NL1027836C2 - Meerlagenspiegel voor straling in het zachte-röntgen- en XUV-golflengtegebied. - Google Patents

Meerlagenspiegel voor straling in het zachte-röntgen- en XUV-golflengtegebied. Download PDF

Info

Publication number
NL1027836C2
NL1027836C2 NL1027836A NL1027836A NL1027836C2 NL 1027836 C2 NL1027836 C2 NL 1027836C2 NL 1027836 A NL1027836 A NL 1027836A NL 1027836 A NL1027836 A NL 1027836A NL 1027836 C2 NL1027836 C2 NL 1027836C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
layers
layer
scattering particles
radiation
layer mirror
Prior art date
Application number
NL1027836A
Other languages
English (en)
Inventor
Jan Verhoeven
Marcus Jozef Henricus Kessels
Original Assignee
Stichting Fund Ond Material
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stichting Fund Ond Material filed Critical Stichting Fund Ond Material
Priority to NL1027836A priority Critical patent/NL1027836C2/nl
Priority to AT05825377T priority patent/ATE392701T1/de
Priority to DE602005006161T priority patent/DE602005006161T2/de
Priority to EP05825377A priority patent/EP1829052B1/en
Priority to US11/720,541 priority patent/US20090141342A1/en
Priority to PCT/NL2005/000860 priority patent/WO2006068464A1/en
Application granted granted Critical
Publication of NL1027836C2 publication Critical patent/NL1027836C2/nl

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/062Devices having a multilayer structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

MEERLAGENSPIEGEL VOOR STRALING IN HET ZACHTE-RÖNTGEN- EN XUV-GOLFLENGTEGEBIED
De uitvinding heeft betrekking op een meerlagenspiegel voor straling met een golflengte in het golflengtegebied tussen 0,1 nm en 30 nm, omvattend een stapeling van dunne films die in hoofdzaak verstrooiende deeltjes bevatten die de 5 straling verstrooien, welke dunne films zijn gescheiden door scheidingslagen met een dikte in de orde van grootte van de golflengte van de straling, welke scheidingslagen in hoofdzaak niet-verstrooiende deeltjes bevatten die de straling niet althans in mindere mate dan de verstrooiende 10 deeltjes verstrooien. Het golflengtegebied tussen 0,1 nm en 30 nm omvat het zachte-röntgengebied (golflengte tussen 0,1 nm en 10 nm) en een deel van het zogenaamde XUV-gebied (golflengte tussen 10 nm en 100 nm).
Meerlagenspiegels voor straling met een golflengte in het 15 golflengtegebied tussen 0,1 nm en 30 nm worden toegepast als optische elementen in opstellingen in laboratoria en productiefaciliteiten, bijvoorbeeld voor lithografie in het golflengtegebied tussen ca. 10 nm en 15 nm (het zogenaamde extreme UV-gebied (EUV)), voor röntgenfluorescentie-analyse 20 van elementen met een laag atoomnummer Z, of ten behoeve van röntgenmicroscopie aan biologische preparaten.
Bekend uit het Nederlandse octrooi nr. 1018139 is een meerlagenspiegel, waarbij de verstrooiende deeltjes zijn geselecteerd uit de groepen overgangselementen uit de vierde 25 en de zesde periode van het periodiek systeem der elementen, in het bijzonder uit de overgangselementen cobalt (Co), nikkel (Ni), wolfraam (W), renium (Re) en iridium (Ir), waarbij de niet-verstrooiende deeltjes in hoofdzaak gepassiveerde deeltjes lithium (Li) zijn.
30 Ook bekend zijn meerlagenspiegels met dunne films van wolfraam (W), gescheiden door scheidingslagen van Si.
Het is een doel van de uitvinding een meerlagenspiegel te verschaffen die een substantieel hogere reflectiviteit voor 1027836 <· 2 straling in het XUV-gebied bezit dan de bekende meerlagenspiegels.
Dit doel wordt bereikt met een meerlagenspiegel van het in de aanhef omschreven type, waarin overeenkomstig de 5 uitvinding de scheidingslagen telkens aan ten minste één zijde zijn bedekt door een tussenlaag van een met het materiaal van de dunne films en het materiaal van de scheidingslagen mengbaar materiaal.
Gevonden is dat bij de productie van een meerlagenspiegel 10 volgens de stand der techniek tijdens de depositie van een dunne film op een scheidingslaag zich eilanden kunnen vormen van het materiaal van de dunne films. Dergelijke eilanden verlenen het oppervlak van de scheidingslaag een niet-uniforme structuur, die resulteert in een verslechtering van 15 de reflectiviteit van dat oppervlak.
Door het telkens bedekken van de scheidingslaag met een tussenlaag van een met het materiaal van de dunne films en het materiaal van de scheidingslagen mengbaar materiaal in een meerlagenspiegel volgens de uitvinding wordt de 20 reflectiviteit van de dunne films in belangrijke mate verhoogd, doordat met de tussenlagen het vormen van eilanden van het materiaal van dunne films wordt voorkomen.
In een uitvoeringsvorm van een meerlagenspiegel overeenkomstig de uitvinding zijn de niet-verstrooiende 25 deeltjes geselecteerd uit de groep die koolstof (C) en gepassiveerd silicium (Si:H) omvat, en is het materiaal van de tussenlaag silicium (Si).
De verstrooiende deeltjes in een meerlagenspiegel overeenkomstig de uitvinding zijn bijvoorbeeld geselecteerd 30 uit de groepen overgangselementen uit de vierde, vijfde en zesde periode van het periodiek systeem der elementen, meer in het bijzonder uit de overgangselementen cobalt (Co), nikkel (Ni), molybdeen (Mo), wolfraam (W), renium (Re) en iridium (Ir).
35 In weer een uitvoeringsvorm zijn de verstrooiende deeltjes deeltjes nikkel, en zijn de niet-verstrooiende deeltjes deeltjes koolstof.
1027836 3
In een voorkeursuitvoeringsvorm zijn de verstrooiende deeltjes deeltjes wolfraam, en zijn de niet-verstrooiende deeltjes deeltjes gepassiveerd silicium.
In een meerlagenspiegel volgens de uitvinding omvat de 5 stapeling bij voorbeeld ten minste 10 door scheidingslagen gescheiden lagen dunne film.
Bij voorkeur omvat de stapeling ca. 100 door scheidingslagen gescheiden lagen dunne film, bij meer voorkeur omvat de stapeling ca. 500 door scheidingslagen 10 gescheiden lagen dunne film.
De voorkeur voor een zo hoog mogelijk aantal door scheidingslagen gescheiden lagen dunne film wordt ingegeven door het gegeven dat de reflectiviteit van een meerlagenspiegel volgens de uitvinding toeneemt bij een 15 toenemend aantal lagen dunne film.
De uitvinding zal in het nu volgende worden toegelicht aan de hand van uitvoeringsvoorbeelden, onder verwijzing naar de tekeningen.
In de tekeningen tonen 20 Fig. 1 in dwarsdoorsnede een schematisch aanzicht van een uitvoeringsvorm van een meerlagenspiegel volgens de uitvinding, en
Fig. 2 de reflectiviteit van twee meerlagenspiegels volgens de stand der techniek en van een meerlagenspiegel 25 volgens de uitvinding als functie van het aantal lagen.
Fig. 1 toont een schematisch aanzicht in dwarsdoorsnede van een meerlagenspiegel 4, die is opgebouwd uit een groot aantal (250 - 500) lagen van afwisselend dunne films 9 van wolfraam, tussenlagen 12 van silicium en scheidingslagen 10 30 van met waterstof gepassiveerd silicium, opeengestapeld op een substraat 11 van een geschikt materiaal, bijvoorbeeld silicium wafers of glas. Ter voorkoming van oxidatie is de bovenste wolfraam dunne filmlaag 9 eveneens bedekt door een laag silicium 12. De dunne films 9 hebben onderling dezelfde 35 dikte, evenals de scheidingslagen 10, waarbij de som der diktes van een dunne film 9, een tussenlaag 12 en een scheidingslaag 10 de roosterafstand d definieert. In een 1027836 ' 4 meerlagenspiegel volgens de uitvinding heeft de roosterafstand d een waarde tussen 0,5 nm en 15 nm. Een inkomende stralenbundel wordt symbolisch voorgesteld door een golvende pijl λ*, de op de dunne films gereflecteerde 5 uittredende stalenbundels worden symbolisch weergegeven door de golvende pijlen λ0. De reflectiehoek Θ voor een bepaalde golflengte X wordt bepaald door de voorwaarde van Bragg, als volgt ηλ = 2d sin0 (l-sin20c/sin20)1/2 10 waarin n een geheel getal is (n = 1, 2, 3, ...) en 0C de kritische hoek is. Door de meerlagenspiegel 4 onder een bepaalde hoek 0 in te stellen ten opzichte van de invallende stralenbundel Λ, werkt deze spiegel 4 dus als monochromator. Gevonden is dat de bandbreedte van een als monochromator 15 werkende röntgenspiegel 4 volgens de uitvinding, uitgedrukt als fractie van de golflengte, kleiner is dan ca. 1% (Δλ/λ £ 0,01, en afhankelijk van het totale aantal lagen). Omwille van de duidelijkheid zijn slechts enkele van het totale aantal dunne films 9, tussenlagen 12 en 20 scheidingslagen 10 afgebeeld.
Fig. 2 toont de tijdens de productie gemeten reflectiviteit R (uitgedrukt in arbitraire eenheden a.u.) van een uit 10 lagen wolfraam en silicium samengestelde meerlagenspiegel (Si/W, middelste curve), een uit 10 lagen 25 wolfraam en met waterstof gepassiveerd silicium samengestelde meerlagenspiegel (SiH/W, onderste curve), en van een. meerlagenspiegel volgens de uitvinding, samengesteld uit 10 dunnefilmlagen wolfraam, tussenlagen silicium en scheidingslagen van met waterstof gepassiveerd silicium 30 (SiHSi/W, bovenste curve), als functie van het aantal lagen N. De meerlagenspiegels zijn volgens een op zich bekende werkwijze vervaardigd door middel van elektronenbundelverdamping van wolfraam en silicium in een ultra-hoog vacuümsysteem, bij een basisdruk van 10'9 mbar, 35 waarbij het silicium en wolfraam werden opgedampt op silicium (100) substraten. Het proces werd instantaan gevolgd door middel van in situ reflectometrie van koolstof-K straling. De 1027836 5 energierijke ionen werden geleverd door een Kaufman ionenbron. Voor het passiveren van de siliciumlagen werd een totale dosis van ongeveer 1016 H+-ionen per cm2 geïmplanteerd. De dikte van de wolfraam dunne films en de silicium of 5 gepassiveerd silicium scheidingslagen bedroeg ca. 2 nm, terwijl de dikte van de op de scheidingslagen gedeponeerde silicium tussenlaag in de meerlagenspiegel volgens de uitvinding ca. 0,3 nm bedroeg.
Omdat de dichtheid van gepassiveerd silicium lager is dan 10 de dichtheid van zuiver silicium, is het optische contrast in een meerlagenspiegel met gepassiveerd silicium hoger dan in een meerlagenspiegel met zuiver silicium, en zou de reflectiviteit van eerstgenoemde meerlagenspiegel hoger moeten zijn dan de reflectiviteit van laatstgenoemde. De 15 figuur toont echter aan dat een meerlagenspiegel samengesteld uit lagen wolfraam en gepassiveerd silicium een lagere reflectiviteit vertoont dan een meerlagenspiegel samengesteld uit wolfraam en zuiver silicium. Deze verslechtering van de reflectiviteit, die ongeveer 25% bedraagt, valt toe te 20 schrijven aan de vorming van eilanden van wolfraam op de lagen gepassiveerd silicium. Gevonden is dat in een meerlagenspiegel waarin overeenkomstig de uitvinding de scheidingslaag (in dit voorbeeld gepassiveerd silicium) is bedekt met een tussenlaag van een met het materiaal van de 25 dunne films (in dit voorbeeld wolfraam) en de scheidingslagen mengbaar materiaal (silicium), de reflectiviteit aanmerkelijk is toegenomen (bovenste curve). De verbetering van de effectieve reflectiviteit bedraagt in dit voorbeeld ca. 20% ten opzichte van de reflectiviteit van de meerlagenspiegel 30 met wolfraam en zuiver silicium.
1027836

Claims (10)

1. Meerlagenspiegel (4) voor straling met een golflengte in het golflengtegebied tussen 0,1 nm en 30 nra, omvattend een j stapeling van dunne films (9) die in hoofdzaak verstrooiende deeltjes bevatten die de straling verstrooien, welke dunne 5 films (9) zijn gescheiden door scheidingslagen (10) met een dikte in de orde van grootte van de golflengte van de straling, welke scheidingslagen (10) in hoofdzaak niet-verstrooiende deeltjes bevatten die de straling niet althans in mindere mate dan de verstrooiende deeltjes verstrooien, 10 met het kenmerk, dat de scheidingslagen (10) telkens aan ten minste één zijde zijn bedekt door een tussenlaag (12) van een met het materiaal van de dunne films (9) en het materiaal van de scheidingslagen (10) mengbaar materiaal.
2. Meerlagenspiegel (4) volgens conclusie 1, met het 15 kenmerk, dat de niet-verstrooiende deeltjes zijn geselecteerd uit de groep die koolstof (C) en gepassiveerd silicium (Si:H) omvat, en het materiaal van de tussenlaag (12) silicium (Si) is.
3. Meerlagenspiegel (4) volgens een der conclusies 1-2, 20 met het kenmerk, dat verstrooiende deeltjes zijn geselecteerd uit de groepen overgangselementen uit de vierde, vijfde en zesde periode van het periodiek systeem der elementen.
4. Meerlagenspiegel (4) volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de verstrooiende deeltjes zijn geselecteerd uit 25 de overgangselementen cobalt (Co), nikkel (Ni), molybdeen (Mo), wolfraam (W), renium (Re) en iridium (Ir).
5. Meerlagenspiegel (4) volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat de verstrooiende deeltjes deeltjes wolfraam en de niet-verstrooiende deeltjes deeltjes gepassiveerd silicium 30 (Si:H) zijn.
6. Meerlagenspiegel (4) volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat de verstrooiende deeltjes deeltjes nikkel en de niet-verstrooiende deeltjes deeltjes koolstof zijn.
7. Meerlagenspiegel (4) volgens een der conclusies 1-6, 1027836 met het kenmerk, dat de tussenlaag (12) een dikte heeft van ca. 0,3 nm.
8. Meerlagenspiegel (4) volgens een der conclusies 1-7, met het kenmerk, dat de stapeling ten minste 10 door 5 scheidingslagen (10) gescheiden lagen dunne film (9) omvat.
9. Meerlagenspiegel (4) volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat de stapeling ten minste 100 door scheidingslagen (10) gescheiden lagen dunne film (9) omvat.
10. Meerlagenspiegel (4) volgens conclusie 9, met het 10 kenmerk, dat de stapeling ca. 500 door scheidingslagen (10) gescheiden lagen dunne film (9) omvat. 1027836"11
NL1027836A 2004-12-21 2004-12-21 Meerlagenspiegel voor straling in het zachte-röntgen- en XUV-golflengtegebied. NL1027836C2 (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1027836A NL1027836C2 (nl) 2004-12-21 2004-12-21 Meerlagenspiegel voor straling in het zachte-röntgen- en XUV-golflengtegebied.
AT05825377T ATE392701T1 (de) 2004-12-21 2005-12-15 Mehrschichtiger spiegel für strahlung im weichröntgen- und xuv-wellenlängenbereich
DE602005006161T DE602005006161T2 (de) 2004-12-21 2005-12-15 Mehrschichtspiegel für Strahlung im weichen Röntgen- und XUV-Wellenlängenbereich
EP05825377A EP1829052B1 (en) 2004-12-21 2005-12-15 Multi-layer mirror for radiation in the soft x-ray and xuv wavelength range
US11/720,541 US20090141342A1 (en) 2004-12-21 2005-12-15 Multi-layer mirror for radiation in the soft x-ray and xuv wavelength range
PCT/NL2005/000860 WO2006068464A1 (en) 2004-12-21 2005-12-15 Multi-layer mirror for radiation in the soft x-ray and xuv wavelength range

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1027836A NL1027836C2 (nl) 2004-12-21 2004-12-21 Meerlagenspiegel voor straling in het zachte-röntgen- en XUV-golflengtegebied.
NL1027836 2004-12-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1027836C2 true NL1027836C2 (nl) 2006-06-22

Family

ID=34974828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1027836A NL1027836C2 (nl) 2004-12-21 2004-12-21 Meerlagenspiegel voor straling in het zachte-röntgen- en XUV-golflengtegebied.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090141342A1 (nl)
EP (1) EP1829052B1 (nl)
AT (1) ATE392701T1 (nl)
DE (1) DE602005006161T2 (nl)
NL (1) NL1027836C2 (nl)
WO (1) WO2006068464A1 (nl)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5716038B2 (ja) * 2009-12-15 2015-05-13 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euvリソグラフィ用反射光学素子
US9431212B2 (en) 2010-06-03 2016-08-30 Carl Zeiss Sms Gmbh Method for determining the performance of a photolithographic mask
US9658527B2 (en) 2010-07-12 2017-05-23 Carl Zeiss Sms Ltd. Correction of errors of a photolithographic mask using a joint optimization process
DE102011083774B4 (de) 2010-10-04 2019-06-13 Carl Zeiss Sms Ltd. Verfahren zum Bestimmen von Laser korrigierenden Tool-Parametern
JP5821100B2 (ja) 2010-12-17 2015-11-24 カール ツァイス エスエムエス ゲーエムベーハー フォトリソグラフィマスクによって処理されるウェーハ上の誤差を補正する方法及び装置
US8539394B2 (en) 2011-03-02 2013-09-17 Carl Zeiss Sms Ltd. Method and apparatus for minimizing overlay errors in lithography
KR101332502B1 (ko) * 2011-06-14 2013-11-26 전남대학교산학협력단 국부적 방사선 치료용 x―선 바늘 모듈
RU2525690C1 (ru) * 2013-02-12 2014-08-20 Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" Способ изготовления зеркала для рентгеновского телескопа
CN104765078A (zh) * 2015-04-21 2015-07-08 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 具有热稳定性及抗辐照损伤的极紫外多层膜
CN107847200B (zh) 2015-07-14 2022-04-01 皇家飞利浦有限公司 利用增强的x射线辐射的成像装置和系统
DE102016224690B4 (de) 2016-12-12 2020-07-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Untersuchen eines Elements einer photolithographischen Maske für den EUV-Bereich
DE102017202945A1 (de) 2017-02-23 2018-08-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Transformieren von Messdaten einer photolithographischen Maske für den EUV-Bereich von einer ersten Umgebung in eine zweite Umgebung
DE102017205629A1 (de) 2017-04-03 2018-10-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reparieren von Defekten einer photolithographischen Maske für den EUV-Bereich

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0567022A1 (en) * 1992-04-21 1993-10-27 Japan Aviation Electronics Industry, Limited Multilayer film reflector for soft X-rays
US6396900B1 (en) * 2001-05-01 2002-05-28 The Regents Of The University Of California Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application
US20040121134A1 (en) * 2000-03-31 2004-06-24 Frederik Bijkerk Multilayer system with protecting layer system and production method
US20040233519A1 (en) * 2001-05-23 2004-11-25 Frederik Bijkerk Multi-layer mirror for radiation in the xuv wavelenght range and method for manufacture thereof

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4916721A (en) * 1987-08-05 1990-04-10 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Normal incidence X-ray mirror for chemical microanalysis
US5307395A (en) * 1992-09-30 1994-04-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Low-damage multilayer mirror for the soft X-ray region

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0567022A1 (en) * 1992-04-21 1993-10-27 Japan Aviation Electronics Industry, Limited Multilayer film reflector for soft X-rays
US20040121134A1 (en) * 2000-03-31 2004-06-24 Frederik Bijkerk Multilayer system with protecting layer system and production method
US6396900B1 (en) * 2001-05-01 2002-05-28 The Regents Of The University Of California Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application
US20040233519A1 (en) * 2001-05-23 2004-11-25 Frederik Bijkerk Multi-layer mirror for radiation in the xuv wavelenght range and method for manufacture thereof

Also Published As

Publication number Publication date
EP1829052A1 (en) 2007-09-05
ATE392701T1 (de) 2008-05-15
US20090141342A1 (en) 2009-06-04
DE602005006161D1 (de) 2008-05-29
EP1829052B1 (en) 2008-04-16
WO2006068464A1 (en) 2006-06-29
DE602005006161T2 (de) 2009-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1027836C2 (nl) Meerlagenspiegel voor straling in het zachte-röntgen- en XUV-golflengtegebied.
US8937709B2 (en) Reflective optical element for EUV lithography
US5305364A (en) Projection type X-ray lithography apparatus
US8475635B2 (en) Processes and device for the deposition of films on substrates
US7855036B2 (en) Sputtering target used for production of reflective mask blank for EUV lithography
EP2024789A1 (en) Reflective mask blank for euv lithograhy and substrate with functional film for the same
US20200124957A1 (en) Photomask having reflective layer with non-reflective regions
Bajt et al. Design and performance of capping layers for EUV multilayer mirrors
Liu et al. Depth-graded multilayers for application in transmission geometry as linear zone plates
NL1018139C2 (nl) Meerlagenspiegel voor straling in het XUV-golflengtegebied en werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
JP7447074B2 (ja) 極紫外線マスクブランクの欠陥の低減
US20190049634A1 (en) Materials, components, and methods for use with extreme ultraviolet radiation in lithography and other applications
JPH07113679B2 (ja) 多層膜反射鏡
Flora et al. Krypton as stopper for ions and small debris in laser plasma sources
JP2007140105A (ja) 多層膜反射鏡及び露光装置
CN115485616A (zh) 远紫外掩模吸收材料
EP3996112B1 (en) Method for producing a multilayer laue lens
EP3906434A1 (en) Boron-based capping layers for euv optics
US10809630B2 (en) Method for correcting a reflective optical element for the wavelength range between 5 nm and 20 nm
KR102645567B1 (ko) Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, euv 리소그래피용 반사형 마스크 및 그것들의 제조 방법
Michaelsen et al. La/B4C multilayer mirrors for x-rays below 190 eV
TW202331404A (zh) 用於積體電路的圖案化之極紫外線(euv)光罩架構
JP2023178253A (ja) 光学素子および機器
WO2001053891A1 (fr) Procede de lithographie ionique, revetement a fort contraste, equipement et reticule de mise en oeuvre
Tarrio S. Bajt, HN Chapman, N. Nuygen, J. Alameda, JC Robinson, M. Malinowski, E. Gullikson, A. Aquila, C.

Legal Events

Date Code Title Description
PD2B A search report has been drawn up
VD1 Lapsed due to non-payment of the annual fee

Effective date: 20090701