DE10332059A1 - Verfahren zur Analyse von Objekten in der Mikrolithographie - Google Patents

Verfahren zur Analyse von Objekten in der Mikrolithographie Download PDF

Info

Publication number
DE10332059A1
DE10332059A1 DE10332059A DE10332059A DE10332059A1 DE 10332059 A1 DE10332059 A1 DE 10332059A1 DE 10332059 A DE10332059 A DE 10332059A DE 10332059 A DE10332059 A DE 10332059A DE 10332059 A1 DE10332059 A1 DE 10332059A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
imaging
correction
optics
scintillator
euv
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10332059A
Other languages
English (en)
Inventor
Holger Dr. Seitz
Roman Dr. Windpassinger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMS GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMS GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMS GmbH filed Critical Carl Zeiss SMS GmbH
Priority to DE10332059A priority Critical patent/DE10332059A1/de
Priority to US10/564,282 priority patent/US20060269117A1/en
Priority to EP04740612A priority patent/EP1644775A2/de
Priority to PCT/EP2004/007267 priority patent/WO2005008335A2/de
Priority to JP2006518102A priority patent/JP2007527019A/ja
Publication of DE10332059A1 publication Critical patent/DE10332059A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70653—Metrology techniques
    • G03F7/70666—Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

Verfahren zur Analyse von Objekten in der Mikrolithographie, vorzugsweise von Masken, mittels eines Aerial Image Measurement Systems (AIMS), das aus mindestens zwei Abbildungsstufen besteht, wobei das detektierte Bild mittels eines Korrekturfilters bezüglich des Übertragungsverhaltens der zweiten oder weiterer Abbildungsstufen korrigiert wird und die Beleuchtung des Objekts in Auf- und/oder Durchlicht erfolgt, DOLLAR A wobei die Korrektur derart erfolgt, daß die korrigierten Ausgangsgrößen der Abbildung eines Photolithographie-Steppers oder -Scanners entsprechen, wobei die Korrektur durch eine Rückfaltung erfolgt und für die Korrektur gemessene oder errechnete Korrekturwerte herangezogen werden.

Description

  • Optische Abbildungssysteme lassen sich vielfach als Übertragungskette beschreiben, deren optisches Übertragungsverhalten durch das Übertragungsverhalten der einzelnen Glieder beschrieben wird. Das Übertragungsverhalten manifestiert sich im Auflösungsvermögen und wird üblicherweise durch die Punktübertragungsfunktion (engl. PSF: Point Spread Function) bzw. spektral durch die optische Übertragungsfunktion (engl. OTF: Optical Transfer Function) beschrieben [1-4].
  • Das optische Übertragungsverhalten der einzelnen Glieder ist normalerweise weitgehend durch die technischen Randbedingungen festgelegt und nur in Grenzen variabel. Andererseits ist für den messtechnischen Einsatz in der Regel ein definiertes Übertragungsverhalten erforderlich. Sind die gegebenen Randbedingungen zu einschränkend, so kann das gewünschte Übertragungsverhalten des Systems nicht mehr im geforderten Maße erreicht werden. Konsequenzen können ein geringerer Kontrast und ein geringeres Auflösungsvermögen sowie das Auftreten von Abbildungsfehlern sein.
  • Die grundlegende Anforderung an ein AIMS (Aerial Imaging Measurement System) besteht darin, die OTF eines Photolithographie-Steppers oder -Scanners möglichst gut nachzubilden. Eine Abweichung der OTF führt zu Fehlern in den Messergebnissen und ihrer Bewertung. Üblicherweise wird hier die erste Vergrößerungsstufe so ausgelegt, dass ihre OTF die Stepper-OTF nachbildet, während das Auflösungsvermögen der nachfolgenden Glieder nach Möglichkeit so hoch gewählt wird, dass die System-OTF nur noch in vernachlässigbarem Maße beeinträchtigt wird. In der Praxis beschränken jedoch die technischen und/oder finanziellen Randbedingungen die erreichbare Übereinstimmung mit der Stepper-OTF.
  • Literatur
    • [1] M. Born et al. „Principles of Optics" (Cambridge University Press , 1999)
    • [2] J.W. Goodman „Introduction to Fourier Optics" (McGraw Hill Book Co Ltd, 2000)
    • [3] T.L. Williams "The Optical Transfer Function of Imaging Systems", Publisher: Institute of Physics (1999)
    • [4] G.D. Boreman "Modulation Transfer Function in Optical and Electro-Optical Systems" (Tutorial Texts in Optical Engineering Vol. TT52), Publisher: SPIE – The International Society of Optical Engineering (2001)
    • [5] H. Naumann, G. Schröder "Bauelemente der Optik" (Carl Hanser Verlag München Wien, 1992)
    • [6] D. Murata (Hrsg.) "Ein Apparat zur Messung von Übertragungsfunktionen optischer Systeme", Optik 17 (1960)
    • [7] K.-J. Rosenbruch, K. Rosenhauer "Messung der optischen Übertragungsfunktionen nach Amplitude und Phase mit einem halbautomatischen Analysator", Optik 21 (1964)
    • [8] A. Bigelmaier et al. "Ein Gerät zur Messung der Übertragungsfunktionen und Spaltbilder von Photoobjektiven", Optik 26 (1967/68)
    • [9] E. Hecht „Optik" (Oldenbourg Verlag München Wien, 2001)
    • [10] LaFontaine et al. "Submicron soft X-ray fluorescence imaging" Appl.Phys.Lett. 282 B, 1995.
    • [11] US Patent 5,498,923 03/1996, La Fontaine et al. „Fluoresence Imaging"
    • [12] US Patent 6,002,740 12/1999, Cerrina et al. „Method and Apparatus for x-ray and extreme ultraviolet inspection of lithography masks and other objects"
  • Erfinderische Lösung:
  • Das beschriebene Problem wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Ausgangsgrößen des AIMS-Systems (Aerial Images) in einer zusätzlichen Bearbeitungsstufe hinsichtlich des Übertragungsverhaltens so korrigiert werden, dass die korrigierten Ausgangsgrößen der Abbildung eines Photolithographie-Steppers/-Scanners mit der gewünschten System-OTF entspricht.
  • Insbesondere wird der Fall vorausgesetzt,
    • • dass die Ausgangsgröße ein diskretes oder analoges elektronisches Signal oder ein entsprechender digitaler Datensatz ist (z. B. die Pixelwerte eines CCD-Array-Detektors);
    • • dass das gewünschte Übertragungsverhalten (mit der OTF: Gsoll) durch mindestens eines der Übertragungsglieder bereits vorgegeben ist;
    • • dass das Auflösungsvermögen der störenden Glieder (mit der OTF: Gstör) höher ist, als jenes des gewünschten korrigierten Systems.
  • Die Korrektur besteht erfindungsgemäß in einer Filterung der Ausgangsgröße, bei welcher der Anteil der störenden Übertragungsglieder am Übertragungsverhalten kompensiert wird. Mögliche technische Realisierungen:
    • • Elektronische Schaltung (analoges oder diskretes Filter)
    • • Algorithmische Korrektur mittels Software in einem Digitalrechner (μC, PC, DSP, etc.)
  • Grundprinzip:
  • Im Folgenden werden ortsraum-abhängige Größen durch Kleinbuchstaben und ihre jeweiligen Fouriertransformierten durch Großbuchstaben gekennzeichnet. Als Beispiel sei hier die PSF (Bezeichnung: g(x,y)) und ihre Fouriertransformierte, die OTF (Bezeichnung: G(fx,fy)), genannt.
  • Lässt sich das Übertragungsverhalten in hinreichender Näherung durch ein lineares System mit N Gliedern beschreiben, so ergibt sich die OTF des Systems als Produkt der OTFs der einzelnen Übertragungsglieder und die PSF des Systems als Faltungsprodukt der PSFs der einzelnen Glieder. Allgemein gilt, dass die OTF das Spektrum der PSF, also ihre Fouriertransformierte ist. Bei einer zweidimensionalen Abbildung ist die OTF des Systems demgemäß
    Figure 00030001
    bzw. die PSF des Systems gSystem(x,y) = g1(x,y)·g2(x,y)·...·gN(x,y) = gSoll(x,y)·gStör(x,y) d.h. gStör(x,y) = g2(x,y)·...·gN(x,y)mit "·" dem Faltungsoperator. Unter der Voraussetzung, dass
    GStör(fx,fy) ≠ 0 für alle (fx,fy), bei denen GSoll(fx,fy) ≠ 0,
    lässt sich das Korrekturfilter angeben zu
    GFilter(fx,fy) = [GStör(fx,fy)]–1 für alle (fx,fy) mit GStör(fx,fy) ≠ 0, und GFilter(fx,fy) = c sonst,
    mit c einer beliebigen Konstanten. Die Filterung liefert damit theoretisch GSystem(fx,fy)·GFilter(fx,fy) = GSoll(fx,fy)
  • Die Filterung lässt sich auch als Faltung im Ortsbereich durchführen: gSystem(x,y)·gFilter(x,y) = gSoll(x,y) mit der Filterfunktion gFilter(x,y) = FT–1{GFilter(fx,fy)} FT–1{...} ist die (inverse) Fouriertransformation.
  • Neben der o. g. Filterfunktion sind auch andere Funktionen denkbar, welche das Gesamtübertragungsverhalten nicht ändern, aber ggf. günstigere Eigenschaften beispielsweise im Hinblick auf Rauschen aufweisen. Beispiel:
    GFilter(fx,fy) = [GStör(fx,fy)]–1 für alle (fx,fy) bei denen GSoll(fx,fy)·GStör(fx,fy) ≠ 0,
    und
    GFilter(fx,fy) = 0 sonst.
  • Die dargestellte Vorgehensweise gilt sinngemäß für ein- oder mehr-dimensionale Abbildungen. Außerdem ist prinzipiell denkbar, eine Spektraldarstellung zu wählen, die nicht auf der Fouriertransformation beruht, wie zum Beispiel die Z-Transformation...
  • Bei realen Abbildungssystemen variiert die OTF mehr oder weniger über dem Bildbereich. Derartige Variationen lassen sich näherungsweise dadurch berücksichtigen, dass man für mehrere geeignet gewählte Teilbereiche die entsprechenden Filterfunktionen aufstellt und die Ergebnisse der zugehörigen Filterungen gewichtet überlagert.
    •
  • In 1 ist schematisch das erfinderische Prinzip dargestellt.
  • Das Abbildungssystem für ein Objekt, das durch seine Objektintensität i0(x,y) charakterisiert ist, besteht aus N Stufen G1...GN, die jeweils durch eine Übertragungsfunktion gekennzeichnet sind.
  • Das entstehende Bild, charakterisiert durch eine Signalverteilung s(x,y) wird mittels eines Korrekturfilters korrigiert, indem eine Rückfaltung für die Stufen G2...GN des Abbildungssystemes erfolgt.
  • Das Ergebnis ist ein korrigiertes Bild mit einer Bildsignalverteilung sk(x,y).
  • Im Folgenden wird als Ausführungsbeispiel ein System beschrieben (siehe 2) das in zwei Abbildungsstufen aufgeteilt ist, die den Übertragungsfunktionen G1, G2 in 1 entsprechen.
  • Es ist das Abbildungsprinzip (ohne EUV-Beleuchtungseinheit) eines zweistufigen EUV-VIS-AIMS (Aerial Imaging Measurement System) dargestellt, um eine Maske zur Halbleiterherstellung zu untersuchen. Die Beleuchtung kann über Auflicht, wie hier bei EUV-Beleuchtung, aber auch über Durchlicht erfolgen.
  • Das Objekt (hier eine Maskenstruktur) wird über ein EUV-Objektiv auf einen Szintillator abgebildet (Zwischenbild), der die EUV-Wellenlänge in sichtbares Licht umwandelt. Über die anschließende VIS-Optik wird das Zwischenbild auf eine CCD-Kamera übertagen.
  • Darin sind i0(x,y): Objektintensität
    i1(x,y): Ausgangsintensität von Stufe 1 (Zwischenbild)
    s(x,y): gemessenes Bildsignal (Ausgangsgröße von Stufe 2)
  • Im Falle des oben genannnten AIMS sind GAIMS(fx,fy) = GSystem(fx,fy) = G1(fx,fy)·G2(fx,fy)mit GSoll(fx,fy) = G1(fx,fy) = GStepper(fx,fy) (Stufe 1)und GStör(fx,fy) = G2(fx,fy) (Diese Stufe 2 kann z.B. zusammengesetzt aus einem Anteil der VIS-Optik und einem Anteil der CCD Kamera sein).
  • G1(fx,fy) ist die OTF der ersten Vergrößerungsstufe, mit welcher das Übertragungsverhalten eines Steppers nachgebildet wird. Unter G2(fx,fy) sind die OTF der nachfolgenden Stufen, z. B. Nachvergrößerungsstufe(n), Bildwandlerschichten, CCD-Array-Detektor, etc. zusammengefasst.
  • Die Abbildung durch Stufe 2 ist durch ein Faltungsprodukt darstellbar: s(x,y) = g2(x,y)·i1(x,y)
  • Äquivalent: Das Bildspektrum S(fx,fy) ist als Produkt darstellbar: S(fx,fy) = G2(fx,fy)·I1(fx,fy)
  • Darin sind g2(x,y) die Impulsantwort und G2(fx,fy) die Übertragungsfunktion von Stufe 2.
  • Das Auflösungsvermögen von Stufe 2 ist größer als jenes von Stufe 1.
  • M.a.W.: Die obere Grenzfrequenz von Stufe 2 ist größer als jene von Stufe 1.
  • D.h. |G2(fx,fy)| > 0 für alle Punkte (fx,fy) unterhalb der oberen Grenzfrequenz von Stufe 1 (ggf. mit Ausnahme einzelner Punkte (fx,fy), bei denen |G2(fx,fy)| = 0 (?)).
  • g2(x,y) oder G2(fx,fy) sind zahlenmäßig hinreichend genau bekannt, sei es durch Messung oder Berechnung auf der Grundlage der Geräteparameter.
  • Die Intensität i1(x,y) soll erfindungsgemäß aus s(x,y) rekonstruiert werden.
  • Beispiele zur Bestimmung der Übertragungsfunktion von Systemen
    • • Konkretes rechnerisches Beispiel: Für eine ideale, d. h. abbildungsfehlerfreie, inkohärente Abbildung mit Kreisapertur ergibt sich die Verteilung der Bestrahlungsstärke in der Bildebene s(x,y) durch Faltung der Bestrahlungsstärkeverteilung in der Objektebene i0(x,y) und der normierten Punktverwaschungsfunktion gi:
      Figure 00060001
      (NA: numerische Apertur λ: Wellenlänge J1: Besselfunktion erster Ordnung) Die zugehörige OTF G; dieser idealen inkohärenten Abbildung beträgt:
      Figure 00060002
      Somit ergibt sich der Korrekturfilter einer idealen inkohärenten Abbildung zu GFilter(fx,fy) = [Gi(fx,fy)]–1 für alle (fx,fy) bei denen Gi(fx,fy) ≠ 0, und GFilter(fx,fy) = 0 sonst. Abbildungsfehler können z. B. durch Multiplikation der inkohärenten OTF mit einem Phasenterm
      Figure 00070001
      erfasst werden. In der Literatur [3-5] sind Berechnungen weiterer Systeme, wie z. B. die ideale inkohärente Abbildung mit Rechteckapertur, Bildwandlerschichten, CCD-Kamera-Arrays, Multichannel-Plates usw. bekannt.
    • • Zur Messung der Übertragungsfunktion wurden verschiedene Verfahren entwickelt, siehe z. B. [3-8]. Es ist zu beachten, dass die Übertragungsfunktion eines Systems oder Teilsystems z. B. von der Wellenlänge und der numerischen Apertur abhängt. Es kann entweder die Übertragungsfunktion für alle verwendeten Systemeinstellung gemessen werden oder die gemessene Übertragungsfunktion einer (oder weniger) Systemeinstellungen) auf die anderen Systemeinstellungen extrapoliert werden.
  • Lösung: Kompensation der Impulsantwort g2(x,y)
    • • Mathematische Realisierung: – Kompensation im Spektralbereich: 1. Fouriertransformation: S(fx,fy) = F{s(x,y)} 2. Division durch G2(fx,fy): S'(fx,fy) = S(fx,fy)/G2(fx,fy) 3. Rücktransformation: sk(x,y) = F–1{S'(fx,fy)} Eine Entfaltung im Ortsbereich ist durch einen iterativen Algorithmus ebenfalls möglich.
    • • Bei Berücksichtigung einer Vergrößerung M bei Stufe 2 verändern sich die Koordinatenwerte i1 in i1' i2(x,y) = g2(x,y)·i1'(x,y), mit i1'(x,y) = i1(x/M,y/M) bzw. I2(fx,fy) = G2(fx,fy)·I1'(fx,fy), mit I1'(fx,fy) = |M|·I1(M·fx,M·fy) (Fouriertransformation)
    • • Stufe 2 ist i. a. selbst als als ein zusammengesetztes System anzusehen.
    • • Stufe 2 muss nicht notwendigerweise ein wellenoptisches Teilsystem enthalten. Im einfachsten Fall besteht sie nur aus dem Detektor (CCD-Array o.ä.).
    • • Die Abbildung durch Stufe 2 verhält sich mathematisch analog zu einer inkohärenten optischen Abbildung, bei der die Ausgangsintensität durch Faltung der Eingangsintensität mit der PSF entsteht.
  • Beispiel: Kompensation der Impulsantwort g2(x,y) durch Korrektur mit einem berechneten Filter (siehe 3-5)
    • • 3 zeigt den berechneten Querschnitt einer Objektstruktur-Intensität i0(x,y) (3 Linien einer Breite in nm und Abstand in nm) als Funktion des Ortes, sowie die zugehörigen Bildintensitäten der ersten Abbildungsstufe i1(x,y), des Gesamtsystems s(x,y) und des korrigierten Systems sk(x,y), wobei folgende Abbildungsparameter verwendet wurden: Wellenlänge, numerische Apertur, Sigma. Für das Störglied (zweite Abbildungsstufe) wurde eine ideales VIS-Objektiv angenommen. In 4 ist deutlich zu erkennen, dass die Intensitäten der ersten Abbildungsstufe (Soll) sehr guter mit den Intensitäten des korrigierten Systems übereinstimmen.
    • • 4 zeigt die zu 4 zugehörigen Betragsspektren der OTF der ersten Abbildungsstufe G1(fx,fy), der zweiten Abbildungsstufe G2(fx,fy), des Gesamtsystems GAIMS(fx,fy) = G1(fx,fy)·G2(fx,fy) und des korrigierten Systems Gk(fx,fy). Auch hier ist deutlich zu erkennen, dass das Betragsspektrum der OTF der ersten Abbildungsstufe (Soll) sehr guter mit der des korrigierten Systems übereinstimmt.
    • • 5 zeigt das zu Abbildungen 4+5 zugehörige Betragsspektrum des Korrekturfilters GFilter(fx,fy) = 1/G2(fx,fy).
  • Vorteile der Erfindung:
    • 1.) Geringeres Auflösungsvermögen für nachfolgende Störglieder ausreichend, z. B. • kleinere numerische Apertur der VIS-Optik des obengenannten Ausführungsbeispiels oder • größere Wellenlänge der VIS-Optik des obengenannten Ausführungsbeispiels ausreichend • Bei der EUV-/VIS-Lösung ist keine Indexanpassung zwischen Szintillator und VIS-Optik (vgl. auch [10+11]) nötig um mittels AIMS die Stepper-Abbildung zu emulieren.
    • 2.) Technisch einfacher zu realisieren und damit preisgünstiger
    • 3.) CCD mit größeren Pixeln oder Binning verwendbar ⇒ bei kürzerer Zeit geringeres Rauschen ⇒ höherer Durchsatz durch kürzere Belichtungszeit
    • 4.) Gesamtvergrößerung geringer wählbar ⇒ höherer Durchsatz durch größeres Bildfeld

Claims (8)

  1. Verfahren zur Analyse von Objekten in der Mikrolithographie, vorzugsweise von Masken, mittels eines Aerial Image Measurement Systems (AIMS), das aus mindestens zwei Abbildungsstufen besteht, wobei das detektierte Bild mittels eines Korrekturfilters bezüglich des Übertragungsverhaltens der zweiten oder weiterer Abbildungsstufen korrigiert wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Beleuchtung des Objekts in Auf und/oder Durchlicht erfolgt.
  3. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Korrektur derart erfolgt, dass die korrigierten Ausgangsgrößen der Abbildung eines Photolithographie-Steppers oder Scanners entspricht.
  4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Korrektur durch eine Rückfaltung erfolgt.
  5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei für die Korrektur gemessene Korrekturwerte herangezogen werden.
  6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei für die Korrektur errechnete Korrekturwerte herangezogen werden.
  7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Korrektur über eine elektronische Schaltung mittels eines analoges oder digitalen Filters oder eine algorithmische Korrektur mittels Software in einem Digitalrechner erfolgt.
  8. AIMS-System zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorangehenden Ansprüche, mit mindestens folgenden Bestandteilen: a) eine erste Abbildungsstufe bestehend aus: – EUV-Abbildungsoptik mit Spiegeln, insbesondere Schwarzschildobjektiv, insbesondere sphärisch oder asphärisch und/oder EUV-Abbildungsoptik mit Zonenplatten und/oder X-Ray-Abbildungsoptik mit Spiegeln insbesondere Schwarzschildobjektiv , insbesondere sphärisch oder asphärisch und/oder X-Ray-Abbildungsoptik mit Zonenplatten und/oder UV-Abbildungsoptik mit diffraktiver Optik (Linsen, Strahlteiler, Prismen, Gitter...) Sowie b) mindestens eine zweite Abbildungsstufe, bestehend aus UV-Abbildungsoptiken mit diffraktiver Optik (Linsen, Strahlteiler, Prismen, Gitter...) und/oder VIS-Abbildungsoptiken mit diffraktiver Optik (Linsen, Strahlteiler, Prismen, Gitter...) und/oder Elektronenmikroskop (Photoelektronenmikroskop PEEM) und/oder Bildwandler bestehend aus EUV/VIS-Szintillator und/oder EUV/UV-Szintillator und/oder X-Ray/VIS-Szintillator und/oder X-Ray/UV-Szintillator und/oder UV/VIS-Szintillator und/oder Photokathode: Umwandlung von Photonen (X-Ray, EUV, UV) in Elektronen und/oder Faseroptik und/oder Kamera und/oder Mikrolinsenarray auf Kamera oder Szintillator und/oder Verstärkerelementen (Multichannelplate)
DE10332059A 2003-07-11 2003-07-11 Verfahren zur Analyse von Objekten in der Mikrolithographie Withdrawn DE10332059A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10332059A DE10332059A1 (de) 2003-07-11 2003-07-11 Verfahren zur Analyse von Objekten in der Mikrolithographie
US10/564,282 US20060269117A1 (en) 2003-07-11 2004-07-03 Method for analysis of objects in microlithography
EP04740612A EP1644775A2 (de) 2003-07-11 2004-07-03 Verfahren zur analyse von objekten in der mikrolithographie
PCT/EP2004/007267 WO2005008335A2 (de) 2003-07-11 2004-07-03 Verfahren zur analyse von objekten in der mikrolithographie
JP2006518102A JP2007527019A (ja) 2003-07-11 2004-07-03 マイクロリトグラフィーにおける対象物の分析方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10332059A DE10332059A1 (de) 2003-07-11 2003-07-11 Verfahren zur Analyse von Objekten in der Mikrolithographie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10332059A1 true DE10332059A1 (de) 2005-01-27

Family

ID=33547017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10332059A Withdrawn DE10332059A1 (de) 2003-07-11 2003-07-11 Verfahren zur Analyse von Objekten in der Mikrolithographie

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20060269117A1 (de)
EP (1) EP1644775A2 (de)
JP (1) JP2007527019A (de)
DE (1) DE10332059A1 (de)
WO (1) WO2005008335A2 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007047924A1 (de) 2007-02-23 2008-08-28 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur automatischen Detektion von Fehlmessungen mittels Qualitätsfaktoren
DE102007000981A1 (de) 2007-02-22 2008-08-28 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von Strukturen auf einer Maske und zur Berechnung der aus den Strukturen resultierenden Strukturen in einem Photoresist
DE102007041939A1 (de) * 2007-09-04 2009-03-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren für die XUV-Mikroskopie
DE102008002873A1 (de) * 2008-05-30 2009-12-17 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zum Auffinden eines Gebiets minimaler Lensdistortion eines Objektivs und Verwendung des Verfahrens bei einer Koordinaten-Messmaschine
DE102009038558A1 (de) * 2009-08-24 2011-03-10 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zur Emulation eines fotolithographischen Prozesses und Maskeninspektionsmikroskop zur Durchführung des Verfahrens
DE102010030261A1 (de) * 2010-06-18 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung sowie Verfahren zum ortsaufgelösten Vermessen einer von einer Lithographie-Maske erzeugten Strahlungsverteilung

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7995832B2 (en) * 2007-01-11 2011-08-09 Kla-Tencor Corporation Photomask inspection and verification by lithography image reconstruction using imaging pupil filters
US10469777B2 (en) 2015-03-23 2019-11-05 Techinsights Inc. Methods, systems and devices relating to distortion correction in imaging devices
CN108734177B (zh) * 2018-05-17 2021-06-29 中国人民解放军陆军工程大学 双步相关滤波目标跟踪方法
DE102019206651B4 (de) * 2019-05-08 2022-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum dreidimensionalen Bestimmen eines Luftbildes einer Lithographiemaske

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6272236B1 (en) * 1998-02-24 2001-08-07 Micron Technology, Inc. Inspection technique of photomask
US20020041377A1 (en) * 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
US6466315B1 (en) * 1999-09-03 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Method and system for reticle inspection by photolithography simulation
US20020186879A1 (en) * 2001-06-07 2002-12-12 Shirley Hemar Alternating phase-shift mask inspection method and apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4633504A (en) * 1984-06-28 1986-12-30 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection system having image enhancement means
US5576829A (en) * 1990-10-08 1996-11-19 Nikon Corporation Method and apparatus for inspecting a phase-shifted mask
US5789118A (en) * 1992-08-21 1998-08-04 Intel Corporation Method and apparatus for precision determination of phase-shift in a phase-shifted reticle
US5700602A (en) * 1992-08-21 1997-12-23 Intel Corporation Method and apparatus for precision determination of phase-shift in a phase-shifted reticle
US5498923A (en) * 1994-01-05 1996-03-12 At&T Corp. Fluoresence imaging
US6002740A (en) * 1996-10-04 1999-12-14 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for X-ray and extreme ultraviolet inspection of lithography masks and other objects
US7120285B1 (en) * 2000-02-29 2006-10-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method for evaluation of reticle image using aerial image simulator
DE10230755A1 (de) * 2002-07-09 2004-01-22 Carl Zeiss Jena Gmbh Anordnung zur Herstellung von Photomasken

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6272236B1 (en) * 1998-02-24 2001-08-07 Micron Technology, Inc. Inspection technique of photomask
US6466315B1 (en) * 1999-09-03 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Method and system for reticle inspection by photolithography simulation
US20020041377A1 (en) * 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
US20020186879A1 (en) * 2001-06-07 2002-12-12 Shirley Hemar Alternating phase-shift mask inspection method and apparatus

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007000981A1 (de) 2007-02-22 2008-08-28 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von Strukturen auf einer Maske und zur Berechnung der aus den Strukturen resultierenden Strukturen in einem Photoresist
DE102007000981B4 (de) 2007-02-22 2020-07-30 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von Strukturen auf einer Maske und zur Berechnung der aus den Strukturen resultierenden Strukturen in einem Photoresist
DE102007047924A1 (de) 2007-02-23 2008-08-28 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur automatischen Detektion von Fehlmessungen mittels Qualitätsfaktoren
DE102007047924B4 (de) * 2007-02-23 2013-03-21 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Verfahren zur automatischen Detektion von Fehlmessungen mittels Qualitätsfaktoren
DE102007041939A1 (de) * 2007-09-04 2009-03-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren für die XUV-Mikroskopie
DE102008002873A1 (de) * 2008-05-30 2009-12-17 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zum Auffinden eines Gebiets minimaler Lensdistortion eines Objektivs und Verwendung des Verfahrens bei einer Koordinaten-Messmaschine
DE102009038558A1 (de) * 2009-08-24 2011-03-10 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zur Emulation eines fotolithographischen Prozesses und Maskeninspektionsmikroskop zur Durchführung des Verfahrens
US8913120B2 (en) 2009-08-24 2014-12-16 Carl Zeiss Sms Gmbh Method for emulation of a photolithographic process and mask inspection microscope for performing the method
DE102010030261A1 (de) * 2010-06-18 2011-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung sowie Verfahren zum ortsaufgelösten Vermessen einer von einer Lithographie-Maske erzeugten Strahlungsverteilung
US8541752B2 (en) 2010-06-18 2013-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Apparatus and method for the locally resolved measurement of a radiation distribution produced using a lithography mask
US8822942B2 (en) 2010-06-18 2014-09-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure tool for microlithography with a radiation detector detecting radiation with high resolution over a two-dimensional area

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007527019A (ja) 2007-09-20
WO2005008335A2 (de) 2005-01-27
US20060269117A1 (en) 2006-11-30
EP1644775A2 (de) 2006-04-12
WO2005008335A3 (de) 2005-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102018210315B4 (de) Verfahren zur Erfassung einer Struktur einer Lithografiemaske sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE60209306T2 (de) Verfahren zur Identifizierung von Regionen extremer Wechselwirkung, Verfahren zum Entwerfen von Maskenmustern und zur Herstellung von Masken, Verfahren zur Herstellung von Elementen und Computerprogramme
DE102012106584B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bildrekonstruktion
EP1631809B1 (de) Verfahren zur bestimmung der abbildungsgüte eines optischen abbildungssystems
DE102008019341A1 (de) Verfahren zur Analyse von Masken für die Photolithographie
WO2008025433A2 (de) Verfahren und vorrichtung zur ortsaufgelösten bestimmung der phase und amplitude des elektromagnetischen feldes in der bildebene einer abbildung eines objektes
DE102015218917B4 (de) Verfahren zur Ermittlung einer Position eines Strukturelements auf einer Maske und Mikroskop zur Durchführung des Verfahrens
EP1920227A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur interferometrischen messung von phasenmasken
EP3447559B1 (de) Hochauflösende 2d-mikroskopie mit verbesserter schnittdicke
EP3172611B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum abbilden eines objekts
DE102020211380A1 (de) Verfahren zum superauflösenden Auswerten von strukturiert beleuchteten Mikroskopbildern und Mikroskop mit strukturierter Beleuchtung
DE10332059A1 (de) Verfahren zur Analyse von Objekten in der Mikrolithographie
DE102020122605A1 (de) Verfahren, Bildverarbeitungseinheit und Laserscanningmikroskop zum hintergrundreduzierten Abbilden einer Struktur in einer Probe
DE10250568A1 (de) Verfahren zur Verbesserung der Tiefendiskriminierung optisch abbildender Systeme
EP1963812B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur untersuchung des abbildungsverhaltens einer abbildungsoptik
DE102004030961A1 (de) Verfahren zum Bestimmen einer Matrix von Transmissionskreuzkoeffizienten bei einer optischen Näherungskorrektur von Maskenlayouts
DE102018202637B4 (de) Verfahren zur Bestimmung einer Fokuslage einer Lithographie-Maske und Metrologiesystem zur Durchführung eines derartigen Verfahrens
DE102019208552A1 (de) Verfahren zum Ermitteln eines Produktions-Luftbildes eines zu vermessenden Objektes
DE102022212750A1 (de) Verfahren zum dreidimensionalen Bestimmen eines Luftbildes eines Messobjekts mithilfe eines Metrologiesystems sowie Metrologiesystem zur Durchführung des Bestimmungsverfahrens
EP3709257B1 (de) Verfahren zur dekonvolution von bilddaten
EP1273878B1 (de) Verfahren zur Detektion eines Objektes mit unterschiedlichen Auflösungen
DE102020123668A1 (de) Verfahren zur Bildauswertung für die SIM-Mikroskopie und SIM-Mikroskopieverfahren
DE10258371B4 (de) Verfahren zur Inspektion von periodischen Gitterstrukturen auf Lithographiemasken
DE102014000454A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Emulation der Abbildung von Masken, welche durch lokale Dichtevariationen korrigiert wurden
DE10027132A1 (de) Verfahren und System der Mehrband-UV (ultraviolett)-Lichtillumination von Wafern für optische Mikroskopwaferprüfsysteme und -meßsysteme

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8141 Disposal/no request for examination