JP2013532307A5 - - Google Patents

Description

判断ブロック１５２０において欠陥が吸収体層７６０の欠陥ではないことが検出された場合には、１５４０において、フォトリソグラフィマスク８００の面が電子９２０で走査され、後方散乱電子及び／又は発生光子が測定及び分析される。ブロック１５５０では、このデータセットからフォトリソグラフィマスク８００の性能が判断される。この性能判断は、例えば、走査電子顕微鏡９００の計算手段１０１０によって実施することができる。次に、判断ブロック１５６０において、フォトリソグラフィマスク８００の判断された性能と所定の性能の間の相違が、識別された多層構造欠陥の修復を必要とするか否かが判断される。欠陥の修復が必要ではない場合には、多層構造又はＭｏＳｉ構造の識別された欠陥に対してそれ以上いずれの手順も必要とされず、本方法は、ブロック１５９０で終了する。多層構造欠陥を修復する必要がある場合には、ブロック１５７０において補償修復が計算される。例えば、この計算は、ここでもまた走査電子顕微鏡９００の計算手段１０１０によって実施することができる。計算修復は、フォトリソグラフィマスク８００の吸収体層７６０を多層構造内の欠陥を補償するように変更する。最後に、ブロック１５８０において、ここでもまた走査電子顕微鏡９００の電子ビーム９２０を用いて、かつ前駆体ガスをノズル１０２０、１０３０を通じて供給することによって補償修復が実施され、本方法は、識別された多層欠陥に関してブロック１５９０で終了する。

Claims (15)

1. 露光波長でのフォトリソグラフィマスクの性能を判断する方法であって、
   ａ．フォトリソグラフィマスクの少なくとも一部分にわたって少なくとも１つの電子ビームを走査する段階と、
   ｂ．前記少なくとも１つの電子ビームが前記フォトリソグラフィマスクの前記少なくとも一部分と相互作用することによって発生する信号を測定する段階と、
   を含み、
   前記信号は、前記フォトグラフィマスクが欠陥を含む場合には、欠陥の位置情報を含み、さらに、前記方法は、
   ｃ．測定された前記信号に基づいて露光波長での前記フォトリソグラフィマスクの前記少なくとも一部分の性能を判断する段階と、
   ｄ．判断された前記性能と、所定の性能との間の相違に基づいて、欠陥の修復を必要とするものか否かを判断する段階と、
   を含むことを特徴とする方法。
2. 複数のビームエネルギによって前記少なくとも１つの電子ビームを走査する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記フォトリソグラフィマスクは、反射フォトリソグラフィマスクを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の方法。
4. 前記フォトリソグラフィマスクは、極紫外（ＥＵＶ）露光波長、特に１３．５ｎｍ付近の波長に対するフォトリソグラフィマスクを含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の方法。
5. 信号を測定する段階は、電子の測定段階、特に後方散乱電子の測定段階を含み、
   後方散乱電子の測定段階は、後方散乱電子の収量の測定段階及び／又は後方散乱電子のエネルギ分布を測定する段階を含む、
   ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の方法。
6. 信号を測定する段階は、光子の測定段階、特にエネルギ分散Ｘ線分光測定（ＥＤＸ）を用いて光子を測定する段階を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の方法。
7. 信号を測定する段階は、電子の測定段階及び光子の測定段階、特に、後方散乱電子の測定段階及びエネルギ分散Ｘ線分光測定を用いる光子の測定段階を含むことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の方法。
8. 前記電子ビームが前記フォトリソグラフィマスクの前記部分と相互作用することによって発生する信号を模擬する段階、及び模擬信号と測定信号を評価して前記露光波長での該フォトリソグラフィマスクの該部分の前記性能を判断する段階を更に含むことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の方法。
9. 前記フォトリソグラフィマスクの一部分の前記露光波長での前記性能の欠陥を該フォトリソグラフィマスクの異なる部分の測定信号を評価することによって及び／又は測定信号と模擬信号を評価することによって判断する段階を更に含むことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の方法。
10. 前記少なくとも１つの電子ビームを使用することによって前記欠陥を補正する段階を更に含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
11. 前記欠陥は、前記フォトリソグラフィマスクの吸収体層の補償修復によって修復される該フォトリソグラフィマスクの多層構造の欠陥であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
12. 前記露光波長での前記フォトリソグラフィマスクの前記修復部分の性能を判断するために請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の方法を使用する段階を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
13. 露光波長でのフォトリソグラフィマスクの性能を判断するための装置であって、
    ａ．少なくとも１つの電子ビームを発生させるための少なくとも１つの電子源と、
    ｂ．フォトリソグラフィマスクの少なくとも一部分にわたって前記少なくとも１つの電子ビームを走査するための少なくとも１つの調節手段と、
    ｃ．前記少なくとも１つの電子ビームが前記フォトリソグラフィマスクの前記少なくとも一部分と相互作用することによって発生する信号を測定するための少なくとも１つの検出器であって、前記信号は、前記フォトグラフィマスクが欠陥を含む場合には、欠陥の位置情報を含む検出器と、
    ｄ．測定された前記信号に基づいて前記露光波長での前記フォトリソグラフィマスクの前記少なくとも一部分の性能を判断し、判断された前記性能と、所定の性能との間の相違に基づいて、欠陥の修復を必要とするものか否かを判断するための少なくとも１つの計算手段と、
    を含むことを特徴とする装置。
14. 前記少なくとも１つの電子源は、複数のエネルギによって電子ビームを発生させるように作動可能であることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
15. 前記電子ビームが前記フォトリソグラフィマスクに当たる位置で少なくとも１つの前駆体ガスを供給するための少なくとも１つの手段を更に含むことを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の装置。