JP2013535104A - リソグラフィマスクを使用して生成された放射分布の局所解像測定用装置および方法 - Google Patents
リソグラフィマスクを使用して生成された放射分布の局所解像測定用装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013535104A JP2013535104A JP2013514583A JP2013514583A JP2013535104A JP 2013535104 A JP2013535104 A JP 2013535104A JP 2013514583 A JP2013514583 A JP 2013514583A JP 2013514583 A JP2013514583 A JP 2013514583A JP 2013535104 A JP2013535104 A JP 2013535104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- converter
- wavelength
- distribution
- transducer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9515—Objects of complex shape, e.g. examined with use of a surface follower device
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70653—Metrology techniques
- G03F7/70666—Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
本願は、2010年6月18日に出願された、ドイツ特許出願第10 2010 030 261.9号の優先権を主張するものであり、その全体の内容を本明細書に参考として援用する。
12.露光放射
14.開口部
16.リソグラフィマスク
18.マスク表
20.基板面
22.投影対物レンズ
23.浸液
24.放射分布
30.放射分布の局所解像測定用装置
31.放射変換器
32.変換器素子
32a.活性化された変換器素子
34.波長変換された測定放射
36.容器
37.溶液
38.露光放射に対して透過性を持つ層
40.測定放射に対して透過性を持つ層
42.活性化放射源
44.活性化放射
46.開口部
48.拡大結像光学系
50.局所解像放射検出器
52.エアリーディスク
54.放射源の場所
56.評価部
58.シンチレータ素子
110.マイクロリソグラフィ用投影露光ツール
130.放射分布の局所解像測定用装置
131.放射変換器
132.変換器素子
210.マスク検査装置
211.照明系
212.検査放射
220.結像面
222.結像光学系
Claims (28)
- リソグラフィマスクを使って生成された放射分布の局所解像測定方法であって、
それぞれ活性状態および非活性状態にすることができ、入射光をその波長に関して活性状態に変換するように構成された、変換器素子の少なくとも二次元の配置を有する放射変換器を提供するステップと、
前記放射変換器を数回操作して、それぞれ前記変換器素子の一部のみが活性状態となるようにし、前記放射変換器の各操作の後に、該放射変換器に放射分布を照射して、活性状態の変換器素子が波長変換された測定放射を放出するようにして、前記放射分布の照射毎に測定放射源の個々の場所を記録するステップと、
異なる照射ステップによって記録された前記放射源の場所から、前記リソグラフィマスクによって生成された前記放射分布を決定するステップと
を含む測定方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記放射分布を、マイクログラフィ用の投影露光ツールによって前記リソグラフィマスクを結像することによって生成する方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記放射分布を、マスク検査装置によって前記リソグラフィマスクを結像することによって生成する方法。
- 請求項1〜3の何れか一項に記載の方法において、前記変換器素子を、前記放射分布の照射後に非活性状態にする方法。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載の方法において、前記変換器素子が光励起素子であり、前記放射変換器を、前記変換器素子の一部のみが活性状態となるような強度の活性化放射を照射することによって操作する方法。
- 請求項5に記載の方法において、前記放射分布の照射を、前記放射変換器に前記活性化放射を照射するために中断する方法。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載の方法において、前記変換器素子を前記波長変換された測定放射の放出直後、一時的に非活性状態になるように構成し、該非活性状態において、前記変換器素子は入射放射をそれらの波長に関して変換せず、前記放射変換器の操作は、該放射変換器によって、前記変換器素子のほぼ全てが前記波長変換された測定放射を放出するように刺激されるような強度の放射で最初に照射し、これによって一時的に非活性状態になるように行い、前記放射分布は、前記変換器素子の一部のみが活性状態に戻った際、前記放射変換器に一度に照射する方法。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載の方法において、前記放射変換器はシンチレータ素子をさらに備え、該シンチレータ素子は、前記投影露光ツールによって生成された露光放射で照射されると中間波長を有する中間放射を放出し、前記活性変換器素子が、該中間放射を前記測定放射に変換する方法。
- 請求項1〜8の何れか一項に記載の方法において、前記変換器素子を蛍光素子によって形成する方法。
- 請求項1〜9の何れか一項に記載の方法において、前記決定した放射分布の波長がEUV波長域内である方法。
- 請求項1〜9の何れか一項に記載の方法において、前記決定した放射分布の波長がUV波長域内である方法。
- 請求項1〜11の何れか一項に記載の方法において、前記測定放射の放射源の個々の場所を記録するために、顕微鏡対物レンズによって前記放射源の場所を検出器上に結像し、該検出器上の放射源の場所の結像の位置を、回折によって生じた画像の拡大よりも少なくとも一桁小さい精度で決定する方法。
- 請求項1〜12の何れか一項に記載の方法において、前記測定放射源の個々の場所を決定するために、非点収差顕微鏡対物レンズによって、前記放射源の場所を検出器上に結像し、該検出器上の該結像の形状から、前記放射分布の伝播方向に関する前記放射源の場所の軸方向の位置座標を決定する方法。
- 請求項1〜13の何れか一項に記載の方法において、前記放射変換器が、溶液中に前記変換器素子を含む容器を備えている方法。
- 請求項14に記載の方法において、前記容器が、片方の側面は前記放射分布に対して透過性を持ち、もう片方の側面は前記波長変換放射に対して透過性を持つ方法。
- 請求項1〜15の何れか一項に記載の方法において、前記変換器素子を、前記放射変換器内に少なくとも二次元的にほぼ均一に分布して配置する方法。
- 請求項1〜16の何れか一項に記載の方法において、前記放射変換器は、前記変換器素子を均一に分布して配置した膜を有する方法。
- 請求項1〜17の何れか一項に記載の方法において、前記放射変換器を、前記放射分布で照射するために、前記投影露光ツールの前記結像面に導入する方法。
- リソグラフィマスクを使って生成された放射分布の局所解像測定のための方法であって、
入射をその波長に関して変換するようにそれぞれ構成された、変換器素子の少なくとも二次元の配置を有する放射変換器を提供するステップと、
投影露光ツールによって生成された前記放射分布で前記放射変換器を照射して、前記変換器素子が波長変換された測定放射を放出するようにするステップと、
超解像精度で前記測定放射から前記放射分布を決定するステップと
を含む方法。 - 放射分布の局所解像測定用装置であって、
照射された放射をその波長に関して活性状態に変換するように構成され、ほぼ均一に分布された、個々の光励起変換器素子の少なくとも二次元の配置を有する放射変換器と、
前記放射変換器の個々の変換器素子の光活性化用放射源と、
前記波長変換放射源の位置を検出する結像検出装置と
を備える装置。 - 請求項20に記載の装置において、前記変換器素子は、少なくとも二次元的にほぼ均一に分布されている装置。
- 請求項20または21に記載の装置において、前記変換器素子は、少なくとも二次元的に均一に分布されて配置されている装置。
- マイクログラフィ用投影露光ツールであって、
それぞれ活性状態と非活性状態にすることができ、投影露光ツールの露光放射のみを活性状態の波長変換された測定放射に変換するために構成された、変換器素子の少なくとも二次元の配置を有する放射変換器と、
前記測定放射の放射源の位置を検出するための結像検出装置と
を備え、
前記投影露光ツールは、前記変換器素子の一部のみが活性状態となるように、前記放射変換器を操作するように構成されたツール。 - マイクログラフィ用投影露光ツールであって、20nm以上の局所解像度で、検出面に照射される投影露光ツールの露光放射を測定するように構成された検出面を有する放射検出器を備えるツール。
- 請求項23または24に記載の投影露光ツールにおいて、請求項1〜19の何れか一項に記載の方法を実行するように構成されたツール。
- リソグラフィマスクを検査するためのマスク検査装置であって、
検査放射によって、結像面にマスク構造を結像する結像光学系と、
それぞれ活性状態と非活性状態にすることができ、マスク検査装置の検査放射をその波長に関して活性状態のみに変換するように構成された、変換器素子の少なくとも二次元の配置を有する結像面に配置された放射変換器と、
前記波長変換放射の放射源の場所を検出する結像検出装置と
を備え、
前記マスク検査装置が、前記変換器素子の一部のみが活性状態となるように、前記放射変換器を操作するように構成されたマスク検査装置。 - 請求項20〜22の何れか一項に記載の装置を使ってリソグラフィマスクを検査する、マスク検査装置。
- 請求項26または27に記載のマスク検査装置において、前記結像光学系は、前記結像側に少なくとも0.8の開口数を有するマスク検査装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010030261.9 | 2010-06-18 | ||
DE102010030261A DE102010030261A1 (de) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | Vorrichtung sowie Verfahren zum ortsaufgelösten Vermessen einer von einer Lithographie-Maske erzeugten Strahlungsverteilung |
PCT/EP2011/002933 WO2011157407A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-06-15 | Apparatus and method for the locally resolved measurement of a radiation distribution produced using a lithography mask |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013535104A true JP2013535104A (ja) | 2013-09-09 |
JP5841999B2 JP5841999B2 (ja) | 2016-01-13 |
Family
ID=44628421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013514583A Expired - Fee Related JP5841999B2 (ja) | 2010-06-18 | 2011-06-15 | リソグラフィマスクを使用して生成された放射分布の局所解像測定用装置および方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8541752B2 (ja) |
JP (1) | JP5841999B2 (ja) |
CN (1) | CN103069342B (ja) |
DE (1) | DE102010030261A1 (ja) |
TW (1) | TWI553419B (ja) |
WO (1) | WO2011157407A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010030261A1 (de) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung sowie Verfahren zum ortsaufgelösten Vermessen einer von einer Lithographie-Maske erzeugten Strahlungsverteilung |
DE102011113611B3 (de) * | 2011-09-16 | 2012-10-04 | PTW-Freiburg Physikalisch-Technische Werkstätten Dr. Pychlau GmbH | Wasserphantom und Messsystem |
US9335206B2 (en) * | 2012-08-30 | 2016-05-10 | Kla-Tencor Corporation | Wave front aberration metrology of optics of EUV mask inspection system |
DE102013210699B4 (de) * | 2013-06-07 | 2015-07-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Positionsbestimmung eines Luftbildes |
US9293298B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-03-22 | Kla-Tencor Corp. | Defect discovery and inspection sensitivity optimization using automated classification of corresponding electron beam images |
WO2016012426A1 (de) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum dreidimensionalen vermessen eines 3d-luftbildes einer lithografiemaske |
EP3505641A1 (en) * | 2015-12-18 | 2019-07-03 | Paris Sciences et Lettres - Quartier Latin | Optical device for measuring the position of an object |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08278223A (ja) * | 1995-04-03 | 1996-10-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ホトマスクの測定装置 |
JP2003031467A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Canon Inc | 投影露光装置、投影露光方法および半導体の製造方法 |
JP2006049596A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Nikon Corp | Euv露光装置 |
JP2010515952A (ja) * | 2007-01-11 | 2010-05-13 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル上のリソグラフィにおいて有意な欠陥を検出する方法 |
JP2010517278A (ja) * | 2007-01-23 | 2010-05-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 照射強度分布の測定器および測定方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6906305B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Brion Technologies, Inc. | System and method for aerial image sensing |
DE10318562A1 (de) * | 2003-04-24 | 2004-11-11 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Anordnung zur Inspektion von Objekten, insbesondere von Masken in der Mikrolithographie |
DE10332059A1 (de) * | 2003-07-11 | 2005-01-27 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Analyse von Objekten in der Mikrolithographie |
DE10335982A1 (de) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Zounek, Alexis Dr. | Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung der Abbildungseigenschaften von Fotomasken |
WO2006089724A1 (en) | 2005-02-28 | 2006-08-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Spatially resolving radiation detector and fabricating and operating methods |
US7435514B2 (en) * | 2005-05-19 | 2008-10-14 | Searete Llc | Active mask lithography |
EP2453241B1 (en) | 2005-05-23 | 2017-01-11 | Harald F. Hess | Optical microscopy with phototransformable optical labels |
DE102006021317B3 (de) | 2006-05-06 | 2007-10-11 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verfahren und Fluoreszenzlichtmikroskop zum räumlich hochauflösenden Abbilden einer Struktur einer Probe |
US7388652B2 (en) * | 2006-06-15 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Wave front sensor with grey filter and lithographic apparatus comprising same |
US7776613B2 (en) | 2006-08-07 | 2010-08-17 | President And Fellows Of Harvard College | Sub-diffraction image resolution and other imaging techniques |
DE102007043635A1 (de) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem Strahlungsdetektor zum ortaufgelösten Erfassen von elektromagnetischer Strahlung |
DE102007030403A1 (de) | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Universität Bielefeld | Verfahren zur Verbesserung der Photostabilität von Fluoreszenzfarbstoffen |
DE102009005230A1 (de) | 2008-03-05 | 2009-09-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung und Verfahren zum dynamischen Messen einer Abbildungsstabilität eines optischen Abbildungssystems |
DE102010030261A1 (de) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung sowie Verfahren zum ortsaufgelösten Vermessen einer von einer Lithographie-Maske erzeugten Strahlungsverteilung |
-
2010
- 2010-06-18 DE DE102010030261A patent/DE102010030261A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-06-15 CN CN201180039014.9A patent/CN103069342B/zh active Active
- 2011-06-15 WO PCT/EP2011/002933 patent/WO2011157407A1/en active Application Filing
- 2011-06-15 JP JP2013514583A patent/JP5841999B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-16 TW TW100121020A patent/TWI553419B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-12-18 US US13/719,021 patent/US8541752B2/en active Active
-
2013
- 2013-08-22 US US13/973,078 patent/US8822942B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08278223A (ja) * | 1995-04-03 | 1996-10-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ホトマスクの測定装置 |
JP2003031467A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Canon Inc | 投影露光装置、投影露光方法および半導体の製造方法 |
JP2006049596A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Nikon Corp | Euv露光装置 |
JP2010515952A (ja) * | 2007-01-11 | 2010-05-13 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル上のリソグラフィにおいて有意な欠陥を検出する方法 |
JP2010517278A (ja) * | 2007-01-23 | 2010-05-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 照射強度分布の測定器および測定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130105698A1 (en) | 2013-05-02 |
TW201222158A (en) | 2012-06-01 |
CN103069342A (zh) | 2013-04-24 |
TWI553419B (zh) | 2016-10-11 |
US20130334426A1 (en) | 2013-12-19 |
JP5841999B2 (ja) | 2016-01-13 |
CN103069342B (zh) | 2016-03-09 |
US8822942B2 (en) | 2014-09-02 |
DE102010030261A1 (de) | 2011-12-22 |
US8541752B2 (en) | 2013-09-24 |
WO2011157407A1 (en) | 2011-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5841999B2 (ja) | リソグラフィマスクを使用して生成された放射分布の局所解像測定用装置および方法 | |
RU2660301C2 (ru) | Флуоресцентная микроскопия высокого разрешения со структурированным пучком возбуждения | |
JP5702356B2 (ja) | 光変換可能な光学標識を用いる光学顕微鏡法 | |
JP5894180B2 (ja) | 深さ分解能が向上した顕微鏡検査 | |
KR102013083B1 (ko) | Euv 이미징을 위한 장치 및 이의 이용 방법 | |
US7675045B1 (en) | 3-dimensional imaging at nanometer resolutions | |
JP2011242768A (ja) | 光学システム、検査システムおよび製造方法 | |
CN101655463A (zh) | 物体表面上的颗粒检测 | |
US20080144006A1 (en) | Method for Measuring Topographic Structures on Devices | |
JP6667539B2 (ja) | 光遠隔測定装置 | |
CN217467336U (zh) | 基于超透镜的显微成像探头及显微成像系统 | |
Snyder et al. | Nano-patterned standards for improving the quantitative capability of laser scanning confocal microscopy for materials characterization | |
JP2015064462A (ja) | 共焦点顕微鏡 | |
JP7472134B2 (ja) | 試料の3次元領域の蛍光信号を検出するための方法および装置 | |
CN101055430A (zh) | 光刻设备、透镜干涉仪和装置制造方法 | |
TWI230845B (en) | Method of determining stray radiation, lithographic projection apparatus | |
CN107490566A (zh) | 基于二元光学元件的艾里光束光片照明显微成像装置 | |
US6689529B2 (en) | Method for measuring diffusion of photogenerated catalyst in chemically amplified resists | |
AU2001253582A1 (en) | Method for measuring diffusion of photogenerated catalyst in chemically amplified resists | |
JP4002818B2 (ja) | 測定装置 | |
JP2007078574A (ja) | 微小試料の蛍光検出方法および装置 | |
JP2024059661A (ja) | 計測光に関する物体の反射率を計測するための方法およびその方法を実行するための計量システム | |
Yang et al. | Confocal scanning fluorescence detection system and its optimization | |
Feke et al. | Method for Measuring Profiles of Photoacid Patterns in Chemically Amplified Resists | |
JP2000206300A (ja) | X線干渉顕微鏡およびx線反射鏡の検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151027 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5841999 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |