において、ＸはＳ又はＯ、有利にはＯである。
一般式（Ｉ）の化合物中、Ｒ1残基は独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）2Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12、又はＣ基、有利にはアリール、ヘテロアリール又は−ＮＲ3Ｒ4、又はＣ基、ここで、前記残基は非置換又は置換されていてもよい。適切な置換基は先に記載してある。Ｃ基は以下に定義されている。より有利には、Ｒ1は前記置換基により置換されているか又は非置換であってもよいフェニル、Ｃ基、又は−ＮＲ3Ｒ4である。最も有利には、Ｒ1は前記置換基により置換されているか又は非置換であってもよいＣ基、又は−ＮＲ3Ｒ4である。
更に有利な１実施態様では、残基Ｒ1は独立に、フェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、インデニル及びフルオレニルから選択されるアリール（これらは非置換であるか、又は１個又は１個よりも多い、又は全ての置換可能な位置で置換されている）、ピリジン残基、ピリミジン残基、ピロール残基、フラン残基、ピラゾール残基、イミダゾール残基、チオフェン残基、オキサゾール残基、チアゾール残基、トリアゾール残基、ベンゾフリル残基、ベンゾチエニル残基、ベンゾピロリル残基、ジベンゾフリル残基、フェナントロリニル残基、カルバゾリル残基、アザカルバゾリル残基及びジアザカルバゾリル残基から選択されるヘテロアリール（これらは非置換であるか、又は１個又は１個よりも多い、又は全ての置換可能な位置で置換されていてもよい）、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）２Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12（ここで、前記残基は非置換又は置換されていてよい）。適切な置換基は先に記載してある。
更に有利な実施態様では、残基Ｒ1は、−ＮＲ3Ｒ4であり；及びＲ3、Ｒ4は、窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合していてもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい。残基Ｒ3とＲ4のより有利な定義は以下に記載してある。また有利な基−ＮＲ3Ｒ4も以下に記載されている。
一般式（Ｉ）の化合物のＲ2残基は、独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）2Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12、より有利には、アリール、ヘテロアリール又は−ＮＲ3Ｒ4であり、ここで、前記残基は非置換であるか又は置換されている。適切な置換基は先に記載してある。最も有利にはＲ1は前記基により置換されているか又は非置換であってもよいヘテロアリール又は−ＮＲ3Ｒ4である。
一般式（Ｉ）の化合物において、存在する場合にはＲ3とＲ4は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であるか、又はＲ3とＲ4は、窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合していてもよく、その際、縮合された基は非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい。
より有利には、Ｒ3とＲ4は、互いに独立にアリールであるか、又はＲ3とＲ4は窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい。
最も有利には、一般式（Ｉ）の化合物中、Ｒ3とＲ4残基は、窒素原子と一緒に５個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、３〜１０個、より有利には５個又は６個の環原子を有する１つ又は複数の、有利には２個の更なる環式基に縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、かつ有利には非置換である。
特に適切な−ＮＲ3Ｒ4の例は、カルバゾリル、ピロリル、インドリル、イミダゾリル、トリアゾリル、ベンズイミダゾリル、アザカルバゾリル、ジアザカルバゾリル及びジフェニルアミノから選択され、その際、前記基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換される。
Ｒ1残基は、有利には−ＮＲ3Ｒ4であってもよく、その際、前記−ＮＲ3Ｒ4は一般式（II）の５員環複素環残基である。一般式（II）の残基の定義は以下に見出すことができる。従ってＲ1の特に有利な残基は次のものである：
Figure 2013538440
Figure 2013538440
Figure 2013538440
 。
更に有利な実施態様では、残基Ｒ1は以下のグループから選択される：
Figure 2013538440
Figure 2013538440
 。
一般式（Ｉ）の化合物において、Ｒ1は有利には一般式（IV）
Figure 2013538440
 のカルバゾリル残基である。
−ＮＲ3Ｒ4部分の縮合環の上に存在していてもよい前記置換基は、式中では（Ｒ13）q及び（Ｒ14）rにより示されていて、以下に定義することにする。
一般式（IV）の残基において、Ｒ13とＲ14は互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）2Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12、ドナー又はアクセプター作用を有する基である。
一般式（Ｉ）の化合物において、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、有利にはアリール又はヘテロアリールであり、その際、前記残基は非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１個又は複数残基、より有利には非置換又は置換フェニルにより置換されていてもよい。その際、適切な置換基、例えば、トリル又は式
Figure 2013538440
 （式中、ＹはＳ又はＯであり、かつＣ基は先に定義してある）
の基は先に記載されている。
最も有利には、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は、それぞれ独立にフェニル、トリル又は式
Figure 2013538440
 （式中、ＹはＳ又はＯであり、かつＣ基は先に定義してある）
の基である。
一般式（IV）の残基の特に有利な例は、すなわち特に有利な−ＮＲ3Ｒ4基の例は次のものである：
Figure 2013538440
 。
特に有利な−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6基は：
Figure 2013538440
 である（式中、Ｘ及びＣ基は先に定義してある）。
特に有利なＰＲ7Ｒ8基は：
Figure 2013538440
 である。
特に有利な−Ｓ（Ｏ）2Ｒ9及び−Ｓ（Ｏ）Ｒ10基は：
Figure 2013538440
 である。
特に有利な−ＳＲ11及び−ＯＲ12基は次のもの：
Figure 2013538440
 （式中、ＸはＳ又はＯであり、かつＣは上記の通りである）
である。
本発明により適切な重合性基又は架橋性基を以下に記載する。当業者は、本発明の使用において、重合した形又は架橋した形で使用される一般式（Ｉ）の化合物が少なくとも１つの架橋性基又は重合性基を有し、かつ架橋又は重合されていることを理解している。いずれの重合性基又は架橋性基を有さない一般式（Ｉ）の化合物、又は重合性基又は架橋性基を有する一般式（Ｉ）の化合物は、本発明によりモノマーの形で使用できる。同じことは一般式（III）の化合物にも当てはまる。
一般式（Ｉ）の化合物において、ｎは、０、１、２、３又は４、有利には０、１又は２、より有利には１であり、これは上記の定義を有する１つのＲ1基が一般式（Ｉ）の化合物中に存在することを意味する。
一般式（Ｉ）の化合物において、ｍは、０、１、２、３、有利には０、１、より有利には０であり、これは上記の定義を有するＲ2基が一般式（Ｉ）の化合物中に存在しないことを意味する。
一般式（Ｉ）の化合物において、ｐは、１又は２、有利には１であり、これは上記の定義を有するＣ基が一般式（Ｉ）の化合物中に存在することを意味する。
一般式（Ｉ）の化合物において、ｍ＋ｐは≦４であり、これは一般式（Ｉ）の化合物において、４個以下の置換基が全て、Ｃ基及びＲ2が結合しているジベンゾフラン又はジベンゾチオフェン基本骨格の適切なベンゼン残基上に存在していることを意味する。
一般式（Ｉ）の化合物の位置で置換基が存在しない場合には水素原子が存在していることを当業者には容易に理解される。
一般式（Ｉ）の本発明の化合物では、一般式（II）
Figure 2013538440
 （Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4、Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg及びＲhの定義を有する）
の少なくとも１つの５員環の飽和又は不飽和複素環Ｃ残基が存在する。
本発明によれば、残基（II）は飽和又は不飽和であってもよい。飽和Ｃ残基の場合には、５員環中の２つの窒素ＮＲb、ＮＲd、ＮＲf及びＮＲhの間で生じる全ての結合は単結合である。
一般式（II）で、不飽和Ｃ残基の場合には、５員環中のＮ、Ａ1、Ａ2、Ａ3及び／又はＡ4の間で生じる結合は単結合又は二重結合に相応する。従って少なくとも１つの二重結合を有するＣ残基は不飽和又は芳香族の特徴を有してもよい。当業者は、一般式（II）が本発明による可能性としてあり得る全ての残基を記載していること、すなわち点線の単結合しか表示されていなくても飽和、不飽和及び芳香族残基が記載されていることを認識している。当業者には、一般式（II）中、どの結合が単結合であるか又は二重結合であるのか、かつ一般式（II）の飽和又は部分的に飽和残基の場合には、Ａ1、Ａ2、Ａ3及び／又はＡ4に応じて更なる水素原子が場合により存在することが公知である。部分的に不飽和又は芳香族Ｃ残基の場合には、Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg残基が、Ａ1、Ａ2、Ａ3及び／又はＡ4上の相応する位置に存在しない。例えば、"Ｒa又はＲb"の形式が選択される。なぜならば、本発明の化合物ではＡ1、Ａ2等のどの定義なのかにより例えばＲa又はＲb等のどちらかが存在するからである。
Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg及びＲhは互いに独立に水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基である。記載され、かつ有利な実施態様での残基の定義に関しては、上記の記載内容が当てはまる。最も有利には、Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg及びＲhは互いに独立に水素、アルキル又はアリールである。Ｒa、Ｒc、Ｒe及びＲgは特に有利には互いに独立に水素、アルキル又はアリールである。Ｒb、Ｒd、Ｒf及びＲhは特に有利には互いに独立にアルキル又はアリールであり、これは環中に有利にはＮＨが存在しないことを意味する。
本発明の有利な実施態様では、Ａ1はＣＲa又はＮ、Ａ2はＣＲc又はＮ、Ａ3はＣＲe又はＮ、及びＡ4はＣＲg又はＮであり、これは有利な実施態様ではＲb、Ｒd、Ｒf及びＲh残基が存在しないことを意味する。
一般式（II）は、有利には以下の式（IIa）
Figure 2013538440
 に相応するか、又はその異性体式（相応して上記の定義Ａ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4を有する）であり、特に式（IIa）中、Ａ1はＣＲa又はＮ、Ａ2はＣＲc又はＮ、Ａ3はＣＲe又はＮ、及びＡ4はＣＲg又はＮである。
有利な実施態様では本発明一般式（Ｉ）の化合物中のＣが以下のもの：
Figure 2013538440
 である本発明の使用に関する。
１実施態様では、上記残基中のＲaは
Figure 2013538440
 ではない。
更に有利な実施態様では、本発明は一般式（Ｉ）の化合物中のＣ基が：
Figure 2013538440
 である本発明による使用に関する。
１実施態様では、式中の残基
Figure 2013538440
 は以下の意味を有する：
Ｒg、ＲeはＨであり、かつ
Ｒaは水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基である。
更に有利な実施態様では、本発明は一般式（Ｉ）の化合物中のＣ基が
Figure 2013538440
 である本発明の使用に関する。
１実施態様では、以下の化合物
Figure 2013538440
 の使用は除く。
更に有利な実施態様では、本発明は一般式（Ｉ）の化合物中、Ｒa、Ｒc、Ｒe及びＲgのうちの少なくとも１つがアリール、有利には場合により置換されたフェニルである本発明の使用に関する。
本発明の有利な１実施態様では、ＲaとＲc、又はＲeとＲg及び／又は（有利には又は）ＲcとＲeは、炭素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される置換基により置換されており、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合していてもよく、その際、縮合された基は、非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される置換基により置換されていてもよい。
特に有利な実施態様では、ＲaとＲc、又はＲeとＲg及び／又は（有利には又は）ＲcとＲeは、炭素原子と一緒に５、６又は７個の環原子を有する環式基を形成し、かつこれは非置換であるか又はアルキル基、例えばメチルにより及び／又はアリール基、例えばフェニルにより置換されている。
ＲaとＲc、又はＲeとＲg及び／又は（有利には又は）ＲcとＲe残基が上記の縮合環を形成するこの実施態様では、残りの、すなわち縮合していないＲa、Ｒc、Ｒe、Ｒg残基は有利にはアリール、より有利にはフェニル又は置換フェニルである。
（ＲaとＲc）又は（ＲeとＲg）又は（ＲcとＲe）が有利には相応する上記縮合環を形成することにより、本発明により特に有利には、１つだけの縮合環が一般式（II）のＣ残基中に存在することになる。
極めて有利なＣ残基は以下に記載されている：
Figure 2013538440
Figure 2013538440
Figure 2013538440
 。
更に有利な実施態様ではＣ残基は次のものから選択される：
Figure 2013538440
 。
更に有利な実施態様では、本発明は
Ｒ1が−ＮＲ3Ｒ4であり、
Ｒ3、Ｒ4が窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、ドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される置換基により置換されており、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合していてもよく、その際、縮合された基は、非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、
Ｃが一般式（II）
Figure 2013538440
 ［式中、
Ａ1は、互いに独立にＣＲa、Ｎ又はＮＲbであり、
Ａ2は、互いに独立にＣＲc、Ｎ又はＮＲdであり、
Ａ3は、互いに独立にＣＲe、Ｎ又はＮＲfであり、
Ａ4は、互いに独立にＣＲg、Ｎ又はＮＲhであり、
Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhは、互いに独立に水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり、
ｎは１であり、かつ
ｍは０又は１、有利には０である］
の５員環の飽和又は不飽和の複素環式基である式（Ｉ）の化合物の使用に関し、その際、以前に定義されていない式（Ｉ）中の残基は上記の通りに定義される。
本発明の更なる実施態様では、一般式（Ｉ）の２つのユニットは１つの結合、すなわち場合により少なくとも１つのヘテロ原子により又はＯを介して中断されているＣ−Ｃ結合、Ｃ−Ｎ結合、線状又は分枝状、飽和又は不飽和橋かけ部により互いに橋かけられ、その際、一般式（Ｉ）中の前記架橋は、Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhの代わりに、又はＲ1又はＲ2を介して及び／又はＲ1又はＲ2の代わりに結合する。
架橋は有利には、次の結合：
Figure 2013538440
 から成るグループから選択される。架橋は最も有利には１つの結合又は−１，３−フェニル−である。
本発明の架橋化合物は最も有利には以下の一般式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）：
Figure 2013538440
 に相応し、その際、Ｒ1、Ｒ2、Ｘ、Ｃ、ｍ、ｎ及びｐは上記の定義の通りである。有利には、この実施態様ではｎ及びｍはそれぞれ０であり、かつｐは１である。
本発明によれば、少なくとも１つのＣ残基が２位及び／又は４位で、有利には２位で結合している一般式（Ｉ）の化合物が使用される。
存在する場合には、Ｒ1及びＲ2残基は一般にＣ残基により占有されていない全ての位置で結合していてもよい。例えば、１位、場合により２位、３位、場合により４位、６位、７位、８位及び／又は９位で結合していてもよい。本発明により使用されるジベンゾフラン又はジベンゾチオフェンの位置は、以下の図表：
Figure 2013538440
 ［式中、ＸはＯ又はＳである］
に示されている。
有利な実施態様では一般式（Ｉ）の化合物中、ｎとｐが１である場合には、残基Ｒ1は有利には８位で結合し、かつ残基Ｃは有利には２位で結合する。より有利にはｍは０である。
極めて有利な実施態様では、本発明で使用するための一般式（Ｉ）の化合物は、以下のグループ：
Figure 2013538440
Figure 2013538440
Figure 2013538440
 ［式中、ＸはＳ又はＯである］
から選択される。
一般式（Ｉ）の本発明の化合物を製造する方法は当業者には自体公知であり、かつ例示的に一般式（III）の化合物により記載されている。
本発明によれば、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基は、一般に式−（Ｓp）ｘ１−［ＰＧ’］xの基であり、その際、Ｓｐは架橋ユニットであり、ＰＧ’は架橋性基又は重合性基であり、ｘ１は０又は１であり、ｘは１〜４の整数である。
ｘ１は０と定義されていてもよいので、本発明によれば架橋性基又は重合性基はスペーサーによってではなく直接に結合することもできる。
Ｓｐは、例えば、−Ａｒ−、−ＡｒＹ−、−ＹＡｒ−、−ＹＡｒ（ＣＲ26Ｒ27）n−、−（ＣＲ26Ｒ27）n−、−（ＹＣＲ26Ｒ27）n−、又は−（ＣＲ26Ｒ27Ｙ）n−から成るグループから選択され、その際、
Ｙは、ＮＲ5、Ｏ、Ｓ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ（＝Ｏ）Ｏであり、ここで、Ｒ5はＨ；場合により少なくとも１つのＣ1〜Ｃ18−アルキル又はＣ1〜Ｃ18−アルコキシにより置換されているＣ6〜Ｃ18−アリール、場合により−Ｏ−により中断されているＣ1〜Ｃ18−アルキルであり；
Ｒ26とＲ27は、互いに独立に水素、フッ素又はＣ1〜Ｃ20−アルキルであり、
ｎは、１〜２０であり、
Ａｒはアルキル、シクロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、これらは場合により置換されていてもよい。
架橋性基又は重合性基ＰＧ’は、次のグループ：−Ｃ（Ｒ44）＝ＣＨ2、−ＮＨＣ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ45）＝ＣＨ2、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ45）＝ＣＨ2、−ＯＣ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ45）＝ＣＨ2、−Ｃ（Ｏ）−Ｃ（Ｒ46）＝ＣＨ2、
Figure 2013538440
 −Ｏ−ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2）２；Ｃ5〜Ｃ8−シクロアルケニル、ビシクロアルケニル（場合により置換又は非置換であり、及び５〜３０個の炭素原子を有する）、
Figure 2013538440
 から成るグループから選択され、
ここでｓは１〜６の整数、ｍ１は１〜６の整数であり、かつＲ6は水素又はＣ1〜Ｃ20−アルキルであり、
Ｒ44は、水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はハロゲンであり、
Ｒ45は、水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はハロゲンであり、かつ
Ｒ46は、水素、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル又はＣ6〜Ｃ12−アリールであるか、又は
更なる実施態様でのＰＧ’は、重合性基
Figure 2013538440
 から得られる基であり、その際、ＡＨＧは場合により置換された芳香族又はヘテロ芳香族残基であり、例えば
Figure 2013538440
 であってもよい。
Ｒ47とＲ48は互いに独立にハロゲン、
Figure 2013538440
 ホウ酸、ホウ酸エステル、−Ｍｇ−Ｈａｌ、−Ｚｎ−Ｈａｌ、−Ｓｎ（Ｒ52）3であり、ここで、Ｈａｌはハロゲン及びＲ52はＣ1〜Ｃ18−アルキルである。
Ｒ49は互いに独立に、水素、場合により−Ｏ−により中断されているＣ1〜Ｃ18−アルキル、Ｃ1〜Ｃ18−ペルフルオロアルキル、場合により−Ｏ−により中断されているＣ1〜Ｃ18−アルコキシ、又はＣ7〜Ｃ25−アラルキルである。
ここで、ＰＧ’は重合性基
Figure 2013538440
 とは異なる場合は、該ポリマーは上記の繰り返し単位の他に、１つ又は複数の繰り返し単位ＲＧI及び／又はＲＧIIを有していてもよい：
ＲＧI：ポリマーの正孔注入特性又は正孔輸送特性を改善する単位；
ＲＧII：ポリマーの電子注入特性又は電子輸送特性を改善する単位。
一般式（Ｉ）又は（III）の化合物中で、重合性基又は架橋性基が存在していてもよい。１実施態様では、これらは重合又は架橋していてもよい。架橋又は重合の方法、（例えば、フリーラジカル法）は当業者に自体公知である。本発明によれば、当業者に公知のフリーラジカル開始剤、例えば、ＡＩＢＮ又は
Figure 2013538440
 を使用することができる。
本発明の有利な実施態様では、少なくとも１つの重合性基又は架橋性基はＣ−Ｃ二重結合、アクリレート、メタクリレート又は１，２−エポキシエーテルから成るグループから選択される。
一般式（Ｉ）の化合物が架橋性基又は重合性基として−ＣＨ＝ＣＨ2−、アクリレート又はメタクリレートを有する場合には、重合は例えば、公知の光開始剤を用いて光化学的により行うことができ、これは例えば"Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ＵＶ＆ＥＢ Ｆｏｒｍｕｌａｔｉｏｎｓ ｆｏｒ Ｃｏａｔｉｎｇｓ，Ｉｎｋ ａｎｄ Ｐａｉｎｔｓ，Ｖｏｌ．３：Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒｓ ｆｏｒ Ｆｒｅｅ Ｒａｄｉｃａｌ ａｎｄ Ｃａｔｉｏｎｉｃ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ"１９９１，ｐ．１１１５〜３２５）に記載されている。公知の光開始剤は、例えば、存在する全てのモノマーの全大量に対して、０．５〜５質量％の量で反応混合物に添加される。
更に適切な重合方法は、エポキシ重合、様々なメタセシス反応（例えばＩｖｉｎ，Ｋ．Ｊ．ａｎｄ Ｍｏｌ，Ｊ．Ｃ．，Ｏｌｅｆｉｎ Ｍｅｔａｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ Ｍｅｔａｔｈｅｓｉｓ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ １９９７）に記載されている）、例えば、開環メタセシス、ＡＤＭＥＴ（非環式ジエン−オレフィンメタセシス）又はヒドロシリル化である。以下に示す式（Ｉ）のスキームは式（III）にも当てはまる。
Figure 2013538440
 。
ヒドロキシル化は、例えば、ＵＶ照射により開始することができ、かつフリーラジカル形成剤、遷移金属錯体又はルイス塩基、例えば、Ｈ2ＰｔＣｌ6、ＲｈＣｌ（ＰＰｈ3）3又はトランス−ＩｒＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ3）2により触媒することができる：
Figure 2013538440
 ここで、Ｒ50とＲ51は、互いに独立にＣ1〜Ｃ8−アルキル、Ｃ6〜Ｃ24−アリール又はＣ7〜Ｃ12−アラルキルである。
ＰＧ’が
Figure 2013538440
 による重合性基である場合には、一般式（Ｉ）又は（III）の化合物は以下のように重合することができる。
ジハロゲン−官能化基質を使用する重合法は、ニッケル媒体カップリング条件下に行うことができ、これは例えばＣｏｌｏｎ等によりＪ．Ｐｏｌ．Ｓｃｉ．，Ｐａｒｔ Ａ、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ第２８版（１９９０）３６７、及びＣｏｌｏｎらによりＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．５１（１９８６）２６２７に記載されている。反応は一般に極性非プロトン性溶剤、例えばジメチルアセトアミド中で、触媒量のニッケル塩、トリフェニルホスフィン及び大過剰量の亜鉛末を用いて行われる。様々な方法はｌｏｙｄ等によりＢｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ，６３（１９９０）８０に記載されていて、その際、有機溶解性ヨウ化物は促進剤として使用されている。更なるニッケルカップリング反応は、Ｙａｍａｍｏｔｏ、Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ １７（１９９２）１１５３に記載されていて、その際、ジハロ芳香族化合物と過剰のニッケル（１，５−シクロオクタジエン）錯体の混合物は不活性溶剤中で処置されている。全てのニッケルカップリング反応では、２つ以上の芳香族ジハロゲン化物の基質混合物が使用される場合には特にランダムポリマーが得られる。
このような重合反応は少量の水の添加により終了させることができる。二者択一的に、一官能性ハロゲン化アリールを連鎖停止剤として使用できる。
ニッケルカップリング重合は主に一般式（Ｉ）及び／又は（Ｉ*）のユニットから成るランダムポリマーを提供する。
更に、一般式（Ｉ）又は（Ｉ*）の化合物を鈴木カップリングにより重合させることもでき、これは当業者に公知である。この重合反応は、例えば、Ｎ．Ｍｉｙａｕａ ａｎｄ Ａ．ＳｕｚｕｋｉによりＣｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗｓ、第９５巻４５７〜２４８３頁（１９９５）に記載されている。このために、有利には一般式（Ｉ）又は（Ｉ*）の化合物の二ヨウ化物又は二臭化物を適切な二ホウ素酸又は二ホウ酸エステルと反応させる。反応は、有利にはＰｄ触媒下に、及びトリフェニルホスフィンの存在で、トルエンのような芳香族炭化水素溶剤中、７０℃〜１８０℃で行われる。ジメチルホルムアミド又はテトラヒドロフランも適切である。炭酸ナトリウム又はジカーボネートのような水性塩基もＨＢｒスカベンジャーとして使用される。相応の方法は、例えば、Ｌｅａｄｂｅａｔｅｒ＆Ｍａｒｃｏ；Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇ．４２（２００３）１４０７，Ｔ．Ｉ．Ｗａｌｌｏｗ ａｎｄ Ｂ．Ｍ．Ｎｏｖａｋ ｉｎ Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ，５９（１９９４）５０３４〜５０３７；及びＭ．Ｒｅｍｍｅｒｓ，Ｍ．Ｓｃｈｕｌｚｅ，ａｎｄ Ｇ．Ｗｅｇｎｅｒ ｉｎ Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍｕｎ．１７（１９９６）２３９〜２５２に記載されている。
本発明によれば、一般式（Ｉ）の化合物から形成され、かつ一般式（Ｉ）の１つ又は複数の化合物を有するポリマーは、架橋又は重合した形で使用することもできる。同様に、一般式（Ｉ）の化合物の他に更なるモノマーを重合し、相応のポリマーが形成されるようにしてもよい。相応の例は、ＷＯ２００７／０９０７３３に記載されている。
更なるモノマーは、ＲＧIのような正孔伝導性ユニット及び／又はＲＧIIのような電子伝導性ユニットであってもよく、これはＷＯ２００７／０９０７３３に記載されている。重合及び架橋に関するこれらの記載内容は本発明の（Ｉ）と（III）の化合物にも当てはまる。
本発明は、架橋又は重合した形で一般式（Ｉ）の繰り返し単位を有する架橋又は重合材料のホスト、ブロッカー及び／電荷輸送材料としての使用にも関する。
本発明は上記に定義したような一般式（Ｉ）の化合物又は以下に定義するような一般式（III）の化合物の、重合及び／又は架橋反応における成分としての使用にも関する。
本発明は、以下に定義するような一般式（III）のユニットを有する架橋材料又は重合材料にも関する。
本発明による架橋又は重合材料は、有機溶剤中で優れた溶解度、優れた膜形成特性及び比較的に高いガラス遷移温度を有する。更に、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤs）において本発明による架橋材料又はポリマー材料が使用される場合に、相応する成分の高い電荷キャリア輸送度、発色の高い安定性及び長い運転時間を観察することができる。
本発明の架橋材料又はポリマー材料は特に被覆又は薄膜として特に適切である。それというのも、これらは熱及び機械的に安定であり、かつ比較的に欠陥が無いからである。
薄膜を製造するための適切な方法は、例えば、真空電着、スピンコーティング、キャスティング法、ラングミュア−ブロジェット（"ＬＢ"）法、インクジェット印刷法、ディップコーティング、活版印刷、スクリーン印刷、ドクターブレード印刷、ローラー印刷、リバースローラー印刷、オフセットリトグラフィー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、ブラッシュコーティンング又はパッド印刷及びそのようなものである。記載した方法の中でも、有利には真空蒸着、スピンコーティング、インクジェット印刷法及びキャスティング法が挙げられる。それというのも、これらが特に簡潔でかつ廉価に実施できるからである。
個々の成分層、特に発光層は、本発明の化合物及び／又は材料及び場合により更なる成分の混合物から形成できる。本発明の非共役ポリマーは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤs）において、特にリン光化合物（三重項発光体）のマトリックス材料及び／又は電子伝導体として有用である。
層がスピンコーティング法、キャスティング法又はインクジェット印刷法により得られる場合には、０．０００１〜９０質量％の濃度の組成物を適切な有機溶剤、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトン、アセトニトリル、アニソール、ジクロロメタン、ジメチルスルホキシド及びこれらの混合物のような適切な有機溶剤中に溶かすことにより得られる溶液を用いて被覆が得られる。
本発明により使用されるモノマー、ポリマー又は架橋した形の式（Ｉ）の本発明の化合物は、ホスト、ブロッカー及び／又は電荷輸送材料として、有利には電子輸送材料として、有利にはスイッチ部材、例えば、有機トランジスター、例えば、有機ＦＥＴｓ及び有機ＴＦＴｓ、有機太陽電池及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤs）から選択される有機エレクトロニクス用途において使用することができ、有利には式（Ｉ）の化合物のＯＬＥＤｓにおける使用が挙げられる。
従って、本発明は有利には電子輸送材料の本発明による使用にも関する。
更に本発明は、有機エレクトロニクス用途、有利にはＯＬＥＤsにおける式（Ｉ）の化合物の本発明による使用を提供する。
式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は、これらがジベンゾフラン又はジベンゾチオフェン基本骨格上の窒素により結合した少なくとも１つの５員環の複素環を有する点において注目に値する。これらの特定の化合物は、特にこれらが良好な効率、良好な運転寿命及び熱応力に対する高い安定性ならびに有機エレクトロニクス用途、特にＯＬＥＤｓの低い使用電圧及び動作電圧を確実にする点において注目に値する。
式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は、有機エレクトロニクス用途、特にＯＬＥＤｓにおいて、有利にはホスト材料及び／又は正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料及び／又は電子伝導体材料として使用できる。
式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料の輸送特性及び三重項レベルの位置により、ひいては励起子ブロッカー特性により、これらの化合物を正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料として使用することもできる。優れた電子伝導体容量を有する式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は、特にＯＬＥＤのカソード側で使用できる。
有機エレクトロニクス用途の適切な構造は当業者に公知であり、かつ一般式（III）の本発明の化合物に関して以下に詳細に記載されている。
本発明は、一般式（III）：
Figure 2013538440
 ［式中、
ＸはＳ又はＯであり；
Ｒ2は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）2Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12であり；
Ｒ3、Ｒ4は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり、
又は
Ｒ3とＲ4は、窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に互いに縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基及びドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい；
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり、
Ｒ13、Ｒ14は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）2Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12であり；
ｍは０、１、２又は３であり、
ｐは、１又は２であり、ここでｍ＋ｐは≦４であり、
ｑは、０、１、２、３又は４であり、
ｒは、０、１、２、３又は４であり、
ｓは、１、２、３又は４であり、
Ｃは、一般式（II）
Figure 2013538440
 （式中、
Ａ1は、互いに独立にＣＲa、Ｎ又はＮＲbであり、
Ａ2は、互いに独立にＣＲc、Ｎ又はＮＲdであり、
Ａ3は、互いに独立にＣＲe、Ｎ又はＮＲfであり、
Ａ4は、互いに独立にＣＲg、Ｎ又はＮＲhであり、
Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhは、互いに独立に水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり；又は
（Ｒa又はＲb）と（Ｒc又はＲd）、又は
（Ｒe又はＲf）と（Ｒg又はＲh）、及び／又は
（Ｒc又はＲd）と（Ｒe又はＲf）は、炭素原子又は窒素原子と一緒に、３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい）
の５員環の飽和又は不飽和の複素環式基である］
の化合物（その際、Ｃ基は２位及び／又は４位で結合する、又は前記の一般式（III）の２個のユニットは、場合により少なくとも１つのヘテロ原子により又はＯを介して中断されている１つの結合、線状又は分枝状の、飽和又は不飽和の橋かけ部により互いに橋かけられ、その際、一般式（III）中のこの架橋はＲa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒh、Ｒ13、Ｒ14の代わりに、又はＲ2を介して及び／又はＲ2の代わりに結合する）にも関する。
残基又は基Ｘ、Ｒ2、Ｃに関して、従って一般式（III）の化合物中Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、ｍ、ｐ、ｓ、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4又は一般式（III）の２つのユニットの間に存在する架橋、相応するポリマー化合物又は架橋化合物ならびに相応する有利な実施態様に関しては、本発明で使用される一般式（Ｉ）の化合物で記載した内容が当てはまる。
一般式（III）の本発明の化合物は、少なくとも１つのカルバゾリル置換基と、更なる置換基として窒素原子により結合した少なくとも１つの５員環複素環との特定の組合せが注目に値する。一般式（III）の化合物のこの発明の特徴により、これらの化合物は、有機エレクトトニックス、例えばＯＬＥＤsにおいて特に有利に使用できる。
１実施態様では、式（III）の化合物中の残基Ｃは以下のように定義される：
Ｃは、一般式（II）
Figure 2013538440
 ［式中、
Ａ1は、互いに独立にＣＲa、Ｎ又はＮＲbであり、
Ａ2は、互いに独立にＣＲc、Ｎ又はＮＲdであり、
Ａ3は、互いに独立にＣＲe、Ｎ又はＮＲfであり、
Ａ4は、互いに独立にＣＲg、Ｎ又はＮＲhであり、
Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhは、互いに独立に水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基である］
の５員環の飽和又は不飽和の複素環式基である。
式（III）中の有利な残基Ｃは以下に記載してある。
一般式（III）の本発明の化合物では、一般式（IV）の少なくとも１つのカルバゾリル置換基
Figure 2013538440
 が存在し、有利には８位で結合する。
従って、本発明はより有利には一般式（III）の発明の化合物に関し、その際、カルバゾリル置換基（IV）
Figure 2013538440
 は、ジベンゾフラン又はジベンゾチオフェン基本骨格の８位で結合して存在する。
一般式（III）の化合物では、ｍは０、１、２又は３であり、ｐは１又は２であり、ｑは０、１、２、３又は４であり、ｒは、０、１、２、３又は４であり、かつｓは１、２、３又は４である。
有利な実施態様では、一般式（III）中、ｓは１又は２であり、より有利には１である。
更に有利な実施態様では、一般式（III）中、ｑは０又は１であり、より有利には０である。
更に有利な実施態様では、一般式（III）中、ｒは０又は１であり、より有利には０である。
更に有利な実施態様では、一般式（III）中、ｓは１、ｐは１及びｍは０である。
一般式（III）の化合物で生じるＲ13とＲ14残基ならびに相応する有利な実施態様に関して、本発明により使用される一般式（Ｉ）の化合物で記載した内容が当てはまる。
一般式（III）の本発明の化合物では、一般式（II）
Figure 2013538440
 （式中、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4、Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg及びＲhは上記の定義を有する）
の少なくとも１つの５員環の飽和又は不飽和複素環Ｃ残基が存在する。
本発明によれば、残基（II）は飽和又は不飽和である。飽和Ｃ残基の場合には、５員環中で２つの窒素の間で生じる全ての結合は、ＮＲb、ＮＲd、ＮＲf及びＮＲhである。
一般式（II）において不飽和Ｃ残基の場合には、５員環中のＮ、Ａ1、Ａ2、Ａ3及び／又はＡ４の間で生じる結合は、単結合又は二重結合に相応していてもよい。従って、少なくとも１つの二重結合を有するＣ残基は、不飽和であるか又は芳香族の特性を有する。当業者は、一般式（II）が本発明による可能性としてあり得る全ての残基を記載していること、すなわち点線の単結合しか表示されていなくても飽和、不飽和及び芳香族残基が記載されていることを認識している。当業者には、一般式（II）中、どの結合が単結合であるか又は二重結合であるのか、かつ一般式（II）の飽和又は部分的に飽和残基の場合には、Ａ1、Ａ2、Ａ3及び／又はＡ4に応じて更なる水素原子が場合により存在することが公知である。部分的に不飽和又は芳香族Ｃ残基の場合には、Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg残基が、Ａ1、Ａ2、Ａ3及び／又はＡ4上の相応する位置に存在しない。本発明の化合物では"Ｒa又はＲb"の形式が選択される。なぜならば、本発明の化合物ではＡ1、Ａ2等のどの定義なのかにより例えばＲa又はＲb等のどちらかが存在するからである。
Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg及びＲhは互いに独立に水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基である。記載され、かつ有利な実施態様での残基の定義に関しては、上記の記載内容が当てはまる。最も有利には、Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg及びＲhは互いに独立に水素、アルキル又はアリールである。Ｒa、Ｒc、Ｒe及びＲgは特に有利には互いに独立に水素、アルキル又はアリールである。Ｒb、Ｒd、Ｒf及びＲhは特に有利には互いに独立にアルキル又はアリールであり、これは環中にＮＨが存在しないことを意味する。
本発明の有利な実施態様では、Ａ1はＣＲa又はＮ、Ａ2はＣＲc又はＮ、Ａ3はＣＲe又はＮ、及びＡ4はＣＲg又はＮである。有利な実施態様ではＲb、Ｒd、Ｒf及びＲh残基が存在しない。
一般式（II）は、有利には以下の式（IIa）
Figure 2013538440
 又はＡ1、Ａ2、Ａ3及びＡ4の相応する上記の定義を有するその異性体式に相応し、特に式（IIa）中、Ａ1はＣＲa又はＮ、Ａ2はＣＲc又はＮ、Ａ3はＣＲe又はＮ、及びＡ4はＣＲg又はＮである。
有利な１実施態様では本発明は、Ｃ基が次のもの：
Figure 2013538440
 である一般式（III）の本発明の化合物に関する。
更に有利な実施態様では、本発明は、Ｃが次のもの：
Figure 2013538440
 である一般式（III）の本発明の化合物に関する。
更に有利な実施態様では、本発明は、Ｃが次のもの：
Figure 2013538440
 である一般式（I）の本発明の化合物に関する。
更に有利な実施態様では、本発明は、Ｒa、Ｒc、Ｒe及びＲgの少なくとも１つがアリール、有利には場合により置換されているフェニルである一般式（III）の本発明の化合物に関する。
本発明の有利な実施態様では、ＲaとＲc、又はＲeとＲg及び／又は（有利には又は）ＲcとＲeは、炭素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される置換基により置換されてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合していてもよく、その際、縮合された基は、非置換であるか又は、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい。
特に有利な１実施態様では、ＲaとＲc、又はＲeとＲg及び／又は（有利には又は）ＲcとＲeは、炭素原子と一緒に５、６又は７個の環原子を有し、かつ非置換であるか又は、アルキル基、例えばメチル及び／又はアリール基、例えばフェニルにより置換されていてもよい環式基を形成する。
ＲaとＲc、又はＲeとＲg及び／又は（有利には又は）ＲcとＲe残基が上記の縮合環を形成するこの実施態様では、残りの、すなわち縮合していないＲa、Ｒc、ＲeとＲg残基は有利にはアリール、より有利にはフェニル又は置換フェニルである。
（ＲaとＲc）又は（ＲeとＲg）又は（ＲcとＲe）が有利には相応する上記縮合環を形成することにより、本発明により特に有利には、１つだけの縮合環が一般式（II）のＣ残基中に存在することになる。
本発明の更なる実施態様では、一般式（III）の２つのユニットは１つの結合、すなわち場合により少なくとも１つのヘテロ原子により又はＯを介して中断されているＣ−Ｃ結合、Ｃ−Ｎ結合、線状又は分枝状、飽和又は不飽和橋かけ部により互いに橋かけられ、その際、一般式（III）中の前記架橋は、Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhの代わりに、又はＲ1又はＲ2を介して及び／又はＲ1又はＲ2の代わりに結合する。
架橋は有利には、次の結合、
Figure 2013538440
 から選択される。架橋は最も有利には１つの結合又は−１，３−フェニル−である。
本発明の架橋化合物は、最も有利には以下の一般式（III）又は（IIIb）に相応する：
Figure 2013538440
 （式中、Ｒ2、Ｒ13、Ｒ14、Ｘ、Ｃ、ｍ、ｐ、ｓ、ｒ及びｑは上記に定義した通りである）。有利には、この実施態様ではｍ、ｑ及びｒはそれぞれ０であり、かつｐとｓはそれぞれ１である。
従って極めて有利な実施態様では、本発明は次のグループ：
Figure 2013538440
 （式中、ＸはＳ又はＯである）
から選択される一般式（III）の化合物に関する。
また本発明は、式（III）の本発明の化合物の製法にも関し、その際、少なくとも１つのカルバゾリル残基（IV）
Figure 2013538440
 は、場合により置換された５員環窒素ヘテロ環Ｃであり、かつ場合によりＲ2残基は以下の変法ａ）又はｂ）：
変法ａ）
iａ）カルバゾリル残基（IV）、及び場合によりＲ2残基及びＣ残基を導入するために適切な前駆体化合物の製造、
iiａ）カルバゾリル残基（IV）の導入、
iiiａ）Ｃ残基、又はその前駆体の導入、及び存在する場合には、Ｒ2残基の導入、
iva）適切な場合には、Ｃの前駆体のＣ残基への変換、
又は
変法ｂ）
iｂ）カルバゾリル残基（IV）、及び場合によりＲ2残基及びＣ残基を導入するために適切な前駆体化合物の製造、
iiｂ）Ｃ残基、又はその前駆体の導入、
iiiｂ）カルバゾリル残基（IV）の導入、及び存在する場合にはＲ2残基の導入、
ivｂ）適切な場合には、Ｃの前駆体のＣ残基への変換
のうち１つにより式（V）
Figure 2013538440
 （式中、ＸはＳ又はＯである）
の基本骨格に導入される。
カルバゾリル残基（IV）及びＣ残基を導入するために適切な前駆体化合物は、特に相応してハロゲン化、有利には臭素化された一般式（V*）：
Figure 2013538440
 ［式中、
Ｈａｌは、ハロゲン、有利には臭素又はヨウ素、より有利には臭素であり、ｍ、ｐ及びｓは、それぞれ式（III）に定義した通りであり、かつＸはＳ又はＯである］
の化合物である。
ハロゲン化は、当業者に公知の方法により行うことができる。有利には、２位、４位及び８位での、又は２位及び８位での、又は４位及び８位での臭素化又はヨウ素化が挙げられる。
場合により置換されたジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンは氷酢酸又はクロロホルム中、臭素又はＮＢＳで２位、８位（ジベンゾフラン及びジベンゾチオフェン）を二臭素化することができる。適切な方法は、例えば、Ｘ＝Ｓに関してはＷ．Ｙａｎｇ等、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．２００３，１３，１３５１に記載されている。更に、２，８−ジブロモジベンゾチオフェン、２，８−ジブロモジベンゾフラン、３−ブロモジベンゾチオフェン、３−ブロモジベンゾフラン、２−ブロモジベンゾチオフェン及び２−ブロモジベンゾフランが市販されている。
ジベンゾフランの４位でのモノブロモ化（及びジベンゾチオフェンに関しても同じである）は、例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９８４，１０６，７１５０に記載されている。
ジベンゾフラン又はジベンゾチオフェンの２位でのモノブロモ化は、ジブロモ化と同じように行われるが、但し、１当量だけのホウ素又はＮＢＳが加えられることを除く。
有利には、ヨウ素化ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンの使用も挙げられる。混合した（１度ヨウ素化された及び１度ホウ素化された）化合物を使用することもできる。
特に、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．２００６，４７，６９５７〜６９６０，Ｅｕｒ．Ｊ．Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００５，２４，４９７６〜４９８４、Ｊ Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍ．２００２，３９，９３３〜９４１、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００２，１２４，１１９００〜１１９０７、Ｊ．Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍ．２００１，３８，７７〜８７にも調整法は記載されている。
求核置換に関して、Ｃｌ置換又はＦ置換されたジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン及びカルバゾールも必要である。塩素化は、特にＪ．Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９７，３４，８９１〜９００，Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００４，６，３５０１〜３５０４；Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．［Ｓｅｃｔｉｏｎ］Ｃ：Ｏｒｇａｎｉｃ，１９７１，１６，２７７５〜７、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．１９８４，２５，５３６３〜６、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００４，６９，８１７７〜８１８２に記載されている。フッ素化は、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９８，６３，８７８〜８８０及びＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．２ ２００２，５，９５３〜９５７に記載されている。
工程iia）又はiiib）：
カルバゾリル残基（IV）は、当業者に公知の方法により導入することができる。
（IV）残基は、有利には式（V*）の基本骨格又は式（V*）の化合物と、式（IV）の残基（IV）の反応により導入され、ここでカルバゾールはＮ−Ｈ前駆体として存在する。
（IV）残基の導入は、一般に塩基の存在で行われる。適切な塩基は当業者に公知であり、かつ有利にはアルカリ金属及びアルカリ土類金属水酸化物、例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｃａ（ＯＨ）2、アルカリ金属水素化物、例えば、ＮａＨ、ＫＨ、アルカリ金属アミド、例えば、ＮａＮＨ2、アルカリ金属又はアルカリ土類金属カーボネート、例えば、Ｋ2ＣＯ3又はＣｓ2ＣＯ3、及びアルカリ金属アルコキシド、例えば、ＮａＯＭｅ、ＮａＯＥｔから成るグループから選択される。更に、前記塩基の混合物も適切である。特に有利には、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＮａＨ又はＫ2ＣＯ3が挙げられる。
Ｎ−アルキル化（例えば、Ｍ．Ｔｏｓａ等、Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌ．Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ、第７巻、Ｎｏ．３，２００１，ｐ．２７７〜２８２に開示されている）又はＮ−アリール化又はＮ−ヘテロアリール化（例えば、Ｈ．Ｇｉｌｍａｎ ａｎｄ Ｄ．Ａ．Ｓｈｉｒｌｅｙ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．６６（１９４４）８８８；Ｄ．Ｌｉ等、Ｄｙｅｓ ａｎｄ Ｐｉｇｍｅｎｔｓ ４９（２００１）１８１〜１８６に開示されているＮ−アリール化）は、有利には溶剤中で実施される。適切な溶剤は、例えば極性非プロトン性溶剤、例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド又はアルコールである。過剰のアルキルハロゲン化物又は（ヘテロ）アリールハロゲン化物を溶剤として使用することもできる。更に相間移動触媒、例えば、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム硫化水素が存在する場合には、反応を非極性プロトン溶剤中、例えば、トルエン中で行うことができる（例えば、Ｉ．Ｇｏｚｌａｎ等、Ｊ．Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌ．Ｃｈｅｍ．２１（１９８４）６１３〜６１４頁に開示されている）。
式（V*）の化合物：式（IV）−Ｈの化合物のモル比は、一般に１：１〜１：１５、有利には１：１〜１：６、より有利には１：４である。
Ｎ−アルキル化又はＮ−（ヘテロ）アリール化は、一般に０〜２２０℃、有利には２０〜２００℃の温度で行われる。反応時間は、一般に０．５〜４８時間、有利には１〜２４時間である。一般に、Ｎ−アルキル化又はＮ−アリール化は常圧で行われる。
結果として得られる粗生成物は当業者に公知の方法により処理される。
工程iiia）又はiiｂ）
Ｃ残基の導入は、（IV）残基の導入で記載した方法により行うことができる。一般に、Ｃ残基の導入は塩基の存在で行われる。適切な塩基は当業者に公知であり、かつ有利にはアルカリ金属及びアルカリ土類金属水酸化物、例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｃａ（ＯＨ）2、アルカリ金属水素化物、例えば、ＮａＨ、ＫＨ、アルカリ金属アミド、例えば、ＮａＮＨ2、アルカリ金属又はアルカリ土類金属カーボネート、例えば、Ｋ2ＣＯ3又はＣｓ2ＣＯ3及びアルカリ金属アルコキシド、例えば、ＮａＯＭｅ、ＮａＯＥｔから成るグループから選択される。更に、前記塩基の混合物も適切である。特に有利には、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＮａＨ又はＫ2ＣＯ3が挙げられる。
ヘテロアリール化は、例えば、Ｃ残基の式（V*）のハロゲン化化合物への銅触媒カップリングにより行うことができる（ウルマン反応）。
Ｎ−アリール化は、例えば、Ｈ．Ｇｉｌｍａｎ ａｎｄ Ｄ．Ａ．Ｓｈｉｒｌｅｙ Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．６６（１９４４）８８８；Ｄ．Ｌｉ等、Ｄｙｅｓ ａｎｄ Ｐｉｇｍｅｎｔｓ ４９（２００１）１８１〜１８６頁に開示されている。反応は、溶剤又は溶融物中で行うことができる。適切な溶剤は、例えば（極性）非プロトン性溶剤、例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ＮＭＰ、トリデカン又はアルコールである。同様に使用される出発材料（式Ｖ*の化合物又はＣ基の前駆体化合物）のうち１つの過剰を溶剤として使用することができる。
有利には、ＤＭＦ中のＮａＨの存在で、式（V*）の化合物を変換すること（求核置換）によるか、又はＣｕ／塩基（上記Ｕｌｌｍａｎｎ参照）又はＰｄ触媒条件下での反応によるＣ残基の前駆体の導入を挙げることができる。
Ｃ残基は、複素環の形成に関して当業者に公知の方法により得ることができる。使用されるＣ残基の前駆体を当業者に公知の方法により、例えば、ＰｄカップリングによるＣ２−アリール化により相応のＣ残基に変換することができる。
Ｎ−アルキル化又はＮ−（ヘテロ）アリール化は、一般に０〜２２０℃、有利には２０〜２００℃の温度で行われる。反応時間は、一般に０．５〜７６時間、有利には１〜４８時間である。
結果として得られる粗生成物は当業者に公知の方法により処理される。
本発明によれば、工程iiia）又はiib)では、Ｃ残基の全体ではなく、Ｃ残基の前駆体化合物が導入される。本発明による方法のこの実施態様では、Ｃ残基の前駆体化合物は工程iva）又はivb）で完全にＣ残基に変換される。
本発明による方法の工程iiia）又はiib)では、存在する場合には、Ｒ2、Ｒ13及び／又はＲ14残基を導入することができる。このことは本発明により工程iia）又はiib）で完了することができる。
本発明は一般式（III）のユニット又は本発明による一般式（Ｉ）の化合物を有する架橋材料又は重合材料にも関する。
本発明により使用される式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の本発明の化合物又は本発明の架橋材料もしくは重合材料は、スイッチ部材、例えば有機トランジスター、例えば有機ＦＥＴｓならびに有機ＴＥＴｓ、有機太陽電池及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤs）から選択される有機エレクトロニクス用途で使用でき、有利にはＯＬＥＤsにおける式（III）又は（Ｉ）の化合物の使用が挙げられる。
従って本発明は更に有機エレクトロニクス用途、有利にはＯＬＥＤsにおける式（III）の化合物又は一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料の使用を提供する。
本発明は、有機エレクトロニクスにける液体処理用途のための調製物における式（III）の化合物又は本発明による一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料の使用にも関する。
式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は、これらがジベンゾフラン又はジベンゾチオフェン基本骨格上の窒素により結合した少なくとも１つのカルバゾール置換基及び少なくとも１つの５員環複素環を有する点において注目に値する。これらの特定の化合物は、これらが有機エレクトロニクス用途、特にＯＬＥＤsにおいて良好な効率、優れた運転寿命及び熱応力に対する高い安定性ならびに低い使用電圧及び動作電圧を確実にする点において特に注目に値する。
式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は、有機エレクトロニクス用途、特にＯＬＥＤsにおいてマトリックス材料及び／又は正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料及び／又は正孔注入材料及び／又は電子注入材料及び／又は正孔伝導体材料及び／又は電子伝導体材料として、有利にはマトリックス材料及び／又は正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子伝導体材料として使用できる。より有利には、式（III）の本発明の化合物、又は一般式（Ｉ）の化合物は、有機エレクトロニクス用途、特にＯＬＥＤsにおいてマトリックス及び／又は正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子伝導体材料として、最も有利には電子伝導体材料として使用できる。
電子伝導体材料及び／又はマトリックス材料としての式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料のうち１つと、発光体材料を組み合わせて使用することは、式（III）の化合物又は一般式（Ｉ）の化合物を有するマトリックス材料を含まないＯＬＥＤｓと比べて、ＯＬＥＤsにおいて一定の輝度で改善された効率値、及び電圧の減少を生じる。電圧の減少は、ＯＬＥＤにおける電荷キャリア、例えば電子の良好な伝導性に起因する。
発光層又はＯＬＥＤの発光層のうちの１つにおいて、発光体材料と、式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物のマトリックス材料、又は本発明の架橋材料又は重合材料ならびに、例えば良好な正孔伝導能を有する更なるマトリックス材料を組み合わせることもできる。これは、この発光層の高い量子効率を達成する。
式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料の輸送特性及び三重項レベルの位置により、ひいては励起子ブロッカー特性により、これらの化合物を正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子／又は励起子ブロッカー材料として使用することもできる。式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は良好な電子伝導体容量を有し、かつ特にＯＬＥＤのカソード側において電子伝導体材料として使用できる。
式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料が発光層においてマトリックス材料として、ならびに更に正孔／励起子ブロッカー材料として及び／又は電子／励起子ブロッカー材料として使用される場合には、材料の化学的同一性又は類似性により発光層及び隣接する正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料の間で改善された界面が達成され、これは一定の輝度での電圧の減少ならびにＯＬＥＤの寿命の延長につながる。更に、正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料及び発光層のマトリックスに同じ材料を使用することは、ＯＬＥＤの製法の簡素化を可能にする。それというのも、同じ原料を、式（III）の化合物の少なくとも１つ、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明により架橋又は重合した材料を有している材料の設置に使用できるからである。
有機エレクトロニクス用途の適切な構造は、当業者に公知でありかつ以下に記載されている。
一般に有機トランジスターは、正孔輸送容量及び／又は電子輸送容量を有する有機層から形成される半導体層；伝導層から形成されるゲート電極；及び半導体層と伝導層の間に挿入される絶縁層を含む。ソース電極とその中の電極は、トランジスター部材を生産するためにこの配置で設置されている。更に、当業者に公知の更なる層が有機トランジスター中に存在していてもよい。式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は有機トランジスターの所望の層の中に存在していてもよい。
有機太陽電池（光電変換部材）は一般に、平行して配置されている２つのプレートタイプ電極の間に存在する有機層を有する。有機層は櫛形タイプの電極で配置されていてもよい。有機層の箇所に関する特定の制限は無く、かつ電極の材料に関する特定の制限も無い。しかし、平行して配置されているプレートタイプの電極が使用される場合には、少なくとも１つの電極は有利には透明電極、例えば、ＩＴＯ電極又はフッ素ドープされた酸化スズ電極から成る。有機層は、２つのサブレイヤーから、すなわちｐ−タイプの半導体特性もしくは正孔輸送容量を有する層、及びｎ−タイプの半導体特性を有するか又は電子輸送容量を有する層から成る。更に、当業者に公知の更なる層が有機太陽電池中に存在していることもできる。式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は有機太陽電池の所望の層の中に、有利には電子伝導体材料として存在していてもよい。
更なる実施態様では、本発明は有機発光ダイオードに関し、これは式（III）の少なくとも１つの化合物、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料を、より有利には電子伝導体材料として有する。式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は、有機発光ダイオードにおいてマトリックス材料及び／又は正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料及び／又は正孔注入材料及び／又は電子注入材料及び／又は正孔伝導体材料及び／又は電子伝導体材料として、有利には有機エレクトロニクス用途において、特にＯＬＥＤsにおいて、マトリックス材料及び／又は正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子伝導体材料として、より有利には電子伝導体材料として使用できる。
本発明の有利な実施態様では、一般式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は、例えば、正孔伝導層又は有利には電子伝導層中で、他の正孔伝導体又は電子伝導体と一緒に混合物の形で使用される。
更なる正孔伝導体又は電子伝導体として、当業者に公知の材料、特に以下に記載する正孔伝導体又は電子伝導体を一般に使用できる。
更なる実施態様では、本発明は式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料が有利には正孔の遮断層中で、又は発光層中で正孔／励起子ブロッカーとして、有利にはマトリックス材料として使用される有機発光ダイオードに関する。
同様に、式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は、発光層（有利にはマトリックス材料又は電子伝導体材料として）及び正孔の遮断層（正孔／励起子ブロッカーとして）の両方に存在することができる。
特に有利な実施態様では、本発明は全ての層、すなわち正孔伝導体、電子ブロッカー、マトリックス、正孔ブロッカー及び電子伝導体が、式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明により架橋又は重合した材料を有する、有利にはこれらから成るＯＬＥＤに関し、その際、発光層は更に発光体を有する。
更に、本発明はアノードＡｎとカソードＫａならびにアノードＡｎとカソードＫａの間に配置された少なくとも１つの発光層Ｅ、および場合により正孔／励起子の少なくとも１つの遮断層、電子／励起子の少なくとも１つの遮断層、少なくとも１つの正孔注入層、少なくとも１つの正孔伝導体層、少なくとも１つの電子注入層及び少なくとも１つの電子伝導体層のグループから選択される少なくとも１つの更なる層を有する有機発光ダイオードを提供し、その際、少なくとも１つの式（III）又は式（Ｉ）の化合物は、電子伝導体層及び／又は発光層Ｅ及び／又は少なくとも１つの更なる層の中に存在する。
本発明は有利には本発明の有機発光ダイオードに関し、その際、式（III）の少なくとも１つの本発明の化合物又は一般式（Ｉ）の本発明の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は、電子伝導体層及び／又は発光層及び／又は正孔／励起子の少なくとも１つの遮断層中に存在する。
本発明の用途は、更に式（III）の少なくとも１つの化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料を有する発光層を提供する。
本発明は更に本発明の発光層を有するＯＬＥＤを提供する。
本発明は更に、式（III）の少なくとも１つの化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料を有する正孔／励起子の遮断層に関する。
また本発明は、式（III）の少なくとも１つの本発明の化合物、一般式（Ｉ）の本発明の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料を有する電子伝導層にも関する。
本発明のＯＬＥＤの構造
本発明の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は一般に以下の構造を有する：
アノード（Ａｎ）及びカソード（Ｋａ）ならびにアノード（Ａｎ）とカソード（Ｋａ）の間に配置されている発光層Ｅ。
本発明のＯＬＥＤは、例えば有利な実施態様では以下の層から構成されていてもよい：
１．アノード
２．正孔伝導体層
３．発光層
４．正孔／励起子の遮断層
５．電子伝導体層
６．カソード。
上記構造とは異なる層の配列も可能であり、かつこれは当業者に公知である。例えば、ＯＬＥＤは上記の層の全てを有さないこともできる；例えば、層（１）（アノード）、（３）（発光層）及び（６）（カソード）を有するＯＬＥＤも同様に適切であり、この場合に層（２）（正孔伝導層）及び（４）（正孔／励起子の遮断層）及び（５）（電子伝導体層）の機能は隣接する層により引き継がれる。層（１）、（２）、（３）及び（６）、又は層（１）、（３）、（４）、（５）及び（６）を有するＯＬＥＤsも同様に適切である。更に、ＯＬＥＤsはアノード（１）と正孔伝導体層（２）の間に正孔／励起子の遮断層を有してもよい。
前記機能（電子／励起子ブロッカー、正孔／励起子ブロッカー、正孔注入、正孔伝導、電子注入、電子伝導）の複数を１つの層の中で組み合わせることもでき、かつ例えば、この層の中に存在する単一の材料により引き継がれる。例えば、正孔伝導体層中で使用される材料は、１実施態様では同時に励起子及び／又は電子をブロックしてもよい。
更に、上記の中のＯＬＥＤの個々の層は２種以上の層から形成されていてもよい。例えば、正孔伝導体層は、その中に電極から正孔が注入される層、及び正孔注入層から離れた発光層へ正孔を移動する層から構成されていてもよい。電子輸送層は同様に複数の層、例えば、その中で電子が電極により注入される層、及び電子注入層から電子を受け取り、かつこれらを発光層に移動する層から成っていてもよい。これらの記載した層は、それぞれ有機層又は金属電極を有する記載した層のエネルギーレベル、耐熱性及び電荷キャリア輸送度ならびにエネルギー差のようなファクターに応じて選択される。当業者は、これが本発明により発光材料として使用される有機化合物に最適に適合するようにＯＬＥＤｓの構造を選択することができる。
特に効率的なＯＬＥＤｓを得るために、例えば、正孔伝導体層のＨＯＭＯ（最高占有分子軌道）は、アノードの仕事関数と適合すべきであり、電子伝導体層のＬＵＭＯ（最低非占有分子軌道）は、カソードの仕事関数と適合すべきである。
アノード（１）はプラスの電荷キャリアを提供する電極である。これは例えば１つの金属、種々の金属の混合物、金属合金、１つの金属酸化物又は種々の金属酸化物の混合物を有する材料から形成されていてもよい。二者択一的に、アノードは伝導性ポリマーであってもよい。適切な金属は、主要元素、遷移金属及びランタノイドの金属及び金属合金、特に元素周期表のＩｂ、ＩＶａ、Ｖａ及びＶＩａ族、及びＶＩＩＩａ族の遷移金属の金属を有する。アノードが透過性であるべき場合に、一般に元素周期表（旧ＩＵＰＡＣ版）のＩＩｂ、ＩＩＩｂ及びＩＶｂ族の金属酸化物、例えば、インジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）が使用される。同様に、アノード（１）は有機材料、例えば、Ｎａｔｕｒｅ、第３５７巻、４７７〜４７９頁（１９９２年、６月１１日）に記載されているようにポリアニリンを有していることもできる。少なくともアノード又はカソードのどちらかは、形成された光を放出できるようにするために少なくとも部分的に透過性であるべきである。アノード（１）に使用される材料は有利にはＩＴＯである。
本発明によるＯＬＥＤｓの層（２）に適切な正孔伝導体材料は、例えばＫｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、第４版、１８巻、８３７〜８６０頁（１９９６）中に開示されている。正孔輸送分子もポリマーも、正孔輸送材料として使用することができる。通常使用される正孔輸送分子は、次のグループから選択される：トリス−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（フェニルアミノ）］トリフェニルアミン（１−ｎａｐｈ ＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル）］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲ又はＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＴＤＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（β−ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニレン）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチルフルオレン（ＤＭＦＬ−ＴＰＤ）、ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチルフルオレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−２，２−ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（ＰＰＤＮ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）ベンジジン（ＭｅＯ−ＴＰＤ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシフェニル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＴＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＰＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，４−ジアミン（β−ＮＰＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビスフェニル−９，９−ジフェニルフルオレン（ＤＰＦＬ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビスフェニル−９，９−ジフェニルフルオレン（ＤＰＦＬ−ＮＰＢ）、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン（スピロ−ＴＡＤ）、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＢＰＡＰＦ）、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス（ナフタレン−２−イル）アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＮＰＡＰＦ）、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビスフェニルアミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＮＰＢＡＰＦ）、２，２’，７，７’−テトラキス［Ｎ−ナフタレニル（フェニル）アミノ］−９，９’−スピロビフルオレン（スピロ−２ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（フェナントレン−９−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（ＰＡＰＢ）、２，７−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−５）、２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−スピロ−ＤＢＰ）、２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ］−９，９−スピロビフルオレン（スピロ−ＢＰＡ）、２，２’，７，７’−テトラ（Ｎ，Ｎ−ジトリル）アミノスピロビフルオレン（スピロ−ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラナフタレン−２−イルベンジジン（ＴＮＢ）、ポルフィリン化合物、及びフタロシアニン、例えば、銅フタロシアニン及び酸化チタンフタロシアニン。
通常使用される正孔輸送ポリマーは、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン及びポリアニリンから成るグループから選択される。同様に、正孔輸送分子をポリマー、例えば、ポリスチレン及びポリカーボネートにドーピングすることにより正孔輸送ポリマーを得ることができる。適切な正孔輸送分子は既に先に記載した分子である。
更に、１実施態様ではカルベン錯体を正孔伝導体材料として使用することができ、この場合に、少なくとも１つの正孔伝導体材料のバンドギャップは、使用される発光体材料のバンドギャップよりも通常は大きい。本発明に関連して"バンドギャップ"とは、三重項エネルギーを意味すると解釈すべきである。適切なカルベン錯体は、例えば、ＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２、ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２、ＷＯ２００５／１１３７０４、ＷＯ２００７／１１５９７０、ＷＯ２００７／１１５９８１及びＷＯ２００８／０００７２７に記載されている。適切なカルベン錯体の１例は、式：
Figure 2013538440
 を有するＩｒ（ｄｐｂｉｃ）3であり、これは例えば、ＷＯ２００５／０１９３７３に開示されている。原則として、正孔伝導体層は式（III）の少なくとも１つの化合物又は一般式（Ｉ）の化合物を正孔伝導材料として有する。
発光層（３）は、少なくとも１つの発光体材料を有する。これは原則的に蛍光又はリン光発光体であり、適切な発光体材料は当業者に公知である。少なくとも１つの発光体材料は、有利にはリン光発光体である。有利に使用されるリン光発光体化合物は、金属錯体をベースにし、かつ特に金属Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ及びＰｔの錯体、特にＩｒの錯体が著しく得られる。式（III）の化合物又は一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は発光層中でマトリックスとして使用できる。
本発明のＯＬＥＤｓで使用するために適切な金属錯体は、例えば、以下の文献に記載されている：ＷＯ０２／６０９１０Ａ１、ＵＳ２００１／００１５４３２Ａ１、ＵＳ２００１／００１９７８２Ａ１、ＵＳ２００２／００５５０１４Ａ１、ＵＳ２００２／００２４２９３Ａ１、ＵＳ２００２／００４８６８９Ａ１、ＥＰ１１９１６１２Ａ２、ＥＰ１１９１６１３Ａ２、ＥＰ１２１１２５７Ａ２、ＵＳ２００２／００９４４５３Ａ１、ＷＯ０２／０２７１４Ａ２、ＷＯ００／７０６５５Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２Ａ１、ＷＯ０２／１５６４５Ａ１、ＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２、ＷＯ２００５／１１３７０４Ａ２、ＷＯ２００６／１１５３０１Ａ１、ＷＯ２００６／０６７０７４Ａ１、ＷＯ２００６／０５６４１８、ＷＯ２００６１２１８１１Ａ１、ＷＯ２００７／０９５１１８Ａ２、ＷＯ２００７／１１５９７０、ＷＯ２００７／１１５９８１及びＷＯ２００８／０００７２７。
更に適切な金属錯体は、市販されている金属錯体であるトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）、イリジウム（III）トリス（２−（４−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ2’）、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（III）、イリジウム（III）トリス（１−フェニルイソキノリン）、イリジウム（III）ビス（２，２’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ3’）（アセチルアセトネート）、トリス（２−フェニルキノリン）イリジウム（III）、イリジウム（III）ビス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ2）ピコリネート、イリジウム（III）ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）、ビス（２−フェニルキノリン）（アセチルアセトナト）イリジウム（III）、イリジウム（III）ビス（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）、イリジウム（III）ビス（２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）及びトリス（３−メチル−１−フェニル−４−トリメチルアセチル−５−ピラゾリノ）テルビウム（III）、ビス[１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）イソキノリン]（アセチルアセトナト）イリジウム（III）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾレート）（アセチルアセトネート）イリジウム（III）、ビス（２−（９，９−ジヘキシルフルオレニル）−１−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（III）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトナト）イリジウム（III）である。
更に、以下の市販材料も適切である：トリス（ジベンゾイルアセトナト）モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（III）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（III）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（５−アミノフェナントロリン）ユウロピウム（III）、トリス（ジ−２−ナフトイルメタン）モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（III）、トリス（４−ブロモベンゾイルメタン）モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（III）、トリス（ジ（ビフェニル）メタン）モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（III）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（４，７−ジフェニルフェナントロリン）ユウロピウム（III）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（４，７−ジ−メチルフェナントロリン）ユウロピウム（III）、トリス（ジベンゾイルメタン）モノ（４，７−ジメチルフェナントロリンジスルホン酸）ユウロピウム（III）ジナトリウム塩、トリス［ジ（４−（２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ）ベンゾイルメタン）］モノ（フェナントロリン）ユウロピウム（III）及びトリス［ジ［４−（２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ）ベンゾイルメタン）］モノ（５−アミノフェナントロリン）ユウロピウム（III）、オスミウム（II）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（４−ｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾレート）ジフェニルメチルホスフィン、オスミウム（II）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（２−ピリジル）−１，２，４−トリアゾール）ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム（II）ビス（３−(トリフルオロメチル）−５−（４−ｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾレート)ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム（II）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（２−ピリジル）−プラゾレート）ジメチルフェニルホスフィン、トリス[４，４’−ジ−ｔ−ブチル（２，２’）−ビピリジン]ルテニウム（III）、オルミウム（II）ビス（２−（９，９−ジブチルフルオレニル）−１−イソキノリン（アセチルアセトネート）。
適切な三重項発光体は、例えば、カルベン錯体である。本発明の１実施態様では、式（III）の化合物又は一般式（Ｉ）の化合物は、三重項発光体としてのカルベン錯体と一緒に発光層においてマトリックス材料として使用される。適切なカルベン錯体は当業者に公知であり、かつ例えば、ＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２、ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２、ＷＯ２００５／１１３７０４、ＷＯ２００７／１１５９７０、ＷＯ２００７／１１５９８１及びＷＯ２００８／０００７２７に記載されている。
発光層は、発光体材料の他に更なる成分を有していてもよい。例えば、発光体材料の発光色を変化させるために、発光層中に蛍光染料が存在していてもよい。更に、有利な実施態様ではマトリックス材料を使用できる。このマトリックス材料はポリマー、例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）又はポリシランであってもよい。しかし、マトリックス材料は同様に小さな分子、例えば、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＤＰ＝ＣＢＰ）又は第三級芳香族アミン、例えばＴＣＴＡであってもよい。本発明の有利な１実施態様では、式（III）の少なくとも１つの化合物又は一般式（Ｉ）の化合物がマトリックス材料として使用される。
有利な１実施態様では、発光層は前記発光体材料のうち少なくとも１つ２〜２０質量％、有利には５〜１７質量％及び前記マトリックス材料のうち少なくとも１つ、１実施態様では式（III）の少なくとも１つの化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料もしくは重合材料８０〜９８質量％、有利には８３〜９５質量％から構成され、その際、発光体材料とマトリックス材料の合計は全体で１００質量％になる。
もう１つの実施態様では、式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料もしくは重合材料は、有利には三重項発光体としてのカルベン錯体と一緒に正孔／励起子ブロッカー材料として使用される。式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料もしくは重合材料は、上記のように、三重項発光体としてのカルベン錯体と一緒にマトリックス材料として、又はマトリックス材料と正孔／励起子ブロッカー材料の両方として使用される。更に、式（III）の少なくとも１つの化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は、有利には三重項発光体としてのカルベン錯体と一緒にＯＬＥＤの正孔／励起子の遮断層、電子／励起子の遮断層、正孔注入層、正孔伝導体層、電子注入層及び／又は電子伝導層体中に存在する。
ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料及び／又は正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料及び／又は正孔注入材料及び／又は電子注入材料及び／又は正孔伝導体材料及び／又は電子伝導体材料としての、有利にはマトリックス材料及び／又は正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子伝導体材料としての、最も有利には電子伝導体材料としての式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料と一緒に使用するために適切な金属錯体ならびにカルベン錯体は、例えば、ＷＯ２００５／０１９３７３Ａ２、ＷＯ２００６／０５６４１８Ａ２、ＷＯ２００５／１１３７０４、ＷＯ２００７／１１５９７０、ＷＯ２００７／１１５９８１及びＷＯ２００８／０００７２７に記載されているようなカルベン錯体である。記載されたＷＯ明細書の開示を明白に引用することにし、かつこれらの開示は本明細書の内容に組み込まれるものと考えるべきである。
正孔／励起子（４）の遮断層が式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料もしくは重合材料を有さない場合には、ＯＬＥＤは（正孔の遮断層が存在する場合には）通常ＯＬＥＤｓで使用される正孔遮断材料を有し、これは例えば、２，６−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ピリジン（ｍＣＰｙ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バトクプロイン、（ＢＣＰ））、ビス（２−メチル−８−キノリナト）−４−フェニルフェニレート）アルミニウム（III）（ＢＡｌｑ）、フェノチアジンＳ，Ｓ−ジオキシド誘導体及び１，３，５−トリス（Ｎ−フェニル−２−ベンジルイミダゾール）ベンゼン）（ＴＰＢＩ）であり、ＴＰＢＩは電子伝導材料としても適切である。更に適切な正孔ブロッカー及び／又は電子伝導体材料は、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、８−ヒドロキシキノリノレートリチウム、４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、１，３−ビス[２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾール−５−イル]ベンゼン、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール、６，６’−ビス[５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル]−２，２’−ビピリジル、２−フェニル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン、２，７−ビス[２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾール−５−イル]−９，９−ジメチルフルオレン、１，３−ビス[２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−５−イル]ベンゼン、２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、１−メチル−２−（４−（ナフタレン−２−イル）フェニル）−１Ｈ−イミダゾ[４，５−ｆ][１，１０]−フェナントロリンである。
もう１つの実施態様では、ＷＯ２００６／１００２９８に開示されているようなカルボニル基を有する基により結合する芳香族又はヘテロ芳香族環を有する化合物、ＰＣＴ明細書ＷＯ２００９／００３９１９及びＷＯ２００９／０００８７２に記載されているようなジシリルカルバゾール、ジシリルベンゾフラン、ジシリルベンゾチオフェン、ジシリルベンゾホスホール、ジシリルベンゾチオフェンＳ−オキシド及びジシリルベンゾチオフェンＳ，Ｓ−ジオキシドから成るグループから選択されるジシリル化合物、ならびにＷＯ２００８／０３４７５８に開示されているようなジシリル化合物を正孔／励起子の遮断層（４）としての又は発光層（３）のマトリックス材料として使用することもできる。
有利な実施態様では、本発明は層（１）アノード、（２）正孔伝導体層、（３）発光層、（４）正孔／励起子の遮断層、（５）電子伝導体層及び（６）カソード、及び場合により更なる層を有する本発明のＯＬＥＤに関し、その際、正孔／励起子の遮断層、電子伝導体層又は発光層は、式（III）の少なくとも１つの化合物又は一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物を有する。
もう１つの有利な実施態様では、本発明は層（１）アノード、（２）正孔伝導体層、（３）発光層、（４）正孔／励起子の遮断層、（５）電子伝導体層及び（６）カソード、及び場合により更なる層を有する本発明のＯＬＥＤに関し、その際、発光層（３）は、式（III）の少なくとも１つの化合物又は一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物を有し、及び正孔／励起子の遮断層及び／又は電子伝導層は、式（III）の少なくとも１つの化合物又は一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物を有する。
本発明のＯＬＥＤｓの層（５）中の本発明の化合物及び材料に加えて使用できる更なる適切な電子伝導体材料は、キレート化されてオキシノイド化合物になった金属、例えば、２，２’，２’’−（１，３，５−フェニレン）トリス[１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール]（ＴＰＢＩ）、トリス（８−キノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、フェナントロリンをベースとする化合物、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ＝ＢＣＰ）又は４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＰＡ）及びアゾール化合物、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）及び３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、８−ヒドロキシキノリノレートリチウム（Ｌｉｑ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−４−（フェニルフェノラート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、１，３−ビス[２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル]ベンゼン（Ｂｐｙ−ＯＸＤ）、６，６’−ビス[５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−２−イル]−２，２’−ビピリジル（ＢＰ−ＯＸＤ−Ｂｐｙ）、４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（ＮＴＡＺ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＮＢｐｈｅｎ）、２，７−ビス[２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル]−９，９−ジメチルフルオレン（Ｂｂｙ−ＦＯＸＤ）、１，３−ビス[２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル]ベンゼン（ＯＸＤ−７）、トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン（３ＴＰＹＭＢ）、１−メチル−２−（４−（ナフタレン−２−イル）フェニル）−１Ｈ−イミダゾ[４，５−ｆ][１，１０]フェナントロリン（２−ＮＰＩＰ）、２−フェニル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＰＡＤＮ）、２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＨＮＢｐｈｅｎ）を有する。層（５）は、電子輸送を促進するため及びバッファー層又はバリア層として役立ち、ＯＬＥＤの層の界面で励起子のクエンチングを妨げる。層（５）は有利には電子の移動度を改善し、かつ励起子のクエンチングを減少させる。有利な１実施態様では、ＴＰＢＩは電子伝導体材料として使用される。原則として、電子伝導体層は、式（III）の少なくとも１つの化合物、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料を電子伝導体材料として有することができ、かつ有利である。
正孔伝導体材料及び電子伝導体材料として記載した上記材料のうち幾つかは多くの機能を満たしてもよい。例えば、低いレベルのＨＯＭＯを有する場合には電子伝導材料の幾つかは同時に正孔遮断材料である。これらは、例えば正孔／励起子（４）の遮断層で使用されてもよい。しかし、正孔／励起子ブロッカーとしての機能は、層（４）が無くても済まされるように層（５）によっても引き継がれる。
電荷輸送層は、使用材料の移動特性を改善し、第一に層厚を大きくし（ピンホール／短絡の回避）、第二に装置の動作電圧を最小化するために、電子的にドーピングされることもできる。ｐ−ドーピングは酸化材料の添加により達成してもよい。これらの混合物は、例えば、上記正孔輸送材料と、ＭｏＯ2、ＭｏＯ3、ＷＯx、ＲeＯ3、Ｖ2Ｏ5、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、２，５−ビス（２−ヒドロキシ−エトキシ）−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、ビス（テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム）テトラシアノジフェノキノジメタン、２，５−ジメチル−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト−２，６−キノジメタン、２−フルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２，５−ジフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、ジシアノメチレン−１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロ−６Ｈ−ナフタレン−２−イリデン）−マロノニトリル（Ｆ6−ＴＮＡＰ）、Ｍｏ（ｔｆｄ）3（Ｋａｈｎ等、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００９、１３１（３５）、１２５３０〜１２５３１）との混合物及びＥＰ０９１５３７７６．１に記載されているようなキノン化合物との混合物であってもよい。
更なる電子伝導体材料は、例えば、アルカリ金属、例えばＡｌｑ３とリチウムでドープされていてもよい。更に、電子伝導体はＣｓ２ＣＯ３のような塩でドープされていることもできる。電子ドーピングは当業者に公知であり、かつ例えば、Ｗ.Ｇａｏ，Ａ.Ｋａｈｎ，Ｊ.Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ.，第９４巻，Ｎｏ.１，２００３年７月１日（ｐ−ドープされた有機層）；Ａ.Ｇ.Ｗｅｒｎｅｒ，Ｆ.Ｌｉ，Ｋ.Ｈａｒａｄａ，Ｍ.Ｐｆｅｉｆｆｅｒ,Ｔ.Ｆｒｉｔｚ，Ｋ.Ｌｅｏ.Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ.Ｌｅｔｔ.，第８２巻，Ｎｏ.２５，２００３年６月２３日及びＰｆｅｉｆｆｅｒ等、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ２００３，４，８９〜１０３に開示されている。例えば、正孔伝導体層はカルベン錯体、例えばＩｒ（ｄｐｂｉｃ）３の他に、例えば、ＭｏＯ3又はＷＯ３でドープされていてもよい。
カソード（６）は電子又は負の電荷キャリアを導入するために役立ってもよい電極である。カソードに適切な材料は、ランタニド及びアクチニド（例えばサマリウム）を含む元素周期表（旧ＩＵＰＡＣ版）のＩａ族（例えばＬｉ、Ｃｓ）、ＩＩa族のアルカリ土類金属（例えば、カルシウム、バリウム又はマグネシウム）、ＩＩｂ族の金属から成るグループから選択される。更に、金属、例えばアルミニウム又はインジウムならびに列挙した全て金属の組み合わせを使用することもできる。更に、リチウムを有する有機金属化合物又はＬｉＦを有機層とカソードの間に設置し、動作電圧を下げることができる。
本発明によるＯＬＥＤは、更に当業者に公知である更なる層を有することができる。例えば層（２）と発光層（３）の間に、プラスの電荷の輸送を容易にし、かつ／又は層のバンドギャップを相互に適合させる１つの層を設置することができる。二者択一的に、この更なる層は保護層として役立ってもよい。同様に、更なる層が発光層（３）と層（４）との間に存在し、マイナスの電荷の輸送を促進し、及び／又は層の間のバンドギャップを相互に適合させることができる。二者択一的に、この層は保護層としても作用することができる。
本発明のＯＬＥＤの有利な実施態様では、全ての層、すなわち正孔伝導体、電子ブロッカー、マトリックス、正孔ブロッカー及び電子伝導体は、式（III）、式（Ｉ）の材料又は本発明の架橋材料又は重合材料から成る。発光層だけは更に少なくとも１つの発光体を有する。
有利な実施態様では、本発明のＯＬＥＤは層（１）〜（６）の他に、以下に記載する層のうち少なくとも１つの有する：
− アノード（１）と正孔輸送層（２）の間の正孔注入層；
− 正孔輸送層（２）と発光層（３）の間の電子の遮断層；
− 電子輸送層（５）とカソード（６）の間の電子注入層。
正孔注入層の材料は、以下のものから選択されていてもよい：銅フタロシアニン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（２Ｔ−ＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（１Ｔ−ＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ,Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＮＡＴＡ）、酸化チタンフタロシアニン、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、ピラジノ[２，３−ｆ][１，１０]フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（ＰＰＤＮ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）ベンジジン（ＭｅＯ−ＴＰＤ）、２，７−ビス[Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシ−フェニル）アミノ]−９，９−スピロビフルオレン（ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、２，２’−ビス[Ｎ，Ｎ−ビス（４−メトキシ−フェニル）アミノ]−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−ＭｅＯ−スピロ−ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−[４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）フェニル]ベンジジン（ＮＴＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−[４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル]ベンジジン（ＮＴＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，４−ジアミン（β−ＮＰＰ）。
原則として正孔注入層は、式（III）の少なくとも１つの化合物を正孔注入材料として有することができる。
電子注入層に選択される材料は、例えば、ＬｉＦ、ＣｓＦ又はＣｓ2ＣＯ3である。原則として、電子注入層は式（III）の少なくとも１つの化合物、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料を電子注入材料として有することができる。
当業者は、どのように適切な材料（例えば、電気化学的研究に基づき）を選択すべきであるかを認識している。個々の層に適切な材料は当業者に公知であり、かつ例えばＷＯ００／７０６５５に記載されている。
更に、本発明のＯＬＥＤで使用される層のうち幾つかは表面処理され、電荷キャリア輸送の効率を高めることもできる。記載した層の各々の材料の選択は、高い効率と寿命を有するＯＬＥＤを得るように決定されることが有利である。
本発明のＯＬＥＤは当業者に公知の方法により製造することができる。一般に本発明のＯＬＥＤは適切な基板上に個々の層を連続的に蒸着させることによって製造される。適切な基板は、例えばガラス、無機半導体又はポリマーフィルムである。蒸着のために、熱蒸着、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）及びその他のような慣用の技法を使用することができる。二者択一的方法では、ＯＬＥＤの有機層を適切な溶剤中の溶液又は分散液から被覆することができ、この際に、当業者に公知の被覆法が用いられる。
一般に、種々の層は次の厚さを有する：
アノード（１）５０〜５００ｎｍ、有利には１００〜２００ｎｍ；
正孔伝導層（２）５〜１００ｎｍ、有利には２０〜８０ｎｍ、
発光層（３）１〜１００ｎｍ、有利には１０〜８０ｎｍ、
正孔／励起子の遮断層（４）２〜１００ｎｍ、有利には５〜５０ｎｍ、
電子伝導層（５）５〜１００ｎｍ、有利には２０〜８０ｎｍ、
カソード（６）２０〜１０００ｎｍ、有利には３０〜５００ｎｍ。
本発明によるＯＬＥＤ中のカソードに対する正孔と電子の再結合ゾーンの相対的位置、ひいてはＯＬＥＤの発光スペクトルは、とりわけ各々の層の相対的厚さによって影響される。これは即ち、電子輸送層の厚さが、再結合ゾーンの位置がダイオードの光学共振器の特性、ひいては発光体の発光波長に適合するように選択すべきであることを意味する。ＯＬＥＤ中の個々の層の層厚の割合は、使用される材料による。使用される付加的な層の層厚は、当業者に公知である。電子伝導層及び／又は正孔伝導層は、電気的にドープされた場合に記載したよりも層厚よりも大きな厚さを有することができる。
ＯＬＥＤの少なくとも１つの層、有利には発光層（有利にはマトリックス材料として）における及び／又は正孔／励起子の遮断層及び／又は有利には電子伝導体層における式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料の使用により、高い効率及び低い使用電圧及び動作電圧を有するＯＬＥＤが得られる。しばしば、式（III）の化合物の使用により得られるＯＬＥＤは更に高い寿命を有する。ＯＬＥＤｓの効率はＯＬＥＤｓの他の層を最適化することにより更に改善できる。例えば、高い効率のカソード、例えば、Ｃａ又はＢａは、場合によりＬｉＦ、ＣｓＦ又はＣｓ2ＣＯ3の仲介層と組み合わせて使用できる。動作電圧の減少又は量子効率の増大をもたらす成形した基板及び新規正孔輸送材料も同様に本発明のＯＬＥＤｓでは有効である。更に、ＯＬＥＤｓ中には更なる層が存在してもよく、種々の層のエネルギーレベルを調節し、かつエレクトロルミネッセンスを促進する。
更に、ＯＬＥＤｓは少なくとも１つの第二の発光層を有してもよい。ＯＬＥＤｓの全体の発光は少なくとも２つの発光層の発光から成っていてもよく、かつ白色光を有していてもよい。
ＯＬＥＤｓはエレクトロルミネッセンスが有効である全ての装置で使用できる。適切な装置は、有利には固定型及び移動型ビジュアルディスプレイユニットならびにイルミネーションユニットから選択される。静止型ビジュアルディスプレイは、例えばコンピューター、テレビのビジュアルディスプレイユニット、プリンター、調理機器及び広告板、照明及び表示板におけるビジュアルディスプレイユニットである。移動型ビジュアルディスプレイユニットは、例えば携帯電話、ラップトップ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレイヤー、乗り物ならびにバス及び電車の行き先表示におけるビジュアルディスプレイユニットである。本発明のＯＬＥＤｓを使用できる更なる装置は、例えば、キーボード、衣類のアイテム、家具、壁紙である。
更に、式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は、逆構造を有するＯＬＥＤｓ中で使用してもよい。有利には本発明により使用される式（III）の化合物、一般式（Ｉ）の化合物又は本発明の架橋材料又は重合材料は、これらの逆ＯＬＥＤｓにおいて正孔／励起子ブロッカー材料として使用される。その中で使用される逆ＯＬＥＤｓの構造及び材料は通常は当業者に公知である。
更に、本発明は少なくとも１つの本発明の有機発光ダイオード又は少なくとも１つの本発明の発光層又は少なくとも１つの本発明の電子伝導層を有する静止型ディスプレイ、例えばコンピューター、テレビのビジュアルディスプレイユニット、プリンター、調理機器及び広告板、照明、表示板におけるディスプレイユニット、ならびに移動型ビジュアルディスプレイユニット、例えば携帯電話、ラップトップ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレイヤー、乗り物ならびにバス及び電車の行き先表示におけるビジュアルディスプレイユニット；照明ユニット；キーボード；衣類のアイテム；家具；壁紙から成るグループから選択される装置に関する。
実施例：化合物（１）
Figure 2013538440
 は、明細書ＰＣＴ／ＥＰ２００９／０６７１２０に記載されているように行い、これは本明細書の優先日で公開されるべきであった。
合成例１：２−カルバゾリル−８−イミダゾール−１−イルジベンゾフラン（化合物２）の合成
Figure 2013538440
アルゴン下に、化合物１（５．０ｇ、１当量）をＤＭＦ（２５ｍｌ）中のイミダゾール（１．０３ｇ、１．２５当量）、炭酸カリウム（２．１８ｇ、１．３当量）及びヨウ化銅（０．４６ｇ、０．２当量）と混合した。反応物をアルゴンで脱気し、かつ１５０℃に加熱した。反応物を１５０℃で４８時間撹拌した。混合物を室温まで冷却し、かつ塩化メチレン（６００ｍｌ）及び脱イオン水（３００ｍｌ）を添加した。磁気攪拌機上で抽出物を撹拌した後に有機相を除去し、かつ脱イオン水（２００ｍｌ）で３回洗浄し、次に硫酸ナトリウムで乾燥させ、かつ濃縮した。白色残留物をシクロヘキサン中で懸濁し、吸引濾過し、かつエタノールで洗浄した。減圧下に一晩乾燥させた後に４．６５ｇ（９５．９％、収率）が得られた。
1ＨＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2、４００ＭＨｚ）：δ＝８．３３（ｓ＋ｄ，３Ｈ），８．１４（ｓ，１Ｈ），８．０４（ｓ，１Ｈ），８．０１（ｄ，１Ｈ），７．９１（ｄ，１Ｈ），７．８６（ｄ，１Ｈ），７．７４（ｄ，１Ｈ），７．５３〜７．６１（ｍ，５Ｈ），７．４６（ｄｄ，２Ｈ），７．３３（ｓ，１Ｈ）。
合成例２：２−カルバゾリル−８−（２−フェニルイミダゾール−１−イル）ジベンゾフラン（化合物３）の合成
Figure 2013538440
アルゴン下に、化合物２（２．０ｇ、１当量）をＤＭＦ（３０ｍｌ）中の酢酸パラジウム（５６ｍｇ、０．０５当量）、ヨウ化銅（１．９３ｇ、２．０当量）及びヨードベンゼン（２．０８ｇ、２．０当量）と混合した。反応物をアルゴンで脱気し、かつ１４０℃に加熱した。反応物を１４０℃で２４時間撹拌した。混合物を室温まで冷却し、かつ脱イオン水で沈殿させ、吸引濾過し、かつ脱イオン水で洗浄した。減圧下に一晩乾燥させた。固体を塩化メチレン中に溶解し、１０％チオ硫酸ナトリウム溶液で振盪させることにより繰り返し抽出した。有機相を水で洗浄し、除去しかつ濃縮した。ＬＣ（Ｃ１８−ＳｉＯ２；アセトニトチル）により１．４１ｇの化合物３（収率：５９．２％）が得られた。
1ＨＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2、４００ＭＨｚ）：δ＝８．１７（ｄ，２Ｈ），８．０９（ｓ，１Ｈ），７．８９（ｓ，１Ｈ），７．８５（ｄ，１Ｈ），７．７０（ｄ，１Ｈ），７．６６（ｄ，１Ｈ），７．２０−７．４３（ｍ，１４Ｈ）。
合成例３：Ｎ−（３−ブロモフェニル）カルバゾール（化合物４）の合成
Figure 2013538440
窒素下に、カルバゾール（２４．３ｇ，１当量）を、１−ブロモ−３−ヨードベンゼン（９８％，７５．３ｇ，１．９当量）、炭酸カリウム（４８．２ｇ，２，５当量）及び銅（１．７７ｇ，０．１当量）と一緒にフラスコに添加した。反応物を１５０℃まで加熱し、かつ１５０℃で４８時間撹拌した。混合物を室温まで冷却し、かつ塩化メチレン１５０ｍｌで希釈した。脱イオン水１００ｍｌを混合物に添加し、これを撹拌した。水相を除去した後に、脱イオン水（１００ｍｌ）で更に２回洗浄した。有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、かつ濃縮した。過剰の１−ブロモ−３−ヨードベンゼンを減圧下に留去した。ＬＣ（ＳｉＯ２；シクロヘキサン／塩化メチレン９５：５）により生成物３７．１ｇ（収率：８２．４％）が得られた。
1ＨＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2、４００ＭＨｚ）：δ＝８．１３（ｄ，２Ｈ），７．７５（ｓ，１Ｈ），７．６１（ｄ，１Ｈ），７．５３（ｄ，１Ｈ），７．４９（ｄ，１Ｈ），７．４２（ｍ，４Ｈ），７．２７−７．３１（ｍ，２Ｈ）。
合成例４：化合物５の合成
Figure 2013538440
アルゴン下に、化合物２（１．０８ｇ，１当量）をＤＭＡ（１６ｍｌ）中の酢酸パラジウム（３０ｍｇ，０．０５当量）、ヨウ化銅（１．０４ｇ，２．０当量）及び化合物４（１．７４ｇ，２．０当量）と混合した。反応物をアルゴンで脱気し、かつ１６０℃に加熱した。反応物を１６０℃で２０時間撹拌した。混合物を室温まで冷却し、かつ塩化メチレン１００ｍｌで希釈した。茶色の溶液を１０％チオ硫酸ナトリウム溶液６０ｍｌを有するビーカー中で撹拌により抽出した。該混合物を分離漏斗中で分離し、有機相を水（３×１００ｍｌ）で洗浄した。有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥させかつ濃縮した。粘性の残留物をエタノールで撹拌することにより抽出し、吸引濾過し、かつ少量のエタノールで洗浄した。ＬＣ（ＳｉＯ２；塩化メチレン）により１．５３ｇの化合物５（収率：８８．４％）が得られた。
1ＨＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2、４００ＭＨｚ）：δ＝８．１０（ｄ，２Ｈ），８．０４（ｓ，１Ｈ），７．９８（ｄ，２Ｈ），７．８９（ｓ，１Ｈ），７．８６（ｄ，１Ｈ），７．７０（ｍ，３Ｈ），７．５２（ｄｄ，１Ｈ），７．３８〜７．４４（ｍ，３Ｈ），７．２８−７．３５（ｍ，４Ｈ），７．２２−７．２５（ｍ，３Ｈ），７．１０（ｄｄ，２Ｈ），６．９７（ｄｄ，２Ｈ），６．９１（ｄ，１Ｈ）。
合成例５：２−カルバゾリル−８−ベンズイミダゾール−１−イルジベンゾフラン（化合物６）の合成
Figure 2013538440
アルゴン下に、化合物１（４．３６ｇ，１当量）をＤＭＡ（４５ｍｌ）中のベンズイミダゾール（１．６０ｇ，１．２５当量）、炭酸カリウム（１．９１ｇ，１．３当量）及びヨウ化銅（０．４０ｇ，０．２当量）と混合した。反応物をアルゴンで脱気し、かつ１５０℃に加熱した。反応物を１５０℃で４８時間撹拌した。次にヨウ化銅（０．４０ｇ，０．２当量）及び炭酸カリウム（１．９１ｇ，１．３当量）を反応物に加えた。混合物を１５０℃で更に１４４時間撹拌した。実験物を室温まで冷却し、かつ酢酸エチルで撹拌させることにより抽出し、かつ吸引濾過し、かつ残留物を酢酸エチルで洗浄した。濾液を濃縮し、減圧下に一晩乾燥させ、ＬＣにより（ＳｉＯ２、シクロヘキサン／酢酸エチル）４．０ｇの化合物６（収率８４％）が得られた。
1ＨＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2、４００ＭＨｚ）：δ＝８．１８（ｍ，４Ｈ），８．１１（ｓ，１Ｈ），７．８２−７．９０（ｍ，３Ｈ），７．７３（ｄ，１Ｈ），７．６９（ｄ，１Ｈ），７．５８（ｍ，１Ｈ），７．４０−７．４５（ｍ，４Ｈ），７．２９−７．３６（ｍ，４Ｈ）。
合成例６：２−カルバゾリル−８−（２−フェニルベンズイミダゾール−１−イル）ジベンゾフラン（化合物７）の合成
Figure 2013538440
アルゴン下に、化合物６（２．２５ｇ、１当量）をＤＭＦ（３０ｍｌ）中の酢酸パラジウム（５６ｍｇ（０．０５当量）、ヨウ化銅（１．９３ｇ、２．０当量）及びヨードベンゼン（２．０８ｇ、２．０当量）と混合した。反応物をアルゴンで脱気し、かつ１４０℃に加熱した。反応物を１４０℃で２４時間撹拌した。室温まで冷却した後に、酢酸エチル（３００ｍｌ）を加えた。シリカゲルにより懸濁液を濾過した。ＴＬＣにより生成物がもはや見えなくなるまで酢酸エチル（２Ｌ）で洗浄した。溶液を濃縮し、得られた残留物を酢酸エチル（２００ｍｌ）中での撹拌によりにより抽出した。懸濁液を濾過した（ＲＳ１）。濾液を濃縮し、２０ｍｌにし、かつ吸引濾過し（ＲＳ２）、少量の酢酸エチルで洗浄した。ＬＣ（ＳｉＯ２、９：１シクロヘキサン／酢酸エチル）により生成物１．４３ｇ（収率５４．３％）が得られた。
1ＨＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2、４００ＭＨｚ）：δ＝８．１７（ｄ，２Ｈ），８．１５（ｓ，１Ｈ），８．００（ｓ，１Ｈ），７．８９（ｄ，１Ｈ），７．８３（ｄ，１Ｈ），７．７８（ｄ，１Ｈ），７．７１（ｄ，１Ｈ），７．６１（ｄ，２Ｈ），７．２６−７．４１（ｍ，１３Ｈ）。
ダイオードの実施例
比較例１ 電子輸送材料としてＢＣＰを有するＯＬＥＤの製造
アノードとして使用するＩＴＯ基板をＬＣＤ生産用の市販の洗剤（Ｄｅｃｏｎｅｘ（R）２０ＮＳ及び２５ＯＲＧＡＮ−ＡＣＩＤ（R）中和剤）でまず清浄し、かつ次に超音波浴内でアセトン／イソプロパノール混合物中で洗浄した。可能性としてあり得る有機残留物を除去するために、基板をオゾンオーブン内で連続的にオゾン流に更に２５分間暴露した。この処置はＩＴＯの正孔注入特性も改善する。次に、Ｐｌｅｘｃｏｒｅ社のＡＪ２０−１０００正孔注入層を溶液からスピンオンした（〜４０ｎｍ）。その後に、下記の有機材料を約１０−８ミリバールで約０．５〜５ｎｍ／分の速度で蒸着することにより綺麗にした基板に設置した。基板に設置した正孔伝導体及び励起子ブロッカーは４５ｎｍの厚さを有するＩｒ（ｄｐｂｉｃ）３（Ｖ１）であり、その初めの３５ｎｍはＭｏＯｘ（〜１０％）でドープされ、伝導率を改善する。
Figure 2013538440
化合物発光体２及びその製法は欧州特許ＥＰ１０１６０１８８．８に開示されていて、これは本明細書の優先日で公開されるべきものであった。
引き続き化合物（発光体２）２０質量％と化合物Ｈ１（ＰＣＴ明細書ＰＣＴ／ＥＰ２００９／０６７１２０に記載されている、ＷＯ２０１０／０７９０５１として公開）８０質量％の混合物を蒸着により４０ｎｍの厚さで設置した。前記化合物は発光体材料として機能し、後者化合物はマトリックス材料として機能する。
引き続き、材料Ｈ１を１０ｎｍの厚さで励起子ブロッカー及び正孔ブロッカーとして蒸着により設置した。
Figure 2013538440
次に、電子輸送体、Ｈ１（２０％）とＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）８０％の混合物を２０ｎｍの厚さで、０．７ｎｍ厚のＬｉＦ層及び最後に１００ｎｍ厚のＡｌ電極を蒸着により設置した。全ての成分は不活性な窒素雰囲気中でガラスカバー上に結合した。
ＯＬＥＤを特徴づけるために、エレクトロルミネッセンススペクトルを種々の電流及び電圧で記録した。更に、電流−電圧の特徴を発光された光の出力と組み合わせて測定した。光の出力は光度計を用いるキャリブレーションにより測光パラメーターに変換できる。
例１：化合物３を電子輸送材料として有するＯＬＥＤの製造
ＢＣＰとＨ１の混合物の代わりに使用した電子輸送材料が合成例２による化合物３であることを除いて比較例１のように行った。比較例１の測定値は１００％に設定した。
Figure 2013538440
 例２：ホスト、励起子ブロッカー及び電子輸送材料として化合物３を有するＯＬＥＤの製造
Ｈ１の代わりに、使用したホストが合成例２による化合物３であり、Ｈ１の代わりに
使用した正孔／励起子ブロッカーが化合物３（５ｎｍ）であり、かつＢＣＰとＨ１の混合物の代わりに使用した電子輸送材料が合成例２による化合物３であることを除いて、比較例１のように行った。比較例１の測定値は１００％に設定した。
Figure 2013538440
 例３：電子輸送材料として化合物３又は７を有するＯＬＥＤの製造
比較例１のような装置の構成であるが、以下のような違いがある：
使用した電子輸送材料は、それぞれ合成例２（例３ａと３ｃ）による化合物３、合成例６（例３ｂ）による化合物７である。
ホストとしてＨ２（例３ａ）、Ｈ３(例３ｂ)及びＨ４（例３ｃ）を使用した。
発光体層（１６ｎｍ）は、Ｉｒ（ｄｐｂｉｃ）3（ＶＩ）（４０質量％）、発光体３（先行公開されていない欧州特許明細書ＥＰ１０１８７１７６．２及び先行公開されていないＵＳ明細書ＵＳ６１／３９１，７１２に記載されている）（３０質量％）及びホスト（Ｈ２、Ｈ３又はＨ４）（３０質量％）の混合物を有する。
Figure 2013538440
正孔ブロッカーとして各々のホスト１０ｎｍを使用した。電子輸送体として２０ｎｍの化合物３（例３ａと３ｃ）又は化合物７（例３ｂ）をそれぞれ使用した。
比較例１の測定値は１００％に設定した。
Figure 2013538440
 例４：電子輸送材料として化合物３を有するＯＬＥＤの製造
比較例３ａのような装置の構成であるが、以下のような違いがある：
発光層（２０ｎｍ）は、発光体（２０質量％）、発光体３（例４ａ）、発光体４（例４ｂ）、発光体５（例４ｃ）（発光体３、４及び５は先行公開されていない欧州特許明細書ＥＰ１０１８７１７６．２及び先行公開されていないＵＳ明細書ＵＳ６１／３９１，７１２に記載されている）及びホスト（Ｈ３）（８０質量％）の混合物を有する。
正孔ブロッカーとして５ｎｍのＨ３を使用した。電子輸送体として２０ｎｍの化合物３を使用した。電子注入層としてＣｓＦ（２ｎｍ）を使用した。正孔輸送層（１０ｎｍ）を１０質量％ＭＯｘでドープした。
Figure 2013538440
 例４aの測定値は比較のため１００％に設定してある。
Figure 2013538440

Claims (39)

  1. 式（Ｉ）
    Figure 2013538440
     ［式中、
    ＸはＳ又はＯであり；
    Ｒ1、Ｒ2は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）2Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12又はＣ基であり；
    Ｒ3、Ｒ4は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり、
    又は
    Ｒ3とＲ4は、窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形式し、前記基は、非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい；
    Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり、
    ｎは、０、１、２、３又は４であり、
    ｍは、０、１、２又は３であり、
    ｐは、１又は２であり、ここでｍ＋ｐは≦４であり、
    Ｃは、一般式（II）
    Figure 2013538440
     （式中、
    Ａ1は、互いに独立にＣＲa、Ｎ又はＮＲbであり、
    Ａ2は、互いに独立にＣＲc、Ｎ又はＮＲdであり、
    Ａ3は、互いに独立にＣＲe、Ｎ又はＮＲfであり、
    Ａ4は、互いに独立にＣＲg、Ｎ又はＮＲhであり、
    Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhは、互いに独立に水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり；又は
    （Ｒa又はＲb）と（Ｒc又はＲd）、又は
    （Ｒe又はＲf）と（Ｒg又はＲh）、及び／又は
    （Ｒc又はＲd）と（Ｒe又はＲf）は、炭素原子又は窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい）
    の５員環の飽和又は不飽和の複素環式基である］
    の化合物であって、その際、Ｃ基は２位及び／又は４位で結合する、又は前記一般式（Ｉ）の２個のユニットは、場合により少なくとも１つのヘテロ原子により又はＯを介して中断されている１つの結合、線状又は分枝状の、飽和又は不飽和の橋かけ部により互いに橋かけられ、その際、一般式（Ｉ）中のこの橋かけ部はＲa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhの代わりに、又はＲ1又はＲ2を介して及び／又はＲ1又はＲ2の代わりにモノマーの形、重合した形又は架橋した形で結合する式（Ｉ）の化合物の、ホスト材料、ブロッカー材料及び／又は電荷輸送材料としての使用。
  2. Ｒ1は独立に、フェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントレニル、インデニル及びフルオレニルから選択されるアリールであり、これらは非置換であるか、又は１個又は１個よりも多い、又は全ての置換可能な位置で、ピリジン基、ピリミジン基、ピロール基、フラン基、ピラゾール基、イミダゾール基、チオフェン基、オキサゾール基、チアゾール基、トリアゾール基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾピロリル基、ジベンゾフリル基、フェナントロリニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基及びジアザカルバゾイル基から選択されるヘテロアリールで置換され、これらは非置換であるか、又は１個又は１個よりも多い、又は全ての置換可能な位置で、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）２Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12により置換されていてもよい；
    Ｒ3、Ｒ4は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であるか、又は
    Ｒ3とＲ4は、窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合していてもよく、その際、縮合された基は非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい；
    Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり、
    ｎは、０、１、２、３又は４であり、
    ｍは、０、１、２又は３であり、
    ｐは、１又は２であり、ここでｍ＋ｐは≦４であり、
    Ｃは、一般式（II）
    Figure 2013538440
     （式中、
    Ａ1は、互いに独立にＣＲa、Ｎ又はＮＲbであり、
    Ａ2は、互いに独立にＣＲc、Ｎ又はＮＲdであり、
    Ａ3は、互いに独立にＣＲe、Ｎ又はＮＲfであり、
    Ａ4は、互いに独立にＣＲg、Ｎ又はＮＲhであり、
    Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhは、互いに独立に水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基である）
    の５員環の飽和又は不飽和の複素環式基である、請求項１に記載の使用。
  3. ｎは１である、請求項１又は２に記載の使用。
  4. ｍは０である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の使用。
  5. ＸはＯである、請求項１から４までのいずれか１項に記載の使用。
  6. Ｒ1は、−ＮＲ3Ｒ4であり；かつ
    Ｒ3、Ｒ4は、窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び、ドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に互いに縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい、請求項１から５までのいずれか１項に記載の使用。
  7. Ｒ1は、Ｃ基又はカルバゾリル、ピロリル、インドリル、イミダゾリル、トリアゾリル、ベンズイミダゾリル、アザカルバゾリル、ジアザカルバゾリル及びジフェニルアミノから選択される−ＮＲ3Ｒ4であり、その際、前記基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換される、請求項１から５までのいずれか１項に記載の使用。
  8. Ｃ基は、次のもの：
    Figure 2013538440
     である、請求項１から７までのいずれか１項に記載の使用。
  9. Ｃ基は、次のもの：
    Figure 2013538440
     であるが、但しＲａは
    Figure 2013538440
     ではない、請求項８に記載の使用。
  10. Ｃ基は、次のもの：
    Figure 2013538440
     である、請求項１から７までのいずれか１項に記載の使用。
  11. 基：
    Figure 2013538440
     において、Ｒg、ＲeはＨであり、かつＲaは水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基である、請求項１０に記載の使用。
  12. Ｃ基は、次のもの：
    Figure 2013538440
     である、請求項１から７までのいずれか１項に記載の使用。
  13. 以下の式の化合物：
    Figure 2013538440
     は除かれる、請求項１２に記載の使用。
  14. Ｒa、Ｒc、Ｒe及びＲgの少なくとも１つはアリール、有利には場合により置換されたフェニルである、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の使用。
  15. Ｒ1は、−ＮＲ3Ｒ4であり、
    Ｒ3、Ｒ4は、窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及び、ドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい、
    Ｃは、一般式（II）
    Figure 2013538440
     （式中、
    Ａ1は、互いに独立にＣＲa、Ｎ又はＮＲbであり、
    Ａ2は、互いに独立にＣＲc、Ｎ又はＮＲdであり、
    Ａ3は、互いに独立にＣＲe、Ｎ又はＮＲfであり、
    Ａ4は、互いに独立にＣＲg、Ｎ又はＮＲhであり、
    Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhは、互いに独立に水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基である）
    の５員環の飽和又は不飽和の複素環式基であり、
    ｎは１であり、かつ
    ｍは有利には０である、請求項１から１４までのいずれか１項に記載の使用。
  16. 電子輸送材料としての、請求項１から１５までのいずれか１項に記載の使用。
  17. 一般式（Ｉ）の化合物は、次のもの：
    Figure 2013538440
    Figure 2013538440
    Figure 2013538440
     （式中、ＸはＳ又はＯである）
    から選択される、請求項１から１６までのいずれか１項に記載の使用。
  18. 有機エレクトロニクス用途における、有利には有機発光ダイオードにおける請求項１から１７までのいずれか１項に記載の使用。
  19. 一般式（III）
    Figure 2013538440
     ［式中、
    ＸはＳ又はＯであり；
    Ｒ2は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）2Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12であり；
    Ｒ3、Ｒ4は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であるか又は
    Ｒ3とＲ4は、窒素原子と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール及びドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、及びドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく；
    Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり、
    Ｒ13、Ｒ14は、互いに独立にアリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、−ＮＲ3Ｒ4、−Ｐ（Ｏ）Ｒ5Ｒ6、−ＰＲ7Ｒ8、−Ｓ（Ｏ）2Ｒ9、−Ｓ（Ｏ）Ｒ10、−ＳＲ11又は−ＯＲ12であり；
    ｍは、０、１、２又は３であり、
    ｐは、１又は２であり、ここでｍ＋ｐは≦４であり、
    ｑは、０、１、２、３又は４であり、
    ｒは、０、１、２、３又は４であり、
    ｓは、１、２、３又は４であり、
    Ｃは、一般式（II）
    Figure 2013538440
     （式中、
    Ａ1は、互いに独立にＣＲa、Ｎ又はＮＲbであり、
    Ａ2は、互いに独立にＣＲc、Ｎ又はＮＲdであり、
    Ａ3は、互いに独立にＣＲe、Ｎ又はＮＲfであり、
    Ａ4は、互いに独立にＣＲg、Ｎ又はＮＲhであり、
    Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhは、互いに独立に水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基であり；又は
    （Ｒa又はＲb）と（Ｒc又はＲd）、又は
    （Ｒe又はＲf）と（Ｒg又はＲh）、及び／又は
    （Ｒc又はＲd）と（Ｒe又はＲf）は、炭素原子又は窒素元素と一緒に３〜１０個の環原子を有する環式基を形成し、前記基は、非置換であるか又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよく、及び／又は３〜１０個の環原子を有する１つ又は複数の更なる環式基に縮合してもよく、その際、縮合された基は非置換であるか、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基、又はドナー又はアクセプター作用を有する基から選択される１つ又は複数の置換基により置換されていてもよい）
    の５員環の飽和又は不飽和の複素環式基である］
    の化合物であって、その際、Ｃ基は２位及び／又は４位で結合する、又は前記の一般式（III）の２個のユニットは、場合により少なくとも１つのヘテロ原子により又はＯを介して中断されている１つの結合、線状又は分枝状の、飽和又は不飽和の橋かけ部により互いに橋かけられ、その際、一般式（III）中のこの橋かけ部はＲa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒh、Ｒ13、Ｒ14の代わりに、又はＲ2を介して及び／又はＲ2の代わりに結合される、一般式（III）の化合物。
  20. Ｃは、一般式（II）
    Figure 2013538440
     （式中、
    Ａ1は、互いに独立にＣＲa、Ｎ又はＮＲbであり、
    Ａ2は、互いに独立にＣＲc、Ｎ又はＮＲdであり、
    Ａ3は、互いに独立にＣＲe、Ｎ又はＮＲfであり、
    Ａ4は、互いに独立にＣＲg、Ｎ又はＮＲhであり、
    Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒd、Ｒe、Ｒf、Ｒg、Ｒhは、互いに独立に水素、アリール、ヘテロアリール、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、スペーサーを介して結合した架橋性基又は重合性基である）
    の５員環の飽和又は不飽和の複素環式基である、請求項１９に記載の化合物。
  21. ｓは１であり；ｐは１であり、かつｍは０である、請求項１９又は２０に記載の化合物。
  22. Ｃ基は次のもの：
    Figure 2013538440
     である、請求項１９から２１までのいずれか１項に記載の化合物。
  23. Ｃ基は次のもの：
    Figure 2013538440
     である、請求項１９から２１までのいずれか１項に記載の化合物。
  24. Ｃ基は次のもの：
    Figure 2013538440
     である、請求項１９から２１までのいずれか１項に記載の化合物。
  25. カルバゾリル置換基（IV）：
    Figure 2013538440
     は、ジベンゾフラン又はジベンゾチオフェン基本骨格の８位で結合して存在する、請求項１９から２４までのいずれか１項に記載の化合物。
  26. 次のグループ：
    Figure 2013538440
     （式中、ＸはＳ又はＯである）
    から選択される、請求項１９から２５までのいずれか１項に記載の化合物。
  27. 重合反応及び／又は架橋反応における成分としての、請求項１から１７までのいずれか１項に記載の一般式（Ｉ）の化合物、又は請求項１９から２６までのいずれか１項に記載の一般式（III）の化合物の使用。
  28. 請求項１９から２６までのいずれか１項に記載の式（III）の化合物を製造する方法において、少なくとも１つのカルバゾリル基（IV）
    Figure 2013538440
     及び、場合により置換された５員環窒素複素環Ｃを、以下の変法（ａ）又は（ｂ）
    変法ａ）
    iａ）カルバゾリル基（IV）、及び場合によりＲ2基及びＣ基を導入するために適切な前駆体化合物の製造、
    iiａ）カルバゾリル基（IV）の導入、
    iiiａ）Ｃ基、又はその前駆体の導入、及び存在する場合には、Ｒ2基の導入、
    iva）適切な場合には、Ｃの前駆体のＣ基への変換、
    又は
    変法ｂ）
    iｂ）カルバゾリル基（IV）、及び場合によりＲ2基及びＣ基を導入するために適切な前駆体化合物の製造、
    iiｂ）Ｃ基、又はその前駆体の導入、
    iiiｂ）カルバゾリル基（IV）、及び存在する場合にはＲ2基の導入、
    ivｂ）適切な場合には、Ｃの前駆体のＣ基への変換
    のうち１つにより、式（Ｖ）
    Figure 2013538440
     （式中、ＸはＳ又はＯである）
    の基本骨格に導入する、請求項１９から２６までのいずれか１項に記載の式（III）の化合物を製造する方法。
  29. 請求項１９から２６までのいずれか１項に記載の一般式（III）の化合物、又は請求項１から１７までのいずれか１項に記載の一般式（Ｉ）の化合物のユニットを有する架橋材料又は重合材料。
  30. 請求項１９から２６までのいずれか１項に記載の一般式（III）の化合物、又は請求項１から１７までのいずれか１項に記載の一般式（Ｉ）の化合物の、又は請求項２９に記載の材料の、有機エレクトロニクスにおける液体加工用途のための調製物における使用。
  31. 請求項１９から２６までのいずれか１項に記載の一般式（III）の化合物、又は請求項１から１７までのいずれか１項に記載の一般式（Ｉ）の化合物の、又は請求項２９に記載の材料の、有機エレクトロニクス、有利には有機発光ダイオードにおける使用。
  32. 式（III）の化合物又は請求項１から１７までのいずれか１項に記載の一般式（Ｉ）の化合物、又は請求項２９に記載の材料は、マトリックス材料及び／又は正孔／励起子ブロッカー材料及び／又は電子／励起子ブロッカー材料及び／又は正孔注入材料及び／又は電子注入材料及び／又は正孔伝導体材料及び／又は電子伝導体材料及び／又は正孔伝導体及び／又は電子伝導体として、有利にはマトリックス又は電子伝導体として使用される、請求項３１に記載の使用。
  33. 請求項１９から２６までのいずれか１項に記載の一般式（III）の少なくとも１つの化合物、又は請求項１から１７までのいずれか１項に記載の一般式（Ｉ）の化合物、又は請求項２９に記載の材料を有する有機発光ダイオード。
  34. アノードＡｎ及びカソードＫａ、及びアノードＡｎとカソードＫａの間に配置された少なくとも１つの発光層Ｅ、及び場合により正孔／励起子の少なくとも１つの遮断層、
    電子／励起子の少なくとも１つの遮断層、少なくとも１つの正孔注入層、少なくとも１つの正孔伝導体層、少なくとも１つの電子注入層及び少なくとも１つの電子伝導体層から成るグループから選択される少なくとも１つの更なる層を有し、その際、式（III）又は式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物は、電子伝導体層及び／又は発光層Ｅの中及び／又は更なる層の少なくとも１つの中に存在する、請求項３３に記載の有機発光ダイオード。
  35. 式（III）の少なくとも１つの化合物又は請求項１から１７までのいずれか１項に記載の一般式（Ｉ）の化合物、又は請求項２９に記載の材料は、電子伝導体層の中及び／又は発光層の中及び／又は正孔／励起子の少なくとも１つの遮断層の中に存在する、請求項３３又は３４に記載の有機発光ダイオード。
  36. 請求項１９から２６までのいずれか１項に記載の式（III）の少なくとも１つの化合物、又は請求項１から１７までのいずれか１項に記載の一般式（Ｉ）の化合物、又は請求項２９に記載の材料を有する発光層。
  37. 請求項１９から２６までのいずれか１項に記載の式（III）の少なくとも１つの化合物、又は請求項１から１７までのいずれか１項に記載の一般式（Ｉ）の化合物、又は請求項２９に記載の材料を有する正孔／励起子の遮断層。
  38. 請求項１９から２６までのいずれか１項に記載の式（III）の少なくとも１つの化合物、又は請求項１から１７までのいずれか１項に記載の一般式（Ｉ）の化合物、又は請求項２９に記載の材料を有する電子伝導層。
  39. 請求項３３から３５までのいずれか１項に記載の少なくとも１つの有機発光ダイオード又は請求項３６に記載の少なくとも１つの発光層又は請求項３８に記載の少なくとも１つの電子伝導層を有する、静止型ビジュアルディスプレイユニット、例えばコンピューター、テレビのビジュアルディスプレイユニット、プリンター、調理機器及び広告板、照明及び表示板におけるビジュアルディスプレイユニット、及び移動型ビジュアルディスプレイユニット、例えば携帯電話、ラップトップ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレイヤー、乗り物ならびにバス及び電車の行き先表示におけるビジュアルディスプレイユニット、照明ユニット、キーボード、衣服、家具、壁紙から成るグループから選択される装置。
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